KR20150032519A - 광 반사성 이방성 도전 접착제 및 발광 장치 - Google Patents

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Abstract

발광 소자를 배선판에 이방성 도전 접속하기 위해 사용하는 광 반사성 이방성 도전 접착제는 열경화성 수지 조성물, 도전 입자 및 광 반사성 절연 입자를 함유한다. 열경화성 수지 조성물은 화학식 (1)로 표시되는 디글리시딜이소시아누릴 변성 폴리실록산과, 에폭시 수지용 경화제를 함유한다.
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Description

광 반사성 이방성 도전 접착제 및 발광 장치{LIGHT-REFLECTIVE ANISOTROPIC CONDUCTIVE ADHESIVE AND LIGHT-EMITTING DEVICE}
본 발명은 발광 소자를 배선판에 이방성 도전 접속하기 위해 사용하는 광 반사성 이방성 도전 접착제, 그 접착제를 이용하여 발광 소자를 배선판에 실장하여 이루어지는 발광 장치에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED) 소자를 사용한 발광 장치가 널리 사용되고 있고, 구타입의 발광 장치의 구조는 도 3에 나타낸 바와 같이, 기판(31) 상에 다이본드 접착제(32)로 LED 소자(33)를 접합하고, 그의 상면의 p 전극(34)과 n 전극(35)을, 기판(31)의 접속 단자(36)에 금 와이어(37)로 와이어 본딩하고, LED 소자(33) 전체를 투명 몰드 수지(38)로 밀봉한 것으로 되어 있다. 그런데, 도 3의 발광 장치의 경우, LED 소자(33)가 발하는 광 중, 상면측에 출사하는 400 내지 500nm 파장의 광을 금 와이어가 흡수하고, 또한 하면측에 출사한 광의 일부가 다이본드 접착제(32)에 의해 흡수되게 되어, LED 소자(33)의 발광 효율이 저하된다는 문제가 있다.
이 때문에, LED 소자의 광 반사에 관한 발광 효율의 향상이라는 관점에서, 도 4에 나타낸 바와 같이, LED 소자(33)를 플립 칩 실장하는 것이 제안되어 있다(특허문헌 1). 이 플립 칩 실장 기술에 있어서는, p 전극(34)과 n 전극(35)에 범프(39)가 각각 형성되어 있고, 또한 LED 소자(33)의 범프 형성면에는 p 전극(34) 및 n 전극(35)과 절연되도록 광 반사층(40)이 설치되어 있다. 그리고, LED 소자(33)와 기판(31)은, 이방성 도전 페이스트(41)나 이방성 도전 필름(도시하지 않음)을 이용하여 이들을 경화시켜 접속 고정된다. 이 때문에, 도 4의 발광 장치에 있어서는, LED 소자(33)의 상측으로 출사한 광은 금 와이어로 흡수되지 않고, 하측으로 출사한 광의 대부분은 광 반사층(40)에서 반사하여 상측으로 출사하기 때문에, 발광 효율(광취출 효율)이 저하되지 않는다.
또한, LED 소자의 광 반사에 관한 발광 효율의 향상이라는 관점과는 별도로, LED 소자의 실장에 이용한 이방성 도전 페이스트나 이방성 도전 필름 중의 절연성 수지 성분의 열이나 광에 의한 변색에 따라 LED 소자의 출사광이 색 변화되는 것을 방지한다는 관점에서, 내열성, 내광성이 우수한 2액 경화형 메틸 실리콘 수지나 2액 경화형 페닐 실리콘 수지를 이방성 도전 페이스트나 이방성 도전 필름 중의 절연성 수지 성분에 채용하는 것이 시도되고 있다.
일본 특허 공개 (평)11-168235호 공보
그러나, 특허문헌 1의 기술에서는 LED 소자(33)에 광 반사층(40)을, p 전극(34) 및 n 전극(35)과 절연하도록 금속 증착법 등에 의해 설치해야만 해서 제조 상, 비용 상승을 피할 수 없다는 문제가 있고, 다른 한편으로, 광 반사층(40)을 설치하지 않는 경우에는 경화한 이방성 도전 페이스트나 이방성 도전 필름 중의 금, 니켈 또는 구리로 피복된 도전 입자의 표면은 차색 내지는 암차색을 나타내고, 또한 도전 입자를 분산시키고 있는 에폭시 수지 결합제 자체도, 그의 경화를 위해 상용되는 이미다졸계 잠재성 경화제 때문에 차색을 나타내고 있어, 발광 소자가 발한 광의 발광 효율(광취출 효율)을 향상시키는 것이 곤란하다는 문제가 있다.
또한, 2액 경화형 메틸 실리콘 수지나 2액 경화형 페닐 실리콘 수지를 이방성 도전 페이스트나 이방성 도전 필름 중의 절연성 수지 성분에 채용한 경우, 열이나 광에 의해 절연성 수지 성분의 변색은 억제할 수 있지만, 실장 기판에 대한 LED 소자의 박리 강도(다이 전단 강도)가 실용에 적합하지 않은 수준이 되는 문제가 있었다.
본 발명의 목적은 이상의 종래 기술의 문제점을 해결하는 것으로서, 발광 다이오드(LED) 소자 등의 발광 소자를 배선판에 이방성 도전 접착제를 이용하여 플립 칩 실장하여 발광 장치를 제조할 때에 제조 비용의 증대를 초래하는 광 반사층을 LED 소자에 설치하지 않더라도 발광 효율을 개선할 수 있고, 더구나 열이나 광에 의해 변색하기 어려울 뿐더러 실용상 충분한 다이 전단 강도를 나타내는 이방성 도전 접착제, 그 접착제를 사용하여 발광 소자를 배선판에 플립 칩 실장하여 이루어지는 발광 장치를 제공하는 것이다.
본 발명자들은 이방성 도전 접착제 그 자체에 광 반사 기능을 갖게 하면, 발광 효율을 저하시키지 않도록 할 수 있다는 가정 하에, 이방성 도전 접착제에 광 반사성 절연 입자를 배합함으로써, 발광 소자의 발광 효율을 저하시키지 않도록 할 수 있음을 발견하였다. 또한, 본 발명자들은 이방성 도전 접착제의 절연성 접착 성분으로서 특정 구조를 갖는 디글리시딜이소시아누릴 변성 폴리실록산을 사용함으로써, 열이나 광에 의해 이방성 도전 접착제가 변색하게 되는 것을 방지할 수 있고, 더구나 실용상 충분한 다이 전단 강도를 나타내는 것을 발견하였다. 그리고, 이들 지견에 기초하여 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.
즉, 본 발명은 발광 소자를 배선판에 이방성 도전 접속하기 위해 사용하는 광 반사성 이방성 도전 접착제이며, 열경화성 수지 조성물, 도전 입자 및 광 반사성 절연 입자를 함유하고, 열경화성 수지 조성물이 화학식 (1)로 표시되는 디글리시딜이소시아누릴 변성 폴리실록산과, 에폭시 수지용 경화제를 함유하는 것을 특징으로 하는 광 반사성 이방성 도전 접착제를 제공한다.
Figure pct00001
화학식 (1) 중, R은 알킬기 또는 아릴기이고, n은 1 내지 40이다.
또한, 본 발명은 이 광 반사성 이방성 도전 접착제의 특히 바람직한 양태로서, 도전 입자가, 금속 재료에 의해 피복되어 있는 코어 입자와, 그의 표면에 산화티탄 입자, 질화붕소 입자, 산화아연 입자 또는 산화알루미늄 입자로부터 선택된 적어도 1종의 무기 입자로부터 형성된 광 반사층을 포함하는 광 반사성 도전 입자인 광 반사성 이방성 도전 접착제를 제공한다.
또한, 본 발명은 상술한 광 반사성 이방성 도전 접착제를 개재하여 발광 소자가 플립 칩 방식으로 배선판에 실장되어 이루어지는 발광 장치를 제공한다.
발광 소자를 배선판에 이방성 도전 접속하기 위해 사용하는 본 발명의 광 반사성 이방성 도전 접착제는 결합제인 열경화성 수지 조성물과, 광 반사성 절연 입자와, 도전 입자를 함유한다. 이 열경화성 수지 조성물은 에폭시 수지용 경화제로 경화하는 화학식 (1)로 표시되는 디글리시딜이소시아누릴 변성 폴리실록산을 함유한다. 이 폴리실록산은 그의 측쇄에 디글리시딜이소시아누릴알킬기가 결합되어 있다. 이 때문에, 열이나 광에 의해 이방성 도전 접착제가 변색되는 것을 방지할 수 있고, 더구나 실용상 충분한 다이 전단 강도를 실현할 수 있다.
또한, 본 발명의 광 반사성 이방성 도전 접착제는 광 반사성 절연 입자를 함유하고 있기 때문에 광을 반사할 수 있다. 특히, 광 반사성 절연 입자가 산화티탄 입자, 질화붕소 입자, 산화아연 입자 및 산화알루미늄 입자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 무기 입자, 또는 인편상 또는 구상 금속 입자의 표면을 절연성 수지로 피복한 수지 피복 금속 입자인 경우에는 입자 자체가 거의 백색이기 때문에, 가시광에 대한 반사 특성의 파장 의존성이 작고, 따라서, 발광 효율을 향상시킬 수 있고, 더구나 발광 소자의 발광색을 그대로의 색으로 반사시킬 수 있다.
또한, 도전 입자로서, 금속 재료로 피복되어 있는 코어 입자와, 그의 표면에 산화티탄 입자, 질화붕소 입자, 산화아연 입자 또는 산화알루미늄 입자로부터 형성된 백색 내지 회색의 광 반사층으로 구성되어 있는 광 반사성 도전 입자를 더 사용한 경우, 이 광 반사성 도전 입자 자체가 백색 내지 회색을 띠고 있기 때문에, 가시광에 대한 반사 특성의 파장 의존성이 작고, 따라서, 발광 효율을 더욱 향상시킬 수 있으며, 더구나 발광 소자의 발광색을 그대로의 색으로 반사시킬 수 있다.
도 1a는 본 발명의 광 반사성 이방성 도전 접착제용의 광 반사성 도전 입자의 단면도이다.
도 1b는 본 발명의 광 반사성 이방성 도전 접착제용의 광 반사성 도전 입자의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 발광 장치의 단면도이다.
도 3은 종래의 발광 장치의 단면도이다.
도 4는 종래의 발광 장치의 단면도이다.
본 발명은 발광 소자를 배선판에 이방성 도전 접속하기 위해 사용하는 광 반사성 이방성 도전 접착제이며, 열경화성 수지 조성물, 도전 입자 및 광 반사성 절연 입자를 함유하는 광 반사성 이방성 도전 접착제이다. 우선, 결합제인 열경화성 수지 조성물에 대하여 설명한다.
<열경화성 수지 조성물>
본 발명에 있어서, 열경화성 수지 조성물은 화학식 (1)로 표시되는 디글리시딜이소시아누릴 변성 폴리실록산과, 에폭시 수지용 경화제를 함유한다. 화학식 (1)로 표시되는 디글리시딜이소시아누릴 변성 폴리실록산을 함유함으로써, 열이나 광에 의해 이방성 도전 접착제가 변색되는 것을 방지할 수 있고, 더구나 실용상 충분한 다이 전단 강도를 실현할 수 있다.
Figure pct00002
화학식 (1) 중, R은 탄소수 1 내지 6의 저급 알킬기 등의 알킬기, 또는 탄소환식 방향족기, 복소환식 방향족 등의 아릴기이다. 알킬기의 바람직한 구체예로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기를 들 수 있고, 특히 바람직한 알킬기로서는 메틸기를 들 수 있다. 또한, 아릴기의 바람직한 구체예로서는, 페닐기를 들 수 있다. n은 1 내지 40의 정수이고, 바람직하게는 1 내지 4의 정수, 보다 바람직하게는 1 또는 2이다.
화학식 (1)로 표시되는 디글리시딜이소시아누릴 변성 폴리실록산의 열경화성 수지 조성물 중의 함유량은 너무 적으면 광 반사성 이방성 도전 접착제의 접착 성능이 저하되는 경향이 있고, 너무 많으면 미경화 에폭시 성분량이 과다해지는 경향이 있기 때문에, 바람직하게는 45 내지 65 질량％, 보다 바람직하게는 50 내지 60 질량％이다.
또한, 화학식 (1)로 표시되는 디글리시딜이소시아누릴 변성 폴리실록산은 이하의 반응식에 나타낸 바와 같이, 화학식 (a)의 하이드로젠폴리실록산과, 화학식 (b)의 1-알릴-3,5-디글리시딜이소시아누레이트를 균일하게 혼합한 후, 카르스테트(Karstedt) 촉매(1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산백금(0) 착체 용액)의 존재 하에서 실온 내지 150℃로 가열함으로써 제조할 수 있다. 반응 혼합물로부터는 통상법(농축 처리·컬럼 처리 등)에 의해 화학식 (1)의 화합물을 단리할 수 있다.
Figure pct00003
열경화성 수지 조성물은 화학식 (1)의 디글리시딜이소시아누릴 변성 폴리실록산 외에, 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 복소환계 에폭시 화합물이나 지환식 에폭시 화합물이나 수소 첨가 에폭시 화합물 등을 함유할 수 있다.
복소환계 에폭시 화합물로서는 트리아진환을 갖는 에폭시 화합물을 들 수 있고, 예를 들면, 1,3,5-트리스(2,3-에폭시프로필)-1,3,5-트리아진-2,4,6-(1H,3H,5H)-트리온(바꿔 말하면, 트리글리시딜이소시아누레이트)를 들 수 있다.
지환식 에폭시 화합물로서는, 분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 것을 바람직하게 들 수 있다. 이들은 액상일 수도 있고, 고체상일 수도 있다. 그 중에서도 경화물에 LED 소자의 실장 등에 적합한 광 투과성을 확보할 수 있고, 속경화성도 우수한 점에서, 글리시딜헥사히드로비스페놀 A, 3,4-에폭시시클로헥세닐메틸-3',4'-에폭시시클로헥센카르복실레이트를 바람직하게 사용할 수 있다.
수소 첨가 에폭시 화합물로서는, 상술한 복소환계 에폭시 화합물이나 지환식 에폭시 화합물의 수소 첨가물이나, 기타 공지된 수소 첨가 에폭시 수지를 사용할 수 있다.
이들 지환식 에폭시 화합물이나 복소환계 에폭시 화합물이나 수소 첨가 에폭시 화합물은 화학식 (1)의 디글리시딜이소시아누릴 변성 폴리실록산에 대하여 단독으로 병용할 수도 있지만, 2종 이상을 병용할 수도 있다. 또한, 이들 에폭시 화합물에 더하여 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한 다른 에폭시 화합물을 병용할 수도 있다. 예를 들면, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 테트라메틸비스페놀 A, 디아릴비스페놀 A, 하이드로퀴논, 카테콜, 레조르신, 크레졸, 테트라브로모비스페놀 A, 트리히드록시비페닐, 벤조페논, 비스레조르시놀, 비스페놀헥사플루오로아세톤, 테트라메틸비스페놀 A, 테트라메틸비스페놀 F, 트리스(히드록시페닐)메탄, 비크실레놀, 페놀노볼락, 크레졸노볼락 등의 다가 페놀과 에피클로로히드린을 반응시켜 얻어지는 글리시딜에테르; 글리세린, 네오펜틸글리콜, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 틸렌글리콜, 헥실렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜 등의 지방족 다가 알코올과 에피클로로히드린을 반응시켜 얻어지는 폴리글리시딜에테르; p-옥시벤조산, β-옥시나프토산과 같은 히드록시카르복실산과 에피클로로히드린을 반응시켜 얻어지는 글리시딜에테르에스테르; 프탈산, 메틸프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 테트라하이드로프탈산, 엔도메틸렌테트라하이드로프탈산, 엔도메틸렌헥사하이드로프탈산, 트리멜리트산, 중합 지방산과 같은 폴리카르복실산으로부터 얻어지는 폴리글리시딜에스테르; 아미노페놀, 아미노알킬페놀로부터 얻어지는 글리시딜아미노글리시딜에테르; 아미노벤조산으로부터 얻어지는 글리시딜아미노글리시딜에스테르; 아닐린, 톨루이딘, 트리브롬아닐린, 크실릴렌디아민, 디아미노시클로헥산, 비스아미노메틸시클로헥산, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐술폰 등으로부터 얻어지는 글리시딜아민; 에폭시화 폴리올레핀 등의 공지된 에폭시 수지류를 들 수 있다.
에폭시 수지용 경화제로서는 공지된 에폭시 수지용 경화제를 사용할 수 있다. 예를 들면, 아민계 경화제, 폴리아미드계 경화제, 산 무수물계 경화제, 이미다졸계 경화제, 폴리머캅탄계 경화제, 폴리술피드계 경화제, 3불화 붕소-아민 착체계 경화제, 디시안디아미드, 유기산 히드라지드 등 중에서 선택하여 사용할 수 있다. 그 중에서도 광 투과성, 내열성 등의 관점에서 산 무수물계 경화제를 바람직하게 사용할 수 있다.
산 무수물계 경화제로서는, 무수 숙신산, 무수 프탈산, 무수 말레산, 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 헥사히드로 무수 프탈산, 3-메틸-헥사히드로 무수 프탈산, 4-메틸-헥사히드로 무수 프탈산, 또는 4-메틸-헥사히드로 무수 프탈산과 헥사히드로 무수 프탈산의 혼합물, 테트라히드로 무수 프탈산, 메틸-테트라히드로 무수 프탈산, 무수 나드산, 무수 메틸나드산, 노르보르난-2,3-디카르복실산 무수물, 메틸노르보르난-2,3-디카르복실산 무수물, 메틸시클로헥센디카르복실산 무수물 등을 들 수 있다.
산 무수물계 경화제 등의 에폭시 수지용 경화제의 열경화성 수지 조성물 중의 배합량은 화학식 (1)로 표시되는 디글리시딜이소시아누릴 변성 폴리실록산 100 질량부에 대하여, 너무 적으면 미경화 에폭시 성분량이 과다해지는 경향이 있고, 너무 많으면 잉여의 경화제의 영향으로 피착체 재료의 부식이 촉진되는 경향이 있기 때문에, 바람직하게는 50 내지 120 질량부, 보다 바람직하게는 60 내지 100 질량부이다.
열경화성 수지 조성물은 경화 반응을 원활하면서 단시간에 완료시키기 위해 공지된 경화 촉진제를 함유할 수 있다. 바람직한 경화 촉진제로서는 제4급 포스포늄염계 경화 촉진제나 이미다졸계 경화 촉진제를 들 수 있다. 구체적으로는, 제4급 포스포늄의 브로마이드염(「U-CAT5003」(상표), 산 아프로(주)), 2-에틸-4-메틸이미다졸 등을 들 수 있다. 특히, 산 무수물계 경화제용의 경화 촉진제로서는 이미다졸계 경화 촉진제를 바람직하게 사용할 수 있다. 이 경우, 이미다졸계 경화 촉진제의 첨가량은 너무 적으면 경화가 불충분해지는 경향이 있고, 너무 많으면 열·광에 대한 변색이 커지는 경향이 있기 때문에, 산 무수물계 경화제 100 질량부에 대하여 이미다졸계 경화 촉진제를 바람직하게는 0.20 내지 2.00 질량부, 보다 바람직하게는 0.60 내지 1.00 질량부이다.
이상 설명한 열경화성 수지 조성물은 가능한 한 무색 투명한 것을 사용하는 것이 바람직하다. 이방성 도전 접착제 중의 광 반사성 도전 입자의 광 반사 효율을 저하시키지 않고, 더구나 입사광의 광색을 바꾸지 않고 반사시키기 때문이다. 여기서, 무색 투명이란, 이방성 도전 접착제의 경화물이 파장 380 내지 780nm의 가시광에 대하여 광로 길이 1mm의 광투과율(JIS K7105)이 80％ 이상, 바람직하게는 90％ 이상이 되는 것을 의미한다.
<광 반사성 절연 입자>
본 발명의 광 반사성 이방성 도전 접착제가 함유하는 광 반사성 절연 입자는 이방성 도전 접착제에 입사한 광을 외부에 반사하기 위한 것이다.
또한, 광 반사성을 갖는 입자에는 금속 입자, 금속 입자를 수지 피복한 입자, 자연광 하에서 회색부터 백색인 금속 산화물, 금속 질소화물, 금속 황화물 등의 무기 입자, 수지 코어 입자를 무기 입자로 피복한 입자, 입자의 재질에 상관없이 그의 표면에 요철이 있는 입자가 포함된다. 그러나, 이들 입자 중에서 본 발명에서 사용할 수 있는 광 반사성 절연 입자에는 절연성을 나타내는 것이 요구되고 있는 관계상, 절연 피복되어 있지 않은 금속 입자는 포함되지 않는다. 또한, 금속 산화물 입자 중, ITO와 같이 도전성을 갖는 것은 사용할 수 없다. 또한, 광 반사성이면서 절연성을 나타내는 무기 입자이더라도, SiO2와 같이 그의 굴절률이 사용하는 열경화성 수지 조성물의 굴절률보다 낮은 것은 사용할 수 없다.
이러한 광 반사성 절연 입자의 바람직한 구체예로서는, 산화티탄(TiO2) 입자, 질화붕소(BN) 입자, 산화아연(ZnO) 입자 및 산화알루미늄(Al2O3) 입자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 무기 입자를 들 수 있다. 그 중에서도 고굴절률 면에서 TiO2를 사용하는 것이 바람직하다.
광 반사성 절연 입자의 형상으로서는 구상, 인편상, 부정형상, 침상 등이어도 좋지만, 반사 효율을 고려하면, 구상, 인편상이 바람직하다. 또한, 그의 크기로서는, 구상인 경우, 너무 작으면 반사율이 낮아지고, 너무 크면 이방성 도전 접속을 저해하는 경향이 있기 때문에, 바람직하게는 0.02 내지 20μm, 보다 바람직하게는 0.2 내지 1μm이고, 인편상인 경우에는, 장경이 바람직하게는 0.1 내지 100μm, 보다 바람직하게는 1 내지 50μm, 단경이 바람직하게는 0.01 내지 10μm, 보다 바람직하게는 0.1 내지 5μm, 두께가 바람직하게는 0.01 내지 10μm, 보다 바람직하게는 0.1 내지 5μm이다.
무기 입자를 포함하는 광 반사성 절연 입자는 그의 굴절률(JIS K7142)이, 바람직하게는 열경화성 수지 조성물의 경화물의 굴절률(JIS K7142)보다 큰 것, 보다 바람직하게는 적어도 0.02 정도 큰 것이 바람직하다. 이것은 굴절률차가 작으면 이들의 계면에서의 반사 효율이 저하되기 때문이다.
광 반사성 절연 입자로서는 이상 설명한 무기 입자를 사용할 수도 있지만, 인편상 또는 구상 금속 입자의 표면을 투명한 절연성 수지로 피복한 수지 피복 금속 입자를 사용할 수도 있다. 금속 입자로서는 니켈, 은, 알루미늄 등을 들 수 있다. 입자의 형상으로서는, 무정형, 구상, 인편상, 침상 등을 들 수 있지만, 그 중에서도, 광 확산 효과 면에서 구상, 전반사 효과 면에서 인편상의 형상이 바람직하다. 특히 바람직한 것은 광의 반사율 면에서 인편상 은 입자이다.
광 반사성 절연 입자로서의 수지 피복 금속 입자의 크기는 형상에 따라서도 다르지만, 일반적으로 너무 크면, 이방성 도전 접속을 저해할 우려가 있고, 너무 작으면 광을 반사하기 어려워지기 때문에, 바람직하게는 구상의 경우에는 입경 0.1 내지 30μm, 보다 바람직하게는 0.2 내지 10μm이고, 인편상의 경우에는 장경이 바람직하게는 0.1 내지 100μm, 보다 바람직하게는 1 내지 50μm이고 두께가 바람직하게는 0.01 내지 10μm, 보다 바람직하게는 0.1 내지 5μm이다. 여기서, 광 반사성 절연 입자의 크기는 절연 피복되어 있는 경우에는 그의 절연 피복도 포함시킨 크기이다.
이러한 수지 피복 금속 입자에서의 해당 수지로서는 다양한 절연성 수지를 사용할 수 있다. 기계적 강도나 투명성 등의 면에서 아크릴계 수지의 경화물을 바람직하게 이용할 수 있다. 바람직하게는, 벤조일퍼옥사이드 등의 유기 과산화물 등의 라디칼 개시제의 존재 하에서, 메타크릴산메틸과 메타크릴산 2-히드록시에틸을 라디칼 공중합시킨 수지를 들 수 있다. 이 경우, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트 등의 이소시아네이트계 가교제로 가교되어 있는 것이 보다 바람직하다. 또한, 금속 입자로서는, 미리 실란 커플링제로 γ-글리시독시기나 비닐기 등을 금속 표면에 도입해 두는 것이 바람직하다.
이러한 수지 피복 금속 입자는, 예를 들면 톨루엔 등의 용매 중에 금속 입자와 실란 커플링제를 투입하고, 실온에서 약 1시간 교반한 후, 라디칼 단량체와 라디칼 중합 개시제와, 필요에 따라 가교제를 투입하고, 라디칼 중합 개시 온도로 가온하면서 교반함으로써 제조할 수 있다.
이상 설명한 광 반사성 절연 입자의, 광 반사성 이방성 도전 접착제 중의 배합량은 너무 적으면 충분한 광 반사를 실현할 수 없고, 또한 너무 많으면 병용하고 있는 도전 입자에 기초한 접속이 저해되기 때문에, 광 반사성 이방성 도전 접착제 중에 광 반사성 절연 입자를 바람직하게는 1 내지 50부피％, 보다 바람직하게는 5 내지 25부피％로 함유하고 있다.
<도전 입자>
본 발명의 광 반사성 이방성 도전 접착제를 구성하는 도전 입자로서는, 이방성 도전 접속용의 종래의 도전 입자에서 이용되고 있는 금속의 입자를 이용할 수 있다. 예를 들면, 금, 니켈, 구리, 은, 땜납, 팔라듐, 알루미늄, 이들의 합금, 이들의 다층화물(예를 들면, 니켈 도금/금 플래시 도금물) 등을 들 수 있다. 그 중에서도 금, 니켈, 구리는 도전 입자를 차색으로 하기 때문에, 본 발명의 효과를 다른 금속 재료보다 향수할 수 있다.
또한, 도전 입자로서, 수지 입자를 금속 재료로 피복한 금속 피복 수지 입자를 사용할 수 있다. 이러한 수지 입자로서는 스티렌계 수지 입자, 벤조구아나민 수지 입자, 나일론 수지 입자 등을 들 수 있다. 수지 입자를 금속 재료로 피복하는 방법으로서도 종래 공지된 방법을 채용할 수 있고, 무전해 도금법, 전해 도금법 등을 이용할 수 있다. 또한, 피복하는 금속 재료의 층 두께는 양호한 접속 신뢰성을 확보하기에 충분한 두께이고, 수지 입자의 입경이나 금속의 종류에도 따르지만, 통상, 0.1 내지 3μm이다.
또한, 수지 입자의 입경은 너무 작으면 도통 불량이 생기고, 너무 크면 패턴간 쇼트가 생기는 경향이 있기 때문에, 바람직하게는 1 내지 20μm, 보다 바람직하게는 3 내지 10μm, 특히 바람직하게는 3 내지 5μm이다. 이 경우, 코어 입자(1)의 형상으로서는 구상이 바람직하지만, 플레이크상, 럭비볼상일 수도 있다.
바람직한 금속 피복 수지 입자는 구상 형상이고, 그의 입경은 너무 크면 접속 신뢰성이 저하되기 때문에, 바람직하게는 1 내지 20μm, 보다 바람직하게는 3 내지 10μm이다.
특히, 본 발명에서는 상술한 바와 같은 도전 입자에 대하여 광 반사성을 부여하여 광 반사성 도전 입자로 하는 것이 바람직하다. 도 1a, 도 1b는 이러한 광 반사성 도전 입자(10, 20)의 단면도이다. 우선, 도 1a의 광 반사성 도전 입자부터 설명한다.
광 반사성 도전 입자(10)는 금속 재료로 피복되어 있는 코어 입자(1)와, 그의 표면에 산화티탄(TiO2) 입자, 질화붕소(BN) 입자, 산화아연(ZnO) 입자 또는 산화알루미늄(Al2O3) 입자로부터 선택된 적어도 1종의 무기 입자(2)로부터 형성된 광 반사층(3)으로 구성된다. 산화티탄 입자, 질화붕소 입자, 산화아연 입자 또는 산화알루미늄 입자는 태양광 하에서는 백색을 띄는 무기 입자이다. 따라서, 이들로부터 형성된 광 반사층(3)은 백색 내지 회색을 나타낸다. 백색 내지 회색을 나타내고 있다는 것은 가시광에 대한 반사 특성의 파장 의존성이 작으며, 가시광을 반사하기 쉬운 것을 의미한다.
또한, 산화티탄 입자, 질화붕소 입자, 산화아연 입자 또는 산화알루미늄 입자 중, 경화한 이방성 도전 접착제의 열경화성 수지 조성물의 경화물의 광열화가 우려되는 경우에는 광열화에 대하여 촉매성이 없고, 굴절률도 높은 산화아연을 바람직하게 사용할 수 있다.
코어 입자(1)는 이방성 도전 접속에 제공되는 것이기 때문에, 그의 표면이 금속 재료로 구성되어 있다. 여기서, 표면이 금속 재료로 피복되어 있는 양태로서는, 상술한 바와 같이 코어 입자(1) 그 자체가 금속 재료인 양태, 또는 수지 입자의 표면이 금속 재료로 피복된 양태를 들 수 있다.
무기 입자(2)로부터 형성된 광 반사층(3)의 층 두께는 코어 입자(1)의 입경과의 상대적 크기의 관점에서 보면, 코어 입자(1)의 입경에 대하여, 너무 작으면 반사율의 저하가 현저해지고, 너무 크면 도통 불량이 생기기 때문에, 바람직하게는 0.5 내지 50％, 보다 바람직하게는 1 내지 25％이다.
또한, 광 반사성 도전 입자(10)에 있어서, 광 반사층(3)을 구성하는 무기 입자(2)의 입경은 너무 작으면 광 반사 현상이 생기기 어려워지고, 너무 크면 광 반사층의 형성이 곤란해지는 경향이 있기 때문에, 바람직하게는 0.02 내지 4μm, 보다 바람직하게는 0.1 내지 1μm, 특히 바람직하게는 0.2 내지 0.5μm이다. 이 경우, 광 반사시키는 광의 파장의 관점에서 보면, 무기 입자(2)의 입경은 반사시켜야 할 광(즉, 발광 소자가 발하는 광)이 투과해 버리지 않도록 그 광의 파장의 50％ 이상인 것이 바람직하다. 이 경우, 무기 입자(2)의 형상으로서는 무정형, 구상, 인편상, 침상 등을 들 수 있지만, 그 중에서도 광 확산 효과 면에서 구상, 전반사 효과 면에서 인편상의 형상이 바람직하다.
도 1a의 광 반사성 도전 입자(10)는 대소의 분말끼리를 물리적으로 충돌시킴으로써 대입경 입자의 표면에 소입경 입자를 포함하는 막을 형성시키는 공지된 성막 기술(이른바 메카노퓨전법)에 의해 제조할 수 있다. 이 경우, 무기 입자(2)는 코어 입자(1)의 표면의 금속 재료에 침식되도록 고정되고, 다른 한편으로, 무기 입자끼리가 융착 고정되기 어렵기 때문에, 무기 입자의 모노레이어가 광 반사층(3)을 구성한다. 따라서, 도 1a의 경우, 광 반사층(3)의 층 두께는 무기 입자(2)의 입경과 동등 내지 근소하게 얇아진다고 생각된다.
다음으로, 도 1b의 광 반사성 도전 입자(20)에 대하여 설명한다. 이 광 반사성 도전 입자(20)에 있어서는 광 반사층(3)이 접착제로서 기능하는 열가소성 수지(4)를 함유하고, 이 열가소성 수지(4)에 의해 무기 입자(2)끼리도 고정되어, 무기 입자(2)가 다층화(예를 들면 2층 또는 3층으로 다층화)하고 있는 점에서, 도 1a의 광 반사성 도전 입자(10)와 상이하다. 이러한 열가소성 수지(4)를 함유함으로써, 광 반사층(3)의 기계적 강도가 향상되어, 무기 입자의 박락 등이 생기기 어려워진다.
열가소성 수지(4)로서는 환경 저부하를 의도하여 할로겐 프리의 열가소성 수지를 바람직하게 사용할 수 있고, 예를 들면, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀이나 폴리스티렌, 아크릴 수지 등을 바람직하게 사용할 수 있다.
이러한 광 반사성 도전 입자(20)도 메카노퓨전법에 의해 제조할 수 있다. 메카노퓨전법에 적용하는 열가소성 수지(4)의 입경은 너무 작으면 접착 기능이 저하되고, 너무 크면 코어 입자(1)에 부착되기 어려워지기 때문에, 바람직하게는 0.02 내지 4μm, 보다 바람직하게는 0.1 내지 1μm이다. 또한, 이러한 열가소성 수지(4)의 배합량은 너무 적으면 접착 기능이 저하되고, 너무 많으면 입자의 응집체가 형성되기 때문에, 무기 입자(2)의 100 질량부에 대하여 바람직하게는 0.2 내지 500 질량부, 보다 바람직하게는 4 내지 25 질량부이다.
본 발명의 광 반사성 이방성 도전 접착제 중의 광 반사성 도전 입자 등의 도전 입자의 배합량은 너무 적으면 도통 불량이 생기는 경향이 있고, 너무 많으면 패턴간 쇼트가 생기는 경향이 있기 때문에, 열경화성 수지 조성물 100 질량부에 대하여 광 반사성 도전 입자 등의 도전 입자의 배합량은, 바람직하게는 1 내지 100 질량부, 보다 바람직하게는 10 내지 50 질량부이다.
<광 반사성 이방성 도전 접착제의 제조>
본 발명의 광 반사성 이방성 도전 접착제는 이상 설명한 광 반사성 절연 입자와 도전 입자와 열경화성 수지 조성물을 통상법에 따라 균일하게 혼합함으로써 제조할 수 있다. 또한, 광 반사성 이방성 도전 접착 필름으로 하는 경우에는 이들을 톨루엔 등의 용매와 함께 분산 혼합하고, 박리 처리한 PET 필름에 소기의 두께가 되도록 도포하고, 약 80℃ 정도의 온도에서 건조하면 좋다.
<광 반사성 이방성 도전 접착제의 반사 특성>
본 발명의 광 반사성 이방성 도전 접착제의 반사 특성은 발광 소자의 발광 효율을 향상시키기 위해, 광 반사성 이방성 도전 접착제의 경화물의 파장 450nm의 광에 대한 반사율(JIS K7105)이 적어도 30％인 것이 바람직하다. 이러한 반사율로 하기 위해서는, 사용하는 광 반사성 절연 입자의 반사 특성이나 배합량, 열경화성 수지 조성물의 배합 조성 등을 적절히 조정하면 좋다. 통상, 반사 특성이 양호한 광 반사성 절연 입자의 배합량을 증량하면, 반사율도 증대하는 경향이 있다.
또한, 광 반사성 이방성 도전 접착제의 반사 특성은 굴절률이라는 관점에서 평가할 수도 있다. 즉, 그의 경화물의 굴절률이, 도전 입자와 광 반사성 절연 입자를 제외한 열경화성 수지 조성물의 경화물의 굴절률보다 크면, 광 반사성 절연 입자와 이를 둘러싼 열경화성 수지 조성물의 경화물과의 계면에서의 광 반사량이 증대하기 때문이다. 구체적으로는, 광 반사성 입자의 굴절률(JIS K7142)로부터 열경화성 수지 조성물의 경화물의 굴절률(JIS K7142)을 뺀 차이가, 바람직하게는 0.02 이상, 보다 바람직하게는 0.2 이상인 것이 요망된다. 또한, 통상, 에폭시 수지를 주체로 하는 열경화성 수지 조성물의 굴절률은 약 1.5이다.
<발광 장치>
다음으로, 본 발명의 발광 장치에 대하여 도 2를 참조하면서 설명한다. 발광 장치(200)는 기판(21) 상의 접속 단자(22)와, 발광 소자로서 LED 소자(23)의 n 전극(24)과 p 전극(25)의 각각에 형성된 접속용의 범프(26)와의 사이에, 상술한 본 발명의 광 반사성 이방성 도전 접착제를 도포하고, 기판(21)과 LED 소자(23)가 플립 칩 실장되어 있는 발광 장치이다. 여기서, 광 반사성 이방성 도전 접착제의 경화물(100)은 광 반사성 절연 입자나 도전 입자, 바람직하게는 광 반사성 도전 입자(10)가 열경화성 수지 조성물의 경화물(11) 중에 분산하여 이루어지는 것이다. 또한, 필요에 따라, LED 소자(23) 전체를 덮도록 투명 몰드 수지로 밀봉할 수도 있다. 또한, LED 소자(23)에 종래와 같이 광 반사층을 설치할 수도 있다.
이와 같이 구성되어 있는 발광 장치(200)에 있어서는, LED 소자(23)는 발한 광 중, 기판(21)측을 향해 발한 광은 광 반사성 이방성 도전 접착제의 경화물(100) 중의 광 반사성 절연 입자나 광 반사성 도전 입자(10)에서 반사되어, LED 소자(23)의 상면으로부터 출사한다. 따라서, 발광 효율의 저하를 방지할 수 있다.
본 발명의 발광 장치(200)에서의 광 반사성 이방성 도전 접착제 이외의 구성(LED 소자(23), 범프(26), 기판(21), 접속 단자(22) 등)은 종래의 발광 장치의 구성과 마찬가지로 할 수 있다. 또한, 본 발명의 발광 장치(200)는 본 발명의 광 반사성 이방성 도전 접착제를 사용하는 것 이외에는 종래의 이방성 도전 접속 기술을 이용하여 제조할 수 있다. 또한, 발광 소자로서는 LED 소자 외에도 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 공지된 발광 소자를 적용할 수 있다.
실시예
참고예(디글리시딜이소시아누릴 변성 폴리실록산의 제조)
질소 기류 중, 환류 냉각관과 자기 교반자를 구비한 100ml 삼구 플라스크에, 28.12g(100.00mmol)의 1-알릴-3,5-디글리시딜이소시아누레이트(MADGIC, 시코쿠 가세이 고교(주))와, 11.31g(40.02mmol)의 1,3-비스(트리메틸실록시)-1,3-디메틸디실록산(SIB1838.0, 겔레스트사(Gelest Inc.))을 투입하고, 혼합물을 80℃에서 균일하게 용융할 때까지 교반하였다. 계속해서, 이 용융 혼합물에 2％ 카르스테트 촉매 용액(크실렌 용액) 45.0μL를 첨가하고, 교반하면서 120℃가 될 때까지 가열하고, 용융 혼합물의 온도가 120℃에 도달하고 나서 그 온도를 9시간 유지하여 1-알릴-3,5-디글리시딜이소시아누레이트와 1,3-비스(트리메틸실록시)-1,3-디메틸디실록산을 반응시켰다.
반응 종료 후, 반응 혼합물을 냉각하고, 미반응 단량체를 감압 하(150℃/0.1kPa)에서 증류 제거하고, 잔사를 컬럼 크로마토그래피(담체: 실리카겔, 용출액; 아세트산에틸/헥산 혼합 용매)로 처리함으로써, 착색이 적은 화학식 (1a)의 디글리시딜이소시아누릴 변성 폴리실록산을 얻었다.
Figure pct00004
실시예 1, 비교예 1-3
표 1에 나타내는 배합 조성의 성분을 균일하게 혼합함으로써 광 반사성 이방성 도전 접착제를 제조하였다.
또한, 실시예 1에서는 에폭시기/산 무수물의 관능기수의 비가 1/1.1이 되도록 에폭시 화합물과 산 무수물계 경화제를 배합하였다. 또한, 비교예 2의 이방성 도전 접착제는 2액 경화형 디메틸실리콘 수지(IVS4742, 모멘티브 퍼포먼스 머티리얼즈사)에 광 반사성 절연 입자와 도전 입자를 배합한 것이고, 비교예 3의 이방성 도전 접착제는 2액 경화형 페닐 실리콘 수지(SCR-1012, 신에쓰 가가꾸 고교(주))에, 광 반사성 절연 입자와 도전 입자를 배합한 것이다.
Figure pct00005
(평가)
얻어진 광 반사성 이방성 도전 접착제의 다이 전단 강도를 이하에 설명하는 바와 같이 측정하였다. 또한, 광 반사성 이방성 도전 접착제로부터 광 반사성 절연 입자와 도전 입자를 제외한 나머지 열경화성 수지 조성물에 대하여 이하에 설명하는 바와 같이 내열 시험과 내열광 시험을 행하였다. 얻어진 결과를 표 2에 나타내었다.
<다이 전단 강도 시험>
금 범프(높이 10μm, 직경 80μm, 피치 190μm)가 형성된 10μm 두께의 온통 은을 바른 전극을 갖는 LED용 유리 에폭시 기판(특별 주문품, 간사이 덴시 고교(주)))에 직경이 4mm가 되도록 경화성 수지 조성물을 도포하고, 거기에 한 변이 0.3mm인 플립 칩형 LED 소자(GM35R460G, 쇼와 덴꼬(주))를 얹고, 플립 칩형 LED 소자가 표측이 되도록 유리 에폭시 기판을 80℃로 유지된 핫 플레이트에 올려 두고, 2분간 가열하여 LED 소자를 LED용 유리 에폭시 기판에 임시 고정하였다. 이 LED 소자가 임시 고정된 LED용 유리 에폭시 기판을 열압착 장치에 적용하고, LED 소자에 80gf/칩의 압력을 인가하면서 230℃에서 15초간 열압착 처리를 행함으로써, LED용 유리 에폭시 기판에 LED 소자가 실장된 LED 장치를 제조하였다. 실시예 1 또는 비교예 1의 광 반사성 이방성 도전 접착제를 사용하여 제조한 LED 장치의 경우, 열압착 처리 후에 추가로 260℃, 20초의 리플로우 처리를 행하였다.
이와 같이 하여 제조한 LED 장치에 대하여 다이 전단 강도(gf/칩)를 측정하였다. 실용상, 다이 전단 강도는 적어도 200gf/칩, 바람직하게는 250gf/칩 이상인 것이 요구된다.
<내열 시험>
1mm 높이의 스페이서가 네 귀퉁이에 배치된 2장의 알루미늄 평판(길이 100mm×폭 50.0mm×두께 0.500mm) 사이에 열경화성 수지 조성물을 끼우고, 실시예 1 및 비교예 1의 열경화성 수지 조성물에 대해서는, 우선 120℃에서 30분 가열하고, 계속해서 140℃에서 1시간 가열함으로써 경화 수지 시트를 제조하였다. 또한, 비교예 2 및 3의 열경화성 수지 조성물에 대해서는, 우선 80℃에서 1시간 가열하고, 계속해서 150℃에서 2시간 가열함으로써 경화 수지 시트를 제조하였다.
얻어진 경화 수지 시트를, 150℃로 설정된 오븐 내에 1000시간 방치하고, 방치 전후의 분광 특성(L*, a*, b*)을, 분광 측색계(CM-3600d, 코니카 미놀타(주))를 이용하여 측정하고, 얻어진 측정치로부터 색차(ΔE)를 산출하였다. 실용상, ΔE는 35 이하인 것이 요망된다.
<내열광 시험>
내열 시험에 제공한 경화 수지 시트와 마찬가지의 경화 수지 시트를 제조하고, 그것을, 온도 120℃에서 광 강도 16mW/cm2로 설정된 열광 시험기(슈퍼윈 미니, 다이플라 윈테스(주); 메탈 할라이드 램프 사용) 내에 1000시간 방치하고, 얻어진 경화 수지 시트를, 150℃로 설정된 오븐 내에 1000시간 방치하고, 방치 전후의 분광 특성(L*, a*, b*)을, 분광 측색계(CM-3600d, 코니카 미놀타(주))를 이용하여 측정하고, 얻어진 측정치로부터 색차(ΔE)를 산출하였다. 실용상, ΔE는 20 이하인 것이 요망된다.
Figure pct00006
표 2로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예 1의 광 반사성 이방성 도전 접착제는 다이 전단 강도, 내열 시험 및 내열광 시험의 결과가 모두 실용상 바람직한 것이었지만, 비교예 1의 경우에는 열경화성 에폭시 수지 조성물을 사용하고 있기 때문에, 다이 전단 강도에 대해서는 바람직한 결과가 얻어졌지만, 화학식 (1a)의 디글리시딜이소시아누릴 변성 폴리실록산을 사용하지 않기 때문에, 내열 시험에 대하여 만족할만한 결과가 얻어지지 않았다.
또한, 비교예 2 및 3에 대해서는, 화학식 (1a)의 디글리시딜이소시아누릴 변성 폴리실록산뿐만 아니라, 열경화성 에폭시 수지 조성물을 사용하지 않기 때문에, 다이 전단 강도가 현저히 낮아, 내열 시험, 내열광 시험을 할 것까지도 없는 것이었다.
<산업상 이용가능성>
본 발명의 광 반사성 이방성 도전 접착제는 발광 다이오드(LED) 소자 등의 발광 소자를 배선판에 이방성 도전 접착제를 이용하여 플립 칩 실장하여 발광 장치를 제조할 때에, 제조 비용의 증대를 초래하는 광 반사층을 발광 소자에 설치하지 않더라도 발광 효율을 저하시키지 않도록 할 수 있다. 게다가, 다이 전단 강도도 높게 유지할 수 있고, 내열성, 내열광성도 우수하다. 따라서, 본 발명의 광 반사성 이방성 도전 접착제는 LED 소자를 플립 칩 실장할 때에 유용하다.
1: 코어 입자
2: 무기 입자
3: 광 반사층
4: 열가소성 수지
10, 20: 광 반사성 도전 입자
11: 열경화성 수지 조성물의 경화물
21: 기판
22: 접속 단자
23: LED 소자
24: n 전극
25: p 전극
26: 범프
100: 광 반사성 이방성 도전 접착제의 경화물
200: 발광 장치

Claims (14)

  1. 발광 소자를 배선판에 이방성 도전 접속하기 위해 사용하는 광 반사성 이방성 도전 접착제이며, 열경화성 수지 조성물, 도전 입자 및 광 반사성 절연 입자를 함유하고, 열경화성 수지 조성물이 화학식 (1)로 표시되는 디글리시딜이소시아누릴 변성 폴리실록산과, 에폭시 수지용 경화제를 함유하는 것을 특징으로 하는 광 반사성 이방성 도전 접착제.
    Figure pct00007

    (식 중, R은 알킬기 또는 아릴기이고, n은 1 내지 40의 정수임)
  2. 제1항에 있어서, R이 메틸기이고, n이 1 내지 40의 정수인 광 반사성 이방성 도전 접착제.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 열경화성 수지 조성물이 화학식 (1)의 디글리시딜이소시아누릴 변성 폴리실록산 100 질량부에 대하여 에폭시 수지용 경화제를 50 내지 120 질량부 함유하는 광 반사성 이방성 도전 접착제.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 에폭시 수지용 경화제가 산 무수물계 경화제인 광 반사성 이방성 도전 접착제.
  5. 제4항에 있어서, 열경화성 수지 조성물이 이미다졸계 경화 촉진제를 더 함유하는 광 반사성 이방성 도전 접착제.
  6. 제5항에 있어서, 열경화성 수지 조성물이 산 무수물계 경화제 100 질량부에 대하여 이미다졸계 경화 촉진제를 0.20 내지 2.00 질량부 함유하는 광 반사성 이방성 도전 접착제.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 광 반사성 절연 입자가 산화티탄 입자, 질화붕소 입자, 산화아연 입자 및 산화알루미늄 입자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 무기 입자인 광 반사성 이방성 도전 접착제.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 광 반사성 절연 입자의 굴절률(JIS K7142)이 열경화성 수지 조성물의 경화물의 굴절률(JIS K7142)보다 큰 광 반사성 이방성 도전 접착제.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 광 반사성 절연 입자가 인편상 또는 구상 금속 입자의 표면을 절연성 수지로 피복한 수지 피복 금속 입자인 광 반사성 이방성 도전 접착제.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 광 반사성 이방성 도전 접착제가 광 반사성 절연 입자를 1 내지 50부피％로 함유하고 있는 광 반사성 이방성 도전 접착제.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 도전 입자가, 금속 재료로 피복되어 있는 코어 입자와, 그의 표면에 산화티탄 입자, 질화붕소 입자, 산화아연 입자 또는 산화알루미늄 입자로부터 선택된 적어도 1종의 무기 입자로부터 형성된 광 반사층을 포함하는 광 반사성 도전 입자인 광 반사성 이방성 도전 접착제.
  12. 제11항에 있어서, 열경화성 수지 조성물 100 질량부에 대한 광 반사성 도전 입자의 배합량이 1 내지 100 질량부인 광 반사성 이방성 도전 접착제.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 광 반사성 이방성 도전 접착제를 개재하여 발광 소자가 플립 칩 방식으로 배선판에 실장되어 이루어지는 발광 장치.
  14. 제13항에 있어서, 발광 소자가 발광 다이오드인 발광 장치.
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