JPS61166134A - 処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［技術分野］ 本発明は、処理技術、特に、半導体装置の製造における
ウェハの洗浄処理に適用して有効な技術に関する。

［背景技術］ 半導体装置の製造においては、たとえばシリコンなどの
半導体からなる円盤状の基板、すなわちウェハに、化学
気相成長法や蒸着などで形成される酸化物膜や金属膜な
どを光蝕刻法によって所定のパターンの絶縁層や配線構
造などに形成する操作を繰り返すことによって、ウェハ
に所定の構造の半導体素子を形成することが行われる。

たとえば、ウェハ上にアルミニウムからなる配線構造を
形成するだめのエツチングとしては、所定の濃度の酸な
どからなるエツチング液にウェハを浸漬し、ウェハ上に
形成されたアルミニウム膜の不用な部分を溶解除去する
、いわゆるウェットエツチングが行われる。

この場合、エツチング終了後ウェハ表面に残留されるエ
ツチング液や反応生成物などは後に半導体素子の腐食の
原因となるなどの不都合があるため、エツチング後、所
定の純度の純水による洗浄操作が行われる。

このウェハの洗浄操作としては、純水の貯留槽に所定数
のウェハが収納されたカートリッジを浸漬し、作業台が
カー１−リッジを適宜Ｉ」動さ廿ることによって行うこ
とが考えられろ。

しかしながら、上記の洗浄操作では、たとえばエツチン
グ液の粘＋’ｌが比較的大きい場合には、洗浄が不十分
となり、後に半導体素子の欠陥発生の原因となるなどの
欠点があることを本発明者は見いだした。

なお、ウェハ処理技術について説明されている文献とし
は、株式会社工業調査会、昭和５６年１１月１０１１発
行「電子材料１１９８１年１１月号別冊、Ｐ９５〜Ｐ１
０２がある。

［発明の目的］ 本発明の目的は、良好な処理結果を得ることが可能な処
理技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添イ」図面から明らかになるであろ
う。

［発明の１既要］ 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、つぎの通りである。

ず２（わち、被処理物が位置される処理槽に、処理槽の
内周面に沿う方向に処理流体を噴射供給する少なくと４
）一つの噴射ノズルと、処理槽の中央部に重直に信置さ
れ、処理槽の底面から所定の高さに設ｉＪられた開口部
を通して処理流体を処理槽の外部に排出する排出ノズル
とを設けるごとにより、噴１４　、／ズルから処理槽内
に供給される処理流、体が処理槽の中央部に設ｉノられ
た排出ノズルに至る間に渦流が形成され、処理槽内に位
置される被処理物に処理流体が効率よくかつ十分接触さ
れるようにして、良好な処理結果を得るよ・うにしたも
のである。

［実施例］ 第１図（ａ）は、本発明の一実施例であるウェハの洗浄
処理装置の一部を破断して示す平面図であり、第１図（
ｂ）は同図（ａ）において、線Ｂ−Ｂで示される部分の
断面図である。

処理槽１の内部には、所定数のウェハ２（被処理物）を
、その平面が垂直方向となるように互いに平行な状態に
収納する複数のウェハカートリッジ３が着脱自在に位置
されている。

この場合、ウェハカートリッジ３は、その中に収納され
たウェハ２の平面が処理槽１の半径方向にほぼ垂直とな
るように、処理槽１内に位置される。

さらに、処理槽Ｉの周囲にば、処理槽１の周囲壁面部を
貫通して複数の噴射ノズル４が設けられ、所定のポンプ
機構（図示せず）に接続されることによって、処理槽１
内に、たとえば所定の純度の純水が供給される構造とさ
れている。

この場合、複数の噴射ノズル４の処理槽１の内部に突出
され、断面積が開放端に向かって徐々に減少するように
形成された先端部５は、処理槽１の内周面に沿って同一
方向に向くように形成され、処理槽１内に噴射４１ζ給
される純水が渦流をなすようにされている。

また、処理槽１の中央部には、処理槽１の底面から所定
の高さに開「１部を有する排出ノズル６が設けられてお
り、前記の複数の噴射ノズル４から処理槽１内に渦流を
なして供給され、ウェハカートリッジ３に収納されたウ
ェハ２に接触される純水が、所定の水位以上になった時
に開口部を通して処理槽１の外部に排出されるように構
成されている。

このように、ウェハカートリッジ３に収納された所定数
のウェハ２に、処理槽１内の周囲に設けられた噴１・１
ノズル４から純水が渦状に供給されるため、噴射ノズル
４を通して処理槽ｌ内に供給される純水が、排出ノズル
４を通じて排出されるまでの間に、個々のウェハ２の表
面に効率良くかつ十分に接触され、ウェハ２の表面に付
着される、たとえば粘性が比較的大きいために除去され
にくいエツチング液や異物などが効果的に洗浄されてウ
ェハ２の表面から除去されることとなり、良好な洗浄処
理結果を得ることができる。

次に、本実施例の作用について説明する。

始めに、所定数のウェハ２を収納した複数のウェハカー
トリッジ３が処理槽１の内部に位置される。

次に、処理槽Ｊの周囲に設けられた複数の噴射ノズル４
の先端部５を通して所定の純度の純水が処理槽１の内部
に供給される。

この場合、噴射ノズル４の先端部５ば処理槽１の内周面
に沿う同一の方向に向くように構成されており、処理槽
１内に供給される純水は処理槽１内において同一方向に
流動され、渦流となってウェハカートリッジ３に収納さ
れたウェハ２の表面に効率良くかつ十分に接触される。

この結果、ウェハ２の表面に（＝Ｊ着される、たとえば
エツチング液や異物などが効果的に洗浄されてウェハ２
の表面から除去される。

ウェハ２の表面から除去されたエツチング液や異物など
を含む純水は、処理槽１の中央部に設げられた排出ノズ
ル６に至り、処理槽１の外部に排出される。

所定の時間、」二記の洗浄操作が継続された後、噴射ノ
ズル４からの純水の供給は停止され、ウェハ２を収納す
るウェハカートリッジ３は処理槽１の外部に取り出され
、次のたとえば乾燥工程などに搬送される。

−Ｊ二記の一連の操作を繰り返すこ七によって、多数の
ウェハ２の洗浄処理が効率良く、効果的に行われる。

［効果］ （１１、被処理物が位置される処理槽と、この処理槽の
内周面に沿う方向に処理流体を噴射供給する少なくとも
一つの噴射ノズルと、前記処理槽の中央部に垂直に位置
され、処理槽の底面から所定の高さに設けられた開口部
を通じて処理流体を処理槽の外部に排出する排出ノズル
とが設けられているため、被処理物に供給される処理流
体が排出ノズルに至る間に、渦流を形成して被処理物に
供給され、被処理物と処理流体が効率良くかつ十分に接
触される結果、良好な処理結果が得られる。

（２）、前記ｉｌｌの結果、処理のむらが発生ずること
が防止され、均一処理が可能となるので、処理工程にお
ける歩留りが向上される。

（３）、前記（１１，（２１の結果、処理工程における
生産性が向上される。

以上本発明Ｈによってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

たとえば、処理槽の形状は円筒状に限らず、多角形断面
形状とすることも可能である。

［利用分野］ 以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるウェハの洗浄処理技
術に適用した場合について説明したが、それに限定され
るものではなく、たとえば、ウェットエツチング技術に
適用することも可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は、本発明の一実施例であるウェハの洗浄
処理装置の一部を破断して示す平面図、第１図（ｂ）は
同図（ａ）において、線Ｂ−Ｂで示される部分の断面図
である。 １・・・処理槽、２・・・ウェハ（被処理物）、３・・
・ウェハカートリッジ、４・・・噴射ノズル、５・・・
先端部、６・・・排出ノズル。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、被処理物を処理流体中に浸漬することによって処理
   を行う処理装置であって、被処理物が位置される処理槽
   と、該処理槽の内周面に沿う方向に処理流体を噴射供給
   する少なくとも一つの噴射ノズルと、前記処理槽の中央
   部に垂直に位置され、処理槽の底面から所定の高さに設
   けられた開口部を通して処理流体を処理槽の外部に排出
   する排出ノズルとを有することを特徴とする処理装置。 ２、被処理物がウェハであることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項記載の処理装置。 ３、処理流体が所定の純度の洗浄水であることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載の処理装置。