JPH06223767A - 直接写像型反射電子顕微鏡 - Google Patents
直接写像型反射電子顕微鏡Info
- Publication number
- JPH06223767A JPH06223767A JP5013455A JP1345593A JPH06223767A JP H06223767 A JPH06223767 A JP H06223767A JP 5013455 A JP5013455 A JP 5013455A JP 1345593 A JP1345593 A JP 1345593A JP H06223767 A JPH06223767 A JP H06223767A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sector
- sample
- magnet
- type
- irradiation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 14
- 238000013507 mapping Methods 0.000 claims description 11
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 22
- 230000004075 alteration Effects 0.000 abstract description 17
- 238000001340 low-energy electron microscopy Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 125000003821 2-(trimethylsilyl)ethoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si](C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C(OC([H])([H])[*])([H])[H] 0.000 description 1
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】
【目的】 照射光学系と拡大結像光学系とをほぼ平行に
配置し、入射ビーム及び結像像の収差を少なくした直接
写像反射型電子顕微鏡。 【構成】 ビームセパレータ３を３個のセクター型磁石
３１〜３３で構成し、第２のセクター型磁石３２は３つ
の端面を有し、１つの端面は試料Ｓに対向し、他の２つ
の端面はそれぞれ第１及び第３のセクター型磁石３１、
３３に対向して配置され、第１セクター型磁石３１に照
射系２が接続され、第３のセクター型磁石３３に結像系
５が接続され、照射系２及び結像系５が試料Ｓ面法線Ａ
に対してほぼ対称に配置されている。試料Ｓ上の入射ビ
ーム及びスクリーン６上の結像像の収差を少なくするこ
とができ、良好な反射電子像を得ることができると共
に、軸合わせ等の調整が容易になる。また、光学系の配
置の自由度も高くなる。
配置し、入射ビーム及び結像像の収差を少なくした直接
写像反射型電子顕微鏡。 【構成】 ビームセパレータ３を３個のセクター型磁石
３１〜３３で構成し、第２のセクター型磁石３２は３つ
の端面を有し、１つの端面は試料Ｓに対向し、他の２つ
の端面はそれぞれ第１及び第３のセクター型磁石３１、
３３に対向して配置され、第１セクター型磁石３１に照
射系２が接続され、第３のセクター型磁石３３に結像系
５が接続され、照射系２及び結像系５が試料Ｓ面法線Ａ
に対してほぼ対称に配置されている。試料Ｓ上の入射ビ
ーム及びスクリーン６上の結像像の収差を少なくするこ
とができ、良好な反射電子像を得ることができると共
に、軸合わせ等の調整が容易になる。また、光学系の配
置の自由度も高くなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、反射型電子顕微鏡に関
し、特に、試料への入射電子線とそれからの反射電子線
を分離するビームセパレータに工夫を施して、照射光学
系と拡大結像光学系とを平行にし、かつ、収差を少なく
した直接写像型反射電子顕微鏡に関する。
し、特に、試料への入射電子線とそれからの反射電子線
を分離するビームセパレータに工夫を施して、照射光学
系と拡大結像光学系とを平行にし、かつ、収差を少なく
した直接写像型反射電子顕微鏡に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子顕微鏡には、試料に対して電子が透
過する透過型と反射する反射型がある。また、像形成の
点から見て、直接写像型と走査型がある。この２つの観
点から、透過型で直接写像型のものがＴＥＭと呼ばれる
電子顕微鏡であり、透過型で走査型のものがＳＴＥＭと
呼ばれる電子顕微鏡である。また、反射型で走査型のも
のがＳＥＭである。これに対して、反射型で直接写像型
のものは、ＬＥＥＭないしＬＥＥＲＭ（Low Energy Ref
lecgtion Microscope ）と呼ばれる。
過する透過型と反射する反射型がある。また、像形成の
点から見て、直接写像型と走査型がある。この２つの観
点から、透過型で直接写像型のものがＴＥＭと呼ばれる
電子顕微鏡であり、透過型で走査型のものがＳＴＥＭと
呼ばれる電子顕微鏡である。また、反射型で走査型のも
のがＳＥＭである。これに対して、反射型で直接写像型
のものは、ＬＥＥＭないしＬＥＥＲＭ（Low Energy Ref
lecgtion Microscope ）と呼ばれる。
【０００３】ＬＥＥＭは、２０〜２００Ｖの低加速電子
を試料表面に垂直に当て、試料表面から反射して出てき
た電子を用いて直接像を得るものである。結像の原理は
ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）と同じであるが、反射電子
を用いて像を得るため、試料面に対して折れ曲がった光
学系が必要である。図３は、従来のＬＥＥＭの光学系を
模式的に示す図であり、試料Ｓの面に対して斜め上方に
配置した電子銃１からの電子ビームは照射レンズ系２に
より絞られ、試料面に斜めに入射するように照射され
る。この斜めの電子ビームはビームセパレータ３により
試料面に垂直に曲げられ、カソード対物レンズ４により
減速されて試料Ｓに垂直に入射する。そして、試料Ｓか
ら反射された電子はカソード対物レンズ４により加速さ
れ、ビームセパレータ３に入射し、今度は反対側に曲げ
られ、入射電子線から反対の斜め上方へ分離され、結像
レンズ系５によりスクリーン６上に結像される。試料Ｓ
近傍では電子の速度は遅く、外乱の影響を受けやすいの
で、普通、試料Ｓから出た直後に上記のようにカソード
対物レンズ４により加速し、１０〜２０ｋＶの加速電圧
で光学系を通すことが行われる。同じように、入射ビー
ムも１０〜２０ｋＶの加速電圧で照射光学系２、３を通
過し、試料Ｓの直前でカソード対物レンズ４により減速
される。
を試料表面に垂直に当て、試料表面から反射して出てき
た電子を用いて直接像を得るものである。結像の原理は
ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）と同じであるが、反射電子
を用いて像を得るため、試料面に対して折れ曲がった光
学系が必要である。図３は、従来のＬＥＥＭの光学系を
模式的に示す図であり、試料Ｓの面に対して斜め上方に
配置した電子銃１からの電子ビームは照射レンズ系２に
より絞られ、試料面に斜めに入射するように照射され
る。この斜めの電子ビームはビームセパレータ３により
試料面に垂直に曲げられ、カソード対物レンズ４により
減速されて試料Ｓに垂直に入射する。そして、試料Ｓか
ら反射された電子はカソード対物レンズ４により加速さ
れ、ビームセパレータ３に入射し、今度は反対側に曲げ
られ、入射電子線から反対の斜め上方へ分離され、結像
レンズ系５によりスクリーン６上に結像される。試料Ｓ
近傍では電子の速度は遅く、外乱の影響を受けやすいの
で、普通、試料Ｓから出た直後に上記のようにカソード
対物レンズ４により加速し、１０〜２０ｋＶの加速電圧
で光学系を通すことが行われる。同じように、入射ビー
ムも１０〜２０ｋＶの加速電圧で照射光学系２、３を通
過し、試料Ｓの直前でカソード対物レンズ４により減速
される。
【０００４】このように、カソード対物レンズ４は、電
子の加速、減速を行い、併せて、初段レンズとして像の
拡大を行う役割を担っている。
子の加速、減速を行い、併せて、初段レンズとして像の
拡大を行う役割を担っている。
【０００５】また、照射ビームと反射ビームは試料Ｓ近
傍で同一パスを通るので、照射ビームと反射ビームのパ
スを分離することが必要になる。この役割を担っている
のがビームセパレータ３であり、通常、磁場型セクター
が用いられている。この磁場型セクターは、幸い１個で
この振り分けが可能である。なぜならば、ローレンツ力
により進行方向に対して同じ向きに力を受けるが、電子
の向きが逆なので、反対方向に曲げられることになるた
めである。
傍で同一パスを通るので、照射ビームと反射ビームのパ
スを分離することが必要になる。この役割を担っている
のがビームセパレータ３であり、通常、磁場型セクター
が用いられている。この磁場型セクターは、幸い１個で
この振り分けが可能である。なぜならば、ローレンツ力
により進行方向に対して同じ向きに力を受けるが、電子
の向きが逆なので、反対方向に曲げられることになるた
めである。
【０００６】ところが、この磁場型セクターが作る２次
収差は、最終的に得られる像を歪ませる（あるいは、ボ
ケさせる。）。収差の影響を出来るだけ少なくするため
の対策として、入射ビームと反射ビームとのなす角を出
来る限り小さくしたり、あるいは、ウィーンフィルタを
用いて、反射ビームだけは試料に対して垂直に出射さ
せ、２次収差の影響を受けないようにする（特願平３−
１９９１３４号）等の工夫がなされてきた。
収差は、最終的に得られる像を歪ませる（あるいは、ボ
ケさせる。）。収差の影響を出来るだけ少なくするため
の対策として、入射ビームと反射ビームとのなす角を出
来る限り小さくしたり、あるいは、ウィーンフィルタを
用いて、反射ビームだけは試料に対して垂直に出射さ
せ、２次収差の影響を受けないようにする（特願平３−
１９９１３４号）等の工夫がなされてきた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来、
結像される像に対する入射ビームの影響は余り考慮され
てこなかった。ＴＥＭとの類似で考えれば、像に対する
入射ビームの角度等の影響は極めて大きいと考えざるを
得ない。特に、軸合わせ等において、入射ビームのパタ
ーンが収差や軸の狂いを含まないものであることが必要
とされる。
結像される像に対する入射ビームの影響は余り考慮され
てこなかった。ＴＥＭとの類似で考えれば、像に対する
入射ビームの角度等の影響は極めて大きいと考えざるを
得ない。特に、軸合わせ等において、入射ビームのパタ
ーンが収差や軸の狂いを含まないものであることが必要
とされる。
【０００８】本発明はこのような状況に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、照射光学系と拡大結像光学系
とをほぼ平行に配置し、入射ビーム及び結像像の収差を
少なくした直接写像反射型電子顕微鏡を提供することで
ある。
ものであり、その目的は、照射光学系と拡大結像光学系
とをほぼ平行に配置し、入射ビーム及び結像像の収差を
少なくした直接写像反射型電子顕微鏡を提供することで
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の直接写像反射型電子顕微鏡は、試料に照射する電子
ビームと試料から反射され照射電子ビームに対して反対
方向に進む電子線とをビームセパレータにより分離する
直接写像型反射電子顕微鏡において、ビームセパレータ
が３個のセクター型磁石で構成され、第２のセクター型
磁石は３つの端面を有し、１つの端面は試料に対向し、
他の２つの端面はそれぞれ第１及び第３のセクター型磁
石に対向して配置され、第１セクター型磁石に照射系が
接続され、第３のセクター型磁石に結像系が接続され、
前記照射系及び結像系が試料面法線に対してほぼ対称に
配置されていることを特徴とするものである。
明の直接写像反射型電子顕微鏡は、試料に照射する電子
ビームと試料から反射され照射電子ビームに対して反対
方向に進む電子線とをビームセパレータにより分離する
直接写像型反射電子顕微鏡において、ビームセパレータ
が３個のセクター型磁石で構成され、第２のセクター型
磁石は３つの端面を有し、１つの端面は試料に対向し、
他の２つの端面はそれぞれ第１及び第３のセクター型磁
石に対向して配置され、第１セクター型磁石に照射系が
接続され、第３のセクター型磁石に結像系が接続され、
前記照射系及び結像系が試料面法線に対してほぼ対称に
配置されていることを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】本発明においては、ビームセパレータが３個の
セクター型磁石で構成され、第２のセクター型磁石は３
つの端面を有し、１つの端面は試料に対向し、他の２つ
の端面はそれぞれ第１及び第３のセクター型磁石に対向
して配置され、第１セクター型磁石に照射系が接続さ
れ、第３のセクター型磁石に結像系が接続され、照射系
及び結像系が試料面法線に対してほぼ対称に配置されて
いるので、試料上の入射ビーム及びスクリーン上の結像
像の収差を少なくすることができ、良好な反射電子像を
得ることができると共に、軸合わせ等の調整が容易にな
る。また、光学系の配置の自由度も高くなり、装置をコ
ンパクトに構成することもできる。
セクター型磁石で構成され、第２のセクター型磁石は３
つの端面を有し、１つの端面は試料に対向し、他の２つ
の端面はそれぞれ第１及び第３のセクター型磁石に対向
して配置され、第１セクター型磁石に照射系が接続さ
れ、第３のセクター型磁石に結像系が接続され、照射系
及び結像系が試料面法線に対してほぼ対称に配置されて
いるので、試料上の入射ビーム及びスクリーン上の結像
像の収差を少なくすることができ、良好な反射電子像を
得ることができると共に、軸合わせ等の調整が容易にな
る。また、光学系の配置の自由度も高くなり、装置をコ
ンパクトに構成することもできる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照にして本発明の直接写像反
射型電子顕微鏡の実施例について説明するが、本発明
は、特に、入射ビームの作る収差にも配慮したビームセ
パレータに特徴があるものである。
射型電子顕微鏡の実施例について説明するが、本発明
は、特に、入射ビームの作る収差にも配慮したビームセ
パレータに特徴があるものである。
【００１２】図１は、本発明によるＬＥＥＭの概略の構
成を示す図であり、この装置は、電子銃１と照射レンズ
系２からなる照射光学系の光軸と、結像レンズ系５及び
スクリーン６からなる拡大結像光学系の光軸とは平行
で、両光軸の中間の軸Ａ上に試料Ｓが配置される構成に
なっており、そのために、ビームセパレータ３が３つの
セクター型磁石３１、３２、３３から構成されている。
このように配置すると、電子銃１からの電子ビームは、
照射レンズ系２により軸Ａに平行に絞られ、第１のセク
ター型磁石３１により右側に曲げられて第２のセクター
型磁石３２に入射し、第２のセクター型磁石３２により
反対方向にほぼ同じ角度曲げられて軸Ａに沿って出射
し、カソード対物レンズ４により減速されて試料Ｓに垂
直に入射する。そして、試料Ｓから反射された電子は、
カソード対物レンズ４により加速され、今度は第２のセ
クター型磁石３２により入射ビームから反対の方向に分
離されて第３のセクター型磁石３３に入射し、第３のセ
クター型磁石３３により反対方向にほぼ同じ角度曲げら
れて軸Ａに平行な軸に沿って出射し、結像レンズ系５に
よりスクリーン６上に結像される。
成を示す図であり、この装置は、電子銃１と照射レンズ
系２からなる照射光学系の光軸と、結像レンズ系５及び
スクリーン６からなる拡大結像光学系の光軸とは平行
で、両光軸の中間の軸Ａ上に試料Ｓが配置される構成に
なっており、そのために、ビームセパレータ３が３つの
セクター型磁石３１、３２、３３から構成されている。
このように配置すると、電子銃１からの電子ビームは、
照射レンズ系２により軸Ａに平行に絞られ、第１のセク
ター型磁石３１により右側に曲げられて第２のセクター
型磁石３２に入射し、第２のセクター型磁石３２により
反対方向にほぼ同じ角度曲げられて軸Ａに沿って出射
し、カソード対物レンズ４により減速されて試料Ｓに垂
直に入射する。そして、試料Ｓから反射された電子は、
カソード対物レンズ４により加速され、今度は第２のセ
クター型磁石３２により入射ビームから反対の方向に分
離されて第３のセクター型磁石３３に入射し、第３のセ
クター型磁石３３により反対方向にほぼ同じ角度曲げら
れて軸Ａに平行な軸に沿って出射し、結像レンズ系５に
よりスクリーン６上に結像される。
【００１３】ここで、各セクター型磁石３１、３２、３
３の端面は、通常の質量分析装置や電子線用オメガフィ
ルターと同じように、非点収差なしの結像や２次収差除
去のために、テーパーを設けたり、曲面にしてももちろ
んよい。図１では、簡単のためにこれらの端面は図示を
省略してある。また、フリンジ場調整のためのミラーも
設けてもよい。
３の端面は、通常の質量分析装置や電子線用オメガフィ
ルターと同じように、非点収差なしの結像や２次収差除
去のために、テーパーを設けたり、曲面にしてももちろ
んよい。図１では、簡単のためにこれらの端面は図示を
省略してある。また、フリンジ場調整のためのミラーも
設けてもよい。
【００１４】この３個のセクター型磁石３１、３２、３
３は、試料Ｓをミラーとして考えれば、図２に示すよう
な４個のセクター型磁石３１、３２、３２、３３か
らなるオメガフィルターの後半の２つのセクター型磁石
３２、３３を軸の回りで１８０°回転したものに相当
すると理解することができる。すなわち、上記３個のセ
クター型磁石３１、３２、３３によって構成されるビー
ムセパレータ３は電子光学的にはオメガフィルターに相
当し、中心の対称面で１次収差、２次の開口収差、湾曲
収差が消せる等のオメガフィルターが持つ光学特性の殆
どを実現することができる。したがって、例えば、第１
のセクター型磁石３１による２次収差を第２のセクター
型磁石３２により補正することができるし、また、第２
のセクター型磁石３２と第３のセクター型磁石３３の関
係でも同様である。そのため、試料Ｓ上の入射ビーム及
びスクリーン６上の結像像の収差を少なくすることがで
きる。また、入射ビームの持つエネルギーの拡がりは、
第３のセクター型磁石３３の出口において分散が生じな
いように、各セクター型磁石のパラメータを設定するこ
とも可能で、試料Ｓが作るエネルギーの拡がりを第３の
セクター型磁石３３の出口において分散させ、エネルギ
ー分析器としても働かせることができる。また、第２の
セクター型磁石３２において、入射側と出射側のビーム
のなす角をθ≒８０°〜１１０°程度と非常に大きく取
ることが可能で、従来のビームセパレータにおけるθ≒
１５°〜４５°と比較して非常に大きく、その前段と後
段の光学系の接触の問題が起き難くなり、これらの光学
系を近接して配置することができる。
３は、試料Ｓをミラーとして考えれば、図２に示すよう
な４個のセクター型磁石３１、３２、３２、３３か
らなるオメガフィルターの後半の２つのセクター型磁石
３２、３３を軸の回りで１８０°回転したものに相当
すると理解することができる。すなわち、上記３個のセ
クター型磁石３１、３２、３３によって構成されるビー
ムセパレータ３は電子光学的にはオメガフィルターに相
当し、中心の対称面で１次収差、２次の開口収差、湾曲
収差が消せる等のオメガフィルターが持つ光学特性の殆
どを実現することができる。したがって、例えば、第１
のセクター型磁石３１による２次収差を第２のセクター
型磁石３２により補正することができるし、また、第２
のセクター型磁石３２と第３のセクター型磁石３３の関
係でも同様である。そのため、試料Ｓ上の入射ビーム及
びスクリーン６上の結像像の収差を少なくすることがで
きる。また、入射ビームの持つエネルギーの拡がりは、
第３のセクター型磁石３３の出口において分散が生じな
いように、各セクター型磁石のパラメータを設定するこ
とも可能で、試料Ｓが作るエネルギーの拡がりを第３の
セクター型磁石３３の出口において分散させ、エネルギ
ー分析器としても働かせることができる。また、第２の
セクター型磁石３２において、入射側と出射側のビーム
のなす角をθ≒８０°〜１１０°程度と非常に大きく取
ることが可能で、従来のビームセパレータにおけるθ≒
１５°〜４５°と比較して非常に大きく、その前段と後
段の光学系の接触の問題が起き難くなり、これらの光学
系を近接して配置することができる。
【００１５】以上、本発明の直接写像反射型電子顕微鏡
を実施例に基づいて説明したが、本発明はこの実施例に
限定されず種々の変形が可能である。
を実施例に基づいて説明したが、本発明はこの実施例に
限定されず種々の変形が可能である。
【００１６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の直接写像反射型電子顕微鏡によると、ビームセパレー
タが３個のセクター型磁石で構成され、第２のセクター
型磁石は３つの端面を有し、１つの端面は試料に対向
し、他の２つの端面はそれぞれ第１及び第３のセクター
型磁石に対向して配置され、第１セクター型磁石に照射
系が接続され、第３のセクター型磁石に結像系が接続さ
れ、照射系及び結像系が試料面法線に対してほぼ対称に
配置されているので、試料上の入射ビーム及びスクリー
ン上の結像像の収差を少なくすることができ、良好な反
射電子像を得ることができると共に、軸合わせ等の調整
が容易になる。また、光学系の配置の自由度も高くな
り、装置をコンパクトに構成することもできる。
の直接写像反射型電子顕微鏡によると、ビームセパレー
タが３個のセクター型磁石で構成され、第２のセクター
型磁石は３つの端面を有し、１つの端面は試料に対向
し、他の２つの端面はそれぞれ第１及び第３のセクター
型磁石に対向して配置され、第１セクター型磁石に照射
系が接続され、第３のセクター型磁石に結像系が接続さ
れ、照射系及び結像系が試料面法線に対してほぼ対称に
配置されているので、試料上の入射ビーム及びスクリー
ン上の結像像の収差を少なくすることができ、良好な反
射電子像を得ることができると共に、軸合わせ等の調整
が容易になる。また、光学系の配置の自由度も高くな
り、装置をコンパクトに構成することもできる。
【図１】本発明によるＬＥＥＭの概略の構成を示す図で
ある。
ある。
【図２】本発明によるＬＥＥＭがオメガフィルターに相
当することを説明するための図である。
当することを説明するための図である。
【図３】従来のＬＥＥＭの概略の構成を示す図である。
Ｓ…試料 Ａ…中心軸 １…電子銃 ２…照射レンズ系 ３…ビームセパレータ ４…カソード対物レンズ ５…結像レンズ系 ６…スクリーン ３１…第１のセクター型磁石 ３２…第２のセクター型磁石 ３３…第３のセクター型磁石 ３２…セクター型磁石 ３２…セクター型磁石
Claims (1)
- 【請求項１】 試料に照射する電子ビームと試料から反
射され照射電子ビームに対して反対方向に進む電子線と
をビームセパレータにより分離する直接写像型反射電子
顕微鏡において、ビームセパレータが３個のセクター型
磁石で構成され、第２のセクター型磁石は３つの端面を
有し、１つの端面は試料に対向し、他の２つの端面はそ
れぞれ第１及び第３のセクター型磁石に対向して配置さ
れ、第１セクター型磁石に照射系が接続され、第３のセ
クター型磁石に結像系が接続され、前記照射系及び結像
系が試料面法線に対してほぼ対称に配置されていること
を特徴とする直接写像型反射電子顕微鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05013455A JP3123850B2 (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | 直接写像型反射電子顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05013455A JP3123850B2 (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | 直接写像型反射電子顕微鏡 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06223767A true JPH06223767A (ja) | 1994-08-12 |
| JP3123850B2 JP3123850B2 (ja) | 2001-01-15 |
Family
ID=11833625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05013455A Expired - Fee Related JP3123850B2 (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | 直接写像型反射電子顕微鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3123850B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1058287A2 (en) * | 1999-06-01 | 2000-12-06 | Jeol Ltd. | Magnetic energy filter |
| EP1389793A2 (de) | 2002-08-02 | 2004-02-18 | LEO Elektronenmikroskopie GmbH | Elektronenmikroskopiesystem |
| WO2005024881A2 (en) | 2003-09-05 | 2005-03-17 | Carl Zeiss Smt Ag | Particle-optical systems, components and arrangements |
| JP2006351902A (ja) * | 2005-06-17 | 2006-12-28 | Consortium For Advanced Semiconductor Materials & Related Technologies | ビアホール形成方法、及び半導体装置 |
-
1993
- 1993-01-29 JP JP05013455A patent/JP3123850B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1780762A1 (en) * | 1999-06-01 | 2007-05-02 | Jeol Ltd. | Magnetic energy filter |
| EP1058287A3 (en) * | 1999-06-01 | 2005-06-15 | Jeol Ltd. | Magnetic energy filter |
| EP1058287A2 (en) * | 1999-06-01 | 2000-12-06 | Jeol Ltd. | Magnetic energy filter |
| EP1389793A2 (de) | 2002-08-02 | 2004-02-18 | LEO Elektronenmikroskopie GmbH | Elektronenmikroskopiesystem |
| EP2996138A1 (de) * | 2002-08-02 | 2016-03-16 | Carl Zeiss Microscopy GmbH | Elektronemnmikroskopiesystem |
| EP1389793A3 (de) * | 2002-08-02 | 2009-06-10 | Carl Zeiss NTS GmbH | Elektronenmikroskopiesystem |
| EP1668662A2 (en) * | 2003-09-05 | 2006-06-14 | Carl Zeiss SMT AG | Particle-optical systems and arrangements and particle-optical components for such systems and arrangements |
| JP2007513460A (ja) * | 2003-09-05 | 2007-05-24 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 粒子光学システム及び装置、並びに、かかるシステム及び装置用の粒子光学部品 |
| EP1668662A4 (en) * | 2003-09-05 | 2010-12-15 | Zeiss Carl Smt Ag | PARTICLE OPTICAL SYSTEMS AND DEVICES AND PARTICULAR OPTICAL COMPONENTS FOR SUCH SYSTEMS AND DEVICES |
| JP4794444B2 (ja) * | 2003-09-05 | 2011-10-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 粒子光学システム及び装置、並びに、かかるシステム及び装置用の粒子光学部品 |
| US8097847B2 (en) | 2003-09-05 | 2012-01-17 | Carl Ziess Smt Ag | Particle-optical systems and arrangements and particle-optical components for such systems and arrangements |
| US8637834B2 (en) | 2003-09-05 | 2014-01-28 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Particle-optical systems and arrangements and particle-optical components for such systems and arrangements |
| US9224576B2 (en) | 2003-09-05 | 2015-12-29 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Particle-optical systems and arrangements and particle-optical components for such systems and arrangements |
| WO2005024881A2 (en) | 2003-09-05 | 2005-03-17 | Carl Zeiss Smt Ag | Particle-optical systems, components and arrangements |
| US9673024B2 (en) | 2003-09-05 | 2017-06-06 | Applied Materials Israel, Ltd. | Particle-optical systems and arrangements and particle-optical components for such systems and arrangements |
| US10504681B2 (en) | 2003-09-05 | 2019-12-10 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Particle-optical systems and arrangements and particle-optical components for such systems and arrangements |
| JP2006351902A (ja) * | 2005-06-17 | 2006-12-28 | Consortium For Advanced Semiconductor Materials & Related Technologies | ビアホール形成方法、及び半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3123850B2 (ja) | 2001-01-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5319207A (en) | Imaging system for charged particles | |
| US7531799B2 (en) | Charged particle beam column | |
| US3845305A (en) | Microbeam probe apparatus | |
| JP4384027B2 (ja) | サンプルを検査するための荷電粒子ビーム装置及び方法 | |
| JP7336926B2 (ja) | 性能が向上されたマルチ電子ビーム撮像装置 | |
| US4978855A (en) | Electron microscope for investigation of surfaces of solid bodies | |
| EP2091064A1 (en) | Electron beam device | |
| US7022987B2 (en) | Particle-optical arrangements and particle-optical systems | |
| JPH04242060A (ja) | 反射電子顕微鏡 | |
| US20030218133A1 (en) | Charged particle beam column and method for directing a charged particle beam | |
| US6878937B1 (en) | Prism array for electron beam inspection and defect review | |
| EP3923314A1 (en) | Dual beam microscope system for imaging during sample processing | |
| JPH11195396A (ja) | エネルギーフィルタを有する粒子線装置 | |
| JP3123850B2 (ja) | 直接写像型反射電子顕微鏡 | |
| JP2000228162A (ja) | 電子ビーム装置 | |
| WO1999026272A1 (en) | Particle beam device | |
| JP2003187730A (ja) | ビームセパレータ及び反射電子顕微鏡 | |
| US4429222A (en) | Transmission electron microscope | |
| JP4071473B2 (ja) | モノクロメータ付走査形電子顕微鏡 | |
| JPH05109381A (ja) | 直接写像型反射電子顕微鏡 | |
| US4097739A (en) | Beam deflection and focusing system for a scanning corpuscular-beam microscope | |
| JP3790646B2 (ja) | 低エネルギー反射電子顕微鏡 | |
| JPH01264149A (ja) | 荷電粒子線応用装置 | |
| JP3696827B2 (ja) | エネルギーフィルタ | |
| JP4135221B2 (ja) | 写像型電子顕微鏡 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000926 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081027 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091027 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091027 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101027 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |