JPH0582496A - レジスト除去方法及びその装置 - Google Patents
レジスト除去方法及びその装置Info
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- JPH0582496A JPH0582496A JP26842391A JP26842391A JPH0582496A JP H0582496 A JPH0582496 A JP H0582496A JP 26842391 A JP26842391 A JP 26842391A JP 26842391 A JP26842391 A JP 26842391A JP H0582496 A JPH0582496 A JP H0582496A
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- resist
- substrate
- cleaning liquid
- etching
- liquid
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 減圧雰囲気下でレジスト残滓を除去すること
により、微細なパタンに生じる気泡を除去してパタンに
入りこんだレジスト残滓を完全に除去する。 【構成】 導入口６から液槽１内に注入された洗浄液７
の中に、ウェハカセット３にセットされた基板４を挿入
し、排気口９から排気して液槽１内を減圧し、減圧下で
基板４を洗浄する。その後、ガス導入口８からガスを導
入して液槽１内を常圧に戻し、基板４をウェハカセット
３ごと取り出す。
により、微細なパタンに生じる気泡を除去してパタンに
入りこんだレジスト残滓を完全に除去する。 【構成】 導入口６から液槽１内に注入された洗浄液７
の中に、ウェハカセット３にセットされた基板４を挿入
し、排気口９から排気して液槽１内を減圧し、減圧下で
基板４を洗浄する。その後、ガス導入口８からガスを導
入して液槽１内を常圧に戻し、基板４をウェハカセット
３ごと取り出す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコン基板上に塗布
されたレジストに回路パターンを転写してレジストをマ
スクとしてエッチング加工し、このレジストを大部分除
去した後に残るレジストの残滓を除去する方法及びこれ
に用いる装置に関する。
されたレジストに回路パターンを転写してレジストをマ
スクとしてエッチング加工し、このレジストを大部分除
去した後に残るレジストの残滓を除去する方法及びこれ
に用いる装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】その高集積化に伴って加工寸法が微細化
している半導体装置の作製プロセスでは、エッチング技
術の向上が重要な課題である。
している半導体装置の作製プロセスでは、エッチング技
術の向上が重要な課題である。
【０００３】シリコン基板上に堆積された絶縁膜，導電
膜上に微細なパターンを形成する方法としては、堆積膜
に塗布したレジストを露光現像してパターンを転写する
ことによって堆積膜上にレジストパターンを形成した
後、レジストパターンをマスクとしてＲＦプラズマ，μ
波プラズマ等を用いたRIE (Reactive Ion Etching)を行
い、堆積膜上に微細な回路パターンを形成する方法が一
般的である。このような方法では回路パターン形成後に
レジストを除去しなければならない。
膜上に微細なパターンを形成する方法としては、堆積膜
に塗布したレジストを露光現像してパターンを転写する
ことによって堆積膜上にレジストパターンを形成した
後、レジストパターンをマスクとしてＲＦプラズマ，μ
波プラズマ等を用いたRIE (Reactive Ion Etching)を行
い、堆積膜上に微細な回路パターンを形成する方法が一
般的である。このような方法では回路パターン形成後に
レジストを除去しなければならない。
【０００４】素子の高集積化に伴ってエッチングするパ
ターンも微細化し、例えば、16ＭＤＲＡＭでは 0.5μ
ｍ，64ＭＤＲＡＭでは 0.4μｍの微細なパターン形成技
術が必要になっている。このような微細パターンを形成
するには、レジストの微細パターン形成技術，エッチン
グの加工精度の向上，エッチング時に発生するダメージ
の除去技術の確立と同様に、エッチング後のレジストの
完全な除去方法の確立が重要な課題である。
ターンも微細化し、例えば、16ＭＤＲＡＭでは 0.5μ
ｍ，64ＭＤＲＡＭでは 0.4μｍの微細なパターン形成技
術が必要になっている。このような微細パターンを形成
するには、レジストの微細パターン形成技術，エッチン
グの加工精度の向上，エッチング時に発生するダメージ
の除去技術の確立と同様に、エッチング後のレジストの
完全な除去方法の確立が重要な課題である。
【０００５】従来では、オゾン又はμ波を用いたアッシ
ング装置により、基板表面に付着した大部分のレジスト
を剥離除去した後、硫酸・過酸化水素水の混合液及び水
酸化アンモニウム・過酸化水素水の混合液に順次浸して
水洗することによってエッチング後のレジストの残滓及
び異方性エッチング用に形成されたエッチング側壁保護
膜を除去し、レジストの残滓を除去した基板を乾燥する
方法が一般的となっている。
ング装置により、基板表面に付着した大部分のレジスト
を剥離除去した後、硫酸・過酸化水素水の混合液及び水
酸化アンモニウム・過酸化水素水の混合液に順次浸して
水洗することによってエッチング後のレジストの残滓及
び異方性エッチング用に形成されたエッチング側壁保護
膜を除去し、レジストの残滓を除去した基板を乾燥する
方法が一般的となっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、エッチングパ
ターンの微細化に伴い、従来では問題とならなかったレ
ジスト残滓，エッチング側壁保護膜の除去の不完全性が
その後の工程に不安定をもたらす原因となっている。
ターンの微細化に伴い、従来では問題とならなかったレ
ジスト残滓，エッチング側壁保護膜の除去の不完全性が
その後の工程に不安定をもたらす原因となっている。
【０００７】特に、 0.6μｍ以下のコンタクトホール形
成後のレジスト残滓，異方性確保のために形成される側
壁保護膜の除去が困難になってきており、その後の金属
配線形成時にコンタクト抵抗の高抵抗化及び接触不良を
引き起こす原因となっている。
成後のレジスト残滓，異方性確保のために形成される側
壁保護膜の除去が困難になってきており、その後の金属
配線形成時にコンタクト抵抗の高抵抗化及び接触不良を
引き起こす原因となっている。
【０００８】図１は、従来のレジスト除去方法により得
られた、酸化膜厚 1.5μｍの試料のコンタクトホール径
とコンタクト抵抗との関係を示すグラフである。図から
明らかなように、径 0.6μｍ以上のコンタクトホールに
関しては抵抗値にばらつきがなく安定したコンタクトが
形成されるが、径が 0.6μｍ以下になると急激に抵抗値
にばらつきが生ず、特に0.5 μｍ以下でばらつきが大き
い。
られた、酸化膜厚 1.5μｍの試料のコンタクトホール径
とコンタクト抵抗との関係を示すグラフである。図から
明らかなように、径 0.6μｍ以上のコンタクトホールに
関しては抵抗値にばらつきがなく安定したコンタクトが
形成されるが、径が 0.6μｍ以下になると急激に抵抗値
にばらつきが生ず、特に0.5 μｍ以下でばらつきが大き
い。
【０００９】このような抵抗値のばらつきの原因はエッ
チング速度のエッチング面積への依存性に伴って生じる
マイクロローディング効果等による微細コンタクトホー
ル形成プロセスの不安定性と大いに関係があるが、エッ
チング後のレジスト残滓及びエッチング側壁保護膜の除
去の不完全性にも原因がある。
チング速度のエッチング面積への依存性に伴って生じる
マイクロローディング効果等による微細コンタクトホー
ル形成プロセスの不安定性と大いに関係があるが、エッ
チング後のレジスト残滓及びエッチング側壁保護膜の除
去の不完全性にも原因がある。
【００１０】しかし、0.6 μｍ以下のコンタクトホール
形成後、レジスト残滓及び側壁保護膜を硫酸・過酸化水
素水の混合液及び水酸化アンモニウム・過酸化水素水の
混合液中で除去する際、コンタクトホールが微細なため
に脱気が不十分となりコンタクトホールの内部に形成さ
れた気泡に邪魔されて混合液がパターン内へ回り込ま
ず、レジスト残滓及びエッチング側壁保護膜と十分に接
触できないためにこれらの除去が不完全になる。
形成後、レジスト残滓及び側壁保護膜を硫酸・過酸化水
素水の混合液及び水酸化アンモニウム・過酸化水素水の
混合液中で除去する際、コンタクトホールが微細なため
に脱気が不十分となりコンタクトホールの内部に形成さ
れた気泡に邪魔されて混合液がパターン内へ回り込ま
ず、レジスト残滓及びエッチング側壁保護膜と十分に接
触できないためにこれらの除去が不完全になる。
【００１１】本発明はこのような問題点を解決するため
になされたものであって、エッチング後のレジストを大
部分除去した後、液中で基板を洗浄してレジストの残滓
を除去する際に減圧下で行うことにより、微細なパター
ンに付着したレジストの残滓を完全に除去する方法及び
その装置の提供を目的とする。
になされたものであって、エッチング後のレジストを大
部分除去した後、液中で基板を洗浄してレジストの残滓
を除去する際に減圧下で行うことにより、微細なパター
ンに付着したレジストの残滓を完全に除去する方法及び
その装置の提供を目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明に係るレジスト除
去方法は、基板上にパターン形成されたレジストをマス
クとしたエッチング加工後に基板を洗浄液中で洗浄して
レジストの残滓を除去する方法において、基板を洗浄液
中で洗浄してレジストの残滓を除去する工程を減圧下で
行うことを特徴とする。
去方法は、基板上にパターン形成されたレジストをマス
クとしたエッチング加工後に基板を洗浄液中で洗浄して
レジストの残滓を除去する方法において、基板を洗浄液
中で洗浄してレジストの残滓を除去する工程を減圧下で
行うことを特徴とする。
【００１３】また、本発明に係るレジスト除去装置は、
基板上にパターン形成されたレジストをマスクとしたエ
ッチング加工後に基板を洗浄液中で洗浄してレジストの
残滓を除去する装置において、洗浄液を貯留する液槽
と、洗浄液中で基板を保持する保持体と、液槽内を減圧
する減圧手段と、減圧した液槽内を常圧に戻す手段とを
備えたことを特徴とする。
基板上にパターン形成されたレジストをマスクとしたエ
ッチング加工後に基板を洗浄液中で洗浄してレジストの
残滓を除去する装置において、洗浄液を貯留する液槽
と、洗浄液中で基板を保持する保持体と、液槽内を減圧
する減圧手段と、減圧した液槽内を常圧に戻す手段とを
備えたことを特徴とする。
【００１４】
【作用】本発明に係るレジスト除去方法は、エッチング
加工した基板を液槽に貯留された洗浄液に挿入して保持
体で保持し、液槽内を減圧して基板を洗浄した後、液槽
内を常圧に戻して基板を取り出す。
加工した基板を液槽に貯留された洗浄液に挿入して保持
体で保持し、液槽内を減圧して基板を洗浄した後、液槽
内を常圧に戻して基板を取り出す。
【００１５】従って、コンタクトホール等の窪んだ微細
なパターンに生じた気泡が除かれて洗浄液が十分に回り
込み、レジスト残滓及びエッチング側壁保護膜をほぼ完
全に除去する。
なパターンに生じた気泡が除かれて洗浄液が十分に回り
込み、レジスト残滓及びエッチング側壁保護膜をほぼ完
全に除去する。
【００１６】
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図に基づい
て説明する。図２は本発明に係るレジスト除去装置の構
成を示す模式的断面図である。図中１は薬液，純水等の
基板の洗浄液７を貯留する液槽であって、液槽１の内部
周壁から底部周縁にかけて、洗浄液７を加熱するヒータ
が内蔵されており、底部中央には洗浄液７を外部へ排水
する排水口５が設けられ、上部は上蓋10によって覆われ
る。
て説明する。図２は本発明に係るレジスト除去装置の構
成を示す模式的断面図である。図中１は薬液，純水等の
基板の洗浄液７を貯留する液槽であって、液槽１の内部
周壁から底部周縁にかけて、洗浄液７を加熱するヒータ
が内蔵されており、底部中央には洗浄液７を外部へ排水
する排水口５が設けられ、上部は上蓋10によって覆われ
る。
【００１７】液槽１の側壁には洗浄液７の導入口６及び
液槽１内部を常圧に戻す窒素ガスのガス導入口８が設け
られ、上蓋10には液槽１の内部を減圧する排気口９が設
けられ、排気口９は図示しないアスピレータに接続され
る。
液槽１内部を常圧に戻す窒素ガスのガス導入口８が設け
られ、上蓋10には液槽１の内部を減圧する排気口９が設
けられ、排気口９は図示しないアスピレータに接続され
る。
【００１８】また、ウェハカセット３は基板４を保持し
たまま洗浄液７中に挿入され、洗浄液７中で基板４を固
定保持する。
たまま洗浄液７中に挿入され、洗浄液７中で基板４を固
定保持する。
【００１９】次に、以上のような構成のレジスト除去装
置を用いた本発明に係るレジスト除去方法（以下、本発
明方法という）について説明する。なお、本発明方法に
は、図２に示す液槽１を洗浄液７の種類別に設けた装置
を用いる。
置を用いた本発明に係るレジスト除去方法（以下、本発
明方法という）について説明する。なお、本発明方法に
は、図２に示す液槽１を洗浄液７の種類別に設けた装置
を用いる。
【００２０】シリコン基板上に堆積した酸化膜又は多結
晶シリコン膜をレジストパタニング後エッチングを行
う。エッチングを行った後、オゾンアッシャにより基板
表面に残った大部分のレジストを除去する。オゾンアッ
シングをチャンバ温度 300℃，酸素流量10リットル/mi
n，アッシング時間60sec.の条件で行って 1.2μｍ厚の
レジストを除去する。
晶シリコン膜をレジストパタニング後エッチングを行
う。エッチングを行った後、オゾンアッシャにより基板
表面に残った大部分のレジストを除去する。オゾンアッ
シングをチャンバ温度 300℃，酸素流量10リットル/mi
n，アッシング時間60sec.の条件で行って 1.2μｍ厚の
レジストを除去する。
【００２１】レジストアッシング後、第１液槽1aに、硫
酸・過酸化水素水（140 ：１）の混合液からなる洗浄液
７を導入口６より注ぎ、ヒータ２によって加熱して液温
140℃に保温した中にウェハカセット３にセットした基
板４を挿入する。
酸・過酸化水素水（140 ：１）の混合液からなる洗浄液
７を導入口６より注ぎ、ヒータ２によって加熱して液温
140℃に保温した中にウェハカセット３にセットした基
板４を挿入する。
【００２２】基板４の挿入後、上蓋10を閉じ、アスピレ
ータを作動して排気口9 より液槽1a内を約200mmHg まで
脱気して基板４を12分間洗浄する。
ータを作動して排気口9 より液槽1a内を約200mmHg まで
脱気して基板４を12分間洗浄する。
【００２３】その後、真空引きを止め、ガス導入口８か
ら第１液槽1a内に窒素ガスを導入して大気圧に戻し、ウ
ェハカセット３ごと基板４を取り出し、基板４を常圧下
の純水中で、10分間流水洗浄する。
ら第１液槽1a内に窒素ガスを導入して大気圧に戻し、ウ
ェハカセット３ごと基板４を取り出し、基板４を常圧下
の純水中で、10分間流水洗浄する。
【００２４】さらに、第２液槽1bに純水を注いでヒータ
２によって50℃に保温した中に基板４をウェハカセット
３ごと挿入して第２液槽1b内の真空引きを行い、基板４
を15分間洗浄する。
２によって50℃に保温した中に基板４をウェハカセット
３ごと挿入して第２液槽1b内の真空引きを行い、基板４
を15分間洗浄する。
【００２５】真空引きを止め、ガス導入口８から第１液
槽1a内に窒素ガスを導入して大気圧に戻した後、ウェハ
カセット３ごと基板４を取り出す。基板４を常圧下の純
水中で10分間流水洗浄する。
槽1a内に窒素ガスを導入して大気圧に戻した後、ウェハ
カセット３ごと基板４を取り出す。基板４を常圧下の純
水中で10分間流水洗浄する。
【００２６】次に、第３液槽1cに、水酸化アンモニウム
・過酸化水素水・純水（１：１：５）の混合液を入れ、
ヒータ２によって70℃に液温を保持した中に基板４をウ
ェハカセット３ごと挿入する。アスピレータにより200m
mHg まで真空引きを行い、減圧下で５分間、基板４を洗
浄する。
・過酸化水素水・純水（１：１：５）の混合液を入れ、
ヒータ２によって70℃に液温を保持した中に基板４をウ
ェハカセット３ごと挿入する。アスピレータにより200m
mHg まで真空引きを行い、減圧下で５分間、基板４を洗
浄する。
【００２７】その後、ガス導入口８からの窒素導入によ
り第３液槽1c内を常圧に戻して基板４を取り出し、常圧
下の純水中で10分間流水洗浄する。
り第３液槽1c内を常圧に戻して基板４を取り出し、常圧
下の純水中で10分間流水洗浄する。
【００２８】さらに、前述の第２液槽1bの純水を排水口
５から排水して槽内を洗浄した後、新たに純水を第２液
槽1b内に入れて常温を保ち、基板４をウェハカセット３
ごと洗浄液７に挿入して減圧下で10分間基板４を洗浄す
る。
５から排水して槽内を洗浄した後、新たに純水を第２液
槽1b内に入れて常温を保ち、基板４をウェハカセット３
ごと洗浄液７に挿入して減圧下で10分間基板４を洗浄す
る。
【００２９】減圧下での水洗終了後、第２液槽1b内を常
圧に戻し、基板４をウェハカセット３ごと取り出して常
圧下の純水中で15分間流水洗浄し、洗浄した基板４を乾
燥させる。
圧に戻し、基板４をウェハカセット３ごと取り出して常
圧下の純水中で15分間流水洗浄し、洗浄した基板４を乾
燥させる。
【００３０】図３は本発明方法によるレジスト除去後、
金属配線を行った試料のコンタクト径に対するコンタク
ト抵抗を評価した結果を示すグラフである。
金属配線を行った試料のコンタクト径に対するコンタク
ト抵抗を評価した結果を示すグラフである。
【００３１】図１に示す従来例と比較すると、 0.6μｍ
以下のコンタクトホールにおいても抵抗値のばらつきが
減少して抵抗値が安定しており、本発明方法が、微細な
パターン側壁に残ったレジスト残滓及び側壁保護膜の除
去に有効に作用したことを示している。
以下のコンタクトホールにおいても抵抗値のばらつきが
減少して抵抗値が安定しており、本発明方法が、微細な
パターン側壁に残ったレジスト残滓及び側壁保護膜の除
去に有効に作用したことを示している。
【００３２】なお、本実施例では、減圧下での基板洗浄
に、アスピレータを用いた場合について説明したが、減
圧装置はアスピレータに限るものではなく、より高真空
化が可能な装置を用いればより微細なパターン形成時に
も適応できる。
に、アスピレータを用いた場合について説明したが、減
圧装置はアスピレータに限るものではなく、より高真空
化が可能な装置を用いればより微細なパターン形成時に
も適応できる。
【００３３】
【発明の効果】以上のように、本発明に係るレジスト除
去方法は、大部分のレジストをアッシング等で剥離除去
した後のレジスト残滓を洗浄液で洗浄して除去する際、
減圧下で行うことにより微細なパターンに生じた気泡を
除いて洗浄液をパターンの窪みにまで十分に行き渡らせ
るので、レジスト残滓及びエッチング側壁保護膜をほぼ
完全に除去することができるという優れた効果を奏す
る。
去方法は、大部分のレジストをアッシング等で剥離除去
した後のレジスト残滓を洗浄液で洗浄して除去する際、
減圧下で行うことにより微細なパターンに生じた気泡を
除いて洗浄液をパターンの窪みにまで十分に行き渡らせ
るので、レジスト残滓及びエッチング側壁保護膜をほぼ
完全に除去することができるという優れた効果を奏す
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のレジスト除去方法によるコンタクト抵抗
とコンタクトホール径との関係を示すグラフである。
とコンタクトホール径との関係を示すグラフである。
【図２】本発明に係るレジスト除去装置の構成を示す模
式的断面図である。
式的断面図である。
【図３】本発明方法により得られた試料のコンタクトホ
ール径とコンタクト抵抗との関係を示すグラフである。
ール径とコンタクト抵抗との関係を示すグラフである。
【符号の説明】 １ 液槽 ２ ヒータ ３ ウェハカセット ４ 基板 ６ 導入口 ７ 洗浄液 ９ 排気口
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上にパターン形成されたレジストを
マスクとしたエッチング加工後に基板を洗浄液中で洗浄
してレジストの残滓を除去する方法において、基板を洗
浄液中で洗浄してレジストの残滓を除去する工程を減圧
下で行うことを特徴とするレジスト除去方法。 - 【請求項２】 基板上にパターン形成されたレジストを
マスクとしたエッチング加工後に基板を洗浄液中で洗浄
してレジストの残滓を除去する装置において、洗浄液を
貯留する液槽と、洗浄液中で基板を保持する保持体と、
液槽内を減圧する減圧手段と、減圧した液槽内を常圧に
戻す手段とを備えたことを特徴とするレジスト除去装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26842391A JPH0582496A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | レジスト除去方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26842391A JPH0582496A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | レジスト除去方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582496A true JPH0582496A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17458283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26842391A Pending JPH0582496A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | レジスト除去方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0582496A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5419353A (en) * | 1994-05-04 | 1995-05-30 | Chen; Hong-Wel | Object cleaning and washing device |
| DE19715368A1 (de) * | 1997-04-14 | 1998-10-15 | Iris Bohnet | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Multi-Layer-Leiterplatte |
| US5845663A (en) * | 1996-03-13 | 1998-12-08 | Lg Semicon Co., Ltd. | Wafer wet processing device |
| US6105592A (en) * | 1997-07-21 | 2000-08-22 | Semitool, Inc. | Gas intake assembly for a wafer processing system |
| JP2015054288A (ja) * | 2013-09-12 | 2015-03-23 | 三菱電機株式会社 | 洗浄方法、洗浄装置および洗浄方法を適用した被洗浄物 |
| JPWO2019159969A1 (ja) * | 2018-02-14 | 2021-02-18 | Ｓｃｉｖａｘ株式会社 | 両面成型方法および成型品 |
-
1991
- 1991-09-18 JP JP26842391A patent/JPH0582496A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPWO2019159969A1 (ja) * | 2018-02-14 | 2021-02-18 | Ｓｃｉｖａｘ株式会社 | 両面成型方法および成型品 |
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