JPH11168235A - 発光ダイオード - Google Patents

発光ダイオード

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JPH11168235A
JPH11168235A JP33539097A JP33539097A JPH11168235A JP H11168235 A JPH11168235 A JP H11168235A JP 33539097 A JP33539097 A JP 33539097A JP 33539097 A JP33539097 A JP 33539097A JP H11168235 A JPH11168235 A JP H11168235A
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led chip
substrate
emitting diode
pair
electrodes
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JP33539097A
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Junichi Mizutani
淳一 水谷
Atsuo Hirano
敦雄 平野
Toshiya Kamimura
俊也 上村
Yuji Takahashi
祐次 高橋
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Original Assignee
Toyoda Gosei Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 同一面側に正負一対の電極を有するＬＥＤチ
ップを基板の配線パターンに電気的に接続する一方で、
光の取り出し効率を向上する。 【解決手段】 同一面側に正負一対の電極を有するＬＥ
Ｄチップ１３をフリップチップボンディングによりバン
プ１５を介して基板１１の配線パターン１２に電気的に
接続する。ＬＥＤチップ１３の下面には反射層１４を設
ける。ＬＥＤチップ１３の下面側はアンダーフィル樹脂
１６を充填する。ＬＥＤチップ１３の光出射面側である
上面側に影となる電極が存在せず、発光面積が増大する
と共に、発光層からの下向きの光は反射層１４に反射さ
れ、全体として光の取り出し効率が向上する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、同一面側に正負一
対の電極を有する発光ダイオード（ＬＥＤ）チップを基
板に電気的に接続して形成される発光ダイオードに関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の発光ダイオードとして、
例えば、特開平９−１３５０４０号公報に掲載の技術を
挙げることができる。図８は特開平９−１３５０４０号
公報に掲載のＬＥＤを示す断面図である。
【０００３】特開平９−１３５０４０号公報は、同一面
側に正負一対の電極を設けたＬＥＤチップを開示してい
る。即ち、この発光ダイオードは、所定の配線パターン
２を設けた基板１に、Ａｇ（銀）ペースト４を介してＬ
ＥＤチップ３を接着している。また、ＬＥＤチップ３の
上面３ａ側の電極（図示略）を、Ａｕ（金）ワイヤ等の
ボンディングワイヤ５により基板１の配線パターン２に
結線して電気的に接続している。そして、エポキシ樹脂
等の樹脂モールド６によりＬＥＤチップ３の周囲を封止
して、ＬＥＤチップ３を保護している。
【０００４】この発光ダイオードは、ＬＥＤチップ３の
ｐｎ接合部の発光層（活性層）より上向きに出た光は、
光出射面としての上面３ａから上方に出射する。また、
ＬＥＤチップ３の発光層より下向きに出た光は、ＬＥＤ
チップ３下面のペースト４で拡散反射し、その一部が上
向きに反射して、上面３ａから出射する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の発光ダイオード
は、ＬＥＤチップ３の光出射面である上面３ａに電極が
設けられているため、電極が影となる。よって、電極面
積の分だけ発光面積が減少して光の取り出し効率が低下
し、発光効率の点で改善すべき余地がある。また、ＬＥ
Ｄチップ３下面のＡｇペースト４が経年変化で変色する
ため、下向きの光の反射効率が低下し、光の取り出し効
率が更に低下する可能性がある。また、ＬＥＤチップ３
の電極と基板１の配線パターン２との電気的接続にボン
ディングワイヤ５を使用するため、ワイヤボンディング
用のスペースが必要となり、発光ダイオード全体が大型
化する可能性がある。
【０００６】そこで、本発明は、同一面側に正負一対の
電極を有するＬＥＤチップを基板の配線パターンに電気
的に接続することができる一方で、光の取り出し効率を
向上することができる発光ダイオードの提供を課題とす
るものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１にかかる発光ダ
イオードは、一対の配線パターンを有する基板と、同一
面側に正負一対の電極を有し、前記両電極を前記基板の
両配線パターンにそれぞれバンプを介して電気的に接続
したＬＥＤチップとを具備する。
【０００８】請求項２にかかる発光ダイオードは、一対
の配線パターンを有する基板と、同一面側に正負一対の
電極を有し、前記両電極を前記基板の両配線パターンに
それぞれバンプを介して電気的に接続したＬＥＤチップ
と、前記ＬＥＤチップの少なくとも両電極間を封止する
電気絶縁性のアンダーフィル樹脂とを具備する。
【０００９】請求項３にかかる発光ダイオードは、一対
の配線パターンを有する基板と、同一面側に正負一対の
電極を有し、前記両電極を前記基板の両配線パターンに
それぞれバンプを介して電気的に接続したＬＥＤチップ
と、前記ＬＥＤチップの少なくとも両電極間を封止する
異方導電性ペーストとを具備する。
【００１０】請求項４にかかる発光ダイオードは、請求
項１乃至請求項３のいずれかの構成において、前記基板
の配線パターンは、基板の長さ方向に間隔を置いて対向
配置される電極部を有し、前記ＬＥＤチップは略矩形板
状をなすと共にその対角線方向に前記正負一対の電極を
配置し、前記正負一対の電極を前記配線パターンの両電
極部に対向配置して電気的に接続するものである。
【００１１】請求項５にかかる発光ダイオードは、請求
項１乃至請求項３のいずれかの構成において、前記基板
の配線パターンは、基板の長さ方向と傾斜する方向に間
隔を置いて対向配置される電極部を有し、前記ＬＥＤチ
ップは略矩形板状をなすと共にその対角線方向に前記正
負一対の電極を配置し、前記正負一対の電極を前記配線
パターンの電極部に対向配置して電気的に接続するもの
である。
【００１２】請求項６にかかる発光ダイオードは、請求
項１乃至請求項３のいずれかの構成において、前記基板
の配線パターンは、基板の長さ方向に間隔を置いて対向
配置される電極部を有し、前記ＬＥＤチップは略長方形
板状をなすと共にその長さ方向に前記正負一対の電極を
配置し、前記正負一対の電極を前記配線パターンの電極
部に対向配置して電気的に接続するものである。
【００１３】請求項７にかかる発光ダイオードは、請求
項１乃至請求項６のいずれかの構成において、前記基板
をＭＩＤ基板としたものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。
【００１５】図１は本発明の実施の形態１にかかる発光
ダイオードの全体構成を示す断面図である。また、図２
は本発明の実施の形態１にかかる発光ダイオードの要部
を示す断面図である。
【００１６】図１に示すように、実施の形態１の発光ダ
イオードは、正負一対の電極を構成する所定の配線パタ
ーン１２を有する基板１１と、ＬＥＤチップ１３を備え
る。ＬＥＤチップ１３の下面にはＡｕパッド等の金属層
からなる反射層１４が、金属蒸着等により全面に形成さ
れている。ＬＥＤチップ１３は、同一面側（図中下面
側）に正負一対の電極（図示略）を有し、両電極をフリ
ップチップボンディングにより基板１１の両配線パター
ン１２にそれぞれバンプ１５を介して電気的に接続する
ようになっている。
【００１７】図２に示すように、実施の形態１の発光ダ
イオードは、更に、前記ＬＥＤチップ１３の少なくとも
正負一対の電極間を封止する絶縁性のアンダーフィル樹
脂１６を備える。詳細には、前記アンダーフィル樹脂１
６は、エポキシ樹脂等、絶縁性樹脂からなり、ＬＥＤチ
ップ１３の全周囲を覆い、かつ、ＬＥＤチップ１３の下
面側と基板１１の表面側との隙間を封止している。即
ち、アンダーフィル樹脂１６は、ＬＥＤチップ１３の両
電極間に充填され、それらの電気的絶縁を維持するよう
になっている。なお、実施の形態１の発光ダイオード
も、従来例と同様、ＬＥＤチップ１３の周囲全体をエポ
キシ樹脂等の樹脂モールド６により封止し、保護してい
る。
【００１８】ここで、フリップチップボンディングは、
ＬＳＩ等の半導体製作技術の組立配線工程で使用される
ものであり、バンプ１５としては、Ａｕバンプ、はんだ
バンプ等、種々のバンプを使用することができる。な
お、前記基板１１としては、ガラスエポキシ樹脂、ＢＴ
樹脂等からなる通常の絶縁基板を使用可能である。ま
た、プリント配線１２は、エッチング法等、通常の半導
体製作技術の電極配線技術を使用して形成され、例え
ば、Ｃｕ＋Ｎｉ等の下地金属層にＡｕ等の金属めっき層
を積層して形成される。
【００１９】同一面側に正負一対の電極を有するＬＥＤ
としては、例えば、特開平４−１０６７１号公報、特開
平５−２１８４６号公報に掲載の技術を使用することが
できる。このうち、特開平４−１０６７１号公報は、絶
縁物であるサファイア基板上にｎ−ＧａＮ（ｎ型の窒化
ガリウム）層及びｉ−ＧａＮ（ｉ型の窒化ガリウム）層
を順に成長して積層して形成した青色発光ＬＥＤを開示
している。このＬＥＤは、正負一対の電極の一方をｉ−
ＧａＮ層の表面に設け、正負一対の電極の他方をｉ−Ｇ
ａＮ層に貫通して設けている。そして、これらの電極を
リードフレームに接合して電気的に接続している。
【００２０】また、特開平５−２１８４６号公報は、例
えば、サファイア基板上に、ＡｌＮ（窒化アルミニウ
ム）からなるバッファ層、ＧａＮからなる高キャリヤ濃
度ｎ＋層、ＧａＮからなる低キャリヤ濃度ｎ層、ＧａＮ
からなるｉ層を順に成長積層した青色発光ＬＥＤを開示
している。このＬＥＤは、正負一対の電極の一方をｉ層
の表面中央に設け、正負一対の電極の他方を高キャリヤ
濃度ｎ＋層に側面から接続するよう設けている。そし
て、これらの電極をリードフレームに接合して電気的に
接続している。なお、ＬＥＤチップ１３としては、特開
平４−１０６７１号公報または特開平５−２１８４６号
公報に記載のものの他、同一面側に正負一対の電極を有
する種々のＬＥＤチップを使用可能である。
【００２１】次に、上記のように構成された実施の形態
１にかかる発光ダイオードの製造方法及び作用を説明す
る。
【００２２】実施の形態１の発光ダイオードは、まず、
基板１１の配線パターン１２に導電ペースト（導電性接
着剤）を塗布し、電極にバンプ１５を予め付着したＬＥ
Ｄチップ１３を配線パターン１２に位置決めして載置す
る。次に、ＬＥＤチップ１３を基板１１に圧着した状態
でバンプ１５を硬化し、正負一対の電極を対応する配線
パターン１２に電気的に接続する。なお、ＬＥＤチップ
の圧着硬化は、例えば、約１０kgf/mm2 以上の押圧状態
で、樹脂部温度を摂氏約１７０乃至２００度に３０秒程
度維持して行う。その後、アンダーフィル樹脂１６を基
板１１とＬＥＤチップ１３との間の隙間に塗布して浸透
充填し、硬化する。
【００２３】これにより、アンダーフィル樹脂１６がＬ
ＥＤチップ１３の正負一対の電極間の電気的絶縁を確保
し、それらの間の短絡が防止される。なお、アンダーフ
ィル樹脂１６を先に基板１２に塗布し、その上にバンプ
１５を予め付着したＬＥＤチップ１３を位置決めして載
置し、上記と同様の条件にて圧着硬化しても良い。かか
るＬＥＤチップ１３の圧着後、エポキシ樹脂等の樹脂モ
ールド６によりＬＥＤチップ１３の周囲を封止して、Ｌ
ＥＤチップ１３を保護することにより、最終製品として
の発光ダイオードが形成される。
【００２４】このように形成した発光ダイオードは、Ｌ
ＥＤチップ１３の正負一対の電極が光出射面と反対側の
下面側に位置するため、光出射面である上面１３ａに光
を遮る影となるものが何もなく、ＬＥＤチップ１３の上
面１３ａ全体が発光面積となる。また、ＬＥＤチップ１
３の下面全体に反射層１４を形成し、下向きの光の反射
効率を増大することができる。その結果、ＬＥＤチップ
１３からの光の取り出し効率を増大して、発光効率乃至
輝度を向上することができる。また、ＬＥＤチップ１３
の両電極と基板１１の両配線パターン１２との電気的接
続をフリップチップボンディングにより行うため、従来
のようなワイヤボンディング用のスペースが不要とな
り、発光ダイオード全体を小型化することができる。更
に、ＬＥＤチップ１３の両電極を直接基板１１の両配線
パターン１２に接続することができるため、ＬＥＤチッ
プ１３駆動時の放熱性が向上し、発光ダイオードの信頼
性及び耐久性が向上する。
【００２５】図３は本発明の実施の形態２にかかる発光
ダイオードの要部を示す断面図である。
【００２６】実施の形態２の発光ダイオードは、アンダ
ーフィル樹脂１６の代わりに、異方導電性樹脂２１を使
用した点において、実施の形態１の発光ダイオードと異
なり、その他の構成は同様であるため、その要部のみ図
示して説明する。即ち、実施の形態２の発光ダイオード
は、異方導電性ペースト２１により前記ＬＥＤチップ１
３の少なくとも正負一対の電極間を封止している。この
異方導電性ペースト２１自体は、エポキシベースの樹脂
に絶縁コート付きＡｇフィラー等のＡｇ粒子を５〜１０
％混入した公知のものである。かかる異方導電性ペース
ト２１によりＬＥＤチップ１３の全周囲を覆い、かつ、
ＬＥＤチップ１３と基板１１表面の間を封止している。
これにより、配線パターン１２を介してＬＥＤチップ１
３の両電極間に電圧を印可すると、異方導電性ペースト
２１が、横方向乃至水平方向（図３中左右方向）に電気
的絶縁を維持し、かつ、縦方向乃至垂直方向（図３中上
下方向）に電気的導通を確保するようになっている。な
お、実施の形態２の発光ダイオードも、従来例と同様、
ＬＥＤチップ１３の周囲全体をエポキシ樹脂等の樹脂モ
ールド６により封止し、保護している。
【００２７】次に、上記のように構成された実施の形態
２にかかる発光ダイオードの製造方法及び作用を説明す
る。
【００２８】実施の形態２の発光ダイオードは、まず、
基板１１の配線パターン１２に異方導電性ペースト２１
を塗布し、電極にバンプ１５を予め付着したＬＥＤチッ
プ１３を配線パターン１２に位置決めして異方導電性ペ
ースト２１を介装した状態で載置する。以後は、実施の
形態１と同様にして、ＬＥＤチップ１３を圧着してバン
プ１５を硬化し、正負一対の電極を対応する配線パター
ン１２に電気的に接続する。これにより、異方導電性ペ
ースト２１が横方向、即ち、ＬＥＤチップ１３の両電極
間の電気的絶縁を確保し、それらの間の短絡が防止され
る。同時に、異方導電性ペースト２１が縦方向、即ち、
ＬＥＤチップ１３の正負の電極と基板１１の配線パター
ン１２との間の電気的導通を確保する。
【００２９】したがって、配線パターン１２に対するＬ
ＥＤチップ１３の位置決めが多少正確でない場合でも、
正負電極間での短絡が生じることはなく、かつ、配線パ
ターン１２との間では導電性が確保される。また、ＬＥ
Ｄチップ１３の各電極に付着したバンプ１５の高さがば
らつく場合でも、異方導電性ペースト２１のＡｇ粒子が
そのばらつきを吸収するため、配線パターン１２との電
気的接続における信頼性が増加する。その結果、位置あ
わせ精度が多少ばらついても良く、位置決め作業を簡略
化することができる。特に、通常のＬＳＩと比較して電
極間ピッチが狭く、電極間の絶縁確保に高信頼性が要求
されるＬＥＤチップ１３のフリップチップボンディング
に好適であり、発光ダイオードの動作信頼性を一層向上
して、製品品質を一層向上することができる。
【００３０】図４は本発明の実施の形態３にかかる発光
ダイオードの平面図である。
【００３１】実施の形態３は、ＬＥＤチップの電極間の
電気的絶縁を確保するための構造を改良したことを特徴
とし、全体構成は実施の形態１及び２と同様である。即
ち、図４に示すように、実施の形態３の発光ダイオード
は、正負一対の電極を構成する所定の配線パターン３２
を有する基板３１と、ＬＥＤチップ３３を備える。図示
はしないが、ＬＥＤチップ３３の下面には実施の形態１
の反射層１４と同様の反射層が全面に形成されている。
ＬＥＤチップ３３は、同一面側（図中下面側）に正負一
対の電極を有し、両電極をフリップチップボンディング
により基板３１の両配線パターン３２にそれぞれバンプ
３５を介して電気的に接続するようになっている。
【００３２】基本的に、前記基板３１、配線パターン３
２、ＬＥＤチップ３３及びバンプ３５は、配線パター３
２の具体的パターン形状及びＬＥＤチップ３３の電極位
置を除き、実施の形態１及び２の基板１１、配線パター
ン１２、ＬＥＤチップ１３及びバンプ１５と同様の構成
とすることができる。一方、これらの具体的構成を詳述
すると、前記基板３１は略長方形板状をなす。また、両
配線パターン３２は左右対称形状をなすと共に、基板３
１の長さ方向に間隔を置いて対向配置される電極部３２
ａをそれぞれ有する。前記電極部３２ａは基板３１の長
さ方向に延びる中心線に沿って延設されている。更に、
ＬＥＤチップ３３は正方形板状をなし、その対角線上
（対角線方向）に前記正負一対の電極を配置している。
そして、電極部３２ａの先端間の間隔（電極部間ピッ
チ）は、ＬＥＤチップ３３の電極間の間隔（電極間ピッ
チ）と同一とされている。これにより、ＬＥＤチップ３
３を、対角線方向を基板３１の長さ方向に延びる中心線
に一致させ、基板３１の中央に配置することにより、Ｌ
ＥＤチップ３３の前記両電極が前記配線パターン３２の
両電極部３２ａの先端部に対向配置される。そして、か
かるＬＥＤチップ３３の正負一対の電極を対応する電極
部３２ａにバンプ３５を介して電気的に接続するように
なっている。即ち、実施の形態３は、ＬＥＤチップ３３
の対角線方向に電極を配置するため、電極間ピッチを広
く取ることができる。また、これに合わせ、配線パター
ン３２の電極部３２ａ間ピッチもより広く設定すること
ができる。
【００３３】なお、実施の形態３の発光ダイオードは、
実施の形態１または実施の形態２と同様、アンダーフィ
ル樹脂１６または異方導電性ペースト２１等により、Ｌ
ＥＤチップ３３の全周囲を覆い、かつ、ＬＥＤチップ３
３の下面側と基板３１の表面側との隙間を封止してい
る。また、従来例と同様、ＬＥＤチップ３３の周囲全体
をエポキシ樹脂等の樹脂モールド６により封止し、保護
している。
【００３４】上記のように構成した実施の形態３の発光
ダイオードは、実施の形態１または２と同様にして製造
され、同様の作用及び効果を有する。加えて、実施の形
態３の発光ダイオードは、ＬＥＤチップ３３の対角線方
向に正負一対の電極を配置するため、ＬＥＤチップ３３
の電極間ピッチ及び配線パターン３２の電極部３２ａ間
ピッチがより大きくなる。その結果、実施の形態１また
は２におけるように、ＬＥＤチップ３３の長さ方向に電
極を配置する場合と比べ、電極間での短絡を一層効果的
に防止して、発光ダイオードの動作信頼性をより向上
し、製品品質を一層向上することができる。
【００３５】図５は本発明の実施の形態４にかかる発光
ダイオードの平面図である。
【００３６】実施の形態４は、実施の形態３と同様、Ｌ
ＥＤチップの電極間の電気的絶縁を確保するための構造
を改良したことを特徴とし、全体構成は実施の形態１及
び２と同様である。即ち、図５に示すように、実施の形
態４の発光ダイオードは、正負一対の電極を構成する所
定の配線パターン４２を有する基板４１と、ＬＥＤチッ
プ４３を備える。図示はしないが、ＬＥＤチップ４３の
下面には実施の形態１の反射層１４と同様の反射層が全
面に形成されている。ＬＥＤチップ４３は、同一面側
（図中下面側）に正負一対の電極を有し、両電極をフリ
ップチップボンディングにより基板４１の両配線パター
ン４２にそれぞれバンプ４５を介して電気的に接続する
ようになっている。
【００３７】実施の形態４の基本構成は、実施の形態３
の基本構成と同様であるが、配線パターン４２の具体的
パターン形状を実施の形態３の配線パターン３２と相違
させている。即ち、基本的に、前記基板４１、配線パタ
ーン４２、ＬＥＤチップ４３及びバンプ４５は、配線パ
ターン４２の具体的パターン形状及びＬＥＤチップ４３
の電極位置を除き、実施の形態１及び２の基板１１、配
線パターン１２、ＬＥＤチップ１３及びバンプ１５と同
様の構成とすることができる。一方、これらの具体的構
成を詳述すると、前記基板４１は略長方形板状をなし、
かつ、両配線パターン４２は左右対称形状をなすと共
に、基板４１の長さ方向と傾斜する方向に間隔を置いて
対向配置される電極部４２ａをそれぞれ有する。
【００３８】即ち、前記電極部４２ａは、基板４１の長
さ方向に延びる中心線と所定角度で互いに離間する方向
に傾斜して延設されている。更に、ＬＥＤチップ４３は
正方形板状をなし、その対角線上に前記正負一対の電極
を配置している。そして、電極部４２ａの先端間の間隔
は、ＬＥＤチップ４３の電極間の間隔と同一とされてい
る。これにより、ＬＥＤチップ４３を、中心線を基板４
１の長さ方向に延びる中心線に一致させ、基板４１の中
央に配置することにより、ＬＥＤチップ４３の前記両電
極が前記配線パターン４２の両電極部４２ａの先端部に
対向配置される。そして、かかるＬＥＤチップ４３の正
負一対の電極を対応する電極部４２ａにバンプ４５を介
して電気的に接続するようになっている。
【００３９】即ち、実施の形態４は、実施の形態３と同
様、ＬＥＤチップ４３の対角線方向に電極を配置するた
め、電極間ピッチを広く取ることができる。また、これ
に合わせ、配線パターン４２の電極部４２ａ間ピッチも
より広く設定することができる。更に、配線パターン４
２のパターン形状を変更し、電極部４２ａを基板４１の
長さ方向と傾斜するよう互いに離間する方向に延設した
ため、ＬＥＤチップ４３を基板４１に通常状態（中心線
を一致させた状態）で配置することができる。
【００４０】なお、実施の形態４の発光ダイオードは、
実施の形態１または実施の形態２と同様、アンダーフィ
ル樹脂１６または異方導電性ペースト２１等により、Ｌ
ＥＤチップ４３の全周囲を覆い、かつ、ＬＥＤチップ４
３の下面側と基板４１の表面側との隙間を封止してい
る。また、従来例と同様、ＬＥＤチップ４３の周囲全体
をエポキシ樹脂等の樹脂モールド６により封止し、保護
している。
【００４１】上記のように構成した実施の形態４の発光
ダイオードは、実施の形態１または２と同様にして製造
され、同様の作用及び効果を有する。加えて、実施の形
態４の発光ダイオードは、ＬＥＤチップ４３の対角線方
向に正負一対の電極を配置するため、実施の形態３と同
様の効果を発揮する。更に、ＬＥＤチップ４３を基板４
１に通常状態で配置できるため、ＬＥＤチップ４３の位
置決め乃至配置作業を通常の方法で行うことができる。
即ち、実質的に配線パターン４２のパターン形状を変更
するだけで、実施の形態３と同様の効果を発揮すること
ができる。
【００４２】図６は本発明の実施の形態５にかかる発光
ダイオードの平面図である。
【００４３】実施の形態５は、実施の形態３及び４と同
様、ＬＥＤチップの電極間の電気的絶縁を確保するため
の構造を改良したことを特徴とし、全体構成は実施の形
態１及び２と同様である。即ち、図６に示すように、実
施の形態５の発光ダイオードは、正負一対の電極を構成
する所定の配線パターン５２を有する基板５１と、ＬＥ
Ｄチップ５３を備える。図示はしないが、ＬＥＤチップ
５３の下面には実施の形態１の反射層１４と同様の反射
層が全面に形成されている。ＬＥＤチップ５３は、同一
面側（図中下面側）に正負一対の電極を有し、両電極を
フリップチップボンディングにより基板５１の両配線パ
ターン５２にそれぞれバンプ５５を介して電気的に接続
するようになっている。
【００４４】実施の形態５の基本構成は、実施の形態３
の基本構成と同様であるが、ＬＥＤチップ５３の形状を
実施の形態３のＬＥＤチップ３３と相違させている。即
ち、基本的に、前記基板５１、配線パターン５２、ＬＥ
Ｄチップ５３及びバンプ５５は、配線パターン５２の具
体的パターン形状及びＬＥＤチップ５３の形状を除き、
実施の形態１及び２の基板１１、配線パターン１２、Ｌ
ＥＤチップ１３及びバンプ１５と同様の構成とすること
ができる。一方、これらの具体的構成を詳述すると、前
記基板５１は略長方形板状をなし、かつ、両配線パター
ン５２は左右対称形状をなすと共に、基板５１の長さ方
向に間隔を置いて対向配置される電極部５２ａをそれぞ
れ有する。前記電極部５２ａは、基板５１の長さ方向に
延びる中心線に沿って延設されている。更に、ＬＥＤチ
ップ５３は長方形板状をなし、長さ方向に前記正負一対
の電極を配置している。そして、電極部５２ａの先端間
の間隔は、ＬＥＤチップ５３の電極間の間隔と同一とさ
れている。これにより、ＬＥＤチップ５３を、長さ方向
に延びる中心線を基板５１の長さ方向に延びる中心線に
一致させ、基板５１の中央に配置することにより、ＬＥ
Ｄチップ５３の両電極が前記配線パターン５２の両電極
部５２ａの先端部に対向配置される。そして、かかるＬ
ＥＤチップ５３の正負一対の電極を対応する電極部５２
ａに電気的にバンプ５５を介して電気的に接続するよう
になっている。即ち、実施の形態５は、ＬＥＤチップ５
３の長さ方向に電極を配置するため、電極間ピッチを広
く取ることができる。また、これに合わせ、配線パター
ン５２の電極部５２ａ間ピッチもより広く設定すること
ができる。
【００４５】なお、実施の形態５の発光ダイオードは、
実施の形態１または実施の形態２と同様、アンダーフィ
ル樹脂１６または異方導電性ペースト２１等により、Ｌ
ＥＤチップ５３の全周囲を覆い、かつ、ＬＥＤチップ５
３の下面側と基板５１の表面側との隙間を封止してい
る。また、従来例と同様、ＬＥＤチップ５３の周囲全体
をエポキシ樹脂等の樹脂モールド６により封止し、保護
している。
【００４６】上記のように構成した実施の形態５の発光
ダイオードは、実施の形態１または２と同様にして製造
され、同様の作用及び効果を有する。加えて、実施の形
態５の発光ダイオードは、ＬＥＤチップ５３の長さ方向
に正負一対の電極を配置するため、実施の形態３または
４と同様の効果を発揮する。
【００４７】図７は本発明の実施の形態６にかかる発光
ダイオードの断面図である。
【００４８】実施の形態６の発光ダイオードは、基板と
してＭＩＤ基板を使用し、ＭＩＤ発光ダイオードに具体
化されることを特徴とする。即ち、図７に示すように、
実施の形態６の発光ダイオードは、正負一対の電極を構
成する所定の配線パターン６２を有する基板６１と、Ｌ
ＥＤチップ６３を備える。前記基板６１は厚肉の四角ブ
ロック状をなすと共に上面側の中央を下方に縮径するコ
ーン状の凹部とし、その凹部に前記両配線パターン６２
を延設してコーン状の反射面６２ａを形成している。両
配線パターン６２は前記凹部の底面まで延設されてい
る。前記基板６１及び配線パターン６２の材料としては
実施の形態１と同様のものを使用することができる。ま
た、ＬＥＤチップ６３は、実施の形態１のＬＥＤチップ
１６と同様のものを使用することができる。
【００４９】なお、実施の形態１と同様、ＬＥＤチップ
６３の下面にはＡｕパッド等の金属層からなる反射層６
４が、金属蒸着等により全面に形成されている。また、
ＬＥＤチップ６３は、同一面側（図中下面側）に正負一
対の電極（図示略）を有し、両電極をフリップチップボ
ンディングにより基板６１の両配線パターン６２の先端
部にそれぞれバンプ６５を介して電気的に接続するよう
になっている。バンプ６５は実施の形態１のバンプ１５
と同様のものを使用することができる。更に、実施の形
態６の発光ダイオードも、前記ＬＥＤチップ６３の少な
くとも正負一対の電極間を封止する絶縁性のアンダーフ
ィル樹脂６６を備える。前記アンダーフィル樹脂６６
は、実施の形態１のアンダーフィル樹脂１６と同様の材
料からなり、ＬＥＤチップ６３の全周囲を覆い、かつ、
ＬＥＤチップ６３の下面側と基板６１の凹部の底面との
隙間を封止している。そして、実施の形態６の発光ダイ
オードは、前記反射面６２ａにより形成される凹部内
に、エポキシ樹脂等の注型樹脂６７を充填し、発光ダイ
オード６３等を封止し、保護している。
【００５０】次に、上記のように構成された実施の形態
６にかかる発光ダイオードの製造方法及び作用を説明す
る。
【００５１】実施の形態６の発光ダイオードは、まず、
１ショットモールド法等の通常のＭＩＤ基板成形技術に
より基板６１を成形し、基板６１に配線パターン６２を
形成する。次に、実施の形態１と同様にして、ＬＥＤチ
ップ６３をバンプ６５を介して配線パターン６２に電気
的に接続すると共に、アンダーフィル樹脂６６をＬＥＤ
チップ６の下面側に充填して硬化する。その後、基板６
１の反射面６２ａにより形成される凹部に注型樹脂６７
を充填して硬化させる。これにより、図７に示す最終製
品としてのＭＩＤ発光ダイオードが形成される。
【００５２】このように形成した発光ダイオードは、実
施の形態１と同様の効果を発揮する。加えて、基板６１
の配線パターン６２の反射面６２ａがＬＥＤチップ６３
から側方に出射する光を上方に反射する。その結果、発
光ダイオード全体の発光効率乃至輝度を一層増大するこ
とができる。
【００５３】ところで、上記実施の形態４及び５の発光
ダイオードのＬＥＤチップ４３，５３は、以下の例のよ
うにして実施してもよい。
【００５４】図９は本発明の実施の形態４にかかる発光
ダイオードのＬＥＤチップの形状例を示す平面図であ
る。図１０は図９のＬＥＤチップを電極が位置する対角
線方向に切断して示す断面図である。
【００５５】この形状例は、実施の形態４のＬＥＤチッ
プ４３の具体的構成の一例を示したものであり、図９及
び１０の例のＬＥＤチップ４３は、平面正方形状の半導
体部４３ａを備えている。半導体部４３ａの同一面側
（図１０中上面側）の対角線方向には正負一対の電極４
３ｂ，４３ｃが配置される。なお、両電極４３ｂ，４３
ｃは段差をおいて半導体部４３ａに配置される。電極４
３ｂは、その表面（図１０中上面）のうち、前記電極４
３ｃと対角線方向反対側の一部を円形状に残して絶縁膜
４３ｄにより被覆されている。前記円形状部は円形孔４
３ｅとされ、その円形孔４３ｅから前記電極４３ｂ表面
が露出して、外部と電気的に接続自在とされている。な
お、絶縁膜４３ｄは、電極４３ｂの表面から側面にかけ
てその全体を被覆すると共に、電極４３ｂに隣接する半
導体部４３ａの段差面（図１０中垂直面）全体を被覆し
ている。これにより、絶縁膜４３ｄは、電極４３ｂ及び
電極４３ｃ間の電気的絶縁を完全に確保している。
【００５６】実施の形態４と同様、電極４３ｂを露出す
る円形孔４３ｅと電極４３ｃとの間隔は、基板４１の電
極部４２ａの先端間の間隔と同一とされている。これに
より、ＬＥＤチップ４３を、中心線を基板４１の長さ方
向に延びる中心線に一致させ、基板４１の中央に配置す
ることにより、ＬＥＤチップ４３の電極４３ｂの円形孔
４３ｅからの露出部及び電極４３ｃが、前記配線パター
ン４２の両電極部４２ａの先端部に対向配置される。そ
して、ＬＥＤチップ４３の電極４３ｂの円形孔４３ｅか
らの露出部及び電極４３ｃを対応する電極部４２ａにバ
ンプ４５を介して電気的に接続することができる。
【００５７】図１１は本発明の実施の形態５にかかる発
光ダイオードのＬＥＤチップの形状例を示す平面図であ
る。図１２は図１１のＬＥＤチップを電極が位置する長
さ方向に切断して示す断面図である。
【００５８】この形状例は、実施の形態５のＬＥＤチッ
プ５３の具体的構成の一例を示したものであり、図１１
及び１２の例のＬＥＤチップ５３Ａは実施の形態５のＬ
ＥＤチップ５３に対応するものであり、平面長方形状の
半導体部５３ａを備えている。半導体部５３ａの同一面
側（図１２中上面側）の長さ方向には正負一対の電極５
３ｂ，５３ｃが配置される。なお、両電極５３ｂ，５３
ｃは段差をおいて半導体部５３ａに配置される。電極５
３ｂは、その表面（図１２中上面）のうち、前記電極５
３ｃと長さ方向反対側の一部を円形状に残して絶縁膜５
３ｄにより被覆されている。前記円形状部は円形孔５３
ｅとされ、その円形孔５３ｅから前記電極５３ｂ表面が
露出して、外部と電気的に接続自在とされている。な
お、絶縁膜５３ｄは、電極５３ｂの表面から側面にかけ
てその全体を被覆すると共に、電極５３ｂに隣接する半
導体部５３ａの表面（図１２中水平面）及び段差面（図
１２中垂直面）全体を被覆している。これにより、絶縁
膜５３ｄは、電極５３ｂ及び電極５３ｃ間の電気的絶縁
を完全に確保している。
【００５９】実施の形態５と同様、電極５３ｂを露出す
る円形孔５３ｅと電極５３ｃとの間隔は、基板５１の電
極部５２ａの先端間の間隔と同一とされている。これに
より、ＬＥＤチップ５３Ａを、長さ方向に延びる中心線
を基板５１の長さ方向に延びる中心線に一致させ、基板
５１の中央に配置することにより、ＬＥＤチップ５３Ａ
の電極５３ｂの円形孔５３ｅからの露出部及び電極５３
ｃが、前記配線パターン５２の両電極部５２ａの先端部
に対向配置される。そして、ＬＥＤチップ５３Ａの電極
５３ｂの円形孔５３ｅからの露出部及び電極５３ｃを対
応する電極部５２ａにバンプ５５を介して電気的に接続
することができる。
【００６０】なお、図１１及び図１２の例では、電極５
３ｃの面積が電極５３ｂの露出部の面積に対して大き
く、電極５３ｃ及び電極５３ｂの露出部をそれぞれ単一
のバンプ５５により配線パターン５２に接続すると、バ
ンプ５５との電気的接続面積が異なることになる。した
がって、この場合、図１１中二点鎖線で示すように、面
積の大きい方の電極５３ｃに複数個（例えば２個）のバ
ンプ５５を形成して、電極５３ｂ、５３ｃ間の電気的接
続面積の差を吸収してもよい。
【００６１】図１３は本発明の実施の形態５にかかる発
光ダイオードのＬＥＤチップの別の形状例を示す平面図
である。図１４は図１３のＬＥＤチップを電極が位置す
る長さ方向に切断して示す断面図である。
【００６２】この別の形状例も、実施の形態５のＬＥＤ
チップ５３の具体的構成の一例を示したものであり、図
１３及び１４の例のＬＥＤチップ５３Ｂは実施の形態５
のＬＥＤチップ５３に対応するものであり、図１１及び
図１２の例のＬＥＤチップ５３Ａとほぼ同様の構成を有
している。即ち、ＬＥＤチップ５３Ｂは、ＬＥＤチップ
５３Ａと同様、半導体部５３ａ、正負一対の電極５３
ｂ，５３ｃを備えている。一方、ＬＥＤチップ５３Ｂ
は、電極５３ｂの露出部分（前記円形孔５３ｅ対応部
分）に円板状の介装導電材５３ｆを載置固着している。
そして、電極５３ｂ表面（図１４中上面）は、前記介装
導電材５３ｆ部分を残して絶縁膜５３ｇにより被覆され
ている。絶縁膜５３ｇは、前記介装導電材５３ｆの表面
（図１４中条面）の周縁部を被覆し、円形孔５３ｈを形
成している。その円形孔５３ｈから前記介装導電材５３
ｆ表面が露出して、外部と電気的に接続自在とされてい
る。なお、絶縁膜５３ｇは、電極５３ｂの表面から側面
にかけてその全体を被覆すると共に、電極５３ｂに隣接
する半導体部５３ａの表面（図１４中水平面）及び段差
面（図１４中垂直面）全体を被覆している。これによ
り、絶縁膜５３ｇは、電極５３ｂ及び電極５３ｃ間の電
気的絶縁を完全に確保している。
【００６３】実施の形態５と同様、電極５３ｂに接続す
る介装導電材５３ｆを露出する円形孔５３ｈと電極５３
ｃとの間隔は、基板５１の電極部５２ａの先端間の間隔
と同一とされている。これにより、ＬＥＤチップ５３Ｂ
を、長さ方向に延びる中心線を基板５１の長さ方向に延
びる中心線に一致させ、基板５１の中央に配置すること
により、ＬＥＤチップ５３Ｂの介装導電材５３ｆの円形
孔５３ｈからの露出部及び電極５３ｃが、前記配線パタ
ーン５２の両電極部５２ａの先端部に対向配置される。
そして、ＬＥＤチップ５３Ｂの介装導電材５３ｆの円形
孔５３ｈからの露出部及び電極５３ｃを対応する電極部
５２ａにそれぞれバンプ５５を介して電気的に接続する
ことができる。このとき、電極５３ｂは介装導電材５３
ｆによりバンプ５５を介して対応する電極部５２ａに電
気的に接続される。
【００６４】なお、ＬＥＤチップ５３Ａの場合と同様、
電極５３ｃの面積が介装導電材５３の露出面積に対して
大きく、バンプ５５との電気的接続面積が異なる場合、
図１３中一点鎖線で示すように、面積の大きい方の電極
５３ｃに複数個のバンプ５５を形成してもよい。
【００６５】ところで、上記実施の形態３及び４のＬＥ
Ｄチップ３３，４３は略矩形板状であれば良く、正方形
板状以外にも長方形板状等の形状としても良い。この場
合も、ＬＥＤチップ３３，４３の対角線方向に正負一対
の電極を配置するため、電極を長さ方向に配置する場合
より電極間ピッチを大きく取ることができ、同様の効果
がある。
【００６６】また、実施の形態６の発光ダイオードは、
実施の形態２と同様、ＬＥＤチップ６３の下面側に、ア
ンダーフィル樹脂６６に代えて異方導電性ぺースト２１
を充填し、同様の効果を付与しても良い。また、実施の
形態６の発光ダイオードは、実施の形態３乃至５のいず
れかと組み合わせて実施しても良い。例えば、実施の形
態３または４のように、発光ダイオード６３の対角線方
向に正負一対の電極を配置し、配線パターン６２のパタ
ーン形状（特に電極部３２ａ，４２ａに対応する先端部
形状）を実施の形態３または４のようにし、ＬＥＤチッ
プ６３の両電極間の電気的絶縁を確保し、動作信頼性を
一層向上してもよい。或いは、実施の形態５のように、
発光ダイオード６３を長方形板状として、同様に動作信
頼性を向上しても良い。
【００６７】
【発明の効果】以上のように、請求項１の発光ダイオー
ドは、一対の配線パターンを有する基板と、同一面側に
正負一対の電極を有し、前記両電極を前記基板の両配線
パターンにそれぞれバンプを介して電気的に接続したＬ
ＥＤチップとを具備する。
【００６８】したがって、ＬＥＤチップの正負一対の電
極が光出射面と反対側の下面側に位置するため、光出射
面である上面に光を遮る影となるものが何もなく、ＬＥ
Ｄチップの上面全体が発光面積となる。その結果、ＬＥ
Ｄチップからの光の取り出し効率を増大して、発光効率
乃至輝度を向上することができる。また、ＬＥＤチップ
の両電極と基板の両配線パターンとの電気的接続をバン
プを介したフリップチップボンディングにより行うた
め、従来のようなワイヤボンディング用のスペースが不
要となり、発光ダイオード全体を小型化することができ
る。更に、ＬＥＤチップの両電極を直接基板の両配線パ
ターンに接続することができるため、ＬＥＤチップ駆動
時の放熱性が向上し、発光ダイオードの信頼性及び耐久
性が向上する。
【００６９】請求項２の発光ダイオードは、一対の配線
パターンを有する基板と、同一面側に正負一対の電極を
有し、前記両電極を前記基板の両配線パターンにそれぞ
れバンプを介して電気的に接続したＬＥＤチップと、前
記ＬＥＤチップの少なくとも両電極間を封止する電気絶
縁性のアンダーフィル樹脂とを具備する。
【００７０】したがって、ＬＥＤチップの正負一対の電
極が光出射面と反対側の下面側に位置するため、光出射
面である上面に光を遮る影となるものが何もなく、ＬＥ
Ｄチップの上面全体が発光面積となる。その結果、ＬＥ
Ｄチップからの光の取り出し効率を増大して、発光効率
乃至輝度を向上することができる。また、ＬＥＤチップ
の両電極と基板の両配線パターンとの電気的接続をバン
プを介したフリップチップボンディングにより行うた
め、従来のようなワイヤボンディング用のスペースが不
要となり、発光ダイオード全体を小型化することができ
る。更に、ＬＥＤチップの両電極を直接基板の両配線パ
ターンに接続することができるため、ＬＥＤチップ駆動
時の放熱性が向上し、発光ダイオードの信頼性及び耐久
性が向上する。加えて、アンダーフィル樹脂によりＬＥ
Ｄチップの両電極間の電気的絶縁が確保され、動作信頼
性が向上する。
【００７１】請求項３の発光ダイオードは、一対の配線
パターンを有する基板と、同一面側に正負一対の電極を
有し、前記両電極を前記基板の両配線パターンにそれぞ
れバンプを介して電気的に接続したＬＥＤチップと、前
記ＬＥＤチップの少なくとも両電極間を封止する異方導
電性ペーストとを具備する。
【００７２】したがって、ＬＥＤチップの正負一対の電
極が光出射面と反対側の下面側に位置するため、光出射
面である上面に光を遮る影となるものが何もなく、ＬＥ
Ｄチップの上面全体が発光面積となる。その結果、ＬＥ
Ｄチップからの光の取り出し効率を増大して、発光効率
乃至輝度を向上することができる。また、ＬＥＤチップ
の両電極と基板の両配線パターンとの電気的接続をバン
プを介したフリップチップボンディングにより行うた
め、従来のようなワイヤボンディング用のスペースが不
要となり、発光ダイオード全体を小型化することができ
る。更に、ＬＥＤチップの両電極を直接基板の両配線パ
ターンに接続することができるため、ＬＥＤチップ駆動
時の放熱性が向上し、発光ダイオードの信頼性及び耐久
性が向上する。加えて、異方導電性ペーストによりＬＥ
Ｄチップの両電極間の電気的絶縁が確保されると共に、
ＬＥＤチップの電極と対応する基板の配線パターンとの
電気的導通が確保される。その結果、発光ダイオードの
動作信頼性が一層向上する。
【００７３】請求項４の発光ダイオードは、請求項１乃
至請求項３のいずれかの構成において、前記基板の配線
パターンは、基板の長さ方向に間隔を置いて対向配置さ
れる電極部を有し、前記ＬＥＤチップは略矩形板状をな
すと共にその対角線方向に前記正負一対の電極を配置
し、前記正負一対の電極を前記配線パターンの両電極部
に対向配置して電気的に接続するものである。
【００７４】したがって、請求項１乃至請求項３のいず
れかの効果に加えて、ＬＥＤチップの電極間ピッチがよ
り大きくなる。その結果、電極間での短絡を効果的に防
止して、発光ダイオードの動作信頼性をより向上し、製
品品質を一層向上することができる。
【００７５】請求項５の発光ダイオードは、請求項１乃
至請求項３のいずれかの構成において、前記基板の配線
パターンは、基板の長さ方向と傾斜する方向に間隔を置
いて対向配置される電極部を有し、前記ＬＥＤチップは
略矩形板状をなすと共にその対角線方向に前記正負一対
の電極を配置し、前記正負一対の電極を前記配線パター
ンの電極部に対向配置して電気的に接続するものであ
る。
【００７６】したがって、請求項１乃至請求項３のいず
れかの効果に加えて、ＬＥＤチップの電極間ピッチがよ
り大きくなる。その結果、電極間での短絡を効果的に防
止して、発光ダイオードの動作信頼性をより向上し、製
品品質を一層向上することができる。更に、配線パター
ンのパターン形状を変更するだけで、ＬＥＤチップを基
板に通常状態（中心線を一致させた状態）で配置するこ
とができる。その結果、ＬＥＤチップの位置決め乃至配
置作業を通常の方法で行うことができる。
【００７７】請求項６の発光ダイオードは、請求項１乃
至請求項３のいずれかの構成において、前記基板の配線
パターンは、基板の長さ方向に間隔を置いて対向配置さ
れる電極部を有し、前記ＬＥＤチップは略長方形板状を
なすと共にその長さ方向に前記正負一対の電極を配置
し、前記正負一対の電極を前記配線パターンの電極部に
対向配置して電気的に接続するものである。
【００７８】したがって、請求項１乃至請求項３のいず
れかの効果に加えて、ＬＥＤチップの電極間ピッチがよ
り大きくなる。その結果、電極間での短絡を効果的に防
止して、発光ダイオードの動作信頼性をより向上し、製
品品質を一層向上することができる。
【００７９】請求項７の発光ダイオードは、請求項１乃
至請求項６のいずれかの構成において、前記基板をＭＩ
Ｄ基板としたものである。したがって、請求項１乃至請
求項６のいずれかの効果に加えて、基板の配線パターン
がＬＥＤチップから側方に出射する光を上方に反射す
る。その結果、発光ダイオード全体の発光効率乃至輝度
を一層増大することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は本発明の実施の形態１における発光ダ
イオードの全体構成を示す断面図である。
【図２】 図２は本発明の実施の形態１における発光ダ
イオードの要部を示す断面図である。
【図３】 図３は本発明の実施の形態２における発光ダ
イオードの要部を示す断面図である。
【図４】 図４は本発明の実施の形態３における発光ダ
イオードの平面図である。
【図５】 図５は本発明の実施の形態４における発光ダ
イオードの平面図である。
【図６】 図６は本発明の実施の形態５における発光ダ
イオードの平面図である。
【図７】 図７は本発明の実施の形態６における発光ダ
イオードの断面図である。
【図８】 図８は特開平９−１３５０４０号公報に掲載
の発光ダイオードを示す断面図である。
【図９】 図９は本発明の実施の形態４にかかる発光ダ
イオードのＬＥＤチップの形状例を示す平面図である。
【図１０】 図１０は図９のＬＥＤチップを電極が位置
する対角線方向に切断して示す断面図である。
【図１１】 図１１は本発明の実施の形態５にかかる発
光ダイオードのＬＥＤチップの形状例を示す平面図であ
る。
【図１２】 図１２は図１１のＬＥＤチップを電極が位
置する長さ方向に切断して示す断面図である。
【図１３】 図１３は本発明の実施の形態５にかかる発
光ダイオードのＬＥＤチップの別の形状例を示す平面図
である。
【図１４】 図１４は図１３のＬＥＤチップを電極が位
置する長さ方向に切断して示す断面図である。
【符号の説明】
１１，３１，４１，５１，６１、 基板 １２，３２，４２，５２，６２ 配線パターン １３，３３，４３，５３，５３Ａ，５３Ｂ，６３ Ｌ
ＥＤチップ １５，３５，４５，５５，６５ バンプ １６ アンダーフィル樹脂 ２１ 異方導電性ペースト ３２ａ，４２ａ，５２ａ 電極部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上村 俊也 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑１ 番地 豊田合成株式会社内 (72)発明者 高橋 祐次 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑１ 番地 豊田合成株式会社内

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一対の配線パターンを有する基板と、 同一面側に正負一対の電極を有し、前記両電極を前記基
    板の両配線パターンにそれぞれバンプを介して電気的に
    接続したＬＥＤチップとを具備することを特徴とする発
    光ダイオード。
  2. 【請求項２】 一対の配線パターンを有する基板と、 同一面側に正負一対の電極を有し、前記両電極を前記基
    板の両配線パターンにそれぞれバンプを介して電気的に
    接続したＬＥＤチップと、 前記ＬＥＤチップの少なくとも両電極間を封止する電気
    絶縁性のアンダーフィル樹脂とを具備することを特徴と
    する発光ダイオード。
  3. 【請求項３】 一対の配線パターンを有する基板と、 同一面側に正負一対の電極を有し、前記両電極を前記基
    板の両配線パターンにそれぞれバンプを介して電気的に
    接続したＬＥＤチップと、 前記ＬＥＤチップの少なくとも両電極間を封止する異方
    導電性ペーストとを具備することを特徴とする発光ダイ
    オード。
  4. 【請求項４】 前記基板の配線パターンは、基板の長さ
    方向に間隔を置いて対向配置される電極部を有し、前記
    ＬＥＤチップは略矩形板状をなすと共にその対角線方向
    に前記正負一対の電極を配置し、前記正負一対の電極を
    前記配線パターンの両電極部に対向配置して電気的に接
    続することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれ
    か１つの請求項に記載の発光ダイオード。
  5. 【請求項５】 前記基板の配線パターンは、基板の長さ
    方向と傾斜する方向に間隔を置いて対向配置される電極
    部を有し、前記ＬＥＤチップは略矩形板状をなすと共に
    その対角線方向に前記正負一対の電極を配置し、前記正
    負一対の電極を前記配線パターンの電極部に対向配置し
    て電気的に接続することを特徴とする請求項１乃至請求
    項３のいずれか１つの請求項に記載の発光ダイオード。
  6. 【請求項６】 前記基板の配線パターンは、基板の長さ
    方向に間隔を置いて対向配置される電極部を有し、前記
    ＬＥＤチップは略長方形板状をなすと共にその長さ方向
    に前記正負一対の電極を配置し、前記正負一対の電極を
    前記配線パターンの電極部に対向配置して電気的に接続
    することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか
    １つの請求項に記載の発光ダイオード。
  7. 【請求項７】 前記基板はＭＩＤ基板であることを特徴
    とする請求項１乃至請求項６のいずれか１つの請求項に
    記載の発光ダイオード。
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