KR920010779A - 세정(洗淨)장치 및 그방법 - Google Patents

세정(洗淨)장치 및 그방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

세정(洗淨)장치 및 그 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예에 관한 세정장치를 개략적으로 나타낸 평면도,
제2도는 제1도에 나타낸 세정 처리조의 투시도,
제3도는 상기 세정 처리조와 아암 구동기구를 나타낸 부분 단면도.

Claims (16)

  1. 세정조와, 이 세정조 내부에, 여러개의 피처리체를 소정간격으로 거의 수직으로 수용하는 수용수단과, 상기 세정조의 바닥부로부터 세정조내에 세정액을 공급하는 세정애 공급수단과, 상기 세정액을 상기 피처리체에 대하여 균일하게 분배공급하는 분배공급수단으로 구성되는 세정장치,
  2. 제1항에 있어서, 상기 분배공급수단은 상기 세정조의 바닥부에 배열설치되어 다수의 구멍(68)을 가지는 정류판(66)을 구비하고 있는 세정장치,
  3. 제2항에 있어서, 상기 정류판(66)은 석영으로 형성되어 있는 세정장치,
  4. 제2항에 있어서, 상기 정류판(66)은 약 4.8mm의 피치로 형성된 다수의 직경 1.5mm의 작은구멍(68)을 가지고 있는 세정장치,
  5. 제1항에 있어서, 상기 분배 공급수단은 상기 세정조의 바닥부에 배열설치되어 다수의 구멍(68)을 각각 가지는 2매의 정류판(66)을 구비하고 있는 세정장치,
  6. 제5항에 있어서, 상기 2매의 정류판(66)에 각각 형성된 구멍(68)은 서로 위치가 엇갈리게 형성되어 있는 세정장치,
  7. 제1항에 있어서, 상기 분배 공급수단은 상기 세정조의 바닥부에 배열설치되어 다수의 구멍(68)을 가지는 정류판(66)과, 상기 세정액 공급수단의 세정액 공급구(70)에 대면하여 설치되어서 상기 정류판(66)하면에 틈을 마련하고 붙임고정된 흐름방향 변경판을 구비하고 있는 세정장치,
  8. 제1항에 있어서, 상기 세정액 공급수단은 세정액을 10ℓ/min이상의 유량으로 상기 세정조내에 공급하도록 구성되어 있는 세정장치,
  9. 제1항에 있어서, 상기한 세정액으로서 산성 세정액, 알카리성 세정액, 순수한 물중 어느 것인가가 사용되는 세정장치,
  10. 세정조와, 이 세정조 내부에 여러개의 피처리체를 소정간격으로 거의 수직으로 수용하는 수용수단과, 상기 세정조의 바닥부로부터 세정조내에 세정액을 공급하는 세정액 공급수단과, 상기 세정조의 바깥둘레에 설치되어 세정조로부터 오버플로우한 세정액을 수용하는 드레인, 이 드레인의 용적은 상기 세정조내에 세정액을 충만한 상태에서 상기 피처리체와 상기 수용수단을 세정액중에 침지했을 때, 오버플로우하는 세정액의 양보다 크게 형성되도록 구성되는 세정장치,
  11. 제10항에 있어서, 상기 드레인에 괴인 세정액을 배출하는 배출수단을 더 포함하여 구성되는 세정장치,
  12. 제10항에 있어서, 상기 드레인에 괴인 세정액을 상기 세정액 공급수단에 되돌려서 순환시키는 순환수단을 더 포함하여 구성되는 세정장치,
  13. 제10항에 있어서, 상기 세정조는 둘레벽을 가지며 상기 드레인(64)은 상기 세정조의 둘레벽보다 높은 측벽을 가지고 있는 세정장치,
  14. 세정조내에 순수한 물를 조의 바닥으로부터 공급하며 오버플로우 상태로 유지하고, 웨이퍼 이동수단에 의하여 유지된 소정수의 반도체 웨이퍼를 상기 세정조내에 삽입하며, 상기 반도체 웨이퍼를 상기 순수한 물중에 완전히 침지하고, 상기 세정조내에 순수한 물를 아래쪽으로부터 균일한 유속으로 연속 공급하여 상기 반도체 웨이퍼를 세정하는 공정으로 구성되는 반도체 웨이퍼의 세정방법,
  15. 제14항에 있어서, 상기 순수한 물를 균일하게 공급하는 공정에 있어서, 순수한 물는 0.2cm/sec이상의 유속으로 공급되는 반도체 웨이퍼의 세정방법,
  16. 제14항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼를 상기 세정조내에 삽입하는 공정에 있어서 상기 반도체 웨이퍼는 약 1초동안에 상기 순수한 물중에 삽입되는 반도체 웨이퍼의 세정방법,
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5730162A (en) * 1995-01-12 1998-03-24 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for washing substrates
US5720815A (en) * 1996-03-01 1998-02-24 Xerox Corporation Dip coating apparatus having solution displacement apparatus
US5725667A (en) * 1996-03-01 1998-03-10 Xerox Corporation Dip coating apparatus having a single coating vessel
JP3320640B2 (ja) * 1997-07-23 2002-09-03 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置
JPH1154471A (ja) 1997-08-05 1999-02-26 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理方法
US6115867A (en) * 1997-08-18 2000-09-12 Tokyo Electron Limited Apparatus for cleaning both sides of substrate
US5849103A (en) * 1997-12-22 1998-12-15 Seh America, Inc. Method of monitoring fluid contamination
JP3364620B2 (ja) * 1998-12-11 2003-01-08 東邦化成株式会社 基板処理装置
US6539963B1 (en) * 1999-07-14 2003-04-01 Micron Technology, Inc. Pressurized liquid diffuser
JP2002113431A (ja) * 2000-10-10 2002-04-16 Tokyo Electron Ltd 洗浄方法
JP2002114993A (ja) * 2000-10-10 2002-04-16 Tokyo Electron Ltd 洗浄剤及び洗浄方法
JP3802446B2 (ja) * 2002-05-15 2006-07-26 東邦化成株式会社 基板乾燥方法およびその装置
JP2004241754A (ja) * 2002-07-16 2004-08-26 Chem Art Technol:Kk 基板処理方法及び基板処理装置
JP6128941B2 (ja) * 2013-05-10 2017-05-17 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
TW201801222A (zh) * 2016-03-08 2018-01-01 應用材料股份有限公司 多重晶圓旋轉處理
CN110767573B (zh) * 2018-07-27 2023-09-22 奇景光电股份有限公司 清洗***、清洗装置及清洗方法
JP7190912B2 (ja) * 2019-01-10 2022-12-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
CN112514885B (zh) * 2020-12-09 2022-09-16 河北大唐国际崇礼风电有限责任公司 一种自动化风能日用驱鸟装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1059845A (en) * 1911-10-30 1913-04-22 Clarence P Delahunty Dyeing-machine.
GB170758A (en) * 1920-10-15 1921-11-03 Francis George Phillips Improvements in devices for cleansing railway milk cans
GB685399A (en) * 1950-10-26 1953-01-07 Leemetals Ltd Improvements in dyeing machines
DE1442600A1 (de) * 1965-10-15 1969-08-28 Bergwerksverband Gmbh Anstroemboden fuer Wirbelbetten
US3543776A (en) * 1968-04-30 1970-12-01 Interlab Inc Laminar flow rinsing and drying vessels
JPS5271871A (en) * 1975-12-11 1977-06-15 Nec Corp Washing apparatus
US4736758A (en) * 1985-04-15 1988-04-12 Wacom Co., Ltd. Vapor drying apparatus
US4753258A (en) * 1985-08-06 1988-06-28 Aigo Seiichiro Treatment basin for semiconductor material
US4869278A (en) * 1987-04-29 1989-09-26 Bran Mario E Megasonic cleaning apparatus
US4902350A (en) * 1987-09-09 1990-02-20 Robert F. Orr Method for rinsing, cleaning and drying silicon wafers
US5025280A (en) * 1987-12-17 1991-06-18 Texas Instruments Incorporated Immersion development and rinse machine and process
JP2733771B2 (ja) * 1988-07-29 1998-03-30 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 液体による処理装置
US4955402A (en) * 1989-03-13 1990-09-11 P.C.T. Systems, Inc. Constant bath system with weir
US5069235A (en) * 1990-08-02 1991-12-03 Bold Plastics, Inc. Apparatus for cleaning and rinsing wafers

Also Published As

Publication number Publication date
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JPH04186624A (ja) 1992-07-03
KR0147043B1 (ko) 1998-11-02
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