JPH09214279A - 表面波装置 - Google Patents
表面波装置Info
- Publication number
- JPH09214279A JPH09214279A JP1777896A JP1777896A JPH09214279A JP H09214279 A JPH09214279 A JP H09214279A JP 1777896 A JP1777896 A JP 1777896A JP 1777896 A JP1777896 A JP 1777896A JP H09214279 A JPH09214279 A JP H09214279A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- idt
- wave device
- acoustic wave
- surface acoustic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】金属粉によるショート不良を防止するための保
護膜の除去コストを低減することができ、かつ、保護膜
の形成コストを低減することが可能な表面波装置を提供
することにある。 【解決手段】一対のくし歯電極3、4からなるIDT5
が形成された圧電基板1上に感光性樹脂からなる保護膜
11が形成され、IDT5の保護膜11の一部が除去さ
れ、IDT5の引出電極部3c,4cが露出するように
形成されている。保護膜11は、金属粉によりIDT5
の電極指3a,4aがショートしないように形成された
ものである。
護膜の除去コストを低減することができ、かつ、保護膜
の形成コストを低減することが可能な表面波装置を提供
することにある。 【解決手段】一対のくし歯電極3、4からなるIDT5
が形成された圧電基板1上に感光性樹脂からなる保護膜
11が形成され、IDT5の保護膜11の一部が除去さ
れ、IDT5の引出電極部3c,4cが露出するように
形成されている。保護膜11は、金属粉によりIDT5
の電極指3a,4aがショートしないように形成された
ものである。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面波装置に関
し、詳しくは、圧電基板上に形成された電極パターンを
覆うように保護膜が形成された表面波装置に関する。
し、詳しくは、圧電基板上に形成された電極パターンを
覆うように保護膜が形成された表面波装置に関する。
【0002】
【従来の技術】表面波装置は圧電基板上にIDT等を構
成する微細な電極パターンが形成された構造となってお
り、その製造過程あるいはパッケージング後において、
IDT形成面に金属粉等が付着し、IDTの電極指間が
ショートする等の不具合が生じ易い。
成する微細な電極パターンが形成された構造となってお
り、その製造過程あるいはパッケージング後において、
IDT形成面に金属粉等が付着し、IDTの電極指間が
ショートする等の不具合が生じ易い。
【0003】このような金属粉の付着によるショート不
良の対策として、従来、IDTの形成面にSiO2、Z
nO等の無機材料からなる保護膜を形成した表面波装置
が知られている。
良の対策として、従来、IDTの形成面にSiO2、Z
nO等の無機材料からなる保護膜を形成した表面波装置
が知られている。
【0004】このような保護膜が形成された表面波装置
では、前記保護膜の一部は除去され、入出力接続用のワ
イヤーがボンディングされるIDTの引出電極部が露出
するように構成されている。
では、前記保護膜の一部は除去され、入出力接続用のワ
イヤーがボンディングされるIDTの引出電極部が露出
するように構成されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
表面波装置では、保護膜はSiO2等の非感光性材料の
ため、IDTの引出電極部上の保護膜の除去には、フォ
トリソグラフィにより感光性のレジストパターンを形成
し、しかる後、引出電極部上の保護膜をエッチングによ
り取り除くという作業が必要であった。つまり、保護膜
の一部除去には多くの作業、工程が必要であり、保護膜
除去コストが高くなるという問題があった。
表面波装置では、保護膜はSiO2等の非感光性材料の
ため、IDTの引出電極部上の保護膜の除去には、フォ
トリソグラフィにより感光性のレジストパターンを形成
し、しかる後、引出電極部上の保護膜をエッチングによ
り取り除くという作業が必要であった。つまり、保護膜
の一部除去には多くの作業、工程が必要であり、保護膜
除去コストが高くなるという問題があった。
【0006】また、保護膜はSiO2等の無機材料であ
り、その成膜にはスパッタリング等の方法が用いられ、
保護膜の形成コストが高くなるという問題があった。
り、その成膜にはスパッタリング等の方法が用いられ、
保護膜の形成コストが高くなるという問題があった。
【0007】そこで、本発明の目的は、金属粉によるシ
ョート不良を防止するための保護膜の除去コストを低減
することができ、かつ、保護膜の形成コストを低減する
ことが可能な表面波装置を提供することにある。
ョート不良を防止するための保護膜の除去コストを低減
することができ、かつ、保護膜の形成コストを低減する
ことが可能な表面波装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1に係る発明は、圧電基板と、前記圧電基板
上に形成された少なくとも1つのIDTを含む電極パタ
ーンとを備えた表面波装置であって、前記電極パターン
を覆って、前記圧電基板上に感光性樹脂からなる保護膜
が形成され、前記IDTの引出電極部上の保護膜の一部
が除去されていることを特徴とするものである。
に、請求項1に係る発明は、圧電基板と、前記圧電基板
上に形成された少なくとも1つのIDTを含む電極パタ
ーンとを備えた表面波装置であって、前記電極パターン
を覆って、前記圧電基板上に感光性樹脂からなる保護膜
が形成され、前記IDTの引出電極部上の保護膜の一部
が除去されていることを特徴とするものである。
【0009】請求項2に係る発明は、請求項1に係る表
面波装置において、前記保護膜が感光性ポリイミド系樹
脂からなることを特徴とするものである。
面波装置において、前記保護膜が感光性ポリイミド系樹
脂からなることを特徴とするものである。
【0010】上記の構成によれば、圧電基板上のIDT
形成面に形成された保護膜は感光性樹脂で形成されてい
るので、引出電極部上の保護膜をフォトリソグラフィす
なわち露光、現像のみの作業で容易に除去することがで
きる。すなわち、従来の表面波装置の保護膜の除去に際
して必要であったレジストパターンの形成及びエッチン
グ等の工程を不要とすることができるので、保護膜の除
去コストを大幅に低減することができる。
形成面に形成された保護膜は感光性樹脂で形成されてい
るので、引出電極部上の保護膜をフォトリソグラフィす
なわち露光、現像のみの作業で容易に除去することがで
きる。すなわち、従来の表面波装置の保護膜の除去に際
して必要であったレジストパターンの形成及びエッチン
グ等の工程を不要とすることができるので、保護膜の除
去コストを大幅に低減することができる。
【0011】また、保護膜は感光性樹脂からなるので、
スピンコート等の簡単な方法により容易に形成すること
ができ、保護膜の形成コストを低減することができる。
スピンコート等の簡単な方法により容易に形成すること
ができ、保護膜の形成コストを低減することができる。
【0012】なお、感光性樹脂としては、特に限定する
ものではないが、耐有機溶剤性が良好で、機械的強度の
強い感光性ポリイミド系樹脂が望ましい。
ものではないが、耐有機溶剤性が良好で、機械的強度の
強い感光性ポリイミド系樹脂が望ましい。
【0013】
【発明の実施の形態】図1及び図2を参照して、本発明
の一実施例に係る表面波装置の構成を説明する。図1は
表面波装置の一実施例を示す斜視図であり、図2は図1
のX−X線断面図である。
の一実施例に係る表面波装置の構成を説明する。図1は
表面波装置の一実施例を示す斜視図であり、図2は図1
のX−X線断面図である。
【0014】本実施例の表面波装置は、端面反射型表面
波共振子であり、図1及び図2に示すように、矩形状の
圧電基板2を用いて構成されている。圧電基板2は、例
えば、チタン酸ジルコン酸鉛系圧電セラミックスやLi
NbO3圧電単結晶、LiTaO3圧電単結晶等の圧電材
料により構成されている。圧電基板2の一方主面上に一
対のくし歯電極3、4からなる1つのインターデジタル
トランスデューサ5(以下、IDTと記す)が形成さ
れ、IDT5が形成された面であって、IDT5の引出
電極部3c,4cが形成された部分を除く全面に感光性
ポリイミド系樹脂からなる保護膜11が形成されてい
る。
波共振子であり、図1及び図2に示すように、矩形状の
圧電基板2を用いて構成されている。圧電基板2は、例
えば、チタン酸ジルコン酸鉛系圧電セラミックスやLi
NbO3圧電単結晶、LiTaO3圧電単結晶等の圧電材
料により構成されている。圧電基板2の一方主面上に一
対のくし歯電極3、4からなる1つのインターデジタル
トランスデューサ5(以下、IDTと記す)が形成さ
れ、IDT5が形成された面であって、IDT5の引出
電極部3c,4cが形成された部分を除く全面に感光性
ポリイミド系樹脂からなる保護膜11が形成されてい
る。
【0015】くし歯電極3、4は、それぞれ、複数本の
電極指3a,・・4a,・・を有し、電極指3a,・・
と電極指4a,・・とは互いに間挿し合うように配置さ
れている。それぞれのくし歯電極3、4のバスバー部3
b、4bには所定の箇所に引出電極部3c,4cが形成
されている。
電極指3a,・・4a,・・を有し、電極指3a,・・
と電極指4a,・・とは互いに間挿し合うように配置さ
れている。それぞれのくし歯電極3、4のバスバー部3
b、4bには所定の箇所に引出電極部3c,4cが形成
されている。
【0016】なお、本実施例では、引出電極部3c、4
cはバスバー3b、4bの一部を延設するように形成さ
れているが、引出電極部の形状、形成位置は特に限定さ
れるものではなく、例えば、一定の幅で形成されたバス
バーの一部を引出電極部としてもよい。
cはバスバー3b、4bの一部を延設するように形成さ
れているが、引出電極部の形状、形成位置は特に限定さ
れるものではなく、例えば、一定の幅で形成されたバス
バーの一部を引出電極部としてもよい。
【0017】保護膜11は、表面波装置の製造過程ある
いはパッケージング後において、金属粉がIDT5に付
着することにより、電極指3a,・・、4a,・・間が
ショートするのを防止するために設けられたものであ
り、0.01μm〜50μmの膜厚で形成される。
いはパッケージング後において、金属粉がIDT5に付
着することにより、電極指3a,・・、4a,・・間が
ショートするのを防止するために設けられたものであ
り、0.01μm〜50μmの膜厚で形成される。
【0018】この表面波装置は、パッケージングされて
用いられ、引出電極部3c,4cとパッケージ部の端子
電極とはワイヤーボンディングにより接続される。
用いられ、引出電極部3c,4cとパッケージ部の端子
電極とはワイヤーボンディングにより接続される。
【0019】以下、この表面波装置の製造方法について
説明する。
説明する。
【0020】まず、圧電基板2よりも大きな圧電母基板
の一方主面上に一対のくし歯電極3、4からなるIDT
を多数形成する。IDTの形成は、蒸着、スパッタリン
グもしくはメッキ等の薄膜形成法によりAlやAu等の
導電性電極材料からなる電極膜を形成した後、露光、エ
ッチングする、あるいはマスクを用いて蒸着、スパッタ
リングによりIDT5の電極パターンに応じた電極を形
成することにより行われる。
の一方主面上に一対のくし歯電極3、4からなるIDT
を多数形成する。IDTの形成は、蒸着、スパッタリン
グもしくはメッキ等の薄膜形成法によりAlやAu等の
導電性電極材料からなる電極膜を形成した後、露光、エ
ッチングする、あるいはマスクを用いて蒸着、スパッタ
リングによりIDT5の電極パターンに応じた電極を形
成することにより行われる。
【0021】次に、圧電母基板上のIDT5が形成され
た面の全面に、感光性ポリイミド系樹脂をスピンコート
により塗布し、該樹脂をベーキングして、保護膜11を
形成する。
た面の全面に、感光性ポリイミド系樹脂をスピンコート
により塗布し、該樹脂をベーキングして、保護膜11を
形成する。
【0022】次に、IDT5の引出電極部3c,4c上
の保護膜11をフォトリソグラフィすなわち露光、現像
することにより除去し、引出電極部3c,4cを露出さ
せる。
の保護膜11をフォトリソグラフィすなわち露光、現像
することにより除去し、引出電極部3c,4cを露出さ
せる。
【0023】次に、圧電母基板をダイサー等の切断機に
より切断して、図1及び図2に示す個々の表面波装置が
得られる。
より切断して、図1及び図2に示す個々の表面波装置が
得られる。
【0024】以上のように、本実施例の構成において
は、保護膜11が感光性樹脂で形成されており、引出電
極部上の保護膜をフォトリソグラフィすなわち露光、現
像のみの作業で容易に除去することができるので、従来
のSiO2等からなる保護膜のものに比べ、保護膜11
の除去コストを大幅に低減することができる。
は、保護膜11が感光性樹脂で形成されており、引出電
極部上の保護膜をフォトリソグラフィすなわち露光、現
像のみの作業で容易に除去することができるので、従来
のSiO2等からなる保護膜のものに比べ、保護膜11
の除去コストを大幅に低減することができる。
【0025】また、保護膜11は、スピンコート等の簡
単な方法により形成することができるので、保護膜11
の形成コストも低減することができる。
単な方法により形成することができるので、保護膜11
の形成コストも低減することができる。
【0026】また、上記実施例では1つのIDTで構成
された端面反射型表面波共振子を一例として説明した
が、本発明の構成は、これに限るものではなく、複数の
IDTで構成される端面反射型表面波フィルタ、また
は、図3に示すように、IDT及び反射器で構成された
電極パターンを有する表面波装置にも適用できることは
勿論である。
された端面反射型表面波共振子を一例として説明した
が、本発明の構成は、これに限るものではなく、複数の
IDTで構成される端面反射型表面波フィルタ、また
は、図3に示すように、IDT及び反射器で構成された
電極パターンを有する表面波装置にも適用できることは
勿論である。
【0027】図3に示す表面波装置は、圧電基板2上の
両側に反射器6、6が形成され、反射器6、6の間に3
つのIDT5,5,5が形成され、IDT5、5、5及
び反射器6、6の形成面を覆って、感光性樹脂からなる
保護膜11が形成されている。IDT5、5、5のバス
バー上の保護膜11の一部が除去され、引出電極部3
c,3c,3c、4c,4c,4cが露出するように形
成されている。
両側に反射器6、6が形成され、反射器6、6の間に3
つのIDT5,5,5が形成され、IDT5、5、5及
び反射器6、6の形成面を覆って、感光性樹脂からなる
保護膜11が形成されている。IDT5、5、5のバス
バー上の保護膜11の一部が除去され、引出電極部3
c,3c,3c、4c,4c,4cが露出するように形
成されている。
【0028】この構成においても、保護膜11は感光性
樹脂で形成されているので、上記実施例で説明したよう
に、保護膜11の除去コスト、保護膜11の形成コスト
を低減することができる。
樹脂で形成されているので、上記実施例で説明したよう
に、保護膜11の除去コスト、保護膜11の形成コスト
を低減することができる。
【0029】なお、保護膜11の形成は、スピンコート
法に限るものではなく、スプレー等の他の方法を用いる
ようにしてもよい。
法に限るものではなく、スプレー等の他の方法を用いる
ようにしてもよい。
【0030】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る表面
波装置によれば、金属粉によるショート不良を防止する
ための保護膜は、感光性樹脂で形成されているので、I
DTの引出電極部上の保護膜をフォトリソグラフィのみ
で容易に除去することができ、よって、保護膜の除去コ
ストを大幅に低減することができる。
波装置によれば、金属粉によるショート不良を防止する
ための保護膜は、感光性樹脂で形成されているので、I
DTの引出電極部上の保護膜をフォトリソグラフィのみ
で容易に除去することができ、よって、保護膜の除去コ
ストを大幅に低減することができる。
【0031】また、保護膜は樹脂からなるので、スピン
コート等の簡単な方法により容易に形成することがで
き、保護膜の形成コストも低減することできる。
コート等の簡単な方法により容易に形成することがで
き、保護膜の形成コストも低減することできる。
【0032】したがって、本発明によれば、保護膜が形
成された高信頼性の表面波装置を安価に製造することが
できる。
成された高信頼性の表面波装置を安価に製造することが
できる。
【図1】本発明の一実施例に係る表面波装置の斜視図で
ある。
ある。
【図2】図1に示す表面波装置のX−X線断面図であ
る。
る。
【図3】本発明の他の実施例に係る表面波装置の平面図
である。
である。
2 圧電基板 3、4 くし歯電極 3a,4b 電極指 3a〜4c 電極脂 3c、4c 入出力電極部 5 IDT 6 反射器 11 保護膜
Claims (2)
- 【請求項1】 圧電基板と、前記圧電基板上に形成され
た少なくとも1つのIDTを含む電極パターンとを備え
た表面波装置であって、 前記電極パターンを覆って、前記圧電基板上に感光性樹
脂からなる保護膜が形成され、前記IDTの引出電極部
上の保護膜の一部が除去されていることを特徴とする表
面波装置。 - 【請求項2】 前記保護膜が感光性ポリイミド系樹脂か
らなることを特徴とする請求項1に記載の表面波装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1777896A JPH09214279A (ja) | 1996-02-02 | 1996-02-02 | 表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1777896A JPH09214279A (ja) | 1996-02-02 | 1996-02-02 | 表面波装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09214279A true JPH09214279A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=11953187
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1777896A Pending JPH09214279A (ja) | 1996-02-02 | 1996-02-02 | 表面波装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09214279A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1026823A2 (en) * | 1999-02-08 | 2000-08-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device having a resinous film to cover an electrode pattern |
-
1996
- 1996-02-02 JP JP1777896A patent/JPH09214279A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1026823A2 (en) * | 1999-02-08 | 2000-08-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device having a resinous film to cover an electrode pattern |
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