JPH03222420A - ウェーハ処理装置 - Google Patents

ウェーハ処理装置

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Publication number
JPH03222420A
JPH03222420A JP1978590A JP1978590A JPH03222420A JP H03222420 A JPH03222420 A JP H03222420A JP 1978590 A JP1978590 A JP 1978590A JP 1978590 A JP1978590 A JP 1978590A JP H03222420 A JPH03222420 A JP H03222420A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
carrier
processing liquid
wafers
tank
processing
Prior art date
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Pending
Application number
JP1978590A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideaki Takano
英明 高野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP1978590A priority Critical patent/JPH03222420A/ja
Publication of JPH03222420A publication Critical patent/JPH03222420A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はウェーハ処理装置に関し、特に半導体ウェーハ
の洗浄装置あるいはエツチング装置を含むウェーハ処理
装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種のウェーハ処理装置は、側面に開口部を有
したキャリアに複数のウェーハを収納し、キャリアを処
理液が入った槽に浸漬し、ウェーハの処理を行っていた
。この時、処理液は、順次槽の底部から供給され、槽上
面よりオーバーフローし、循環する構造となっていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のウェーハ処理装置は、槽内の処理液の流
れ方によっては、キャリア側面の開口部より処理液がキ
ャリア内に入り込み、塵埃をつ工−ハ表面に付着し、ウ
ェーハ汚染を起こすという問題点があった。
また、槽上面から処理液をオーバーフローさせているが
、槽内の淀み部に塵埃数を増加させ、ウェーハ汚染を起
こすという問題点があった。
本発明の目的は、ウェーハ汚染を起すことのないウェー
ハ処理装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、ウェーハを収納するキャリアと、該キャリア
を支持するキャリア受台を有する檜と、核種に処理液が
循環するように接続された供給配管と、該供給配管の中
間に配置された前記処理液を循環させるポンプと、前記
処理液を浄化するフィルターとを備えたウェーハ処理装
置において、前記処理液の導入部の面積が導出部の面積
よりも大きく、かつ°、側面に液もれのない漏斗状のキ
ャリヤを備えている。
〔実施例〕
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の第１の実施例の概略構成図である。
第１の実施例は、第１図に示すように、側面に開口部が
ないキャリア２に複数のウェーハ１が収納され、面積の
大きい処理液の導入部を下にして、槽６内のキャリア受
台１２上に設置されている。
また、ウェーハ１は支持棒３によりキャリア２からの落
下を防止するように支持されている。
ウェーハ１を処理する場合には、まず、処理液１１を槽
６内に必要量供給する。
次に、配管９に接続されたバルブ７を開き、ポンプ５に
よりフィルター４を通し、キャリア２下部により処理液
１１を循環する。この時、キャリア２内では矢印で示す
ように、処理液１１は、キャリア２内に淀むことなく、
キャリア２上部に流れ、また、槽内に戻る。そして、キ
ャリア２下部面は槽２内の処理液１１の面より高くなっ
ているので、ウェーハ１１は、塵埃で汚れた処理液１１
に直接触れることがないようになっている。
次に、数回循環させた処理液１１をバルブ８を開き、外
部に排出し、処理液を交換して同じ作業を繰返す。
第２図は本発明の第２の実施例の概略構成図である。
第２の実施例は、第２図に示すように、キャリア２の設
置された下部のキャリア受台１２内部に複数のヒータ１
０を設け、供給される処理液１１を加熱する構造となっ
ている。したがって、処理液１１が活性化され、スムー
ズなウェーハ処理が可能となる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は、側面に開口部がないキ
ャリアを使用し、キャリアを面積の大きい処理液の導入
部を下に槽内の液面より高い位置にセットし、ポンプと
フィルターを有した供給配管にて、液を下方よりキャリ
ア内に供給することにより、ウェーハには常に塵埃の処
理液が供給され、処理中に発生した塵埃も処理液ととも
にキャリア上部より排出されるため、ウェーハ表面の塵
埃の汚染が低減されるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の第１の実施例の概略構成図、第２図は
本発明の第２の実施例の概略構成図である。 １・・・ウェーハ、２・・・キャリア、３・・・支持棒
、４・・・フィルター　５・・・ポンプ、６・・・槽、
７．８・・・バルブ、９・・・配管、１０・・・ヒータ
、１１・・・処理液。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、ウェーハを収納するキャリアと、該キャリアを支持
    するキャリア受台を有する槽と、該槽に処理液が循環す
    るように接続された供給配管と、該供給配管の中間に配
    置された前記処理液を循環させるポンプと、前記処理液
    を浄化するフィルターとを備えたウェーハ処理装置にお
    いて、前記処理液の導入部の面積が導出部の面積よりも
    大きく、かつ、側面に液もれのない漏斗状のキャリヤを
    備えたことを特徴とするウェーハ処理装置。 ２、請求項１記載のウェーハ処理装置において、前記キ
    ャリアの下面が前記処理液の液面よりも高くなっている
    ことを特徴とするウェーハ処理装置。 ３、請求項１記載のウェーハ処理装置おいて、前記キャ
    リア受台内部にヒータを設け、前記処理液供給時に該処
    理液を加熱することを特徴とするウェーハ処理装置。
JP1978590A 1990-01-29 1990-01-29 ウェーハ処理装置 Pending JPH03222420A (ja)

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Publication Number Publication Date
JPH03222420A true JPH03222420A (ja) 1991-10-01

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ID=12008988

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JP (1) JPH03222420A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5485861A (en) * 1993-10-19 1996-01-23 Dan Science Co., Ltd. Cleaning tank
US5845663A (en) * 1996-03-13 1998-12-08 Lg Semicon Co., Ltd. Wafer wet processing device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5485861A (en) * 1993-10-19 1996-01-23 Dan Science Co., Ltd. Cleaning tank
US5845663A (en) * 1996-03-13 1998-12-08 Lg Semicon Co., Ltd. Wafer wet processing device

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