JP3925133B2 - 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3925133B2 JP3925133B2 JP2001297021A JP2001297021A JP3925133B2 JP 3925133 B2 JP3925133 B2 JP 3925133B2 JP 2001297021 A JP2001297021 A JP 2001297021A JP 2001297021 A JP2001297021 A JP 2001297021A JP 3925133 B2 JP3925133 B2 JP 3925133B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- acoustic wave
- surface acoustic
- electrode layer
- wave element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02897—Means for compensation or elimination of undesirable effects of strain or mechanical damage, e.g. strain due to bending influence
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49128—Assembling formed circuit to base
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
- Y10T29/49156—Manufacturing circuit on or in base with selective destruction of conductive paths
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属バンプを利用してフリップチップボンディング方式で実装される弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置に関し、より詳細には、少なくとも１つの弾性表面波素子用電極がリフトオフ法により形成されている弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、弾性表面波装置の小型化を図るために、フリップチップボンディング方式により組み立てられた弾性表面波装置が広く用いられている。この方式では、弾性表面波装置を構成している圧電基板上の電極パッドにＡｕ等からなるバンプが形成され、該バンプを介して電極パッドとパッケージに設けられた入出力電極パッドあるいはグラウンド電極パッドとが電気的に接続されるとともに、機械的に接合されている。
【０００３】
上記フリップチップボンディング方式を用いる場合、バンプは弾性表面波装置とパッケージとを電気的に接続する機能だけでなく、機械的に弾性表面波装置をパッケージに固定する機能を果たす。従って、バンプ自体の強度が高いだけでなく、バンプと圧電基板上の電極パッドとの間の接合強度や、電極パッドと圧電基板との間の密着性が高いことが求められる。
【０００４】
電極パッドとバンプとの接続強度を高めるためには、一般に、電極パッドの厚みを十分に厚くする方法が用いられている。電極パッドの厚みを厚くするために、従来、膜厚の薄い第１の電極層の上に膜厚の厚い第２の電極層を形成する方法が知られている。
【０００５】
他方、弾性表面波装置を形成するにあたっては、圧電基板上に、インターデジタルトランスデューサ、反射器及び配線電極のような弾性表面波素子用電極と、上記電極パッドとが形成されるが、電極パッドが第１，第２の電極層を有する場合、弾性表面波素子用電極と電極パッドのうちの第１の電極層とは同時に形成されることが多い。弾性表面波素子用電極の形成方法としては、▲１▼エッチング法または▲２▼リフトオフ法が用いられている。▲１▼エッチング法では、基板上に全面にＡｌを主成分とする導電膜が形成され、次にフォトリソグラフィ技術により所望のレジストパターンが形成され、しかる後ウェットエッチングあるいはドライエッチングにより金属膜を加工した後、レジストが除去される。▲２▼リフトオフ法では、レジスト上に付着している金属膜部分をレジストとともに除去することにより、残りの金属膜部分により電極が形成される。
【０００６】
特に、一部の８００ＭＨｚ帯あるいは１〜２ＧＨｚ帯の弾性表面波フィルタでは、上記▲２▼リフトオフ法を用いて弾性表面波装置が形成されている。このような弾性表面波装置の製造方法の一例を、図２２〜図２４を参照して説明する。
【０００７】
図２３（ａ）に示すように、まず、圧電基板１０１上に、フォトリソグラフィによりレジストパターン１０２が形成される。次に、図２３（ｂ）に示すように、圧電基板１０１上にＡｌを主成分とする金属膜１０３が形成される。しかる後、レジストパターン１０２がその上面に付着している金属膜部分とともにリフトオフにより除去される。このようにして、図２３（ｃ）に示すように、圧電基板１０１上に、電極パッドを構成するための第１の電極層１０３ａと、弾性表面波素子用電極１０３ｂとが同時に形成される。次に、レジストパターン１０４が形成される（図２３（ｄ））。しかる後、図２４（ａ）に示すように金属膜１０５が形成され、再度リフトオフによりレジストパターン１０５が除去される。このようにして、図２４（ｂ）に示すように、第１の電極層１０３ａ上に、第２の電極層１０５ａが形成され、２層構造の電極パッド１０６が得られる。
【０００８】
次に、図２２に示すように、電極パッド１０６上にバンプ１０７が接合される。弾性表面波装置１０８は、バンプ１０７を利用して、パッケージに対してフリップチップボンディング方式により接合される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
前述した図２２〜図２４に示した先行技術では、電極パッド１０６の第１の電極層１０３ａをリフトオフ法により形成した場合、リフトオフに用いられるレジストの影響で圧電基板１０１と第１の電極層１０３ａとの密着性が比較的弱いため、バンプ１０７を用い、超音波及び熱を併用したワイヤーバンピング法で形成するに際し、第１の電極層１０３ａと圧電基板１０１との間で剥がれが生じることがあった。
【００１０】
さらに、弾性表面波装置１０８をパッケージにフリップチップボンディング方式で実装し、蓋材により気密封止した場合、残留応力の機械的ストレスにより電極パッド１０６付近において圧電基板１０１にクラックが生じることがあった。従って、弾性表面波装置の信頼性、特に機械的強度に関する信頼性が損なわれる恐れがあった。
【００１１】
本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、フリップチップボンディング方式で組み立てられる弾性表面波装置において、電極パッドと圧電基板との密着性が高く、電極パッドの圧電基板からの剥離が生じ難く、かつパッケージにフリップチップボンディング方式で実装した場合の圧電基板のクラックが生じ難い、信頼性に優れた弾性表面波装置の製造方法、並びに該製造方法により提供される弾性表面波装置を提供することにある。
【００１２】
本発明の他の目的は、フリップチップボンディング方式で組み立てられる弾性表面波装置において、電極パッド及び弾性表面波素子用電極と、配線電極との電気的接続の信頼性に優れた弾性表面波装置の製造方法、並びに該製造方法により提供される弾性表面波装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、バンプを介してフリップチップボンディング方式で実装される弾性表面波装置に関する。
【００１４】
第１の発明の広い局面によれば、上記弾性表面波装置の製造方法であって、圧電基板を用意する工程と、前記圧電基板上に電極パッドの第１の電極層を形成する第１の電極層形成工程と、前記第１の電極層形成工程後に、少なくとも１つの弾性表面波素子用電極を形成する弾性表面波素子用電極形成工程と、前記弾性表面波素子用電極形成工程後に、電極パッドの第２の電極層を形成する工程と、前記電極パッドと弾性表面波素子用電極とを電気的に接続する配線電極を形成する工程と、第２の電極層の上にバンプが形成される工程とを備え、前記配線電極が、前記第２の電極層と同時に形成されることを特徴とする、弾性表面波装置の製造方法が提供される。
【００１５】
本発明では、前記第２の電極層と、前記弾性表面波素子用電極とを電気的に接続するための配線電極が、前記第２の電極層と同時に形成される。配線電極を第２の電極層と同時に形成することができるので、電極パッドと配線電極との電気的接続の信頼性が高められるとともに、製造工程の簡略化が果たされる。
【００１６】
第１の発明に係る製造方法のさらに他の特定の局面では、前記配線電極及び第２の電極層がＡｌまたはＡｌ合金からなり、かつ前記配線電極及び第２の電極層を形成するに先立ち、ＡｌまたはＡｌ合金に比べて第１の電極層に対する密着力の高い金属または合金からなる密着層を下地として形成する工程がさらに備えられる。
【００１７】
上記密着層を下地層として形成することにより、第２の電極層の第１の電極層に対する密着力がより一層高められ、それによってバンプ形成時やフリップチップボンディング方式で実装する際の電極パッドの圧電基板からの剥離や圧電基板におけるクラックの発生をより確実に抑制することができる。
【００１８】
本願の第１の発明のさらに別の特定の局面では、前記弾性表面波素子用電極形成工程後に、前記弾性表面波素子用電極及び電極パッドの配線電極により接続される接続部の端面が階段状となるようにエッチングを施す工程がさらに備えられ、前記弾性表面波素子用電極と電極パッドの第１の電極層とを電気的に接続するための前記配線電極と、前記電極パッドの前記第２の電極層とが同じ導電膜により同時に形成される。従って、配線電極と弾性表面波素子用電極及び電極パッドとの電気的接続の信頼性が高められる。
【００１９】
第１の発明の別の特定の局面では、前記弾性表面波素子用電極及び電極パッドの第１の電極層の前記接続部の端面が、それぞれ、少なくとも２面であり、それによって、電気的接続の信頼性がより一層高められる。
【００２０】
第１の発明のさらに他の特定の局面では、前記弾性表面波素子用電極形成工程において、前記電極パッドに接続される弾性表面波素子用電極が該弾性表面波素子用電極の端面が電極パッドの第１の電極層と接触するように形成される。この場合には、電極パッドに接続される弾性表面波素子用電極の端面が、電極パッドの第１の電極層と接触するように形成されるので、配線電極と、弾性表面波素子用電極及び電極パッドとの電気的接続の信頼性を高めることができる。
【００２２】
第１の発明のさらに別の特定の局面では、前記弾性表面波素子用電極の形成方法が、リフトオフ法により行なわれ、前記電極パッドの第１の電極層がエッチングにより形成される。この場合には、弾性表面波素子用電極及び電極パッドの第１の電極層を高精度に形成することができ、さらに、電極パッド付近における圧電基板のクラックの発生をより確実に抑制することができる。
【００２３】
第１の発明のさらに他の特定の局面では、前記第１の電極層形成工程において、前記弾性表面波素子用電極とは異なる、少なくとも１個の第２の弾性表面波素子用電極が第１の電極層と同時に形成される。この場合には、前述した弾性表面波素子用電極と異なる厚みの第２の弾性表面波素子用電極を容易に形成することができ、特性の異なる弾性表面波素子を圧電基板上において容易に形成することができる。
【００２４】
第２の発明に係る弾性表面波装置は、圧電基板と、前記圧電基板上に形成された少なくとも１つの弾性表面波素子用電極と、前記圧電基板上に形成されており、バンプが接合される電極パッドと、前記電極パッドと前記弾性表面波素子用電極とを電気的に接続するための配線電極とを備え、前記電極パッドが圧電基板上に形成された第１の電極層と、第１の電極層上に積層された第２の電極層とを有し、第２の電極層上にバンプが形成されており、第１の電極層が金属膜のエッチングにより形成されており、少なくとも１つの弾性表面波素子用電極がリフトオフ法に形成されていることを特徴とする。
【００２５】
第２の発明では、前記配線電極と前記第２の電極層とが同じ金属膜により一体に形成されている。よって、電極パッドと配線電極との電気的接続の信頼性が高められ、かつ製造工程が簡略化される。
【００２６】
第２の発明に係る弾性表面波装置のさらに他の特定の局面では、前記配線電極及び第２の電極層がＡｌまたはＡｌ合金からなり、前記配線電極及び第２の電極層の下地に形成されており、ＡｌまたはＡｌ合金に比べて第１の電極層に対する密着力が高い金属または合金からなる密着層がさらに備えられる。上記密着層が下地層として形成されているので、第２の電極層の第１の電極層に対する密着力がより一層高められ、それによってバンプ形成時やフリップチップボンディング方式で実装する際の電極パッドの圧電基板からの剥離や圧電基板におけるクラックの発生をより確実に抑制することができる。
【００２７】
第３の発明によれば、バンプを介してフリップチップボンディング方式で実装される弾性表面波装置であって、圧電基板と、前記圧電基板上に形成された少なくとも１つの弾性表面波素子用電極と、前記圧電基板上に形成されており、バンプが接合される電極パッドと、前記電極パッドと前記弾性表面波素子用電極とを電気的に接続するための配線電極とを備え、前記電極パッドが圧電基板上に形成された第１の電極層と、第１の電極層上に積層された第２の電極層とを有し、前記第２の電極層と前記配線電極とが同じ導電膜により一体に形成されており、前記第１の電極層及び弾性表面波素子用電極の配線電極により電気的に接続される接続部の端面が階段状とされている、弾性表面波装置が提供される。
【００２８】
第３の発明のある特定の局面では、前記弾性表面波素子用電極及び電極パッドの第１の電極層の前記接続部の端面が、それぞれ、少なくとも２面であり、その場合には、弾性表面波素子用電極と電極パッドの第１電極層との電気的接続の信頼性をより一層高めることができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の具体的な実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００３３】
図１は、本発明の第１の実施例に係る弾性表面波装置の断面図であり、図２〜図４は、第１の実施例の弾性表面波装置の製造方法を説明するための各断面図である。
【００３４】
本実施例では、まず、図２（ａ）に示すように、圧電基板１上に、全面に金属膜２が形成される。圧電基板１としては、特に限定されるわけではないが、ＬｉＴａＯ3 やＬｉＮｂＯ3 もしくは水晶などの圧電単結晶、あるいはチタン酸ジルコン酸鉛系セラミックスのような圧電セラミックスが用いられ、本実施例では、ＬｉＴａＯ3 により圧電基板１が構成されている。金属膜２は、本実施例では、Ａｌ合金により構成されているが、Ｃｕなどの他の金属もしくは合金を用いて形成してもよい。金属膜２は、本実施例ではＡｌ合金を蒸着することにより形成されており、金属膜２の厚みは特に限定されるわけではないが、通常、５〜１０００ｎｍ程度とされる。なお、金属膜２の形成方法は、蒸着に限らず、メッキもしくはスパッタ等により行われてもよい。
【００３５】
次に、弾性表面波装置の電極パッドの第１の電極層の形状に相当するレジストパターン３がフォトリソグラフィ技術により形成される（図２（ｂ））。レジストパターン３は、公知のフォトレジスト材料により形成されている。
【００３６】
次に、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより不要部分の金属膜２を除去する（図２（ｃ））。
しかる後、溶剤を用いてレジストパターン３を除去する。このようにして、図２（ｄ）に示すように、圧電基板１上に電極パッドを構成する第１の電極層２ａが形成される。
【００３７】
次に、図３（ａ）に示すように、フォトリソグラフィ技術により、レジストパターン４を形成する。レジストパターン４は、弾性表面波素子用電極が形成される部分以外の領域に付与される。
【００３８】
しかる後、圧電基板１の上面において全面に弾性表面波素子用電極を形成するために、金属膜５を形成する（図３（ｂ））。金属膜５は、本実施例では、Ａｌ合金からなり、この膜厚は、弾性表面波素子の周波数や帯域幅に応じた厚みとし、通常、５〜１０００ｎｍの範囲とされる。
【００３９】
なお、弾性表面波素子用電極とは、インターデジタルトランスデューサだけでなく、電極パッド以外の電極であって、必要に応じて構成される反射器（図示せず）等の弾性表面波素子の機能を達成する他の電極をも含むものとする。
【００４０】
また、上記金属膜５の形成方法については、本実施例では、蒸着により行われているが、スパッタあるいはメッキ等の他の薄膜形成方法により行われてもよい。
【００４１】
しかる後、リフトオフ法によりレジストパターン４を除去する。その結果、図３（ｃ）に示すように、圧電基板１上に、弾性表面波素子用電極５ａが形成される。
【００４２】
次に、図３（ｄ）に示すように、レジストパターン６を形成する。レジストパターン６は、電極パッドの第２の電極層及び配線電極が形成される部分を除いて付与されている。
【００４３】
しかる後、図４（ａ）に示すように、圧電基板１上において全面に金属膜７を形成する。金属膜７は、Ａｌ合金からなり、蒸着により形成されている。もっとも、Ａｌ合金以外のＣｕなどの他の金属もしくは合金で形成されていてもよい。また、蒸着以外のメッキまたはスパッタなどの他の薄膜形成方法により形成されてもよい。
【００４４】
もっとも、金属膜７の厚みについては、配線抵抗やバンプと電極パッドとの接合強度とを考慮して、第１の電極層２ａよりも厚くされる。通常、金属膜７の厚みは３００〜１００００ｎｍの範囲とされる。
【００４５】
なお、好ましくは、図９に拡大して示すように、金属膜７を形成するに先立ち、ＡｌまたはＡｌ合金に比べて密着力の高い金属または合金からなる密着層８が下地層として形成され、該密着層８を形成した後に金属膜７が形成される。この密着層８を構成する金属材料としては、金属膜７に比べて圧電基板１や第１の電極層２ａに対する接着力の高い金属、例えばＴｉ、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｃｒ合金などが用いられる。
【００４６】
次に、図４（ｂ）に示すように、リフトオフ法によりレジストパターン６を除去する。このようにして、第２の電極層７ａが形成され、第１，第２の電極層２ａ，７ａからなる電極パッド９が形成されるとともに、電極パッド９と弾性表面波素子用電極５ａとを電気的に接続する配線電極７ｂが形成される。
【００４７】
本実施例では、第２の電極層７ａと配線電極７ｂとが同じ金属材料により連ねられて同時に形成されているが、配線電極７ｂは別工程で形成されてもよい。
しかる後、電極パッド９上にバンプ１０が形成される（図１参照）。このようにして、図１に示す弾性表面波装置１１が得られる。
【００４８】
なお、バンプ１０は、超音波及び熱を併用したワイヤーバンピング法により形成され、本実施例では、Ａｕよりなるバンプ１０が形成されている。
上記のようにして得られた弾性表面波装置１１は、図１の上面側を下面として、すなわちバンプ１０をパッケージの電極パッドに接触させるようにして、パッケージに収納され、バンプ１０を利用して電気的及び機械的に接合が果たされる。しかる後、パッケージが蓋材などにより気密封止され、弾性表面波装置部品とされる。
【００４９】
前述した従来の弾性表面波装置の製造方法では、図２３に示したように、リフトオフ法により第１の電極層１０３ａが形成されていたが、この場合には、金属膜１０３の形成に先立ちレジストパターン１０２が形成されているので、圧電基板１の上面が汚染されざるを得ない。従って、第１の電極層１０３ａの圧電基板１０１に対する密着性が損なわれがちであった。
【００５０】
本実施例の弾性表面波装置１１では、電極パッド９を構成している第１の電極層２ａがエッチング法により予め形成されている。従って、圧電基板１上に金属膜２を密着形成した後、エッチングにより第１の電極層２ａが形成されるので、第１の電極層２ａの圧電基板１に対する密着性が高められる。
【００５１】
よって、第１の電極層２ａの圧電基板１に対する密着性が高められるので、バンプ１０を形成する際に、電極パッド９と圧電基板１との間の剥離が生じ難く、かつ圧電基板１におけるクラックの発生を防止することができる。これを具体的な実験例に基づき説明する。
【００５２】
実施例において、第１の電極層２ａがウェットエッチングにより形成されている弾性表面波装置と、第１の電極層２ａがドライエッチングで形成されている弾性表面波装置、並びに比較のために、図２２〜図２４に示した従来法で第１の電極層が形成されている弾性表面波装置をそれぞれ作製した。これらの弾性表面波装置について、Ａｕからなるバンプ形成時の電極パッドの圧電基板からの剥離率及び圧電基板におけるクラック発生率を調べた。結果を下記の表１に示す。
【００５３】
なお、電極パッド剥離率とは、バンプ形成時に電極パッドと圧電基板との剥がれが発生した割合を示す。また、クラック発生率とは、完成品における電極パッド付近の圧電基板にクラックが生じている弾性表面波装置の割合を示す。このクラックは、残留応力などの機械的ストレスにより、電極パッド付近の圧電基板にクラックが生じるものであり、フリップチップボンド時の接合条件以外に、バンプ、電極パッド及び圧電基板などの材質や形状により発生するものである。
【００５４】
また、上記電極パッド剥離率及びクラック発生率の評価に際し、バンプの形成は、超音波及び熱を併用したワイヤーバンピング法により行った。また、使用した圧電基板は３６°ＬｉＴａＯ3基板であり、弾性表面波素子用電極及び第１の電極層の厚みは２００ｎｍ、及び第２の電極層及び配線電極の厚みは８４０ｎｍとし、実施例の弾性表面波装置２種においては密着層として１０ｎｍの厚みのＮｉＣｒ合金層を形成した。
【００５５】
また、従来例においては、図２３（ａ）及び（ｂ）の工程の間に、すなわち金属膜１０３を蒸着する前にプラズマクリーニング処理を施し、圧電基板１０１上の汚れをクリーニングした。これは、電極パッドの第１の電極層１０３ａと圧電基板１０１間の密着力を少しでも高め、上記電極パッド剥離率を低減する方法として一般的に用いられている方法である。
【００５６】
【表１】
【００５７】
表１から明らかなように、従来の弾性表面波装置の製造方法では、上記プラズマクリーニングを施したにも関わらず、電極パッド剥離率が０．５〜１．０％であり、クラック発生率が１２％であった。これに対して、ウェットエッチング及びドライエッチングのいずれを用いた場合においても、本実施例の製造方法によれば電極パッド剥離率及びクラック発生率は０であった。
【００５８】
これは、従来法では、▲１▼リフトオフプロセスにより圧電基板上にレジストが塗布されてしまうので、プラズマクリーニング処理を施したとしても、第１の電極層を圧電基板に高い密着強度で形成することができないこと、及び▲２▼リフトオフプロセスでは、Ａｌからなる金属膜を成膜する際に、レジストの耐熱性を考慮して成膜温度を設定しなければならないことなどの成膜条件の制限があるため、電極層の硬さなどの電極膜の性質が変化してしまい、電極パッドの剥離やクラックの発生が生じ易くなっているためと考えられる。
【００５９】
図５〜図８は第２の実施例に係る弾性表面波装置の製造方法を説明するための各断面図である。第２の実施例では最終的に図５に示す弾性表面波装置が得られる。
【００６０】
まず、図６（ａ）に示すように、圧電基板２１上に全面に金属膜２２が蒸着により形成される。この工程は、第１の実施例における圧電基板１上に金属膜２を形成する場合と同様にして行われる。
【００６１】
次に、図６（ｂ）に示すように、レジストパターン２３をフォトリソグラフィにより形成する。第２の実施例では２個の弾性表面波素子が圧電基板２１上に形成される。レジストパターン２３は、第１の弾性表面波素子用電極が形成される部分並びに電極パッドの第１の電極層が形成される部分上に位置されるように形成されている。
【００６２】
次に、ドライエッチングまたはウェットエッチングにより金属膜２２をエッチングする（図６（ｃ））。
次に、レジストパターン２３を除去する。このようにして図６（ｄ）に示すように、圧電基板２１上に、電極パッドを構成する第１の電極層２２ａと、第１の弾性表面波素子用電極２２ｂとが形成される。
【００６３】
しかる後、図７（ａ）に示すように、レジストパターン２４を形成する。レジストパターン２４は、第２の弾性表面波素子用電極が形成される部分を除いて形成されている。しかる後、圧電基板２１の上面において、全面に金属膜２５を形成する（図７（ｂ））。
【００６４】
しかる後、レジストパターン２４及びその上に付着している金属膜をリフトオフ法により除去する。このようにして、図７（ｃ）に示すように、リフトオフ法により第２の弾性表面波素子用電極２５ａが形成される。
【００６５】
次に、図７（ｄ）に示すように、レジストパターン２６を形成する。レジストパターン２６は、第２の電極層及び配線電極が形成される部分を除いて付与されている。
【００６６】
次に、図８（ａ）に示すように、圧電基板２１の上面の全面に金属膜２７を形成する。この金属膜２７は、第１の実施例における金属膜７と同様の材料で、かつ同様の厚みに形成される。
【００６７】
しかる後、図８（ｂ）に示すように、リフトオフ法によりレジストパターン２６及びその上に付着している金属膜部分を除去する。このようにして、第２の電極パッド２７ａ及び配線電極２７ｂが形成される。この配線電極２７ｂは第２の電極層２７ａに連ねられて、かつ第２の電極層２７ａと同時に形成されている。
【００６８】
また、エッチング法で形成された第１の弾性表面波素子用電極とリフトオフ法で形成された第２の弾性表面波素子用電極を電気的に繋ぐための配線電極２７ｃを同時に形成することもできる。
【００６９】
また、上記第２の電極層２７ａと、予め形成されていた第１の電極層２２ａとにより電極パッド２８が構成されている。
しかる後、電極パッド２８上に、バンプ２９を形成することにより、図５に示す弾性表面波装置３１が得られる。
【００７０】
弾性表面波装置３１においても、電極パッドの第１の電極層２２ａがエッチングにより圧電基板２１上に形成されるので、電極パッドと圧電基板との密着性が第１の実施例の場合と同様に高められる。
【００７１】
加えて、第１の弾性表面波素子用電極２２ｂと、第２の弾性表面波素子用電極２５ａとは、それぞれ、エッチング法及びリフトオフ法により形成されるので、これらの電極膜厚を容易に異ならせることができ、それによって異なる帯域を有する複数種の弾性表面波素子を圧電基板２１上に容易に形成することができる。すなわち、異なる帯域を有するデュアルフィルタなどを容易に実現することができる。
【００７２】
また、電極膜厚は弾性表面波素子機能面からの制約で決まるので、これらの電極膜厚の大小関係は問わず、どちらが厚くても、また同じであってもよい。
図１０（ａ）〜（ｃ）及び図１１（ａ），（ｂ）は、第３の実施例に係る弾性表面波装置の製造方法を説明するための各模式的平面図であり、図１２（ａ）〜（ｄ）、図１３（ａ）〜（ｄ）は、本実施例の製造方法を説明するための各模式的断面図である。
【００７３】
本実施例では、まず、圧電基板４１上に、電極パッドを構成する第１の電極層４８ａ，４９ａが形成される。第１の電極層４８ａ，４９ａの形成は、以下の様にして行なわれる。
【００７４】
すなわち、圧電基板４１上に、全面に導電膜が形成され、その上に全面にポジ型のレジストが付与される。しかる後、第１の電極層４８ａ，４９ａが遮蔽部とされたマスクを用いて露光が行なわれる。次に、露光されたレジスト部分を除去することにより、上記レジストがパターニンクされる。しかる後、エッチングにより、導電膜をエッチングし、次にレジストを除去する。エッチングは、湿式エッチング、あるいはプラズマを用いたドライエッチングのいずれのエッチング方法で行なわれてもよい。上記のようにして、図１０（ａ）及び図１２（ａ）に示されている第１の電極層４８ａ，４９ａが形成される。
【００７５】
次に、圧電基板４１の上面の全面にネガ型のレジストが付与される。ネガ型のレジスト上に、弾性表面波素子用電極及び配線電極が形成される部分が遮蔽部とされているマスクが載置され、露光される。しかる後、露光されなかったレジスト部分を除去することにより、ネガ型レジストがパターニングされる。図１２（ｂ）においては、上記のようにしてパターニングされたネガ型レジスト４７が示されている。
【００７６】
次に、圧電基板４１の上面の全面に導電膜が形成される。この導電膜は、Ａｌなどの導電性材料を蒸着などの適宜の方法で付与することにより形成される。しかる後、レジスト４７上の導電膜４２ｘをレジスト４７とともにリフトオフすることにより、上記導電膜がパターニングされる。その結果、図１０（ｂ）及び図１２（ｃ）に示されているように、弾性表面波素子用電極４２として、バスバー４２ａ，４２ｂ及び電極ランド５２ａ，５３ａを有するＩＤＴ４２と反射器とが形成される。
【００７７】
次に、圧電基板４１の上面の全面にポジ型レジストが付与される。このポジ型レジスト上に、上記電極ランド５２ａ，５３ａ及び電極層４８ａ，４９ａの接続部以外を遮蔽部としたマスクが載置されて露光が行なわれる。なお、電極ランド５２ａ，５３ａ及び電極層４８ａ，４９ａの接続部とは、後述の配線電極が接続される側の端部をいうものとする。次に、露光されたレジストを除去する。しかる後、図１２（ｄ）に示すように、電極層４８ａ，４９ａの接続部及び弾性表面波素子用電極としての電極ランド５２ａ，５３ａの接続部が階段状の端面４８ａ1，４９ａ1，５２ａ1，５３ａ1を有するように、エッチングが行なわれる。
【００７８】
なお、上記階段状の端面４８ａ1，４９ａ1，５２ａ1，５３ａ1を得るためのエッチング方法についても、湿式エッチング、あるいはプラズマ等を用いた乾式エッチングのいずれの方法で行なわれてもよい。
【００７９】
次に、圧電基板４１の上面の全面にネガ型レジスト４７Ａが付与される（図１０（ｃ））。レジスト４７Ａ上に、第１，第２の電極層４８ａ，４９ａと、電極ランド５２ａ，５３ａと、バスバー４２ａ，４２ｂとを遮蔽部とするマスクを載置して露光が行なわれる。しかる後、露光されなかったレジスト部分を除去することにより、図１３（ａ）に示すようにパターニングされたレジスト４７Ａが得られる。
【００８０】
次に、圧電基板４１の上面の全面に、弾性表面波素子用電極とは異なる金属からなる中間層（図示せず）と、弾性表面波素子用電極の膜厚よりも膜厚が厚い導電膜を付与する。この場合、導電性粒子の粒径は、下層に位置する電極層４８ａ，４９ａの膜厚に比べ、上層に位置する導電膜の方が小さいほうが好ましい。また、上記導電膜の厚みは、配線抵抗や、バンプと電極パッドとの接合強度を考慮すると、３００〜１０００ｎｍの範囲が好ましい。
【００８１】
１層目の導電膜と２層目の導電膜との密着力を高めるためには、上記中間層としてＮｉ，Ｎｉ，ＮｉＣｒなどが用いられる。なお、上記中間層と、その上に形成される導電膜は連続して成膜されることが望ましい。また、中間層は必須ではない。
【００８２】
しかる後、レジスト４７Ａ上に付与されている中間層及び導電膜が、レジスト４７Ａとともにリフトオフされる。このようにして図１１（ａ）及び図１３（ｂ）に示すように、第１の電極層４８ａ，４９ａ、電極ランド５２ａ，５３ａ、及びバスバー４２ａ，４２ｂ上に、第２の電極層４８Ａ，４９Ａ、電極層５２Ａ，５３Ａ、及び電極層４２Ａ，４２Ｂがそれぞれ形成される。第２の電極層４８Ａ，４９Ａ、電極層５２Ａ，５３Ａ及び電極層４２Ａ，４２Ｂは、上記中間層と導電膜とからなる。
【００８３】
上記第１の電極層４８ａ，４９ａと、第２の電極層４８Ａ，４９Ａとにより、それぞれ、電極パッド４８，４９が構成されている。そして、この電極パッド４８，４９と、電極ランドの電極層５２ａ，５３ａとは、上記導電膜からなる配線電極６０，６１により電気的に接続されることになる。すなわち、配線電極６０，６１は、第２の電極層４８Ａ，４９Ａと同一の上記中間層及び導電膜により構成される。
【００８４】
次に、図１１（ｂ）及び図１３（ｃ）に示すように、電極パッド４８，４９上にバンプ６４，６５が形成される。
本実施例では、弾性表面波素子用電極としてのＩＤＴ４２は、リフトオフ法により形成されるので、電極の精度が高く、かつ耐電力性に優れた弾性表面波素子用電極を形成することができる。
【００８５】
また、バンプ６４，６５が形成される電極パッド４８，４９は、第１，第２の電極層を有し、第１の電極層４８ａ，４９ａがドライエッチングまたはウエットエッチングで形成され、さらに上記中間層を下地として有する第２の電極層４８Ａ，４９Ａが形成されるので、膜形成時の残留応力等による機械的ストレスから生じる電極パッド４８，４９付近における圧電基板のクラックの発生を抑制することができる。
【００８６】
さらに、電極パッド４８，４９及び弾性表面波素子用電極としての電極ランド５２ａ，５３ａと、配線電極６０，６１との電気的接続の信頼性が高められる。これは、第１の電極層４８ａ，４９ａの接続端部及び弾性表面波素子用電極の内、電極ランド５２ａ，５３ａの接続部が、上記のように階段状の端面を有するため、配線電極６０，６１により確実に電気的に接続されるためである（図１９参照）。
【００８７】
なお、上記配線電極６０，６１により弾性表面波素子用電極と電極パッドとの電気的接続の信頼性を高めるためには、図２１に部分平面図で示すように、電極パッド４８と、電極ランド５２ａとがより長い領域で近接対向される形状とすることが望ましい。すなわち、図２１に示されている構造では、電極パッド４８内に、電極ランド５２ａが入り込んでおり、従って、非常に長い距離に渡って電極パッド４８ａと電極ランド５２ａとが近接・対向されている。従って、両者の間に上記導電膜により配線電極６０，６１を形成した場合、より一層電気的接続の信頼性を高めることができる。
【００８８】
言い換えれば、上記電極パッドの接続端部及び弾性表面波素子用電極の接続部は、階段状の端面が少なくとも２面有するように構成されていることが望ましく、それによって、配線電極と電極パッドまたは弾性表面波素子用電極との電気的接続の信頼性をより一層高めることができる。
【００８９】
また、上記配線電極及び電極パッド４８，４９の第２の電極層４８Ａ，４９Ａの導電性粒子の粒径を、第１の電極層４８ａ，４９ａよりも小さくすることにより上記電気的接続部の断線不良を抑制することができ、それによって電気的接続の信頼性をより一層高めることが可能とされている。
【００９０】
図１４（ａ）〜図１５（ｃ）は、第４の実施例に係る弾性表面波装置の製造方法を説明するための模式的平面図であり、図１６（ａ）〜図１８は、第４の実施例に係る弾性表面波装置の製造方法を説明するための模式的断面図である。なお、図１６〜図１８では、従来の第１，第２の弾性表面波素子６８，６９部分の側面断面図が一点鎖線Ｚにより結合されて図示されている。第４の実施例は第３の実施例の変形例にあたり、ここでは、圧電基板４１上に、帯域が異なる第１，第２の弾性表面波素子が構成される。
【００９１】
まず、図１４（ａ）に示されているように、圧電基板４１上に、第１の弾性表面波素子６８を構成する電極と、第２の弾性表面波素子６９の電極パッドの第１の電極層５０ａ，５１ａを形成する。ここで、第１の弾性表面波素子６８側の電極は、バスバー４２ａ，４２ｂと、電極ランド５２ａ，５３ａと、バスバー４２ａ，４２ｂ間に配置される電極指とからなる弾性表面波素子用電極と、電極パッドの第１の電極層４８ａ，４９ａと、反射器電極である。なお、バスバー４２ａ，４２ｂ、電極指及び電極ランド５２ａ，５２ｂが弾性表面波素子用電極である。
【００９２】
図１４（ａ）に示す電極構造を形成するに際しては、まず、圧電基板４１上に、全面にポジ型のレジストが付与される。このポジ型のレジスト上に、第１の弾性表面波素子６８側の上記各電極及び第２の弾性表面波素子６９側の第１の電極層５０ａ，５１ａの部分が遮蔽部とされているマスクが載置され、露光が行なわれる。しかる後、露光されたレジスト部分を除去することにより、レジストがパターニングされる。しかる後、エッチングを行なうことにより、上記電極構造が形成される。なお、エッチングは、湿式エッチング、あるいはプラズマなどを用いた乾式エッチングのいずれで行なわれてもよい。
【００９３】
上記のようにして形成された第１の弾性表面波素子６８側においては、電極ランド５２ａ，５３ａは、電極パッドの第１の電極層４８ａ，４９ａと接触されている（図１６（ａ）参照）。
【００９４】
次に、全面にネガ型のレジストが付与される。しかる後、レジスト上に、図１４（ｂ）に示されている第２の弾性表面波素子６９側のＩＤＴ４３、バスバー５３ａ，５３ｂ及び電極ランド５４ａ，５５ａを遮蔽部とするマスクを用いて露光が行なわれる。しかる後、露光されなかったレジスト部分を除去することにより、図１６（ｂ）に示すようにパターニングされたレジスト４７が得られる。
【００９５】
次に、図１６（ｃ）に示すように、圧電基板４１の上面の全面に第２の弾性表面波素子６９のＩＤＴ４３などと等しい膜厚の導電膜Ａを付与する。この導電膜Ａは、Ａｌなどの適宜の導電性材料を蒸着等の適宜の方法で付与することにより形成される。
【００９６】
しかる後、レジスト４７上に付与されている導電膜Ａをレジスト４７とともにリフトオフすることにより弾性表面波素子６９のＩＤＴ４３、バスバー５３ａ，５３ｂ及び電極ランド５４ａ，５５ａが形成される（図１６（ｄ））。
【００９７】
しかる後、全面にポジ型のレジストが付与される。このレジスト上に、第２の弾性表面波素子６９の電極ランド５４ａ，５５ａ及び電極層５０ａ，５１ａの接続部以外を遮蔽部としたマスクが載置されて露光が行なわれる。露光されたレジスト部分を除去した後、エッチングにより上記接続部において、第３の実施例の場合と同様に階段状の端面が形成される（図１７（ａ）参照）。
【００９８】
なお、上記第１，第２の弾性表面波素子６８，６９における弾性表面波素子用電極及び電極パッドの電極形成方法は上記に限定されず、例えば、電極パッド及び電極ランドの一部の電極層のみが湿式エッチングまたはドライエッチングで形成されてもよく、第１，第２の弾性表面波素子のＩＤＴ及び電極ランドの一部がリフトオフ法により形成されてもよい。
【００９９】
次に、図１５（ａ）に示すように、圧電基板４１の全面にネガ型のレジスト７１が付与される。該ネガ型レジスト７１上に、第１，第２の弾性表面波素子６８，６９の電極パッドと、上記電極ランド５２ａ，５３ａ、５４ａ，５５ａと、バスバー４２ａ，４２ｂ，５３ａ，５３ｂとが遮蔽部とされているマスクが載置されて、露光が行なわれる。しかる後、露光されなかったレジスト部分を除去することにより、図１７（ｂ）に示すようにパターニングされたレジスト４７Ａが得られる。
【０１００】
次に、図示しない中間層を、上記弾性表面波素子用電極とは異なる金属により形成し、しかる後、中間層上に、電極層４８ａ，４９ａ，５０ａ，５１ａの膜厚よりも厚い導電膜Ｂを積層する。この場合、導電性粒子の粒径は、上層が下層に比べて小さい方が好ましい。すなわち、最後に形成される導電膜Ｂの導電性粒子の粒径は、第１の電極層４８ａ，４９ａ，５０ａ，５１ａなどの導電性粒子の粒径よりも小さいことが好ましい。
【０１０１】
また、最後に形成される導電膜Ｂの厚みは、第３の実施例の場合と同様に３００〜１０００ｎｍの範囲が望ましい。また、上記中間層及び導電膜を構成する材料は、第３の実施例の場合と同様である。
【０１０２】
しかる後、レジスト４７Ａ上に付与されている導電膜をレジスト４７Ａとともにリフトオフする。このようにして、第１，第２の弾性表面波素子６８，６９の電極パッド４８ａ，４９ａ，５０ａ，５１ａ、電極ランド５２ａ，５３ａ，５４ａ，５５ａ及びＩＤＴのバスバー４２ａ，４２ｂ，５３ａ，５３ｂ上に、それぞれ、図１５（ｂ）及び図１７（ｃ）に示す電極層４８Ａ，４９Ａ，５０Ａ，５１Ａ，５２Ａ，５３Ａ，５４Ａ，５５Ａ，４２Ａ，４２Ｂ，５３Ａ，５３Ｂが形成される。
【０１０３】
すなわち、第１の弾性表面波素子６８側だけでなく、第２の弾性表面波素子６９側においても、第１の電極層５０ａ，５１ａと第２の電極層５０Ａ，５１Ａとにより、電極パッドが構成されている。
【０１０４】
また、上記リフトオフの結果、図示しない中間層を下地として有する導電膜により、配線電極６０，６１が第３の実施例と同様に形成される。
最後に、図１５（ｃ）及び図１８に示すように、電極パッド上にバンプ６４〜６７が形成される。上記のように、異なる帯域を有する２つの弾性表面波素子６８，６９を有する弾性表面波装置の製造に際しては、バンプ用電極パッド４８，４９，５０，５１が上記のようにして構成されているので、電極パッド４８〜５１付近における圧電基板へのクラックの発生を抑制することができる。
【０１０５】
また、第４の実施例においても、配線電極６０，６１により接続される電極パッド５０，５１及び電極ランド５４ａ，５５ａの接続部の端面が階段状の形状とされているので、配線電極による電気的接続の信頼性が高められる。すなわち、階段状の接続端面を有する第１の電極層５０ａ，５１ａにより、配線電極６０，６１との接触面積が増大され、かつた第２の電極層が配線電極６０，６１と同じ導電膜により一体に形成されているので、上記のように電気的接続の信頼性が効果的に高められる。
【０１０６】
なお、配線電極６０，６１により接続されるバンプ用電極パッド５０，５１及び弾性表面波素子用電極の電極ランド５４ａ，５５ａの接続部、すなわち、接続端面は階段状の形状とされていたが、弾性表面波素子６８側で示されていたように、階段状の形状を有しておらずともよい。
【０１０７】
すなわち、図２０に、第４の実施例における電極パッド４８と、電極ランド５２ａとの接続部分を拡大して示すが、ここでは、電極パッド４８の第１の電極層４８ａの接続部と、弾性表面波素子用電極側の接続部、すなわち電極ランド５２ａの接続部とが接触されている。従って、第２の電極層４８Ａと、配線電極６２Ａとを同じ導電膜で同時に形成した場合、電極パッド４８と弾性表面波素子用電極の電極ランド５２ａとが確実に電気的に接続される。特に、図２０に示されているように、電極パッド４８の第１の電極層４８ａと電極ランドの第１の電極層５２ａとの膜厚が異なる場合には、両者が接触している部分に段差が生じるため、配線電極による電気的接続の信頼性をより一層高めることができる。
【０１０８】
よって、前述した第３の実施例においても、上記階段状の端面を形成する代わりに、第４の実施例の弾性表面波素子６８側の構造と同様に電極パッド及び電極ランドを形成してもよく、それによって配線電極による電気的接続の信頼性を高めることができる。
【０１０９】
なお、上記実施例では、圧電基板１，２１，４１上に１つの弾性表面波装置を構成するために弾性表面波素子用電極及び電極パッドを形成したが、通常、マザーの圧電基板上において複数の弾性表面波装置の弾性表面波素子用電極及び電極パッドが上記各実施例に従って形成され、最終的にダイシング等により分割されて個々の弾性表面波装置が得られる。
【０１１０】
また、本発明においては、弾性表面波素子用電極の構成については特に限定されず、弾性表面波フィルタだけでなく、弾性表面波共振子や弾性表面波遅延線などの様々な弾性表面波装置の製造に本発明を適用することかできる。
【０１１３】
【発明の効果】
第１の発明に係る弾性表面波装置の製造方法では、圧電基板上に電極パッドの第１の電極層が形成され、次に、少なくとも１つの弾性表面波素子用電極が形成され、弾性表面波素子用電極形成後に、電極パッドの第２電極層が形成され、電極パッドと弾性表面波素子用電極とを電気的に接続する配線電極が最後に形成される。従って、第１の発明の製造方法によれば、電極パッドと弾性表面波素子を、それぞれ、最適な電極形成プロセスを用いることができる。
【０１１４】
第１の発明において、第１の電極層がエッチングにより形成され、第１の電極層形成工程後に、弾性表面波素子用電極がリフトオフ法により形成される、しかる後、第１の電極層上に電極パッドの第２の電極層が形成される場合には、第１の電極層が、フォトリソグラフィー残渣などにより汚染されていない圧電基板上に形成される。従って、電極パッドと圧電基板との密着性が効果的に高められる。加えて、電極パッドは第１，第２の電極層を積層した構造を有するので、バンプの形成に際し、あるいはバンプを介してフリップチップボンディング方式により弾性表面波装置をパッケージに収納するに際し、電極パッドと圧電基板との剥離が生じ難い。同様に、電極パッド近傍における圧電基板のクラックも生じ難い。従って、信頼性に優れた弾性表面波装置を得ることができる。
【０１１５】
第２〜第４の発明に係る各弾性表面波装置は、それぞれ、第１の発明に係る製造方法に従って製造されており、よって、配線電極と、弾性表面波素子用電極及び電極パッドとの電気的接続の信頼性が高められる。
【０１１６】
特に、第２の発明では、電極パッドの第１の電極層が金属膜のエッチングにより形成されており、弾性表面波素子用電極がリフトオフ法により形成されており、電極パッドが第１，第２の電極層を積層することにより形成されているので、本発明に係る弾性表面波装置の製造方法を用いることにより、バンプの形成時やフリップチップボンディング方式によりパッケージに収納する際に加わる外力等による電極パッドの圧電基板からの剥離や圧電基板におけるクラックの発生を確実に抑制することができる。
【０１１７】
また、第３の発明では、第１の電極層及び弾性表面波素子用電極の配線電極により電気的に接続されている接続部の端面が階段状とされているので、第１，第２の電極層を有する電極パッドと、弾性表面波素子用電極の配線電極による電気的接続の信頼性が効果的に高められる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例に係る弾性表面波装置を示す正面断面図。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、第１の実施例の弾性表面波装置を製造する工程を説明するための各正面断面図。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、第１の実施例の弾性表面波装置の製造工程を説明するための各正面断面図。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施例の弾性表面波装置の製造工程を説明するための各正面断面図。
【図５】本発明の第２の実施例に係る弾性表面波装置の正面断面図。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は、第２の実施例の弾性表面波装置の製造工程を説明するための各正面断面図。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は、第２の実施例の弾性表面波装置の製造工程を説明するための各正面断面図。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は、第２の実施例の弾性表面波装置の製造工程を説明するための各正面断面図。
【図９】第１の実施例の好ましい変形例を説明するための部分切欠正面断面図。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第３の実施例の弾性表面波装置の製造工程を説明するための各模式的平面図。
【図１１】（ａ）及び（ｂ）は、第３の実施例の製造工程を説明するための各模式的平面図。
【図１２】（ａ）〜（ｄ）は、第３の実施例の弾性表面波装置の製造工程を説明するための各正面断面図。
【図１３】（ａ）〜（ｃ）は、第３の実施例の弾性表面波装置の製造工程を説明するための各正面断面図。
【図１４】（ａ）及び（ｂ）は、第４の実施例の弾性表面波装置の製造工程を説明するための各模式的平面図。
【図１５】（ａ）〜（ｃ）は、第４の実施例の弾性表面波装置の製造工程を説明するための各模式的平面図。
【図１６】（ａ）〜（ｄ）は、第４の実施例の弾性表面波装置の製造工程を説明するための模式的各側面断面図。
【図１７】（ａ）〜（ｃ）は、第４の実施例の弾性表面波装置の製造工程を説明するための模式的各側面断面図。
【図１８】第４の実施例の弾性表面波装置の製造工程を説明するための模式的側面断面図。
【図１９】第３の実施例における配線電極と電極パッド及び電極ランドとの接続端部の形状を説明するための部分拡大断面図。
【図２０】第３，第４の実施例の変形例における配線電極と電極ランド及び電極パッドとの接続部分を拡大して示す部分断面図。
【図２１】第３の実施例の変形例における電極パッドの第１の電極層と、電極ランドの第１の電極層の平面形状を説明するための部分平面図。
【図２２】従来の弾性表面波装置を説明するための正面断面図。
【図２３】（ａ）〜（ｄ）は、図２２に示した従来の弾性表面波装置の製造工程を説明するための各正面断面図。
【図２４】（ａ）及び（ｂ）は、図２２に示した従来の弾性表面波装置の製造工程を説明するための各正面断面図。
【図２５】従来の弾性表面波装置の製造方法の問題点を説明するための部分断面図。
【符号の説明】
１…圧電基板
２…金属膜
２ａ…第１の電極層
３…レジストパターン
４…レジストパターン
５…金属膜
５ａ…弾性表面波素子用電極
６…レジストパターン
７…金属膜
７ａ…第２の電極層
７ｂ…配線電極
８…密着層
９…電極パッド
１０…バンプ
１１…弾性表面波装置
２１…圧電基板
２２…金属膜
２２ａ…第１の電極層
２２ｂ…弾性表面波素子用電極
２３…レジストパターン
２４…レジストパターン
２５…金属膜
２５ａ…弾性表面波素子用電極
２６…レジストパターン
２７…金属膜
２７ａ…第２の電極層
２７ｂ…配線電極
２８…電極パッド
２９…バンプ
３１…弾性表面波装置
４１…圧電基板
４２ａ，４２ｂ，５３ａ，５３ｂ…バスバー
４２Ａ，４２Ｂ…電極層
４８，４９…電極パッド
４８ａ，４９ａ…第１の電極層
４８ａ1，４９ａ1，５２ａ1，５３ａ1…階段状の端面
４８Ａ，４９Ａ…第２の電極層
５０，５１…電極パッド
５０ａ，５１ａ…第１の電極層
５０Ａ，５１Ａ…第２の電極層
５２ａ，５３ａ…電極ランド
６０，６１…配線電極
６８，６９…第１，第２の弾性表面波素子
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属バンプを利用してフリップチップボンディング方式で実装される弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置に関し、より詳細には、少なくとも１つの弾性表面波素子用電極がリフトオフ法により形成されている弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、弾性表面波装置の小型化を図るために、フリップチップボンディング方式により組み立てられた弾性表面波装置が広く用いられている。この方式では、弾性表面波装置を構成している圧電基板上の電極パッドにＡｕ等からなるバンプが形成され、該バンプを介して電極パッドとパッケージに設けられた入出力電極パッドあるいはグラウンド電極パッドとが電気的に接続されるとともに、機械的に接合されている。
【０００３】
上記フリップチップボンディング方式を用いる場合、バンプは弾性表面波装置とパッケージとを電気的に接続する機能だけでなく、機械的に弾性表面波装置をパッケージに固定する機能を果たす。従って、バンプ自体の強度が高いだけでなく、バンプと圧電基板上の電極パッドとの間の接合強度や、電極パッドと圧電基板との間の密着性が高いことが求められる。
【０００４】
電極パッドとバンプとの接続強度を高めるためには、一般に、電極パッドの厚みを十分に厚くする方法が用いられている。電極パッドの厚みを厚くするために、従来、膜厚の薄い第１の電極層の上に膜厚の厚い第２の電極層を形成する方法が知られている。
【０００５】
他方、弾性表面波装置を形成するにあたっては、圧電基板上に、インターデジタルトランスデューサ、反射器及び配線電極のような弾性表面波素子用電極と、上記電極パッドとが形成されるが、電極パッドが第１，第２の電極層を有する場合、弾性表面波素子用電極と電極パッドのうちの第１の電極層とは同時に形成されることが多い。弾性表面波素子用電極の形成方法としては、▲１▼エッチング法または▲２▼リフトオフ法が用いられている。▲１▼エッチング法では、基板上に全面にＡｌを主成分とする導電膜が形成され、次にフォトリソグラフィ技術により所望のレジストパターンが形成され、しかる後ウェットエッチングあるいはドライエッチングにより金属膜を加工した後、レジストが除去される。▲２▼リフトオフ法では、レジスト上に付着している金属膜部分をレジストとともに除去することにより、残りの金属膜部分により電極が形成される。
【０００６】
特に、一部の８００ＭＨｚ帯あるいは１〜２ＧＨｚ帯の弾性表面波フィルタでは、上記▲２▼リフトオフ法を用いて弾性表面波装置が形成されている。このような弾性表面波装置の製造方法の一例を、図２２〜図２４を参照して説明する。
【０００７】
図２３（ａ）に示すように、まず、圧電基板１０１上に、フォトリソグラフィによりレジストパターン１０２が形成される。次に、図２３（ｂ）に示すように、圧電基板１０１上にＡｌを主成分とする金属膜１０３が形成される。しかる後、レジストパターン１０２がその上面に付着している金属膜部分とともにリフトオフにより除去される。このようにして、図２３（ｃ）に示すように、圧電基板１０１上に、電極パッドを構成するための第１の電極層１０３ａと、弾性表面波素子用電極１０３ｂとが同時に形成される。次に、レジストパターン１０４が形成される（図２３（ｄ））。しかる後、図２４（ａ）に示すように金属膜１０５が形成され、再度リフトオフによりレジストパターン１０５が除去される。このようにして、図２４（ｂ）に示すように、第１の電極層１０３ａ上に、第２の電極層１０５ａが形成され、２層構造の電極パッド１０６が得られる。
【０００８】
次に、図２２に示すように、電極パッド１０６上にバンプ１０７が接合される。弾性表面波装置１０８は、バンプ１０７を利用して、パッケージに対してフリップチップボンディング方式により接合される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
前述した図２２〜図２４に示した先行技術では、電極パッド１０６の第１の電極層１０３ａをリフトオフ法により形成した場合、リフトオフに用いられるレジストの影響で圧電基板１０１と第１の電極層１０３ａとの密着性が比較的弱いため、バンプ１０７を用い、超音波及び熱を併用したワイヤーバンピング法で形成するに際し、第１の電極層１０３ａと圧電基板１０１との間で剥がれが生じることがあった。
【００１０】
さらに、弾性表面波装置１０８をパッケージにフリップチップボンディング方式で実装し、蓋材により気密封止した場合、残留応力の機械的ストレスにより電極パッド１０６付近において圧電基板１０１にクラックが生じることがあった。従って、弾性表面波装置の信頼性、特に機械的強度に関する信頼性が損なわれる恐れがあった。
【００１１】
本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、フリップチップボンディング方式で組み立てられる弾性表面波装置において、電極パッドと圧電基板との密着性が高く、電極パッドの圧電基板からの剥離が生じ難く、かつパッケージにフリップチップボンディング方式で実装した場合の圧電基板のクラックが生じ難い、信頼性に優れた弾性表面波装置の製造方法、並びに該製造方法により提供される弾性表面波装置を提供することにある。
【００１２】
本発明の他の目的は、フリップチップボンディング方式で組み立てられる弾性表面波装置において、電極パッド及び弾性表面波素子用電極と、配線電極との電気的接続の信頼性に優れた弾性表面波装置の製造方法、並びに該製造方法により提供される弾性表面波装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、バンプを介してフリップチップボンディング方式で実装される弾性表面波装置に関する。
【００１４】
第１の発明の広い局面によれば、上記弾性表面波装置の製造方法であって、圧電基板を用意する工程と、前記圧電基板上に電極パッドの第１の電極層を形成する第１の電極層形成工程と、前記第１の電極層形成工程後に、少なくとも１つの弾性表面波素子用電極を形成する弾性表面波素子用電極形成工程と、前記弾性表面波素子用電極形成工程後に、電極パッドの第２の電極層を形成する工程と、前記電極パッドと弾性表面波素子用電極とを電気的に接続する配線電極を形成する工程と、第２の電極層の上にバンプが形成される工程とを備え、前記配線電極が、前記第２の電極層と同時に形成されることを特徴とする、弾性表面波装置の製造方法が提供される。
【００１５】
本発明では、前記第２の電極層と、前記弾性表面波素子用電極とを電気的に接続するための配線電極が、前記第２の電極層と同時に形成される。配線電極を第２の電極層と同時に形成することができるので、電極パッドと配線電極との電気的接続の信頼性が高められるとともに、製造工程の簡略化が果たされる。
【００１６】
第１の発明に係る製造方法のさらに他の特定の局面では、前記配線電極及び第２の電極層がＡｌまたはＡｌ合金からなり、かつ前記配線電極及び第２の電極層を形成するに先立ち、ＡｌまたはＡｌ合金に比べて第１の電極層に対する密着力の高い金属または合金からなる密着層を下地として形成する工程がさらに備えられる。
【００１７】
上記密着層を下地層として形成することにより、第２の電極層の第１の電極層に対する密着力がより一層高められ、それによってバンプ形成時やフリップチップボンディング方式で実装する際の電極パッドの圧電基板からの剥離や圧電基板におけるクラックの発生をより確実に抑制することができる。
【００１８】
本願の第１の発明のさらに別の特定の局面では、前記弾性表面波素子用電極形成工程後に、前記弾性表面波素子用電極及び電極パッドの配線電極により接続される接続部の端面が階段状となるようにエッチングを施す工程がさらに備えられ、前記弾性表面波素子用電極と電極パッドの第１の電極層とを電気的に接続するための前記配線電極と、前記電極パッドの前記第２の電極層とが同じ導電膜により同時に形成される。従って、配線電極と弾性表面波素子用電極及び電極パッドとの電気的接続の信頼性が高められる。
【００１９】
第１の発明の別の特定の局面では、前記弾性表面波素子用電極及び電極パッドの第１の電極層の前記接続部の端面が、それぞれ、少なくとも２面であり、それによって、電気的接続の信頼性がより一層高められる。
【００２０】
第１の発明のさらに他の特定の局面では、前記弾性表面波素子用電極形成工程において、前記電極パッドに接続される弾性表面波素子用電極が該弾性表面波素子用電極の端面が電極パッドの第１の電極層と接触するように形成される。この場合には、電極パッドに接続される弾性表面波素子用電極の端面が、電極パッドの第１の電極層と接触するように形成されるので、配線電極と、弾性表面波素子用電極及び電極パッドとの電気的接続の信頼性を高めることができる。
【００２２】
第１の発明のさらに別の特定の局面では、前記弾性表面波素子用電極の形成方法が、リフトオフ法により行なわれ、前記電極パッドの第１の電極層がエッチングにより形成される。この場合には、弾性表面波素子用電極及び電極パッドの第１の電極層を高精度に形成することができ、さらに、電極パッド付近における圧電基板のクラックの発生をより確実に抑制することができる。
【００２３】
第１の発明のさらに他の特定の局面では、前記第１の電極層形成工程において、前記弾性表面波素子用電極とは異なる、少なくとも１個の第２の弾性表面波素子用電極が第１の電極層と同時に形成される。この場合には、前述した弾性表面波素子用電極と異なる厚みの第２の弾性表面波素子用電極を容易に形成することができ、特性の異なる弾性表面波素子を圧電基板上において容易に形成することができる。
【００２４】
第２の発明に係る弾性表面波装置は、圧電基板と、前記圧電基板上に形成された少なくとも１つの弾性表面波素子用電極と、前記圧電基板上に形成されており、バンプが接合される電極パッドと、前記電極パッドと前記弾性表面波素子用電極とを電気的に接続するための配線電極とを備え、前記電極パッドが圧電基板上に形成された第１の電極層と、第１の電極層上に積層された第２の電極層とを有し、第２の電極層上にバンプが形成されており、第１の電極層が金属膜のエッチングにより形成されており、少なくとも１つの弾性表面波素子用電極がリフトオフ法に形成されていることを特徴とする。
【００２５】
第２の発明では、前記配線電極と前記第２の電極層とが同じ金属膜により一体に形成されている。よって、電極パッドと配線電極との電気的接続の信頼性が高められ、かつ製造工程が簡略化される。
【００２６】
第２の発明に係る弾性表面波装置のさらに他の特定の局面では、前記配線電極及び第２の電極層がＡｌまたはＡｌ合金からなり、前記配線電極及び第２の電極層の下地に形成されており、ＡｌまたはＡｌ合金に比べて第１の電極層に対する密着力が高い金属または合金からなる密着層がさらに備えられる。上記密着層が下地層として形成されているので、第２の電極層の第１の電極層に対する密着力がより一層高められ、それによってバンプ形成時やフリップチップボンディング方式で実装する際の電極パッドの圧電基板からの剥離や圧電基板におけるクラックの発生をより確実に抑制することができる。
【００２７】
第３の発明によれば、バンプを介してフリップチップボンディング方式で実装される弾性表面波装置であって、圧電基板と、前記圧電基板上に形成された少なくとも１つの弾性表面波素子用電極と、前記圧電基板上に形成されており、バンプが接合される電極パッドと、前記電極パッドと前記弾性表面波素子用電極とを電気的に接続するための配線電極とを備え、前記電極パッドが圧電基板上に形成された第１の電極層と、第１の電極層上に積層された第２の電極層とを有し、前記第２の電極層と前記配線電極とが同じ導電膜により一体に形成されており、前記第１の電極層及び弾性表面波素子用電極の配線電極により電気的に接続される接続部の端面が階段状とされている、弾性表面波装置が提供される。
【００２８】
第３の発明のある特定の局面では、前記弾性表面波素子用電極及び電極パッドの第１の電極層の前記接続部の端面が、それぞれ、少なくとも２面であり、その場合には、弾性表面波素子用電極と電極パッドの第１電極層との電気的接続の信頼性をより一層高めることができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の具体的な実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００３３】
図１は、本発明の第１の実施例に係る弾性表面波装置の断面図であり、図２〜図４は、第１の実施例の弾性表面波装置の製造方法を説明するための各断面図である。
【００３４】
本実施例では、まず、図２（ａ）に示すように、圧電基板１上に、全面に金属膜２が形成される。圧電基板１としては、特に限定されるわけではないが、ＬｉＴａＯ3 やＬｉＮｂＯ3 もしくは水晶などの圧電単結晶、あるいはチタン酸ジルコン酸鉛系セラミックスのような圧電セラミックスが用いられ、本実施例では、ＬｉＴａＯ3 により圧電基板１が構成されている。金属膜２は、本実施例では、Ａｌ合金により構成されているが、Ｃｕなどの他の金属もしくは合金を用いて形成してもよい。金属膜２は、本実施例ではＡｌ合金を蒸着することにより形成されており、金属膜２の厚みは特に限定されるわけではないが、通常、５〜１０００ｎｍ程度とされる。なお、金属膜２の形成方法は、蒸着に限らず、メッキもしくはスパッタ等により行われてもよい。
【００３５】
次に、弾性表面波装置の電極パッドの第１の電極層の形状に相当するレジストパターン３がフォトリソグラフィ技術により形成される（図２（ｂ））。レジストパターン３は、公知のフォトレジスト材料により形成されている。
【００３６】
次に、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより不要部分の金属膜２を除去する（図２（ｃ））。
しかる後、溶剤を用いてレジストパターン３を除去する。このようにして、図２（ｄ）に示すように、圧電基板１上に電極パッドを構成する第１の電極層２ａが形成される。
【００３７】
次に、図３（ａ）に示すように、フォトリソグラフィ技術により、レジストパターン４を形成する。レジストパターン４は、弾性表面波素子用電極が形成される部分以外の領域に付与される。
【００３８】
しかる後、圧電基板１の上面において全面に弾性表面波素子用電極を形成するために、金属膜５を形成する（図３（ｂ））。金属膜５は、本実施例では、Ａｌ合金からなり、この膜厚は、弾性表面波素子の周波数や帯域幅に応じた厚みとし、通常、５〜１０００ｎｍの範囲とされる。
【００３９】
なお、弾性表面波素子用電極とは、インターデジタルトランスデューサだけでなく、電極パッド以外の電極であって、必要に応じて構成される反射器（図示せず）等の弾性表面波素子の機能を達成する他の電極をも含むものとする。
【００４０】
また、上記金属膜５の形成方法については、本実施例では、蒸着により行われているが、スパッタあるいはメッキ等の他の薄膜形成方法により行われてもよい。
【００４１】
しかる後、リフトオフ法によりレジストパターン４を除去する。その結果、図３（ｃ）に示すように、圧電基板１上に、弾性表面波素子用電極５ａが形成される。
【００４２】
次に、図３（ｄ）に示すように、レジストパターン６を形成する。レジストパターン６は、電極パッドの第２の電極層及び配線電極が形成される部分を除いて付与されている。
【００４３】
しかる後、図４（ａ）に示すように、圧電基板１上において全面に金属膜７を形成する。金属膜７は、Ａｌ合金からなり、蒸着により形成されている。もっとも、Ａｌ合金以外のＣｕなどの他の金属もしくは合金で形成されていてもよい。また、蒸着以外のメッキまたはスパッタなどの他の薄膜形成方法により形成されてもよい。
【００４４】
もっとも、金属膜７の厚みについては、配線抵抗やバンプと電極パッドとの接合強度とを考慮して、第１の電極層２ａよりも厚くされる。通常、金属膜７の厚みは３００〜１００００ｎｍの範囲とされる。
【００４５】
なお、好ましくは、図９に拡大して示すように、金属膜７を形成するに先立ち、ＡｌまたはＡｌ合金に比べて密着力の高い金属または合金からなる密着層８が下地層として形成され、該密着層８を形成した後に金属膜７が形成される。この密着層８を構成する金属材料としては、金属膜７に比べて圧電基板１や第１の電極層２ａに対する接着力の高い金属、例えばＴｉ、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｃｒ合金などが用いられる。
【００４６】
次に、図４（ｂ）に示すように、リフトオフ法によりレジストパターン６を除去する。このようにして、第２の電極層７ａが形成され、第１，第２の電極層２ａ，７ａからなる電極パッド９が形成されるとともに、電極パッド９と弾性表面波素子用電極５ａとを電気的に接続する配線電極７ｂが形成される。
【００４７】
本実施例では、第２の電極層７ａと配線電極７ｂとが同じ金属材料により連ねられて同時に形成されているが、配線電極７ｂは別工程で形成されてもよい。
しかる後、電極パッド９上にバンプ１０が形成される（図１参照）。このようにして、図１に示す弾性表面波装置１１が得られる。
【００４８】
なお、バンプ１０は、超音波及び熱を併用したワイヤーバンピング法により形成され、本実施例では、Ａｕよりなるバンプ１０が形成されている。
上記のようにして得られた弾性表面波装置１１は、図１の上面側を下面として、すなわちバンプ１０をパッケージの電極パッドに接触させるようにして、パッケージに収納され、バンプ１０を利用して電気的及び機械的に接合が果たされる。しかる後、パッケージが蓋材などにより気密封止され、弾性表面波装置部品とされる。
【００４９】
前述した従来の弾性表面波装置の製造方法では、図２３に示したように、リフトオフ法により第１の電極層１０３ａが形成されていたが、この場合には、金属膜１０３の形成に先立ちレジストパターン１０２が形成されているので、圧電基板１の上面が汚染されざるを得ない。従って、第１の電極層１０３ａの圧電基板１０１に対する密着性が損なわれがちであった。
【００５０】
本実施例の弾性表面波装置１１では、電極パッド９を構成している第１の電極層２ａがエッチング法により予め形成されている。従って、圧電基板１上に金属膜２を密着形成した後、エッチングにより第１の電極層２ａが形成されるので、第１の電極層２ａの圧電基板１に対する密着性が高められる。
【００５１】
よって、第１の電極層２ａの圧電基板１に対する密着性が高められるので、バンプ１０を形成する際に、電極パッド９と圧電基板１との間の剥離が生じ難く、かつ圧電基板１におけるクラックの発生を防止することができる。これを具体的な実験例に基づき説明する。
【００５２】
実施例において、第１の電極層２ａがウェットエッチングにより形成されている弾性表面波装置と、第１の電極層２ａがドライエッチングで形成されている弾性表面波装置、並びに比較のために、図２２〜図２４に示した従来法で第１の電極層が形成されている弾性表面波装置をそれぞれ作製した。これらの弾性表面波装置について、Ａｕからなるバンプ形成時の電極パッドの圧電基板からの剥離率及び圧電基板におけるクラック発生率を調べた。結果を下記の表１に示す。
【００５３】
なお、電極パッド剥離率とは、バンプ形成時に電極パッドと圧電基板との剥がれが発生した割合を示す。また、クラック発生率とは、完成品における電極パッド付近の圧電基板にクラックが生じている弾性表面波装置の割合を示す。このクラックは、残留応力などの機械的ストレスにより、電極パッド付近の圧電基板にクラックが生じるものであり、フリップチップボンド時の接合条件以外に、バンプ、電極パッド及び圧電基板などの材質や形状により発生するものである。
【００５４】
また、上記電極パッド剥離率及びクラック発生率の評価に際し、バンプの形成は、超音波及び熱を併用したワイヤーバンピング法により行った。また、使用した圧電基板は３６°ＬｉＴａＯ3基板であり、弾性表面波素子用電極及び第１の電極層の厚みは２００ｎｍ、及び第２の電極層及び配線電極の厚みは８４０ｎｍとし、実施例の弾性表面波装置２種においては密着層として１０ｎｍの厚みのＮｉＣｒ合金層を形成した。
【００５５】
また、従来例においては、図２３（ａ）及び（ｂ）の工程の間に、すなわち金属膜１０３を蒸着する前にプラズマクリーニング処理を施し、圧電基板１０１上の汚れをクリーニングした。これは、電極パッドの第１の電極層１０３ａと圧電基板１０１間の密着力を少しでも高め、上記電極パッド剥離率を低減する方法として一般的に用いられている方法である。
【００５６】
【表１】
表１から明らかなように、従来の弾性表面波装置の製造方法では、上記プラズマクリーニングを施したにも関わらず、電極パッド剥離率が０．５〜１．０％であり、クラック発生率が１２％であった。これに対して、ウェットエッチング及びドライエッチングのいずれを用いた場合においても、本実施例の製造方法によれば電極パッド剥離率及びクラック発生率は０であった。
【００５８】
これは、従来法では、▲１▼リフトオフプロセスにより圧電基板上にレジストが塗布されてしまうので、プラズマクリーニング処理を施したとしても、第１の電極層を圧電基板に高い密着強度で形成することができないこと、及び▲２▼リフトオフプロセスでは、Ａｌからなる金属膜を成膜する際に、レジストの耐熱性を考慮して成膜温度を設定しなければならないことなどの成膜条件の制限があるため、電極層の硬さなどの電極膜の性質が変化してしまい、電極パッドの剥離やクラックの発生が生じ易くなっているためと考えられる。
【００５９】
図５〜図８は第２の実施例に係る弾性表面波装置の製造方法を説明するための各断面図である。第２の実施例では最終的に図５に示す弾性表面波装置が得られる。
【００６０】
まず、図６（ａ）に示すように、圧電基板２１上に全面に金属膜２２が蒸着により形成される。この工程は、第１の実施例における圧電基板１上に金属膜２を形成する場合と同様にして行われる。
【００６１】
次に、図６（ｂ）に示すように、レジストパターン２３をフォトリソグラフィにより形成する。第２の実施例では２個の弾性表面波素子が圧電基板２１上に形成される。レジストパターン２３は、第１の弾性表面波素子用電極が形成される部分並びに電極パッドの第１の電極層が形成される部分上に位置されるように形成されている。
【００６２】
次に、ドライエッチングまたはウェットエッチングにより金属膜２２をエッチングする（図６（ｃ））。
次に、レジストパターン２３を除去する。このようにして図６（ｄ）に示すように、圧電基板２１上に、電極パッドを構成する第１の電極層２２ａと、第１の弾性表面波素子用電極２２ｂとが形成される。
【００６３】
しかる後、図７（ａ）に示すように、レジストパターン２４を形成する。レジストパターン２４は、第２の弾性表面波素子用電極が形成される部分を除いて形成されている。しかる後、圧電基板２１の上面において、全面に金属膜２５を形成する（図７（ｂ））。
【００６４】
しかる後、レジストパターン２４及びその上に付着している金属膜をリフトオフ法により除去する。このようにして、図７（ｃ）に示すように、リフトオフ法により第２の弾性表面波素子用電極２５ａが形成される。
【００６５】
次に、図７（ｄ）に示すように、レジストパターン２６を形成する。レジストパターン２６は、第２の電極層及び配線電極が形成される部分を除いて付与されている。
【００６６】
次に、図８（ａ）に示すように、圧電基板２１の上面の全面に金属膜２７を形成する。この金属膜２７は、第１の実施例における金属膜７と同様の材料で、かつ同様の厚みに形成される。
【００６７】
しかる後、図８（ｂ）に示すように、リフトオフ法によりレジストパターン２６及びその上に付着している金属膜部分を除去する。このようにして、第２の電極パッド２７ａ及び配線電極２７ｂが形成される。この配線電極２７ｂは第２の電極層２７ａに連ねられて、かつ第２の電極層２７ａと同時に形成されている。
【００６８】
また、エッチング法で形成された第１の弾性表面波素子用電極とリフトオフ法で形成された第２の弾性表面波素子用電極を電気的に繋ぐための配線電極２７ｃを同時に形成することもできる。
【００６９】
また、上記第２の電極層２７ａと、予め形成されていた第１の電極層２２ａとにより電極パッド２８が構成されている。
しかる後、電極パッド２８上に、バンプ２９を形成することにより、図５に示す弾性表面波装置３１が得られる。
【００７０】
弾性表面波装置３１においても、電極パッドの第１の電極層２２ａがエッチングにより圧電基板２１上に形成されるので、電極パッドと圧電基板との密着性が第１の実施例の場合と同様に高められる。
【００７１】
加えて、第１の弾性表面波素子用電極２２ｂと、第２の弾性表面波素子用電極２５ａとは、それぞれ、エッチング法及びリフトオフ法により形成されるので、これらの電極膜厚を容易に異ならせることができ、それによって異なる帯域を有する複数種の弾性表面波素子を圧電基板２１上に容易に形成することができる。すなわち、異なる帯域を有するデュアルフィルタなどを容易に実現することができる。
【００７２】
また、電極膜厚は弾性表面波素子機能面からの制約で決まるので、これらの電極膜厚の大小関係は問わず、どちらが厚くても、また同じであってもよい。
図１０（ａ）〜（ｃ）及び図１１（ａ），（ｂ）は、第３の実施例に係る弾性表面波装置の製造方法を説明するための各模式的平面図であり、図１２（ａ）〜（ｄ）、図１３（ａ）〜（ｄ）は、本実施例の製造方法を説明するための各模式的断面図である。
【００７３】
本実施例では、まず、圧電基板４１上に、電極パッドを構成する第１の電極層４８ａ，４９ａが形成される。第１の電極層４８ａ，４９ａの形成は、以下の様にして行なわれる。
【００７４】
すなわち、圧電基板４１上に、全面に導電膜が形成され、その上に全面にポジ型のレジストが付与される。しかる後、第１の電極層４８ａ，４９ａが遮蔽部とされたマスクを用いて露光が行なわれる。次に、露光されたレジスト部分を除去することにより、上記レジストがパターニンクされる。しかる後、エッチングにより、導電膜をエッチングし、次にレジストを除去する。エッチングは、湿式エッチング、あるいはプラズマを用いたドライエッチングのいずれのエッチング方法で行なわれてもよい。上記のようにして、図１０（ａ）及び図１２（ａ）に示されている第１の電極層４８ａ，４９ａが形成される。
【００７５】
次に、圧電基板４１の上面の全面にネガ型のレジストが付与される。ネガ型のレジスト上に、弾性表面波素子用電極及び配線電極が形成される部分が遮蔽部とされているマスクが載置され、露光される。しかる後、露光されなかったレジスト部分を除去することにより、ネガ型レジストがパターニングされる。図１２（ｂ）においては、上記のようにしてパターニングされたネガ型レジスト４７が示されている。
【００７６】
次に、圧電基板４１の上面の全面に導電膜が形成される。この導電膜は、Ａｌなどの導電性材料を蒸着などの適宜の方法で付与することにより形成される。しかる後、レジスト４７上の導電膜４２ｘをレジスト４７とともにリフトオフすることにより、上記導電膜がパターニングされる。その結果、図１０（ｂ）及び図１２（ｃ）に示されているように、弾性表面波素子用電極４２として、バスバー４２ａ，４２ｂ及び電極ランド５２ａ，５３ａを有するＩＤＴ４２と反射器とが形成される。
【００７７】
次に、圧電基板４１の上面の全面にポジ型レジストが付与される。このポジ型レジスト上に、上記電極ランド５２ａ，５３ａ及び電極層４８ａ，４９ａの接続部以外を遮蔽部としたマスクが載置されて露光が行なわれる。なお、電極ランド５２ａ，５３ａ及び電極層４８ａ，４９ａの接続部とは、後述の配線電極が接続される側の端部をいうものとする。次に、露光されたレジストを除去する。しかる後、図１２（ｄ）に示すように、電極層４８ａ，４９ａの接続部及び弾性表面波素子用電極としての電極ランド５２ａ，５３ａの接続部が階段状の端面４８ａ1，４９ａ1，５２ａ1，５３ａ1を有するように、エッチングが行なわれる。
【００７８】
なお、上記階段状の端面４８ａ1，４９ａ1，５２ａ1，５３ａ1を得るためのエッチング方法についても、湿式エッチング、あるいはプラズマ等を用いた乾式エッチングのいずれの方法で行なわれてもよい。
【００７９】
次に、圧電基板４１の上面の全面にネガ型レジスト４７Ａが付与される（図１０（ｃ））。レジスト４７Ａ上に、第１，第２の電極層４８ａ，４９ａと、電極ランド５２ａ，５３ａと、バスバー４２ａ，４２ｂとを遮蔽部とするマスクを載置して露光が行なわれる。しかる後、露光されなかったレジスト部分を除去することにより、図１３（ａ）に示すようにパターニングされたレジスト４７Ａが得られる。
【００８０】
次に、圧電基板４１の上面の全面に、弾性表面波素子用電極とは異なる金属からなる中間層（図示せず）と、弾性表面波素子用電極の膜厚よりも膜厚が厚い導電膜を付与する。この場合、導電性粒子の粒径は、下層に位置する電極層４８ａ，４９ａの膜厚に比べ、上層に位置する導電膜の方が小さいほうが好ましい。また、上記導電膜の厚みは、配線抵抗や、バンプと電極パッドとの接合強度を考慮すると、３００〜１０００ｎｍの範囲が好ましい。
【００８１】
１層目の導電膜と２層目の導電膜との密着力を高めるためには、上記中間層としてＮｉ，Ｎｉ，ＮｉＣｒなどが用いられる。なお、上記中間層と、その上に形成される導電膜は連続して成膜されることが望ましい。また、中間層は必須ではない。
【００８２】
しかる後、レジスト４７Ａ上に付与されている中間層及び導電膜が、レジスト４７Ａとともにリフトオフされる。このようにして図１１（ａ）及び図１３（ｂ）に示すように、第１の電極層４８ａ，４９ａ、電極ランド５２ａ，５３ａ、及びバスバー４２ａ，４２ｂ上に、第２の電極層４８Ａ，４９Ａ、電極層５２Ａ，５３Ａ、及び電極層４２Ａ，４２Ｂがそれぞれ形成される。第２の電極層４８Ａ，４９Ａ、電極層５２Ａ，５３Ａ及び電極層４２Ａ，４２Ｂは、上記中間層と導電膜とからなる。
【００８３】
上記第１の電極層４８ａ，４９ａと、第２の電極層４８Ａ，４９Ａとにより、それぞれ、電極パッド４８，４９が構成されている。そして、この電極パッド４８，４９と、電極ランドの電極層５２ａ，５３ａとは、上記導電膜からなる配線電極６０，６１により電気的に接続されることになる。すなわち、配線電極６０，６１は、第２の電極層４８Ａ，４９Ａと同一の上記中間層及び導電膜により構成される。
【００８４】
次に、図１１（ｂ）及び図１３（ｃ）に示すように、電極パッド４８，４９上にバンプ６４，６５が形成される。
本実施例では、弾性表面波素子用電極としてのＩＤＴ４２は、リフトオフ法により形成されるので、電極の精度が高く、かつ耐電力性に優れた弾性表面波素子用電極を形成することができる。
【００８５】
また、バンプ６４，６５が形成される電極パッド４８，４９は、第１，第２の電極層を有し、第１の電極層４８ａ，４９ａがドライエッチングまたはウエットエッチングで形成され、さらに上記中間層を下地として有する第２の電極層４８Ａ，４９Ａが形成されるので、膜形成時の残留応力等による機械的ストレスから生じる電極パッド４８，４９付近における圧電基板のクラックの発生を抑制することができる。
【００８６】
さらに、電極パッド４８，４９及び弾性表面波素子用電極としての電極ランド５２ａ，５３ａと、配線電極６０，６１との電気的接続の信頼性が高められる。これは、第１の電極層４８ａ，４９ａの接続端部及び弾性表面波素子用電極の内、電極ランド５２ａ，５３ａの接続部が、上記のように階段状の端面を有するため、配線電極６０，６１により確実に電気的に接続されるためである（図１９参照）。
【００８７】
なお、上記配線電極６０，６１により弾性表面波素子用電極と電極パッドとの電気的接続の信頼性を高めるためには、図２１に部分平面図で示すように、電極パッド４８と、電極ランド５２ａとがより長い領域で近接対向される形状とすることが望ましい。すなわち、図２１に示されている構造では、電極パッド４８内に、電極ランド５２ａが入り込んでおり、従って、非常に長い距離に渡って電極パッド４８ａと電極ランド５２ａとが近接・対向されている。従って、両者の間に上記導電膜により配線電極６０，６１を形成した場合、より一層電気的接続の信頼性を高めることができる。
【００８８】
言い換えれば、上記電極パッドの接続端部及び弾性表面波素子用電極の接続部は、階段状の端面が少なくとも２面有するように構成されていることが望ましく、それによって、配線電極と電極パッドまたは弾性表面波素子用電極との電気的接続の信頼性をより一層高めることができる。
【００８９】
また、上記配線電極及び電極パッド４８，４９の第２の電極層４８Ａ，４９Ａの導電性粒子の粒径を、第１の電極層４８ａ，４９ａよりも小さくすることにより上記電気的接続部の断線不良を抑制することができ、それによって電気的接続の信頼性をより一層高めることが可能とされている。
【００９０】
図１４（ａ）〜図１５（ｃ）は、第４の実施例に係る弾性表面波装置の製造方法を説明するための模式的平面図であり、図１６（ａ）〜図１８は、第４の実施例に係る弾性表面波装置の製造方法を説明するための模式的断面図である。なお、図１６〜図１８では、従来の第１，第２の弾性表面波素子６８，６９部分の側面断面図が一点鎖線Ｚにより結合されて図示されている。第４の実施例は第３の実施例の変形例にあたり、ここでは、圧電基板４１上に、帯域が異なる第１，第２の弾性表面波素子が構成される。
【００９１】
まず、図１４（ａ）に示されているように、圧電基板４１上に、第１の弾性表面波素子６８を構成する電極と、第２の弾性表面波素子６９の電極パッドの第１の電極層５０ａ，５１ａを形成する。ここで、第１の弾性表面波素子６８側の電極は、バスバー４２ａ，４２ｂと、電極ランド５２ａ，５３ａと、バスバー４２ａ，４２ｂ間に配置される電極指とからなる弾性表面波素子用電極と、電極パッドの第１の電極層４８ａ，４９ａと、反射器電極である。なお、バスバー４２ａ，４２ｂ、電極指及び電極ランド５２ａ，５２ｂが弾性表面波素子用電極である。
【００９２】
図１４（ａ）に示す電極構造を形成するに際しては、まず、圧電基板４１上に、全面にポジ型のレジストが付与される。このポジ型のレジスト上に、第１の弾性表面波素子６８側の上記各電極及び第２の弾性表面波素子６９側の第１の電極層５０ａ，５１ａの部分が遮蔽部とされているマスクが載置され、露光が行なわれる。しかる後、露光されたレジスト部分を除去することにより、レジストがパターニングされる。しかる後、エッチングを行なうことにより、上記電極構造が形成される。なお、エッチングは、湿式エッチング、あるいはプラズマなどを用いた乾式エッチングのいずれで行なわれてもよい。
【００９３】
上記のようにして形成された第１の弾性表面波素子６８側においては、電極ランド５２ａ，５３ａは、電極パッドの第１の電極層４８ａ，４９ａと接触されている（図１６（ａ）参照）。
【００９４】
次に、全面にネガ型のレジストが付与される。しかる後、レジスト上に、図１４（ｂ）に示されている第２の弾性表面波素子６９側のＩＤＴ４３、バスバー５３ａ，５３ｂ及び電極ランド５４ａ，５５ａを遮蔽部とするマスクを用いて露光が行なわれる。しかる後、露光されなかったレジスト部分を除去することにより、図１６（ｂ）に示すようにパターニングされたレジスト４７が得られる。
【００９５】
次に、図１６（ｃ）に示すように、圧電基板４１の上面の全面に第２の弾性表面波素子６９のＩＤＴ４３などと等しい膜厚の導電膜Ａを付与する。この導電膜Ａは、Ａｌなどの適宜の導電性材料を蒸着等の適宜の方法で付与することにより形成される。
【００９６】
しかる後、レジスト４７上に付与されている導電膜Ａをレジスト４７とともにリフトオフすることにより弾性表面波素子６９のＩＤＴ４３、バスバー５３ａ，５３ｂ及び電極ランド５４ａ，５５ａが形成される（図１６（ｄ））。
【００９７】
しかる後、全面にポジ型のレジストが付与される。このレジスト上に、第２の弾性表面波素子６９の電極ランド５４ａ，５５ａ及び電極層５０ａ，５１ａの接続部以外を遮蔽部としたマスクが載置されて露光が行なわれる。露光されたレジスト部分を除去した後、エッチングにより上記接続部において、第３の実施例の場合と同様に階段状の端面が形成される（図１７（ａ）参照）。
【００９８】
なお、上記第１，第２の弾性表面波素子６８，６９における弾性表面波素子用電極及び電極パッドの電極形成方法は上記に限定されず、例えば、電極パッド及び電極ランドの一部の電極層のみが湿式エッチングまたはドライエッチングで形成されてもよく、第１，第２の弾性表面波素子のＩＤＴ及び電極ランドの一部がリフトオフ法により形成されてもよい。
【００９９】
次に、図１５（ａ）に示すように、圧電基板４１の全面にネガ型のレジスト７１が付与される。該ネガ型レジスト７１上に、第１，第２の弾性表面波素子６８，６９の電極パッドと、上記電極ランド５２ａ，５３ａ、５４ａ，５５ａと、バスバー４２ａ，４２ｂ，５３ａ，５３ｂとが遮蔽部とされているマスクが載置されて、露光が行なわれる。しかる後、露光されなかったレジスト部分を除去することにより、図１７（ｂ）に示すようにパターニングされたレジスト４７Ａが得られる。
【０１００】
次に、図示しない中間層を、上記弾性表面波素子用電極とは異なる金属により形成し、しかる後、中間層上に、電極層４８ａ，４９ａ，５０ａ，５１ａの膜厚よりも厚い導電膜Ｂを積層する。この場合、導電性粒子の粒径は、上層が下層に比べて小さい方が好ましい。すなわち、最後に形成される導電膜Ｂの導電性粒子の粒径は、第１の電極層４８ａ，４９ａ，５０ａ，５１ａなどの導電性粒子の粒径よりも小さいことが好ましい。
【０１０１】
また、最後に形成される導電膜Ｂの厚みは、第３の実施例の場合と同様に３００〜１０００ｎｍの範囲が望ましい。また、上記中間層及び導電膜を構成する材料は、第３の実施例の場合と同様である。
【０１０２】
しかる後、レジスト４７Ａ上に付与されている導電膜をレジスト４７Ａとともにリフトオフする。このようにして、第１，第２の弾性表面波素子６８，６９の電極パッド４８ａ，４９ａ，５０ａ，５１ａ、電極ランド５２ａ，５３ａ，５４ａ，５５ａ及びＩＤＴのバスバー４２ａ，４２ｂ，５３ａ，５３ｂ上に、それぞれ、図１５（ｂ）及び図１７（ｃ）に示す電極層４８Ａ，４９Ａ，５０Ａ，５１Ａ，５２Ａ，５３Ａ，５４Ａ，５５Ａ，４２Ａ，４２Ｂ，５３Ａ，５３Ｂが形成される。
【０１０３】
すなわち、第１の弾性表面波素子６８側だけでなく、第２の弾性表面波素子６９側においても、第１の電極層５０ａ，５１ａと第２の電極層５０Ａ，５１Ａとにより、電極パッドが構成されている。
【０１０４】
また、上記リフトオフの結果、図示しない中間層を下地として有する導電膜により、配線電極６０，６１が第３の実施例と同様に形成される。
最後に、図１５（ｃ）及び図１８に示すように、電極パッド上にバンプ６４〜６７が形成される。上記のように、異なる帯域を有する２つの弾性表面波素子６８，６９を有する弾性表面波装置の製造に際しては、バンプ用電極パッド４８，４９，５０，５１が上記のようにして構成されているので、電極パッド４８〜５１付近における圧電基板へのクラックの発生を抑制することができる。
【０１０５】
また、第４の実施例においても、配線電極６０，６１により接続される電極パッド５０，５１及び電極ランド５４ａ，５５ａの接続部の端面が階段状の形状とされているので、配線電極による電気的接続の信頼性が高められる。すなわち、階段状の接続端面を有する第１の電極層５０ａ，５１ａにより、配線電極６０，６１との接触面積が増大され、かつた第２の電極層が配線電極６０，６１と同じ導電膜により一体に形成されているので、上記のように電気的接続の信頼性が効果的に高められる。
【０１０６】
なお、配線電極６０，６１により接続されるバンプ用電極パッド５０，５１及び弾性表面波素子用電極の電極ランド５４ａ，５５ａの接続部、すなわち、接続端面は階段状の形状とされていたが、弾性表面波素子６８側で示されていたように、階段状の形状を有しておらずともよい。
【０１０７】
すなわち、図２０に、第４の実施例における電極パッド４８と、電極ランド５２ａとの接続部分を拡大して示すが、ここでは、電極パッド４８の第１の電極層４８ａの接続部と、弾性表面波素子用電極側の接続部、すなわち電極ランド５２ａの接続部とが接触されている。従って、第２の電極層４８Ａと、配線電極６２Ａとを同じ導電膜で同時に形成した場合、電極パッド４８と弾性表面波素子用電極の電極ランド５２ａとが確実に電気的に接続される。特に、図２０に示されているように、電極パッド４８の第１の電極層４８ａと電極ランドの第１の電極層５２ａとの膜厚が異なる場合には、両者が接触している部分に段差が生じるため、配線電極による電気的接続の信頼性をより一層高めることができる。
【０１０８】
よって、前述した第３の実施例においても、上記階段状の端面を形成する代わりに、第４の実施例の弾性表面波素子６８側の構造と同様に電極パッド及び電極ランドを形成してもよく、それによって配線電極による電気的接続の信頼性を高めることができる。
【０１０９】
なお、上記実施例では、圧電基板１，２１，４１上に１つの弾性表面波装置を構成するために弾性表面波素子用電極及び電極パッドを形成したが、通常、マザーの圧電基板上において複数の弾性表面波装置の弾性表面波素子用電極及び電極パッドが上記各実施例に従って形成され、最終的にダイシング等により分割されて個々の弾性表面波装置が得られる。
【０１１０】
また、本発明においては、弾性表面波素子用電極の構成については特に限定されず、弾性表面波フィルタだけでなく、弾性表面波共振子や弾性表面波遅延線などの様々な弾性表面波装置の製造に本発明を適用することかできる。
【０１１３】
【発明の効果】
第１の発明に係る弾性表面波装置の製造方法では、圧電基板上に電極パッドの第１の電極層が形成され、次に、少なくとも１つの弾性表面波素子用電極が形成され、弾性表面波素子用電極形成後に、電極パッドの第２電極層が形成され、電極パッドと弾性表面波素子用電極とを電気的に接続する配線電極が最後に形成される。従って、第１の発明の製造方法によれば、電極パッドと弾性表面波素子を、それぞれ、最適な電極形成プロセスを用いることができる。
【０１１４】
第１の発明において、第１の電極層がエッチングにより形成され、第１の電極層形成工程後に、弾性表面波素子用電極がリフトオフ法により形成される、しかる後、第１の電極層上に電極パッドの第２の電極層が形成される場合には、第１の電極層が、フォトリソグラフィー残渣などにより汚染されていない圧電基板上に形成される。従って、電極パッドと圧電基板との密着性が効果的に高められる。加えて、電極パッドは第１，第２の電極層を積層した構造を有するので、バンプの形成に際し、あるいはバンプを介してフリップチップボンディング方式により弾性表面波装置をパッケージに収納するに際し、電極パッドと圧電基板との剥離が生じ難い。同様に、電極パッド近傍における圧電基板のクラックも生じ難い。従って、信頼性に優れた弾性表面波装置を得ることができる。
【０１１５】
第２〜第４の発明に係る各弾性表面波装置は、それぞれ、第１の発明に係る製造方法に従って製造されており、よって、配線電極と、弾性表面波素子用電極及び電極パッドとの電気的接続の信頼性が高められる。
【０１１６】
特に、第２の発明では、電極パッドの第１の電極層が金属膜のエッチングにより形成されており、弾性表面波素子用電極がリフトオフ法により形成されており、電極パッドが第１，第２の電極層を積層することにより形成されているので、本発明に係る弾性表面波装置の製造方法を用いることにより、バンプの形成時やフリップチップボンディング方式によりパッケージに収納する際に加わる外力等による電極パッドの圧電基板からの剥離や圧電基板におけるクラックの発生を確実に抑制することができる。
【０１１７】
また、第３の発明では、第１の電極層及び弾性表面波素子用電極の配線電極により電気的に接続されている接続部の端面が階段状とされているので、第１，第２の電極層を有する電極パッドと、弾性表面波素子用電極の配線電極による電気的接続の信頼性が効果的に高められる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例に係る弾性表面波装置を示す正面断面図。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、第１の実施例の弾性表面波装置を製造する工程を説明するための各正面断面図。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、第１の実施例の弾性表面波装置の製造工程を説明するための各正面断面図。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施例の弾性表面波装置の製造工程を説明するための各正面断面図。
【図５】本発明の第２の実施例に係る弾性表面波装置の正面断面図。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は、第２の実施例の弾性表面波装置の製造工程を説明するための各正面断面図。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は、第２の実施例の弾性表面波装置の製造工程を説明するための各正面断面図。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は、第２の実施例の弾性表面波装置の製造工程を説明するための各正面断面図。
【図９】第１の実施例の好ましい変形例を説明するための部分切欠正面断面図。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第３の実施例の弾性表面波装置の製造工程を説明するための各模式的平面図。
【図１１】（ａ）及び（ｂ）は、第３の実施例の製造工程を説明するための各模式的平面図。
【図１２】（ａ）〜（ｄ）は、第３の実施例の弾性表面波装置の製造工程を説明するための各正面断面図。
【図１３】（ａ）〜（ｃ）は、第３の実施例の弾性表面波装置の製造工程を説明するための各正面断面図。
【図１４】（ａ）及び（ｂ）は、第４の実施例の弾性表面波装置の製造工程を説明するための各模式的平面図。
【図１５】（ａ）〜（ｃ）は、第４の実施例の弾性表面波装置の製造工程を説明するための各模式的平面図。
【図１６】（ａ）〜（ｄ）は、第４の実施例の弾性表面波装置の製造工程を説明するための模式的各側面断面図。
【図１７】（ａ）〜（ｃ）は、第４の実施例の弾性表面波装置の製造工程を説明するための模式的各側面断面図。
【図１８】第４の実施例の弾性表面波装置の製造工程を説明するための模式的側面断面図。
【図１９】第３の実施例における配線電極と電極パッド及び電極ランドとの接続端部の形状を説明するための部分拡大断面図。
【図２０】第３，第４の実施例の変形例における配線電極と電極ランド及び電極パッドとの接続部分を拡大して示す部分断面図。
【図２１】第３の実施例の変形例における電極パッドの第１の電極層と、電極ランドの第１の電極層の平面形状を説明するための部分平面図。
【図２２】従来の弾性表面波装置を説明するための正面断面図。
【図２３】（ａ）〜（ｄ）は、図２２に示した従来の弾性表面波装置の製造工程を説明するための各正面断面図。
【図２４】（ａ）及び（ｂ）は、図２２に示した従来の弾性表面波装置の製造工程を説明するための各正面断面図。
【図２５】従来の弾性表面波装置の製造方法の問題点を説明するための部分断面図。
【符号の説明】
１…圧電基板
２…金属膜
２ａ…第１の電極層
３…レジストパターン
４…レジストパターン
５…金属膜
５ａ…弾性表面波素子用電極
６…レジストパターン
７…金属膜
７ａ…第２の電極層
７ｂ…配線電極
８…密着層
９…電極パッド
１０…バンプ
１１…弾性表面波装置
２１…圧電基板
２２…金属膜
２２ａ…第１の電極層
２２ｂ…弾性表面波素子用電極
２３…レジストパターン
２４…レジストパターン
２５…金属膜
２５ａ…弾性表面波素子用電極
２６…レジストパターン
２７…金属膜
２７ａ…第２の電極層
２７ｂ…配線電極
２８…電極パッド
２９…バンプ
３１…弾性表面波装置
４１…圧電基板
４２ａ，４２ｂ，５３ａ，５３ｂ…バスバー
４２Ａ，４２Ｂ…電極層
４８，４９…電極パッド
４８ａ，４９ａ…第１の電極層
４８ａ1，４９ａ1，５２ａ1，５３ａ1…階段状の端面
４８Ａ，４９Ａ…第２の電極層
５０，５１…電極パッド
５０ａ，５１ａ…第１の電極層
５０Ａ，５１Ａ…第２の電極層
５２ａ，５３ａ…電極ランド
６０，６１…配線電極
６８，６９…第１，第２の弾性表面波素子
Claims (11)
- バンプを介してフリップチップボンディング方式で実装される弾性表面波装置の製造方法であって、
圧電基板を用意する工程と、
前記圧電基板上に電極パッドの第１の電極層を形成する第１の電極層形成工程と、
前記第１の電極層形成工程後に、少なくとも１つの弾性表面波素子用電極を形成する弾性表面波素子用電極形成工程と、
前記弾性表面波素子用電極形成工程後に、電極パッドの第２の電極層を形成する工程と、
前記電極パッドと弾性表面波素子用電極とを電気的に接続する配線電極を形成する工程と、
第２の電極層の上にバンプが形成される工程とを備え、
前記配線電極が、前記第２の電極層と同時に形成されることを特徴とする、弾性表面波装置の製造方法。 - 前記配線電極及び第２の電極層がＡｌまたはＡｌ合金からなり、かつ前記配線電極及び第２の電極層を形成するに先立ち、ＡｌまたはＡｌ合金に比べて第１の電極層に対する密着力の高い金属または合金からなる密着層を下地として形成する工程をさらに備える、請求項１に記載の弾性表面波装置の製造方法。
- 前記弾性表面波素子用電極形成工程後に、前記弾性表面波素子用電極及び電極パッドの配線電極により接続される接続部の端面が階段状となるようにエッチングを施す工程をさらに備え、
前記弾性表面波素子用電極と電極パッドの第１の電極層とを電気的に接続するための前記配線電極と、前記電極パッドの前記第２の電極層とが同じ導電膜により同時に形成される、請求項１または２に記載の弾性表面波装置の製造方法。 - 前記弾性表面波素子用電極及び電極パッドの第１の電極層の前記接続部の端面が、それぞれ、少なくとも２面である、請求項３に記載の弾性表面波装置の製造方法。
- 前記弾性表面波素子用電極形成工程において、前記電極パッドに接続される弾性表面波素子用電極が該弾性表面波素子用電極の端面が電極パッドの第１の電極層と接触するように形成される、請求項１〜４のいずれかに記載の弾性表面波装置の製造方法。
- 前記弾性表面波素子用電極の形成方法が、リフトオフ法により行なわれ、
前記電極パッドの第１の電極層がエッチングにより形成される、請求項１〜５のいずれかに記載の弾性表面波装置の製造方法。 - 前記第１の電極層形成工程において、前記弾性表面波素子用電極とは異なる、少なくとも１個の第２の弾性表面波素子用電極を第１の電極層と同時に形成することを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の弾性表面波装置の製造方法。
- バンプを介してフリップチップボンディング方式で実装される弾性表面波装置であって、
圧電基板と、
前記圧電基板上に形成された少なくとも１つの弾性表面波素子用電極と、
前記圧電基板上に形成されており、バンプが接合される電極パッドと、
前記電極パッドと前記弾性表面波素子用電極とを電気的に接続するための配線電極とを備え、
前記電極パッドが圧電基板上に形成された第１の電極層と、第１の電極層上に積層された第２の電極層とを有し、第２の電極層上にバンプが形成されており、第１の電極層が金属膜のエッチングにより形成されており、少なくとも１つの弾性表面波素子用電極がリフトオフ法に形成されていることを特徴とする、弾性表面波装置。 - 前記配線電極及び第２の電極層がＡｌまたはＡｌ合金からなり、前記配線電極及び第２の電極層の下地に形成されており、ＡｌまたはＡｌ合金に比べて第１の電極層に対する密着力が高い金属または合金からなる密着層をさらに備える、請求項８に記載の弾性表面波装置。
- バンプを介してフリップチップボンディング方式で実装される弾性表面波装置であって、
圧電基板と、
前記圧電基板上に形成された少なくとも１つの弾性表面波素子用電極と、
前記圧電基板上に形成されており、バンプが接合される電極パッドと、
前記電極パッドと前記弾性表面波素子用電極とを電気的に接続するための配線電極とを備え、
前記電極パッドが圧電基板上に形成された第１の電極層と、第１の電極層上に積層された第２の電極層とを有し、
前記第２の電極層と前記配線電極とが同じ導電膜により一体に形成されており、
前記第１の電極層及び弾性表面波素子用電極の配線電極により電気的に接続される接続部の端面が階段状とされている、弾性表面波装置。 - 前記弾性表面波素子用電極及び電極パッドの第１の電極層の前記接続部の端面が、それぞれ、少なくとも２面である、請求項１０に記載の弾性表面波装置。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001297021A JP3925133B2 (ja) | 2000-12-26 | 2001-09-27 | 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置 |
| TW090131016A TW589787B (en) | 2000-12-26 | 2001-12-14 | Surface acoustic wave apparatus and manufacturing method therefor |
| GB0300791A GB2381976B (en) | 2000-12-26 | 2001-12-20 | Surface acoustic wave apparatus and manufacturing method therefor |
| GB0130524A GB2374993B (en) | 2000-12-26 | 2001-12-20 | Surface acoustic wave apparatus and manufacturing method therefor |
| KR1020010082648A KR20020052958A (ko) | 2000-12-26 | 2001-12-21 | 탄성 표면파 장치 및 그 제조 방법 |
| DE10163297A DE10163297B4 (de) | 2000-12-26 | 2001-12-21 | Oberflächenwellenbauelement und Verfahren zum Herstellen desselben |
| US10/025,901 US6792656B2 (en) | 2000-12-26 | 2001-12-26 | Surface acoustic wave apparatus and manufacturing method therefor |
| CNB011452145A CN1180530C (zh) | 2000-12-26 | 2001-12-26 | 声表面波器件及其制造方法 |
| US10/806,404 US7112913B2 (en) | 2000-12-26 | 2004-03-23 | Surface acoustic wave apparatus and manufacturing method therefor |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000395515 | 2000-12-26 | ||
| JP2000-395515 | 2000-12-26 | ||
| JP2001297021A JP3925133B2 (ja) | 2000-12-26 | 2001-09-27 | 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002261560A JP2002261560A (ja) | 2002-09-13 |
| JP3925133B2 true JP3925133B2 (ja) | 2007-06-06 |
Family
ID=26606690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001297021A Expired - Lifetime JP3925133B2 (ja) | 2000-12-26 | 2001-09-27 | 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6792656B2 (ja) |
| JP (1) | JP3925133B2 (ja) |
| KR (1) | KR20020052958A (ja) |
| CN (1) | CN1180530C (ja) |
| DE (1) | DE10163297B4 (ja) |
| GB (1) | GB2374993B (ja) |
| TW (1) | TW589787B (ja) |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003087080A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-03-20 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
| JP2004129224A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-04-22 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電部品およびその製造方法 |
| JP3646116B2 (ja) * | 2003-07-17 | 2005-05-11 | Ｔｄｋ株式会社 | 表面弾性波素子、表面弾性波装置、表面弾性波デュプレクサ、及び表面弾性波素子の製造方法 |
| JP4419732B2 (ja) | 2003-09-02 | 2010-02-24 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置およびその製造方法 |
| JP2005117151A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置 |
| JP4556568B2 (ja) * | 2004-09-03 | 2010-10-06 | パナソニック株式会社 | 弾性表面波装置の製造方法 |
| DE102005009358B4 (de) | 2005-03-01 | 2021-02-04 | Snaptrack, Inc. | Lötfähiger Kontakt und ein Verfahren zur Herstellung |
| US8143681B2 (en) * | 2006-04-20 | 2012-03-27 | The George Washington University | Saw devices, processes for making them, and methods of use |
| US20100007444A1 (en) * | 2006-04-20 | 2010-01-14 | Anis Nurashikin Nordin | GHz Surface Acoustic Resonators in RF-CMOS |
| CN101356729B (zh) * | 2006-04-28 | 2011-02-09 | 株式会社村田制作所 | 电子部件及其制造方法 |
| US20090124513A1 (en) * | 2007-04-20 | 2009-05-14 | Patricia Berg | Multiplex Biosensor |
| US8018010B2 (en) * | 2007-04-20 | 2011-09-13 | The George Washington University | Circular surface acoustic wave (SAW) devices, processes for making them, and methods of use |
| US7958390B2 (en) * | 2007-05-15 | 2011-06-07 | Sandisk Corporation | Memory device for repairing a neighborhood of rows in a memory array using a patch table |
| JP5197156B2 (ja) * | 2007-06-19 | 2013-05-15 | キヤノン株式会社 | 配線基板 |
| EP2728750A1 (en) | 2007-07-30 | 2014-05-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device and method for manufacturing the same |
| JP4468436B2 (ja) * | 2007-12-25 | 2010-05-26 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性波デバイスおよびその製造方法 |
| DE102008020783A1 (de) * | 2008-04-25 | 2009-10-29 | Epcos Ag | Filterchip mit unterschiedlichen Leitschichten und Verfahren zur Herstellung |
| DE102008062605B4 (de) | 2008-12-17 | 2018-10-18 | Snaptrack, Inc. | Bauelement, welches mit akustischen Wellen arbeitet, und Verfahren zu dessen Herstellung |
| JP5558158B2 (ja) * | 2009-03-27 | 2014-07-23 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| WO2011114628A1 (ja) | 2010-03-18 | 2011-09-22 | パナソニック株式会社 | Ｍｅｍｓ素子、およびｍｅｍｓ素子の製造方法 |
| US8960004B2 (en) | 2010-09-29 | 2015-02-24 | The George Washington University | Synchronous one-pole surface acoustic wave resonator |
| CN105793674B (zh) * | 2013-11-22 | 2019-05-28 | 新宁医院 | 包括具有空间分段表面的背衬的超声换能器 |
| WO2015125460A1 (en) | 2014-02-18 | 2015-08-27 | Skyworks Panasonic Filter Solutions Japan Co., Ltd. | Acoustic wave elements and ladder filters using same |
| CN104015422A (zh) * | 2014-06-19 | 2014-09-03 | 苏州普京真空技术有限公司 | 一种复合石英晶振片 |
| KR101625450B1 (ko) | 2014-11-05 | 2016-05-30 | (주)와이솔 | 표면탄성파 소자 및 그 제조방법 |
| JP6444787B2 (ja) * | 2015-03-23 | 2018-12-26 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスおよびその製造方法 |
| JP6402704B2 (ja) * | 2015-11-19 | 2018-10-10 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置、デュプレクサ及びマルチプレクサ |
| CN105631106B (zh) * | 2015-12-25 | 2018-11-20 | 北京航天微电科技有限公司 | 一种高频声表面波器件声电协同全波仿真方法 |
| GB2571361B (en) * | 2018-03-02 | 2020-04-22 | Novosound Ltd | Ultrasound array transducer manufacturing |
| CN108493325A (zh) * | 2018-04-03 | 2018-09-04 | 清华大学 | 一种高频高性能声表面波器件及其制备方法 |
| CN111200410B (zh) * | 2018-11-16 | 2023-03-21 | 开元通信技术（厦门）有限公司 | 一种声波器件晶圆级封装结构及其制备方法 |
| CN111786652B (zh) * | 2019-04-04 | 2022-05-10 | 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司 | 体声波谐振器及其制造方法和滤波器、射频通信*** |
| CN110011633A (zh) * | 2019-04-25 | 2019-07-12 | 北京中科飞鸿科技有限公司 | 一种具有正性光刻胶高附着力的声表面波滤波器制备方法 |
| CN110927996A (zh) * | 2019-12-16 | 2020-03-27 | 福建福晶科技股份有限公司 | 一种声光晶体与换能器的键合结构及制备 |
| CN115567027B (zh) * | 2022-11-03 | 2023-07-07 | 常州承芯半导体有限公司 | 换能装置、声表面波谐振装置及其形成方法、滤波装置 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5643816A (en) * | 1979-09-17 | 1981-04-22 | Hitachi Ltd | Structure of bonding pad part |
| JPS62173813A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-30 | Alps Electric Co Ltd | 弾性表面波素子 |
| JPS63127610A (ja) | 1986-11-17 | 1988-05-31 | Toshiba Corp | 弾性表面波装置の製造方法 |
| JPH01103010A (ja) | 1987-10-16 | 1989-04-20 | Hitachi Denshi Ltd | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
| JPH0248811A (ja) | 1988-08-10 | 1990-02-19 | Mitsubishi Electric Corp | 弾性表面波素子 |
| JPH09214280A (ja) | 1996-02-08 | 1997-08-15 | Japan Radio Co Ltd | 弾性表面波素子 |
| JP3275775B2 (ja) * | 1997-05-16 | 2002-04-22 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
| JPH11312943A (ja) | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置の製造方法 |
| JP3296356B2 (ja) | 1999-02-08 | 2002-06-24 | 松下電器産業株式会社 | 弾性表面波デバイスとその製造方法 |
| JP2000286662A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 弾性表面波素子、その製造方法、及びｓａｗデバイスの構造 |
| JP3317274B2 (ja) * | 1999-05-26 | 2002-08-26 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置及び弾性表面波装置の製造方法 |
| JP3368885B2 (ja) * | 2000-03-15 | 2003-01-20 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置の製造方法 |
| JP3435639B2 (ja) * | 2000-04-13 | 2003-08-11 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置 |
| JP3405329B2 (ja) * | 2000-07-19 | 2003-05-12 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置 |
| US6518860B2 (en) * | 2001-01-05 | 2003-02-11 | Nokia Mobile Phones Ltd | BAW filters having different center frequencies on a single substrate and a method for providing same |
| JP2003087080A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-03-20 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
-
2001
- 2001-09-27 JP JP2001297021A patent/JP3925133B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-14 TW TW090131016A patent/TW589787B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-12-20 GB GB0130524A patent/GB2374993B/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-21 DE DE10163297A patent/DE10163297B4/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-21 KR KR1020010082648A patent/KR20020052958A/ko active Search and Examination
- 2001-12-26 US US10/025,901 patent/US6792656B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-26 CN CNB011452145A patent/CN1180530C/zh not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-03-23 US US10/806,404 patent/US7112913B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1180530C (zh) | 2004-12-15 |
| US20040178698A1 (en) | 2004-09-16 |
| GB2374993B (en) | 2003-04-23 |
| DE10163297B4 (de) | 2010-12-16 |
| KR20020052958A (ko) | 2002-07-04 |
| GB2374993A (en) | 2002-10-30 |
| GB0130524D0 (en) | 2002-02-06 |
| US7112913B2 (en) | 2006-09-26 |
| CN1365187A (zh) | 2002-08-21 |
| US20020121841A1 (en) | 2002-09-05 |
| DE10163297A1 (de) | 2002-07-25 |
| TW589787B (en) | 2004-06-01 |
| JP2002261560A (ja) | 2002-09-13 |
| US6792656B2 (en) | 2004-09-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3925133B2 (ja) | 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置 | |
| US7259500B2 (en) | Piezoelectric device | |
| US6552475B2 (en) | Surface acoustic wave device | |
| JP4468436B2 (ja) | 弾性波デバイスおよびその製造方法 | |
| US10424715B2 (en) | Elastic wave device and manufacturing method for same | |
| JP2001358550A (ja) | 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置 | |
| US8477483B2 (en) | Electronic component and method for manufacturing electronic component | |
| EP1274167A2 (en) | Surface acoustic wave element and manufacturing method of the same | |
| EP1521362B1 (en) | Method of producing surface acoustic wave device and the surface acoustic wave device | |
| US6951047B2 (en) | Method of manufacturing a surface acoustic wave element | |
| JP4731026B2 (ja) | 弾性表面波装置の製造方法 | |
| JP7231368B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
| US7154207B2 (en) | Surface acoustic wave device and method for manufacturing the same | |
| JP2000236230A (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
| GB2381976A (en) | Electrode pad construction and connection for surface acoustic wave apparatus | |
| JPH10190389A (ja) | Ｓａｗフィルタ及びその製造方法 | |
| JP2008072617A (ja) | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 | |
| JP2002076828A (ja) | 弾性表面波素子 | |
| JP2003332878A (ja) | 弾性表面波素子 | |
| JP2023141885A (ja) | 弾性波デバイス、フィルタ、マルチプレクサ、および弾性波デバイスの製造方法 | |
| JP2002299985A (ja) | 弾性表面波装置の製造方法 | |
| JP2000091870A (ja) | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 | |
| JP2018098687A (ja) | 弾性波デバイス | |
| JP2006067211A (ja) | 弾性表面波装置および弾性表面波装置の製造方法 | |
| JPH09214279A (ja) | 表面波装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050222 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050329 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050526 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060718 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060912 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20060925 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070206 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070219 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3925133 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110309 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110309 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120309 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120309 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130309 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130309 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140309 Year of fee payment: 7 |