JP5249921B2 - リン含有デヒドロアミノ酸の製造法 - Google Patents

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Description

関連出願
本出願は、2007年3月19日に出願された日本特許出願2007−69958号に基づく優先権を主張するものであり、該日本出願の全部を引用により本書に繰込む。
本発明は、除草剤として有用であるL−2−アミノ−4−(ヒドロキシメチルホスフィニル)−ブタン酸(以下L−AMPBと略記する)の製造中間体であるN−置換−2−アミノ−4−(置換オキシメチルホスフィニル)−2−ブテン酸エステルの製造法に関するものである。
N−置換−2−アミノ−4−(置換オキシメチルホスフィニル)−2−ブテン酸エステルは除草活性を有するL−AMPBの合成中間体であることはすでに知られている(特開昭62−226993号公報(特許文献1)、J.Org.Chem., 56,1783-1788(1991)(非特許文献1))。
現在までにN−置換−2−アミノ−4−(置換オキシメチルホスフィニル)−2−ブテン酸エステルの製法としては2−オキソ−4−(ヒドロキシメチルホスフィニル)−ブタン酸とアセトアミドを縮合することにより合成する方法およびホスフィニルアセトアルデヒド誘導体とイソシアノアセテートを縮合させることにより合成する方法が報告されている(特許文献1)。
ホスホリルグリシン誘導体とアルデヒドのHorner-Emmonsタイプの反応によりデヒドロアミノ酸合成する方法はすでに知られている(Synthesis 487(1992)(非特許文献2))。
特開昭62−226993号公報 J.Org.Chem., 56,1783-1788(1991) Synthesis 487(1992)
以下の分析が本発明により与えられる。上記特許文献1、ならびに非特許文献1および2の各全記載は、引用をもって本書に繰込み記載される。
しかし、特許文献1、非特許文献1などの方法では工程数が多い、収率が低い、試薬が高価である、などの問題点があるため、より効率の良い製法の確立が望まれている。
また、非特許文献2において、リンのような極性な置換基を有するアルデヒド化合物との反応に応用された例は知られていない。
本発明は、除草剤として有用であるL−AMPBの製造中間体であるN−置換−2−アミノ−4−(置換オキシメチルホスフィニル)−2−ブテン酸エステルを短工程で効率よく製造する方法を提供することを目的とする。
本発明者は、ホスホリルグリシン誘導体と含リンアルデヒド誘導体の反応を詳細に検討した結果、塩基を用いて反応を行うと高い収率でN−置換−2−アミノ−4−(置換オキシメチルホスフィニル)−2−ブテン酸エステルが得られることを見出し、本発明を完成した。
すなわち本発明は、第1の視点において、次式(3)
Figure 0005249921

[式中、Rは、C1−4アルキル基、アリール基、置換アリール基、アリールメチル基または、置換アリールメチル基を表し、
は、C1−4アルキル基、アリールメチル基または、置換アリールメチル基を表し、
は、C2−4アルカノイル基、ベンゾイル基、ベンジル基、C1−4アルキルオキシカルボニル基または、ベンジルオキシカルボニル基を表す]で表される化合物の製造方法であって、次式(1)
Figure 0005249921

[式中、Rは、前記で定義したことと同一の意味を表す]で表される化合物を塩基の存在下、次式(2)
Figure 0005249921

[式中、R、R'は、同一または異なってC1−4アルキル基、アリール基、置換アリール基、アリールメチル基または、置換アリールメチル基を表し、RおよびRは、前記で定義したことと同一の意味を表す]で表される化合物と反応させることを含む、方法を提供するものである。
本発明の製造法により除草剤L−AMPBの製造中間体であるN−置換−2−置換アミノ−4−(置換オキシメチルホスフィニル)−2−ブテン酸エステルを製造することができる。本発明の製造法は、従来の製造法に比べて安価に、短工程で効率よく合成できる方法として優れている。したがって、本発明は、特に除草効果が要求される薬剤の分野において、工業的に極めて有用である。
式(1)〜式(3)で表される化合物においてR、R、R2'、R、Rで示される基について説明する。
R、R、R2'およびRが表すC1−4アルキル基は炭素数1〜4の直鎖または分岐状のアルキル基を意味し、より具体的にはメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、2−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基などが挙げられる。
R、R、R2'およびRが表す基または基上のアリール基としてはフェニル基、または、ナフチル基などが挙げられる。
R、R、R2'およびRが表すアリールメチル基とは1〜3個のアリール基によって置換されているメチル基を意味し、より具体的にはベンジル基、ジフェニルメチル基、フルオレニル基、トリフェニルメチル基などが挙げられる。
R、RおよびR2'が表す置換アリール基とはそのベンゼン環上の1以上の水素原子、好ましくは1〜3個の水素原子が置換されていることを意味し、具体的な置換基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、2−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基などの直鎖または分岐状のC1−4アルキル基、フッ素基、クロル原子、ブロム原子などのハロゲン原子、メトキシ基などのC1−4アルコキシ基が挙げられる。
R、R、R2'およびRが表す、置換アリールメチル基とはそのベンゼン環上の1以上の水素原子、好ましくは1〜3個の水素原子が置換されていることを意味し、具体的な置換基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、2−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基などの直鎖または分岐状のC1−4アルキル基、フッ素基、クロル原子、ブロム原子などのハロゲン原子、メトキシ基などのC1−4アルコキシ基が挙げられる。
Rが表すC2−4アルカノイル基とは炭素数2〜4の直鎖または分岐状のアルカノイル基を意味し、より具体的にはアセチル基、n−プロパノイル基、n−ブタノイル基、イソブタノイル基などが挙げられる。
Rが表すC1−4アルキルオキシカルボニル基とは炭素数1〜4の直鎖または分岐状のアルキルを有するアルキルオキシカルボニル基を意味し、より具体的にはメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−プロピルオキシカルボニル基、イソプロピルオキシカルボニル基、n−ブチルオキシカルボニル基、2−ブチルオキシカルボニル基、イソブチルオキシカルボニル基、t−ブチルオキシカルボニル基などが挙げられる。
式(1)および式(3)の化合物において、Rは、好ましくはC1−4アルキル基であり、より好ましくはメチル基およびエチル基である。
式(1)で表される化合物の具体例としては、
2−(メトキシ(メチル)ホスフィニル)−アセトアルデヒド、
2−(エトキシ(メチル)ホスフィニル)−アセトアルデヒド、
2−(n-プロピルオキシ(メチル)ホスフィニル)−アセトアルデヒド、
2−(n-ブチルオキシ(メチル)ホスフィニル)−アセトアルデヒド、
2−(フェノキシ(メチル)ホスフィニル)−アセトアルデヒド、
2−(p−トリルオキシ(メチル)ホスフィニル)−アセトアルデヒド
2−(ベンジルオキシ(メチル)ホスフィニル)−アセトアルデヒドまたは、
2−(p−クロロベンジルオキシ(メチル)ホスフィニル)−アセトアルデヒドが挙げられ、好ましくは、2−(エトキシ(メチル)ホスフィニル)−アセトアルデヒドである。
式(1)の化合物は、Zu. Obshch. Khim., 46, 243 (1977)に記載されている方法により合成することができる。(この文献の開示は、引用をもって本書に繰込む。)
式(2)の化合物において、R2、R2'は、好ましくは同一または異なってC1−4アルキル基、アリール基であり、より好ましくは共にC1−4アルキル基である。
式(2)および式(3)の化合物において、R3は、好ましくはC1−4アルキル基であり、R4は、好ましくはC2−4アルカノイル基、C1−4アルキルオキシカルボニル基または、ベンジルオキシカルボニル基、より好ましくはベンジルオキシカルボニル基である。
したがって、式(2)において、R2およびR2'がC1−4アルキル基であり、R3が、C1−4アルキル基であり、R4が、C2−4アルカノイル基、C1−4アルキルオキシカルボニル基または、ベンジルオキシカルボニル基である化合物がより好ましい。
式(3)において、R1がC1−4アルキル基であり、R3が、C1−4アルキル基であり、R4が、C2−4アルカノイル基、C1−4アルキルオキシカルボニル基または、ベンジルオキシカルボニル基である化合物がより好ましい。
さらに本発明の好ましい態様としては、式(1)におけるR1がC1−4アルキル基であり、式(2)におけるR2、R2'およびR3がC1−4アルキル基であり、Rが、ベンジルオキシカルボニル基であり、式(3)におけるR1、R3およびRがこれらに対応する基である方法が挙げられる。
式(2)で表される化合物の具体例としては、以下に示す化合物が挙げられる。具体例中、Phはフェニル基を表し、Meはメチル基を表し、Etはエチル基を表す。
Figure 0005249921
好ましくは、以下に示す化合物である。
Figure 0005249921

式(2)の化合物はLiebigs Ann. Chem., 599 (1983) に記載されている方法により合成することができる。(この文献の開示は、引用をもって本書に繰込む。)
式(3)の化合物の具体例としては、以下に示す化合物が挙げられる。具体例中、Phはフェニル基を表し、Meはメチル基を表し、Etはエチル基を表す。
Figure 0005249921
好ましくは、以下に示す化合物である。
Figure 0005249921
式(1)の化合物と式(2)の化合物から式(3)の化合物を製造する方法において用いられる溶媒としては、塩化メチレン、クロロホルムなどのハロゲン化炭化水素系溶媒、ベンゼン、トルエンなどの芳香族炭化水素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、N、N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドなどの非プロトン性極性有機溶媒または、メタノールなどの炭素数1〜4のアルカノール溶媒が挙げられ、好ましくは、塩化メチレン、クロロホルム、テトラヒドロフランである。
用いられる塩基としては、水素化ナトリウム、水素化カリウム、n−ブチルリチウ
ム、リチウムジイソプロピルアミド、ジムシルナトリウム、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムt−ブトキシド、テトラメチルグアニジンなどが挙げられ、好ましくはカリウムt−ブトキシド、テトラメチルグアニジンである。
塩基の使用量は、式(1)の化合物の量を基準にして1〜1.4当量用いる。
式(2)で表される化合物の使用量は好ましくは、式(1)の化合物の量を基準にして1〜1.4当量用い、式(2)と塩基の使用量は等しい当量とする。
式(2)の化合物の溶液に塩基および式(1)の化合物を加えるときの反応温度としては−78〜0℃で、好ましくは−78〜−30℃の範囲で行われる。反応時間は通常10分〜2時間、好ましくは30分〜1時間の範囲で行われる。その後、反応温度を0℃〜50℃に、好ましくは15〜30℃に昇温する。昇温した後の反応時間は2〜8時間で、好ましくは3〜5時間である。
反応終了後、反応液を減圧濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィーなどを用いて精製することにより式(3)の化合物を単離することができる。
本発明により得られるN−置換−2−アミノ−4−(置換オキシメチルホスフィニル)−2−ブテン酸エステルは、特開昭62-226993号公報、国際公開第2006/104120号、国際公開第2008/029754号等に記載されている方法によりL−AMPBへ変換することができる。(これらの文献の開示は、引用をもって本書に繰込む。)
次に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。N−(ベンジルオキシカルボニル)−α−ホスホノグリシン トリメチルエステルはアルドリッチから市販されているものを使用した。2−(エトキシ(メチル)ホスフィニル)−アセトアルデヒドはZu. Obshch. Khim., 46, 243 (1977)に記載されている方法に従って合成した。
実施例1 メチル (Z)−N−(ベンジルオキシカルボニル)−2−アミノ−4−(エトキシ(メチル)ホスフィニル)−2−ブテノエートの製造
N−(ベンジルオキシカルボニル)−α−ホスホノグリシン トリメチルエステル214mgを塩化メチレン5mlに溶解した後、カリウムt−ブトキシド74mgを加え、−78℃で30分撹拌した。この反応溶液に2−(エトキシ(メチル)ホスフィニル)−アセトアルデヒド76.5mgの塩化メチレン溶液(1 ml)を徐々に滴下して、1時間撹拌した。徐々に室温まで昇温した後、さらに3時間撹拌した。TLCにて原料が消失したことを確認し、溶媒を減圧留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(クロロホルム−メタノール (100:1〜50:1))にて精製し、標記化合物168 mg (収率93%)を得た。
本化合物の理化学的性状
1H NMR (CDCl3) δ: 1.24(t, 3H, J= 7.5Hz), 1.41(d, 3H, J=15Hz), 2.68(q, 1H, J=7.5Hz), 2.73(q, 1H, J=7.5Hz), 3.68(s, 3H), 3.99(m, 2H), 5.16(s, 2H), 6.37(dd, 1H, J=7.5Hz, 15Hz), 7.28(m, 5H).
FABMASS:m/z 356 [M+H]
以上の記載は、実施例に基づくが、本発明は、上記実施例に限定されるものではない。本発明の全開示(請求の範囲を含む)の枠内において、さらにその基本的技術思想に基づいて、実施態様または実施例の変更および調整が可能である。本発明の請求の範囲の枠内において、種々開示要素の多様な組み合わせ・置換または選択が可能である。本明細書で参照された特許及び刊行物は、引用により本明細書に繰込まれる。

Claims (3)

  1. 次式(3)
    Figure 0005249921
    [式中、Rは、C1−4アルキル基、アリール基、置換アリール基、アリールメチル基または、置換アリールメチル基を表し、
    は、C1−4アルキル基、アリールメチル基または、置換アリールメチル基を表し、
    は、C2−4アルカノイル基、ベンゾイル基、ベンジル基、C1−4アルキルオキシカルボニル基または、ベンジルオキシカルボニル基を表す]で表される化合物の製造方法であって、次式(1)
    Figure 0005249921
    [式中、Rは、前記で定義したことと同一の意味を表す]で表される化合物を塩基の存在下、次式(2)
    Figure 0005249921
    [式中、R、R'は、同一または異なってC1−4アルキル基、アリール基、置換アリール基、アリールメチル基または、置換アリールメチル基を表し、RおよびRは、前記で定義したことと同一の意味を表す]で表される化合物と反応させることを含む、方法。
  2. 塩基が、水素化ナトリウム、水素化カリウム、n−ブチルリチウム、リチウムジイソプロピルアミド、ジムシルナトリウム、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムt−ブトキシド、及びテトラメチルグアニジンのいずれかから選択されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
  3. 、R、R' 、およびRが、C1−4アルキル基であり、Rが、ベンジルオキシカルボニル基であることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
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