JP2914264B2 - 電子ビーム描画方法 - Google Patents
電子ビーム描画方法Info
- Publication number
- JP2914264B2 JP2914264B2 JP8004679A JP467996A JP2914264B2 JP 2914264 B2 JP2914264 B2 JP 2914264B2 JP 8004679 A JP8004679 A JP 8004679A JP 467996 A JP467996 A JP 467996A JP 2914264 B2 JP2914264 B2 JP 2914264B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- writing method
- intensity distribution
- term
- exposure intensity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31769—Proximity effect correction
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩ製造プロセ
スにおける電子ビームリソグラフィに係わり、特に高い
線幅制御性を得るための電子ビーム描画方法に関する。
スにおける電子ビームリソグラフィに係わり、特に高い
線幅制御性を得るための電子ビーム描画方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】部分一括描画法は、第１アパチャと、任
意の図形形状に開口された第２アパチャにより形成され
た電子ビームによりパターンを描画する方法である。本
描画方式は従来の可変矩形描画法に比べＤＲＡＭに代表
されるメモリＬＳＩのセル部等、特に周期性を有するパ
ターンにおける描画時間の短縮に有効な描画方法であ
る。
意の図形形状に開口された第２アパチャにより形成され
た電子ビームによりパターンを描画する方法である。本
描画方式は従来の可変矩形描画法に比べＤＲＡＭに代表
されるメモリＬＳＩのセル部等、特に周期性を有するパ
ターンにおける描画時間の短縮に有効な描画方法であ
る。
【０００３】その一例が、特開平３−１７４７１６に述
べられている。図２に従来例１としての電子ビーム描画
法について示す。電子銃１から放射された電子ビーム２
を矩形形状に開口した第１アパチャ３により矩形に成形
し、成形レンズ４や成形偏向器５により、一括描画用第
２アパチャ６上に矩形ビームを照射する。第２アパチャ
６により任意の形状に成形された電子ビームはさらに縮
小レンズ７、偏向器、位置決め偏向器８、対物レンズ９
により試料１０上の所望の位置に縮小投影される。この
ように、例えばＬＳＩパターンの一部を第２アパチャ６
上に開口した形状通りに繰り返し描画していく方法が部
分一括描画方式である。この方式によれば、特に周期性
のあるパターンを有するＤＲＡＭ等のメモリ素子におい
て露光回数の大幅に低減でき描画時間の短縮することが
可能である。このとき、解像限界以下の寸法の遮蔽物に
より電流密度を変化させ近接効果を補正するよう作製さ
れた第２アパチャを用いると、電子線の前方散乱と後方
散乱により試料のビーム照射部以外にもエネルギーの蓄
積が起こるいわゆる近接効果も同時に補正することが可
能である。
べられている。図２に従来例１としての電子ビーム描画
法について示す。電子銃１から放射された電子ビーム２
を矩形形状に開口した第１アパチャ３により矩形に成形
し、成形レンズ４や成形偏向器５により、一括描画用第
２アパチャ６上に矩形ビームを照射する。第２アパチャ
６により任意の形状に成形された電子ビームはさらに縮
小レンズ７、偏向器、位置決め偏向器８、対物レンズ９
により試料１０上の所望の位置に縮小投影される。この
ように、例えばＬＳＩパターンの一部を第２アパチャ６
上に開口した形状通りに繰り返し描画していく方法が部
分一括描画方式である。この方式によれば、特に周期性
のあるパターンを有するＤＲＡＭ等のメモリ素子におい
て露光回数の大幅に低減でき描画時間の短縮することが
可能である。このとき、解像限界以下の寸法の遮蔽物に
より電流密度を変化させ近接効果を補正するよう作製さ
れた第２アパチャを用いると、電子線の前方散乱と後方
散乱により試料のビーム照射部以外にもエネルギーの蓄
積が起こるいわゆる近接効果も同時に補正することが可
能である。
【０００４】従来例２として部分一括描画法において、
近接効果をパターンの寸法や密度に応じて露光量すなわ
ち照射時間をパターンデータの属性情報を操作して変化
させ補正する手法がジャパニーズ ジャーナル オブ
アプライド フィジクス Ｖｏｌ．３３（１９９４）パ
ート１ Ｎｏ．１２Ｂ ｐｐ．６９５３−６９５８に示
されている。
近接効果をパターンの寸法や密度に応じて露光量すなわ
ち照射時間をパターンデータの属性情報を操作して変化
させ補正する手法がジャパニーズ ジャーナル オブ
アプライド フィジクス Ｖｏｌ．３３（１９９４）パ
ート１ Ｎｏ．１２Ｂ ｐｐ．６９５３−６９５８に示
されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来例１によれば、描
画時間の短縮と同時に近接効果を補正することが可能で
あるが、解像限界以下の微細な遮蔽物を用いる場合に
は、アパチャの作製が困難であったり、機械的強度が乏
しい等の問題が生じる。例えば、現在用いられている電
子線描画装置の加速電圧は５０ｋＶであり、このエネル
ギーを有する電子を完全に遮蔽するには、現在アパチャ
の材料として用いられている代表的なＳｉでは２０μｍ
の膜厚が必要である。加速電圧は半導体デバイスの微細
化に伴い、高い解像性を得るべくますます高くすること
が要求されている。従って、アパチャの膜厚もますます
厚くする必要が生じ、微細な寸法のアパチャの作製がま
すます困難になると言った問題がある。
画時間の短縮と同時に近接効果を補正することが可能で
あるが、解像限界以下の微細な遮蔽物を用いる場合に
は、アパチャの作製が困難であったり、機械的強度が乏
しい等の問題が生じる。例えば、現在用いられている電
子線描画装置の加速電圧は５０ｋＶであり、このエネル
ギーを有する電子を完全に遮蔽するには、現在アパチャ
の材料として用いられている代表的なＳｉでは２０μｍ
の膜厚が必要である。加速電圧は半導体デバイスの微細
化に伴い、高い解像性を得るべくますます高くすること
が要求されている。従って、アパチャの膜厚もますます
厚くする必要が生じ、微細な寸法のアパチャの作製がま
すます困難になると言った問題がある。
【０００６】従来例２では、従来から用いられている露
光強度分布（Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ
Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ，ＥＩＤ）関数が用いられて
いる。この関数を用いてレジスト内でのエネルギー蓄積
分布を求め、自己整合法により描画パターン部全体がほ
ぼ同じエネルギー蓄積量になるように、照射一回毎の露
光量を補正する。従来のＥＩＤ関数では、ビーム入射点
からの距離ｒでのエネルギー蓄積量はｆ(r) ＝ｋ｛exp(−r 2 ／β f 2 ）＋η（β f 2 ／β b 2 ）exp(−r 2 ／β b 2 ）｝ で表わされる。上式でβf ，βb はそれぞれ前方散乱係
数、後方散乱係数、ｋ，ηは定数であり、第１項は電子
の試料内での前方散乱を、第２項は後方散乱を示してい
る。また、入射される電子ビームは部分一括転写面積す
なわちビーム電流によらず、すべて同じビームだれを持
つか、ビームだれは無いものとして計算される。
光強度分布（Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ
Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ，ＥＩＤ）関数が用いられて
いる。この関数を用いてレジスト内でのエネルギー蓄積
分布を求め、自己整合法により描画パターン部全体がほ
ぼ同じエネルギー蓄積量になるように、照射一回毎の露
光量を補正する。従来のＥＩＤ関数では、ビーム入射点
からの距離ｒでのエネルギー蓄積量はｆ(r) ＝ｋ｛exp(−r 2 ／β f 2 ）＋η（β f 2 ／β b 2 ）exp(−r 2 ／β b 2 ）｝ で表わされる。上式でβf ，βb はそれぞれ前方散乱係
数、後方散乱係数、ｋ，ηは定数であり、第１項は電子
の試料内での前方散乱を、第２項は後方散乱を示してい
る。また、入射される電子ビームは部分一括転写面積す
なわちビーム電流によらず、すべて同じビームだれを持
つか、ビームだれは無いものとして計算される。
【０００７】しかし、実際の部分一括描画では、種々の
パターンが用いられるため、ビーム電流がパターンに応
じて異なる。例えば、メモリセル等のパターン描画では
高い処理能力と、図３に示すような近接効果に起因する
パターン周辺部でのパターン寸法変動を最小限に抑える
ために、中心部では大きい部分一括ショットが用いら
れ、周辺部では小さな部分一括ショットが用いられる。
従って、中心部を描画する時のビーム電流と周辺部を描
画する時のそれが異なる。ところが、いわゆるクーロン
効果、即ち、負電荷を持つ電子間のクーロン反発に起因
する電子ビームのビームだれの大きさはビーム電流に依
存する。このため、パターン中心部と周辺部ではビーム
だれの大きさが異なる。このように、実際にはパターン
中心部と周辺部ではエネルギー蓄積の状態が異なるにも
拘わらず、従来は同じビームだれを有すると仮定して近
接効果補正を行なっていたため、結果的には中心部に対
して、周辺部のパターン寸法が相対的に変動していた。
図３にこれを実験的に確認した結果が示されている。図
４は、代表的な電子線レジストであるＳＡＬ−６０１を
用いて行った実験結果を示している。この実験から、ビ
ーム電流が小さくなりビームだれが小さくなると、必要
な照射量が増すために、ビーム電流に応じて最適露光量
が変化することが判った。従来のＥＩＤ関数を用いた近
接効果補正ではクーロン効果による最適露光量の変化を
考慮していなかったため、これを補正できず、パターン
中心部と周辺部でレジストパターンに寸法差が生じ、高
い寸法精度が得られないという問題があった。
パターンが用いられるため、ビーム電流がパターンに応
じて異なる。例えば、メモリセル等のパターン描画では
高い処理能力と、図３に示すような近接効果に起因する
パターン周辺部でのパターン寸法変動を最小限に抑える
ために、中心部では大きい部分一括ショットが用いら
れ、周辺部では小さな部分一括ショットが用いられる。
従って、中心部を描画する時のビーム電流と周辺部を描
画する時のそれが異なる。ところが、いわゆるクーロン
効果、即ち、負電荷を持つ電子間のクーロン反発に起因
する電子ビームのビームだれの大きさはビーム電流に依
存する。このため、パターン中心部と周辺部ではビーム
だれの大きさが異なる。このように、実際にはパターン
中心部と周辺部ではエネルギー蓄積の状態が異なるにも
拘わらず、従来は同じビームだれを有すると仮定して近
接効果補正を行なっていたため、結果的には中心部に対
して、周辺部のパターン寸法が相対的に変動していた。
図３にこれを実験的に確認した結果が示されている。図
４は、代表的な電子線レジストであるＳＡＬ−６０１を
用いて行った実験結果を示している。この実験から、ビ
ーム電流が小さくなりビームだれが小さくなると、必要
な照射量が増すために、ビーム電流に応じて最適露光量
が変化することが判った。従来のＥＩＤ関数を用いた近
接効果補正ではクーロン効果による最適露光量の変化を
考慮していなかったため、これを補正できず、パターン
中心部と周辺部でレジストパターンに寸法差が生じ、高
い寸法精度が得られないという問題があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題は部分一括描画
における近接効果補正において、クーロン効果によるビ
ームだれがビーム電流に依存することに着目し、部分一
括転写面積に応じたＥＩＤ関数を用いることにより解決
される。あるいはＥＩＤ関数に最適露光量を変化させる
クーロン効果を補正すべく新たな項を追加したＥＩＤ関
数を用いることにより解決される。
における近接効果補正において、クーロン効果によるビ
ームだれがビーム電流に依存することに着目し、部分一
括転写面積に応じたＥＩＤ関数を用いることにより解決
される。あるいはＥＩＤ関数に最適露光量を変化させる
クーロン効果を補正すべく新たな項を追加したＥＩＤ関
数を用いることにより解決される。
【０００９】
【作用】本発明によれば、部分一括描画法において、ク
ーロン効果によりビーム電流すなわち部分一括転写面積
に依存する最適露光量の変化に起因する寸法変化を複数
のＥＩＤ関数で補正することにより高い寸法精度を得る
ことができる。また、近接効果補正で用いられるＥＩＤ
関数に新たに項を追加することによっても、同様の効果
を得ることができる。
ーロン効果によりビーム電流すなわち部分一括転写面積
に依存する最適露光量の変化に起因する寸法変化を複数
のＥＩＤ関数で補正することにより高い寸法精度を得る
ことができる。また、近接効果補正で用いられるＥＩＤ
関数に新たに項を追加することによっても、同様の効果
を得ることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は、本発明を用いてレジスト
（０．７μｍ厚）に０．２５μｍのライン・アンド・ス
ペース状のパターン１１を描画する一実施例を示してい
る。セル中心部では解像性が確保できる範囲で大きな部
分一括転写面積を用いた。本実施例では５μｍ×５μｍ
の部分一括アパチャ１２である。また、周辺部では近接
効果による寸法変動を小さくするために、中心部より小
さな部分一括転写面積を用いて細かく補正を行なった。
本実施例では２．５μｍ×５μｍの部分一括アパチャ１
３とした。このように中心部と周辺部で用いられる部分
一括転写面積すなわちビーム電流が異なるため、ビーム
だれの程度も異なる。そのため、中心部と周辺部では蓄
積エネルギー分布が異なるのでそれに応じてＥＩＤ関数
のパラメータを変える必要がある。そこで、モンテカル
ロ法を用い、それぞれの部分一括転写面積に応じてＥＩ
Ｄ関数のパラメータを求めこれを用いたＥＩＤ関数によ
り露光した。このように、それぞれの部分一括転写アパ
チャ毎にＥＩＤ関数を割当、近接効果補正を行なった。
（０．７μｍ厚）に０．２５μｍのライン・アンド・ス
ペース状のパターン１１を描画する一実施例を示してい
る。セル中心部では解像性が確保できる範囲で大きな部
分一括転写面積を用いた。本実施例では５μｍ×５μｍ
の部分一括アパチャ１２である。また、周辺部では近接
効果による寸法変動を小さくするために、中心部より小
さな部分一括転写面積を用いて細かく補正を行なった。
本実施例では２．５μｍ×５μｍの部分一括アパチャ１
３とした。このように中心部と周辺部で用いられる部分
一括転写面積すなわちビーム電流が異なるため、ビーム
だれの程度も異なる。そのため、中心部と周辺部では蓄
積エネルギー分布が異なるのでそれに応じてＥＩＤ関数
のパラメータを変える必要がある。そこで、モンテカル
ロ法を用い、それぞれの部分一括転写面積に応じてＥＩ
Ｄ関数のパラメータを求めこれを用いたＥＩＤ関数によ
り露光した。このように、それぞれの部分一括転写アパ
チャ毎にＥＩＤ関数を割当、近接効果補正を行なった。
【００１１】［発明の実施の形態２］図１に示す実施例
において、それぞれの部分一括転写面積のビーム形状の
測定の結果、５μｍ×５μｍの部分一括アパチャ１２と
２．５μｍ×５μｍの部分一括アパチャ１３を用いた場
合のビームだれの大きさはそれぞれ０．０８μｍと０．
０５５μｍであった。
において、それぞれの部分一括転写面積のビーム形状の
測定の結果、５μｍ×５μｍの部分一括アパチャ１２と
２．５μｍ×５μｍの部分一括アパチャ１３を用いた場
合のビームだれの大きさはそれぞれ０．０８μｍと０．
０５５μｍであった。
【００１２】まず、パターン中心部での蓄積エネルギー
分布を求めるために、従来のＥＩＤ関数を用いて計算を
行なった。ＥＩＤ関数のパラメータは、０．０８μｍの
ビームだれを持ったビーム形状を用いてモンテカルロ法
により求めた。その結果、βf ，βb ，ηはそれぞれ
０．０２７μｍ，７．５μｍ，０７５μｍであった。
分布を求めるために、従来のＥＩＤ関数を用いて計算を
行なった。ＥＩＤ関数のパラメータは、０．０８μｍの
ビームだれを持ったビーム形状を用いてモンテカルロ法
により求めた。その結果、βf ，βb ，ηはそれぞれ
０．０２７μｍ，７．５μｍ，０７５μｍであった。
【００１３】次に、上述と同様にパターン周辺部での蓄
積エネルギー量を求めた。但し、用いたＥＩＤ関数は、
クーロン効果による中心部との最適露光量の変化を補正
する新たな項δを含んだ以下の新しいＥＩＤ関数を用い
た。ｆ(r) ＝ｋ｛exp(−r 2 ／β f 2 ）＋η（β f 2 ／β b 2 ）exp(−r 2 ／β b 2 ）＋ δ｝ βf ，βb ，η及びδは、ビームだれを０．０５５μｍ
として求めた。ここでは、計算時間の短縮を図るため、
δ以外の係数は固定とし、δのみを変化させフィティン
グを行なった。得られた結果は、それぞれ０．０２８，
８．５，０．７３及び−３．３×１０-4であった。次い
でパターン全面で蓄積エネルギー量が等量になるように
自己整合法によりそれぞれの部分一括照射の露光量を求
めた。
積エネルギー量を求めた。但し、用いたＥＩＤ関数は、
クーロン効果による中心部との最適露光量の変化を補正
する新たな項δを含んだ以下の新しいＥＩＤ関数を用い
た。ｆ(r) ＝ｋ｛exp(−r 2 ／β f 2 ）＋η（β f 2 ／β b 2 ）exp(−r 2 ／β b 2 ）＋ δ｝ βf ，βb ，η及びδは、ビームだれを０．０５５μｍ
として求めた。ここでは、計算時間の短縮を図るため、
δ以外の係数は固定とし、δのみを変化させフィティン
グを行なった。得られた結果は、それぞれ０．０２８，
８．５，０．７３及び−３．３×１０-4であった。次い
でパターン全面で蓄積エネルギー量が等量になるように
自己整合法によりそれぞれの部分一括照射の露光量を求
めた。
【００１４】以上のように、異なる部分一括転写面積が
用いられるパターン描画時に、中心部では従来のＥＩＤ
関数を用いた計算で、周辺部ではクーロン効果を補正す
べく新たな項を追加した新しいＥＩＤ関数を用いた計算
により近接効果補正を行なった結果、図５に示すよう
に、パターン全面で従来のＥＩＤ関数を用いた補正では
寸法変動が１２％（図３）だったものが６％へ向上し
た。
用いられるパターン描画時に、中心部では従来のＥＩＤ
関数を用いた計算で、周辺部ではクーロン効果を補正す
べく新たな項を追加した新しいＥＩＤ関数を用いた計算
により近接効果補正を行なった結果、図５に示すよう
に、パターン全面で従来のＥＩＤ関数を用いた補正では
寸法変動が１２％（図３）だったものが６％へ向上し
た。
【００１５】このように、クーロン効果による最適露光
量の変化を近接効果補正で同時に補正することにより、
寸法精度を向上させることができる。
量の変化を近接効果補正で同時に補正することにより、
寸法精度を向上させることができる。
【００１６】［発明の実施の形態３］二つ以上の転写面
積を有するアパチャを用いてパターンを描画する場合、
すなわち二つ以上のδを用いる場合に、δをモンテカル
ロ法により求めることなく図４に示されるように最適露
光量とビーム電流の関係が１次式で表されるためビーム
だれの大きさすなわちビーム電流に対して１次式で近似
して求めた。
積を有するアパチャを用いてパターンを描画する場合、
すなわち二つ以上のδを用いる場合に、δをモンテカル
ロ法により求めることなく図４に示されるように最適露
光量とビーム電流の関係が１次式で表されるためビーム
だれの大きさすなわちビーム電流に対して１次式で近似
して求めた。
【００１７】尚、上記３つの実施例では、第１アパチャ
として矩形形状の開口部を有するものを用いたが、開口
部の形状は、他の多角形、円形、楕円形、またはこれら
の変形した図形形状でも良いことは言うまでもない。
として矩形形状の開口部を有するものを用いたが、開口
部の形状は、他の多角形、円形、楕円形、またはこれら
の変形した図形形状でも良いことは言うまでもない。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は部分一括描
画法において、部分一括転写面積に応じたＥＩＤ関数を
用いることにより、寸法制御性の向上を図ることができ
る。また、従来の近接効果補正に用いられていたＥＩＤ
関数に、新たにクーロン効果を補正する項を追加した新
しいＥＩＤ関数を用いることにより、補正時間の増大を
招くことなく寸法精度を向上させる効果がある。
画法において、部分一括転写面積に応じたＥＩＤ関数を
用いることにより、寸法制御性の向上を図ることができ
る。また、従来の近接効果補正に用いられていたＥＩＤ
関数に、新たにクーロン効果を補正する項を追加した新
しいＥＩＤ関数を用いることにより、補正時間の増大を
招くことなく寸法精度を向上させる効果がある。
【図１】本発明の一実施例を説明する図
【図２】従来例を説明する図
【図３】従来例による近接効果補正
【図４】クーロン効果による最適露光量の変化
【図５】本発明による近接効果補正
１ 電子銃 ２ 電子ビーム ３ 第１アパチャ ４ 成形レンズ ５ 成形偏向器 ６ 第２アパチャ ７ 縮小レンズ ８ 位置決め偏向器 ９ 対物レンズ １０ 試料 １１ 描画パターンエリア １２ ５μｍ×５μｍ部分一括アパチャ １３ ２．５μｍ×５μｍ部分一括アパチャ
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−41224（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−41223（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−121837（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−119835（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−119834（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−10824（ＪＰ，Ａ) Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖ ｏｌ．33，Ｐｔ．１，Ｎｏ．12Ｂ（1994 −12），ｐ．6953−6958 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (6)
- 【請求項１】 所定の形状に開口した第１アパチャと所
定の図形形状に開口した第２アパチャとにより成形した
電子ビームを用いて試料上に複数のパターンを描画する
部分一括描画法において、前記パターン間に生じる近接
効果を露光強度分布関数に基いて露光量により補正し、
前記露光量は、クーロン効果による描画線幅の変動を補
正するように決定することを特徴とする電子ビーム描画
方法。 - 【請求項２】 図形形状の異なる前記第２アパチャ毎に
露光強度分布関数を割当ることを特徴とする請求項１の
電子ビーム描画方法。 - 【請求項３】 前記露光強度分布関数がクーロン効果を
補正する項を含む事を特徴とする請求項１及び２の電子
ビーム描画方法。 - 【請求項４】 前記露光強度分布関数がクーロン効果を
補正する定数項を含む事を特徴とする請求項１及び２の
電子ビーム描画方法。 - 【請求項５】 前記露光強度分布関数がクーロン効果を
補正する項としてビーム電流に対して１次式で近似され
る項を含む事を特徴とする請求項１及び２の電子ビーム
描画方法。 - 【請求項６】 部分一括描画面積に対応した前記クーロ
ン効果を補正する項を含む複数の露光強度分布関数を用
いて近接効果補正を行なう事を特徴とする請求項１及び
２の電子ビーム描画方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8004679A JP2914264B2 (ja) | 1996-01-16 | 1996-01-16 | 電子ビーム描画方法 |
| US08/680,643 US5808310A (en) | 1996-01-16 | 1996-07-17 | Electron beam cell projection lithography method for correcting coulomb interaction effects |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8004679A JP2914264B2 (ja) | 1996-01-16 | 1996-01-16 | 電子ビーム描画方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09199389A JPH09199389A (ja) | 1997-07-31 |
| JP2914264B2 true JP2914264B2 (ja) | 1999-06-28 |
Family
ID=11590588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8004679A Expired - Fee Related JP2914264B2 (ja) | 1996-01-16 | 1996-01-16 | 電子ビーム描画方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5808310A (ja) |
| JP (1) | JP2914264B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6365897B1 (en) | 1997-12-18 | 2002-04-02 | Nikon Corporation | Electron beam type inspection device and method of making same |
| JP3807909B2 (ja) | 2000-09-01 | 2006-08-09 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光方法及び荷電粒子ビーム露光装置 |
| WO2002103765A1 (fr) * | 2001-06-18 | 2002-12-27 | Advantest Corporation | Appareil d'exposition a faisceau electronique, procede d'exposition a faisceau electronique, procede de fabrication de semi-conducteurs et procede de mesure de la forme de faisceau electronique |
| JP3686367B2 (ja) * | 2001-11-15 | 2005-08-24 | 株式会社ルネサステクノロジ | パターン形成方法および半導体装置の製造方法 |
| US20030185062A1 (en) * | 2002-03-28 | 2003-10-02 | Micron Technology, Inc. | Proximity lookup for large arrays |
| EP2579268A1 (en) * | 2003-09-05 | 2013-04-10 | Carl Zeiss SMT GmbH | Particle-optical systems and arrangements and particle-optical components for such systems and arrangements |
| US7087913B2 (en) * | 2003-10-17 | 2006-08-08 | Applied Materials, Inc. | Ion implanter electrodes |
| WO2007028596A1 (en) * | 2005-09-06 | 2007-03-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Charged particle inspection method and charged particle system |
| KR20140061480A (ko) | 2005-11-28 | 2014-05-21 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 입자 광학 구성요소 |
| US7897008B2 (en) * | 2006-10-27 | 2011-03-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and method for regional plasma control |
| US8387674B2 (en) | 2007-11-30 | 2013-03-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Comany, Ltd. | Chip on wafer bonder |
| US8178280B2 (en) * | 2010-02-05 | 2012-05-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Self-contained proximity effect correction inspiration for advanced lithography (special) |
| FR2959028B1 (fr) | 2010-04-15 | 2015-12-25 | Commissariat Energie Atomique | Procede de lithographie electronique par projection de cellules a grande maille |
| JP2015050439A (ja) * | 2013-09-04 | 2015-03-16 | 株式会社東芝 | 描画データの補正方法、描画方法、及びリソグラフィ用のマスク又はテンプレートの製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4463265A (en) * | 1982-06-17 | 1984-07-31 | Hewlett-Packard Company | Electron beam proximity effect correction by reverse field pattern exposure |
| JPH03174716A (ja) * | 1989-08-07 | 1991-07-29 | Hitachi Ltd | 電子ビーム描画装置および描画方式 |
| US5254438A (en) * | 1990-11-29 | 1993-10-19 | Hewlett-Packard Company | Single pass compensation for electron beam proximity effect |
| JP2647000B2 (ja) * | 1994-05-25 | 1997-08-27 | 日本電気株式会社 | 電子ビームの露光方法 |
-
1996
- 1996-01-16 JP JP8004679A patent/JP2914264B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-07-17 US US08/680,643 patent/US5808310A/en not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３３，Ｐｔ．１，Ｎｏ．１２Ｂ（１９９４−１２），ｐ．６９５３−６９５８ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5808310A (en) | 1998-09-15 |
| JPH09199389A (ja) | 1997-07-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2914264B2 (ja) | 電子ビーム描画方法 | |
| JP2842737B2 (ja) | 電子ビーム露光方法 | |
| JPH03174716A (ja) | 電子ビーム描画装置および描画方式 | |
| JP7393855B2 (ja) | 表面上に書込む形状をバイアスするための方法およびシステム | |
| JPS58190028A (ja) | 可変ライン走査を用いる荷電粒子ビ−ム露光装置 | |
| JP3601630B2 (ja) | 荷電粒子線転写方法 | |
| JPH11204415A (ja) | 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法 | |
| JP3295855B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法 | |
| JP2647000B2 (ja) | 電子ビームの露光方法 | |
| JP2874688B2 (ja) | マスク及びそれを用いた電子線露光方法 | |
| US11456153B2 (en) | Charged particle beam writing method and charged particle beam writing apparatus | |
| US11443918B2 (en) | Charged particle beam writing method and charged particle beam writing apparatus | |
| JP3080006B2 (ja) | 電子ビーム露光補正方法 | |
| US5789119A (en) | Image transfer mask for charged particle-beam | |
| JPH10144684A (ja) | 荷電粒子線描画方法及び装置 | |
| JPS6250975B2 (ja) | ||
| US11899373B2 (en) | Proximity effect correction in electron beam lithography | |
| KR101116529B1 (ko) | 포토마스크, 반도체 장치, 하전 빔 묘화 장치 | |
| JP3236162B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法及びその装置 | |
| JP3373185B2 (ja) | 荷電ビーム描画装置および荷電ビーム描画方法 | |
| JP3086238B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光装置 | |
| JPH09189992A (ja) | 透過孔マスク、その形成方法、及び電子ビーム露光方法 | |
| JPH11297619A (ja) | 荷電粒子線を用いた転写方法 | |
| JPH02186620A (ja) | 電子ビーム描画によるパターン形成方法 | |
| JP2005235813A (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990316 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080416 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090416 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |