JP2003087080A - 弾性表面波素子及びその製造方法 - Google Patents

弾性表面波素子及びその製造方法

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寛樹 渡辺
Eiji Iegi
英治 家木
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 電極抵抗の低減によりオーミック損の低減を
図ることができ、高周波域で動作され得る、安価なフリ
ップチップ工法を用いた弾性表面波装置を提供する。 【解決手段】 フリップチップ工法によりパッケージに
弾性表面波素子が接合される弾性表面波装置であって、
弾性表面波素子１４において、圧電基板２上にＩＤＴ電
極３、バスバー電極４，５、反射器電極６，７、引き回
し電極８，９及び電極パッド１０，１１が形成されてお
り、電極パッド１０，１１上に第１の金属膜として導電
膜Ｘｂ，Ｘｃが形成されており、かつバスバー電極及び
引き回し電極の少なくとも１つの上にも導電膜Ｘｂ，Ｘ
ｃが第２の金属膜として形成されている、弾性表面波装
置。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波素子に
関し、より詳細には、パッケージと金属バンプにより接
合される弾性表面波素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】移動体通信の高周波化に伴って、移動体
通信に用いられている弾性表面波装置においても高周波
域で使用され得ることが求められている。弾性表面波装
置は、圧電基板を用いた弾性表面波素子と、弾性表面波
素子を収納するパッケージとを有する。弾性表面波素子
の圧電基板表面の音速は数千ｍ／秒程度であるため、例
えば８００ＭＨｚ程度で動作する弾性表面波素子を構成
した場合、弾性表面波素子のインターデジタル電極の波
長は数μｍ程度と短くなる。従って、弾性表面波素子の
特性を最適化するための電極膜厚の絶対値が小さくな
り、電極抵抗による損失すなわちオーミック損が大きく
なるという問題があった。
【０００３】上記のような問題を解決するものとして、
特開平７−２１２１７５号公報には、図５（ａ），
（ｂ）に示す弾性表面波装置が開示されている。なお、
図５（ｂ）は、図５（ａ）の一点鎖線Ｐ−Ｐ間、Ｑ−Ｑ
間及びＲ−Ｒ間の端面を結合した模式的断面図であり、
図５（ｂ）における一点鎖線Ｓ，Ｔは、結合部分の境界
を示す。なお、本明細書に添付の図面においては、図５
（ａ）及び（ｂ）と同様に、平面図において、Ｐ−Ｐ
線、Ｑ−Ｑ線及びＲ−Ｒ線で示されている部分の断面が
該平面図に対応する断面図において一点鎖線Ｓ，Ｔで結
合されて示されている。
【０００４】この先行技術に記載の弾性表面波装置２０
１では、圧電基板２０２上にインターデジタル電極２０
３と、インターデジタル電極２０３の両側に設けられた
反射器電極２０４，２０５とが配置されている。また、
インターデジタル電極２０３に電気的接続を果たすため
の引き回し電極２０６，２０７が形成されている。さら
に、引き回し電極２０６，２０７に電気的に接続される
ように電極パッド２０８，２０９が形成されている。電
極パッド２０８，２０９はパッケージの電極と電気的に
接続される部分に相当し、電極パッド２０８，２０９上
には、金属バンプが設けられる。この弾性表面波装置２
０１では、上述した各種電極の内、インターデジタル電
極２０３、反射器電極２０４，２０５、図５（ｂ）に示
されている導電膜２１２により形成されている。また、
図５（ｂ）に電極パッド２０８，２０９を代表して示す
ように、電極パッド２０８，２０９または引き回し電極
２０６，２０７の少なくとも一部では、第２の導電膜２
１３が積層されている。すなわち、インターデジタル電
極２０３に比べて、引き回し電極２０６，２０７及び電
極パッド２０８，２０９の一部の厚みが厚くされてお
り、それによって電極抵抗によるオーミック損の低減が
図られ、電気的特性が改善されるとされている。
【０００５】ところで、近年、電子部品の小型化及び低
背化が求められているため、フリップチップ工法を用い
た弾性表面波装置が実用化されている。フリップチップ
工法を用いて構成された弾性表面波装置では、弾性表面
波素子の電極形成部がパッケージ搭載面に対向され、弾
性表面波素子の電極とパッケージの電極とが金属バンプ
により接合される。この場合、弾性表面波素子の電極パ
ッド上に金属バンプと電極パッドとの接合強度を高める
ために、Ａｕなどの金属膜が形成されている。このＡｕ
などからなる金属膜上にＡｕなどからなる金属バンプが
形成され、該金属バンプがパッケージの電極面と接合さ
れる。あるいは、電極パッド上にＡｇなどからなる半田
濡れ性に優れた金属膜が形成され、予めパッケージに形
成されていた半田バンプを該半田濡れ性に優れた金属膜
に接合させる方法が用いられている。
【０００６】上記のような方法を用いた場合、ボンディ
ングワイアを必要としない。従って、弾性表面波素子に
ボンディングワイアが接続されるワイヤパッドを設ける
必要がないため、弾性表面波装置の平面積及び高さを小
さくすることができる。
【０００７】これらのフリップチップ工法を用いて得ら
れた弾性表面波装置においても、実際に弾性表面波が励
振され、かつ伝搬する電極以外の電極の膜厚を厚くすれ
ば、オーミック損が小さくなり、損失や共振子のＱなど
の低下を抑制することができる。この場合、弾性表面波
が励振され、かつ伝搬する電極、すなわちインターデジ
タル及び反射器電極と、バスバー電極、引き回し電極及
び電極パッドとが先ず同じ導電膜で形成される。次に、
弾性表面波が励振され、かつ伝搬する部分以外に設けら
れた電極において、第２の導電膜が積層されたり、最初
の導電膜の膜厚が厚くされたりする。
【０００８】従って、上記金属バンプにより接合を行な
う場合には、上記電極パッド上の厚みの厚い導電膜上
に、前述したＡｕなどの金属膜を積層し、しかる後Ａｕ
などの金属バンプを形成すればよい。また、半田バンプ
で接合を行なう場合には、複数の導電膜の積層あるいは
導電膜の膜厚の増大により厚く形成されている電極パッ
ド上に半田濡れ性に優れたＡｇなどからなる金属膜を形
成すればよい。
【０００９】図６（ａ）及び図６（ｂ）は、低周波で動
作するフリップチップ工法を用いた弾性表面波装置の従
来の製造方法を説明するための平面図及び模式的断面図
である。
【００１０】この方法では、圧電基板２２１上に、導電
膜２２２をパターニングすることにより、ＩＤＴ電極２
２３、バスバー電極２２４，２２５、反射器電極２２
６，２２７、引き回し電極２２８，２２９及び電極パッ
ド２３０，２３１が形成される。次に、図７（ａ）及び
（ｂ）に示すように、電極パッド２３０，２３１上に、
導電膜２３２及び金属膜２３３が積層される。導電膜２
３２は、導電膜２２２との密着性を高めるために設けら
れており、金属膜２３３は、図８（ａ），（ｂ）に示す
金属バンプ２３４と電極パッドとの接合強度を高めるた
めに設けられいてる。
【００１１】従って、この方法では、導電膜２２２をパ
ターニングした後に、上記導電膜２３２及び金属膜２３
３を積層しなければならなかった。他方、高周波域で動
作する弾性表面波装置を得る場合には、上述したよう
に、オーミック損を小さくするために、図９（ａ）及び
（ｂ）に示すように、導電膜２３２上に、導電膜２２２
を形成する材料と同じ材料からなる導電膜２４１を積層
し、該導電膜２４１上に、導電膜２３２及び金属膜２３
３を積層しなければならなかった。
【００１２】また、Ａｕなどからなる金属バンプの代わ
りに、パッケージ上に形成された半田バンプにより、弾
性表面波素子とパッケージとを接合する、低周波域で動
作される弾性表面波装置の製造に際しては、図６に示す
ようにパターニングされた導電膜２２２を圧電基板２２
１上に形成した後に、図１０（ａ）及び（ｂ）に示され
ているように、導電膜２２２との密着強度を高めるため
の金属膜２３２及び半田バリアとなる金属膜２４２を電
極パッド上において積層し、さらに最後に半田濡れ性に
優れた金属膜２４３を積層しなければならなかった。す
なわち、３層の金属層を積層してなる積層構造を形成し
なければならなかった。また、この場合においても、高
周波で動作する弾性表面波装置ではオーミック損を小さ
くするために、さらに、図１１（ａ）及び（ｂ）に示す
ように、金属膜２３２上に、導電膜２２２と同じ電極材
料からなる導電膜２４４を積層し、しかる後上記複数の
金属膜２４２，２４３からなる多層構造を形成しなけれ
ばならなかった。
【００１３】他方、ＷＯ９９／０５７８８号公報には、
バスバー及び電極パッドの少なくとも一方が、Ａｌを主
成分とする第一導体層／中間層／Ａｌを主成分とする第
二導体層で構成されている弾性表面波素子が開示されて
いる。ここでは、バスバー及び電極パッドの少なくとも
一方が上記積層構造を有するように構成されている。従
って、電極パッドが上記積層構造を有し厚くされている
場合には、機械的強度は高められる旨が記載されてい
る。ＷＯ９９／０５７８８号公報では、この電極パッド
上にワイヤボンディングまたはＡｕバンプを形成する構
造が述べられている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、高周波
領域で動作する弾性表面波装置を製造する場合、弾性表
面波素子上の金属バンプにより弾性表面波素子とパッケ
ージとを接続する場合、並びに弾性表面波素子上の金属
膜とパッケージ上に設けられた半田バンプとにより、弾
性表面波素子とパッケージとを接続する場合のいずれに
おいても、低周波領域で動作する弾性表面波装置を製造
する場合に比べて、弾性表面波が励振されかつ伝搬する
領域以外の部分に、一以上の導電膜２４１，２４４を余
計に積層する必要があった。従って、工程が煩雑であ
り、コストが高く付くという問題があった。
【００１５】ＷＯ９９／０５７８８号公報に記載の構成
では、電極パッドが、Ａｌを主成分とする第一導体層／
中間層／Ａｌを主成分とする第二導体層により構成され
ている。しかしながら、この構造において、半田バンプ
を形成した場合には、電極パッドの最上層がＡｌを主体
とする第二導体層で構成されているため、半田が拡散
し、十分な接合強度を得ることができないという問題が
あった。
【００１６】本発明の目的は、上述した従来技術の欠点
を解消し、高周波領域で使用される、フリップチップ工
法によりパッケージに収納される弾性表面波素子であっ
て、製造工程の簡略化を図ることができ、オーミック損
の低減により良好な電気的特性を安定に得ることがで
き、半田バンプを用いた場合のバンプ接合強度に優れて
いる弾性表面波素子及びその製造方法を提供することに
ある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る弾性表面波
素子は、パッケージに収納され、前記パッケージとパッ
ケージ側に形成された半田バンプにより接合される弾性
表面波素子であって、圧電基板と、前記圧電基板上に形
成された少なくとも１つのインターデジタル電極と、前
記インターデジタル電極に接続された一対のバスバー電
極と、前記バスバー電極に接続された引き回し電極と、
前記引き回し電極に接続されており、かつ前記パッケー
ジに電気的に接続される電極パッドと、前記電極パッド
上に形成されており、前記半田バンプとの接合強度を高
める第１の金属膜と、前記第１の金属膜と同じ材料から
なり、前記バスバー電極及び引き回し電極の少なくとも
１つの上に形成された第２の金属膜とを有することを特
徴とする。
【００１８】本発明の他の特定の局面では、上記第１，
第２の金属膜が複数の金属層を積層してなる多層構造を
有する。この場合には、第１，第２の金属膜の最上部の
金属層を、半田バンプに対する接合性に優れた金属材料
により構成し、他の金属層を、例えば電気的抵抗の低い
金属材料により構成することにより、バンプとの接合強
度の向上と、オーミック損の低減効果の向上の双方を期
待することができる。
【００１９】本発明に係る弾性表面波素子の特定の局面
では、前記第１，第２の金属膜が複数の金属層を積層し
てなる多層構造を有し、最上部に位置する金属層が、Ａ
ｇまたはＡｕにより構成されている。この場合には、第
１，第２の金属膜の最上部に位置する金属層が半田付け
性に優れているので、第１の金属膜を半田バンプを介し
てパッケージの電極ランドに強固にかつ容易に接合する
ことができる。
【００２０】本発明のより限定的な局面では、前記イン
ターデジタル電極が複数の金属層を積層してなる多層構
造を有し、上記第１，第２の金属膜の少なくとも１つの
金属層が、前記インターデジタル電極を構成している金
属層の内、最下層の金属層に比べて比抵抗が小さな金属
により構成されおり、それによって第１，第２の金属膜
の少なくとも１つの金属層の比抵抗が相対的に小さいた
め、金属膜においてオーミック損をより一層低減するこ
とができ、かつ第２の金属膜の相対的に比抵抗が小さい
金属からなる金属層の厚みを薄くすることができる。
【００２１】本発明に係る弾性表面波素子の製造方法
は、本発明に従って構成される弾性表面波素子の製造方
法であり、圧電基板上に少なくとも１つの前記インター
デジタル電極と、バスバー電極、引き回し電極及び電極
パッドを形成する工程と、前記電極パッド上に第１の金
属膜を、前記バスバー電極及び引き回し電極の少なくと
も１つの上に第２の金属膜を形成する工程とを備える。
【００２２】本発明に係る通信機は、本発明に従って構
成された弾性表面波素子を帯域フィルタとして備えるこ
とを特徴とする。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施形態
を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００２４】図１（ａ），（ｂ）は、本発明の実施例に
係る弾性表面波素子を説明するための平面図及び模式的
断面図であり、図２（ａ）〜（ｄ）は、本実施例の弾性
表面波素子の製造方法を説明するための模式的断面図で
ある。
【００２５】本実施例では、パッケージに設けられた半
田バンプにより、弾性表面波素子がフリップチップ工法
を用いてパッケージに接合される。本実施例では、図１
（ａ），（ｂ）に示す弾性表面波素子５４が用意され
る。弾性表面波素子５４では、矩形板状の圧電基板４２
上に、ＩＤＴ電極４３、一対のバスバー電極４４，４
５、反射器電極４６，４７、引き回し電極４８，４９及
び電極パッド５０，５１が導電膜Ｘａにより形成されて
いる。
【００２６】圧電基板４２としては、ＬｉＴａＯ3、Ｌｉ
ＮｂＯ3または水晶などの圧電単結晶、あるいはチタン
酸ジルコン酸鉛系セラミックスのような圧電セラミック
スが用いられ得る。
【００２７】導電膜Ｘａは、Ａｌなどの適宜の導電性材
料により構成される。導電膜Ｘａを圧電基板２上に形成
する方法は特に限定されず、蒸着、スパッタリングまた
はメッキなどの適宜の方法が用いられ得る。
【００２８】バスバー電極４４，４５、引き回し電極４
８，４９及び電極パッド５０，５１上には、電極パッド
周辺の一部を除いて、金属膜Ｘｂ、半田バリア層となる
金属膜Ｘｄ及び半田バンプとの接合性に優れた金属膜Ｘ
ｅが積層されている。金属膜Ｘｂは、例えばＮｉＣｒま
たはＴｉなどからなり、半田バリア層となる金属膜Ｘｄ
と導電膜Ｘａとの密着強度を高めるために設けられてい
る。金属膜Ｘｅは、半田バンプとの接合性に優れた金
属、例えば、Ａｇなどにより構成される。また、半田バ
リア層となる金属膜Ｘｄは、Ｎｉなどの半田喰われの生
じ難い適宜の金属により構成されている。
【００２９】なお、本実施例においては、ＩＤＴ電極４
３が形成されているが、複数のＩＤＴ電極が形成されて
いてもよく、反射器は形成されずともよい。本実施例の
弾性表面波素子を得るにあたっては、圧電基板４２上に
全面に導電膜Ｘａを形成し、次にパターニングにより、
圧電基板４２上に、パターニングされた導電膜Ｘａが形
成される。
【００３０】すなわち、図２（ａ）に示されているよう
に、圧電基板４２上に、パターニングされた導電膜Ｘａ
が形成される。それによって、ＩＤＴ電極４３、反射器
電極４６，４７、バスバー電極４４，４５、引き回し電
極４８，４９及び電極パッド５０，５１が導電膜Ｘａに
より形成される。
【００３１】しかる後、図２（ａ）に示すように、全面
にレジスト６１が積層される。次に、露光及びフォトマ
スクを用いた現像により、不要部分のレジストが除去さ
れ、レジスト６１がパターニングされる。
【００３２】このようにして図２（ｂ）に示すように、
パターニングされたレジスト６１Ａが形成される。この
状態においては、ＩＤＴ電極４３と反射器電極４６，４
７と、電極パッド５０，５１の一部がレジスト６３Ａに
より被覆されている。
【００３３】しかる後、図２（ｃ）に示すように、Ｎｉ
ＣｒまたはＴｉなどからなる金属膜Ｘｂが形成される。
次に、金属膜Ｘｂ上に、半田バリヤ層として機能するＮ
ｉなどからなる金属膜Ｘｄ及びＡｇなどからなる半田に
対する濡れ性に優れた金属膜Ｘｅが順次全面に形成され
る。これらの金属膜Ｘｂ，Ｘｄ，Ｘｅの形成は蒸着、ス
パッタリングなどの適宜の方法により行われ得る。
【００３４】しかる後、レジスト６１Ａ上の導電膜Ｘ
ｂ，Ｘｄ，Ｘｅをレジスト６１Ａとともにリフトオフす
る。このようにして、図２（ｄ）に示されているよう
に、バスバー電極４４，４５、引き回し電極４８，４９
及び電極パッド５０，５１上において、金属膜Ｘｂ，Ｘ
ｄ，Ｘｅからなる積層金属膜が積層され、図６に示され
ている弾性表面波素子５４が得られる。
【００３５】上記弾性表面波素子５４をパッケージに接
合するに際しては、図４に示すように、パッケージ１１
の電極１４，１５上に設けられた半田バンプ１２，１３
に電極パッド５０，５１が接触するように、弾性表面波
素子５４が電極形成面側からパッケージ１１上の電極１
４，１５に載置される。しかる後、加熱により半田バン
プ１２，１３を介して弾性表面波素子５４がパッケージ
１１の電極１４，１５に接合され、本実施例の弾性表面
波装置が得られる。
【００３６】本実施例においては、バスバー電極、引き
回し電極及び電極パッド上に、金属膜Ｘｂ，Ｘｄ，Ｘｅ
が積層されている。電極パッド上の金属膜Ｘｂ，Ｘｄ，
Ｘｅは本発明の第１の金属膜を構成し、バスバー電極及
び引き回し電極上の金属膜Ｘｂ，Ｘｄ，Ｘｅは第２の金
属膜を構成する。従って、これらの電極部分において、
導電膜Ｘａ上に、導電膜Ｘａと同じ電極材料からなる導
電膜を積層した構造と同様に、電極抵抗を小さくするこ
とができ、オーミック損を低減することができる。従っ
て、第１の実施例と同様に、導電膜Ｘａと同じ電極材料
からなる導電膜をオーミック損を低減するために積層す
る工程を用いることなく、すなわち電極形成工程を煩雑
化することなく、弾性表面波装置の損失及びＱの低下を
抑制することができる。
【００３７】なお、本実施例において、半田バンプとの
接合用の金属膜Ｘｅの膜厚は、必ずしも、ＩＤＴ電極４
３を形成する導電膜Ｘａの厚みよりも厚くする必要はな
い。すなわち、金属膜Ｘｂ〜Ｘｅの比抵抗が、導電膜Ｘ
ａの比抵抗よりも小さければ、金属膜Ｘｂ，Ｘｄ，Ｘｅ
の厚みは、導電膜Ｘａの厚みよりも厚くする必要はな
い。
【００３８】図３に、本実施例に従って構成された弾性
表面波装置のインピーダンス−周波数特性を破線で示
す。また、比較のために、バスバー電極、引き回し電極
を厚膜化しない比較例の特性を実線で、従来法に従って
ＩＤＴ電極と同じ電極材料からなる導電膜部分を厚膜化
した従来例の電気的特性を一点鎖線で示す。図９から明
らかなように、本実施例では、バスバー電極を厚膜化し
ない比較例に比べて、Ｑの大きな共振特性が得られてお
り、かつ従来例と同等以上の共振特性の得られることが
わかる。
【００３９】なお、本実施例では、バスバー電極及び引
き回し電極上に第２の金属膜を形成したが、第２の金属
膜はオーミック損を低減するために設けられるものであ
り、バスバー電極及び引き回し電極のいずれか一方にの
みに積層されていてもよく、あるいはバスバー電極及び
引き回し電極の一部に部分的に形成されていてもよい。
もっとも、好ましくは、本実施例において説明したよう
に、バスバー電極及び引き回し電極の双方に第２の金属
膜が積層されていることが望ましい。
【００４０】
【発明の効果】本発明に係る弾性表面波素子及びその製
造方法では、電極パッド上に形成されておりパッケージ
側の半田バンプとの接合強度を高めるための第１の金属
膜と同じ材料からなる第２の金属膜がバスバー電極及び
引き回し電極の少なくとも１つの上に形成されている。
すなわち、電極パッド上に、パッケージ側の半田バンプ
との接合強度を高めるためなどの目的で形成された第１
の金属膜形成工程において、バスバー電極及び引き回し
電極の少なくとも１つの上にも同じ材料からなる第２の
金属膜が形成される。従って、製造工程を複雑化するこ
となく、電極の抵抗損を低減することができる。よっ
て、バスバー電極及び引き回し電極の厚膜化を別工程で
行う必要がないため、フリップチップ工法により形成さ
れる弾性表面波装置の製造コストの低減を果たすことが
できる。
【００４１】加えて、バスバー電極及び引き回し電極の
厚膜化が、ＩＤＴ電極を構成している導電膜との密着強
度に優れた金属材料により行われているため、バスバー
電極及び引き回し電極をＩＤＴ電極と同じ電極材料を用
いて厚膜化した場合と同等もしくはそれ以上の特性を得
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ），（ｂ）は、本発明の実施例に係る弾性
表面波素子を説明するための模式的平面図及び（ａ）の
Ｐ−Ｐ線、Ｑ−Ｑ線及びＲ−Ｒ線に沿う部分を一点鎖線
Ｓ，Ｔを介して結合した模式的断面図。
【図２】（ａ）〜 （ｄ）は、実施例の弾性表面波素子
の電極構造を説明するための各模式的断面図。
【図３】実施例の弾性表面波素子、比較のために用意し
た弾性表面波装置及び従来法に従って構成された弾性表
面波素子のインピーダンス周波数特性を示す図。
【図４】実施例の弾性表面波装置を説明するための模式
的断面図。
【図５】（ａ），（ｂ）は、従来の弾性表面波装置の一
例を説明するための模式的平面図及び（ａ）のＰ−Ｐ
線、Ｑ−Ｑ線及びＲ−Ｒ線に沿う部分を一点鎖線Ｓ，Ｔ
を介して結合した断面図。
【図６】（ａ），（ｂ）は、図５に示した従来の弾性表
面波装置を得る工程を説明するための模式的平面図及び
（ａ）のＰ−Ｐ線、Ｑ−Ｑ線及びＲ−Ｒ線に沿う部分を
一点鎖線Ｓ，Ｔを介して結合した断面図。
【図７】（ａ），（ｂ）は、従来の高周波域で使用され
る弾性表面波装置の一例を説明するための模式的平面図
及び（ａ）のＰ−Ｐ線、Ｑ−Ｑ線及びＲ−Ｒ線に沿う部
分を一点鎖線Ｓ，Ｔを介して結合した断面図。
【図８】（ａ）は、従来の弾性表面波装置のさらに他の
例を説明するための模式的平面図及び（ａ）のＰ−Ｐ
線、Ｑ−Ｑ線及びＲ−Ｒ線に沿う部分を一点鎖線Ｓ，Ｔ
を介して結合した断面図。
【図９】（ａ）は、従来の高周波域で使用される弾性表
面波装置のさらに他の例を説明するための模式的平面図
及び（ａ）のＰ−Ｐ線、Ｑ−Ｑ線及びＲ−Ｒ線に沿う部
分を一点鎖線Ｓ，Ｔを介して結合した断面図。
【図１０】（ａ）は、従来の弾性表面波装置のさらに他
の例を説明するための模式的平面図及び（ａ）のＰ−Ｐ
線、Ｑ−Ｑ線及びＲ−Ｒ線に沿う部分を一点鎖線Ｓ，Ｔ
を介して結合した断面図。
【図１１】（ａ）は、従来の弾性表面波装置のさらに他
の例を説明するための模式的平面図及び（ａ）のＰ−Ｐ
線、Ｑ−Ｑ線及びＲ−Ｒ線に沿う部分を一点鎖線Ｓ，Ｔ
を介して結合した断面図。
【符号の説明】
１…弾性表面波装置 ２…圧電基板 ３…ＩＤＴ電極 ４，５…バスバー電極 ６，７…反射器電極 ８，９…引き回し電極 １０，１１…電極パッド １２，１３…金属バンプ １４…弾性表面波素子 １５…パッケージ ４１…弾性表面波装置 ４２…圧電基板 ４３…ＩＤＴ電極 ４４，４５…バスバー電極 ４６，４７…反射器電極 ４８，４９…引き回し電極 ５０，５１…電極パッド ５４…弾性表面波素子 Ｘａ…導電膜 Ｘｂ…導電膜（第１，第２の金属膜） Ｘｃ…導電膜（第１，第２の金属膜） Ｘｄ…導電膜 Ｘｅ…導電膜
フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F044 QQ02 QQ04 QQ06 RR18 5J097 AA01 AA24 AA32 BB17 DD24 DD29 FF03 GG03 GG04 HA02 JJ09 KK01 KK09 KK10 5J108 AA07 BB08 CC04 EE03 EE07 EE13 FF11 FF13 GG03 KK03

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 パッケージに収納され、前記パッケージ
    とパッケージ側に形成された半田バンプにより接合され
    る弾性表面波素子であって、 圧電基板と、 前記圧電基板上に形成された少なくとも１つのインター
    デジタル電極と、 前記インターデジタル電極に接続された一対のバスバー
    電極と、 前記バスバー電極に接続された引き回し電極と、 前記引き回し電極に接続されており、かつ前記パッケー
    ジに電気的に接続される電極パッドと、 前記電極パッド上に形成されており、前記半田バンプと
    の接合強度を高める第１の金属膜と、 前記第１の金属膜と同じ材料からなり、前記バスバー電
    極及び引き回し電極の少なくとも１つの上に形成された
    第２の金属膜とを有する、弾性表面波素子。
  2. 【請求項２】 前記第１の金属膜及び前記第２の金属膜
    が複数の金属層を積層してなる多層構造を有する、請求
    項１に記載の弾性表面波素子。
  3. 【請求項３】 前記第１，第２の金属膜が複数の金属層
    を積層してなる多層構造を有し、最上部に位置する金属
    層が、ＡｇまたはＡｕにより構成されている、請求項１
    または２に記載の弾性表面波素子。
  4. 【請求項４】 前記インターデジタル電極が複数の金属
    層を積層してなる多層構造を有し、前記第１，第２の金
    属膜の少なくとも１つの金属層が、前記インターデジタ
    ル電極を構成している金属層の内、最下層の金属層に比
    べて比抵抗が小さな金属により構成されている、請求項
    ２に記載の弾性表面波素子。
  5. 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載の弾性表
    面波素子の製造方法であって、 圧電基板上に少なくとも１つの前記インターデジタル電
    極、バスバー電極、引き回し電極及び電極パッドを形成
    する工程と、前記電極パッド上に第１の金属膜を、前記
    バスバー電極及び引き回し電極の少なくとも１つの上に
    前記第２の金属膜を形成する工程とを備える、弾性表面
    波素子の製造方法。
  6. 【請求項６】 請求項１〜４のいずれかに記載の弾性表
    面波素子を帯域フィルタとして備えることを特徴とす
    る、通信機。
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