JP6412377B2

JP6412377B2 - 樹脂マスク層用洗浄剤組成物及び回路基板の製造方法

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Publication number: JP6412377B2
Application number: JP2014184510A
Authority: JP
Inventors: 真美岡村; 純長沼; 高田　真吾; 真吾高田
Original assignee: Kao Corp
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Priority date: 2013-09-11
Filing date: 2014-09-10
Publication date: 2018-10-24
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Description

本開示は、樹脂マスク層用洗浄剤組成物及び回路基板の製造方法に関する。

近年、プリント配線板やセラミック基板への電子部品の実装に関しては、高密度化の要求が年々増しており、かかる要求を満たす方式としてベアチップ実装方式が注目されている。ベアチップ実装方式においては、チップと基板配線との電気的接続をワイヤボンディングを介して達成する従来のフェイスアップ実装に代わり、金属バンプを介して達成するフェイスダウン実装が広く採用される傾向にある。金属バンプを介してフェイスダウン実装する、いわゆる金属バンプ法によると、電子部品間に低抵抗な接続を形成することが期待できる。

特許文献１には、フォトレジストの剥離液として、特定の第四級アンモニウム水酸化物、水溶性アミン及びヒドロキシルアミン類を含有する水溶液からなる剥離液が開示されている。

特許文献２には、ベンジルアルコールとアミン化合物と水とを含有する、はんだフラックスとドライフィルムレジストとを同時洗浄することが可能な両用洗浄剤が開示されている。

特開２００２−６２６６８号公報特開２００７−２２４１６５号公報

金属バンプ法においては、バンプ形成のために用いたドライフィルム等の樹脂マスク層（樹脂膜）の除去率の向上が望まれている。基板表面に樹脂マスク層（樹脂膜）が残存すると良好な電子部品実装を行うことが困難となってしまうからである。

バンプ形成のために樹脂マスク層を有する回路基板が加熱されると、樹脂マスク層が熱により高分子量化する。特許文献１のフォトレジスト（樹脂マスク層）の洗浄剤は、高分子量化した樹脂マスク層に対しては洗浄性が十分でない場合があった。また、はんだの防食に対して十分ではなかった。特許文献２は、はんだフラックスとドライフィルムレジストの洗浄性について更なる向上が望まれる。

そこで、本開示は、一態様において、加熱処理された樹脂マスク層（樹脂膜）の残留低減とはんだ腐食の抑制が向上した樹脂マスク層用洗浄剤組成物を提供する。

本発明は、一態様において、樹脂マスク層用洗浄剤組成物であって、洗浄剤組成物１００質量部中、下記式（Ｉ）で表される第四級アンモニウム水酸化物（成分Ａ）を０．５質量部以上３．０質量部以下含有し、水溶性アミン（成分Ｂ）を３．０質量部以上１０．０質量部以下含有し、酸又はそのアンモニウム塩（成分Ｃ）を０．３質量部以上２．５質量部以下含有し、水（成分Ｄ）を５０．０質量部以上９５．０質量部以下含有する、樹脂マスク層用洗浄剤組成物に関する。
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ₃はそれぞれ同一又は異なる炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ₄は炭素数１〜４のアルキル基又は炭素数１〜４のヒドロキシ基置換アルキル基である。）

本発明は、その他の態様において、下記の工程（１）〜（５）を含む回路基板の製造方法に関する。
工程（１）：はんだ付け部が設けられた基板表面に対して樹脂マスク層を形成する工程。
工程（２）：前記樹脂マスク層に前記はんだ付け部が露出するように開口部を形成する工程。
工程（３）：前記開口部にはんだバンプ形成材料を充填する工程。
工程（４）：加熱して前記はんだバンプ形成材料を溶融させて前記はんだ付け部にはんだバンプを固定させる工程。
工程（５）：工程（４）で得られた基板を、本開示に係る樹脂マスク層用洗浄剤組成物を用いて洗浄する工程。

本開示に係る樹脂マスク層用洗浄剤組成物及び回路基板の製造方法によれば、ドライフィルム等の樹脂マスク層（樹脂膜）を用いて回路基板のはんだ付け部（例えば、電極など）にはんだバンプを固定化する場合において、はんだバンプの加熱処理（リフロー）後の樹脂マスク層（樹脂膜）の除去の促進とはんだ腐食の抑制とを両立でき、はんだ接続信頼性を向上させうる、という効果が奏され得る。

本開示に係る回路基板の製造方法の一又は複数の実施形態を示す概略工程説明図である。実施例１０及び比較例１の洗浄剤組成物中に、はんだが装着された基板を５０℃２０分間浸漬した前後のはんだ表面をＦＥ−ＳＥＭにより腐食の有無を観察した写真の一例である。

本開示は、一態様において、樹脂マスク法によりはんだ付け部にはんだバンプを形成した後、加熱処理された樹脂マスク層を剥離する場合に、第四級アンモニウム水酸化物（成分Ａ）と水溶性アミン（成分Ｂ）と酸又はそのアンモニウム塩（成分Ｃ）と水（成分Ｄ）を含む洗浄剤組成物を用いることで、加熱によって剥離しにくくなった樹脂マスク層を効率良く除去することができ、さらに、はんだ腐食を抑制することができ、これにより、はんだ接続信頼性を向上させることができるという知見に基づく。

すなわち、本開示は、一態様において、樹脂マスク層用洗浄剤組成物であって、洗浄剤組成物１００質量部中、下記式（Ｉ）で表される第四級アンモニウム水酸化物（成分Ａ）を０．５質量部以上３質量部以下含有し、水溶性アミン（成分Ｂ）を３質量部以上１０質量部以下含有し、酸又はそのアンモニウム塩（成分Ｃ）を０．３質量部以上２．５質量部以下含有し、水（成分Ｄ）を５０質量部以上９５質量部以下含有する、樹脂マスク層用洗浄剤組成物（以下、「本開示に係る洗浄剤組成物」ともいう）に関する。
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ₃はそれぞれ同一又は異なる炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ₄は炭素数１〜４のアルキル基又は炭素数１〜４のヒドロキシ基置換アルキル基である。）

本開示に係る洗浄剤組成物において樹脂マスク層の除去性が向上する作用機構は明らかではないが以下のように推察される。第４級アンモニウム水酸化物（成分Ａ）及び水溶性アミン（成分Ｂ）は、はんだペーストやフラックス成分に含まれる酸成分や加熱により高分子量化した樹脂マスク（レジストフィルム）の樹脂の結合を切断することで低分子量化する。そして、水溶性アミン（成分Ｂ）と水（成分Ｄ）が低分子量化したレジストフィルムに浸透し、溶解除去できると考えられる。また、はんだの主成分である錫（Ｓｎ）は強アルカリ水溶液に溶解するが、酸又はそのアンモニウム塩の酸（成分Ｃ）によって、溶解反応を抑制していると推定している。

〔成分Ａ〕
本開示に係る洗浄剤組成物の成分Ａである第四級アンモニウム水酸化物としては、一又は複数の実施形態において、カチオンとハイドロキサイドとからなる塩等が例示できる。また、カチオンとしては、一又は複数の実施形態において、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラ（ｎ−又はｉ−）プロピルアンモニウム、テトラ（ｎ−又はｉ−）ブチルアンモニウム、トリメチルエチルアンモニウム等のテトラアルキルアンモニウムカチオン（アルキルの炭素数１〜４）が挙げられ、また、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム及びトリエチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム等のヒドロキシアルキル基を有するアルキルアンモニウムカチオン（アルキルの炭素数１〜４）が挙げられる。これらの中でも、樹脂マスク層除去性の向上及びはんだの腐食を抑制する観点から、テトラメチルアンモニウムが好ましい。第四級アンモニウム水酸化物として、具体的には、テトラメチルアンモニウム水酸化物、テトラエチルアンモニウム水酸化物、テトラプロピルアンモニウム水酸化物、テトラブチルアンモニウム水酸化物、トリメチルエチルアンモニウム水酸化物、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム水酸化物、トリエチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム水酸化物等が挙げられる。これらの中でも、樹脂マスク層除去性の向上及びはんだの腐食を抑制する観点から、テトラメチルアンモニウム水酸化物が好ましい。本開示に係る洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、一種類又は複数種類の成分Ａを含有する。

本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ａである第四級アンモニウム水酸化物の含有量は、洗浄剤組成物１００質量部中、０．５質量部以上であり、樹脂マスク層除去性の向上及びはんだの腐食を抑制する観点から、好ましくは０．７質量部以上である。そして、同様の観点から、洗浄剤組成物１００質量部中、成分Ａである第四級アンモニウム水酸化物の含有量は、３．０質量部以下であり、好ましくは２．０質量部以下、より好ましくは１．５質量部以下である。

〔成分Ｂ〕
本開示に係る洗浄剤組成物の成分Ｂは水溶性アミンである。本開示に係る洗浄剤組成物の成分Ｂである水溶性アミンとしては、一又は複数の実施形態において、アルキルアミン、アルカノールアミン、ポリアミン、環式アミン等が挙げられ、樹脂マスク層除去性の向上及びはんだの腐食を抑制する観点から、アルカノールアミンが好ましい。アルカノールアミンとしては、一又は複数の実施形態において、モノエタノールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−ｎ−ブチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン、Ｎ−ｔ−ブチルエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン等が例示できる。これらの中でも、樹脂マスク層除去性の向上及びはんだの腐食を抑制する観点から、モノエタノールアミンが好ましい。本開示に係る洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、一種類又は複数種類の成分Ｂを含有する。

成分Ｂである水溶性アミンは、一又は複数の実施形態において、下記式（ＩＩ）で表されるアミン化合物が好ましい。
（式中、Ｒ₅は水素原子、水酸基、炭素数１〜６の炭化水素基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、又は、炭素数１〜６のアミノアルキル基であり、Ｒ6、Ｒ₇はそれぞれ同一又は異なり水素原子、炭素数１〜６の炭化水素基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、又は、炭素数１〜６のアミノアルキル基であり、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ₇は同時に水素原子とはならない。）

上記式（ＩＩ）のＲ₅は、好ましくは、水素原子、炭素数１〜６の炭化水素基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、又は、炭素数１〜６のアミノアルキル基である。
上記式（ＩＩ）で表されるアミン化合物の具体例としては、２５℃の水溶液における酸解離定数ｐＫａが９．０以上のアミン化合物が好ましく、モノエタノールアミン（ｐＫａ＝９．５５）、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン（ｐＫａ＝９．８７）、Ｎ−メチルエタノールアミン（ｐＫａ＝９．９５）、エチルアミノエタノール（ｐＫａ＝９．９）等のヒドロキシアルキル基を有するアミン、プロパンジアミン（ｐＫａ＝１０．６）等のアミノアルキル基を有するアミンが例示できる。これらの中でも、樹脂マスク層除去性の向上及びはんだの腐食を抑制する観点から、Ｎ−メチルエタノールアミン、プロパンジアミンが好ましく、Ｎ−メチルエタノールアミンがより好ましい。

本開示に係る洗浄剤組成物の成分Ｂである水溶性アミンの含有量は、洗浄剤組成物１００質量部中、３．０質量部以上であり、樹脂マスク層除去性の向上及びはんだの腐食を抑制する観点から、好ましくは４．０質量部以上である。そして、成分Ｂである水溶性アミンの含有量は、洗浄剤組成物１００質量部中、１０．０質量部以下であり、同様の観点から、好ましくは８．０質量部以下、より好ましくは７．０質量部以下である。

〔成分Ｃ〕
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｃである酸又はそのアンモニウム塩としては、有機酸及び無機酸又はそのアンモニウム塩が挙げられ、有機酸として蟻酸、酢酸、蓚酸、琥珀酸及びクエン酸、無機酸として炭酸、硫酸、硝酸及びリン酸が挙げられる。酸のアンモニウム塩は、アンモニアの酸塩であってもよい。本開示に係る洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、一種類又は複数種類の成分Ｃを含有する。成分Ｃは、具体的には、蟻酸アンモニウム、酢酸アンモニウム、蓚酸アンモニウム、琥珀酸アンモニウム、クエン酸アンモニウム、炭酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、硝酸アンモニウム及びリン酸アンモニウムからなる群から選ばれる１種以以上の化合物が好ましい。

本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｃである酸又はそのアンモニウム塩の含有量は、洗浄剤組成物１００質量部中、０．３質量部以上であり、はんだの腐食を抑制する観点から、好ましくは０．６質量部以上、より好ましくは０．８質量部以上、さらに好ましくは０．９質量部以上である。そして、酸又はそのアンモニウム塩の含有量は、洗浄剤組成物１００質量部中、２．５質量部以下であり、樹脂マスク層を十分に洗浄する観点から、好ましくは１．５質量部以下である。

〔成分Ｄ〕
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｄである水としては、イオン交換水、超純水等のイオン性物質を抑制したものが挙げられる。洗浄剤組成物における水の含有量は、洗浄剤組成物１００質量部中、５０．０質量部以上であり、樹脂マスク層を十分に洗浄する観点から、好ましくは７０．０質量部以上、より好ましくは７５．０質量部以上、さらに好ましくは８０．０質量部以上であり、また、洗浄剤組成物における水の含有量は、剥離剤組成物１００質量部中、９５．０質量部以下であり、はんだの腐食を抑制する観点から、好ましくは９３．０質量部以下である。

〔ｐＨ〕
本開示に係る洗浄剤組成物のｐＨは、一又は複数の実施形態において、樹脂マスク層を十分に洗浄する観点から、好ましくは１０．０以上、より好ましくは１０．５以上であり、はんだの腐食を抑制する観点から、好ましくは１４以下、より好ましくは１３．５以下、さらに好ましく１３．０以下である。ｐＨは、例えば（Ａ）〜（Ｃ）成分の含有量で調整することができる。

〔その他の成分：有機溶媒〕
本開示に係る洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、樹脂マスクの溶解性の観点から有機溶媒を含みうる。有機溶媒としては、一又は複数の実施形態において、ジエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテル、ジメチルスルホキシドが挙げられる。本開示に係る洗浄剤組成物における有機溶媒は、樹脂マスク層除去性の向上及びはんだの腐食を抑制する観点から、洗浄剤組成物１００質量部中、０質量部以上が好ましく、より好ましくは０．４質量部以上、さらに好ましくは０．８質量部以上であり、同様の観点から３５．０質量部以下が好ましく、より好ましくは２０．０質量部以下、さらに好ましくは１０．０質量部以下である。

〔その他の成分：含窒素複素芳香族化合物〕
本開示に係る洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、はんだの腐食を抑制する観点から含窒素複素芳香族化合物を含みうる。含窒素複素芳香族化合物としては、一又は複数の実施形態において、１Ｈ−ベンゾトリアゾール、１−メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、１，２，３−トリアゾールが挙げられる。本開示に係る洗浄剤組成物における含窒素複素芳香族化合物は、樹脂マスク層除去性の向上及びはんだの腐食を抑制する観点から、洗浄剤組成物１００質量部中、０．０１質量部以上が好ましく、より好ましくは０．０２質量部以上、さらに好ましくは０．０３質量部以上であり、同様の観点から１質量部以下が好ましく、より好ましくは０．８質量部以下、さらに好ましくは０．５質量部以下である。

〔洗浄剤組成物の調製方法〕
すなわち、本開示に係る洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、洗浄剤組成物１００質量部中、下記式（Ｉ）で表される第四級アンモニウム水酸化物（成分Ａ）を０．５質量部以上３質量部以下、水溶性アミン（成分Ｂ）を３質量部以上１０質量部以下、酸又はそのアンモニウム塩（成分Ｃ）を０．３質量部以上２．５質量部以下、水（成分Ｄ）を５０質量部以上９５質量部以下を配合してなる、樹脂マスク層用洗浄剤組成物とすることができる。
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ₃はそれぞれ同一又は異なる炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ₄は炭素数１〜４のアルキル基又は炭素数１〜４のヒドロキシ基置換アルキル基である。）
本開示に係る洗浄剤組成物は、限定されない一又は複数の実施形態において、上述した成分Ａ〜Ｄを上述した含有量の範囲で配合し、均一に混合することで調製できる。
なお、本開示の洗浄剤組成物は、成分Ｄの水の量を減らした濃縮物として調製してもよい。洗浄剤組成物の濃縮物は、輸送及び貯蔵の観点から、３倍以上に濃縮することが好ましく、生産及び保存安定性の観点から１０倍以下に濃縮することが好ましい。濃縮した洗浄剤組成物は使用時には本発明の範囲の任意の濃度に希釈して使用することができる。

［回路基板の製造方法］
本開示に係る洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、はんだバンプが形成される回路基板の製造に使用できる。すなわち、本開示は、一態様において、本開示に係る洗浄剤組成物を用いて洗浄する工程を含む、回路基板の製造方法に関する。

本開示に係る回路基板の製造方法の一又は複数の実施形態を図１に基づいて説明する。図１は、本開示に係る回路基板の製造方法の一又は複数の実施形態を示す概略工程説明図である。図１（ａ）に示すように、基板１の表面にソルダレジスト膜３（絶縁層）が形成され強固に固定される。ソルダレジスト膜３に形成した開口部７から電極２が露出している基板１の表面に、露光により電極２の部分を除いてレジストフィルムにて樹脂マスク層４を形成する。ついで図１（ｂ）に示すように、基板１の表面にはんだバンプ形成材料５を塗布する。あるいは、はんだバンプ形成材料のかわりに、はんだボールを前記開口部７に配置してもよい。ついで、加熱して、図１（ｃ）に示すように、はんだを前記電極２の表面に析出させ、はんだバンプ６を形成する。そして、図１（ｄ）に示すように樹脂マスク層４を本開示に係る洗浄剤組成物で剥離して、はんだバンプ６が形成された回路基板１を得る。なお、一又は複数の実施形態において、必要に応じて図１（ｅ）に示すようにはんだバンプ６のフラッタニングを行う。

したがって、本開示に係る回路基板の製造方法は、一又は複数の実施形態において、下記の工程（１）〜（５）を含む回路基板の製造方法である。
工程（１）：はんだ付け部が設けられた基板表面に対して樹脂マスク層を形成する工程。
工程（２）：前記樹脂マスク層に前記はんだ付け部が露出するように開口部を形成する工程。
工程（３）：前記開口部にはんだバンプ形成材料を充填する工程。
工程（４）：加熱して前記はんだバンプ形成材料を溶融させて前記はんだ付け部にはんだバンプを固定させる工程。
工程（５）：工程（４）で得られた基板を、本開示にかかる洗浄剤組成物を用いて洗浄する工程。

［工程（１）］
工程（１）は、はんだ付け部が設けられた基板表面に対して樹脂マスク層を形成する工程である。はんだ付け部が設けられた基板は、一又は複数の実施形態において、はんだバンプを形成すべきはんだ付け部が設けられた回路基板が挙げられ、前記はんだ付け部は、一又は複数の実施形態において、電極部である。前記基板は、一又は複数の実施形態において、図１（ａ）に示す通り、基板１の表面がソルダレジスト膜３に覆われ、電極部２が表面に露出している形態が挙げられ、ソルダレジスト膜３は基板１の表面に強固に固定されている。ソルダレジスト膜３としては、限定されない一又は複数の実施形態において、エポキシ系、アクリル系、ポリイミド系などの樹脂が使用される。また、ソルダレジスト膜３は、工程（２）の前に電極部２を露出させるために開口部が形成されてもよく、或いは、工程（２）と同時又はその後に電極部２を露出させるために開口部が形成されてもよい。

樹脂マスク層を形成する樹脂材料としては、一又は複数の実施形態において、均一な厚膜形成の観点からフィルム状の感光性樹脂を用いることが好ましく、レジストフィルムがより好ましい。レジストフィルムは、汎用のものを使用できる。

樹脂マスク層の厚みは、一又は複数の実施形態において、析出はんだによりバンプを形成するために必要とされるはんだ析出量の観点から、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは３０μｍ以上である。また、樹脂マスク層の厚みは、一又は複数の実施形態において、樹脂マスク層を底部まで硬化させる観点から、好ましくは３００μｍ以下、より好ましくは１５０μｍ以下である。

［工程（２）］
工程（２）は、工程（１）で形成した樹脂マスク層に前記はんだ付け部が露出するように開口部を形成する工程である。開口部の形成は、一又は複数の実施形態において、露光・現像処理により行うことができる。また、工程（２）は、一又は複数の実施形態において、ソルダレジスト膜の開口部を同時又は引き続いて露光・現像処理により形成してもよい。工程（２）により、図１（ａ）に示す一又は複数の実施形態のように、回路基板１の表面にソルダレジスト膜３及び樹脂マスク層４が形成され、これらソルダレジスト膜３及び樹脂マスク層４に形成された開口部７から電極部２が露出している基板が得られうる。

［工程（３）］
工程（３）は、工程（２）で形成した開口部にはんだバンプ形成材料を充填する工程である。はんだバンプ形成材料は、一又は複数の実施形態において、はんだペーストであり、例えば、ペースト印刷法で充填されうる。また、はんだバンプ形成材料は、一又は複数の実施形態において、はんだボールであって、例えば、ボール搭載法によって充填されうる。

はんだペーストとしては、一又は複数の実施形態において、（ａ）錫粉末と、鉛、銅、銀等の金属塩とを含有したはんだペースト、あるいは（ｂ）錫粉末と、銀イオン及び銅イオンから選ばれる少なくとも一種と、アリールホスフィン類、アルキルホスフィン類及びアゾール類から選ばれる少なくも一種との錯体とを含有したはんだペーストが挙げられる。上記（ａ）の金属塩と（ｂ）の錯体とは混合して使用することもできる。なお、錫粉末というときは、金属錫粉末の他、例えば銀を含有する錫−銀系の錫合金粉末や銅を含有する錫−銅系の錫合金粉末なども含むものとする。前記金属塩としては、有機カルボン酸塩、有機スルホン酸塩などが挙げられる。

はんだバンプ形成材料に含有されるはんだ合金は、典型的には錫ベースのはんだ合金であるが、例えば、インジウム系合金などの非錫系はんだ合金も、本開示において使用できる。従来の一般的な錫−鉛共晶はんだ合金の粒子も使用できるが、好ましくは鉛フリーはんだ合金の粒子を使用する。好ましい鉛フリーはんだ合金としては、錫−銀系、錫−銅系、錫−銀−銅系などが例示される。代表的組成例を挙げると次の通りである（％は質量％）：
Ｓｎ：残部、Ａｇ：０．３％、Ｃｕ：０．５％
Ｓｎ：残部、Ａｇ：３．５％、Ｃｕ：０．７％
Ｓｎ：残部、Ａｇ：３．５％
Ｓｎ：残部、Ｃｕ：０．７％。

はんだペーストには、さらにフラックス成分や溶剤を混合することもできる。フラックス成分としては、通常、錫−鉛系、錫−銀系、錫−銅系などのはんだ材料に使用されるものを用いることができ、溶剤としては組成物中の他の成分を溶解し、粘度や濃度を調整することができるものであれば、特に限定されるものではない。工程（３）により、図１（ｂ）に示す一又は複数の実施形態のように、回路基板１の表面にソルダレジスト膜３及び樹脂マスク層４が形成され、また、回路基板１の表面の電極部２上の開口部にはんだ形成材料５が充填又は配置された回路基板１が得られうる。

［工程（４）］
工程（４）は、工程（３）で充填したはんだバンプ形成材料を加熱して溶融させて前記はんだ付け部にはんだバンプを固定させる工程である。加熱温度は、一又は複数の実施形態において、２００℃以上、回路基板の耐熱性を考慮して２００℃〜２６０℃が挙げられる。はんだバンプ形成材料の液相線温度は、通常２００℃以上であり、加熱温度は、その他の一又は複数の実施形態において、前記はんだバンプ形成材料の液相線温度以上、回路基板の耐熱性を考慮して前記液相線温度以上２６０℃以下が挙げられる。加熱時間は、はんだバンプ形成材料の組成などに応じて決定され、一又は複数の実施形態において、好ましくは３０秒〜１０分程度、より好ましくは１分〜５分程度である。回路基板の生産性の観点から、一回の加熱処理でバンプを固定させることが好ましい。工程（４）により、図１（ｃ）に示す一又は複数の実施形態のように、回路基板１の表面にソルダレジスト膜３及び樹脂マスク層４が形成され、また、回路基板１の表面の電極部２上にはんだバンプ６が形成された基板が得られうる。

［工程（５）］
工程（５）は、工程（４）で得られた基板を、本開示に係る洗浄剤組成物を用いて洗浄する工程である。洗浄剤組成物で基板を洗浄する方法としては、一又は複数の実施形態において、超音波洗浄法、スプレー法、浸漬揺動法、浸漬法、手拭き法の各種の洗浄手段が挙げられる。回路基板の種類にあわせて、これらの手段を単独で又は適宜組み合わせてもよい。回路基板への影響を抑制する観点及び洗浄性の観点からは、スプレー法、浸漬揺動法又は浸漬法が好ましい。

工程（５）における洗浄時の温度は、樹脂マスク層を十分に洗浄する観点から、好ましくは２５℃以上、より好ましくは４０℃以上である。また、水分の蒸発を抑制する観点から、９０℃以下が好ましく、８０℃以下がより好ましい。また、工程（５）における洗浄時のｐＨは、樹脂マスク層を十分に洗浄する観点から、好ましくは１０．０以上、より好ましくは１１．０以上、さらに好ましくは１２．０以上であり、好ましくは１４．０以下、より好ましくは１３．５以下、さらに好ましく１３．０以下である。

工程（５）における洗浄時間は、樹脂マスク層を十分に洗浄する観点から１分以上が好ましく、３分以上がより好ましく、５分以上がさらに好ましく、回路基板の製造の時間を短縮する観点から、３０分以下が好ましく、２０分以下がより好ましい。

工程（５）は、さらに、洗浄処理が終了した後、回路基板上に残存している洗浄剤組成物に可溶化した汚れ及び／又は洗浄剤組成物の成分を回路基板から取り除く観点から、すすぎ処理（以下、工程（５ａ）ともいう）を行うことが好ましい。すすぎ処理では、水又はアルコールを用いることが好ましい。すすぎ処理でのｐＨは中性付近（例えば、ｐＨ６．０〜８．０又はｐＨ６．５〜７．５）で行うことが好ましい。さらに洗浄処理又はすすぎ処理が終了した後、回路基板表面に残存している水分を除去するために、乾燥処理（以下、工程（５ｂ）ともいう）を行うことが好ましい。

すすぎ処理の方法としては、浸漬法、超音波洗浄法、浸漬揺動法、スプレー法の各種の方法が挙げられる。すすぎ性の観点から、スプレー法及び浸漬法が好ましく、スプレー法及び浸漬法を併用することがより好ましい。すすぎ処理の温度は、すすぎ性の観点から、好ましくは２５℃以上、より好ましくは４０℃以上であり、また、水分の蒸発を抑制する観点から、９０℃以下が好ましく、８０℃以下がより好ましい。すすぎ処理の時間は、すすぎ性の観点から３分以上が好ましく、５分以上がより好ましく、回路基板の製造の時間を短縮する観点から、３０分以下が好ましく、２０分以下がより好ましい。

また、乾燥処理における乾燥方法としては、例えば、オーブンや送風乾燥機で乾燥させる方法が挙げられ、その乾燥温度は、乾燥性の観点から８０℃以上が好ましく、回路基板への影響を抑制する観点から１２０℃以下に加熱することが好ましく、１００℃以下がより好ましい。

［工程（６）］
本開示に係る製造方法は、一又は複数の実施形態において、樹脂マスク層が高い除去率で除去された、はんだバンプが形成された回路基板を得る観点から、下記工程（６）を含むことが好ましい。
工程（６）：工程（５）で得られた基板を、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）（成分Ｓ）、グリコールエーテル（成分Ｔ）、２５℃の水溶液における酸解離定数ｐＫａが９．０以上であるアミン及び／又は第四級アンモニウム水酸化物（成分Ｕ）、及び水（成分Ｖ）を含有する洗浄剤組成物を用いて洗浄する工程。

工程（６）を行うことで、樹脂マスク層が高い除去率で除去された、はんだバンプが形成された回路基板が得られる。すなわち、工程（６）により、図１（ｄ）に示す一又は複数の実施形態のように、回路基板１の表面の電極部２上にはんだバンプ６が形成され、かつ、回路基板１の表面からソルダレジスト膜３から樹脂マスク層が高い除去率で除去された基板が得られうる。

工程（６）において、工程（５）で得られた基板を洗浄剤組成物で洗浄する方法としては、超音波洗浄法、スプレー法、浸漬揺動法、浸漬法、手拭き法の各種の洗浄手段が挙げられる。回路基板の種類にあわせて、これらの手段を単独で又は適宜組み合わせて樹脂バリア層を洗浄することができる。回路基板への影響を抑制する観点と、洗浄性の観点からスプレー法、浸漬揺動法又は浸漬法が好ましい。

工程（６）における洗浄時の温度は、樹脂マスク層を十分に洗浄する観点から、好ましくは２５℃以上、より好ましくは４０℃以上であり、また、水分の蒸発を抑制する観点から、９０℃以下が好ましく、８０℃以下がより好ましい。また、工程（６）における洗浄時のｐＨは、一又は複数の実施形態において、樹脂マスク層を十分に洗浄する観点から、好ましくは１１以上、より好ましくは１２以上である。

工程（６）における洗浄時間は、樹脂マスク層を十分に洗浄する観点から１分以上が好ましく、３分以上がより好ましく、５分以上がさらに好ましく、回路基板の製造の時間を短縮する観点から、３０分以下が好ましく、２０分以下がより好ましい。

［工程（６）の洗浄剤組成物］
工程（６）で使用する洗浄剤組成物は、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）（成分Ｓ）、グリコールエーテル（成分Ｔ）、２５℃の水溶液における酸解離定数ｐＫａが９．０以上であるアミン及び／又は第四級アンモニウム水酸化物（成分Ｕ）、及び水（成分Ｖ）を含有する。該洗浄剤組成物は、ジメチルスルホキシド（成分Ｓ）、グリコールエーテル（成分Ｔ）、上記アミン及び／又は第四級アンモニウム水酸化物（成分Ｕ）、及び水（成分Ｖ）を、例えば２５℃で混合することにより調製することができる。また、ジメチルスルホキシド（成分Ｓ）、グリコールエーテル（成分Ｔ）、及び上記アミン及び／又は第四級アンモニウム水酸化物（成分Ｕ）を含有する濃厚液を予め調製しておき、水（成分Ｖ）で希釈して工程（６）の洗浄剤組成物として使用してもよい。

〔成分Ｓ〕
成分Ｓは、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）である。前記洗浄剤組成物におけるジメチルスルホキシドの含有量は、樹脂マスク層を十分に洗浄する観点から、洗浄剤組成物１００質量部中、好ましくは１０．０質量部以上、より好ましくは３０．０質量部以上、さらに好ましくは３５．０質量部以上、よりさらに好ましくは３９．０質量部以上である。また、同様の観点から、洗浄剤組成物１００質量部中、好ましくは５０．０質量部以下、より好ましくは４３．０質量部以下である。

〔成分Ｔ〕
成分Ｔは、グリコールエーテルである。成分Ｔは、一又は複数の実施形態において、下記式（ＩＩＩ）で表されるグリコールエーテルであることが好ましい。
Ｒ₈Ｏ(ＡＯ)_nＲ₉ （ＩＩＩ）
（式中、Ｒ₈は炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数６〜１５のアリール基、Ｒ₉は水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基、ＡＯは炭素数２又は３のアルキレンオキシ基、ｎは平均付加モル数であって１〜４である。）

また、成分Ｔは、一又は複数の実施形態において、（ポリ）アルキレングリコールのアルキルエーテル又はアリールエーテルである。（ポリ）アルキレングリコールとして、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコールが挙げられる。アルキルエーテルとして、モノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル、モノイソブチルエーテル、モノヘキシルエーテル、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ブチルメチルエーテル、エチルプロピルエーテル、ブチルエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテルが挙げられる。アリールエーテルとして、モノフェニルエーテル、モノベンジルエーテルが挙げられる。（成分Ｔは、樹脂マスク層を十分に洗浄する観点から、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコールのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノブチルエーテル、モノイソブチルエーテル、モノベンジルエーテルが好ましく、具体的には、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル及びエチレングリコールモノベンジルエーテルが好ましく、ジエチレングリコールモノブチルエーテルがより好ましい。成分Ｔは上記式（ＩＩＩ）で表される単独の化合物であってもよく、複数種類の化合物からなるものであってもよい。

洗浄剤組成物における成分Ｔの含有量は、樹脂マスク層を十分に洗浄する観点から、洗浄剤組成物１００質量部中、好ましくは３０．０質量部以上、より好ましくは３５．０質量部以上である。そして、同様の観点から、成分Ｔの含有量は、洗浄剤組成物１００質量部中、好ましくは７０．０質量部以下、より好ましくは５０．０質量部以下、さらに好ましくは４３．０質量部以下である。

成分Ｓと成分Ｔの質量比〔（Ｓ）／（Ｔ）〕は、樹脂マスク層の除去性の観点から、好ましくは０．１５以上、より好ましくは０．３０以上、さらに好ましくは０．５０以上であり、そして、好ましくは２．００以下、より好ましくは１．５０以下、さらに好ましくは１．２０以下である。

〔成分Ｕ〕
成分Ｕは、２５℃の水溶液における酸解離定数ｐＫａが９．０以上であるアミン及び／又は第四級アンモニウム水酸化物である。成分Ｕは、はんだ腐食抑制の観点から、アミンが好ましく、樹脂マスク層を十分に洗浄する観点から、第四級アンモニウム水酸化物が好ましい。成分Ｕは、一又は複数の実施形態において、下記式（ＩＶ）で表されかつ２５℃の水溶液における酸解離定数ｐＫａが９．０以上であるアミン、及び／又は、下記式（Ｖ）で表される第四級アンモニウム水酸化物である。ｐＫａは例えば、『化学便覧基礎編』(日本化学会編丸善株式会社)等に記載されている。ｐＫａは好ましくは９．５以上、より好ましくは９．８以上であり、そして、好ましくは１２．０以下、より好ましくは１１．５以下、更に好ましくは１１．０以下である。
(Ｒ₁₀)₃Ｎ（ＩＶ）
（式中、Ｒ₁₀はそれぞれ同一又は異なる水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、又は、炭素数１〜６のアミノアルキル基であり、３つのＲ₁₀は同時に水素原子とはならない。）
[(Ｒ₁₁)₃−Ｎ−Ｒ₁₂]⁺ＯＨ^- （Ｖ）
（ただし、式中Ｒ₁₁は炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ₁₂は１〜３のアルキル基、または炭素数１〜３のヒドロキシアルキル基を示す。）

上記式（ＩＶ）で表される２５℃の水溶液における酸解離定数ｐＫａが９．０以上のアミン化合物の具体例としては、モノエタノールアミン（ｐＫａ＝９．５５）、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン（ｐＫａ＝９．８７）、Ｎ−メチルエタノールアミン（ｐＫａ＝９．９５）、エチルアミノエタノール（ｐＫａ＝９．９）等のヒドロキシアルキル基を有するアミン、プロパンジアミン（ｐＫａ＝１０．６）等のアミノアルキル基を有するアミンが例示できる。これらの中でも、樹脂マスクの除去の観点から、Ｎ−メチルエタノールアミン、プロパンジアミンが好ましく、Ｎ−メチルエタノールアミンがより好ましい。ｐＫａが９．０以上のアミン類を用いることでアルカリにより樹脂マスク層の低分子量化に作用すると考えられる。

上記式（Ｖ）で示される第四級アンモニウム水酸化物としては、以下のカチオンとハイドロキサイドとからなる塩等が例示できる。また、前記カチオンとしては、例えばテトラアルキルアンモニウムカチオン（アルキルの炭素数１〜３）のようなテトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラ（ｎ−またはｉ−）プロピルアンモニウム、トリメチルエチルアンモニウムが挙げられ、また、ヒドロキシアルキル基を有するアルキルアンモニウムカチオン（アルキルの炭素数１〜３）のようなトリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム及びトリエチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムなどが挙げられる。これらの中でもテトラメチルアンモニウムが好ましい。第四級アンモニウム水酸化物として、具体的には、テトラメチルアンモニウム水酸化物、テトラエチルアンモニウム水酸化物、テトラプロピルアンモニウム水酸化物、トリメチルエチルアンモニウム水酸化物、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム水酸化物、トリエチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム水酸化物等が挙げられる。これらの中でも、樹脂マスクの除去の観点から、テトラメチルアンモニウム水酸化物が好ましい。

洗浄剤組成物における成分Ｕの含有量は、樹脂マスク層の除去性の観点から、洗浄剤組成物１００質量部中、好ましくは０．５質量部以上、より好ましくは１．０質量部以上、さらに好ましくは３．０質量部以上であり、そして、洗浄剤組成物１００質量部中、好ましくは２０．０質量部以下、より好ましくは１５．０質量部以下である。

〔成分Ｖ〕
成分Ｖは水であり、イオン交換水、超純水等のイオン性物質を抑制したものが好ましい。洗浄剤組成物における成分Ｖの含有量は、樹脂マスク層の除去性の観点から、洗浄剤組成物１００質量部中、好ましくは３．０質量部以上、より好ましくは８．０質量部以上、さらに好ましくは１２．０質量部以上であり、そして、洗浄剤組成物１００質量部中、好ましくは２０．０質量部以下、より好ましくは１８．０質量部以下である。

成分Ｕと成分Ｖの質量比〔（Ｕ）／（Ｖ）〕は、樹脂マスク層の除去性の観点から、好ましくは０．１以上、より好ましくは０．２以上であり、そして、好ましくは１．５以下、より好ましくは０．９以下であり、さらに好ましくは０．６以下である。

成分Ｓと成分Ｔの合計と、成分Ｕと成分Ｖの合計の質量比［〔（Ｓ）＋（Ｔ）〕／〔（Ｕ）＋（Ｖ）〕］は、樹脂マスク層の除去性の観点から、好ましくは１．０以上、より好ましくは２．０以上であり、そして、好ましくは１０．０以下、より好ましくは５．０以下である。

〔ｐＨ〕
洗浄剤組成物のｐＨは、一又は複数の実施形態において、樹脂マスク層を十分に洗浄する観点から、好ましくは１１以上、より好ましくは１２以上である。ｐＨは、成分Ｕのアミン及び／又は第四級アンモニウム水酸化物の含有量で調整することができる。

さらに、工程（６）は、洗浄処理が終了した後、回路基板上に残存している洗浄剤組成物に可溶化した汚れ及び／又は洗浄剤組成物の成分を回路基板から取り除く観点から、すすぎ処理〔以下、工程（６ａ）ともいう〕を行うことが好ましい。すすぎ処理では、水又はアルコールを用いることが好ましい。すすぎ処理でのｐＨは中性付近（例えば、ｐＨ６．０〜８．０又はｐＨ６．５〜７．５）で行うことが好ましい。さらに洗浄処理又はすすぎ処理が終了した後、回路基板表面に残存している水分を除去するために、乾燥処理〔以下、工程（６ｂ）ともいう〕を行うことが好ましい。

［電子部品の接合］
本開示に係る回路基板の製造方法は、一又は複数の実施形態において、さらに、前記工程（５）で得られた基板上に電子部品を乗せ、前記はんだバンプの液相線温度２６０℃以下の温度に加熱して電子部品のはんだ付け部と基板のはんだ付け部とを接合し、電子部品が接合した基板を得る工程を含む。この実施形態によれば、電子部品が接合された回路基板を製造できる。

［樹脂マスク層の除去方法］
本開示は、その他の態様において、樹脂マスク層が形成された回路基板から該樹脂マスク層を除去する方法であって、前記基板を本開示に係る洗浄剤組成物で洗浄することを含む方法に関する。剥離剤組成物及び洗浄剤組成物の具体的な構成、及び、それらを用いた洗浄方法は、上述のとおりとすることができる。

［キット］
本開示は、さらにその他の態様において、本開示に係る回路基板の製造方法及び／又は本開示に係る樹脂マスク層の除去方法に使用するためのキットであって、本開示に係る洗浄剤組成物の成分Ａ〜Ｄの少なくとも１成分を配合する前の状態で含むキットに関する。本開示に係る洗浄剤組成物の具体的な構成、及び、それらを用いた洗浄方法は、上述のとおりとすることができる。

上述した実施形態に関し、本開示はさらに以下の一又は複数の実施形態にかかる組成物、製造方法、或いは用途を開示する。

＜１＞洗浄剤組成物１００質量部中、下記式（Ｉ）で表される第四級アンモニウム水酸化物（成分Ａ）を０．５質量部以上３．０質量部以下含有し、水溶性アミン（成分Ｂ）を３．０質量部以上１０．０質量部以下含有し、酸又はそのアンモニウム塩（成分Ｃ）を０．３質量部以上２．５質量部以下含有し、水（成分Ｄ）を５０．０質量部以上９５．０質量部以下含有する、樹脂マスク層用洗浄剤組成物。
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ₃はそれぞれ同一又は異なる炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ₄は炭素数１〜４のアルキル基又は炭素数１〜４のヒドロキシ基置換アルキル基である。）

＜２＞酸又はそのアンモニウム塩（成分Ｃ）が、蟻酸アンモニウム、酢酸アンモニウム、蓚酸アンモニウム、琥珀酸アンモニウム、クエン酸アンモニウム、炭酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、硝酸アンモニウム及びリン酸アンモニウムからなる群から選ばれる１種以上である、＜１＞記載の樹脂マスク層用洗浄剤組成物。
＜３＞水溶性アミン（成分Ｂ）が、下記式（ＩＩ）で表されるアミンである、＜１＞又は＜２＞に記載の樹脂マスク層用洗浄剤組成物。
（式中、Ｒ₅は水素原子、水酸基、炭素数１〜６の炭化水素基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、又は、炭素数１〜６のアミノアルキル基であり、Ｒ6、Ｒ₇はそれぞれ同一又は異なり水素原子、炭素数１〜６の炭化水素基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、又は、炭素数１〜６のアミノアルキル基であり、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ₇は同時に水素原子とはならない。）
＜４＞式（ＩＩ）で表されるアミン化合物が、２５℃の水溶液における酸解離定数ｐＫａが９．０以上のアミン化合物が好ましく、より好ましくはモノエタノールアミン（ｐＫａ＝９．５５）、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン（ｐＫａ＝９．８７）、Ｎ−メチルエタノールアミン（ｐＫａ＝９．９５）、エチルアミノエタノール（ｐＫａ＝９．９）及びプロパンジアミン（ｐＫａ＝１０．６）から選ばれる１種以上であり、さらに好ましくは、Ｎ−メチルエタノールアミン及びプロパンジアミンから選ばれる１種以上、よりさらに好ましくはＮ−メチルエタノールアミンである、＜３＞に記載の樹脂マスク層用洗浄剤組成物。
＜５＞第四級アンモニウム水酸化物（成分Ａ）が、好ましくはテトラアルキルアンモニウムカチオン（アルキルの炭素数１〜４）、より好ましくはテトラメチルアンモニウム水酸化物である、＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の樹脂マスク層用洗浄剤組成物。
＜６＞第四級アンモニウム水酸化物（成分Ａ）の含有量が、洗浄剤組成物１００質量部中、好ましくは０．７質量部以上であり、好ましくは２．０質量部以下、より好ましくは１．５質量部以下である、＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の樹脂マスク層用洗浄剤組成物。
＜７＞水溶性アミン（成分Ｂ）の含有量が、洗浄剤組成物１００質量部中、好ましくは４．０質量部以上であり、好ましくは８．０質量部以下、より好ましくは７．０質量部以下である、＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の樹脂マスク層用洗浄剤組成物。
＜８＞酸又はそのアンモニウム塩（成分Ｃ）の含有量が、洗浄剤組成物１００質量部中、好ましくは０．３質量部以上であり、好ましくは０．６質量部以上、より好ましくは０．８質量部以上、さらに好ましくは０．９質量部以上であり、好ましくは１．５質量部以下である、＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の樹脂マスク層用洗浄剤組成物。
＜９＞水（成分Ｄ）が、洗浄剤組成物１００質量部中、好ましくは７０．０質量部以上、より好ましくは７５．０質量部以上、さらに好ましくは８０．０質量部以上であり、好ましくは９３．０質量部以下である、＜１＞から＜８＞のいずれかに記載の樹脂マスク層用洗浄剤組成物。
＜１０＞洗浄剤組成物のｐＨが、好ましくは１０．０以上、より好ましくは１０．５以上であり、好ましくは１４以下、より好ましくは１３．５以下、さらに好ましく１３．０以下である、＜１＞から＜９＞のいずれかに記載の樹脂マスク層用洗浄剤組成物。
＜１１＞樹脂マスク層用洗浄剤組成物であって、洗浄剤組成物１００質量部中、下記式（Ｉ）で表される第四級アンモニウム水酸化物（成分Ａ）を０．５質量部以上３質量部以下、水溶性アミン（成分Ｂ）を３質量部以上１０質量部以下、酸又はそのアンモニウム塩（成分Ｃ）を０．３質量部以上２．５質量部以下、水（成分Ｄ）を５０質量部以上９５質量部以下を配合してなる、樹脂マスク層用洗浄剤組成物
＜１２＞下記の工程（１）〜（５）を含む回路基板の製造方法。
工程（１）：はんだ付け部が設けられた基板表面に対して樹脂マスク層を形成する工程。
工程（２）：前記樹脂マスク層に前記はんだ付け部が露出するように開口部を形成する工程。
工程（３）：前記開口部にはんだバンプ形成材料を充填する工程。
工程（４）：加熱して前記はんだバンプ形成材料を溶融させて前記はんだ付け部にはんだバンプを固定させる工程。
工程（５）：工程（４）で得られた基板を、＜１＞から＜１１＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物を用いて洗浄する工程。
＜１３＞前記工程（５）の洗浄を、ｐＨ１０．０以上、１４．０以下で行う、＜１２＞に記載の製造方法。
＜１４＞前記工程（４）における加熱温度が、２００℃以上、２６０℃以下である、＜１２＞又は＜１３＞に記載の製造方法。
＜１５＞前記工程（４）における加熱温度が、前記はんだバンプ形成材料の液相線温度以上２６０℃以下の温度である、＜１２＞から＜１４＞のいずれかに記載の製造方法。
＜１６＞さらに、下記の工程（６）を含む、＜１２＞から＜１５＞のいずれかに記載の製造方法。
工程（６）：工程（５）で得られた基板を、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）（成分Ｓ）、グリコールエーテル（成分Ｔ）、２５℃の水溶液における酸解離定数ｐＫａが９．０以上であるアミン及び／又は第四級アンモニウム水酸化物（成分Ｕ）、及び水（成分Ｖ）を含有する洗浄剤組成物を用いて洗浄する工程。
＜１７＞工程（６）の洗浄剤組成物のグリコールエーテル（成分Ｔ）が、下記式（ＩＩＩ）で表されるグリコールエーテルである、＜１６＞に記載の製造方法。
Ｒ₈Ｏ(ＡＯ)ｎＲ₉ （ＩＩＩ）
（式中、Ｒ₈は炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数６〜１５のアリール基、Ｒ₉は水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基、ＡＯは炭素数２又は３のアルキレンオキシ基、ｎは平均付加モル数であって１〜４である。）
＜１８＞工程（６）の洗浄剤組成物のアミン及び／又は第四級アンモニウム水酸化物（成分Ｕ）が、下記式（ＩＶ）で表されるアミン、及び／又は、下記式（Ｖ）で表される第四級アンモニウム水酸化物である、＜１６＞に記載の製造方法。
(Ｒ₁₀)₃Ｎ（ＩＶ）
（式中、Ｒ₁₀はそれぞれ同一又は異なり水素原子、炭素数１〜６の炭化水素基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、又は、炭素数１〜６のアミノアルキル基であり、３つのＲ₁₀は同時に水素原子とはならない。）
[(Ｒ₁₁)₃−Ｎ−Ｒ₁₂]⁺ＯＨ^- （Ｖ）
（式中、Ｒ₁₁はそれぞれ同一又は異なる炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ₁₂は１〜３のアルキル基又は炭素数１〜３のヒドロキシアルキル基である。）
＜１９＞工程（６）の洗浄剤組成物が、該洗浄剤組成物１００質量部に対し、
ジメチルスルホキシド（成分Ｓ）を１０．０質量部以上５０．０質量部以下、
グリコールエーテル（成分Ｔ）を３０．０質量部以上７０．０質量部以下、
アミン及び／又は第四級アンモニウム水酸化物（成分Ｕ）を０．５質量部以上２０．０質量部以下、及び、
水（成分Ｖ）を３．０質量部以上２０．０質量部以下含有する、＜１６＞から＜１８＞のいずれかに記載の製造方法。
＜２０＞前記工程（５）と前記工程（６）との間に、すすぎ処理の工程を含む、＜１６＞から＜１９＞のいずれかに記載の製造方法。
＜２１＞＜１７＞から＜２０＞のいずれかに記載の製造方法に使用するためのキットであって、工程（５）で使用する＜１＞から＜１１＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物と、工程（６）で使用する＜１６＞から＜１９＞に記載の洗浄剤組成物とを含むキット。
＜２２＞＜１＞から＜１１＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物の回路基板の製造における洗浄剤としての使用。

以下の実施例は本開示の例示を目的とし、本開示をいかなる意味でも制限する意図はない。実施例中、％は特に指定しない限り質量％である。

＜実施例１、３〜１５、１８〜２０、２４、参考例２、１６〜１７、２１〜２３及び比較例１〜８＞
下記の樹脂マスク層用洗浄剤組成物、回路基板を使用し、はんだバンプが形成された回路基板を製造した。
［樹脂マスク層用洗浄剤組成物の調製］
テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド（成分Ａ）１質量部、モノエタノールアミン（成分Ｂ）５質量部、蟻酸アンモニウム（成分Ｃ）１質量部、ジエチレングリコールブチルエーテル（有機溶媒）１２質量部、ジメチルスルホオキシド（有機溶媒）４質量部、水（成分Ｄ）７７質量部（合計１００質量部）で配合し、それを均一に混合することにより実施例１の樹脂マスク層用洗浄剤組成物を調製した。ｐＨは、１０．９であった。なお、ｐＨは、２５℃における洗浄剤組成物のｐＨであり、ｐＨメータを用いて測定でき、電極を洗浄剤組成物に浸漬した後１分後の数値である（以下同様）。
表１及び表２に示した実施例１の樹脂マスク層用洗浄剤組成物の組成に代えて実施例３〜１５、１８〜２０、２４、参考例２、１６〜１７、２１〜２３、比較例１〜８の樹脂マスク層用洗浄剤組成物を実施例１と同様に調製した。
［回路基板］
はんだバンプの形成に用いた回路基板は、厚さ３００μｍ、サイズ１５ｍｍ×１５ｍｍのガラスエポキシ基板であった。この基板は、直径２５μｍの銅表面の電極を、５０μｍのピッチで１チップあたり３６００個有していた。基板表面の電極周囲は、電極より高い高さ１５μｍのソルダレジストで囲まれていた。

［はんだバンプが形成された回路基板の製造］
実施例１、３〜１５、１８〜２０、２４、参考例２、１６〜１７、２１〜２３及び比較例１〜８では、下記工程（１）〜工程（５ｂ）に従ってはんだバンプが形成された回路基板を製造した。
工程（１）回路基板に形成されたソルダレジスト（太陽インキ：ＡＵＳ４１０）上にレジストフィルム（デュポン：ＷＢ−５０３０）を貼り、樹脂マスク層を形成した。
工程（２）露光・現像処理により回路基板の電極上の樹脂マスク層及びソルダレジストに開口部を形成した。
工程（３）市販のはんだペースト（エコソルダーＭ７０５−ＧＲＮ３６０−Ｋ２−Ｖ、千住金属工業製、はんだ金属（Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ）とフラックス（ロジン、添加剤及び溶剤の混合物）の混合物、液相線温度２１７℃）を塗布した。
工程（４）２５０℃のホットプレート上で１分間加熱し、リフローさせて回路基板の電極上にはんだバンプを形成した。該回路基板を１ｃｍ角に切断しテストピースとした。
工程（５）温度６０℃に保持された１００ｇの樹脂マスク層用洗浄剤組成物を入れた２００ｍｌビーカー内にその１ｃｍ角のテストピースを３分間浸漬し洗浄を行いビーカーからテストピースを取り出した。
工程（５ａ）テストピースを温度６０℃に保持されたイオン交換水に５分浸漬してすすぎを行い、テストピースを取り出した。
工程（５ｂ）テストピースを温度８５℃で１５分間、送風低温乾燥機で乾燥した。

実施例１、３〜１５、１８〜２０、２４、参考例２、１６〜１７、２１〜２３、比較例１〜８のテストピースにおける樹脂マスク層の除去性につき、下記の条件で評価した。その結果を表１に示す。
＜樹脂マスク除去性評価＞
回路基板の製造後のテストピースを光学顕微鏡で観察（倍率：９００倍）し、１ｃｍ角のテストピースから５視野選択し、光学顕微鏡の面積測定モードで基板上に残存する樹脂マスクの面積を計算し、洗浄率を算出した。除去率の計算方法・測定に用いた光学顕微鏡は下記に示す。実施例１、３〜１５、１８〜２０、２４、参考例２、１６〜１７、２１〜２３及び比較例１〜８はバンプ周辺以外の箇所で評価した。なお、バンプ周辺以外の箇所は洗浄しにくく差が表れやすい箇所である。
除去率＝（５視野の合計面積―洗浄後基板上の樹脂マスク残渣面積）÷５視野の合計面積×１００
測定機器：ＫＥＹＥＮＣＥ製デジタルマイクロスコープＶＨＸ−２０００

＜錫の溶解性＞
実施例１、３〜１５、１８〜２０、２４、参考例２、１６〜１７、２１〜２３及び比較例１〜８の樹脂マスク層用洗浄剤組成物中２０ｇに、和光純薬工業製、錫（粒状）１．８ｇを５０℃２０分間撹拌しながら浸漬し、洗浄剤組成物中に溶出した錫の濃度を測定した。錫の濃度が高いほどはんだ腐食性が高いことを示す。
錫の濃度測定は以下の方法で行った。
洗浄剤組成物についてＩＣＰ発光分析装置（パーキンエルマー社製、Ｏｐｔｉｍａ５３００）にてスズの発光強度を測定して、Ｓｎエッチング量を定量する。

表２に示すように、工程（５）で実施例１、３〜１５、１８〜２０、２４の樹脂マスク層用洗浄剤組成物を用いると比較例１〜８に比べて樹脂マスク層が良好に洗浄除去されるとともに、はんだの腐食を抑制できた。

＜はんだＳＥＭ観察＞
実施例１０及び比較例１の樹脂マスク層用洗浄剤組成物中に、千住金属工業製、はんだ（Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ、直径８０ｕｍ）が装着された基板を５０℃２０分間浸漬した。洗浄組成物浸漬前後のはんだ表面をＦＥ−ＳＥＭ（日立ハイテク製、Ｓ−４０００）で、９００倍に拡大し、孔食等の腐食の有無を観察した。観察写真を図２に示した。実施例１０に侵漬した場合、はんだ表面の変化が見られなかった。比較例１に侵漬した場合、はんだ表面に孔食が観察された。

＜実施例２５〜４２及び比較例９〜２２＞
［はんだバンプが形成された回路基板の製造］
工程（５）の樹脂マスク層用洗浄剤組成物として、実施例２４の樹脂マスク層用洗浄剤組成物（実施例２５〜３３、比較例９〜１５）及び実施例９の樹脂マスク層用洗浄剤組成物（実施例３４〜４２、比較例１６〜２２）を用い、下記工程（１）〜工程（６ｂ）に従ってはんだバンプが形成された回路基板を製造した。なお、はんだバンプの形成に用いた回路基板は、上述と同じものを使用した。
工程（１）回路基板に形成されたソルダレジスト（太陽インキ：ＡＵＳ４１０）上にレジストフィルム（デュポン：ＷＢ−５０３０）を貼り、樹脂マスク層を形成した。
工程（２）露光・現像処理により回路基板の電極上の樹脂マスク層及びソルダレジストに開口部を形成した。
工程（３）市販のはんだペースト（エコソルダーＭ７０５−ＧＲＮ３６０−Ｋ２−Ｖ、千住金属製、ハンダ金属（Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ）とフラックス（ロジン、添加剤及び溶剤の混合物）の混合物、液相線温度２１７℃）を塗布した。
工程（４）２５０℃のホットプレート上で１分間加熱し、リフローさせて回路基板の電極上にはんだバンプを形成した。該回路基板を１ｃｍ角に切断しテストピースとした。
工程（５）温度６０℃に保持された１００ｇの樹脂マスク層用洗浄剤組成物を入れた２００ｍｌビーカー内にその１ｃｍ角のテストピースを１分間浸漬し洗浄を行いビーカーからテストピースを取り出した。
工程（５ａ）テストピースを温度６０℃に保持されたイオン交換水に５分浸漬してすすぎを行い、テストピースを取り出した。
工程（５ｂ）テストピースを温度８５℃で１５分間、送風低温乾燥機で乾燥した。
工程（６）温度６０℃に保持された１００ｇの洗浄剤組成物を入れた２００ｍｌビーカー内にその１ｃｍ角のテストピースを１分間浸漬し洗浄を行いビーカーからテストピースを取り出した。
工程（６ａ）テストピースを温度６０℃に保持されたイオン交換水に５分浸漬してすすぎを行い、テストピースを取り出した。
工程（６ｂ）テストピースを温度８５℃で１５分間、送風低温乾燥機で乾燥した。

［工程（６）の洗浄剤組成物の調製］
ジメチルスルホキシド（成分Ｓ）４０質量部、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（成分Ｔ）４０質量部、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド（成分Ｕ）５質量部及び水（成分Ｖ）１５質量部（合計１００質量部）で配合し、それを均一に混合することにより、実施例２５の工程（６）の洗浄剤組成物を調製した。また、実施例２６〜４２及び比較例９〜２２の工程（６）の洗浄剤組成物は、表３及び４に記載の組成となるように各成分を所定の質量部で配合した以外は実施例３１と同様に調製した。なお、実施例２６〜３３（表３）と実施例３４〜４２（表４）とは、それぞれ、同一組成の工程（６）の洗浄剤組成物であり、比較例９〜１５（表３）と比較例１６〜２２（表４）とは、それぞれ、同一組成の工程（６）の洗浄剤組成物である。該洗浄剤組成物のｐＨを表３及び４に示す。これらの表でｐＨの欄が「＞１４」とあるものは、ｐＨが１４を超えるものである。

実施例２５〜４２及び比較例９〜２２のテストピースにおける樹脂マスク層の除去性につき、上述と同様の条件で評価した。その結果を表３及び４に示す。

表３及び４に示すように、工程（６）で実施例２５〜４２の洗浄剤組成物を用いると比較例９〜２２に比べて樹脂マスク層が良好に洗浄除去された。

Claims

洗浄剤組成物１００質量部中、
下記式（Ｉ）で表される第四級アンモニウム水酸化物（成分Ａ）を０．５質量部以上３．０質量部以下含有し、
下記式（ＩＩ）で表されるアミン（成分Ｂ）を３．０質量部以上１０．０質量部以下含有し、
酸又はそのアンモニウム塩（成分Ｃ）を０．３質量部以上２．５質量部以下含有し、
水（成分Ｄ）を５０．０質量部以上９５．０質量部以下含有する、樹脂マスク層用洗浄剤組成物であって、
前記酸又はそのアンモニウム塩（成分Ｃ）は、蟻酸、蟻酸アンモニウム、蓚酸アンモニウム、琥珀酸アンモニウム及びクエン酸アンモニウムからなる群から選ばれる１種以上である、樹脂マスク層用洗浄剤組成物。
（式中、Ｒ₁、Ｒ2、Ｒ₃はそれぞれ同一又は異なる炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ₄は炭素数１〜４のアルキル基又は炭素数１〜４のヒドロキシ基置換アルキル基である。）
（式中、Ｒ ₅ は水素原子、水酸基、炭素数１〜６の炭化水素基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、又は、炭素数１〜６のアミノアルキル基であり、Ｒ6、Ｒ ₇ はそれぞれ同一又は異なり水素原子、炭素数１〜６の炭化水素基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、又は、炭素数１〜６のアミノアルキル基であり、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ ₇ は同時に水素原子とはならない。）
洗浄剤組成物１００質量部中、
下記式（Ｉ）で表される第四級アンモニウム水酸化物（成分Ａ）を０．５質量部以上３質量部以下、
下記式（ＩＩ）で表されるアミン（成分Ｂ）を３質量部以上１０質量部以下、
酸又はそのアンモニウム塩（成分Ｃ）を０．３質量部以上２．５質量部以下、
水（成分Ｄ）を５０質量部以上９５質量部以下、配合してなる、樹脂マスク層用洗浄剤組成物であって、
前記酸又はそのアンモニウム塩（成分Ｃ）は、蟻酸、蟻酸アンモニウム、蓚酸アンモニウム、琥珀酸アンモニウム及びクエン酸アンモニウムからなる群から選ばれる１種以上である、樹脂マスク層用洗浄剤組成物。
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ ₃ はそれぞれ同一又は異なる炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ ₄ は炭素数１〜４のアルキル基又は炭素数１〜４のヒドロキシ基置換アルキル基である。）
（式中、Ｒ ₅ は水素原子、水酸基、炭素数１〜６の炭化水素基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、又は、炭素数１〜６のアミノアルキル基であり、Ｒ6、Ｒ ₇ はそれぞれ同一又は異なり水素原子、炭素数１〜６の炭化水素基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、又は、炭素数１〜６のアミノアルキル基であり、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ ₇ は同時に水素原子とはならない。）
下記の工程（１）〜（５）を含む回路基板の製造方法。
工程（１）：はんだ付け部が設けられた基板表面に対して樹脂マスク層を形成する工程。
工程（２）：前記樹脂マスク層に前記はんだ付け部が露出するように開口部を形成する工程。
工程（３）：前記開口部にはんだバンプ形成材料を充填する工程。
工程（４）：加熱して前記はんだバンプ形成材料を溶融させて前記はんだ付け部にはんだバンプを固定させる工程。
工程（５）：工程（４）で得られた基板を、請求項１又は２に記載の洗浄剤組成物を用いて洗浄する工程。
前記工程（５）の洗浄を、ｐＨ１０．０以上、１４．０以下で行う、請求項３に記載の製造方法。
前記工程（４）における加熱温度が、２００℃以上、２６０℃以下である、請求項３又は４に記載の製造方法。
前記工程（４）における加熱温度が、前記はんだバンプ形成材料の液相線温度以上２６０℃以下の温度である、請求項３から５のいずれかに記載の製造方法。
下記の工程（１）〜（６）を含む回路基板の製造方法。
工程（１）：はんだ付け部が設けられた基板表面に対して樹脂マスク層を形成する工程。
工程（２）：前記樹脂マスク層に前記はんだ付け部が露出するように開口部を形成する工程。
工程（３）：前記開口部にはんだバンプ形成材料を充填する工程。
工程（４）：加熱して前記はんだバンプ形成材料を溶融させて前記はんだ付け部にはんだバンプを固定させる工程。
工程（５）：工程（４）で得られた基板を、下記洗浄剤組成物を用いて洗浄する工程。
工程（５）で用いる洗浄剤組成物は、洗浄剤組成物１００質量部中、下記式（Ｉ）で表される第四級アンモニウム水酸化物（成分Ａ）を０．５質量部以上３．０質量部以下含有し、水溶性アミン（成分Ｂ）を３．０質量部以上１０．０質量部以下含有し、酸又はそのアンモニウム塩（成分Ｃ）を０．３質量部以上２．５質量部以下含有し、水（成分Ｄ）を５０．０質量部以上９５．０質量部以下含有する、樹脂マスク層用洗浄剤組成物である。
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ ₃ はそれぞれ同一又は異なる炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ ₄ は炭素数１〜４のアルキル基又は炭素数１〜４のヒドロキシ基置換アルキル基である。）
工程（６）：工程（５）で得られた基板を、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）（成分Ｓ）、グリコールエーテル（成分Ｔ）、２５℃の水溶液における酸解離定数ｐＫａが９．０以上であるアミン、及び／又は第四級アンモニウム水酸化物（成分Ｕ）、及び水（成分Ｖ）を含有する洗浄剤組成物を用いて洗浄する工程。
下記の工程（１）〜（６）を含む回路基板の製造方法。
工程（１）：はんだ付け部が設けられた基板表面に対して樹脂マスク層を形成する工程。
工程（２）：前記樹脂マスク層に前記はんだ付け部が露出するように開口部を形成する工程。
工程（３）：前記開口部にはんだバンプ形成材料を充填する工程。
工程（４）：加熱して前記はんだバンプ形成材料を溶融させて前記はんだ付け部にはんだバンプを固定させる工程。
工程（５）：工程（４）で得られた基板を、下記洗浄剤組成物を用いて洗浄する工程。
工程（５）で用いる洗浄剤組成物は、洗浄剤組成物１００質量部中、下記式（Ｉ）で表される第四級アンモニウム水酸化物（成分Ａ）を０．５質量部以上３．０質量部以下、水溶性アミン（成分Ｂ）を３．０質量部以上１０．０質量部以下、酸又はそのアンモニウム塩（成分Ｃ）を０．３質量部以上２．５質量部以下、水（成分Ｄ）を５０．０質量部以上９５．０質量部以下、配合してなる、樹脂マスク層用洗浄剤組成物である。
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ ₃ はそれぞれ同一又は異なる炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ ₄ は炭素数１〜４のアルキル基又は炭素数１〜４のヒドロキシ基置換アルキル基である。）
工程（６）：工程（５）で得られた基板を、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）（成分Ｓ）、グリコールエーテル（成分Ｔ）、２５℃の水溶液における酸解離定数ｐＫａが９．０以上であるアミン、及び／又は第四級アンモニウム水酸化物（成分Ｕ）、及び水（成分Ｖ）を含有する洗浄剤組成物を用いて洗浄する工程。