DE3705896A1

DE3705896A1 - Verfahren zur herstellung eines fotoresistmusters auf einer substratflaeche und ein dafuer geeignetes schaumentfernungsmittel

Info

Publication number: DE3705896A1
Application number: DE19873705896
Authority: DE
Inventors: Hatsuyuki Tanaka; Yoshiyuki Sato; Hidekatsu Kohara; Toshimasa Nakayama
Original assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Current assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date: 1986-02-24
Filing date: 1987-02-24
Publication date: 1987-08-27
Also published as: DE3705896C2; US4873177A

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Fotoresistmusters auf einer Substratfläche und insbesondere eines Fotoresistmusters mit einem hervorragenden Auflösungsvermögen, ohne daß das Problem von haftendem Schaum nach der Entwicklung auftritt. Die Erfindung betrifft auch ein dafür geeignetes Schaumentfernungsmittel.

Bekanntlich werden zur Herstellung verschiedener Präzisionsartikel, wie beispielsweise integrierter Schaltungen, Fotomasken für die Herstellung von integrierten Schaltungen, gedruckter Schaltungsplatten oder Leiterplatten, Fotoresistzusammensetzungen verwendet. Das Prinzip dieses Verfahrens besteht darin, die Oberfläche eines Substrats mit einer Fotoresistzusammensetzung zu beschichten, die Schicht bildmustergemäß zu entfernen, um die Substratfläche nur an den Flächen freizulegen, an denen sie vorzugsweise einer weiteren Behandlung, wie Ätzen oder Dotieren, unterworfen wird, wobei die bildmustergemäße Fotoresistschicht als Schutzmaske dient.

Das Bildmuster entsteht vor allem unter Verwendung einer Fotoresistzusammensetzung, die bildmustergemäß aktinischen Strahlen und beispielsweise UV-Licht ausgesetzt wird, um eine Änderung der Löslichkeit der Fotoresistschicht in einem flüssigen Entwickler zu erreichen. Je nach Richtungsänderung der Löslichkeit der Zusammensetzung in einer Entwicklerlösung durch die UV-Bestrahlung werden die Fotoresistzusammensetzungen in positiv-arbeitende oder negativ-arbeitende eingeteilt. Eine positiv-arbeitende Fotoresistzusammensetzung ist durch eine erhöhte Löslichkeit im Entwickler nach UV-Bestrahlung gekennzeichnet, so daß die Substratfläche nach der Entwicklung an den Stellen, die bildmustergemäß dem UV-Licht ausgesetzt waren, frei ist und die Fotoresistschicht an den nicht belichteten Stellen zurückbleibt. Eine negativ-arbeitende Fotoresistschicht ist dagegen durch verminderte Löslichkeit der Fotoresistschicht im Entwickler nach bildmustergemäßer UV-Bestrahlung gekennzeichnet, so daß die bildmustergemäße UV-Bestrahlung und die Entwicklung eine bildmustergemäße Fotoresistschicht auf den belichteten Flächen zurückläßt.

Bisher wurden verschiedene Fotoresistzusammensetzungen, sowohl positiv-arbeitende wie auch negativ-arbeitende, hergestellt und im großtechnischen Maßstab verwendet. So bestehen beispielsweise die typischen und am weitest verwendeten positiv-arbeitenden Fotoresistzusammensetzungen aus einem alkalilöslichen Novolackharz als filmbildende Komponente und einer lichtempfindlichen Komponente; die Löslichkeit der Zusammensetzung wird durch eine lichtinduzierte Zersetzungsreaktion beschleunigt und erhöht. Die mit einer solchen lichtempfindlichen Zusammensetzung nach der bildmustergemäßen UV-Bestrahlung hergestellte Fotoresistschicht wird mit einem Entwickler entwickelt, und zwar im allgemeinen mit einer alkalischen wäßrigen Lösung. Als Alkalysierungsmittel für eine derartige Entwicklerlösung kann jedoch keine Alkalimetallverbindung verwendet werden und insbesondere nicht bei der Herstellung von Halbleitervorrichtungen, da die Verunreinigung des Halbleitermaterials mit Alkalimetallionen sehr schädlich für die Leistung der Halbleitervorrichtungen ist. Deshalb enthalten die Entwickler für positiv-arbeitende Fotoresistzusammensetzungen im allgemeinen eine wasserlösliche organische Base als Alkalisierungsmittel und beispielsweise quartäre Ammoniumhydroxide (vgl. IBM Technical Disclosure Bulletin, Band 13, Nr. 7, S. 2009 (1970)) und Cholin (vgl. US-PS 42 39 661).

Eine der Anforderungen an den Entwickler ist die Selektivität der Lösung der Fotoresistzusammensetzung nach der bildmustergemäßen UV-Bestrahlung. Ein idealer Entwickler für eine positiv-arbeitende Fotoresistzusammensetzung sollte deshalb die Zusammensetzung an den UV-bestrahlten Stellen so leicht wie möglich weglösen, während die Zusammensetzung an den nicht belichteten Stellen durch den Entwickler absolut intakt bleiben sollte. Außerdem sollte der Querschnitt der bildmustergemäßen Fotoresistschicht nach der Entwicklung zweckmäßigerweise rechteckig sein, wobei die Außenflächen senkrecht auf der Substratfläche stehen sollten; herkömmliche Entwicklerlösungen lassen im allgemeinen einen trapezähnlichen Querschnitt zurück.

Die schnelle Entwicklung bei der Herstellung von integrierten Halbleiterschaltungen in den letzten Jahren verlangt immer feinere Bildmuster der Fotoresistschicht auf der Substratfläche, um ein Auflösungsvermögen im sogenannten submikronen Bereich zu erhalten. Insbesondere wird die Qualität und die Ausbeute annehmbarer Produkte stark von der Leistung der Entwicklung der bildmustergemäßen Fotoresistschicht, die freie Flächen mit einer Feinheit von etwa 1 µm oder Kontaktfenster aufweist, beeinflußt. Herkömmliche Entwicklerlösungen können diese Anforderungen nicht voll erfüllen; Verbesserungen in der Leistung der Entwicklerlösungen sind deshalb sehr erwünscht.

Bisher wurden verschiedene Versuche und Vorschläge für eine Entwicklerlösung gemacht, wie beispielsweise eine Matallionen- freie wäßrige Lösung eines Tetraalkylammoniumhydroxids, die mit einer quartären Ammoniumverbindung als grenzflächenaktives Mittel vermischt wird, beispielsweise mit Methyl-bis(2-hydroxy)kokus-ammoniumchlorid und Trimethylkokus- ammoniumchlorid (vgl. JP-A 58-9143), oder eine Entwicklerlösung, die durch Zugabe eines grenzflächenaktiven Mittels oder eines organischen Lösungsmittels zu einer herkömmlichen Entwicklerlösung für positiv-arbeitende Fotoresistzusammensetzungen hergestellt wurde (vgl. Jp-A 58-57 128).

Diese Verbesserungen der Entwicklerlösungen beruhen alle darauf, daß die Entwicklerlösung die Fotoresistschicht besser benetzt und somit schneller und besser weglöst, was zu Verbesserungen des Auflösungsvermögens und der dimensionalen Genauigkeit des Fotoresistmusters führt. Das Auflösungsvermögen und die dimensionale Genauigkeit des Fotoresistmusters wird zwar bis zu einem gewünschten Grad verbessert, die Entwicklerlösungen haben jedoch immer noch Probleme, insbesondere dann, wenn die Bildung eines Musters mit sehr feinen freien Flächen oder Kontaktfenstern erwünscht ist, da Schaum oder dünne Filmreste der Fotoresistschicht an den dem UV- Licht ausgesetzten Stellen zurückbleiben und dies trotz der Bedingung, daß die Fotoresistschicht vollständig von diesen Stellen weggelöst sein sollte. Das führt zu einer begrenzten Verbesserung des Auflösungsvermögens solcher feiner Bildmuster.

Die oben angegebenen Schäume und Filmreste auf der bildmustergemäßen Fotoresistschicht können zwar durch eine kurze Nachbehandlung der bildmustergemäßen Fotoresistschicht mit Sauerstoffplasma oder durch Zerstäubung entfernt werden (vgl. beispielsweise S. M. Irving, Solid State Technology, Band 14, Nr. 6, S. 47 (1971)). Diese Nachbehandlungen sind jedoch praktisch nicht durchführbar, da die Formen des Resistmusters an sich beschädigt werden können, es sei denn, die Nachbehandlung wird unter gut kontrollierten Bedingungen durchgeführt. Außerdem ist sie nicht immer zufriedenstellend, da die Schäume und Filmrückstände insbesondere nicht einheitlich entfernt werden bei extrem feinen Mustern mit Kontaktfenstern in der Fotoresistschicht.

Aufgabe der Erfindung war es daher, ein Verfahren zur Herstellung von extrem feinen Fotoresistmustern auf einer Substratfläche anzugeben, bei dem die nach der Entwicklung zurückbleibenden Schäume und Filmrückstände wirkungsvoll und vollständig sogar in feinsten Mustern entfernt werden können. Dadurch sollte dem Bedarf der sich schnell entwickelnden Halbleiterindustrie nach erhöhter Feinheit Rechnung getragen werden.

Die Erfindung betrifft somit ein Verfahren zur Herstellung einer bildmustergemäßen Fotoresistschicht auf einer Substratfläche durch

(a) Beschichten einer Substratfläche mit einer positiv- arbeitenden Fotoresistzusammensetzung,
(b) bildmustergemäße UV-Bestrahlung der Fotoresistschicht zur Erhöhung ihrer Löslichkeit an den UV-bestrahlten Flächen,
(c) Weglösen der Fotoresistschicht an den UV-bestrahlten Flächen mit einer Entwicklerlösung zu einer bildmustergemäßen Fotoresistschicht auf der Substratfläche,

gekennzeichnet durch

(d) Spülen des Substrats mit der bildmustergemäßen Fotoresistschicht mit einer wäßrigen Lösung eines quartären Ammoniumhydroxids und eines mit Wasser mischbaren organischen Lösungsmittels als Schaumentfernungsmittel.

Das in Stufe (d) des erfindungsgemäßen Verfahrens verwendete Schaumentfernungsmittel ist ein Gemisch von 100 Masseteilen einer alkalischen wäßrigen Lösung, die 0,5 bis 1,5 Masseteile eines Tetraalkylammoniumhydroxids oder Trialkylhydroxyalkylammoniumhydroxids, wie Tetramethylammoniumhydroxid oder Trimethyl-2-hydroxyethylammoniumhydroxids enthält und 1 bis 30 Masseteile eines mit Wasser mischbaren organischen Lösungsmittels.

Das wesentliche Merkmal des erfindungsgemäßen Verfahrens ist Stufe (d), d. h., das Spülen des Substrats mit der bildmustergemäßen Fotoresistschicht mit einem Schaumentfernungsmittel. Auf diese Weise erhält die bildmustergemäße Fotoresistschicht ein stark verbessertes Auflösungsvermögen als Folge der vollständigen Entfernung der nach der Entwicklung auf der Fotoresistschicht zurückbleibenden Schäume.

Im erfindungsgemäßen Verfahren ist die positiv-arbeitende Fotoresistzusammensetzung, aus der auf der Substratfläche die Fotoresistschicht hergestellt wird, nicht besonders begrenzt. Obwohl jede herkömmliche positiv arbeitende Fotoresistzusammensetzung im erfindungsgemäßen Verfahren verwendet werden kann, werden doch Fotoresistzusammensetzungen bevorzugt, die als lichtempfindliche Komponente einen Teil- oder Vollester oder ein Teil- oder Vollamid einer eine Chinondiazidgruppe enthaltenden Verbindung mit einer eine phenolische Hydroxyl- oder Aminogruppe aufweisenden Verbindung enthält. Geeignet sind die Sulfonsäuren von Chinondiaziden, beispielsweise von o-Benzochinondiazid, o-Naphthochinondiazid und o-Anthrachinondiazid.

Die eine phenolische Hydroxyl- oder Aminogruppe enthaltende Verbindung ist beispielsweise ein Polyhydroxybenzophenon, wie 2,3,4-Trihydroxybenzophenon und 2,2′, 4,4′-Tetrahydroxybenzophenon, Alkyl- oder Arylgallat, Phenol, 4-Methoxyphenol, Dimethylphenol, Hydrochinon, Bisphenol A, Naphthol, Pyrocatechol, Pyrogallol, Monomethyl- und 1,3-Dimethylether von Pyrogallol, Gallussäure, Teil- oder Vollveresterungsprodukt der Gallussäure, Anilin oder 4-Aminodiphenylamin.

Neben der lichtempfindlichen Komponente sollte die im erfindungsgemäßen Verfahren verwendete positiv-arbeitende Fotoresistzusammensetzung ein filmbildendes Harz enthalten, beispielsweise verschiedene Arten von alkalilöslichen Harzen, wie Novolackharze, die aus einer phenolischen Verbindung, beispielsweise Phenol oder Kresol, und einem Aldehyd erhalten werden, Acrylsäureharze, Polyvinylalkohole, Poly(vinylalkylether), Styrol-Acrylsäure-Copolymere, Hydroxystyrolpolymere, Poly(vinylhydroxybenzoat) oder Poly(hydroxybenzal).

Die positiv-arbeitende Fotoresistzusammensetzung wird vorzugsweise in Form einer Lösung verwendet, die durch Lösen der oben angegebenen lichtempfindlichen Komponente und des filmbildenden Harzes in einem geeigneten organischen Lösungsmittel hergestellt wird.

Als organisches Lösungsmittel für diesen Zweck geeignet sind beispielsweise Ketone, wie Aceton, Methylethylketon, Cyclohexanon oder Isoamylketon, mehrwertige Alkohole, wie Ethylenglykol oder Diethylenglykol sowie deren Monoacetate, beispielsweise Ethylenglykol- und Diethylenglykol-monoacetat, sowie deren Monoether und beispielweise Monomethyl-, Monoethyl-, Monopropyl-, Monobutyl- und Monophenylether, cyclische Ether, wie Dioxan, und Ester, wie Ethylacetat und Butylacetat. Diese organischen Lösungsmittel können entweder allein oder ggf. als Kombination mindestens zweier Arten verwendet werden.

In Stufe (a) des erfindungsgemäßen Verfahrens wird die Oberfläche eines Substrats, wie einer Halbleiter-Siliciumscheibe, einheitlich mit der positiv-arbeitenden Fotoresistzusammensetzung in Form einer Lösung beschichtet, und zwar mit einer geeigneten Beschichtungsvorrichtung, wie einem Rotationsbedampfer oder einem Skalpell, und zu einer Fotoresistschicht auf der Substratfläche getrocknet.

In Stufe (b) des erfindungsgemäßen Verfahrens wird die gebildete positiv-arbeitende Fotoresistschicht bildmustergemäß mit UV-Licht bestrahlt. So kann die Fotoresistschicht bildmustergemäß durch eine das gewünschte Bildmuster aufweisende Fotomaske mit UV-Licht aus einer Lichtquelle, wie einer Niederdruck-, Hochdruck-, Ultrahochdruck-Quecksilberlampe, Bogenlampe oder Xenonlampe, bestrahlt werden. Andererseits hat das bildmustergemäße Abtasten mit Elektronenstrahlern eine der UV-Bestrahlung entsprechende Wirkung. Durch diese UV-Bestrahlung erhält die positiv-arbeitende Fotoresistzusammensetzung auf dem bildmustergemäß belichteten Flächen der Fotoresistschicht erhöhte Löslichkeit.

In Stufe (c) des erfindungsgemäßen Verfahrens wird das so gebildete latente Bild der Fotoresistschicht mit einer Entwicklerlösung, die die Fotoresistzusammensetzung an den bildmustergemäß belichteten, erhöht löslichen Stellen weglösen kann, entwickelt. Die Fotoresistschicht wird durch diese Entwicklung von den UV-bestrahlten Flächen weggelöst unter Zurücklassung einer bildmustergemäßen Fotoresistschicht an den nicht belichteten Flächen. Die Entwicklerlösung kann jede herkömmliche, für die Entwicklung von positiv- arbeitenden Fotoresistschichten verwendete Entwicklerlösung ohne Begrenzung sein; Entwicklerlösungen, die ein quartäres Ammoniumhydroxid als Alkalisierungsmittel, wie Tetraalkyl- und Trialkyl-2-hydroxyalkyl-ammoniumhydroxide, in einer Konzentration von 2 bis 7 Masse-% in Wasser als Lösungsmittel enthalten, werden bevorzugt. Besonders bevorzugt ist eine wäßrige Lösung von Tetramethylammoniumhydroxid oder Trimethyl- 2-hydroxyethylammoniumhydroxid als Entwicklerlösung.

In Stufe (d) des erfindungsgemäßen Verfahrens wird die Fotoresistschicht mit einer spezifischen Schaumentfernungslösung behandelt, die jede kleine Menge an auf der bildmustergemäßen Fotoresistschicht nach der Entwicklung zurückbleibendem Schaum weglösen kann. Diese Schaumentfernungslösung ist ein Gemisch eines quartären Ammoniumhydroxids und eines mit Wasser mischbaren organischen Lösungsmittels in entsprechender Konzentration.

Für diesen Zweck geeignete quartäre Ammoniumhydroxide sind Tetramethyl-, Tetraethyl-, Trimethylethyl-, Dimethyldiethyl-, Trimethyl-2-hydroxyethyl- und Dimethyl-di-(2-hydroxyethyl)- ammoniumhydroxid. Diese quartären Ammoniumhydroxide können entweder allein oder ggf. als Kombination von mindestens zwei Verbindungen verwendet werden. Besonders bevorzugt sind Tetramethylammoniumhydroxid und Trimethyl-2-hydroxyethylammoniumhydroxid.

Die Konzentration des quartären Ammoniumhydroxids in der wäßrigen Lösung sollte im Bereich von 0,5 bis 1,5 Masse-% oder vorzugsweise von 0,7 bis 1,3 Masse-% liegen. Bei einer zu niedrigen Konzentration ist die Lösegeschwindigkeit der Schäume stark vermindert. Bei einer zu hohen Konzentration andererseits hat die Lösung ein so hohes Lösevermögen, daß nicht nur die Schäume weggelöscht werden, sondern auch mehr oder weniger die bildmustergemäße Fotoresistschicht; die Genauigkeit der Bildmusterwiedergabe wird unnötig vermindert.

Die wäßrige Lösung von Tetramethylammoniumhydroxid oder Trimethyl-2-hydroxyethylammoniumhydroxid ist als Entwicklerlösung für positiv-arbeitende Fotoresistzusammensetzungen bekannt. Die herkömmlichen Entwicklerlösungen enthalten jedoch diese quartären Ammoniumhydroxide im allgemeinen in einer Konzentration von 2 bis 7 Masse-%, damit die Entwicklung voll wirksam ist. Die erfindungsgemäß verwendete Schaumentfernungslösung hingegen enthält das quartäre Ammoniumhydroxid in einer viel niedrigeren Konzentration als die herkömmlichen Entwicklerlösungen.

Das zur Herstellung der erfindungsgemäß verwendeten Schaumentfernungslösung verwendete, mit Wasser mischbare organische Lösungsmittel ist beispielsweise Ethylalkohol, n-Propylalkohol, Isopropylalkohol, Ethylenglykol-monomethylether, Ethylenglykol-monoethylether, Ethylenglykol-monobutylether, Aceton, Methylethylketon, Cyclohexanon, Cyclopentanon, Ethylenglykol- monomethylether-acetat oder Ethylenglykol-monoethylether- acetat. Die Menge an mit Wasser mischbarem organischem Lösungsmittel in der Schaumentfernungslösung sollte im Bereich von 1 bis 30 Masseteile oder vorzugsweise von 4 bis 20 Masseteile je 100 Masseteile der wäßrigen quartären Ammoniumhydroxidlösung liegen. Ist die Menge an mit Wasser mischbarem organischem Lösungsmittel zu gering, so hat die Lösung keine ausreichende Schaumentfernungswirkung. Bei einer zu großen Menge des organischen Lösungsmittels löst die Lösung die bildmustergemäße Fotoresistschicht sogar an den unbelichteten Flächen weg, so daß die Genauigkeit der bildmustergemäßen Wiedergabe mehr oder weniger vermindert ist. Das beruht darauf, daß die alkalilösliche Harzkomponente und die lichtempfindliche Naphthochinondiazid-Komponente der Fotoresistzusammensetzung in den oben angegebenen, mit Wasser mischbaren organischen Lösungsmitteln löslich sind. Deshalb ist für eine hohe Genauigkeit der Bildmusterwiedergabe der oben angegebene Anteil an organischem Lösungsmittel in der wäßrigen Lösung kritisch.

Das Spülen des Substrats mit der bildmustergemäßen Fotoresistschicht in Stufe (d) des erfindungsgemäßen Verfahrens mit der Schaumentfernungslösung kann nach jedem geeigneten Verfahren durchgeführt werden, wie Eintauchen, Besprühen oder Schwenken. Nachdem die Schäume vollständig weggelöst worden sind, wird das Substrat eingehend mit Wasser gespült und dann getrocknet. Auf diese Weise werden der auf der Substratfläche gebildeten, bildmustergemäßen Fotoresistschicht stark verbesserte Auflösungseigenschaften verliehen, ohne daß Schäume oder Filmrückstände auf den mit UV-Licht bestrahlten Flächen zurückbleiben. Gelegentlich ist es günstig, nach dem Entwickeln in Stufe (c) das Substrat vor der Behandlung mit der Schaumentfernungslösung mit Wasser zu spülen, um die Entwicklerlösung auf der Substratfläche so vollständig wie möglich zu entfernen und einen unerwünschten Einfluß der Entwicklerlösung auf die Genauigkeit des reproduzierten Fotoresistmusters auszuschalten.

Die Erfindung wird durch die Beispiele erläutert.

Beispiel 1

Eine Halbleiter-Siliciumscheibe mit einem Durchmesser von 10 cm wurde mit einer positiv-arbeitenden Fotoresistzusammensetzung (OFPR-5000 von Tokyo Ohka Kogyo Co.) mit einem Rotationsbedampfer zu einer Fotoresistschicht mit einer Dicke von 1,3 µm beschichtet und auf einer heißen Platte bei 110°C 90 s getrocknet. Die Fotoresistschicht wurde dann bildmustergemäß durch eine Rasterversuchsmaske mit einem Apparat für verkleinernde Projektion (Modell DSW 4800 von GCA Co.) mit UV-Licht bestrahlt und durch 25 s langes Schwenken bei 23°C in einer 2,38 Masse-%-igen wäßrigen Tetramethylammoniumhydroxyidlösung entwickelt. Die Siliciumscheibe wurde dann 20 s in einer Schaumentfernungslösung bei 23°C zur Entfernung des Schaums geschwenkt, mit Wasser eingehend gespült und zu einer bildmustergemäßen Fotoresistschicht auf der Substratoberfläche getrocknet.

Die hier verwendete Schaumentfernungslösung war ein Gemisch einer 1,3 Masse-%-igen wäßrigen Tetramethylammoniumhydroxidlösung und eines mit Wasser mischbaren organischen Lösungsmittels. In Tabelle 1 sind die Mengen des verwendeten organischen Lösungsmittels in Masseteile je 100 Masseteile der wäßrigen Tetramethylammoniumhydroxidlösung angegeben. In Tabelle 1 ist auch die Lichtempfindlichkeit in ms angegeben, d. h., die Mindestbelichtungszeit, die für jede Kombination von Entwicklung und Schaumentfernungsbehandlung mit der Schaumentfernungslösung notwendig ist, um die Fotoresistschicht an den nicht belichteten Flächen vollständig wegzulösen.

Wird nach der Entwicklung die oben angegebene Schaumentfernungsbehandlung durchgeführt, so bleiben keine Schaumreste in den freien Flächen der bildmustergemäßen Fotoresistschicht mit einer Dicke von 1 µm oder in den Kontaktfenstern mit 1,3 µm zurück. Wird die Schaumentfernungsbehandlung nach der Entwicklung weggelassen, so werden sowohl an den freien Flächen wie auch den Kontaktfenstern der bilsmustergemäßen Fotoresistschicht Schaumreste gefunden. Die Lichtempfindlichkeit bei Weglassen der Schaumentfernungsbehandlung beträgt 120 ms.

Tabelle 1

Beispiel 2

Die Fotoresistschicht wurde auf einer Anzahl von Halbleiter- Siliciumscheiben gemäß Beispiel 1 hergestellt mit dem Unterschied jedoch, daß die Entwicklungszeit verändert und die Schaumentfernungsbehandlung verschieden lang durchgeführt wurde, und zwar mit einer Entfernerlösung, die 100 Masseteile einer 1,3 Masse-%-igen wäßrigen Tetramethylammoniumhydroxidlösung und 15 Masseteile Isopropylalkohol enthielt. In Tabelle 2 ist die Lichtempfindlichkeit in ms für jeden dieser Versuche mit unterschiedlicher Dauer der Entwicklung und der Schaumentfernung angegeben. Die Vollständigkeit der Schaumentfernung wurde durch elektronenmikroskopische Untersuchungen der freien Flächen mit einer Dicke von 1 µm in der bildmustergemäßen Fotoresistschicht untersucht und wie folgt bewertet:

A = überhaupt keine Schaumreste,
B = geringe Mengen an Schaumresten und
C = große Mengen an Schaumresten.

Tabelle 2

Claims

1. Verfahren zur Herstellung einer bildmustergemäßen Fotoresistschicht auf einer Substratfläche durch

(a) Beschichten einer Substratfläche mit einer positiv arbeitenden Fotoresistzusammensetzung,
(b) bildmustergemäße UV-Bestrahlung der positiv arbeitenden Fotoresistschicht zur Erhöhung ihrer Löslichkeit an den UV-bestrahlten Flächen,
(c) Weglösen der Fotoresistschicht an den UV-bestrahlten Flächen mit einer Entwicklerlösung zu einer bildmustergemäßen Fotoresistschicht auf der Substratfläche,

gekennzeichnet durch

2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch Verwendung von Tetramethylammoniumhydroxid oder Trimethyl- 2-hydroxyethylammoniumhydroxid als quartäres Ammoniumhydroxid.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch Verwendung eines Gemisches von 100 Masseteilen einer wäßrigen quartären Ammoniumhydroxidlösung und 1 bis 30 Masseteilen eines mit Wasser mischbaren organischen Lösungsmittels als Schaumentfernungsmittel.

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch Verwendung einer wäßrigen Lösung mit einem Gehalt von 0,5 bis 1,5 Masse-% quartärem Ammoniumhydroxid.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, gekennzeichnet durch Verwendung von Ethylalkohol, n-Propylalkohol, Isopropylalkohol, Ethylenglykol-monomethylether, Ethylenglykol- monoethylether, Ethylenglykol-monobutylether, Aceton, Methylethylketon, Cyclohexanon, Cyclopentanon, Ethylenglykol- monomethylether-acetat und/oder Ethylenglykol- monomethylether-acetat als mit Wasser mischbarem organischen Lösungsmittel.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, gekennzeichnet durch Verwendung einer wäßrigen Lösung mit einem Gehalt von 2 bis 7 Masse-% eines quartären Ammoniumhydroxids als Entwicklerlösung.

7. Schaumentfernungsmittel zur Verwendung im Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, gekennzeichnet durch

(a) 100 Masseteile einer wäßrigen Lösung eines quartären Ammoniumhydroxids in einer Konzentration von 0,5 bis 1,5 Masse-% und
(b) von 1 bis 30 Masseteile eines mit Wasser mischbaren organischen Lösungsmittels.