JP2001284230A - 電子光学系アレイ、これを用いた荷電粒子線露光装置ならびにデバイス製造方法 - Google Patents
電子光学系アレイ、これを用いた荷電粒子線露光装置ならびにデバイス製造方法Info
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Classifications
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
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- H01J37/12—Lenses electrostatic
-
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
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- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31774—Multi-beam
Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型化、高精度化、信頼性といった各種条件
を高いレベルで実現した電子光学系アレイの提供。 【解決手段】 それぞれに複数の開口が形成された上電
極、中間電極および下電極と、前記中間電極を側方から
挟んでこれをシールドする導電性のシールドとを有する
ことを特徴とする電子光学系アレイ。
を高いレベルで実現した電子光学系アレイの提供。 【解決手段】 それぞれに複数の開口が形成された上電
極、中間電極および下電極と、前記中間電極を側方から
挟んでこれをシールドする導電性のシールドとを有する
ことを特徴とする電子光学系アレイ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子ビーム等の荷
電粒子線を用いた露光装置に使用される電子光学系の技
術分野に属し、特に複数の電子光学系をアレイにした電
子光学系アレイに関するものである。
電粒子線を用いた露光装置に使用される電子光学系の技
術分野に属し、特に複数の電子光学系をアレイにした電
子光学系アレイに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの生産において、電子ビ
ーム露光技術は０．１μm以下の微細パターン露光を可
能とするリソグラフィの有力候補として脚光を浴びてお
り、いくつかの方式がある。例えば、いわゆる一筆書き
でパターンを描画する可変矩形ビーム方式がある。しか
しこれはスループットが低く量産用露光機としては課題
が多い。スループットの向上を図るものとして、ステン
シルマスクに形成したパターンを縮小転写する図形一括
露光方式が提案されている。この方式は、繰り返しの多
い単純パターンには有利であるが、ロジック配線層等の
ランダムパターンではスループットの点で課題が多く、
実用化に際して生産性向上の妨げが大きい。
ーム露光技術は０．１μm以下の微細パターン露光を可
能とするリソグラフィの有力候補として脚光を浴びてお
り、いくつかの方式がある。例えば、いわゆる一筆書き
でパターンを描画する可変矩形ビーム方式がある。しか
しこれはスループットが低く量産用露光機としては課題
が多い。スループットの向上を図るものとして、ステン
シルマスクに形成したパターンを縮小転写する図形一括
露光方式が提案されている。この方式は、繰り返しの多
い単純パターンには有利であるが、ロジック配線層等の
ランダムパターンではスループットの点で課題が多く、
実用化に際して生産性向上の妨げが大きい。
【０００３】これに対して、マスクを用いずに複数本の
電子ビームで同時にパターンを描画するマルチビームシ
ステムの提案がなされており、物理的なマスク作製や交
換をなくし、実用化に向けて多くの利点を備えている。
電子ビームをマルチ化する上で重要となるのが、これに
使用する電子レンズのアレイ数である。電子ビーム露光
装置の内部に配置できる電子レンズのアレイ数によりビ
ーム数が決まり、スループットを決定する大きな要因と
なる。このため電子レンズの性能を高めながら且つ如何
に小型化できるかが、マルチビーム型露光装置の性能向
上のカギのひとつとなる。
電子ビームで同時にパターンを描画するマルチビームシ
ステムの提案がなされており、物理的なマスク作製や交
換をなくし、実用化に向けて多くの利点を備えている。
電子ビームをマルチ化する上で重要となるのが、これに
使用する電子レンズのアレイ数である。電子ビーム露光
装置の内部に配置できる電子レンズのアレイ数によりビ
ーム数が決まり、スループットを決定する大きな要因と
なる。このため電子レンズの性能を高めながら且つ如何
に小型化できるかが、マルチビーム型露光装置の性能向
上のカギのひとつとなる。
【０００４】電子レンズには電磁型と静電型があり、静
電型は磁界型に比べて、コイルコア等を設ける必要がな
く構成が容易であり小型化に有利となる。ここで静電型
の電子レンズ（静電レンズ）の小型化に関する主な従来
技術を以下に示す。
電型は磁界型に比べて、コイルコア等を設ける必要がな
く構成が容易であり小型化に有利となる。ここで静電型
の電子レンズ（静電レンズ）の小型化に関する主な従来
技術を以下に示す。
【０００５】A.D. Feinerman等（J. Vac. Sci. Techno
l. A 10(4), p611, 1992）は、ファイバとＳｉの結晶異
方性エッチングにより作製したV溝を用いたマイクロメ
カニクス技術により、静電単一レンズである3枚の電極
からなる３次元構造体を形成することを開示する。Ｓｉ
にはメンブレン枠とメンブレンと該メンブレンに電子ビ
ームが通過する開口を設ける。また、K.Y. Lee等（J. V
ac. Sci. Technol. B12(6), p3425, 1994）は、陽極接
合法を利用してＳｉとパイレックス（登録商標）ガラス
が複数積層に接合された構造体を開示するもので、高精
度にアライメントされたマイクロカラム用電子レンズを
作製する。また、Sasaki（J. Vac. Sci. Technol. 19,
963 (1981)）はレンズ開口配列を有する３枚電極でアイ
ンツェルレンズ配列にした構成を開示する。また、Chan
g等（J. Vac. Sci. Technol. B10,2743 (1992)）は、ア
インツェルレンズを有するマイクロカラムを複数配列し
た構成を提案している。
l. A 10(4), p611, 1992）は、ファイバとＳｉの結晶異
方性エッチングにより作製したV溝を用いたマイクロメ
カニクス技術により、静電単一レンズである3枚の電極
からなる３次元構造体を形成することを開示する。Ｓｉ
にはメンブレン枠とメンブレンと該メンブレンに電子ビ
ームが通過する開口を設ける。また、K.Y. Lee等（J. V
ac. Sci. Technol. B12(6), p3425, 1994）は、陽極接
合法を利用してＳｉとパイレックス（登録商標）ガラス
が複数積層に接合された構造体を開示するもので、高精
度にアライメントされたマイクロカラム用電子レンズを
作製する。また、Sasaki（J. Vac. Sci. Technol. 19,
963 (1981)）はレンズ開口配列を有する３枚電極でアイ
ンツェルレンズ配列にした構成を開示する。また、Chan
g等（J. Vac. Sci. Technol. B10,2743 (1992)）は、ア
インツェルレンズを有するマイクロカラムを複数配列し
た構成を提案している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例において多数の開口電極をアレイ状に配列し、各電
子ビームに異なるレンズ作用を与えようとすると、周囲
の静電レンズ電界の影響で軌道や収差が変化し、各電子
ビームを独立に操作することが困難になる、所謂クロス
トーク問題を生じる可能性がある。
来例において多数の開口電極をアレイ状に配列し、各電
子ビームに異なるレンズ作用を与えようとすると、周囲
の静電レンズ電界の影響で軌道や収差が変化し、各電子
ビームを独立に操作することが困難になる、所謂クロス
トーク問題を生じる可能性がある。
【０００７】このクロストーク問題を図１０を用いて具
体的に説明する。上電極１、中間電極２及び下電極３の
３枚電極でアインツェルレンズを構成している。上電極
１及び下電極３は厚さ10μmであり、径 80μmの開口が
200μmピッチで配されている。中間電極２は厚さ50μm
であり、内径80μmの円筒形状をしており、これが200μ
mピッチで配されている。上電極１と中間電極２、中間
電極２と下電極３の距離は共に100μmである。上電極１
及び下電極３に電位０[V]を、中央列Ｂとその上列Ａの
中間電極２には−１０００[V]を、下列Ｃの中間電極２
には−９５０[V]を印加する。すなわち隣接電極間電位
差は５０[V]である。この場合、上電極１の左方より、
ビーム径40μm、エネルギ 50 keVの電子ビームを中央の
開口に入射すると、電子ビームの下方シフト角Δθ十数
μrad以上となる。電子光学系の設計にも依るが、典型
的な許容値として、シフト角Δθを1μrad以下に設定す
ることが可能であるが、この電極構成ではシフト角はこ
の許容範囲を越えるため、周囲のレンズ電界の影響を受
けて、いわゆるクロストークが発生する。これを解決す
ることが大きな課題である。
体的に説明する。上電極１、中間電極２及び下電極３の
３枚電極でアインツェルレンズを構成している。上電極
１及び下電極３は厚さ10μmであり、径 80μmの開口が
200μmピッチで配されている。中間電極２は厚さ50μm
であり、内径80μmの円筒形状をしており、これが200μ
mピッチで配されている。上電極１と中間電極２、中間
電極２と下電極３の距離は共に100μmである。上電極１
及び下電極３に電位０[V]を、中央列Ｂとその上列Ａの
中間電極２には−１０００[V]を、下列Ｃの中間電極２
には−９５０[V]を印加する。すなわち隣接電極間電位
差は５０[V]である。この場合、上電極１の左方より、
ビーム径40μm、エネルギ 50 keVの電子ビームを中央の
開口に入射すると、電子ビームの下方シフト角Δθ十数
μrad以上となる。電子光学系の設計にも依るが、典型
的な許容値として、シフト角Δθを1μrad以下に設定す
ることが可能であるが、この電極構成ではシフト角はこ
の許容範囲を越えるため、周囲のレンズ電界の影響を受
けて、いわゆるクロストークが発生する。これを解決す
ることが大きな課題である。
【０００８】本発明は、上記従来技術の課題を認識する
ことを出発点とするもので、その改良を主目的とする。
具体的な目的のひとつは、小型化、高精度化、信頼性と
いった各種条件を高いレベルで実現した電子光学系アレ
イの提供である。より具体的な目的のひとつは、マルチ
ビームに特有のクロストークを軽減した優れた電子光学
系アレイを提供することである。さらには、これを用い
た高精度な露光装置、生産性に優れたデバイス製造方
法、半導体デバイス生産工場などを提供することを目的
とする。
ことを出発点とするもので、その改良を主目的とする。
具体的な目的のひとつは、小型化、高精度化、信頼性と
いった各種条件を高いレベルで実現した電子光学系アレ
イの提供である。より具体的な目的のひとつは、マルチ
ビームに特有のクロストークを軽減した優れた電子光学
系アレイを提供することである。さらには、これを用い
た高精度な露光装置、生産性に優れたデバイス製造方
法、半導体デバイス生産工場などを提供することを目的
とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の好ましいひとつの形態は、それぞれに複数の開口が
形成された上電極、中間電極および下電極と、前記中間
電極を側方から挟んでこれをシールドする導電性のシー
ルドとを有することを特徴とする電子光学系アレイであ
る。
明の好ましいひとつの形態は、それぞれに複数の開口が
形成された上電極、中間電極および下電極と、前記中間
電極を側方から挟んでこれをシールドする導電性のシー
ルドとを有することを特徴とする電子光学系アレイであ
る。
【００１０】本発明の別の形態は、それぞれに矩形形状
の開口が形成された上電極、中間電極および下電極を備
えた第１の電子光学系と、それぞれに矩形形状の開口が
形成された上電極、中間電極および下電極を備えた第２
の電子光学系とが、光軸に沿って配置された電子光学系
であって、前記第１の電子光学系の開口の矩形の長辺方
向と、前記第２電子光学系の開口の矩形の長辺方向と
が、光軸方向から見てほぼ直交していることを特徴とす
る電子光学系である。
の開口が形成された上電極、中間電極および下電極を備
えた第１の電子光学系と、それぞれに矩形形状の開口が
形成された上電極、中間電極および下電極を備えた第２
の電子光学系とが、光軸に沿って配置された電子光学系
であって、前記第１の電子光学系の開口の矩形の長辺方
向と、前記第２電子光学系の開口の矩形の長辺方向と
が、光軸方向から見てほぼ直交していることを特徴とす
る電子光学系である。
【００１１】また本発明の別の形態は、荷電粒子線を放
射する荷電粒子源と、前記荷電粒子源の中間像を複数形
成する上記構成の電子光学系アレイを含む補正電子光学
系と、前記複数の中間像をウエハに縮小投影する投影電
子光学系と、前記ウエハに投影される前記複数の中間像
がウエハ上で移動するように偏向する偏向器とを有する
ことを特徴とする荷電粒子線露光装置である。
射する荷電粒子源と、前記荷電粒子源の中間像を複数形
成する上記構成の電子光学系アレイを含む補正電子光学
系と、前記複数の中間像をウエハに縮小投影する投影電
子光学系と、前記ウエハに投影される前記複数の中間像
がウエハ上で移動するように偏向する偏向器とを有する
ことを特徴とする荷電粒子線露光装置である。
【００１２】本発明の更なる形態は、上記露光装置を含
む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設置
する工程と、該製造装置群を用いて複数のプロセスによ
って半導体デバイスを製造する工程とを有することを特
徴とするデバイス製造方法である。
む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設置
する工程と、該製造装置群を用いて複数のプロセスによ
って半導体デバイスを製造する工程とを有することを特
徴とするデバイス製造方法である。
【００１３】
【発明の実施の形態】＜電子光学系アレイ＞本発明の実
施の形態にかかる電子光学系アレイを図面を用いて説明
する。図１は電子光学系アレイの分解図である。図中、
大きくは、それぞれに複数の開口が形成された上電極
１、中間電極２、下電極３が順に積層された構造を有
し、いわゆるアインツルレンズを構成している。そして
各列ごとにグループ化された中間電極２を側方から挟ん
でこれを電磁的にシールドする導電性のシールド４を設
けている。ここで中間電極２とシールド４の間は空間的
に分離、もしくは絶縁体を介して接続しており、両者が
電気的に導通しないようになっている。またシールド４
は上電極１および下電極３と連結している。上電極１は
導電性材料(Cu)の電極層で形成された厚さ10μｍの薄膜
構造であって、円形の開口５が規則的に複数配されてい
る。また下電極３も同様の構成を有し、上電極の開口と
同一位置に複数の開口７が形成されている。各列の中間
電極２はそれぞれ厚さ50μmの矩形の電極素子からな
る。またシールド４は厚さ2μmの導電性材料でできてい
る。ここで上電極１と中間電極２ならびに中間電極２と
下電極３の距離はいずれも100μm、各電極の開口径は80
μm、配列のピッチは200μmである。上電極１と中間電
極２の間、および中間電極２と下電極３の間には、80μ
mの開口径を持つ絶縁体（不図示）が配されている。
施の形態にかかる電子光学系アレイを図面を用いて説明
する。図１は電子光学系アレイの分解図である。図中、
大きくは、それぞれに複数の開口が形成された上電極
１、中間電極２、下電極３が順に積層された構造を有
し、いわゆるアインツルレンズを構成している。そして
各列ごとにグループ化された中間電極２を側方から挟ん
でこれを電磁的にシールドする導電性のシールド４を設
けている。ここで中間電極２とシールド４の間は空間的
に分離、もしくは絶縁体を介して接続しており、両者が
電気的に導通しないようになっている。またシールド４
は上電極１および下電極３と連結している。上電極１は
導電性材料(Cu)の電極層で形成された厚さ10μｍの薄膜
構造であって、円形の開口５が規則的に複数配されてい
る。また下電極３も同様の構成を有し、上電極の開口と
同一位置に複数の開口７が形成されている。各列の中間
電極２はそれぞれ厚さ50μmの矩形の電極素子からな
る。またシールド４は厚さ2μmの導電性材料でできてい
る。ここで上電極１と中間電極２ならびに中間電極２と
下電極３の距離はいずれも100μm、各電極の開口径は80
μm、配列のピッチは200μmである。上電極１と中間電
極２の間、および中間電極２と下電極３の間には、80μ
mの開口径を持つ絶縁体（不図示）が配されている。
【００１４】次に上記構造の電子光学系アレイの作製方
法を説明する。ここでは説明を簡単にするために１つの
開口部のみをクローズアップする。
法を説明する。ここでは説明を簡単にするために１つの
開口部のみをクローズアップする。
【００１５】まず上電極１、下電極３ならびにシールド
の作製方法について説明する。基板として結晶方位が＜
１００＞のシリコンウェーハを用意し、化学気層蒸着法
にて膜厚３００ｎｍの窒化珪素を成膜する（図２
（ａ））。レジストプロセスとエッチングプロセスを経
て、後に電子線の光路になる部分の窒化珪素膜を除去す
る。次に、上電極１としてクロム/金をそれぞれ50nm/1
０μmの膜厚で連続蒸着し、レジストパターニング後、
金、クロムをエッチングして電子ビーム用開口を形成す
る（図２（ｂ））。次にＳｉＯ2膜をこの電子ビーム用
開口にスパッター蒸着，パターニングする（図２
（ｃ））。その後、電極上にメッキの鋳型となるレジス
トパターンを形成する。レジストにはエポキシ化ビスフ
ェノールＡオリゴマーを主成分とするＳＵ−８（MicroC
hem.co）を用い、膜厚１１０μｍに成膜する。露光は高
圧水銀ランプを用いた密着型の露光装置を用いる。また
露光後ホットプレート上８５℃で３０分間、露光後ベー
ク（ＰＥＢ）を行う。基板を室温まで徐冷した後プロピ
レングリコールモノメチルエーテルアセテートで５分間
現像し、メッキ用の鋳型パターンを形成する（図２
（ｄ））。次に電気めっきにより、シールド４であるAu
をレジストパターン間にレジスト厚を超える厚さで埋め
込む（図２（ｅ））。次いで、SU8レジストとシールド
４の一部を研磨し、SU8及びシールド４の厚さを１００
μｍとする。更に、後の工程で行なう圧着用の厚さ0.5
μｍのAuを蒸着、パターニングする（図２（ｆ））。メ
ッキ面をポリイミドを用いて保護し（不図示）、他方の
面を２２％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液を用い、９０℃でシリコン基板のバックエッチング
を行う。エッチングはシリコンがエッチング除去され、
窒化珪素膜が露出するまで行う。基板は水洗、乾燥を行
い、ドライエッチング装置内でテトラフルオロメタンを
用いて、シリコンのドライエッチング後に露出した窒化
珪素膜及び電子開口部に埋められたＳｉＯ2膜をエッチ
ング除去する。最後に、他方の面の保護をしたポリイミ
ド膜をアッシングにより除去する（図２（ｇ））。
の作製方法について説明する。基板として結晶方位が＜
１００＞のシリコンウェーハを用意し、化学気層蒸着法
にて膜厚３００ｎｍの窒化珪素を成膜する（図２
（ａ））。レジストプロセスとエッチングプロセスを経
て、後に電子線の光路になる部分の窒化珪素膜を除去す
る。次に、上電極１としてクロム/金をそれぞれ50nm/1
０μmの膜厚で連続蒸着し、レジストパターニング後、
金、クロムをエッチングして電子ビーム用開口を形成す
る（図２（ｂ））。次にＳｉＯ2膜をこの電子ビーム用
開口にスパッター蒸着，パターニングする（図２
（ｃ））。その後、電極上にメッキの鋳型となるレジス
トパターンを形成する。レジストにはエポキシ化ビスフ
ェノールＡオリゴマーを主成分とするＳＵ−８（MicroC
hem.co）を用い、膜厚１１０μｍに成膜する。露光は高
圧水銀ランプを用いた密着型の露光装置を用いる。また
露光後ホットプレート上８５℃で３０分間、露光後ベー
ク（ＰＥＢ）を行う。基板を室温まで徐冷した後プロピ
レングリコールモノメチルエーテルアセテートで５分間
現像し、メッキ用の鋳型パターンを形成する（図２
（ｄ））。次に電気めっきにより、シールド４であるAu
をレジストパターン間にレジスト厚を超える厚さで埋め
込む（図２（ｅ））。次いで、SU8レジストとシールド
４の一部を研磨し、SU8及びシールド４の厚さを１００
μｍとする。更に、後の工程で行なう圧着用の厚さ0.5
μｍのAuを蒸着、パターニングする（図２（ｆ））。メ
ッキ面をポリイミドを用いて保護し（不図示）、他方の
面を２２％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液を用い、９０℃でシリコン基板のバックエッチング
を行う。エッチングはシリコンがエッチング除去され、
窒化珪素膜が露出するまで行う。基板は水洗、乾燥を行
い、ドライエッチング装置内でテトラフルオロメタンを
用いて、シリコンのドライエッチング後に露出した窒化
珪素膜及び電子開口部に埋められたＳｉＯ2膜をエッチ
ング除去する。最後に、他方の面の保護をしたポリイミ
ド膜をアッシングにより除去する（図２（ｇ））。
【００１６】中間電極２の作製方法は以下の通りであ
る。基板としてシリコンウェーハを用意し、スパッター
法によりＳｉＯ2を50 nmの厚さに成膜する。次に中間電
極２及びシールド４を作製する為のメッキ用の電極膜と
して金を５０ｎｍの膜厚で蒸着、パターニングする（図
３（ａ））。この後、メッキの鋳型となるレジストパタ
ーンを形成する。レジストは、レジストは、エポキシ化
ビスフェノールＡオリゴマーオリゴマーを主成分とする
ＳＵ−８（MicroChem.co）を用い、膜厚70μｍに成膜す
る。露光は高圧水銀ランプを用いた密着型の露光装置を
用いて行う。また、露光後ホットプレート上８５℃で３
０分間、露光後ベーク（ＰＥＢ）を行う。基板を室温ま
で徐冷した後プロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテートで５分間現像し、メッキ用の鋳型パターンを
形成する（図３（ｂ））。次に電気めっきを行い膜厚50
μｍの金パターンをレジストパターン間隙に埋め込む
（図３（ｃ））。最後に、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭ
Ｐ）中でＳＵ−８レジストを剥離し、ＩＰＡで洗浄、乾
燥を行い、金パターンを得る（図３（ｄ））。
る。基板としてシリコンウェーハを用意し、スパッター
法によりＳｉＯ2を50 nmの厚さに成膜する。次に中間電
極２及びシールド４を作製する為のメッキ用の電極膜と
して金を５０ｎｍの膜厚で蒸着、パターニングする（図
３（ａ））。この後、メッキの鋳型となるレジストパタ
ーンを形成する。レジストは、レジストは、エポキシ化
ビスフェノールＡオリゴマーオリゴマーを主成分とする
ＳＵ−８（MicroChem.co）を用い、膜厚70μｍに成膜す
る。露光は高圧水銀ランプを用いた密着型の露光装置を
用いて行う。また、露光後ホットプレート上８５℃で３
０分間、露光後ベーク（ＰＥＢ）を行う。基板を室温ま
で徐冷した後プロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテートで５分間現像し、メッキ用の鋳型パターンを
形成する（図３（ｂ））。次に電気めっきを行い膜厚50
μｍの金パターンをレジストパターン間隙に埋め込む
（図３（ｃ））。最後に、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭ
Ｐ）中でＳＵ−８レジストを剥離し、ＩＰＡで洗浄、乾
燥を行い、金パターンを得る（図３（ｄ））。
【００１７】電極とシールドの接合方法を図４を用いて
説明する。上記図２（ｇ）で作製した下電極／シールド
に、図３（ｄ）で作製した中間電極／シールドを上下逆
にして圧着する（図４（ａ））。その後、中間電極２基
板を引き離す（図４（ｂ））下電極／シールドの金と中
間電極／シールドの金とは圧着により接合されるが、金
同士の圧着接合に比べて、中間電極２のＳｉＯ2膜と金
膜との密着性は劣るため、中間電極２基板を引き離す事
が可能となる。その後、図２（ｇ）で作製した別の上電
極／シールドを上下逆にして圧着する（図４（ｃ））。
こうして金同士が圧着され、精度の高いマルチ電子レン
ズが完成する（図４（ｄ）。
説明する。上記図２（ｇ）で作製した下電極／シールド
に、図３（ｄ）で作製した中間電極／シールドを上下逆
にして圧着する（図４（ａ））。その後、中間電極２基
板を引き離す（図４（ｂ））下電極／シールドの金と中
間電極／シールドの金とは圧着により接合されるが、金
同士の圧着接合に比べて、中間電極２のＳｉＯ2膜と金
膜との密着性は劣るため、中間電極２基板を引き離す事
が可能となる。その後、図２（ｇ）で作製した別の上電
極／シールドを上下逆にして圧着する（図４（ｃ））。
こうして金同士が圧着され、精度の高いマルチ電子レン
ズが完成する（図４（ｄ）。
【００１８】上記構成の電子光学系アレイにおいて、先
の図１０と同様に、上電極１、下電極３、シールド４に
０[V]の電位を与え、中間電極２のある列には−１００
０[V]の電位を、別の列には−９５０[V]を印加して、隣
接電位差が５０[V]であるとする。このとき、ビームシ
フト角Δθはほぼゼロとなり、クロストークの発生が実
用的には問題にない程度に抑えられる。
の図１０と同様に、上電極１、下電極３、シールド４に
０[V]の電位を与え、中間電極２のある列には−１００
０[V]の電位を、別の列には−９５０[V]を印加して、隣
接電位差が５０[V]であるとする。このとき、ビームシ
フト角Δθはほぼゼロとなり、クロストークの発生が実
用的には問題にない程度に抑えられる。
【００１９】なお本例では、上電極１、中間電極２、下
電極３の３枚の電極でアインツェルレンズを構成した
が、変形例として図５に示すごとく、光軸に沿って中間
電極を２枚（中間電極２Ａ，２Ｂ）にしたり、あるい
は、これ以上の数の中間電極を設けてもよい。更に、シ
ールド４を上電極１及び下電極３とを物理的に連結して
一体化する代わりに、シールド４を上電極１及び下電極
３と非接触とした構造であってもよい。
電極３の３枚の電極でアインツェルレンズを構成した
が、変形例として図５に示すごとく、光軸に沿って中間
電極を２枚（中間電極２Ａ，２Ｂ）にしたり、あるい
は、これ以上の数の中間電極を設けてもよい。更に、シ
ールド４を上電極１及び下電極３とを物理的に連結して
一体化する代わりに、シールド４を上電極１及び下電極
３と非接触とした構造であってもよい。
【００２０】図６は、第２の実施例の電子光学系の配置
とその電気結線を説明する図である。本例では電子光学
系アレイを構成する各電極の開口の形状を矩形（一辺が
他辺よりも長い長方形）であって、さらに電子光学系ア
レイを光軸にそって２つ配置した点が特徴である。すな
わち、それぞれに矩形形状の開口が形成された上電極、
中間電極および下電極を備えた第１の電子光学系と、そ
れぞれに矩形形状の開口が形成された上電極、中間電極
および下電極を備えた第２の電子光学系とが光軸に沿っ
て配置された電子光学系であって、第１の電子光学系の
開口の矩形の長辺方向と、第２電子光学系の開口の矩形
の長辺方向とが、光軸方向から見てほぼ直交しているこ
とを特徴とする。
とその電気結線を説明する図である。本例では電子光学
系アレイを構成する各電極の開口の形状を矩形（一辺が
他辺よりも長い長方形）であって、さらに電子光学系ア
レイを光軸にそって２つ配置した点が特徴である。すな
わち、それぞれに矩形形状の開口が形成された上電極、
中間電極および下電極を備えた第１の電子光学系と、そ
れぞれに矩形形状の開口が形成された上電極、中間電極
および下電極を備えた第２の電子光学系とが光軸に沿っ
て配置された電子光学系であって、第１の電子光学系の
開口の矩形の長辺方向と、第２電子光学系の開口の矩形
の長辺方向とが、光軸方向から見てほぼ直交しているこ
とを特徴とする。
【００２１】図６において、第１の電子光学系アレイ１
０の各電極に形成された開口は、電子ビームが入射する
光軸方向をＺ軸としたとき、短辺がX軸方向、長辺がＹ
軸方向であるような矩形である。一方、第２の電子光学
系アレイ１１の各電極に形成された開口は、短辺がＹ軸
方向、長辺がＸ軸方向であるような矩形である。
０の各電極に形成された開口は、電子ビームが入射する
光軸方向をＺ軸としたとき、短辺がX軸方向、長辺がＹ
軸方向であるような矩形である。一方、第２の電子光学
系アレイ１１の各電極に形成された開口は、短辺がＹ軸
方向、長辺がＸ軸方向であるような矩形である。
【００２２】ここで、以下の説明で用いる表記法を図７
に示す。同図(A)は第１の電子光学系アレイ１０を、
（B）は第２の電子光学系アレイ１１をそれぞれ電子ビ
ームの入射方向からみた平面図である。図中、二点鎖線
はシールド４を、破線は中間電極２を示す。(C)は、(A)
における全ての矩形開口をZ軸の回りに反時計回りにX軸
を基準としてθ（０°<= θ < 180°）だけ回転したも
のである。矩形の中間電極はX軸方向に沿って開口が配
列されており、(C)で図示されたような矩形開口は「Xθ
(θ= N °)」（Ｎ：0 <= N <180）と表記する。一方、
（Ｄ）は矩形の中間電極２の長辺（開口の配列方向）が
Ｙ軸方向となっており、「Ｙθ(θ= N °)」（Ｎ：0 <=
N <180）と表記する。
に示す。同図(A)は第１の電子光学系アレイ１０を、
（B）は第２の電子光学系アレイ１１をそれぞれ電子ビ
ームの入射方向からみた平面図である。図中、二点鎖線
はシールド４を、破線は中間電極２を示す。(C)は、(A)
における全ての矩形開口をZ軸の回りに反時計回りにX軸
を基準としてθ（０°<= θ < 180°）だけ回転したも
のである。矩形の中間電極はX軸方向に沿って開口が配
列されており、(C)で図示されたような矩形開口は「Xθ
(θ= N °)」（Ｎ：0 <= N <180）と表記する。一方、
（Ｄ）は矩形の中間電極２の長辺（開口の配列方向）が
Ｙ軸方向となっており、「Ｙθ(θ= N °)」（Ｎ：0 <=
N <180）と表記する。
【００２３】この表記法によれば、図６の第１の電子光
学系アレイ１０は、「Ｘθ（θ= 90°）」、第２の電子
光学系アレイ１１は「Ｘθ（θ= 0°）」となる。Ｘθ
（θ=90°）の電子レンズはＸ軸方向でのビーム収束性
があり、Ｘθ（θ= 0°）のマルチ電子レンズはY軸方向
でのビーム収束性がある。例えば、断面が矩形開口より
も小さな円形のビームがＸθ（θ= 0 °）レンズを通過
すると、通過後のビームは図８で示すごとくＹ方向への
ビーム収束した形状となる。よって、光軸に沿って２つ
の電子光学系アレイを離して配置し、収束方向が互いに
直交するようにした本実施例によれば、これらの光学系
を通過した電子ビームは、Ｘ方向及びＹ方向のいずれの
方向にも収束する。例えば、電極の開口の寸法を８０×
２００μｍ、中間電極の幅を５００μｍ、開口ピッチを
６００μｍとし、Ｘθ（θ= 90°）の電子レンズと Ｘ
θ（θ= 0°）の電子レンズとを６００μｍ離して配置
したとする。そしてこれを図６に示すように電気的に結
線して、第１、第２電子光学系アレイ１０，１１のそれ
ぞれの中間電極の一方に電位の−１０００[V]を与え、
他方の中間電極に−９５０[V]を印加する。これに入射
する電子ビーム（50 kV、20μｍ径）が光学系を通過後
のＹ軸方向のシフト角はほぼ零となり、クロストークが
抑えられたマルチ電子レンズが実現できる。加えて開口
形状を矩形として直交に組み合わせことで、Ｘ方向及び
Ｙ方向のいずれにも収束性が得られる。なお本例におい
ても、各電子光学系アレイは、図５と同様に中間電極の
数を複数枚にすることができる。
学系アレイ１０は、「Ｘθ（θ= 90°）」、第２の電子
光学系アレイ１１は「Ｘθ（θ= 0°）」となる。Ｘθ
（θ=90°）の電子レンズはＸ軸方向でのビーム収束性
があり、Ｘθ（θ= 0°）のマルチ電子レンズはY軸方向
でのビーム収束性がある。例えば、断面が矩形開口より
も小さな円形のビームがＸθ（θ= 0 °）レンズを通過
すると、通過後のビームは図８で示すごとくＹ方向への
ビーム収束した形状となる。よって、光軸に沿って２つ
の電子光学系アレイを離して配置し、収束方向が互いに
直交するようにした本実施例によれば、これらの光学系
を通過した電子ビームは、Ｘ方向及びＹ方向のいずれの
方向にも収束する。例えば、電極の開口の寸法を８０×
２００μｍ、中間電極の幅を５００μｍ、開口ピッチを
６００μｍとし、Ｘθ（θ= 90°）の電子レンズと Ｘ
θ（θ= 0°）の電子レンズとを６００μｍ離して配置
したとする。そしてこれを図６に示すように電気的に結
線して、第１、第２電子光学系アレイ１０，１１のそれ
ぞれの中間電極の一方に電位の−１０００[V]を与え、
他方の中間電極に−９５０[V]を印加する。これに入射
する電子ビーム（50 kV、20μｍ径）が光学系を通過後
のＹ軸方向のシフト角はほぼ零となり、クロストークが
抑えられたマルチ電子レンズが実現できる。加えて開口
形状を矩形として直交に組み合わせことで、Ｘ方向及び
Ｙ方向のいずれにも収束性が得られる。なお本例におい
ても、各電子光学系アレイは、図５と同様に中間電極の
数を複数枚にすることができる。
【００２４】図９は電子光学系のさらなる変形例を示
す。これは上述の第２実施例で示したＸθ（θ= 90°）
と Ｘθ（θ= 0°）の２つの光学系ユニットに、更に
Ｘθ（θ= 45°）と Ｘθ（θ= 135°）の光学系ユニッ
トを付加して、光軸に沿って計４つのユニットを配して
いる。θ（θ= 45°）レンズはθ= 135°方向内で、Ｘ
θ（θ= 135°）レンズは、θ= 45°方向内でビーム収
束作用を持ち、結局、回転対称の４方向からの収束作用
を与えることになり、通常電子ビーム装置で使用される
非点収差補正レンズと同様の作用となる。従って図８の
１２に示すようなビーム端部（各頂点）における広がり
が抑えられ、より収束性の高い電子ビームとなる。なお
本例においても、各電子光学系アレイは、図５と同様に
中間電極の数を複数枚にすることができ、n枚 (n >=3)
の電極でレンズを構成してもよい。光学系ユニットの数
は４つに限らず任意のＮ段 （Ｎ>= とすることが可能で
あり、補正収差の許容値に応じて段数を決定すればよ
い。
す。これは上述の第２実施例で示したＸθ（θ= 90°）
と Ｘθ（θ= 0°）の２つの光学系ユニットに、更に
Ｘθ（θ= 45°）と Ｘθ（θ= 135°）の光学系ユニッ
トを付加して、光軸に沿って計４つのユニットを配して
いる。θ（θ= 45°）レンズはθ= 135°方向内で、Ｘ
θ（θ= 135°）レンズは、θ= 45°方向内でビーム収
束作用を持ち、結局、回転対称の４方向からの収束作用
を与えることになり、通常電子ビーム装置で使用される
非点収差補正レンズと同様の作用となる。従って図８の
１２に示すようなビーム端部（各頂点）における広がり
が抑えられ、より収束性の高い電子ビームとなる。なお
本例においても、各電子光学系アレイは、図５と同様に
中間電極の数を複数枚にすることができ、n枚 (n >=3)
の電極でレンズを構成してもよい。光学系ユニットの数
は４つに限らず任意のＮ段 （Ｎ>= とすることが可能で
あり、補正収差の許容値に応じて段数を決定すればよ
い。
【００２５】＜電子ビーム露光装置＞次に、上記電子光
学系アレイを用いたシステム例として、マルチビーム型
の荷電粒子露光装置（電子ビーム露光装置）の実施例を
説明する。図１１は全体システムの概略図である。図
中、荷電粒子源である電子銃501はカソード501ａ、グリ
ッド501b、アノード501cから構成される。カソード501a
から放射された電子はグリッド501b、アノード501cの間
でクロスオーバ像を形成する（以下、このクロスオーバ
像を電子源ESと記す）。この電子源ESから放射される電
子ビームは、コンデンサーレンズである照射電子光学系
502を介して補正電子光学系503に照射される。照射電子
光学系502は、それそれが3枚の開口電極からなる電子レ
ンズ（アインツェルレンズ）521, 522で構成される。補
正電子光学系503は電子源ESの中間像を複数形成するも
のであり、詳細は後述する。補正電子光学系503で形成
された各中間像は投影電子光学系504によって縮小投影
され、被露光面であるウエハ505上に電子源ES像を形成
する。投影電子光学系504は、第1投影レンズ541(543)と
第2投影レンズ542(544)とからなる対称磁気タブレット
で構成される。506は補正電子光学系503の要素電子光学
系アレイからの複数の電子ビームを偏向させて、複数の
光源像を同時にウエハ505上でX,Y方向に変位させる偏向
器である。507は偏向器506を作動させた際に発生する偏
向収差による光源像のフォーカス位置のずれを補正する
ダイナミックフォーカスコイルであり、508は偏向によ
り発生する偏向収差の非点収差を補正するダイナミック
スティグコイルである。509はウエハ505を載置して、光
軸AX(Ｚ軸)方向とＺ軸回りの回転方向に移動可能なθ-
Ｚステージであって、その上にはステージの基準板510
が固設されている。511はθ-Ｚステージを載置し、光軸
AX(Ｚ軸)と直交するＸＹ方向に移動可能なＸＹステージ
である。512は電子ビームによって基準板510上のマーク
が照射された際に生じる反射電子を検出する反射電子検
出器である。
学系アレイを用いたシステム例として、マルチビーム型
の荷電粒子露光装置（電子ビーム露光装置）の実施例を
説明する。図１１は全体システムの概略図である。図
中、荷電粒子源である電子銃501はカソード501ａ、グリ
ッド501b、アノード501cから構成される。カソード501a
から放射された電子はグリッド501b、アノード501cの間
でクロスオーバ像を形成する（以下、このクロスオーバ
像を電子源ESと記す）。この電子源ESから放射される電
子ビームは、コンデンサーレンズである照射電子光学系
502を介して補正電子光学系503に照射される。照射電子
光学系502は、それそれが3枚の開口電極からなる電子レ
ンズ（アインツェルレンズ）521, 522で構成される。補
正電子光学系503は電子源ESの中間像を複数形成するも
のであり、詳細は後述する。補正電子光学系503で形成
された各中間像は投影電子光学系504によって縮小投影
され、被露光面であるウエハ505上に電子源ES像を形成
する。投影電子光学系504は、第1投影レンズ541(543)と
第2投影レンズ542(544)とからなる対称磁気タブレット
で構成される。506は補正電子光学系503の要素電子光学
系アレイからの複数の電子ビームを偏向させて、複数の
光源像を同時にウエハ505上でX,Y方向に変位させる偏向
器である。507は偏向器506を作動させた際に発生する偏
向収差による光源像のフォーカス位置のずれを補正する
ダイナミックフォーカスコイルであり、508は偏向によ
り発生する偏向収差の非点収差を補正するダイナミック
スティグコイルである。509はウエハ505を載置して、光
軸AX(Ｚ軸)方向とＺ軸回りの回転方向に移動可能なθ-
Ｚステージであって、その上にはステージの基準板510
が固設されている。511はθ-Ｚステージを載置し、光軸
AX(Ｚ軸)と直交するＸＹ方向に移動可能なＸＹステージ
である。512は電子ビームによって基準板510上のマーク
が照射された際に生じる反射電子を検出する反射電子検
出器である。
【００２６】図１２は補正電子光学系503の詳細を説明
する図である。補正電子光学系503は、光軸に沿ってア
パーチャアレイAA、ブランカーアレイBA、要素電子光学
系アレイユニットLAU、ストッパーアレイSAで構成され
る。図１２の（A）は電子銃501側から補正電子光学系50
3を見た図、（B）はAA’断面図である。アパーチャアレ
イAAは図１２（A）に示すように基板に複数の開口が規
則正しく配列（８×８）形成され、照射される電子ビー
ムを複数（６４本）の電子ビームに分割する。ブランカ
ーアレイBAはアパーチャアレイAAで分割された複数の電
子ビームを個別に偏向する偏向器を一枚の基板上に複数
並べて形成したものである。要素電子光学系アレイユニ
ットLAUは、同一平面内に複数の電子レンズを2次元配列
して形成した電子レンズアレイである第1電子光学系ア
レイLA1、及び第2電子光学系アレイLA2で構成される。
これら各電子光学系アレイLA1, LA2は上述の実施例で説
明した構造を備え、上述する方法で作製されたものであ
る。要素電子光学系アレイユニットLAUは共通のZ方向の
軸に並ぶ、第1電子レンズアレイLA1の電子レンズと第2
電子レンズアレイLA2の電子レンズとで一つの要素電子
光学系ELを構成する。ストッパーアレイSAは、アパーチ
ャーアレイAAと同様に基板に複数の開口が形成されてい
る。そして、ブランカーアレイBAで偏向されたビームだ
けがストッパーアレイSAで遮断され、ブランカーアレイ
の制御によって各ビーム個別に、ウエハ505へのビーム
入射のON/OFFの切り替えがなされる。
する図である。補正電子光学系503は、光軸に沿ってア
パーチャアレイAA、ブランカーアレイBA、要素電子光学
系アレイユニットLAU、ストッパーアレイSAで構成され
る。図１２の（A）は電子銃501側から補正電子光学系50
3を見た図、（B）はAA’断面図である。アパーチャアレ
イAAは図１２（A）に示すように基板に複数の開口が規
則正しく配列（８×８）形成され、照射される電子ビー
ムを複数（６４本）の電子ビームに分割する。ブランカ
ーアレイBAはアパーチャアレイAAで分割された複数の電
子ビームを個別に偏向する偏向器を一枚の基板上に複数
並べて形成したものである。要素電子光学系アレイユニ
ットLAUは、同一平面内に複数の電子レンズを2次元配列
して形成した電子レンズアレイである第1電子光学系ア
レイLA1、及び第2電子光学系アレイLA2で構成される。
これら各電子光学系アレイLA1, LA2は上述の実施例で説
明した構造を備え、上述する方法で作製されたものであ
る。要素電子光学系アレイユニットLAUは共通のZ方向の
軸に並ぶ、第1電子レンズアレイLA1の電子レンズと第2
電子レンズアレイLA2の電子レンズとで一つの要素電子
光学系ELを構成する。ストッパーアレイSAは、アパーチ
ャーアレイAAと同様に基板に複数の開口が形成されてい
る。そして、ブランカーアレイBAで偏向されたビームだ
けがストッパーアレイSAで遮断され、ブランカーアレイ
の制御によって各ビーム個別に、ウエハ505へのビーム
入射のON/OFFの切り替えがなされる。
【００２７】本実施例の荷電粒子線露光装置によれば、
補正電子光学系に上記説明したような優れた電子光学系
アレイを用いることで、極めて露光精度の高い装置を提
供することでき、これによって製造するデバイスの集積
度を従来以上に向上させることができる。
補正電子光学系に上記説明したような優れた電子光学系
アレイを用いることで、極めて露光精度の高い装置を提
供することでき、これによって製造するデバイスの集積
度を従来以上に向上させることができる。
【００２８】＜半導体生産システムの実施例＞次に、上
記露光装置を用いた半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等）の生産システムの例を説明する。こ
れは半導体製造工場に設置された製造装置のトラブル対
応や定期メンテナンス、あるいはソフトウェア提供など
の保守サービスを、製造工場外のコンピュータネットワ
ークを利用して行うものである。
記露光装置を用いた半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等）の生産システムの例を説明する。こ
れは半導体製造工場に設置された製造装置のトラブル対
応や定期メンテナンス、あるいはソフトウェア提供など
の保守サービスを、製造工場外のコンピュータネットワ
ークを利用して行うものである。
【００２９】図１３は全体システムをある角度から切り
出して表現したものである。図中、101は半導体デバイ
スの製造装置を提供するベンダー（装置供給メーカー）
の事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工
場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例え
ば、前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッ
チング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装
置、平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査
装置等）を想定している。事業所101内には、製造装置
の保守データベースを提供するホスト管理システム10
8、複数の操作端末コンピュータ110、これらを結ぶんで
イントラネットを構築するローカルエリアネットワーク
（ＬＡＮ）109を備える。ホスト管理システム108は、Ｌ
ＡＮ109を事業所の外部ネットワークであるインターネ
ット105に接続するためのゲートウェイと、外部からの
アクセスを制限するセキュリティ機能を備える。
出して表現したものである。図中、101は半導体デバイ
スの製造装置を提供するベンダー（装置供給メーカー）
の事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工
場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例え
ば、前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッ
チング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装
置、平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査
装置等）を想定している。事業所101内には、製造装置
の保守データベースを提供するホスト管理システム10
8、複数の操作端末コンピュータ110、これらを結ぶんで
イントラネットを構築するローカルエリアネットワーク
（ＬＡＮ）109を備える。ホスト管理システム108は、Ｌ
ＡＮ109を事業所の外部ネットワークであるインターネ
ット105に接続するためのゲートウェイと、外部からの
アクセスを制限するセキュリティ機能を備える。
【００３０】一方、102〜104は、製造装置のユーザーと
しての半導体製造メーカーの製造工場である。製造工場
102〜104は、互いに異なるメーカーに属する工場であっ
ても良いし、同一のメーカーに属する工場（例えば、前
工程用の工場、後工程用の工場等）であっても良い。各
工場102〜104内には、夫々、複数の製造装置106と、そ
れらを結んでイントラネットを構築するローカルエリア
ネットワーク（ＬＡＮ）111と、各製造装置106の稼動状
況を監視する監視装置としてホスト管理システム107と
が設けられている。各工場102〜104に設けられたホスト
管理システム107は、各工場内のＬＡＮ111を工場の外部
ネットワークであるインターネット105に接続するため
のゲートウェイを備える。これにより各工場のＬＡＮ11
1からインターネット105を介してベンダー101側のホス
ト管理システム108にアクセスが可能となり、ホスト管
理システム108のセキュリティ機能によって限られたユ
ーザーだけがアクセスが許可となっている。具体的に
は、インターネット105を介して、各製造装置106の稼動
状況を示すステータス情報（例えば、トラブルが発生し
た製造装置の症状）を工場側からベンダー側に通知する
他、その通知に対応する応答情報（例えば、トラブルに
対する対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェア
やデータ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの
保守情報をベンダー側から受け取ることができる。各工
場102〜104とベンダー101との間のデータ通信および各
工場内のＬＡＮ111でのデータ通信には、インターネッ
トで一般的に使用されている通信プロトコル（ＴＣＰ／
ＩＰ）が使用される。なお、工場外の外部ネットワーク
としてインターネットを利用する代わりに、第三者から
のアクセスができずにセキュリティの高い専用線ネット
ワーク（ＩＳＤＮなど）を利用することもできる。ま
た、ホスト管理システムはベンダーが提供するものに限
らずユーザーがデータベースを構築して外部ネットワー
ク上に置き、ユーザーの複数の工場から該データベース
へのアクセスを許可するようにしてもよい。
しての半導体製造メーカーの製造工場である。製造工場
102〜104は、互いに異なるメーカーに属する工場であっ
ても良いし、同一のメーカーに属する工場（例えば、前
工程用の工場、後工程用の工場等）であっても良い。各
工場102〜104内には、夫々、複数の製造装置106と、そ
れらを結んでイントラネットを構築するローカルエリア
ネットワーク（ＬＡＮ）111と、各製造装置106の稼動状
況を監視する監視装置としてホスト管理システム107と
が設けられている。各工場102〜104に設けられたホスト
管理システム107は、各工場内のＬＡＮ111を工場の外部
ネットワークであるインターネット105に接続するため
のゲートウェイを備える。これにより各工場のＬＡＮ11
1からインターネット105を介してベンダー101側のホス
ト管理システム108にアクセスが可能となり、ホスト管
理システム108のセキュリティ機能によって限られたユ
ーザーだけがアクセスが許可となっている。具体的に
は、インターネット105を介して、各製造装置106の稼動
状況を示すステータス情報（例えば、トラブルが発生し
た製造装置の症状）を工場側からベンダー側に通知する
他、その通知に対応する応答情報（例えば、トラブルに
対する対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェア
やデータ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの
保守情報をベンダー側から受け取ることができる。各工
場102〜104とベンダー101との間のデータ通信および各
工場内のＬＡＮ111でのデータ通信には、インターネッ
トで一般的に使用されている通信プロトコル（ＴＣＰ／
ＩＰ）が使用される。なお、工場外の外部ネットワーク
としてインターネットを利用する代わりに、第三者から
のアクセスができずにセキュリティの高い専用線ネット
ワーク（ＩＳＤＮなど）を利用することもできる。ま
た、ホスト管理システムはベンダーが提供するものに限
らずユーザーがデータベースを構築して外部ネットワー
ク上に置き、ユーザーの複数の工場から該データベース
へのアクセスを許可するようにしてもよい。
【００３１】さて、図１４は本実施形態の全体システム
を図１３とは別の角度から切り出して表現した概念図で
ある。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユ
ーザー工場と、該製造装置のベンダーの管理システムと
を外部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを
介して各工場の生産管理や少なくとも1台の製造装置の
情報をデータ通信するものであった。これに対し本例
は、複数のベンダーの製造装置を備えた工場と、該複数
の製造装置のそれぞれのベンダーの管理システムとを工
場外の外部ネットワークで接続して、各製造装置の保守
情報をデータ通信するものである。図中、201は製造装
置ユーザー（半導体デバイス製造メーカー）の製造工場
であり、工場の製造ラインには各種プロセスを行う製造
装置、ここでは例として露光装置202、レジスト処理装
置203、成膜処理装置204が導入されている。なお図１４
では製造工場201は1つだけ描いているが、実際は複数の
工場が同様にネットワーク化されている。工場内の各装
置はＬＡＮ206で接続されてイントラネットを構成し、
ホスト管理システム205で製造ラインの稼動管理がされ
ている。一方、露光装置メーカー210、レジスト処理装
置メーカー220、成膜装置メーカー230などベンダー（装
置供給メーカー）の各事業所には、それぞれ供給した機
器の遠隔保守を行なうためのホスト管理システム211,22
1,231を備え、これらは上述したように保守データベー
スと外部ネットワークのゲートウェイを備える。ユーザ
ーの製造工場内の各装置を管理するホスト管理システム
205と、各装置のベンダーの管理システム211,221,231と
は、外部ネットワーク200であるインターネットもしく
は専用線ネットワークによって接続されている。このシ
ステムにおいて、製造ラインの一連の製造機器の中のど
れかにトラブルが起きると、製造ラインの稼動が休止し
てしまうが、トラブルが起きた機器のベンダーからイン
ターネット200を介した遠隔保守を受けることで迅速な
対応が可能で、製造ラインの休止を最小限に抑えること
ができる。
を図１３とは別の角度から切り出して表現した概念図で
ある。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユ
ーザー工場と、該製造装置のベンダーの管理システムと
を外部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを
介して各工場の生産管理や少なくとも1台の製造装置の
情報をデータ通信するものであった。これに対し本例
は、複数のベンダーの製造装置を備えた工場と、該複数
の製造装置のそれぞれのベンダーの管理システムとを工
場外の外部ネットワークで接続して、各製造装置の保守
情報をデータ通信するものである。図中、201は製造装
置ユーザー（半導体デバイス製造メーカー）の製造工場
であり、工場の製造ラインには各種プロセスを行う製造
装置、ここでは例として露光装置202、レジスト処理装
置203、成膜処理装置204が導入されている。なお図１４
では製造工場201は1つだけ描いているが、実際は複数の
工場が同様にネットワーク化されている。工場内の各装
置はＬＡＮ206で接続されてイントラネットを構成し、
ホスト管理システム205で製造ラインの稼動管理がされ
ている。一方、露光装置メーカー210、レジスト処理装
置メーカー220、成膜装置メーカー230などベンダー（装
置供給メーカー）の各事業所には、それぞれ供給した機
器の遠隔保守を行なうためのホスト管理システム211,22
1,231を備え、これらは上述したように保守データベー
スと外部ネットワークのゲートウェイを備える。ユーザ
ーの製造工場内の各装置を管理するホスト管理システム
205と、各装置のベンダーの管理システム211,221,231と
は、外部ネットワーク200であるインターネットもしく
は専用線ネットワークによって接続されている。このシ
ステムにおいて、製造ラインの一連の製造機器の中のど
れかにトラブルが起きると、製造ラインの稼動が休止し
てしまうが、トラブルが起きた機器のベンダーからイン
ターネット200を介した遠隔保守を受けることで迅速な
対応が可能で、製造ラインの休止を最小限に抑えること
ができる。
【００３２】半導体製造工場に設置された各製造装置は
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインターフェ
ースと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス
用ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実
行するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メ
モリやハードディスク、あるいはネットワークファイル
サーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフ
トウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例
えば図１５に一例を示す様な画面のユーザーインターフ
ェースをディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置
を管理するオペレータは、画面を参照しながら、製造装
置の機種（401）、シリアルナンバー（402）、トラブル
の件名（403）、発生日（404）、緊急度（405）、症状
（406）、対処法（407）、経過（408）等の情報を画面
上の入力項目に入力する。入力された情報はインターネ
ットを介して保守データベースに送信され、その結果の
適切な保守情報が保守データベースから返信されディス
プレイ上に提示される。またウェブブラウザが提供する
ユーザーインターフェースはさらに図示のごとくハイパ
ーリンク機能（410〜412）を実現し、オペレータは各項
目の更に詳細な情報にアクセスしたり、ベンダーが提供
するソフトウェアライブラリから製造装置に使用する最
新バージョンのソフトウェアを引出したり、工場のオペ
レータの参考に供する操作ガイド（ヘルプ情報）を引出
したりすることができる。
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインターフェ
ースと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス
用ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実
行するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メ
モリやハードディスク、あるいはネットワークファイル
サーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフ
トウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例
えば図１５に一例を示す様な画面のユーザーインターフ
ェースをディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置
を管理するオペレータは、画面を参照しながら、製造装
置の機種（401）、シリアルナンバー（402）、トラブル
の件名（403）、発生日（404）、緊急度（405）、症状
（406）、対処法（407）、経過（408）等の情報を画面
上の入力項目に入力する。入力された情報はインターネ
ットを介して保守データベースに送信され、その結果の
適切な保守情報が保守データベースから返信されディス
プレイ上に提示される。またウェブブラウザが提供する
ユーザーインターフェースはさらに図示のごとくハイパ
ーリンク機能（410〜412）を実現し、オペレータは各項
目の更に詳細な情報にアクセスしたり、ベンダーが提供
するソフトウェアライブラリから製造装置に使用する最
新バージョンのソフトウェアを引出したり、工場のオペ
レータの参考に供する操作ガイド（ヘルプ情報）を引出
したりすることができる。
【００３３】次に上記説明した生産システムを利用した
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図１６は半
導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。
ステップ1（回路設計）では半導体デバイスの回路設計
を行なう。ステップ2（露光制御データ作製）では設計
した回路パターンに基づいて露光装置の露光制御データ
を作製する。一方、ステップ3（ウエハ製造）ではシリ
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエ
ハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5（組み立
て）は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製された
ウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセ
ンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージ
ング工程（チップ封入）等の組立て工程を含む。ステッ
プ6（検査）ではステップ5で作製された半導体デバイス
の動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こ
うした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷
（ステップ7）する。前工程と後工程はそれぞれ専用の
別の工場で行い、これらの工場毎に上記説明した遠隔保
守システムによって保守がなされる。また前工程工場と
後工程工場との間でも、インターネットまたは専用線ネ
ットワークを介して生産管理や装置保守のための情報が
データ通信される。
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図１６は半
導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。
ステップ1（回路設計）では半導体デバイスの回路設計
を行なう。ステップ2（露光制御データ作製）では設計
した回路パターンに基づいて露光装置の露光制御データ
を作製する。一方、ステップ3（ウエハ製造）ではシリ
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエ
ハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5（組み立
て）は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製された
ウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセ
ンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージ
ング工程（チップ封入）等の組立て工程を含む。ステッ
プ6（検査）ではステップ5で作製された半導体デバイス
の動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こ
うした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷
（ステップ7）する。前工程と後工程はそれぞれ専用の
別の工場で行い、これらの工場毎に上記説明した遠隔保
守システムによって保守がなされる。また前工程工場と
後工程工場との間でも、インターネットまたは専用線ネ
ットワークを介して生産管理や装置保守のための情報が
データ通信される。
【００３４】図１７は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ11（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ12（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜
を成膜する。ステップ13（電極形成）ではウエハ上に電
極を蒸着によって形成する。ステップ14（イオン打込
み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15（レジ
スト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ16
（露光）では上記説明した露光装置によってマスクの回
路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ17（現
像）では露光したウエハを現像する。ステップ18（エッ
チング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取
る。ステップ19（レジスト剥離）ではエッチングが済ん
で不要となったレジストを取り除く。これらのステップ
を繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路
パターンを形成する。各工程で使用する製造機器は上記
説明した遠隔保守システムによって保守がなされている
ので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしトラブルが発
生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べて半導体デバ
イスの生産性を向上させることができる。
ーを示す。ステップ11（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ12（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜
を成膜する。ステップ13（電極形成）ではウエハ上に電
極を蒸着によって形成する。ステップ14（イオン打込
み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15（レジ
スト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ16
（露光）では上記説明した露光装置によってマスクの回
路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ17（現
像）では露光したウエハを現像する。ステップ18（エッ
チング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取
る。ステップ19（レジスト剥離）ではエッチングが済ん
で不要となったレジストを取り除く。これらのステップ
を繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路
パターンを形成する。各工程で使用する製造機器は上記
説明した遠隔保守システムによって保守がなされている
ので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしトラブルが発
生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べて半導体デバ
イスの生産性を向上させることができる。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、マルチビームに特有の
クロストーク問題を解消し、小型化、高精度化、信頼性
といった各種条件を高いレベルで実現した電子光学系ア
レイを提供することができる。そして、これを用いた高
精度な露光装置、生産性に優れたデバイス製造方法、半
導体デバイス生産工場などを提供することができる。
クロストーク問題を解消し、小型化、高精度化、信頼性
といった各種条件を高いレベルで実現した電子光学系ア
レイを提供することができる。そして、これを用いた高
精度な露光装置、生産性に優れたデバイス製造方法、半
導体デバイス生産工場などを提供することができる。
【図１】電子光学系アレイの構造を説明する図
【図２】上電極（下電極）とシールドの作製方法を説明
する図
する図
【図３】中間電極の作製方法を説明する図
【図４】電極同士の接合方法を説明する図
【図５】電子光学系アレイの変形例の構造を示す図
【図６】第２実施例の電子光学系の配置と電気結線を示
す図
す図
【図７】任意の開口角度を持った光学系の表記方法を説
明する図
明する図
【図８】矩形の開口を通過した電子ビームの形状を示す
図
図
【図９】電子光学系のさらに別の例説明する図
【図１０】クロストークの発生を説明する図
【図１１】マルチビーム型露光装置の全体図
【図１２】補正電子光学系の詳細を説明する図
【図１３】半導体デバイス生産システムの例をある角度
から見た概念図
から見た概念図
【図１４】半導体デバイス生産システムの例を別の角度
から見た概念図
から見た概念図
【図１５】ディスプレイ上のユーザーインターフェース
を示す図
を示す図
【図１６】半導体デバイスの製造プロセスのフローを説
明する図
明する図
【図１７】ウエハプロセスの詳細を説明する図
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５４１Ｗ Ｆターム(参考） 2H097 CA16 GB01 LA10 5C030 BB11 BB17 BC06 5C033 CC01 5C034 BB02 BB05 5F056 AA33 EA03 EA04 EA05 EA06
Claims (16)
- 【請求項１】 それぞれに複数の開口が形成された上電
極、中間電極および下電極と、前記中間電極を側方から
挟んでこれをシールドする導電性のシールドとを有する
ことを特徴とする電子光学系アレイ。 - 【請求項２】 前記シールドは導電性の材料であり、前
記上電極および下電極と電気的に連結している請求項１
記載の電子光学系アレイ。 - 【請求項３】 前記シールドは、前記中間電極の側方に
電気的に導通しないように設けられている請求項１又は
２記載の電子光学系アレイ。 - 【請求項４】 前記上電極と下電極の間に、前記中間電
極が複数設けられている請求項１〜３のいずれか記載の
電子光学系アレイ。 - 【請求項５】 前記中間電極が列毎に分離されている請
求項１〜４のいずれか記載の電子光学系アレイ。 - 【請求項６】 前記複数の開口のそれぞれが矩形形状で
ある請求項１〜５のいすれか記載の電子光学系アレイ。 - 【請求項７】 前記矩形形状の長辺方向が、前記複数の
開口の配列方向に対して、θ（０°<= θ < 180°）だ
け傾いている請求項６記載の電子光学系アレイ。 - 【請求項８】 それぞれが、請求項６又は７記載の構成
を有する第１の電子光学系と第２の電子光学系アレイと
が、光軸に沿って配置された電子光学系であって、前記
第１の電子光学系アレイの各開口の矩形の長辺方向と、
前記第２電子光学系アレイの各開口の矩形の長辺方向と
が、光軸方向から見てほぼ直交していることを特徴とす
る電子光学系。 - 【請求項９】 それぞれに矩形形状の開口が形成された
上電極、中間電極および下電極を備えた第１の電子光学
系と、それぞれに矩形形状の開口が形成された上電極、
中間電極および下電極を備えた第２の電子光学系とが、
光軸に沿って配置された電子光学系であって、前記第１
の電子光学系の開口の矩形の長辺方向と、前記第２電子
光学系の開口の矩形の長辺方向とが、光軸方向から見て
ほぼ直交していることを特徴とする電子光学系。 - 【請求項１０】 前記上電極と下電極の間に、前記中間
電極が複数層設けられている請求項９記載の電子光学
系。 - 【請求項１１】 荷電粒子線を放射する荷電粒子源と、
前記荷電粒子源の中間像を複数形成する請求項１〜１０
のいずれか記載の電子光学系アレイを含む補正電子光学
系と、前記複数の中間像をウエハに縮小投影する投影電
子光学系と、前記ウエハに投影される前記複数の中間像
がウエハ上で移動するように偏向する偏向器とを有する
ことを特徴とする荷電粒子線露光装置。 - 【請求項１２】 請求項１１記載の露光装置を含む各種
プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設置する工
程と、該製造装置群を用いて複数のプロセスによって半
導体デバイスを製造する工程とを有することを特徴とす
るデバイス製造方法。 - 【請求項１３】 前記製造装置群をローカルエリアネッ
トワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネット
ワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの
間で、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報を
データ通信する工程とをさらに有する請求項１２記載の
デバイス製造方法。 - 【請求項１４】 前記露光装置のベンダーもしくはユー
ザーが提供するデータベースに前記外部ネットワークを
介してアクセスしてデータ通信によって前記製造装置の
保守情報を得る、もしくは前記半導体製造工場とは別の
半導体製造工場との間で前記外部ネットワークを介して
データ通信して生産管理を行う請求項１３記載のデバイ
ス製造方法。 - 【請求項１５】 請求項１１記載の露光装置を含む各種
プロセス用の製造装置群と、該製造装置群を接続するロ
ーカルエリアネットワークと、該ローカルエリアネット
ワークから工場外の外部ネットワークにアクセス可能に
するゲートウェイを有し、前記製造装置群の少なくとも
１台に関する情報をデータ通信することを可能にした半
導体製造工場。 - 【請求項１６】 半導体製造工場に設置された請求項１
１記載の露光装置の保守方法であって、前記露光装置の
ベンダーもしくはユーザーが、半導体製造工場の外部ネ
ットワークに接続された保守データベースを提供する工
程と、前記半導体製造工場内から前記外部ネットワーク
を介して前記保守データベースへのアクセスを許可する
工程と、前記保守データベースに蓄積される保守情報を
前記外部ネットワークを介して半導体製造工場側に送信
する工程とを有することを特徴とする露光装置の保守方
法。
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002058118A1 (en) * | 2001-01-18 | 2002-07-25 | Advantest Corporation | Electron beam exposure device and electron beam deflection device |
| WO2002058119A1 (fr) * | 2001-01-18 | 2002-07-25 | Advantest Corporation | Dispositif de deviation de faisceaux d'electrons, procede de production d'un dispositif de deviation de faisceaux d'electrons, et dispositif d'exposition a des faisceaux d'electrons |
| JP2006502526A (ja) * | 2001-11-07 | 2006-01-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | スポット格子アレー電子像形成システム |
| JP2006049702A (ja) * | 2004-08-06 | 2006-02-16 | Canon Inc | 荷電粒子線レンズアレイ、及び該荷電粒子線レンズアレイを用いた荷電粒子線露光装置 |
| JP2007019194A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-01-25 | Canon Inc | 静電レンズ装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| JP2009505384A (ja) * | 2005-08-09 | 2009-02-05 | カール ツァイス エスエムエス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 粒子光学系 |
| JP2011258842A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置及びデバイス製造方法 |
| KR20190041016A (ko) * | 2016-09-08 | 2019-04-19 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | 다중열 스캐닝 전자 현미경 시스템에서 배열된 비점수차를 보정하기 위한 장치 및 방법 |
| KR20200003064A (ko) * | 2017-04-28 | 2020-01-08 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 다수의 하전 입자 빔들을 사용하는 장치 |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4585661B2 (ja) | 2000-03-31 | 2010-11-24 | キヤノン株式会社 | 電子光学系アレイ、荷電粒子線露光装置およびデバイス製造方法 |
| JP4947841B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2012-06-06 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線露光装置 |
| JP4314320B2 (ja) * | 2002-04-10 | 2009-08-12 | 三菱電機株式会社 | 化合物半導体装置の製造方法 |
| EP1383158B1 (en) * | 2002-07-16 | 2014-09-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Charged-particle beam lens |
| JP2004282038A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-10-07 | Canon Inc | 偏向器、偏向器を製造する方法、偏向器を適用した荷電粒子線露光装置 |
| JP4459568B2 (ja) * | 2003-08-06 | 2010-04-28 | キヤノン株式会社 | マルチ荷電ビームレンズおよびそれを用いた荷電ビーム露光装置 |
| US20050029646A1 (en) * | 2003-08-07 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and method for dividing substrate |
| EP2579270B8 (en) * | 2003-09-05 | 2019-05-22 | Carl Zeiss Microscopy GmbH | Particle-optical systems and arrangements and particle-optical components for such systems and arrangements |
| US7928404B2 (en) * | 2003-10-07 | 2011-04-19 | Multibeam Corporation | Variable-ratio double-deflection beam blanker |
| US20090008579A1 (en) * | 2003-10-07 | 2009-01-08 | Tokyo Electron Limited | Electron beam lithography apparatus and design method of patterned beam-defining aperture |
| US7462848B2 (en) * | 2003-10-07 | 2008-12-09 | Multibeam Systems, Inc. | Optics for generation of high current density patterned charged particle beams |
| JP2005285518A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Toshiba Corp | イオン注入装置およびイオン注入方法 |
| JP2007231324A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Canon Inc | マルチ荷電ビーム加工装置 |
| KR100809277B1 (ko) * | 2006-07-05 | 2008-03-03 | 삼성전기주식회사 | 어레이 렌즈를 갖는 카메라 모듈 |
| CN102047375A (zh) * | 2008-05-27 | 2011-05-04 | 电子线技术院株式会社 | 用于电子柱的多极透镜 |
| KR101041369B1 (ko) * | 2009-11-19 | 2011-06-15 | 한국기초과학지원연구원 | 초고속 대량 시료 분석을 위한 장치 및 방법 |
| EP2339608B1 (en) * | 2009-12-22 | 2014-05-07 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Electrostatic corrector |
| JP2012195097A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-11 | Canon Inc | 荷電粒子線レンズおよびそれを用いた露光装置 |
| JP2012195095A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-11 | Canon Inc | 荷電粒子線レンズの製造方法 |
| DE102015202172B4 (de) | 2015-02-06 | 2017-01-19 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Teilchenstrahlsystem und Verfahren zur teilchenoptischen Untersuchung eines Objekts |
| US10840056B2 (en) * | 2017-02-03 | 2020-11-17 | Kla Corporation | Multi-column scanning electron microscopy system |
| DE102018202421B3 (de) | 2018-02-16 | 2019-07-11 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem |
| DE102018202428B3 (de) | 2018-02-16 | 2019-05-09 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Vielstrahl-Teilchenmikroskop |
| WO2019166331A2 (en) | 2018-02-27 | 2019-09-06 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Charged particle beam system and method |
| US10811215B2 (en) | 2018-05-21 | 2020-10-20 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Charged particle beam system |
| DE102018007455B4 (de) | 2018-09-21 | 2020-07-09 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Verfahren zum Detektorabgleich bei der Abbildung von Objekten mittels eines Mehrstrahl-Teilchenmikroskops, System sowie Computerprogrammprodukt |
| DE102018007652B4 (de) | 2018-09-27 | 2021-03-25 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Teilchenstrahl-System sowie Verfahren zur Stromregulierung von Einzel-Teilchenstrahlen |
| DE102018124044B3 (de) | 2018-09-28 | 2020-02-06 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Verfahren zum Betreiben eines Vielstrahl-Teilchenstrahlmikroskops und Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem |
| US11145485B2 (en) * | 2018-12-26 | 2021-10-12 | Nuflare Technology, Inc. | Multiple electron beams irradiation apparatus |
| CN111477530B (zh) | 2019-01-24 | 2023-05-05 | 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司 | 利用多束粒子显微镜对3d样本成像的方法 |
| TWI743626B (zh) | 2019-01-24 | 2021-10-21 | 德商卡爾蔡司多重掃描電子顯微鏡有限公司 | 包含多束粒子顯微鏡的系統、對3d樣本逐層成像之方法及電腦程式產品 |
| EP3893263A1 (en) * | 2020-04-06 | 2021-10-13 | ASML Netherlands B.V. | Aperture assembly, beam manipulator unit, method of manipulating charged particle beams, and charged particle projection apparatus |
Family Cites Families (56)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4200794A (en) * | 1978-11-08 | 1980-04-29 | Control Data Corporation | Micro lens array and micro deflector assembly for fly's eye electron beam tubes using silicon components and techniques of fabrication and assembly |
| SE421832B (sv) | 1979-04-18 | 1982-02-01 | Pharos Ab | Anordning for att registrera topografin hos den chargerade massan i en masugn |
| US4419182A (en) * | 1981-02-27 | 1983-12-06 | Veeco Instruments Inc. | Method of fabricating screen lens array plates |
| US4354111A (en) * | 1981-03-10 | 1982-10-12 | Veeco Instruments Incorporated | Screen lens array system |
| US4419580A (en) | 1981-06-26 | 1983-12-06 | Control Data Corporation | Electron beam array alignment means |
| US4607167A (en) * | 1982-10-19 | 1986-08-19 | Varian Associates, Inc. | Charged particle beam lithography machine incorporating localized vacuum envelope |
| US4569033A (en) * | 1983-06-14 | 1986-02-04 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Optical matrix-matrix multiplier based on outer product decomposition |
| US4742234A (en) * | 1985-09-27 | 1988-05-03 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Charged-particle-beam lithography |
| JP2523931B2 (ja) * | 1990-04-16 | 1996-08-14 | 富士通株式会社 | ブランキングアパ―チャアレ―の製造方法 |
| JP2837515B2 (ja) * | 1990-06-20 | 1998-12-16 | 富士通株式会社 | 電子ビーム露光装置 |
| US5121234A (en) | 1990-10-29 | 1992-06-09 | Honeywell Incorporated | Dichroic liquid crystal display with integral electroluminescent backlighting |
| EP0508151B1 (en) * | 1991-03-13 | 1998-08-12 | Fujitsu Limited | Charged particle beam exposure system and charged particle beam exposure method |
| US6184850B1 (en) * | 1991-09-04 | 2001-02-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Image display apparatus with backlit display and method of driving the same |
| JPH0644093A (ja) | 1992-04-01 | 1994-02-18 | Nec Corp | 二重化装置切替方式 |
| DE69323485T2 (de) | 1992-11-06 | 1999-07-22 | Mitsubishi Electric Corp | Bildwiedergabeanordnung |
| US5324930A (en) * | 1993-04-08 | 1994-06-28 | Eastman Kodak Company | Lens array for photodiode device with an aperture having a lens region and a non-lens region |
| US5617131A (en) * | 1993-10-28 | 1997-04-01 | Kyocera Corporation | Image device having a spacer with image arrays disposed in holes thereof |
| US5534311A (en) * | 1995-05-31 | 1996-07-09 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Production of structures by electrostatically-focused deposition |
| US5942761A (en) * | 1995-06-07 | 1999-08-24 | Tuli; Raja Singh | Enhancement methods and devices for reading a fingerprint image |
| JP2785788B2 (ja) * | 1996-01-19 | 1998-08-13 | 日本電気株式会社 | 一括マスク搭載ホルダ構造 |
| EP1369896A3 (en) | 1996-03-04 | 2004-12-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron beam exposure apparatus and method and device manufacturing method |
| JP3689524B2 (ja) | 1996-03-22 | 2005-08-31 | キヤノン株式会社 | 酸化アルミニウム膜及びその形成方法 |
| US5929454A (en) | 1996-06-12 | 1999-07-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detection apparatus, electron beam exposure apparatus, and methods associated with them |
| JP3927620B2 (ja) | 1996-06-12 | 2007-06-13 | キヤノン株式会社 | 電子ビーム露光方法及びそれを用いたデバイス製造方法 |
| JP3796317B2 (ja) | 1996-06-12 | 2006-07-12 | キヤノン株式会社 | 電子ビーム露光方法及びそれを用いたデバイス製造方法 |
| US5981954A (en) | 1997-01-16 | 1999-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron beam exposure apparatus |
| JPH10214779A (ja) | 1997-01-31 | 1998-08-11 | Canon Inc | 電子ビーム露光方法及び該方法を用いたデバイス製造方法 |
| US6107636A (en) | 1997-02-07 | 2000-08-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron beam exposure apparatus and its control method |
| US5886432A (en) * | 1997-04-28 | 1999-03-23 | Ultratech Stepper, Inc. | Magnetically-positioned X-Y stage having six-degrees of freedom |
| US6274877B1 (en) * | 1997-05-08 | 2001-08-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron beam exposure apparatus |
| JP3478058B2 (ja) * | 1997-05-30 | 2003-12-10 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子線描画装置 |
| US6104035A (en) | 1997-06-02 | 2000-08-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-beam exposure apparatus and method |
| JP3787417B2 (ja) | 1997-06-11 | 2006-06-21 | キヤノン株式会社 | 電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置 |
| KR19990062942A (ko) | 1997-12-10 | 1999-07-26 | 히로시 오우라 | 전하 입자 빔 노출 장치 |
| US6381072B1 (en) * | 1998-01-23 | 2002-04-30 | Proxemics | Lenslet array systems and methods |
| US6014200A (en) * | 1998-02-24 | 2000-01-11 | Nikon Corporation | High throughput electron beam lithography system |
| JP2000030647A (ja) * | 1998-07-10 | 2000-01-28 | Advantest Corp | 荷電粒子ビーム露光装置 |
| US6137103A (en) * | 1998-07-31 | 2000-10-24 | Lucent Technologies | Opto-mechanical components |
| JP2000181643A (ja) * | 1998-12-11 | 2000-06-30 | Canon Inc | 画像形成装置及び画像形成方法 |
| JP4410871B2 (ja) | 1999-03-25 | 2010-02-03 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 |
| JP2001076990A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-03-23 | Canon Inc | 荷電粒子線露光装置及びその制御方法 |
| US6693684B2 (en) * | 1999-09-15 | 2004-02-17 | Rainbow Displays, Inc. | Construction of large, robust, monolithic and monolithic-like, AMLCD displays with wide view angle |
| JP3763446B2 (ja) | 1999-10-18 | 2006-04-05 | キヤノン株式会社 | 静電レンズ、電子ビーム描画装置、荷電ビーム応用装置、および、デバイス製造方法 |
| JP2001126651A (ja) | 1999-10-22 | 2001-05-11 | Hitachi Ltd | 電子ビーム描画装置 |
| JP2001168017A (ja) * | 1999-12-13 | 2001-06-22 | Canon Inc | 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法及び制御データの決定方法、該方法を適用したデバイスの製造方法。 |
| JP2001168016A (ja) * | 1999-12-13 | 2001-06-22 | Canon Inc | 荷電粒子線露光装置と露光システム及びそれらの制御方法及びデバイス製造方法 |
| US6566664B2 (en) * | 2000-03-17 | 2003-05-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Charged-particle beam exposure apparatus and device manufacturing method |
| JP4947842B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2012-06-06 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線露光装置 |
| JP2001283756A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Canon Inc | 電子光学系アレイ、これを用いた荷電粒子線露光装置ならびにデバイス製造方法 |
| JP4947841B2 (ja) | 2000-03-31 | 2012-06-06 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線露光装置 |
| JP4585661B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2010-11-24 | キヤノン株式会社 | 電子光学系アレイ、荷電粒子線露光装置およびデバイス製造方法 |
| JP3728217B2 (ja) | 2000-04-27 | 2005-12-21 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線露光装置およびデバイス製造方法 |
| US7372968B2 (en) * | 2000-11-08 | 2008-05-13 | New Transducers Limited | Loudspeaker driver |
| JP4647820B2 (ja) | 2001-04-23 | 2011-03-09 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線描画装置、および、デバイスの製造方法 |
| JP4756776B2 (ja) | 2001-05-25 | 2011-08-24 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法およびデバイス製造方法 |
| EP1383158B1 (en) * | 2002-07-16 | 2014-09-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Charged-particle beam lens |
-
2000
- 2000-03-31 JP JP2000097125A patent/JP2001284230A/ja not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-03-29 US US09/819,907 patent/US6903345B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002058119A1 (fr) * | 2001-01-18 | 2002-07-25 | Advantest Corporation | Dispositif de deviation de faisceaux d'electrons, procede de production d'un dispositif de deviation de faisceaux d'electrons, et dispositif d'exposition a des faisceaux d'electrons |
| US6804288B2 (en) | 2001-01-18 | 2004-10-12 | Advantest Corporation | Electron beam exposure apparatus and electron beam deflection apparatus |
| WO2002058118A1 (en) * | 2001-01-18 | 2002-07-25 | Advantest Corporation | Electron beam exposure device and electron beam deflection device |
| JP2006502526A (ja) * | 2001-11-07 | 2006-01-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | スポット格子アレー電子像形成システム |
| JP2006049702A (ja) * | 2004-08-06 | 2006-02-16 | Canon Inc | 荷電粒子線レンズアレイ、及び該荷電粒子線レンズアレイを用いた荷電粒子線露光装置 |
| JP4541798B2 (ja) * | 2004-08-06 | 2010-09-08 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線レンズアレイ、及び該荷電粒子線レンズアレイを用いた荷電粒子線露光装置 |
| JP4745739B2 (ja) * | 2005-07-06 | 2011-08-10 | キヤノン株式会社 | 静電レンズ装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| JP2007019194A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-01-25 | Canon Inc | 静電レンズ装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| US8368015B2 (en) | 2005-08-09 | 2013-02-05 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Particle-optical system |
| JP2009505384A (ja) * | 2005-08-09 | 2009-02-05 | カール ツァイス エスエムエス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 粒子光学系 |
| JP2011258842A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置及びデバイス製造方法 |
| KR20190041016A (ko) * | 2016-09-08 | 2019-04-19 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | 다중열 스캐닝 전자 현미경 시스템에서 배열된 비점수차를 보정하기 위한 장치 및 방법 |
| JP2019526912A (ja) * | 2016-09-08 | 2019-09-19 | ケーエルエー コーポレイション | マルチカラム走査電子顕微鏡法システムにおけるアレイ型非点収差を修正するための装置及び方法 |
| KR102515235B1 (ko) * | 2016-09-08 | 2023-03-28 | 케이엘에이 코포레이션 | 다중열 스캐닝 전자 현미경 시스템에서 배열된 비점수차를 보정하기 위한 장치 및 방법 |
| KR20200003064A (ko) * | 2017-04-28 | 2020-01-08 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 다수의 하전 입자 빔들을 사용하는 장치 |
| JP2020518092A (ja) * | 2017-04-28 | 2020-06-18 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 荷電粒子の複数のビームを使用した装置 |
| US11289304B2 (en) | 2017-04-28 | 2022-03-29 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus using multiple beams of charged particles |
| KR102392687B1 (ko) * | 2017-04-28 | 2022-04-29 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 다수의 하전 입자 빔들을 사용하는 장치 |
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