JPH10274768A - 液晶セルおよびその製造方法 - Google Patents

液晶セルおよびその製造方法

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JPH10274768A
JPH10274768A JP9080697A JP8069797A JPH10274768A JP H10274768 A JPH10274768 A JP H10274768A JP 9080697 A JP9080697 A JP 9080697A JP 8069797 A JP8069797 A JP 8069797A JP H10274768 A JPH10274768 A JP H10274768A
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liquid crystal
film
crystal cell
thickness
alignment film
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JP9080697A
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English (en)
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Masashi Inada
雅司 稲田
Kaoru Mori
森　　薫
Katsuhiro Suzuki
克宏 鈴木
Shoji Higuchi
章二 樋口
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Denso Corp
Toppan Inc
Original Assignee
Denso Corp
Toppan Printing Co Ltd
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    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
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    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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    • G02F1/133345—Insulating layers

Abstract

(57)【要約】 【課題】 各々の内表面に配向膜１６、２６を備える一
対の電極基板１０、２０間に液晶４０が封入された隔壁
構造液晶セルにおいて、隔壁５０の形成時に残る残渣膜
５０ｂにより液晶配向が阻害されないようにする。 【解決手段】 アクリル樹脂製の隔壁５０の形成時に残
る残渣膜５０ｂの膜厚は、下地配向膜２６を構成するポ
リイミドの窒素元素がＸ線光電子分光法分析によりピー
クとして検出される値と等しいかそれよりも小さいもの
となっている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一対の電極基板間
に樹脂製の隔壁が介装された液晶セルおよびその製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶配向の耐応力性の向上を目的
として、一般にフォトレジストと称される感光性樹脂材
料により形成された隔壁を有する隔壁構造液晶セルが用
いられている。具体的には、特公平２−３６９３０号公
報に提案されているカイラルスメクチック液晶を用いた
液晶セル構造に関するものがある。これは、各々の内表
面に配向膜を備えて対向する一対の電極基板間に、スト
ライプ状のレジスト隔壁が介装されたものである。この
液晶セルは次のようにして作られる。
【０００３】すなわち、一対の電極基板のうち一側電極
基板の配向膜上に、レジストを塗布、仮焼成してレジス
ト膜を形成し、フォトリソグラフィ法によりレジスト膜
をパターニングして、隔壁を形成する。続いて、両電極
基板の配向膜にラビング処理を施した後、両電極基板を
重ね合わせ、加圧焼成する。そして、両電極基板間に液
晶を注入して液晶セルを完成させる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の液晶セルにおい
ては、隔壁を形成する位置精度等の制約により、フォト
リソグラフィ法により隔壁パターンを形成している。し
かし、フォトリソグラフィ法においては、レジスト膜を
除去すべき部位（例えば、液晶セルの表示画素部）の配
向膜上に、パターニング後もレジストの残渣膜が残る。
【０００５】そのため、ラビング処理の場合、配向膜に
配向規制力が十分付与されなかったり、液晶セルにした
場合、液晶に対して配向膜の配向規制力が十分に発揮さ
れない等の不具合が生じ、液晶配向が乱れる。それによ
って、暗輝度の増大等が起こり、隔壁構造液晶セル以外
の液晶セルに比べて表示コントラストが低下するという
問題が生じている。
【０００６】本発明は上記問題点に鑑みて、各々の内表
面に配向膜を備える一対の電極基板間に液晶が封入され
た隔壁構造液晶セルにおいて、隔壁形成時に残る残渣膜
により液晶配向が阻害されないようにすることを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、完全に残
渣膜を除去（つまり膜厚０）しなくとも、この膜厚をあ
る程度薄くすれば、ラビングによって下地の配向膜に十
分な配向規制力が付与され、また、配向膜の配向規制力
が液晶に対して十分に発揮されるのではないかと考え
た。
【０００８】そして、残渣膜の膜厚とコントラストとの
相関について実験検討を行った結果、液晶セルとして問
題のないコントラストレベルが実現できる膜厚の許容範
囲が存在することを確認した。すなわち、請求項１の発
明によれば、互いに配向膜（１６、２６）にて対向する
ように配置された第１および第２の電極基板（１０、２
０）と、これら両電極基板（１０、２０）の一方の配向
膜（２６）に形成されて、これら両電極基板（１０、２
０）を支持しつつ、これら両電極基板（１０、２０）を
所定間隔に設定するストライプ状の複数の樹脂製隔壁
（５０）と、両電極基板（１０、２０）間に封入された
液晶（４０）とを備え、各隔壁（５０）の形成に使用さ
れる樹脂材料によって一方の配向膜（２６）上に形成さ
れる残渣膜（５０ｂ）の膜厚が、液晶（４０）の配向を
乱さないように薄くなっていることを特徴とする。
【０００９】それによって、配向膜（２６）による配向
規制力が十分に発揮され、表示画素部等の液晶配向の阻
害が抑制されるので、良好なコントラストを実現する液
晶セルを提供することができる。ここで、上記の残渣膜
（５０ｂ）の膜厚は数ナノメーター（ｎｍ）レベルであ
り、膜厚を直接測定することは実用上困難であるが、Ｘ
線光電子分光法（以下、ＥＳＣＡと記す）等により、膜
厚の許容範囲を間接的に求めることができる。
【００１０】ここで、ＥＳＣＡは、周知のものであり、
試料の極最表面（数ｎｍ）の元素および元素の結合状態
を分析するものである。簡単に述べると、試料表面にＸ
線を照射すると、元素固有のエネルギーを有する光電子
が放出される。この光電子を所定角度から検出し、その
エネルギーと量から、試料表面に存在する元素量および
元素の結合状態を明らかにするものである。
【００１１】よって、残渣膜（５０ｂ）の膜厚が厚いほ
ど、残渣膜（５０ｂ）の下地である配向膜（２６）を構
成する特定成分がピークとして検出されにくくなり、膜
厚が所定以上厚くなると、上記のピークは検出されなく
なる。本発明者等は、残渣膜（５０ｂ）の膜厚を種々変
更したものについて、ＥＳＣＡ分析を行った。その結
果、残渣膜（５０ｂ）は、下地の配向膜（２６）の特定
元素のピークが検出される薄いものであれば、液晶セル
として問題のないコントラストが実現でき、ピークが検
出されない厚いものであると、コントラストが大きく低
下してしまうことを確認した。
【００１２】すなわち、請求項２および請求項３の発明
においては、残渣膜（５０ｂ）の膜厚は、残渣膜（５０
ｂ）が形成される一方の配向膜（２６）すなわち残渣膜
（５０ｂ）の下地の配向膜（２６）を構成する特定成分
がＸ線光電子分光法分析によりピークとしてが検出され
る厚さ以下であることを特徴としている。それによっ
て、上記請求項１に記載の作用効果が得られるが、残渣
膜（５０ｂ）の膜厚は、請求項４のように、３ｎｍ以下
が好ましい。
【００１３】また、請求項５の発明によれば、第１およ
び第２の電極基板（１０、２０）の各配向膜（１６、２
６）の一方の配向膜（２６）にフォトリソグラフィ法に
より樹脂材料でもってストライプ状の複数の隔壁（５
０）をパターニング形成する隔壁形成工程（Ｓ７）にお
いて、各隔壁（５０）の形成に使用される樹脂材料によ
って一方の配向膜（２６）上に形成される残渣膜（５０
ｂ）の膜厚を、両電極基板（１０、２０）間に封入され
る液晶（４０）の配向を乱さないように薄くパターニン
グ処理することを特徴としている。
【００１４】それによって、上記請求項１に記載の作用
効果を達成し得る液晶セルの製造方法を提供することが
できる。具体的には、請求項６および請求項７の発明の
ように、隔壁形成工程（Ｓ７）において、樹脂材料とし
てアクリル系樹脂材料を使用した場合、このアクリル系
樹脂材料を９０℃以下の温度、好ましくは７０℃以上９
０℃以下の温度により仮焼成することで達成できる。
【００１５】また、請求項８および請求項９の発明のよ
うに、隔壁形成工程（Ｓ７）において、残渣膜（５０
ｂ）を紫外線照射によりパターニング処理することによ
っても上記請求項５の製造方法を提供することができ
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）以下、本発明を図に示す実施形態につ
いて説明する。図１および図２は本発明に係る液晶セル
１の断面構造を示すものである。液晶セル１は、対向し
て重ね合わされたセグメント電極基板１０およびコモン
電極基板２０を備えており、これら両電極基板１０、２
０の周縁部は環状のシール３０を介して接着支持されて
いる。なお、シール３０は、例えば熱硬化樹脂等の接着
剤等により構成されている。
【００１７】また、これら両電極基板１０、２０の間に
は、反強誘電性液晶４０が封入されている。なお、両電
極基板１０、２０間の距離（以下セルギャップという）
は１．５μｍ程度になっている。セグメント電極基板１
０は透明基板１１を有しており、この透明基板１１の内
表面には、樹脂製のカラーフィルタ１２、オーバーコー
ト膜１３、ストライプ状の複数の透明電極１４、絶縁膜
１５、配向膜１６が順に積層されている。これらのう
ち、カラーフィルタ１２、絶縁膜１５および配向膜１６
はシール３０の内周側に設けられている。
【００１８】一方、コモン電極基板２０は透明基板２１
を有しており、この透明基板２１の内表面には、金属製
の補助電極２２、ストライプ状の複数の透明電極２４、
絶縁膜２５、配向膜２６が順に積層されている。これら
のうち配向膜２６は、シール３０の内周側に設けられて
いる。複数の透明電極２４は、複数の透明電極１４と直
角に対向して位置し、これら透明電極１４、２４は、カ
ラーフィルタ１２および反強誘電性液晶４０と共に複数
の格子状画素を形成する。そして、これら格子状画素の
うち、補助電極２２以外の部位は、液晶セル駆動時に表
示が行われる表示部として作用する。
【００１９】ここで、透明電極１４、２４はＩＴＯ（Ｉ
ｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等により形成されて
おり、配向膜１６、２６はポリイミド系樹脂により形成
されている。なお、カラーフィルタ１２は、Ｒ（赤）、
Ｇ（緑）、Ｂ（青）の色彩を有する画素が、上記の格子
状画素内に配置された構成となっている。そして、図２
に示すように、カラーフィルタ１２の各画素間において
は、ブラックマスク１２ａが設けられており、このブラ
ックマスク１２ａ部分は遮光されて表示に関与しないよ
うになっている。
【００２０】また、複数の隔壁５０が、両電極基板１
０、２０の間のうち表示部（画素）以外の部位に介装さ
れている。各隔壁５０は、補助電極２２上の配向膜２６
上に、補助電極２２に沿って形成されて、ストライプ状
をなしている。また、配向膜２６の上には、隔壁５０の
形成に使用されるフォトレジストによって、３ｎｍ以下
の厚さの残渣膜５０ｂが残っている。
【００２１】ちなみに、本実施形態では、各隔壁５０の
幅は数１０μｍ程度である。また、隔壁５０は全ての補
助電極２２上に位置してなくともよく、任意の補助電極
２２上に位置していてもよい。また、表示に関与しない
透明電極２４の間に位置していてもよい。この隔壁５０
は、本実施形態では、アクリル系のフォトレジスト（感
光性樹脂）により形成されたものであり、両電極基板１
０、２０の内表面、すなわち配向膜１６、２６に接着し
ている。
【００２２】換言すれば、両電極基板１０、２０はシー
ル３０の内周側において隔壁５０にて接着支持されてい
る。そして、隔壁５０は両電極基板１０、２０を所定間
隔（約１．５μｍ）に設定するスペーサとして機能する
とともに、両電極基板１０、２０に加わる衝撃、振動に
抗するようになっている。次に上記構成の液晶セルの製
造方法につき、図３を参照して説明する。
【００２３】セグメント電極基板１０の原基板形成工程
Ｓ１では、ガラス基板１１の内表面に、カラーフィルタ
１２、オーバーコート膜１３、複数の透明電極１４、絶
縁膜１５を順に積層形成する。配向膜形成工程Ｓ２で
は、オフセット印刷によって、配向膜１６を、オーバー
コート膜１３、透明電極１４および絶縁膜１５を介して
カラーフィルタ１２上に設け、セグメント電極基板１０
を形成する。
【００２４】ラビング工程Ｓ３では、セグメント電極基
板１０の配向膜１６に対して、一定の方向にラビング処
理を行う。続いて、シール印刷工程Ｓ４では、セグメン
ト電極基板１０の内表面の周縁部上に、シール３０をシ
ール剤の印刷により環状に形成する。なお、このシール
３０の一部には、液晶注入口が形成される。
【００２５】一方、コモン電極基板２０の原基板形成工
程Ｓ５では、ガラス基板２１の内表面に、補助電極２
２、透明電極２４、絶縁膜２５を順に積層形成する。配
向膜形成工程Ｓ６では、配向膜２６を、補助電極２２、
透明電極２４および絶縁膜２５の上に設け、コモン電極
基板２０を形成する。続いて、隔壁形成工程Ｓ７につい
て図４〜図６を参照して説明する。図４は、レジスト
（樹脂）膜形成の様子を表すものである。アクリル系樹
脂ネガ型レジスト溶液（富士ハント（株）製「ＣＴ」）
を７ｃｃ、コモン電極基板２０の配向膜２６上に滴下
し、１３００ｒｐｍで１０秒間回転させて、フォトレジ
スト膜５０ａを形成する。
【００２６】この状態で、平地で５分間放置してレベリ
ングした後、フォトレジスト膜５０ａ中の溶媒を除去す
るために仮焼成を行う。基板を金属製容器内に入れ、蓋
をした状態で、オーブン内で７０℃〜９０℃の仮焼成温
度、６０分間の仮焼成時間にて、仮焼成する。続いて、
図５に示すように、補助電極２２の部分が開口したスト
ライプ状のフォトマスク６０を被せて、１２００ｍＪ／
ｃｍ2 の露光エネルギーで図５の矢印に示す方向から紫
外光を照射した。それによって、必要部分を現像液に対
して不溶にする。
【００２７】その後、コモン電極基板２０を現像液（富
士ハント（株）製「ＣＤ」）に室温で６０秒間浸積し、
さらに別容器で６０秒間追加現像した後、２０分間純水
で流水洗浄し、スピン方式（８００ｒｐｍ、８分間）で
乾燥する。このように現像液のエッチング作用によりパ
ターニングが行われる。すると、図６に示すように、不
要部分のフォトレジスト膜５０ａはほぼ除去され、補助
電極２２上の配向膜２６上にストライプ状の複数の隔壁
５０が形成されるが、配向膜２６上の隔壁５０以外の部
位には、エッチング残渣としてフォトレジストの残渣膜
５０ｂが残る。なお、この残渣膜５０ｂは、多少のオー
バーエッチングをしても残るが、これは、配向膜２６と
レジストとの接着性が良いためではないかと考えられ
る。
【００２８】さらに、隔壁５０が形成されたコモン電極
基板２０を、高温炉内で、１５０℃、６０分間、本焼成
する。これにより、隔壁５０の硬度が向上する。続い
て、ラビング工程Ｓ８では、コモン電極基板２０の配向
膜２５を、一定方向にラビング処理する。なお、このラ
ビング工程Ｓ８は、隔壁形成工程Ｓ７の後でなくともよ
く、隔壁形成工程Ｓ７の前に行ってもよい。但し、この
場合、ラビング後の配向膜２６表面が現像液によって劣
化し、配向規制力が弱まる恐れもあるので、ラビング工
程Ｓ８は隔壁形成工程Ｓ７の後の方が好ましい。
【００２９】続いて、重ね合わせ工程Ｓ９では、セグメ
ント電極基板１０をコモン電極基板２０の上に持ってき
て、互いのラビング方向が所定の向き（例えば、パラレ
ル、アンチパラレル）となるようにする。そして、両電
極基板１０、２０をシール３０および隔壁５０を介して
重ね合わせる。そして、シール硬化工程Ｓ１０におい
て、重ね合わされた両電極基板１０、２０の外表面全体
を、両基板が密着する方向に加圧しつつ焼成する。その
圧力は、本実施形態では、０．４〜１．０ｋｇ／ｃｍ2
程度であり、焼成温度は約１９０℃、焼成時間２０分で
ある。
【００３０】続いて、液晶封入工程Ｓ１１において、シ
ール３０の開口部から、反強誘電性液晶４０を、液相状
態にて真空注入し、両電極基板１０、２０間の隔壁５０
以外の部分に充填する。さらに、シール３０の開口部を
樹脂製の接着剤等で封止することにより液晶セルを完成
する。次に、上記の隔壁形成工程Ｓ７において、仮焼成
温度を７０℃〜９０℃、仮焼成時間を６０分として仮焼
成を行っている根拠について述べる。一般に、仮焼成時
間が一定の場合、仮焼成温度により、レジスト膜５０ａ
の現像液に対する溶解性が変わるが、仮焼成温度が低い
ほど膜は溶けやすく残渣膜厚も薄くなり、逆に仮焼成温
度が高いほど膜は硬化して溶けにくく残渣膜厚も厚くな
る。
【００３１】そのため、本発明者等は、仮焼成温度を決
めるに当たって、仮焼成温度を変えた３種類の液晶セル
Ａ１、Ａ２、Ａ３を作製した。ここで、仮焼成温度は、
Ａ１が７０℃、Ａ２が９０℃、Ａ３が１１０℃とした
（仮焼成時間は６０分に固定）。そして、残渣膜厚とコ
ントラストとの相関を調べた。ここで、残渣膜５０ｂの
膜厚は、数ナノメーター（ｎｍ）レベルであり、膜厚を
直接測定することは実用上困難である。そのため、Ｘ線
光電子分光法（ＥＳＣＡ）分析により、膜厚を間接的に
求めることとした。
【００３２】ＥＳＣＡ分析は、Ｘ線を試料にあて、発生
する光電子を検出するものであり、結合エネルギー値に
より元素を同定し、光電子量により存在する元素の量の
多少がわかるものである。本実施形態では、ＥＳＣＡ分
析装置として、ＥＳＣＡ５４００ＭＣ（アルバック・フ
ァイ社製）を用いる。
【００３３】測定は、上記した液晶セルＡ１〜Ａ３にお
いて、隔壁形成工程Ｓ７後の各コモン電極基板２０を取
出し、各コモン電極基板２０の残渣膜５０ｂ表面をＥＳ
ＣＡ分析した。具体的には、各コモン電極基板２０を上
記装置の試料室に入れ、真空度１．６×１０-7Ｐａと
し、マグネシウム１５Ｖ４００ＷをＸ線源として、残渣
膜５０ｂ表面にビーム照射する。そして、検出角度４５
°で発生する光電子を検出する。ここで検出エリアは直
径１．１ｍｍの円形スポットである。
【００３４】そして、測定が終わった各コモン電極基板
２０をラビング工程Ｓ８に供し、続いて後工程Ｓ９〜Ｓ
１１で処理して、液晶セルＡ１〜Ａ３とする。そして、
各液晶セルを駆動表示して、コントラスト（明輝度と暗
輝度の比）を求める。このようにして、残渣膜厚と液晶
セルのコントラストとの相関を求めることができる。な
お、配向膜形成工程Ｓ６に供された後のコモン電極基板
２０、すなわち配向膜２６表面に全く残渣膜５０ｂの無
いものを、基準試料とした。
【００３５】ＥＳＣＡ分析結果を図７〜図１０に示す。
図７は基準試料のＥＳＣＡチャート図、図８は液晶セル
Ａ１のＥＳＣＡチャート図、図は９液晶セルＡ２のＥＳ
ＣＡチャート図、図１０は液晶セルＡ３のＥＳＣＡチャ
ート図を示す。ここで、横軸は結合エネルギー（ｅＶ）
値を示し、縦軸はＥＳＣＡ装置にて検出された光電子数
（絶対値）を示す。
【００３６】本実施形態においては、残渣膜５０ｂはア
クリル系、配向膜２６はポリイミド系の樹脂であるの
で、配向膜２６を特定するには、ポリイミド特有の構成
元素である窒素に着目することが好ましい。図７〜図９
において、矢印Ｐで示すピークは配向膜２６の窒素元素
のピークである。図８〜図１０に示すように、仮焼成温
度が高い、つまり残渣膜厚が厚いほど、窒素ピークが小
さくなっている。そして、仮焼成温度が９０℃では窒素
ピークは、ほぼ検出限界近くまで小さくなっており、１
１０℃では窒素ピークは消失している。
【００３７】逆に言えば、上記のＥＳＣＡ分析の検出角
度条件においては、表面深さ方向の検出可能深さは３ｎ
ｍである。そのため、残渣膜５０ｂの膜厚は、液晶セル
Ａ２ではほぼ３ｎｍとなっており、液晶セルＡ１では３
ｎｍよりも薄く、液晶セルＡ３では３ｎｍよりも厚くな
っているといえる。また、図８〜図１０には、各サンプ
ルを用いた液晶セルにおけるコントラスト（ＣＲ）を付
記した。残渣膜５０ｂが３ｎｍ以下の薄い液晶セルＡ
１、Ａ２では、配向膜２６の配向規制力が十分発揮され
るため、コントラストは各々２２、２０と高く実用レベ
ルであり、残渣膜５０ｂが３ｎｍよりも厚い液晶セルＡ
３では、配向膜２６の配向規制力が十分発揮できずコン
トラストは８と悪くなっている。
【００３８】以上のようにして、本実施形態では、最適
仮焼成温度を求めることにより、仮焼成温度を７０℃〜
９０℃としている。ここで、７０℃よりも低い仮焼成温
度であっても、フォトレジスト膜５０ａ中の溶媒を除去
できる温度であれば構わない。また、本実施形態では仮
焼成時間は６０分と固定しているが、仮焼成温度を一定
として仮焼成時間を調整しても残渣膜厚は調整可能であ
る。
【００３９】以上のように、本実施形態では、隔壁形成
工程Ｓ７において仮焼成温度を９０℃以下好ましくは７
０〜９０℃とすることにより、残渣膜５０ｂの膜厚を３
ｎｍ以下とでき、配向膜２６による配向規制力が十分に
発揮され、表示部等の液晶配向を良好にできるので、製
品に必要とされるコントラスト２０を実現する液晶セル
が提供できる。
【００４０】また、反強誘電性液晶を用いた液晶セルに
おいては、液晶セルが無電界時に暗表示を行うため、液
晶配向が暗輝度に敏感に影響する。このため、本実施形
態を反強誘電性液晶を用いた液晶セルに適用すること
は、特に有効である。また、本実施形態の製造工程にお
いて、隔壁形成工程Ｓ７後、ラビング工程Ｓ８前にＥＳ
ＣＡ分析を行うようにすれば、残渣膜厚が３ｎｍより厚
いものを製造工程の途中で排除できる。そのため、良好
なコントラストを有する液晶セルを効率よく製造するこ
とができる。 （第２実施形態）本実施形態では、上記第１実施形態に
おける仮焼成温度制御とは異なり、隔壁形成工程Ｓ７に
おいて、隔壁５０形成後、紫外線（ＵＶ）照射によるパ
ターニング処理を追加することで、残渣膜５０ｂを除去
して残渣膜厚を３ｎｍ以下とするものである。
【００４１】その方法は、隔壁形成後、８．６Ｊ／ｃｍ
2 のＵＶ照射下で、オゾンを発生させ、このオゾンによ
り残渣膜５０ｂを分解除去するものである。ここで、照
射時間は４０分間である。上記第２実施形態の液晶セル
Ａ３と同様に厚い残渣膜５０が形成されたコモン電極基
板２０に対して、上記ＵＶ照射を行った。照射前後で、
ＥＳＣＡ分析した結果を図１１に示す。ＥＳＣＡ分析方
法は、上記第１実施形態と同様である。
【００４２】図１１（ａ）に示す照射前のＥＳＣＡチャ
ートでは、窒素元素のピークＰが見えないが、図１１
（ｂ）に示す照射後のＥＳＣＡチャートでは見えるよう
になっている。よって、上記のＵＶ照射は、残渣膜厚を
３ｎｍ以下に制御する方法として適用可能であることが
わかる。このように、本実施形態は上記第１実施形態に
比べて、隔壁形成工程Ｓ７においてＵＶ照射という処理
が追加されるため、焼成温度を調整しなくとも確実に残
渣膜５０ｂを薄くできる。そして本実施形態により製造
された液晶セルは、上記第１実施形態と同様の作用効果
を実現できる。
【００４３】なお、上記各実施形態において、残渣膜５
０ｂは、上記の仮焼成温度の調整、および紫外線照射に
よって完全に除去されて無くなっていてもよいことは勿
論である。なお、上記各実施形態は、反強誘電性液晶だ
けでなく強誘電性液晶等の他のスメクチック液晶、さら
には、ネマチック液晶等を用いる液晶セルに対しても適
用できる。
【００４４】なお、上記各実施形態においては、良好な
コントラストを維持できる残渣膜厚の上限値は配向膜の
ピークの検出上限値３ｎｍと略同じであった。しかし、
隔壁の樹脂材料の変更により、良好なコントラストを維
持できる残渣膜厚の上限値が、前記の検出上限値よりも
薄くなった場合には、前記の残渣膜厚の上限値は配向膜
のピークが所定よりも大きくなる値とすればよい。
【００４５】また、良好なコントラストを維持できる残
渣膜厚の上限値が前記の検出上限値よりも厚い場合に
は、前記の残渣膜厚の上限値は、そのまま、前記の検出
上限値を用いればよい。なお、ＥＳＣＡにより、残渣膜
厚を知りたいときには、ＥＳＣＡ分析条件（検出角度
等）を変えて、下地の配向膜ピークの検出限界時におけ
る検出可能深さから間接的に求めることができる。
【００４６】なお、ＥＳＣＡ分析以外にも、光電子分光
法、オージェ電子分光法等、元素の同定および定量が可
能な分析装置を用いて、上記実施形態と同様に、残渣膜
厚とコントラストとの関係を調査することにより、残渣
膜厚の許容範囲を求めてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶セルの全体構成を
示す断面図である。
【図２】図１のＢ部分の拡大断面図である。
【図３】上記実施形態の液晶セルの製造方法を示す工程
図である。
【図４】図３の製造方法のうち隔壁形成工程におけるレ
ジスト膜形成の様子を示す断面図である。
【図５】上記隔壁形成工程における露光処理の様子を示
す断面図である。
【図６】上記隔壁形成工程における現像処理後の様子を
示す断面図である。
【図７】上記実施形態におけるリファレンス試料のＥＳ
ＣＡチャート図である。
【図８】上記実施形態におけるサンプルＡ１のＥＳＣＡ
チャート図である。
【図９】上記実施形態におけるサンプルＡ２のＥＳＣＡ
チャート図である。
【図１０】上記実施形態におけるサンプルＡ３のＥＳＣ
Ａチャート図である。
【図１１】上記実施形態におけるＵＶ照射による残渣膜
除去の効果を示すものであり、（ａ）はＵＶ照射前のＥ
ＳＣＡチャート図、（ｂ）はＵＶ照射後のＥＳＣＡチャ
ート図である。
【符号の説明】
１０…セグメント電極基板、１６、２６…配向膜、２０
…コモン電極基板、４０…反強誘電性液晶、５０…隔
壁、５０ｂ…残渣膜、Ｓ７…隔壁形成工程、Ｓ９…重ね
合わせ工程、Ｓ１１…液晶封入工程。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 克宏 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内 (72)発明者 樋口 章二 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 互いに配向膜（１６、２６）にて対向す
    るように配置された第１および第２の電極基板（１０、
    ２０）と、 前記第１および第２の電極基板（１０、２０）の一方の
    配向膜（２６）に形成されて、これら両電極基板（１
    ０、２０）を支持しつつ、これら両電極基板（１０、２
    ０）を所定間隔に設定するストライプ状の複数の樹脂製
    隔壁（５０）と、 前記第１および第２の電極基板（１０、２０）間に封入
    された液晶（４０）とを備え、 前記各隔壁（５０）の形成に使用される樹脂材料によっ
    て前記一方の配向膜（２６）上に形成される残渣膜（５
    ０ｂ）の膜厚が、前記液晶（４０）の配向を乱さないよ
    うに薄くなっていることを特徴とする液晶セル。
  2. 【請求項２】 前記残渣膜（５０ｂ）の膜厚は、前記一
    方の配向膜（２６）を構成する特定成分がＸ線光電子分
    光法分析によりピークとして検出される厚さ以下である
    ことを特徴とする請求項１に記載の液晶セル。
  3. 【請求項３】 前記一方の配向膜（２６）は窒素元素を
    有する樹脂材料からなるものであり、前記残渣膜（５０
    ｂ）の膜厚は、前記一方の配向膜（２６）を構成する窒
    素元素がＸ線光電子分光法分析によりピークとして検出
    される厚さ以下であることを特徴とする請求項１に記載
    の液晶セル。
  4. 【請求項４】 前記残渣膜（５０ｂ）の膜厚は３ｎｍ以
    下であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか
    １つに記載の液晶セル。
  5. 【請求項５】 第１および第２の電極基板（１０、２
    ０）の各配向膜（１６、２６）の一方の配向膜（２６）
    にフォトリソグラフィ法により樹脂材料でもってストラ
    イプ状の複数の隔壁（５０）をパターニング形成する隔
    壁形成工程（Ｓ７）と、 前記各配向膜（１６、２６）を前記各隔壁（５０）を介
    し対向させるように前記第１および第２の電極基板（１
    ０、２０）を重ね合わせる重ね合わせ工程（Ｓ９）と、 前記重ね合わせ工程（Ｓ９）後、前記第１および第２電
    極基板（１０、２０）間に液晶（４０）を封入する液晶
    封入工程（Ｓ１１）とを備え、 前記隔壁形成工程（Ｓ７）において、前記各隔壁（５
    ０）の形成に使用される樹脂材料によって前記一方の配
    向膜（２６）上に形成される残渣膜（５０ｂ）の膜厚
    を、前記液晶（４０）の配向を乱さないように薄くパタ
    ーニング処理することを特徴とする液晶セルの製造方
    法。
  6. 【請求項６】 前記隔壁形成工程（Ｓ７）において、前
    記樹脂材料はアクリル系樹脂材料であり、このアクリル
    系樹脂材料を９０℃以下の温度により仮焼成することを
    特徴とする請求項５に記載の液晶セルの製造方法。
  7. 【請求項７】 前記仮焼成する温度は７０℃以上である
    ことを特徴とする請求項６に記載の液晶セルの製造方
    法。
  8. 【請求項８】 前記隔壁形成工程（Ｓ７）において、前
    記残渣膜（５０ｂ）を紫外線照射によりパターニング処
    理することを特徴とする請求項５に記載の液晶セルの製
    造方法。
  9. 【請求項９】 前記紫外線照射によるパターニング処理
    により、前記残渣膜（５０ｂ）の膜厚を３ｎｍ以下とす
    ることを特徴とする請求項８に記載の液晶セルの製造方
    法。
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