JP5333622B2 - 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
ここで、λは露光波長、NAは投影光学系の開口数、k1はプロセス係数である。この式(1)より、使用する露光波長(露光光の波長)が短くなるほど、また投影光学系の開口数(NA)が大きいほど、解像度Rは高くなる。そのため、集積回路の微細化に伴い投影露光装置で使用される露光波長は年々短波長化しており、今日では、KrFエキシマレーザ(波長248nm)より短波長のArFエキシマレーザ(波長193nm)を光源とする露光装置も実用化されている。また、投影光学系の開口数も次第に増大してきている。
なお、本明細書においては、水以外の液体を用いた場合に、先端レンズなどに形成される染みも水染み(ウォーターマーク)と称する。
すなわち、一方のステージ上に液体が保持された状態から、両方のステージ上に跨って液体が保持される状態を経て、他方のステージ上に液体が保持された状態に、液体の全回収、再度の供給という工程を経ることなく、遷移させることが可能となる。従って、第1の状態から第2の状態への遷移を短時間で行うことが可能となる。
以下、本発明の第1の実施形態を図1〜図10に基づいて説明する。
この照明系10では、レチクルブラインドで規定されたレチクルR上のスリット状の照明領域をエネルギビームとしての照明光(露光光)ILによりほぼ均一な照度で照明する。
ここで、照明光ILとしては、一例としてArFエキシマレーザ光(波長193nm)が用いられている。また、オプティカルインテグレータとしては、フライアイレンズ、ロッドインテグレータ(内面反射型インテグレータ)あるいは回折光学素子などを用いることができる。この他、照明系10として、例えば特開平6−349701号公報及びこれに対応する米国特許第5,534,970号などに開示される構成を採用しても良い。本国際出願で指定した指定国(又は選択した選択国)の国内法令が許す限りにおいて、上記各公報及び対応する米国特許出願公開明細書又は米国特許における開示を援用して本明細書の記載の一部とする。
これらのX軸リニアガイド86、87は、例えばX軸方向に沿って所定間隔でかつ交互に配置されたN極磁石とS極磁石の複数の組から成る永久磁石群を内蔵する磁極ユニットによって構成されている。これらのX軸リニアガイド86、87の上方には、各2つのスライダ82,84及び83,85が、対応するX軸リニアガイド86、87を上方から取り囲む状態で非接触で設けられている。すなわち、合計4つのスライダ82、84、83、85は、X軸リニアガイド86又は87を上方及び側方から囲むような断面逆U字状の形状を有し、対応するX軸リニアガイド86又は87に対して不図示のエアパッドをそれぞれ介して例えば数μm程度のクリアランスを介して浮上支持されている。スライダ82、84、83、85のそれぞれは、例えばX軸方向に沿って所定間隔で配置された電機子コイルをそれぞれ内蔵する電機子ユニットによって構成されている。すなわち、本実施形態では、電機子ユニットから成るスライダ82、84と磁極ユニットから成るX軸リニアガイド86とによって、ムービングコイル型のX軸リニアモータがそれぞれ構成されている。同様にスライダ83、85とX軸リニアガイド87とによって、ムービングコイル型のX軸リニアモータがそれぞれ構成されている。以下においては、上記4つのX軸リニアモータのそれぞれを、それぞれの可動子を構成するスライダ82、84、83、85と同一の符号を用いて、適宜、X軸リニアモータ82、X軸リニアモータ84、X軸リニアモータ83、及びX軸リニアモータ85と呼ぶものとする。
なお、補助プレート72a〜72dは、一つの部材で構成しても良い。また、投影光学系PLの像面側に液体Lqを保持可能であれば、ウエハ表面と補助プレート表面との間に段差があっても良い。
従って、これらのY軸干渉計44,46,48では、ウエハステージWST1又はWST2のY軸方向の位置計測以外に、X軸回りの回転量(ピッチング量)の計測が可能となっている。
この場合、先端レンズ91とウエハW1(又はW2)との間に保持された水Lqは、常に入れ替わっている。
また、ウエハの移動方向とは無関係に、供給ノズル21a〜21c,22a〜22c,27a,28aから液体Lqを供給しつづけ、回収ノズル23a,23b,24a,24b,29a,29b,30a,30bから液体Lqを回収し続けるようにしても良い。
また、液体給排システムは上述の図4の形態に限られず、投影光学系PLの像面側に液浸領域を形成することができれば、いろいろな形態を適用することができる。
なお焦点位置検出系は、ウエハ表面の位置情報を液体を介して検出するものであっても良いし、液体を介さずに検出するものであっても良い。また焦点位置検出系は、投影光学系PLの像面側でウエハ表面の位置情報を検出するものに限られず、投影光学系PLから離れた場所でウエハ表面の位置情報を検出するものであっても良い。
このとき、基準マーク板FM2上の一対の第1基準マーク及びレチクルアライメントマークの像の検出は、投影光学系PL及び水を介して行われる。
次に、本発明の第2の実施形態を図11〜図15(B)に基づいて説明する。ここで、前述した第1の実施形態と同一若しくは同等の部分については、同一の符号を用いるとともにその説明を簡略にし、若しくは省略するものとする。この第2の実施形態の露光装置では、ウエハステージ装置の構成等、及び2つのウエハステージを用いた並行処理動作が前述の第1の実施形態と異なる。また、マーク検出系が1つのみ設けられている点が、前述の第1の実施形態と異なる。その他の部分の構成等は、前述の第1の実施形態と同様になっている。従って、以下では重複説明を避ける観点から相違点を中心として説明する。
なお、上記の移動の間中、ウエハステージWST1’、WST2’は弾性シール部材93を介して相互に接触する位置関係を保っている。
次に、本発明の第3の実施形態について、図16〜図18(B)に基づいて説明する。
ここで、前述した第1の実施形態と同一若しくは同等の部分については、同一の符号を用いるとともにその説明を簡略にし、若しくは省略するものとする。この第3の実施形態の露光装置では、ウエハステージ装置の構成等が前述した第1の実施形態と異なるのみで、その他の部分の構成は、同様になっている。従って、以下では重複説明を避ける観点から相違点を中心として説明する。
またウエハステージWSTには、計測用の部材を搭載しても良いし、搭載してなくても良い。
図17(B)には、上記の移動の途中に水(液浸領域)がウエハステージWST、計測ステージMST上に同時に跨って存在するときの状態、すなわちウエハステージWST上から計測ステージMST上に水が渡される直前の状態が示されている。
なお、ウエハW上の各ショット領域の露光のための加速開始位置へのウエハステージWSTの移動は、上記のウエハアライメントの結果得られたウエハW上の複数のショット領域の位置座標と、直前に計測したベースラインとに基づいて行われる。
またウエハの交換毎などに計測ステージMSTに搭載された計測用部材を使って各種の計測を行って、その後の露光動作に計測結果を反映させることができるので、常に高精度に調整された状態でウエハの露光を行うことができる。
また、遷移の際の両ステージの間隙への水(液体)の漏れ出しは、漏れ出し量がわずかであれば許容される場合もあり得るので、遷移の際の両ステージの間隔は、ステージの材質やステージ表面の状態や形状、液体の種類だけでなく、漏れ出しの許容量を考慮して決めるようにしても良い。
次に、本発明の第4の実施形態について、図20〜図23(B)に基づいて説明する。
ここで、前述した第3の実施形態と同一若しくは同等の部分については、同一の符号を用いるとともにその説明を簡略にし、若しくは省略するものとする。この第4の実施形態の露光装置では、ウエハステージ装置の構成(干渉計の配置を含む)が前述した第3の実施形態と一部相違するのみで、その他の部分の構成等は、その第3の実施形態の装置と同様になっている。従って、以下では重複説明を避ける観点から相違点を中心として説明する。
この場合、庇部111aの上面と計測ステージMST’の上面の夫々を撥水性(水との接触角が80°以上)にすることによって、その隙間への水の浸入をより確実に防止することができる。なお、この移動の間に、干渉計IF2からの干渉計ビームは計測ステージMST’の端面Sbに当たらなくなるが、それとほぼ同時に(その直前又は直後に)干渉計IF3の干渉計ビームが計測ステージMST’の端面Sbに当たるようになるので、その時点で干渉計IF3のリセット(又はプリセット)が主制御装置20によって実行されている。
次に上記各実施形態の露光装置をリソグラフィ工程で使用するデバイスの製造方法の実施形態について説明する。
以上のステップ211〜ステップ214それぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
Claims (102)
- 投影光学系と液体とを介してエネルギビームで基板を露光する露光装置であって、
前記投影光学系の下に液体を供給する液浸システムと、
それぞれ基板を載置する第1、第2ステージと、
前記供給される液体によって前記投影光学系の下に形成される液浸領域を維持する前記第1、第2ステージの一方が他方に置き換えられるように、前記投影光学系の下方で前記液浸領域に対して前記第1、第2ステージを移動する駆動システムと、を備え、
前記第1、第2ステージはその端部が対向した状態で前記液浸領域に対して移動されるとともに、前記対向する第1、第2ステージの端部が、前記第1ステージの前記第2ステージへの置換と、前記第2ステージの前記第1ステージへの置換とで互いに異なる。 - 投影光学系と液体とを介してエネルギビームで基板を露光する露光装置であって、
前記投影光学系の下に液体を供給する液浸システムと、
それぞれ基板を載置する第1、第2ステージと、
前記第1、第2ステージを駆動する駆動システムと、を備え、
前記駆動システムは、前記供給される液体によって前記投影光学系の下に形成される液浸領域に対して、一方が前記投影光学系と対向して配置される前記第1、第2ステージを移動し、この移動により、前記一方のステージの代わりに前記投影光学系と対向して配置される前記第1、第2ステージの他方によって前記投影光学系の下に前記液浸領域が維持され、
前記第1、第2ステージはその端部が対向した状態で前記液浸領域に対して移動されるとともに、前記対向する第1、第2ステージの端部が、前記第1ステージの前記第2ステージへの置換と、前記第2ステージの前記第1ステージへの置換とで互いに異なる。 - 投影光学系と液体とを介してエネルギビームで基板を露光する露光装置であって、
前記投影光学系の下に液体を供給する液浸システムと、
それぞれ基板を載置する第1、第2ステージと、
前記第1、第2ステージを駆動する駆動システムと、を備え、
前記駆動システムは、前記供給される液体によって前記投影光学系の下に形成される液浸領域が前記投影光学系と前記第1、第2ステージの一方との間に維持される第1状態から、前記液浸領域が前記投影光学系と前記第1、第2ステージの他方との間に維持される第2状態に遷移するように、前記投影光学系の下方で前記液浸領域に対して前記第1、第2ステージを移動し、
前記第1、第2ステージはその端部が対向した状態で前記液浸領域に対して移動されるとともに、前記対向する第1、第2ステージの端部が、前記第1ステージの前記第2ステージへの置換と、前記第2ステージの前記第1ステージへの置換とで互いに異なる。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージは、所定方向に関する位置関係が前記第1ステージの前記第2ステージへの置換と前記第2ステージの前記第1ステージへの置換とで異なるようにその位置関係が変更される。 - 請求項4に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージは、前記第1ステージの前記第2ステージへの置換において前記第1、第2ステージの第1端部が対向するように配置されるとともに、前記第2ステージの前記第1ステージへの置換において前記第1端部と異なる、前記第1、第2ステージの第2端部が対向するように配置される。 - 請求項5に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記第1、第2端部が前記所定方向に関して両端の端部である。 - 請求項4〜6のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージは、前記第1ステージの前記第2ステージへの置換と、前記第2ステージの前記第1ステージへの置換とで、前記液浸領域に対して、前記所定方向に関して同一向きに移動される。 - 請求項1〜7のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動による、前記第1、第2ステージの一方の他方への置換において、前記液浸領域は、前記投影光学系の下に維持される。 - 請求項1〜8のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動によって、前記液浸領域は、前記第1、第2ステージの少なくとも一方によって前記投影光学系の下に維持されつつ前記第1、第2ステージの一方から他方に移動する。 - 請求項9に記載の露光装置において、
前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動の途中で、前記液浸領域は、前記1、第2ステージの両方によって前記投影光学系の下に維持される。 - 請求項1〜10のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージは、その少なくとも一方によって前記投影光学系の下に前記液浸領域が維持されるように、互いに近接または接触した状態が実質的に維持されつつ前記液浸領域に対して移動される。 - 請求項1〜11のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記駆動システムは、前記投影光学系の下に前記液浸領域が実質的に維持されるように近接した状態、または前記第1、第2ステージの間隙からの液体の漏出が防止又は抑制されるように近接した状態、または接触した状態で、前記第1、第2ステージを前記液浸領域に対して移動する。 - 請求項11又は12に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージは、所定方向に関して前記近接または接触した状態で、その境界またはその間隙が前記液浸領域の下を通るように移動されるとともに、前記所定方向に関する位置関係が前記第1ステージの前記第2ステージへの置換と前記第2ステージの前記第1ステージへの置換とで異なるように配置される。 - 請求項13に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージは、前記所定方向に関して並置され、前記液浸領域が前記対向した端部を横切るように前記所定方向に移動される。 - 請求項1〜14のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージは、前記投影光学系と対向して配置される前記一方のステージに対して前記他方のステージが接近するように相対移動され、前記接近した第1、第2ステージが前記液浸領域に対して移動される。 - 請求項15に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記第1、第2ステージが移動される所定方向に関して互いに接近し、前記第1ステージの前記第2ステージへの置換と前記第2ステージの前記第1ステージへの置換とで、前記所定方向に関して前記第1、第2ステージの配置が逆となるように相対移動される。 - 請求項16に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージは、前記所定方向と交差する方向に関しても接近するように相対移動される。 - 請求項1〜17のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記第1、第2ステージが移動される所定方向と交差する方向に関してその位置関係が調整されるように相対移動される。 - 請求項1〜18のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはその位置関係が実質的に維持されつつ前記液浸領域に対して移動される。 - 請求項19に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記第1、第2ステージが移動される所定方向に関して実質的にその位置関係が維持される。 - 請求項1〜20のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記基板の一部に前記液浸領域が位置するように移動され、
前記基板は、前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して前記エネルギビームで露光される。 - 請求項1〜21のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、上面の一部に配置される前記基板の載置領域を有し、前記上面と、前記載置領域に載置される基板との少なくとも一方によって、前記投影光学系の下に前記液浸領域を維持可能である。 - 請求項22に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記上面によって、前記載置領域に載置される基板から外れる前記液浸領域の少なくとも一部を保持する。 - 請求項22又は23に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記基板の表面が前記上面とほぼ面一となるように前記基板を前記載置領域に載置する。 - 請求項22〜24のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記上面の一部に配置される基準部材を有し、前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して前記エネルギビームが前記基準部材に照射されるように移動される。 - 請求項25に記載の露光装置において、
前記基準部材はその表面が前記上面とほぼ面一となるように設けられる。 - 請求項25又は26に記載の露光装置において、
前記基準部材は、前記基板の露光に用いられるマスクのマーク検出で用いられる。 - 請求項1〜27のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記基板の載置領域と、内部に前記載置領域が配置される補助部材と、を有し、その上面が前記補助部材によって実質的に同一面となるように設定される。 - 請求項1〜28のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1ステージに載置される基板の露光動作と、前記第2ステージに載置される基板の露光動作とが交互に行われ、前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動はその露光動作の間に行われる。 - 請求項1〜29のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージを交互に用いて複数の基板の露光動作が行われ、前記液浸領域は、前記複数の基板の露光動作において前記投影光学系の下に維持される。 - 請求項1〜30のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動の前後の少なくとも一方において、前記第1ステージと前記第2ステージとで互いに異なる動作が並行して行われる。 - 請求項1〜31のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記基板の計測、露光、及び交換が行われるように移動され、
前記基板の露光前後でそれぞれ、前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動が行われる。 - 請求項32に記載の露光装置において、
前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動に先立ち、前記第1、第2ステージの一方に載置される基板の露光と並行して、前記第1、第2ステージの他方に載置される基板の計測又は交換が行われる。 - 請求項33に記載の露光装置において、
前記計測が行われた基板を載置する前記他方のステージは、前記投影光学系と対向して配置される前記一方のステージに対して接近するように相対移動され、前記液浸領域に対する前記接近した第1、第2ステージの移動に続いて、前記他方のステージに載置される基板の露光動作が開始される。 - 請求項34に記載の露光装置において、
前記液浸領域に対する前記接近した第1、第2ステージの移動によって前記投影光学系の下から離脱した前記一方のステージは、前記露光された基板の交換が行われる。 - 請求項1〜35のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記基板のマークを検出するマーク検出系を、さらに備え、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記基板の露光に先立ち、前記マーク検出系によるマーク検出を含む前記基板の計測が行われるように移動される。 - 請求項36に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ基準部材を有し、前記マーク検出系によって前記基板のマークと前記基準部材とが検出される。 - 請求項1〜37のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記基板は、前記液体を介して露光が行われるとともに、前記液体を介すことなくマーク検出が行われる。 - 請求項1〜38のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記基板は走査露光が行われ、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して、前記走査露光時に前記基板が移動される走査方向と交差する所定方向に移動される。 - 請求項1〜39のいずれか一項に記載の露光装置において、
所定方向と交差する方向に関して前記投影光学系と位置が異なるマーク検出系を、さらに備え、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項1〜40のいずれか一項に記載の露光装置において、
所定方向に交差する方向に関して前記投影光学系と異なる位置で、前記第1、第2ステージにそれぞれ載置される基板の交換が行われ、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項1〜41のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、所定方向と交差する方向に関して前記第1領域と位置が異なる第2領域との一方から他方に移動され、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項1〜39のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記投影光学系と所定方向に関して異なる位置に配置されるマーク検出系を、さらに備え、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項1〜39、43のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記投影光学系と所定方向に関して異なる位置で、前記第1、第2ステージにそれぞれ載置される基板の交換が行われ、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項1〜39、43、44のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、前記第1領域と所定方向に関して位置が異なる第2領域との一方から他方に移動され、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項42又は45に記載の露光装置において、
前記第2領域において、前記基板のマーク検出及び/又は交換が行われる。 - 請求項1〜46のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、前記第1領域と異なる第2領域との一方から他方に移動されるとともに、前記第1領域から前記第2領域への移動と前記第2領域から前記第1領域への移動とで異なる経路を辿るように移動される。 - 請求項1〜47のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、前記第1領域と異なる第2領域との一方から他方に移動され、
前記第1ステージと前記第2ステージとで、前記第2領域から前記第1領域への移動経路が同一となる。 - 請求項1〜48のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、前記第1領域と異なる第2領域との一方から他方に移動され、
前記第1ステージと前記第2ステージとで、前記第1領域から前記第2領域への移動経路が同一となる。 - 請求項1〜49のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸システムは、少なくとも前記基板の露光動作において、前記液浸領域への液体供給と、前記液浸領域からの液体回収とを常時行う。 - 投影光学系と液体とを介してエネルギビームで基板を露光する露光方法であって、
それぞれ基板を載置する第1、第2ステージを相対的に移動することと、
前記液体によって前記投影光学系の下に形成される液浸領域を維持する前記第1、第2ステージの一方が他方に置き換えられるように、前記投影光学系の下方で前記液浸領域に対して前記第1、第2ステージを移動することと、を含み、
前記第1、第2ステージはその端部が対向した状態で前記液浸領域に対して移動されるとともに、前記対向する第1、第2ステージの端部が、前記第1ステージの前記第2ステージへの置換と、前記第2ステージの前記第1ステージへの置換とで互いに異なる。 - 投影光学系と液体とを介してエネルギビームで基板を露光する露光方法であって、
それぞれ基板を載置する第1、第2ステージを相対的に移動することと、
前記液体によって前記投影光学系の下に形成される液浸領域に対して、一方が前記投影光学系と対向して配置される前記第1、第2ステージを移動することと、を含み、
この移動により前記一方のステージの代わりに前記投影光学系と対向して配置される前記第1、第2ステージの他方によって前記投影光学系の下に前記液浸領域が維持され、
前記第1、第2ステージはその端部が対向した状態で前記液浸領域に対して移動されるとともに、前記対向する第1、第2ステージの端部が、前記第1ステージの前記第2ステージへの置換と、前記第2ステージの前記第1ステージへの置換とで互いに異なる。 - 投影光学系と液体とを介してエネルギビームで基板を露光する露光方法であって、
それぞれ基板を載置する第1、第2ステージを相対的に移動することと、
前記液体によって前記投影光学系の下に形成される液浸領域が前記投影光学系と前記第1、第2ステージの一方との間に維持される第1状態から、前記液浸領域が前記投影光学系と前記第1、第2ステージの他方との間に維持される第2状態に遷移するように、前記投影光学系の下方で前記液浸領域に対して前記第1、第2ステージを移動することと、を含み、
前記第1、第2ステージはその端部が対向した状態で前記液浸領域に対して移動されるとともに、前記対向する第1、第2ステージの端部が、前記第1ステージの前記第2ステージへの置換と、前記第2ステージの前記第1ステージへの置換とで互いに異なる。 - 請求項51〜53のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージは、所定方向に関する位置関係が前記第1ステージの前記第2ステージへの置換と前記第2ステージの前記第1ステージへの置換とで異なるようにその位置関係が変更される。 - 請求項54に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージは、前記第1ステージの前記第2ステージへの置換において前記第1、第2ステージの第1端部が対向するように配置されるとともに、前記第2ステージの前記第1ステージへの置換において前記第1端部と異なる、前記第1、第2ステージの第2端部が対向するように配置される。 - 請求項55に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記第1、第2端部が前記所定方向に関して両端の端部である。 - 請求項54〜56のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージは、前記第1ステージの前記第2ステージへの置換と、前記第2ステージの前記第1ステージへの置換とで、前記液浸領域に対して、前記所定方向に関して同一向きに移動される。 - 請求項51〜57のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動による、前記第1、第2ステージの一方の他方への置換において、前記液浸領域は、前記投影光学系の下に維持される。 - 請求項51〜58のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動によって、前記液浸領域は、前記第1、第2ステージの少なくとも一方によって前記投影光学系の下に維持されつつ前記第1、第2ステージの一方から他方に移動する。 - 請求項59に記載の露光方法において、
前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動の途中で、前記液浸領域は、前記1、第2ステージの両方によって前記投影光学系の下に維持される。 - 請求項51〜60のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージは、その少なくとも一方によって前記投影光学系の下に前記液浸領域が維持されるように、互いに近接または接触した状態が実質的に維持されつつ前記液浸領域に対して移動される。 - 請求項51〜61のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージは、前記投影光学系の下に前記液浸領域が実質的に維持されるように近接した状態、または前記第1、第2ステージの間隙からの液体の漏出が防止又は抑制されるように近接した状態、または接触した状態で前記液浸領域に対して移動される。 - 請求項61又は62に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージは、所定方向に関して前記近接または接触した状態で、その境界またはその間隙が前記液浸領域の下を通るように移動されるとともに、前記所定方向に関する位置関係が前記第1ステージの前記第2ステージへの置換と前記第2ステージの前記第1ステージへの置換とで異なるように配置される。 - 請求項63に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージは、前記所定方向に関して並置され、前記液浸領域が前記対向した端部を横切るように前記所定方向に移動される。 - 請求項51〜64のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージは、前記投影光学系と対向して配置される前記一方のステージに対して前記他方のステージが接近するように相対移動され、前記接近した第1、第2ステージが前記液浸領域に対して移動される。 - 請求項65に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記第1、第2ステージが移動される所定方向に関して互いに接近し、前記第1ステージの前記第2ステージへの置換と前記第2ステージの前記第1ステージへの置換とで、前記所定方向に関して前記第1、第2ステージの位置が逆となるように相対移動される。 - 請求項66に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージは、前記所定方向と交差する方向に関しても接近するように相対移動される。 - 請求項51〜67のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記第1、第2ステージが移動される所定方向と交差する方向に関してその位置関係が調整されるように相対移動される。 - 請求項51〜68のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはその位置関係が実質的に維持されつつ前記液浸領域に対して移動される。 - 請求項69に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記第1、第2ステージが移動される所定方向に関して実質的にその位置関係が維持される。 - 請求項51〜70のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記基板の一部に前記液浸領域が位置するように移動され、
前記基板は、前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して前記エネルギビームで露光される。 - 請求項51〜71のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、一部に前記基板の載置領域が配置される上面と、前記載置領域に載置される基板との少なくとも一方によって、前記投影光学系の下に前記液浸領域を維持可能である。 - 請求項72に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記上面によって、前記載置領域に載置される基板から外れる前記液浸領域の少なくとも一部を保持する。 - 請求項72又は73に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記基板の表面が前記上面とほぼ面一となるように前記基板を前記載置領域に載置する。 - 請求項72〜74のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して前記エネルギビームが、前記上面の一部に配置される基準部材に照射されるように移動される。 - 請求項75に記載の露光方法において、
前記基準部材はその表面が前記上面とほぼ面一となるように設けられる。 - 請求項75又は76に記載の露光方法において、
前記基準部材は、前記基板の露光に用いられるマスクのマーク検出で用いられる。 - 請求項51〜77のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、内部に前記基板の載置領域が配置される補助部材によって、その上面が実質的に同一面となるように設定される。 - 請求項51〜78のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1ステージに載置される基板の露光動作と、前記第2ステージに載置される基板の露光動作とが交互に行われ、前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動はその露光動作の間に行われる。 - 請求項51〜79のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージを交互に用いて複数の基板の露光動作が行われ、前記液浸領域は、前記複数の基板の露光動作において前記投影光学系の下に維持される。 - 請求項51〜80のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動の前後の少なくとも一方において、前記第1ステージと前記第2ステージとで互いに異なる動作が並行して行われる。 - 請求項51〜81のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記基板の計測、露光、及び交換が行われるように移動され、
前記基板の露光前後でそれぞれ、前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動が行われる。 - 請求項82に記載の露光方法において、
前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動に先立ち、前記第1、第2ステージの一方に載置される基板の露光と並行して、前記第1、第2ステージの他方に載置される基板の計測又は交換が行われる。 - 請求項83に記載の露光方法において、
前記計測が行われた基板を載置する前記他方のステージは、前記投影光学系と対向して配置される前記一方のステージに対して接近するように相対移動され、前記液浸領域に対する前記接近した第1、第2ステージの移動に続いて、前記他方のステージに載置される基板の露光動作が開始される。 - 請求項84に記載の露光方法において、
前記液浸領域に対する前記接近した第1、第2ステージの移動によって前記投影光学系の下から離脱した前記一方のステージは、前記露光された基板の交換が行われる。 - 請求項51〜85のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記基板の露光に先立ち、前記基板のマーク検出を含む前記基板の計測が行われるように移動される。 - 請求項86に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ基準部材を有し、前記基板のマークを検出するマーク検出系によって前記基板のマークと前記基準部材とが検出される。 - 請求項51〜87のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記基板は、前記液体を介して露光が行われるとともに、前記液体を介すことなくマーク検出が行われる。 - 請求項51〜88のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記基板は走査露光が行われ、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して、前記走査露光時に前記基板が移動される走査方向と交差する所定方向に移動される。 - 請求項51〜89のいずれか一項に記載の露光方法において、
所定方向と交差する方向に関して前記投影光学系と位置が異なるマーク検出系によって、前記基板のマーク検出が行われ、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項51〜90のいずれか一項に記載の露光方法において、
所定方向に交差する方向に関して前記投影光学系と異なる位置で、前記第1、第2ステージにそれぞれ載置される基板の交換が行われ、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項51〜91のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、所定方向と交差する方向に関して前記第1領域と位置が異なる第2領域との一方から他方に移動され、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項51〜89のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記投影光学系と所定方向に関して異なる位置に配置されるマーク検出系によって、前記基板のマーク検出が行われ、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項51〜89、93のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記投影光学系と所定方向に関して異なる位置で、前記第1、第2ステージにそれぞれ載置される基板の交換が行われ、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項51〜89、93、94のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、前記第1領域と所定方向に関して位置が異なる第2領域との一方から他方に移動され、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項92又は95に記載の露光方法において、
前記第2領域において、前記基板のマーク検出及び/又は交換が行われる。 - 請求項51〜96のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、前記第1領域と異なる第2領域との一方から他方に移動されるとともに、前記第1領域から前記第2領域への移動と前記第2領域から前記第1領域への移動とで異なる経路を辿るように移動される。 - 請求項51〜97のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、前記第1領域と異なる第2領域との一方から他方に移動され、
前記第1ステージと前記第2ステージとで、前記第2領域から前記第1領域への移動経路が同一となる。 - 請求項51〜98のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、前記第1領域と異なる第2領域との一方から他方に移動され、
前記第1ステージと前記第2ステージとで、前記第1領域から前記第2領域への移動経路が同一となる。 - 請求項51〜99のいずれか一項に記載の露光方法において、
少なくとも前記基板の露光動作において、前記液浸領域への液体供給と、前記液浸領域からの液体回収とが常時行われる。 - リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、
前記リソグラフィ工程では、請求項1〜50のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板上にデバイスパターンを転写することを特徴とするデバイス製造方法。 - リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、
前記リソグラフィ工程では、請求項51〜100のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板上にデバイスパターンを転写することを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012078281A JP5333622B2 (ja) | 2004-02-02 | 2012-03-29 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004025837 | 2004-02-02 | ||
JP2004025837 | 2004-02-02 | ||
JP2004300566 | 2004-10-14 | ||
JP2004300566 | 2004-10-14 | ||
JP2012078281A JP5333622B2 (ja) | 2004-02-02 | 2012-03-29 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011028991A Division JP5287896B2 (ja) | 2004-02-02 | 2011-02-14 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012142604A JP2012142604A (ja) | 2012-07-26 |
JP2012142604A5 JP2012142604A5 (ja) | 2013-06-06 |
JP5333622B2 true JP5333622B2 (ja) | 2013-11-06 |
Family
ID=34829444
Family Applications (16)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005517477A Expired - Fee Related JP4910394B2 (ja) | 2004-02-02 | 2005-01-27 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
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JP2011028992A Expired - Fee Related JP5287897B2 (ja) | 2004-02-02 | 2011-02-14 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011127624A Expired - Fee Related JP5287932B2 (ja) | 2004-02-02 | 2011-06-07 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012078251A Expired - Fee Related JP5344061B2 (ja) | 2004-02-02 | 2012-03-29 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012078281A Expired - Fee Related JP5333622B2 (ja) | 2004-02-02 | 2012-03-29 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2013080851A Expired - Fee Related JP5488741B2 (ja) | 2004-02-02 | 2013-04-08 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2013268680A Expired - Fee Related JP5630557B2 (ja) | 2004-02-02 | 2013-12-26 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP2014122324A Expired - Fee Related JP5761430B2 (ja) | 2004-02-02 | 2014-06-13 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP2015006834A Expired - Fee Related JP5930083B2 (ja) | 2004-02-02 | 2015-01-16 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP2015124507A Expired - Fee Related JP5935929B2 (ja) | 2004-02-02 | 2015-06-22 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP2016006012A Expired - Fee Related JP6052439B2 (ja) | 2004-02-02 | 2016-01-15 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP2016132653A Expired - Fee Related JP6222301B2 (ja) | 2004-02-02 | 2016-07-04 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP2017105222A Expired - Fee Related JP6327385B2 (ja) | 2004-02-02 | 2017-05-29 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
Family Applications Before (7)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005517477A Expired - Fee Related JP4910394B2 (ja) | 2004-02-02 | 2005-01-27 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2010012364A Expired - Fee Related JP4952803B2 (ja) | 2004-02-02 | 2010-01-22 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2010012363A Expired - Fee Related JP4952802B2 (ja) | 2004-02-02 | 2010-01-22 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011028991A Expired - Fee Related JP5287896B2 (ja) | 2004-02-02 | 2011-02-14 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011028992A Expired - Fee Related JP5287897B2 (ja) | 2004-02-02 | 2011-02-14 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011127624A Expired - Fee Related JP5287932B2 (ja) | 2004-02-02 | 2011-06-07 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012078251A Expired - Fee Related JP5344061B2 (ja) | 2004-02-02 | 2012-03-29 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Family Applications After (8)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013080851A Expired - Fee Related JP5488741B2 (ja) | 2004-02-02 | 2013-04-08 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2013268680A Expired - Fee Related JP5630557B2 (ja) | 2004-02-02 | 2013-12-26 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP2014122324A Expired - Fee Related JP5761430B2 (ja) | 2004-02-02 | 2014-06-13 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP2015006834A Expired - Fee Related JP5930083B2 (ja) | 2004-02-02 | 2015-01-16 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP2015124507A Expired - Fee Related JP5935929B2 (ja) | 2004-02-02 | 2015-06-22 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP2016006012A Expired - Fee Related JP6052439B2 (ja) | 2004-02-02 | 2016-01-15 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP2016132653A Expired - Fee Related JP6222301B2 (ja) | 2004-02-02 | 2016-07-04 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP2017105222A Expired - Fee Related JP6327385B2 (ja) | 2004-02-02 | 2017-05-29 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (15) | US7589822B2 (ja) |
EP (9) | EP2287894B1 (ja) |
JP (16) | JP4910394B2 (ja) |
KR (16) | KR101187615B1 (ja) |
CN (1) | CN101685263B (ja) |
AT (1) | ATE493753T1 (ja) |
DE (1) | DE602005025596D1 (ja) |
HK (8) | HK1093606A1 (ja) |
IL (7) | IL226838A (ja) |
SG (5) | SG185342A1 (ja) |
TW (14) | TWI390358B (ja) |
WO (1) | WO2005074014A1 (ja) |
Families Citing this family (193)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9482966B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US10503084B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121822A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG194264A1 (en) | 2003-04-11 | 2013-11-29 | Nikon Corp | Apparatus having an immersion fluid system configured to maintain immersion fluid in a gap adjacent an optical assembly |
KR20180132996A (ko) | 2003-06-19 | 2018-12-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
KR101419192B1 (ko) * | 2003-08-29 | 2014-07-15 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US20070030467A1 (en) * | 2004-02-19 | 2007-02-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device fabricating method |
JP4220423B2 (ja) * | 2004-03-24 | 2009-02-04 | 株式会社東芝 | レジストパターン形成方法 |
CN1950929B (zh) * | 2004-03-25 | 2011-05-25 | 株式会社尼康 | 曝光装置及曝光方法、以及组件制造方法 |
EP3462241A1 (en) * | 2004-06-21 | 2019-04-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and method for producing a device |
EP3306647A1 (en) | 2004-10-15 | 2018-04-11 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US7119876B2 (en) * | 2004-10-18 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN100533662C (zh) * | 2004-11-01 | 2009-08-26 | 株式会社尼康 | 曝光装置及器件制造方法 |
TWI588872B (zh) | 2004-11-18 | 2017-06-21 | 尼康股份有限公司 | Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method |
EP1833082A4 (en) * | 2004-12-06 | 2010-03-24 | Nikon Corp | SUBSTRATE PROCESSING METHOD, EXPOSURE METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS |
US7528931B2 (en) | 2004-12-20 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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USRE43576E1 (en) | 2005-04-08 | 2012-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8236467B2 (en) | 2005-04-28 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
CN101138070B (zh) * | 2005-08-05 | 2011-03-23 | 株式会社尼康 | 载台装置及曝光装置 |
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JP5077770B2 (ja) | 2006-03-07 | 2012-11-21 | 株式会社ニコン | デバイス製造方法、デバイス製造システム及び測定検査装置 |
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TWI454859B (zh) | 2006-03-30 | 2014-10-01 | 尼康股份有限公司 | 移動體裝置、曝光裝置與曝光方法以及元件製造方法 |
KR20090018024A (ko) | 2006-05-18 | 2009-02-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법 및 장치, 메인터넌스 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
SG172607A1 (en) | 2006-05-22 | 2011-07-28 | Nikon Corp | Exposure method and apparatus, maintenance method, and device manufacturing method |
CN102156389A (zh) | 2006-05-23 | 2011-08-17 | 株式会社尼康 | 维修方法、曝光方法及装置、以及组件制造方法 |
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CN100456138C (zh) * | 2006-06-13 | 2009-01-28 | 上海微电子装备有限公司 | 浸没式光刻机浸液流场维持*** |
CN101390194B (zh) | 2006-06-30 | 2011-04-20 | 株式会社尼康 | 维修方法、曝光方法及装置、以及元件制造方法 |
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KR101400615B1 (ko) | 2006-08-31 | 2014-05-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
EP3279738A1 (en) | 2006-08-31 | 2018-02-07 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
KR101660667B1 (ko) | 2006-09-01 | 2016-09-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 디바이스 제조 방법, 그리고 캘리브레이션 방법 |
TW201809913A (zh) | 2006-09-01 | 2018-03-16 | 日商尼康股份有限公司 | 曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法 |
US7872730B2 (en) * | 2006-09-15 | 2011-01-18 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus and immersion exposure method, and device manufacturing method |
KR101419196B1 (ko) | 2006-09-29 | 2014-07-15 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
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JP5630634B2 (ja) | 2007-07-13 | 2014-11-26 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
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-
2004
- 2004-02-02 US US10/588,029 patent/US7589822B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-01-27 SG SG2012080495A patent/SG185342A1/en unknown
- 2005-01-27 AT AT05704182T patent/ATE493753T1/de not_active IP Right Cessation
- 2005-01-27 CN CN2009101689947A patent/CN101685263B/zh active Active
- 2005-01-27 EP EP10186147.4A patent/EP2287894B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-27 KR KR1020117003627A patent/KR101187615B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 SG SG200903003-2A patent/SG152294A1/en unknown
- 2005-01-27 DE DE602005025596T patent/DE602005025596D1/de active Active
- 2005-01-27 KR KR1020157028041A patent/KR101698290B1/ko active Application Filing
- 2005-01-27 KR KR1020127015767A patent/KR101276423B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 EP EP10186153.2A patent/EP2284866B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-27 KR KR1020067012095A patent/KR101187616B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 KR KR1020177000846A patent/KR101824373B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 JP JP2005517477A patent/JP4910394B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-01-27 KR KR1020117003628A patent/KR101191061B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 EP EP16186291.7A patent/EP3139401A1/en not_active Withdrawn
- 2005-01-27 EP EP10186140.9A patent/EP2287893B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-27 EP EP15185639.0A patent/EP2998982B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-27 KR KR1020117003626A patent/KR101187618B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 KR KR1020157001506A patent/KR101673826B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 SG SG200903000-8A patent/SG152291A1/en unknown
- 2005-01-27 KR KR1020147017029A patent/KR101590742B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 KR KR1020187002348A patent/KR20180011877A/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 EP EP05704182A patent/EP1713113B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-27 KR KR1020117026306A patent/KR101276512B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 KR KR1020127019814A patent/KR101288139B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 KR KR1020117003587A patent/KR101235523B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 EP EP15179672.9A patent/EP2980834B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-27 SG SG2013076823A patent/SG195559A1/en unknown
- 2005-01-27 SG SG2012080503A patent/SG185343A1/en unknown
- 2005-01-27 EP EP10186134.2A patent/EP2267759B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-27 KR KR1020117003625A patent/KR101187614B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 EP EP15171838.4A patent/EP2960927B1/en active Active
- 2005-01-27 WO PCT/JP2005/001076 patent/WO2005074014A1/ja active Application Filing
- 2005-01-27 KR KR1020127019812A patent/KR101476015B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 KR KR1020137031485A patent/KR101539877B1/ko active IP Right Grant
- 2005-02-02 TW TW094103146A patent/TWI390358B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW101103185A patent/TWI521312B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW106100843A patent/TWI627511B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW101103186A patent/TWI499870B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW098120057A patent/TWI437374B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW098115103A patent/TWI443475B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW103100487A patent/TWI564673B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW098120060A patent/TWI437376B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW104127655A patent/TWI578114B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW107106822A patent/TW201823875A/zh unknown
- 2005-02-02 TW TW098120061A patent/TWI436170B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW098120058A patent/TWI437375B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW101146582A patent/TWI498680B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW104118470A patent/TWI596440B/zh not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-08-01 IL IL226838A patent/IL226838A/en active IP Right Grant
- 2006-08-01 IL IL226841A patent/IL226841A/en active IP Right Grant
- 2006-08-01 IL IL177221A patent/IL177221A/en active IP Right Grant
- 2006-10-23 HK HK06111676.2A patent/HK1093606A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-04-20 US US11/785,860 patent/US8045136B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-06-22 US US11/812,919 patent/US9632431B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-05-08 US US12/453,386 patent/US20090231564A1/en not_active Abandoned
- 2009-08-05 US US12/461,246 patent/US8547528B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-08-05 US US12/461,244 patent/US8553203B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-01-22 JP JP2010012364A patent/JP4952803B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-01-22 JP JP2010012363A patent/JP4952802B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-03-24 US US12/659,894 patent/US9665016B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-06-18 HK HK10106066.4A patent/HK1139469A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2010-10-07 US US12/923,784 patent/US8711328B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-10-07 US US12/923,783 patent/US8724079B2/en active Active
- 2010-10-07 US US12/923,786 patent/US8736808B2/en active Active
- 2010-10-07 US US12/923,785 patent/US8705002B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-02-14 JP JP2011028991A patent/JP5287896B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-02-14 JP JP2011028992A patent/JP5287897B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-05-23 HK HK11105039.9A patent/HK1151144A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2011-06-07 HK HK16109044.9A patent/HK1221071A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-06-07 HK HK16104747.0A patent/HK1217249A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-06-07 HK HK11105685.6A patent/HK1151631A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-06-07 HK HK11105679.4A patent/HK1151630A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-06-07 JP JP2011127624A patent/JP5287932B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-03-29 JP JP2012078251A patent/JP5344061B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-03-29 JP JP2012078281A patent/JP5333622B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-03-30 US US13/435,780 patent/US9684248B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-04-08 JP JP2013080851A patent/JP5488741B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-06-09 IL IL226841A patent/IL226841A0/en unknown
- 2013-06-09 IL IL226839A patent/IL226839A/en active IP Right Grant
- 2013-06-09 IL IL226838A patent/IL226838A0/en unknown
- 2013-06-09 IL IL226840A patent/IL226840A/en active IP Right Grant
- 2013-12-26 JP JP2013268680A patent/JP5630557B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-06-13 JP JP2014122324A patent/JP5761430B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-01-16 JP JP2015006834A patent/JP5930083B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-03-19 US US14/663,084 patent/US10007196B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-06-22 JP JP2015124507A patent/JP5935929B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-09-08 US US14/847,746 patent/US10139737B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-01-15 JP JP2016006012A patent/JP6052439B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2016-06-21 HK HK16107103.1A patent/HK1219172A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2016-07-04 JP JP2016132653A patent/JP6222301B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-05-29 JP JP2017105222A patent/JP6327385B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2018
- 2018-11-20 US US16/196,416 patent/US20190086815A1/en not_active Abandoned
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Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6327385B2 (ja) | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130411 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130702 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130715 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5333622 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |