KR19980066881U - 웨이퍼가이드(wafer guide) - Google Patents

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KR19980066881U
KR19980066881U KR2019970011354U KR19970011354U KR19980066881U KR 19980066881 U KR19980066881 U KR 19980066881U KR 2019970011354 U KR2019970011354 U KR 2019970011354U KR 19970011354 U KR19970011354 U KR 19970011354U KR 19980066881 U KR19980066881 U KR 19980066881U
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KR
South Korea
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wafer
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wafer guide
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KR2019970011354U
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Inventor
신진욱
Original Assignee
문정환
엘지반도체 주식회사
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Abstract

본 고안은 내부에 웨이퍼가 삽입되는 다수의 슬롯이 형성된 지지대를 구비하여 슬롯과 슬롯들 사이에 삽입시킨 웨이퍼를 일정간격으로 유지시키는 웨이퍼가이드에 관한 것으로, 지지대의 단면적이 하부로 갈수록 작아지도록 형성하고, 또한 슬롯과 슬롯 사이에 보조바를 형성한 것이 특징으로 한다.
따라서, 본 고안의 웨이퍼가이드는 와류발생으로 인한 세정불량에 따른 웨이퍼의 오염 발생을 억제하고, 웨이퍼와 접촉되는 면적을 최소화하여 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.

Description

웨이퍼가이드(wafer guide)
본 고안은 왯스테이션(wet station) 내에서 웨이퍼 세정용으로 사용되는 웨이퍼가이드(wafer guide)에 관한 것으로, 특히 처리조 내로 디핑되는 다수의 웨이퍼를 일정간격으로 유지시키어 세정하기에 적당한 웨이퍼가이드에 관한 것이다.
반도체 디바이스 제조공정에는 웨이퍼 표면에 여러 가지 물질을 도포하거나, 증착시키거나 또는 소정 분위기에서 열처리하는 공정 등이 있으며, 공정 진행 중에 반도체웨이퍼 표면에는 각종 오염이 생기거나 잔재할 가능성이 있다.
따라서, 반도체웨이퍼는 표면에 잔재하는 오염 물질을 제거하기 위해 각각의 공정 사이에 표면을 세정하는 공정이 필요하다. 이 때 사용되는 세정기술은 이러한 여러가지 오염을 물리적, 화학적 방법을 구사해서 제거한다.
가장 일반적인 화학적 세정방법으로 수세정(水洗淨)이 사용되는 데, 이 수세정은 왯스테이션 내에 웨이퍼를 디핑한 후, 순수 또는 세정액 등의 처리액과 웨이퍼 표면과의 화학반응을 통해 세정하는 것이다. 이 때, 디핑되는 다수의 웨이퍼가 서로 일정간격을 유지하여서 웨이퍼 간에 간섭을 주지 않아야 하는 데, 이러한 간섭을 방지하기 위해 각각의 웨이퍼를 안내할 웨이퍼가이드가 필요하다.
도 1 내지 도 3은 종래의 웨이퍼가이드를 설명하기 위해 도시한 도면으로, 도 1은 종래의 웨이퍼가이드의 정면도이고, 도 2는 종래의 웨이퍼가이드 및 그 내부에 형성된 지지대의 측면도이고, 도 3은 종래의 웨이퍼가이드 내부에 형성된 지지대의 사시도이다.
웨이퍼를 일정간격으로 유지시키어 처리조 내로 디핑시키기 위한 종래의 일반적인 웨이퍼가이드는 도 1 내지 도 3과 같이, 하부가 개방된 가이드몸체(100)와, 몸체(100) 내부에 형성되고, 웨이퍼(106)가 삽입되어 장착되는 다수의 슬롯(104)이 형성된 지지대(102)로 구성된다.
그리고 슬롯(104)과 슬롯들 사이에는 웨이퍼(106)를 지지하는 다수의 기둥(108)이 형성된다.
이와 같이 구성된 종래의 웨이퍼가이드는 웨이퍼 세정공정 시, 내부에 다수의 슬롯(104)이 형성된 지지대(102)의 각각의 슬롯에 대응되도록 웨이퍼(106)가 삽입되어진 후, 처리조 내에 디핑되며, 이 때, 처리조 내에는 중앙으로 부터 처리액이 공급되어 웨이퍼가이드 내에 삽입된 각각의 웨이퍼와 웨이퍼 사이에 흐르면서 처리액과 웨이퍼 표면 간에 화학반응을 통해 웨이퍼 세정공정이 진행된다.
그러나, 종래의 웨이퍼가이드에서는 처리조 하부로 부터 공급되는 처리액과 지지대 몸체의 접촉면과의 마찰로 인하여 와류가 발생되며, 이러한 와류로 인하여 처리조 하부에 침체된 이물질이 처리조 공간 전체로 퍼지게 되어 웨이퍼 표면에 재흡착되므로 웨이퍼가 불균일하게 세정되어 표면 상에 띠모양의 파티클을 형성시키어 제품의 수율이 저하되는 문제점이 있었다.
또한, 종래의 웨이퍼가이드에서는 슬롯에 삽입된 웨이퍼가 슬롯과 슬롯 사이의 기둥으로 비스듬히 기울어져서 접촉됨에 따라, 기둥에 부착된 파티클이웨이퍼 표면으로 옮겨져서 제품이 손상되는 문제점이 있다.
따라서 본 고안은 이러한 문제점들을 해결하고자 안출된 것으로, 본 고안의 목적은 처리조 하부로 부터 공급되는 처리액과 가이드몸체와 접촉됨에 따라 발생되는 와류를 감소시키는 웨이퍼가이드를 제공하는 데 있다.
그리고 본 고안의 다른 목적으로는 웨이퍼 가장자리와 접촉되는 슬롯의 면적을 최소화하는 웨이퍼가이드를 제공하는 데 있다.
본 고안의 웨이퍼가이드는 상기의 목적들을 해결하고자, 하부가 개방된 가이드 몸체와, 웨이퍼가 삽입되어 장착되는 다수의 슬롯이 형성된 지지대와, 슬롯과 슬롯 사이에 형성되어 삽입되는 웨이퍼 가장자리와 접촉되는 보조바로 구비된 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 고안을 설명하겠다.
도 1 내지 도 3은 종래의 웨이퍼가이드를 설명하기 위해 도시한 도면으로,
도 1은 종래의 웨이퍼가이드의 정면도이고,
도 2는 종래의 웨이퍼가이드 및 그 내부에 형성된 지지대의 측면도이고,
도 3은 종래의 웨이퍼가이드 내부에 형성된 지지대의 사시도이다.
도 4는 본 고안의 웨이퍼가이드 및 그 내부에 형성된 지지대의 측면도이고,
도 5는 본 고안의 웨이퍼가이드 내의 지지대의 사시도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
100,200:가이드몸체102,202:지지대
104,204:슬롯106,206:웨이퍼
205:보조바208:기둥
도 4는 본 고안의 웨이퍼가이드 및 그 내부에 형성된 지지대의 측면도이고, 도 5는 본 고안의 웨이퍼가이드 내의 지지대의 사시도이다.
본 고안의 웨이퍼가이드는 도 4와 도 5와 같이, 하부가 개방된 가이드몸체(200)와, 가이드몸체(200) 내부에 형성되고, 웨이퍼(206)가 삽입되어 장착되는 다수의 슬롯(204)이 형성되는 지지대(202)와, 슬롯(205)과 슬롯 사이에 형성되어, 삽입되는 웨이퍼(206) 가장자리와 접촉되는 보조바(205)로 구성된다.
그리고 슬롯과 슬롯들 사이에는 웨이퍼(206)를 지지하는 다수의 기둥(208)이 형성된다.
이와 같이 구성된 본 고안의 웨이퍼가이드는 웨이퍼 세정공정 시, 지지대(202)에 형성된 각각의 슬롯(204)과 슬롯들 사이에 세정될 웨이퍼(206)가 삽입되어 진다.
이 때, 슬롯(204)과 슬롯 사이에 형성된 보조바(205) 상단은 평평하여, 평평한 면에 웨이퍼(206) 가장자리가 접촉되어 지지되며, 또한 상단부의 단면적이 하단부보다 작도록 형성된다.
따라서, 상단부로 갈수록 단면적이 작아짐에 따라, 슬롯(204)에 삽입된 웨이퍼(206)가 슬롯과 슬롯 사이의 기둥(208)에 비스듬히 기울어질 시, 웨이퍼(206)와의 접촉되는 면적을 최소화한다.
이어서 웨이퍼가이드는 처리조 내로 디핑되며, 이 때, 처리조 내에는 중앙으로 부터 처리조 상부쪽으로 처리액이 공급되면서 처리조 벽을 타고 처리액이 넘쳐 흐른다.
이 때, 본 고안의 지지대(202)의 단면적은 하부로 갈수록 작게 형성하여 상부쪽으로 처리액이 공급되면서 발생되는 와류를 최소화한다.
또한, 하부로 갈수록 단면적이 작도록 형성된 본 고안의 지지대(202)는 그 단면 형상을 다야몬드형 또는 원형 또는 타원형으로 할 수도 있다.
다음에, 웨이퍼가이드 내에 삽입된 각각의 웨이퍼와 웨이퍼 사이로 처리액이 흐르면서 웨이퍼 표면과 화학반응을 하여 웨이퍼(206) 표면에 부착된 이물을 제거하여 웨이퍼 세정공정이 완료된다.
상기에서 살펴본 바와 같이, 본 고안의 웨이퍼가이드에서는 웨이퍼가이드 하부의 면적을 좁게 형성함으로써, 웨이퍼 세정공정 진행 시, 처리조 하부로 부터 공급되는 처리액과 지지대몸체의 접촉면과의 마찰로 인하여 발생되는 와류를 감소시키어 처리조 내에 발생된 이물질이 공간 전체로 퍼지게 됨을 방지하여 안정된 세정공정을 진행시킬 수 있다.
또한, 웨이퍼 삽입 시, 슬롯과 슬롯 사이에 형성된 보조바에 의해 웨이퍼와 기둥과의 접촉되는 면적을 최소화한다.
따라서, 와류발생으로 인한 세정불량에 따른 웨이퍼의 오염 발생을 억제하고, 웨이퍼와 접촉되는 면적을 최소화하여 제품의 수율을 향상시키는 잇점이 있다.

Claims (4)

  1. 내부에 웨이퍼가 삽입되는 다수의 슬롯이 형성된 지지대를 구비하여 상기 슬롯과 슬롯들 사이에 웨이퍼를 일정간격으로 유지시키는 웨이퍼가이드에 있어서,
    상기 지지대의 단면적을 하부로 갈수록 작아지도록 형성한 것이 특징인 웨이퍼가이드.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 지지대의 단면이 다야몬드형 또는 원형 또는 타원형인 것이 특징인 웨이퍼가이드.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 슬롯과 슬롯 사이에 보조바를 형성하여서, 상기 웨이퍼와의 접촉면적을 최소화한 것이 특징인 웨이퍼가이드.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 보조바는 상단부로 갈수록 단면적이 작아지며, 상단이 평평한 것이 특징인 웨이퍼가이드.
KR2019970011354U 1997-05-20 1997-05-20 웨이퍼가이드(wafer guide) KR19980066881U (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030048682A (ko) * 2001-12-12 2003-06-25 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼 가이드 및 이를 구비한 반도체 습식세정장치
KR100487541B1 (ko) * 2002-09-06 2005-05-03 삼성전자주식회사 반도체기판의 세정/건조 공정에 사용되는 웨이퍼 가이드들

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KR20030048682A (ko) * 2001-12-12 2003-06-25 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼 가이드 및 이를 구비한 반도체 습식세정장치
KR100487541B1 (ko) * 2002-09-06 2005-05-03 삼성전자주식회사 반도체기판의 세정/건조 공정에 사용되는 웨이퍼 가이드들

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