JP7359050B2 - マルチビーム用のブランキング装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents
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Description
4 電子銃
6 照明レンズ
8 成形アパーチャアレイ基板
10 ブランキング装置
12 縮小レンズ
14 制限アパーチャ部材
16 対物レンズ
18 偏向器
20 描画室
22 XYステージ
24 マスクブランク
26 ミラー
100 セルアレイ領域
101 ブランカ
102 グランド電極
104 ブランキング電極
110 貫通孔
120 基板
132 保護膜
134 帯電防止膜
140 グランド配線
Claims (5)
- マルチビーム用のブランキング装置であって、
半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられた帯電防止膜と、
それぞれ、前記半導体基板及び前記絶縁膜に形成された貫通孔に対応して該絶縁膜上に設けられたブランキング電極及びグランド電極を有する複数のセルと、
前記絶縁膜中に設けられたグランド配線と、
を備え、
前記帯電防止膜と前記グランド配線とが前記グランド配線上の前記絶縁膜を貫通して形成された接続部で接続されており、
前記接続部は前記グランド電極とは異なる場所に設けられていることを特徴とするブランキング装置。 - 前記接続部は、前記セル毎に設けられることを特徴とする請求項1に記載のブランキング装置。
- マルチビーム用のブランキング装置であって、
半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられた帯電防止膜と、
それぞれ、前記半導体基板及び前記絶縁膜に形成された貫通孔に対応して該絶縁膜上に設けられたブランキング電極及びグランド電極を有する複数のセルと、
前記絶縁膜中に設けられたグランド配線と、
を備え、
前記帯電防止膜と前記グランド配線とが前記グランド配線上の前記絶縁膜を貫通して形成された接続部で接続されており、
前記接続部は、前記絶縁膜に設けられた開口部に形成された前記帯電防止膜を有することを特徴とするブランキング装置。 - 前記接続部では、前記絶縁膜に埋め込まれた導体を介して、前記帯電防止膜と前記グランド配線とが接続されていることを特徴とする請求項1又は2に記載のブランキング装置。
- 対象物を載置する、移動可能なステージと、
生成された荷電粒子のマルチビームに対してそれぞれ個別にビームのON/OFF制御を行う請求項1乃至4のいずれかに記載のブランキング装置と、
前記ブランキング装置を通過した各ビームが前記対象物上のそれぞれの照射位置に照射されるように、各ビームをまとめて偏向する偏向器と、
を備えるマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
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