JP4794444B2 - 粒子光学システム及び装置、並びに、かかるシステム及び装置用の粒子光学部品 - Google Patents
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Description
f=−4U/ΔE
図2bは、一次電子ビーム経路13の方向にそれぞれ離間して配置された4つの多孔プレート3131 、3132 、3133 、3134 を備えた多孔装置305を示している。各多孔プレート3131 、・・・、3134 には複数の開孔315が形成されている。開孔315は、一次電子ビーム経路13の方向に延びた共通の中心軸317を中心とするように配置されている。
f=−4U/ΔE
照射ビーム311の断面全体で運動エネルギーUはほぼ一定であるので、多孔プレート313に近接する電界E1 及びE2 は、各開孔315によってもたらされる焦点距離fが照射ビーム311における開孔の位置に依存するように形成される。かかる電界E1 と電界E2 の形成は、多孔プレート313から上流側又は下流側に離間して位置する1つ又は複数の単孔プレート367によって可能となる。図20aにおいては、1つの単孔プレート367が多孔プレート313の上流側に離間して配置され、単孔プレート3671 に形成された開孔368は、照射ビーム311が開孔368を通過して多孔プレート313に形成された開孔315を照射するように選択される。
前記少なくとも1つの荷電粒子ビームのビーム経路中に配置された少なくとも1つの多孔プレートとを備え、
前記少なくとも1つの多孔プレートは、所定の第1のアレイパターン状に形成された複数の開孔を有し、
前記少なくとも1つの多孔プレートの下流側で前記少なくとも1つの荷電粒子ビームから複数の荷電粒子小ビームが形成され、
前記複数の荷電粒子小ビームにより、第2のアレイパターン状に配置された複数のビームスポットが粒子光学装置の像平面に形成される粒子光学装置であって、
前記粒子光学装置は、さらに、前記少なくとも1つの荷電粒子ビーム及び/又は前記複数の荷電粒子小ビームを操作するための少なくとも1つの粒子光学素子を備え、
前記第1のアレイパターンは、第1の方向に少なくとも1つの第1のパターン規則性を有し、前記第2のアレイパターンは、前記第1の方向に電子光学的に対応する第2の方向に少なくとも1つの第2のパターン規則性を有し、前記第2のパターン規則性は、前記第1のパターン規則性よりも高いことを特徴とする、粒子光学装置。
前記少なくとも1つの荷電粒子ビームのビーム経路中に配置された少なくとも1つの多孔プレートとを備え、
前記少なくとも1つの多孔プレートは、所定の第1のアレイパターン状に形成された複数の開孔を有し、
前記多孔プレートの下流側で前記少なくとも1つの荷電粒子ビームから複数の荷電粒子小ビームが形成され、
前記複数の荷電粒子小ビームにより、複数のビームスポットが粒子光学装置の像平面に形成される粒子光学装置であって、
前記粒子光学装置は、さらに、前記少なくとも1つの荷電粒子ビーム及び/又は前記複数の荷電粒子小ビームを操作するための少なくとも1つの粒子光学素子を備え、
前記多孔プレートの前記開孔の直径が前記第1のアレイパターンの中心から離れるにつれて変化することを特徴とする、特に項目(1)〜(7)のいずれかに記載の粒子光学装置と組み合わされる粒子光学装置。
前記少なくとも1つの荷電粒子ビームのビーム経路中に配置された少なくとも1つの多孔プレートとを備え、
前記少なくとも1つの多孔プレートは、所定の第1のアレイパターン状に形成された複数の開孔を有し、
前記多孔プレートの下流側で前記少なくとも1つの荷電粒子ビームから複数の荷電粒子小ビームが形成され、
前記複数の荷電粒子小ビームにより、複数のビームスポットが粒子光学装置の像平面に形成される粒子光学装置であって、
前記粒子光学装置は、さらに、前記少なくとも1つの荷電粒子ビーム及び/又は前記複数の荷電粒子小ビームを操作するための少なくとも1つの粒子光学素子を備え、
前記複数の開孔の少なくとも1つの群の開孔形状が楕円形状であることを特徴とする、特に項目(1)〜(11)のいずれかに記載の粒子光学装置と組み合わされる粒子光学装置。
前記多孔プレートは、ほぼ単一の面に配置された複数の導電層部分を備え、前記複数の導電層部分のそれぞれに複数の開孔が形成され、隣接した前記導電層部分間に抵抗性ギャップ(resistant gap)、特に非導電性ギャップ(non-conductive gap)が形成されていることを特徴とする、粒子光学部品。
項目(19)〜(26)のいずれかに記載の少なくとも1つの粒子光学部品とを備えた、特に項目(1)〜(18)のいずれかに記載の粒子光学装置と組み合わされる粒子光学装置。
前記装置はさらに、前記多孔プレートの上流側の、前記少なくとも1つの荷電粒子ビームのビーム経路中、及び/又は、前記多孔プレートの下流側の、前記複数の荷電粒子小ビームのビーム経路中に配置された少なくとも1つの集束レンズとを備え、
前記隣接した導電層部分が、前記少なくとも1つの集束レンズの像面湾曲を補償するために、異なる電位であるように構成された、項目(27)に記載の粒子光学装置。
前記絶縁基板に形成された前記開孔の少なくとも内部が導電層で覆われていることを特徴とする、特に項目(19)〜(26)のいずれかに記載の粒子光学部品。
前記多孔プレートは、その両主平面間の電気抵抗が約250Ω〜8MΩの範囲、約250Ω〜4MΩの範囲、約4MΩ〜8MΩの範囲、約250Ω〜800Ωの範囲、約800Ω〜1.5MΩの範囲、約1.5MΩ〜3MΩの範囲、約3MΩ〜5MΩの範囲、及び/又は約5MΩ〜8MΩの範囲となるような導電率を有する材料で形成されたことを特徴とする、特に項目(19)〜(34)のいずれかに記載の粒子光学部品。
前記複数のビーム操作開孔は、所定の第1のアレイパターン状に配置され、
前記ビーム操作開孔の少なくとも1つは、前記多孔プレートに形成された複数の電界補正開孔と対応していることを特徴とする、特に項目(19)〜(35)のいずれかに記載の粒子光学部品と組み合わされる粒子光学部品。
前記複数のビーム操作開孔は、所定の第1のアレイパターン状に配置され、
前記ビーム操作開孔の少なくとも1つには、その周りにN個の最も近接したビーム操作開孔が周方向に離間して設けられ、前記少なくとも1つのビーム操作開孔の形状の対称性はN重の対称性であることを特徴とする、特に項目(19)〜(41)のいずれかに記載の粒子光学部品と組み合わされる粒子光学部品。
前記複数のビーム操作開孔は、所定の第1のアレイパターン状に配置され、
前記ビーム操作開孔の少なくとも1つは、前記少なくとも1つのビーム操作開孔の周囲の前記第1のアレイパターンの対称性に対応した少なくとも1つの対称要素を有する形状を有していることを特徴とする、特に項目(19)〜(41)のいずれかに記載の粒子光学部品と組み合わされる粒子光学部品。
前記少なくとも1つの荷電粒子ビーム及び前記複数の荷電粒子小ビームのビーム経路中に配置された少なくとも1つの多孔プレートとを備え、
前記少なくとも1つの多孔プレートは、所定の第1のアレイパターン状に形成された複数の開孔を有し、
前記多孔プレートの下流側の物体平面に、第2のアレイパターン状に配置された複数のビームスポットが形成される粒子光学装置であって、
前記ビームスポットの数は、前記多孔プレートに形成された前記開孔の数よりも少ないことを特徴とする、特に項目(1)〜(49)のいずれかに記載の粒子光学装置と組み合わされる粒子光学装置。
前記第1のアレイパターンの周辺領域の前記開孔は、前記ビームスポットの形成に寄与しない、項目(50)又は(51)に記載の粒子光学装置。
複数の開孔が第1のパターン状に形成され、その下流側で前記荷電粒子ビームから複数の荷電粒子小ビームが形成される少なくとも1つの多孔プレートと、
前記複数の開孔に所定の第1の電圧を供給する第1の電圧源と、
前記多孔プレートの上流側又は下流側に離間して配置され、前記荷電粒子ビーム又は前記複数の荷電粒子小ビームを通過させる、単一の開孔を有する第1の単孔プレートと、
前記第1の単孔プレートに所定の第2の電圧を供給する第2の電圧源とを備えた粒子光学装置であって、
前記多孔プレートと前記第1の単孔プレートとの間の距離が、前記第1の単孔プレートの前記単一の開孔の直径の5倍よりも小さく、好適には前記直径の4倍よりも小さく、好適には前記直径の2倍よりも小さく、さらに好適には前記直径よりも小さいことを特徴とする、特に項目(1)〜(54)のいずれかに記載の粒子光学装置と組み合わされる粒子光学装置。
複数の開孔が第1のパターン状に形成され、その下流側で前記荷電粒子ビームから複数の荷電粒子小ビームが形成される少なくとも1つの多孔プレートと、
前記複数の開孔に所定の第1の電圧を供給する第1の電圧源と、
前記多孔プレートの上流側又は下流側に離間して配置され、前記荷電粒子ビーム又は前記複数の荷電粒子小ビームを通過させる、単一の開孔を有する第1の単孔プレートと、
前記第1の単孔プレートに所定の第2の電圧を供給する第2の電圧源とを備えた粒子光学装置であって、
前記多孔プレートと前記第1の単孔プレートとの間の距離が、75mmよりも小さく、好適には50mmよりも小さく、さらに好適には25mmよりも小さく、さらに好適には10mmよりも小さく、さらに好適には5mmよりも小さいことを特徴とする、特に項目(1)〜(55)のいずれかに記載の粒子光学装置と組み合わされる粒子光学装置。
複数の開孔が第1のパターン状に形成され、その下流側で前記少なくとも1つの荷電粒子ビームから複数の荷電粒子小ビームが形成される少なくとも1つの多孔プレートと、
前記複数の開孔に所定の第1の電圧を供給する第1の電圧源と、
前記多孔プレートの上流側又は下流側に離間して配置され、前記荷電粒子ビーム又は前記複数の荷電粒子小ビームを通過させる、単一の開孔を有する第1の単孔プレートと、
前記第1の単孔プレートに所定の第2の電圧を供給する第2の電圧源とを備えた粒子光学装置であって、
前記多孔プレートと前記第1の単孔プレートとの間の距離が、前記多孔プレートの前記開孔の平均焦点距離の半分よりも小さくなるように選択されることを特徴とする、特に項目(1)〜(56)のいずれかに記載の粒子光学装置と組み合わされる粒子光学装置。
複数の開孔が第1のパターン状に形成され、その下流側で前記荷電粒子ビームから複数の荷電粒子小ビームが形成される少なくとも1つの多孔プレートと、
前記複数の開孔に所定の第1の電圧を供給する第1の電圧源と、
前記多孔プレートの上流側又は下流側に離間して配置され、前記荷電粒子ビーム又は前記複数の荷電粒子小ビームを通過させる、単一の開孔を有する第1の単孔プレートと、
前記第1の単孔プレートに所定の第2の電圧を供給する第2の電圧源とを備えた粒子光学装置であって、
前記多孔プレートと前記第1の単孔プレートとの間の距離は、前記多孔プレートの中心の表面における平均電界が100V/mm、又は200V/mm、又は300V/mm、又は500V/mm、又は1kV/mmよりも高くなるように選択されることを特徴とする、特に項目(1)〜(57)のいずれかに記載の粒子光学装置と組み合わされる粒子光学装置。
前記第2の単孔プレートに所定の第3の電圧を供給する第3の電圧源とをさらに備えた粒子光学装置であって、
前記第3の電圧は、前記第1の電圧の平均値以下であるか、又は、前記第2の電圧と前記第1の電圧の平均値との間の値である、項目(48)〜(58)のいずれかに記載の粒子光学装置。
複数の開孔が第1のパターン状に形成され、その下流側で前記荷電粒子ビームから複数の荷電粒子小ビームが形成される少なくとも1つの多孔プレートと、
前記複数の開孔に所定の第1の電圧を供給する第1の電圧源と、
前記多孔プレートの上流側又は下流側に離間して配置され、前記荷電粒子ビーム又は前記複数の荷電粒子小ビームを通過させる、単一の開孔を有する第1の単孔プレートと、
前記第1の単孔プレートに所定の第2の電圧を供給する第2の電圧源と、
前記多孔プレートと前記第1の単孔プレートとの間に配置された第2の単孔プレートと、
前記第2の単孔プレートに、前記所定の第2の電圧とは異なる所定の第3の電圧を供給する第3の電圧源とを備えた粒子光学装置であって、
前記多孔プレートと前記第1及び第2の単孔プレートの配置、及び前記第1、第2及び第3の電圧の設定は、前記多孔プレートの表面に電界が発生し、前記第3の電圧が前記第1の単孔プレートに供給されるような前記第1の単孔プレートに供給される電圧の変化によって、前記電界の強さに1%、5%、又は10%よりも大きい変化が起こるように決められていることを特徴とする、特に項目(1)〜(59)のいずれかに記載の粒子光学装置と組み合わされる粒子光学装置。
前記第3の単孔プレートに所定の第4の電圧を供給する第4の電圧源とをさらに備え、
前記多孔プレートは、前記第1の単孔プレートと前記第3の単孔プレートとの間に位置し、前記第3の単孔プレートは前記荷電粒子ビーム又は前記複数の荷電粒子小ビームを通過させる単一の開孔を有し、
前記多孔プレートと前記第3の単孔プレートとの間の距離は、前記第3の単孔プレートの前記単一の開孔の直径の5倍よりも小さく、好適には前記直径の4倍よりも小さく、好適には前記直径の2倍よりも小さく、さらに好適には前記第3の単孔プレートの前記単一の開孔の直径よりも小さい、項目(55)〜(60)のいずれかに記載の粒子光学装置。
第1のアレイパターン状に配置された複数の開孔を有し、その下流側で前記少なくとも1つの荷電粒子ビームから複数の荷電粒子小ビームが形成される少なくとも1つの多孔プレートと、
前記荷電粒子源と前記多孔プレートとの間の第1の領域に集束電界(focusing field)を与える第1の集束レンズと、
前記第1の集束レンズを通過する荷電粒子の運動エネルギーが前記多孔プレートを通過する荷電粒子の運動エネルギーよりも高くなるように、前記第1の集束レンズと前記多孔プレートとの間の第2の領域に減速電界(decelerating field)を与える減速電極とを備えたことを特徴とする、特に項目(1)〜(61)のいずれかに記載の粒子光学装置と組み合わされる粒子光学装置。
第1のパターン状に配置された複数の開孔を有し、その下流側で前記荷電粒子ビームから複数の荷電粒子小ビームが形成される少なくとも1つの多孔プレートとを備えた粒子光学装置であって、
前記多孔プレートの上流側直近での前記荷電粒子ビームの運動エネルギーが5keVよりも高い、特に10keVよりも高い、特に20keVよりも高い、又は特に30keVよりも高いことを特徴とする、特に項目(1)〜(62)のいずれかに記載の粒子光学装置と組み合わされる粒子光学装置。
複数の開孔を有し、その下流側で前記荷電粒子ビームから複数の荷電粒子小ビームが形成される少なくとも1つの多孔プレートと、
前記少なくとも1つの荷電粒子ビームの方向の前記多孔プレートに隣接した第1の領域に集束電界を与える第1の集束レンズと、
前記多孔プレートの上流側及び/又は下流側の第2の領域に、前記ビームの荷電粒子の運動エネルギーを変更する電界を与えるエネルギー変更電極とを備え、
前記集束電界が与えられる前記第1の領域と、前記エネルギー変更電界が与えられる第2の領域とは、重なり合っている領域であることを特徴とする、特に項目(1)〜(63)のいずれかに記載の粒子光学装置と組み合わされる粒子光学装置。
第1のパターン状に配置された複数の開孔を有し、その下流側で前記荷電粒子ビームから複数の荷電粒子小ビームが形成される少なくとも1つの多孔プレートと、
前記荷電粒子源と前記多孔プレートとの間の領域に集束電界を与える第1の集束レンズとを備えた粒子光学装置であって、
前記荷電粒子ビームが、前記多孔プレートの上流側直近の領域で発散ビーム又は集束ビームであることを特徴とする、特に項目(1)〜(69)のいずれかに記載の粒子光学装置と組み合わされる粒子光学装置。
第1のパターン状に配置された複数の開孔を有し、その下流側で前記荷電粒子ビームから複数の荷電粒子小ビームが形成される少なくとも1つの多孔プレートと、
前記荷電粒子源と前記多孔プレートとの間の領域に集束電界部分を有する磁界を与える第1の集束レンズとを備えた粒子光学装置であって、
前記第1の集束レンズによって与えられる前記磁界内に、前記少なくとも1つの荷電粒子源が配置されていることを特徴とする、特に項目(1)〜(70)のいずれかに記載の粒子光学装置と組み合わされる粒子光学装置。
第1のパターン状に配置された複数の開孔を有し、その下流側で前記荷電粒子ビームから複数の荷電粒子小ビームが形成され、その下流側の集束領域に前記荷電粒子小ビームのそれぞれが焦点を有する少なくとも1つの多孔プレートと、
前記集束領域に集束電界を与える第2の集束レンズとを備えたことを特徴とする、特に項目(1)〜(72)のいずれかに記載の粒子光学装置と組み合わされる粒子光学装置。
第1のパターン状に配置された複数の開孔を有し、その下流側で前記荷電粒子ビームから複数の荷電粒子小ビームが形成され、その下流側の集束領域に前記荷電粒子小ビームのそれぞれが焦点を有する少なくとも1つの多孔プレートと、
その物体平面に位置決め可能な物体上に前記集束領域をおおむね結像させるための対物レンズとを備えたことを特徴とする、特に項目(1)〜(73)のいずれかに記載の粒子光学装置と組み合わされる粒子光学装置。
前記電子顕微鏡装置は、
前記一次電子ビーム経路と前記二次電子ビーム経路とが互いに分離されるように、前記一次電子ビーム経路と前記二次電子ビーム経路とが通過する第1の磁界領域と、
前記第1の磁界領域の上流側の、前記一次電子ビーム経路に配置され、前記二次電子ビーム経路が通過せず、前記第1の磁界領域とほぼ反対の方向に前記一次電子ビームを偏向する第2の磁界領域と、
前記第1の磁界領域の下流側の、前記二次電子ビーム経路に配置され、前記一次電子ビーム経路が通過せず、前記第1の磁界領域とほぼ同じ方向に前記二次電子ビーム経路を偏向する第3の磁界領域とを有するマグネット装置を備えていることを特徴とする、特に項目(1)〜(78)のいずれかに記載の粒子光学装置と組み合わされる電子顕微鏡装置。
前記電子顕微鏡システムは、
前記物体上に集束される複数の一次電子小ビームを発生させる、項目(1)〜(101)のいずれかに記載の粒子光学装置と、
前記物体から発する二次電子を検出するための検出器とを備えていることを特徴とする、電子顕微鏡システム。
前記基板上に集束される複数の書き込み電子小ビームを発生させる、項目(1)〜(101)のいずれかに記載の粒子光学装置を備えていることを特徴とする、電子リソグラフィシステム。
Claims (23)
- 一次電子源から装置の物体平面に位置決め可能な物体へ向かう方向に向けられた一次電子ビームの一次電子ビーム経路と、前記物体から発する二次電子の二次電子ビーム経路とを備えた電子顕微鏡装置であって、
前記電子顕微鏡装置は、
前記一次電子ビーム経路と前記二次電子ビーム経路とが互いに分離されるように、前記一次電子ビーム経路と前記二次電子ビーム経路とが横断する第1の磁界領域と、
前記第1の磁界領域の上流側の、前記一次電子ビーム経路に配置され、前記二次電子ビーム経路が横断せず、前記第1の磁界領域とほぼ反対の方向に前記一次電子ビーム経路を偏向する第2の磁界領域と、
前記第1の磁界領域の下流側の、前記二次電子ビーム経路に配置され、前記一次電子ビーム経路が横断せず、前記第1の磁界領域とほぼ同じ方向に前記二次電子ビーム経路を偏向する第3の磁界領域とを有するマグネット装置を備え、
前記第1及び第2の磁界領域以外には、前記一次電子ビーム経路に前記一次電子ビーム経路を5°よりも大きい角度で偏向する磁界領域が設けられていないことを特徴とする、電子顕微鏡装置。 - 一次電子源から装置の物体平面に位置決め可能な物体へ向かう方向に向けられた一次電子ビームの一次電子ビーム経路と、前記物体から発する二次電子の二次電子ビーム経路とを備えた電子顕微鏡装置であって、
前記電子顕微鏡装置は、
前記一次電子ビーム経路と前記二次電子ビーム経路とが互いに分離されるように、前記一次電子ビーム経路と前記二次電子ビーム経路とが横断する第1の磁界領域と、
前記第1の磁界領域の上流側の、前記一次電子ビーム経路に配置され、前記二次電子ビーム経路が横断せず、前記第1の磁界領域とほぼ反対の方向に前記一次電子ビーム経路を偏向する第2の磁界領域と、
前記第1の磁界領域の下流側の、前記二次電子ビーム経路に配置され、前記一次電子ビーム経路が横断せず、前記第1の磁界領域とほぼ同じ方向に前記二次電子ビーム経路を偏向する第3の磁界領域とを有するマグネット装置を備え、
前記第1の磁界領域の前記二次電子ビーム経路に対する偏向角は、前記第2の磁界領域の前記一次電子ビーム経路に対する偏向角よりも小さいことを特徴とする、電子顕微鏡装置。 - 一次電子源から装置の物体平面に位置決め可能な物体へ向かう方向に向けられた一次電子ビームの一次電子ビーム経路と、前記物体から発する二次電子の二次電子ビーム経路とを備えた電子顕微鏡装置であって、
前記電子顕微鏡装置は、
前記一次電子ビーム経路と前記二次電子ビーム経路とが互いに分離されるように、前記一次電子ビーム経路と前記二次電子ビーム経路とが横断する第1の磁界領域と、
前記第1の磁界領域の上流側の、前記一次電子ビーム経路に配置され、前記二次電子ビーム経路が横断せず、前記第1の磁界領域とほぼ反対の方向に前記一次電子ビーム経路を偏向する第2の磁界領域と、
前記第1の磁界領域の下流側の、前記二次電子ビーム経路に配置され、前記一次電子ビーム経路が横断せず、前記第1の磁界領域とほぼ同じ方向に前記二次電子ビーム経路を偏向する第3の磁界領域とを有するマグネット装置を備え、
前記第1の磁界領域と前記物体平面との間に設けられた少なくとも1つの電極をさらに備え、前記物体に衝突する前に前記一次電子を減速するために前記一次電子ビーム経路が前記少なくとも1つの電極を横断し、前記物体から発した後の前記二次電子を加速するために前記二次電子ビーム経路が前記少なくとも1つの電極を横断することを特徴とする、電子顕微鏡装置。 - 前記第2の磁界領域の前記一次電子ビーム経路に対する偏向角は、前記第1の磁界領域の前記一次電子ビーム経路に対する偏向角よりも大きい、請求項1〜3のいずれかに記載の電子顕微鏡装置。
- 磁界の影響をおおむね受けない第1のドリフト領域が、前記第2の磁界領域と前記第1の磁界領域との間の前記一次電子ビーム経路に設けられた、請求項1〜3のいずれかに記載の電子顕微鏡装置。
- 磁界の影響をおおむね受けない第2のドリフト領域が、前記第1の磁界領域と前記第3の磁界領域との間の前記二次電子ビーム経路に設けられた、請求項1〜3のいずれかに記載の電子顕微鏡装置。
- 前記第1の磁界領域と前記物体平面との間に設けられた対物レンズをさらに備え、前記一次及び二次電子ビーム経路が前記対物レンズを横断する、請求項1〜3のいずれかに記載の電子顕微鏡装置。
- 前記少なくとも1つの電極に調整可能な電圧を供給するための駆動装置をさらに備えた、請求項3に記載の電子顕微鏡装置。
- 前記少なくとも1つの電極に供給される電圧に応じて、前記第1の磁界領域の磁界の強さに対して第3の磁界領域の磁界の強さを変更するためのコントローラをさらに備えた、請求項8に記載の電子顕微鏡装置。
- 前記マグネット装置は、前記第3の磁界領域の下流側の、前記二次電子ビーム経路中に第4の磁界領域をさらに備え、前記第4の磁界領域の磁界の強さは、前記第3の磁界領域の磁界の強さに対して調整可能である、請求項9に記載の電子顕微鏡装置。
- 前記少なくとも1つの電極に供給される電圧に応じて、前記第3の磁界領域の磁界の強さに対して第4の磁界領域の磁界の強さを変更するためのコントローラをさらに備えた、請求項10に記載の電子顕微鏡装置。
- 前記第3及び第4の磁界領域は、前記二次電子ビーム経路中でおおむね相互に直接隣接して配置されている、請求項10に記載の電子顕微鏡装置。
- 前記第3の磁界領域の下流側の、前記二次電子ビーム経路中に配置された少なくとも1つの四重極レンズをさらに備えた、請求項8に記載の電子顕微鏡装置。
- 前記少なくとも1つの電極に供給される電圧に応じて、前記四重極レンズの電界の強さを変更するためのコントローラをさらに備えた、請求項13に記載の電子顕微鏡装置。
- 前記第4の磁界領域と前記四重極レンズとの間の前記二次電子ビーム経路中に配置された第5の磁界領域をさらに備えた、請求項10に記載の電子顕微鏡装置。
- 前記少なくとも1つの電極に供給される電圧に応じて、前記第3の磁界領域の磁界の強さに対して前記第5の磁界領域の磁界の強さを変更するためのコントローラをさらに備えた、請求項15に記載の電子顕微鏡装置。
- 前記第4及び第5の磁界領域は、前記二次電子ビーム経路中でおおむね相互に直接隣接して配置されている、請求項15に記載の電子顕微鏡装置。
- 前記第1の磁界領域と前記第5の磁界領域との間の前記ビーム経路の領域に、前記二次電子によって前記物体平面の中間像が形成される、請求項15に記載の電子顕微鏡装置。
- 前記第3の磁界領域の下流側の、前記二次電子ビーム経路中に配置された検出器をさらに備えた、請求項1〜3のいずれかに記載の電子顕微鏡装置。
- 前記検出器の上流側の、前記二次電子ビーム経路中に配置された転写レンズ装置をさらに備えた、請求項19に記載の電子顕微鏡装置。
- 前記第1、第2、第3、第4及び第5の磁界領域の少なくとも1つに、ほぼ均一な磁界が与えられている、請求項15に記載の電子顕微鏡装置。
- 検査対象となる物体を載せるための載置台と、
一次電子小ビームのアレイを生成する電子源装置と、
前記一次電子小ビームのそれぞれを前記物体上に集束させるための対物レンズであって、前記一次電子小ビームによって生成された二次電子小ビームのアレイが横断する対物レンズと、
前記二次電子小ビームの二次電子ビーム経路を前記一次電子小ビームの一次電子ビーム経路から分離させるためのビームスプリッタと、
前記二次電子小ビームのアレイに対応する信号のアレイを生成する検出器装置とを備えたマルチ電子小ビーム検査システムであって、
前記ビームスプリッタはマグネット装置を備え、前記マグネット装置は、
前記一次電子ビーム経路と前記二次電子ビーム経路とが互いに分離されるように、前記一次電子ビーム経路と前記二次電子ビーム経路とが横断する第1の磁界領域と、
前記第1の磁界領域の上流側の、前記一次電子ビーム経路に配置され、前記二次電子ビーム経路が横断せず、前記第1の磁界領域とほぼ反対の方向に前記一次電子ビーム経路を偏向する第2の磁界領域と、
前記第1の磁界領域の下流側の、前記二次電子ビーム経路に配置され、前記一次電子ビーム経路が横断せず、前記第1の磁界領域とほぼ同じ方向に前記二次電子ビーム経路を偏向する第3の磁界領域とを備えたことを特徴とする、マルチ電子小ビーム検査システム。 - 一次電子小ビームのアレイを生成する工程と、
前記一次電子小ビームのそれぞれを基板上に集束させ、前記基板から発する二次電子小ビームのアレイが生成されるようにする工程と、
前記二次電子小ビームの強度を検出する工程と、
マグネット装置を備えたビームスプリッタを使用して、前記二次電子小ビームの二次電子ビーム経路を前記一次電子小ビームの一次電子ビーム経路から分離させる工程とを含む、基板のマルチ電子小ビーム検査の方法であって、
前記マグネット装置は、
前記一次電子ビーム経路と前記二次電子ビーム経路とが互いに分離されるように、前記一次電子ビーム経路と前記二次電子ビーム経路とが横断する第1の磁界領域と、
前記第1の磁界領域の上流側の、前記一次電子ビーム経路に配置され、前記二次電子ビーム経路が横断せず、前記第1の磁界領域とはほぼ反対の方向に前記一次電子ビーム経路を偏向する第2の磁界領域と、
前記第1の磁界領域の下流側の、前記二次電子ビーム経路に配置され、前記一次電子ビーム経路が横断せず、前記第1の磁界領域とほぼ同じ方向に前記二次電子ビーム経路を偏向する第3の磁界領域とを備えることを特徴とする、基板のマルチ電子小ビーム検査の方法。
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