JP2002299985A

JP2002299985A - 弾性表面波装置の製造方法

Info

Publication number: JP2002299985A
Application number: JP2001096914A
Authority: JP
Inventors: Hideji Yamato; 秀司大和
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2001-03-29
Filing date: 2001-03-29
Publication date: 2002-10-11

Abstract

(57)【要約】【課題】製造工程を増加させることなく、電極形成工
程時の加熱による電極やレジストの破損が生じ難く、か
つフリップチップボンディング等における圧電基板のク
ラックが生じ難い、弾性表面波装置の製造方法を得る。【解決手段】圧電基板１上に電極膜厚が異なる第１，
第２の弾性表面波素子が構成されている弾性表面波装置
の製造に際し、第１の弾性表面波素子のＩＤＴ電極２及
び電極パッド層８ａ，９ａと、第２の弾性表面波素子の
電極パッド層１０ａ，１１ａと、短絡用配線１６とを同
時に形成し、第２の弾性表面波素子のＩＤＴ電極３の形
成に際し、電極パッド層８ａ，９ａ，１０ａ，１１ａを
２層化し、電極形成完了後に短絡用配線１６，１７を切
断する、弾性表面波装置の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、圧電基板上に電極
膜厚が異なる第１，第２の弾性表面波素子が構成されて
いる弾性表面波装置の製造方法に関し、より詳細には、
少なくとも電極パッドが２層構造を有する弾性表面波装
置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、１つの圧電基板上に異なる特性の
弾性表面波素子を構成してなる弾性表面波装置が種々提
案されている。

【０００３】例えば、ＷＯ９９／０５７８８号公報に
は、圧電基板上に、電極膜厚が異なる第１，第２の弾性
表面波素子が形成されている弾性表面波装置の製造方法
が開示されている。この種の弾性表面波装置を高周波帯
域で使用する場合、電極膜厚が薄くなり、かつＩＤＴ
（インターデジタルトランスデューサ）電極の線幅が細
くなる。従って、電極の機械的強度が低下しがちであっ
た。そのため、耐電力性が低下したり、フリップチップ
ボンディングにより弾性表面波装置をパッケージ化した
場合に、金属バンプ形成時に圧電基板にクラックが生じ
がちであった。

【０００４】そこで、上記先行技術に記載の製造方法で
は、電極パッド及びバスバーの膜厚がＩＤＴ電極の膜厚
に比べて厚くされており、このような構造を得るために
３回の露光・現像が行われている。従って、製造工程が
煩雑であった。

【０００５】他方、フリップチップ工法によりパッケー
ジ化を果たす場合、バンプ強度を高めるために、金属バ
ンプ形成工程において圧電基板を加熱し、金属の相互拡
散の促進を図る必要があった。また、レジストを硬化さ
せる際にも、加熱する必要があった。しかしながら、焦
電性を有する圧電基板を用いた弾性表面波素子の製造に
上記方法を適用すると、加熱時の温度変化により第１，
第２の弾性表面波素子のＩＤＴ電極間に電位差が生じ、
放電が生じる。その結果、ＩＤＴ電極の焦電破壊が生
じ、良品率が低下せざるを得ない。

【０００６】他方、特開平１１−３１２９４３号公報に
は、電極膜厚が異なる第１，第２の弾性表面波素子を有
する弾性表面波装置の他の製造方法が示されている。こ
こでは、圧電基板上に全面に第１の導電膜が形成され、
次に第１の導電膜上に全面にレジストが付与される。そ
して、このレジストがパターニングされ、図１１（ａ）
に示すレジストパターン１０３が得られる。なお、１０
１は圧電基板、１０２は第１の導電膜を示す。レジスト
パターン１０３は、第１の弾性表面波素子のＩＤＴ電
極、電極パッド及び第２の弾性表面波素子の電極パッド
を形成するためにパターニングされている。

【０００７】次に、エッチングにより、図１１（ｂ）に
示すように、第１の弾性表面波素子のＩＤＴ電極１０４
と、電極パッド１０５と、第２の弾性表面波素子の電極
パッド１０６とが形成される。次に、全面が第２のレジ
スト１０７で被覆され（図１１（ｃ））、しかる後、第
２の弾性表面波素子のＩＤＴ電極が形成される部分上及
び第２の弾性表面波素子の電極パッドの一部分上におい
て上記レジストが除去される（図１１（ｄ））。しかる
後、第２の導電膜１１１が全面に付与され（図１１
（ｅ））、次に、リフトオフ法により、第２のレジスト
及び第２のレジスト上の導電膜１１１が除去される（図
１１（ｆ））。このようにして、第２の弾性表面波素子
では、電極パッド１０６の上面に部分的に導電膜１１１
ａが積層されて、２層化されている。なお、１１１ｂ
は、ＩＤＴ電極を示す。

【０００８】特開平１１−３１２９４３号公報に記載の
先行技術では、上記のように第２の弾性表面波素子の電
極パッド１０６が、第１の弾性表面波素子の電極形成時
に形成される。すなわち、第２の電極パッド１０６は、
圧電基板表面がレジスト段差や現像液により汚染される
前に形成される。従って、第２の弾性表面波素子の電極
パッドと圧電基板との接合強度が高められるとされてい
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、ＷＯ９
９／０５７８８号公報に記載の先行技術では、３回の露
光・現像を行わねばならず、製造方法が煩雑であった。
加えて、露光・現像回数が多いため、レジストを硬化す
るための加熱工程が増加し、それによって、前述したＩ
ＤＴ電極の焦電破壊が生じ、良品率が低下するという問
題があった。

【００１０】他方、特開平１１−３１２９４３号公報に
記載の製造方法では、露光・現像は２回行われるだけで
よい。しかしながら、圧電基板が焦電性を有する場合、
やはり、レジストを硬化させるための加熱工程によりＩ
ＤＴ電極の焦電破壊が生じることがあった。

【００１１】加えて、特開平１１−３１２９４３号公報
に記載の製造方法では、第２の弾性表面波素子の電極パ
ッド１０６においてのみ、２層化されていた。従って、
第１の弾性表面波素子の電極パッド１０５は単層である
ため、ダイシェア強度が低かった。従って、フリップチ
ップボンディングによるパッケージ化を図った場合に、
圧電基板にクラックが生じがちであった。

【００１２】本発明の目的は、上述した従来技術の欠点
を解消し、露光・現像工程を低減し得るだけでなく、第
１，第２の弾性表面波素子の電極パッドの双方の圧電基
板に対する密着強度が高められ、かつフリップチップボ
ンディングに際しての圧電基板におけるクラックが生じ
難い、弾性表面波装置の製造方法を提供することにあ
る。

【００１３】

【課題を解決するための手段】第１の発明は、圧電基板
上に、複数のくし形電極を有するＩＤＴ電極及び該ＩＤ
Ｔ電極に接続された電極パッドを有しかつ電極膜厚が異
なる第１，第２の弾性表面波素子が構成されている弾性
表面波装置の製造方法であって、前記第１の弾性表面波
素子のＩＤＴ電極及び電極パッドの一部の層である電極
パッド層、第２の弾性表面波素子の少なくとも前記電極
パッドの一部の層である電極パッド層、並びに前記第１
の弾性表面波素子のＩＤＴ電極の複数のくし形電極を接
続する短絡用配線を形成する工程と、前記第１の弾性表
面波素子のＩＤＴ電極及び電極パッド層が形成されてい
る領域と第２の弾性表面波素子の少なくとも電極パッド
層が形成されている部分を含む領域とにレジストを付与
し、加熱する工程と、前記第２の弾性表面波素子が構成
される領域上と、前記第１の弾性表面波素子の少なくと
も電極パッド層が形成されている領域上のレジストを除
去する工程と、前記第２の弾性表面波素子のＩＤＴ電極
の電極膜厚と等しい膜厚の導電膜を形成する工程と、前
記レジスト及びレジスト上に付与されている導電膜をリ
フトオフする工程と、前記短絡用配線を切断する工程と
を備えることを特徴とする。

【００１４】第１の発明では、第１の弾性表面波素子の
ＩＤＴ電極及び電極パッド層と共に、まず第２の弾性表
面波素子の少なくとも電極パッド層と、上記短絡用配線
とが形成される。従って、レジストにより圧電基板表面
が汚染される前に、第１，第２の弾性表面波素子の電極
パッド層が形成される。また、次に、レジストを付与
し、加熱した後に、第２の弾性表面波素子が構成される
領域上と、第１の弾性表面波素子の少なくとも電極パッ
ド層が形成されている領域上のレジストが除去され、第
２の弾性表面波素子のＩＤＴ電極の電極膜厚と等しい膜
厚の導電膜が形成され、リフトオフ法によりレジスト及
びレジスト上に付与されている導電膜が除去される。従
って、第１，第２の弾性表面波素子のいずれの電極パッ
ド層にも、第２の弾性表面波素子のＩＤＴ電極を構成す
るための導電膜が積層されるので、各電極パッドは２層
構造を有する。よって、電極パッドの圧電基板に対する
密着性に優れているだけでなく、フリップチップボンデ
ィングの際の圧電基板のクラックが防止される。

【００１５】また、上記短絡用配線が予め形成され、最
後に短絡用配線が切断されるので、第１，第２の弾性表
面波素子用のＩＤＴ電極及び電極パッドの形成に際して
のレジスト加熱工程による焦電破壊が確実に防止され
る。

【００１６】本願の第２の発明は、圧電基板上に、複数
のくし形電極を有するＩＤＴ電極及び該ＩＤＴ電極に接
続された電極パッドを有しかつ電極膜厚が異なる第１，
第２の弾性表面波素子が構成されている弾性表面波装置
の製造方法であって、前記圧電基板上の全面に第１のレ
ジストを付与する工程と、前記第１の弾性表面波素子の
ＩＤＴ電極及び電極パッドが形成される領域と、第２の
弾性表面波素子の少なくとも電極パッドが形成される領
域のレジストを除去すると同時に、第１の弾性表面波素
子のＩＤＴ電極の複数のくし形電極を接続する短絡用配
線が設けられる部分上のレジストを除去する工程と、前
記第１の弾性表面波素子のＩＤＴ電極の電極膜厚と等し
い膜厚の導電膜を形成する工程と、前記第１のレジスト
及び第１のレジスト上に付与されている導電膜をリフト
オフし、第１の弾性表面波素子のＩＤＴ電極、電極パッ
ドの一部である電極パッド層、第２の弾性表面波素子の
電極パッドの一部である電極パッド層、及び前記短絡用
配線を形成する工程と、前記第１の弾性表面波素子のＩ
ＤＴ電極及び電極パッド層並びに第２の弾性表面波素子
の少なくとも電極パッド層が形成されている部分を含む
領域上に第２のレジストを付与し、加熱する工程と、第
２の弾性表面波素子が構成される領域上と、第１の弾性
表面波素子の少なくとも電極パッド層が形成されている
領域上の第２のレジストを除去する工程と、前記第２の
弾性表面波素子のＩＤＴ電極の電極膜厚と等しい膜厚の
導電膜を形成する工程と、前記第２のレジスト及び第２
のレジスト上に形成されている導電膜をリフトオフする
工程と、前記短絡用配線を切断する工程とを備えること
を特徴とする。

【００１７】第２の発明においても、まず、露光・現像
により、圧電基板上において、第１の弾性表面波素子の
ＩＤＴ電極、電極パッド層、第２の弾性表面波素子の電
極パッド層及び短絡用配線が形成され、しかる後、第２
のレジストを付与し、加熱し、第２の弾性表面波素子の
ＩＤＴ電極及び電極パッドが形成される領域上、第１の
弾性表面波素子の少なくとも電極パッド層が形成されて
いる領域上の第２のレジストが除去された後、第２の弾
性表面波素子のＩＤＴ電極の電極膜厚と等しい膜厚の導
電膜が形成され、リフトオフ法により第２のレジスト及
び第２のレジスト上に形成されている該導電膜が除去さ
れる。

【００１８】従って、第２の発明においても、第１，第
２の弾性表面波素子の電極パッド層には、第２の弾性表
面波素子のＩＤＴ電極の電極膜厚と等しい導電膜が積層
されて、２層構造の電極パッドが形成される。よって、
フリップチップボンディングに際しての圧電基板におけ
るクラックの発生を抑制することができる。また、第１
の発明と同様に、まず短絡用配線が形成され、第１，第
２の弾性表面波素子用の各電極を形成した後に短絡用配
線が切断されるので、焦電破壊を抑制することができ
る。

【００１９】第１，第２の発明の特定の局面では、第２
の弾性表面波素子が構成される領域上と、前記第１の弾
性表面波素子の少なくとも電極パッドが形成される領域
上のレジストを除去する工程において、同時に第２の弾
性表面波素子のＩＤＴ電極の複数のくし形電極を接続す
る短絡用配線が設けられる部分上のレジストが除去さ
れ、導電膜の形成及びリフトオフにより第２の弾性表面
波素子側においても短絡用配線が形成され、前記第２の
弾性表面波素子側の導電膜の形成及びリフトオフの後
に、前記各電極パッド上に金属バンプを形成する工程を
さらに備え、前記短絡用配線を切断する工程において、
第２の弾性表面波素子側に設けられた短絡用配線も切断
される。それによって例えばフリップチップボンディン
グにより弾性表面波素子のパッケージ化を容易に図るこ
とができる。この場合、各電極パッドが２層構造を有す
るため、圧電基板におけるクラックの発生を確実に抑制
することができる。なお、第１，第２の弾性表面波素子
の電極膜厚はいずれが厚くともよい。また、金属バンプ
形成時に電極パッドとの拡散促進のために加熱を行う
が、第２の弾性表面波素子にも短絡用配線を設けること
により、第１，第２の弾性表面波素子の焦電破壊を抑制
することができる。

【００２０】すなわち、第１の弾性表面波素子のＩＤＴ
電極の膜厚が、第２の弾性表面波素子のＩＤＴ電極の膜
厚よりも薄くされてもよく、逆に、第１の弾性表面波素
子のＩＤＴ電極の膜厚が第２の弾性表面波素子のＩＤＴ
電極の膜厚よりも厚くされていてもよい。

【００２１】本発明のある特定の局面では、前記第１の
弾性表面波素子のＩＤＴ電極の膜厚が、第２の弾性表面
波素子のＩＤＴ電極の膜厚よりも厚くされており、第１
の弾性表面波素子のＩＤＴ電極と同時に形成される、第
２の弾性表面波素子の少なくとも電極パッド層の横断面
形状が上方にいくほど細くなるように、側面にテーパー
がつけられた形状を有する。

【００２２】本発明の他の特定の局面では、上記短絡用
配線の切断が行われた後に、圧電基板上に絶縁膜が形成
される工程がさらに備えられ、それによって第１，第２
の弾性表面波素子のＩＤＴ電極などを保護することがで
きる。

【００２３】本発明のより限定的な局面では、上記絶縁
膜形成後に、少なくとも電極パッドが形成されている領
域の絶縁膜が除去される工程がさらに備えられ、それに
よって、電極パッド上に金属ワイヤなどの導電性接合材
を確実に接合することができる。さらに、電極パッド及
び金属バンプ上の絶縁膜を除去する工程後に、少なくと
も電極パッド表面をエッチングすることにより、例えば
バンプと電極パッドの界面または、電極パッド、バンプ
表面の絶縁膜やエッチャントの残渣を除去することがで
きる。従って、電極パッドとバンプまたは、バンプと外
部電極の接合性を向上することができる。

【００２４】また、上記絶縁膜の除去は、フリップチッ
プボンディングの直前にプラズマ等により処理すること
により行われるので、金属バンプ表面の汚染を防止する
ことができ、該プラズマにより金属バンプ表面を洗浄す
ることかできる。従って、それによっても、金属バンプ
の接合不良を低減することができる。

【００２５】本発明の他の特定の局面では、上記絶縁膜
の厚みを減少させることにより、第１，第２の弾性表面
波素子の周波数を調整する工程がさらに備えられる。絶
縁膜の厚みの調整は、絶縁膜形成時に厚みを制御するこ
とにより、あるいは絶縁膜形成後に厚みを低減するよう
に加工することにより容易に行うことができる。それに
よって電極形成後に第１，第２の弾性表面波素子の少な
くとも一方の周波数を容易に調整することができる。ま
た、絶縁膜形成前の周波数が目的とする周波数範囲とず
れていたとしても、上記絶縁膜の厚みの調整により、所
望とする周波数特性を有する弾性表面波装置を得ること
ができ、良品率を高め得る。

【００２６】本発明にかかる通信機は、本発明に従って
構成された弾性表面波装置の製造方法により得られた弾
性表面波装置を帯域フィルタとして備える。従って、本
発明に従って比較的簡単な工程で得られ、かつ信頼性に
優れた弾性表面波装置を帯域フィルタとして有するの
で、通信機のコストの低減及び信頼性の向上を図ること
ができる。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ、本発明
の具体的な実施例を説明することにより、本発明を明ら
かにする。

【００２８】（第１の実施例）図１〜図５を参照して第
１の実施例の弾性表面波装置の製造方法を説明する。な
お、図１（ａ），（ｂ）〜図３（ａ），（ｂ）は、弾性
表面波装置を形成する各工程における圧電基板上の電極
構造を示す平面図であり、図４（ａ）〜（ｄ）〜図５
（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、第１，第２の弾性表面波
素子の形成される部分の側面断面図を組み合わせた模式
的断面図である。例えば、図４（ａ）を例にとると、図
４（ａ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線及びＢ−Ｂ線に沿う
断面図を組み合わせた図である。図４（ｂ）〜図５
（ｃ）も同様に、２つの断面部分を組み合わせた模式的
断面図である。

【００２９】まず、図１（ａ）に示すように、圧電基板
１を用意する。圧電基板１は、本実施例では、チタン酸
ジルコン酸鉛系セラミックスのような圧電セラミックス
により構成されている。

【００３０】圧電基板１の上面の全面に、第１の弾性表
面波素子のＩＤＴ電極と等しい膜厚の第１の導電膜が形
成される。この導電膜を構成する材料としては、本実施
例ではＡｌ合金が用いられる。導電膜の形成は、蒸着、
スパッタリング、メッキ等の適宜の薄膜形成法、あるい
は他の導電膜形成方法により行われ得る。

【００３１】次に、導電膜上に全面にポジ型のレジスト
を付与する。このレジスト上に、マスクが重ねられ、露
光され、次に露光されたレジスト部分が除去される。上
記マスクは、第１の弾性表面波素子のＩＤＴ電極、反射
器、及び電極パッドと、第２の弾性表面波素子の電極パ
ッドと、配線電極と、バスバー部分とが遮蔽部とされて
いる形状を有する。次に、エッチングにより導電膜をパ
ターニングする。

【００３２】このようにして、図１（ａ）に示すよう
に、圧電基板１上に、第１の弾性表面波素子の複数のく
し形電極からなるＩＤＴ電極２と、反射器４，５と、一
対のくし形電極にそれぞれ接続されている電極パッド層
８ａ，９ａと、配線電極層１２ａ，１３ａと、短絡用配
線１６とが形成される。なお、電極パッド層８ａ，９ａ
は、配線電極層１２ａ，１３ａによりＩＤＴ電極２のバ
スバー層２ａ，２ｂに接続されるように形成されてい
る。また、短絡用配線１６は、ＩＤＴ電極２側の電極パ
ッド層８ａ，９ａを短絡するように、すなわち複数のく
し形電極を接続するように形成されている。電極パッド
８ａ，９ａは、両方が入出力端子を構成していてもよ
く、または、一方がＩＤＴ電極の入出力端子、他方がア
ース端子を構成していてもよい。また、本実施例では、
上記短絡用配線１６は、反射器４，５にも接続されてい
る。

【００３３】他方、上記第１の弾性表面波素子側とは隔
てられた位置、すなわち第２の弾性表面波素子が構成さ
れる領域においては、第２の弾性表面波素子のバスバー
層３ａ，３ｂ、配線電極層１４ａ，１５ａ及び電極パッ
ド層１０ａ，１１ａがＩＤＴ電極２と同じ厚みとなるよ
うに、同時に形成されている。

【００３４】図１（ａ）におけるＡ−Ａ線及びＢ−Ｂ線
に沿う部分の断面が図４（ａ）に示されている。上記エ
ッチングは、湿式エッチング及びプラズマなどを用いた
乾式エッチングのいずれであってもよい。また、エッチ
ングに代えて、リフトオフ法により図１（ａ）に示され
ている電極構造を形成してもよい。

【００３５】なお、第２の弾性表面波素子において、電
極パッド層１０ａ，１１ａには、本発明に従って最終的
に第２の弾性表面波素子のＩＤＴ電極の膜厚と等しい導
電膜が積層されるが、バスバー層３ａ，３ｂ、配線電極
層１４ａ，１５ａに対しては、必ずしも２層構造を有す
るように導電膜を積層しなくともよい。その場合には、
図１（ａ）に示す状態において、電極パッド層１０ａ，
１１ａのみを形成すればよく、バスバー層３ａ，３ｂ及
び配線電極層１４ａ，１５ａはこの段階で形成されな
い。

【００３６】次に、圧電基板１の上面において全面にネ
ガ型のレジストを付与する。しかる後、第１の弾性表面
波素子の電極パッド層８ａ，９ａと、配線電極層１２
ａ，１３ａ、ＩＤＴのバスバー層２ａ，２ｂと、第２の
弾性表面波素子の各種電極が形成される領域とが遮蔽部
とされているマスクを用いて、露光が行われる。次に、
露光されなかった部分のレジストを除去することによ
り、図１（ｂ）及び図４（ｂ）に示すようにパターニン
グされた第２のレジスト１８を形成する。図１（ｂ）で
は、第２の弾性表面波素子側の電極構造が形成される領
域にはレジスト１８は至っていない。なお、図１（ｂ）
では、第２の弾性表面波素子側において、バスバー３
ａ，３ｂ間に複数本の電極指が配置されているかのよう
に図示されているが、図１（ｂ）に示す状態では、電極
指が形成される位置においてレジスト１８が除去されて
いるだけであり、この段階では電極指は形成されていな
い。また、ＩＤＴ電極の両側に配置される反射器におい
ても同様である。すなわち、図１（ｂ）において第２の
弾性表面波素子側において既に形成されている電極は、
前述した図１（ａ）に示されていたバスバー層３ａ，３
ｂ、配線電極層１４ａ，１５ａ及び電極パッド層１０
ａ，１１ａだけである（図１（ｂ）でハッチングが付さ
れている部分）。

【００３７】次に、レジスト１８を加熱処理することに
より、レジストの圧電基板１への密着性が高められると
ともに、耐プラズマ性が高められる。この場合、第１の
弾性表面波素子側においては、短絡用配線１６により電
極パッド層８ａ，９ａと反射器４，５とが短絡されてい
るため、これらが同電位となり、焦電効果によるＩＤＴ
電極２、反射器４，５及びレジスト１８の破損は生じな
い。

【００３８】次に、圧電基板１の上面全面において、第
２の弾性表面波素子のＩＤＴ電極の電極指と同じ膜厚の
導電膜１９を形成する（図４（ｃ）参照）。この第２の
導電膜１９は、第１の導電膜と同様にＡｌ合金からな
り、蒸着、メッキまたはスパッタリングなどの適宜の導
電膜形成方法により形成され得る。

【００３９】上記導電膜１９の形成により、レジスト１
８が設けられていない部分において、第２の弾性表面波
素子のＩＤＴ電極の電極指、並びに反射器が形成され
る。しかる後、レジスト１８上に付与されている導電膜
１９をレジスト１８とともにリフトオフする。このよう
にして、図２（ａ）及び図４（ｄ）に示すように、圧電
基板１上に第１，第２の弾性表面波素子２２，２３の電
極構造が形成される。

【００４０】なお、図２（ａ）に示されているように、
第２の弾性表面波素子２３においては、ＩＤＴ電極３の
両側に反射器６，７が形成されており、短絡用配線１７
が、ＩＤＴ電極３の複数のくし形電極を接続するように
電極パッド１０Ａ，１１Ａを短絡しており、さらに、こ
れらと反射器６，７とを短絡するように、上記第２の導
電膜により形成されている。また、電極パッド１０Ａ，
１１Ａ、バスバー３Ａ，３Ｂ及び配線電極１４Ａ，１５
Ａは、上記製造工程から明らかなように、第１，第２の
導電膜を積層した構造、すなわち、電極パッド層１０
ａ，１１ａ，バスバー層３ａ，３ｂ及び配線電極層１４
ａ，１５ａ上に第２の導電膜が積層された構造とされて
いる。同様に、第１の弾性表面波素子２２側において
も、ＩＤＴ電極２のバスバー２Ａ，２Ｂ、電極パッド８
Ａ，９Ａ及び配線電極１２Ａ，１３Ａは、第１，第２の
導電膜が積層された２層構造を有するように構成されて
いる。

【００４１】また、上記第２の弾性表面波素子２３側の
ＩＤＴ電極３の電極指の膜厚は、第２の導電膜の膜厚に
より決定されるが、本実施例では、第２の導電膜の厚み
が第１の導電膜の厚みよりも厚くされており、それによ
って第１の弾性表面波素子のＩＤＴ電極の膜厚に比べ
て、第２の弾性表面波素子のＩＤＴ電極３の電極指の膜
厚が厚くされている。

【００４２】なお、上記第２の導電膜の形成に際し、圧
電基板１が加熱されたとしても、上記短絡用配線１７に
より電極パッド１０Ａ，１１Ａ及び反射器６，７が短絡
されているので、すなわち複数のくし形電極が短絡され
ているので、焦電効果による電極破壊やレジストの破損
が生じ難い。

【００４３】次に、図２（ｂ）に示すように、矢印Ｘ
１，Ｘ２，Ｙ１，Ｙ２で示す部分において短絡用配線１
６，１７を切断する。その結果、電極パッド８Ａと、電
極パッド９Ａと、反射器４，５とが電気的に分離され
る。同様に、第２の弾性表面波素子２３側においても、
電極パッド１０Ａと、電極パッド１１Ａと、反射器６，
７とが電気的に分離される。

【００４４】この短絡用配線１６，１７の切断は、フォ
トリソグラフィ−エッチング法により行い得る。もっと
も、短絡用配線１６，１７の切断方法は特に限定されな
い。また、フリップチップボンディングにより弾性表面
波装置をパッケージ化する必要がある場合には、上記短
絡用配線１６，１７の切断前に、図２（ｂ）及び図５
（ａ）に示されている金属バンプ２０，２０，２０，２
０を、電極パッド８Ａ，９Ａ，１０Ａ，１１Ａ上に形成
することが望ましい。この場合には、金属の相互拡散を
促進させるために圧電基板１を加熱したとしても、ＩＤ
Ｔ電極２，３における焦電破壊を防止することができ
る。

【００４５】次に、図３（ａ）及び図５（ｂ）に示すよ
うに、圧電基板１上に全面に絶縁膜２１を形成する。絶
縁膜２１は、ＳｉＯ₂などの適宜の絶縁性材料により形
成される。絶縁膜２１の形成方法は特に限定されない
が、例えばスパッタリングなどを用いることができる。

【００４６】また、好ましくは、第１の弾性表面波素子
２２の周波数と第２の弾性表面波素子２３の周波数が所
望の値となるように、上記絶縁膜２１の厚みが設定され
る。すなわち、絶縁膜２１の厚みを調整することにより
周波数調整を行うことができる。

【００４７】なお、図３（ｂ）及び図５（ｃ）に示すよ
うに、外部回路と接続するために、第１の弾性表面波素
子２２の金属バンプ２０と、第２の弾性表面波素子２３
の金属バンプ２０と、電極パッド８Ａ〜１１Ａとの上面
において絶縁膜２１を除去することが望ましく、それに
よって、ダイシェア強度を高めることができる。

【００４８】本実施例の弾性表面波装置の製造方法で
は、第１の弾性表面波素子２２のＩＤＴ電極２の形成と
同時に、第２の弾性表面波素子２３のＩＤＴ電極３のバ
スバー層３ａ，３ｂ、電極パッド層１０ａ，１１ａ及び
配線電極層１４ａ，１５ａが形成される。また、第２の
弾性表面波素子のＩＤＴ電極３の電極指を形成すると同
時に、第１，第２の弾性表面波素子２２，２３の電極パ
ッド層８ａ，９ａ，１０ａ，１１ａ、配線電極層１２
ａ，１３ａ，１４ａ，１５ａ及びバスバー層２ａ，２
ｂ，３ａ，３ｂ上にも第２の導電膜が積層され、２層構
造の電極パッド８Ａ，９Ａ，１０Ａ，１１Ａ、配線電極
１２Ａ，１３Ａ，１４Ａ，１５Ａ及びバスバー２Ａ，２
Ｂ，３Ａ，３Ｂが形成される。

【００４９】従って、従来の弾性表面波装置に比べて、
第１，第２の弾性表面波素子の双方において、圧電基板
１に対する電極パッド８Ａ〜１１Ａ及び配線電極１２Ａ
〜１５Ａ等の密着性を高めることができる。また、金属
バンプ等による外部との接合に際しての電極パッド８
Ａ，９Ａ，１０Ａ，１１Ａの破損が生じ難く、さらに圧
電基板１におけるクラックも生じ難い。

【００５０】上記のように、第１の弾性表面波素子２２
のＩＤＴ電極２の電極指形成と同時に短絡用配線１６が
形成されており、第２の弾性表面波素子２３側において
もＩＤＴ電極３の電極指の形成と同時に短絡用配線１７
が形成されるので、レジストの加熱時、金属バンプ形成
時あるいは絶縁膜形成時に圧電基板１が加熱されたとし
ても、ＩＤＴの焦電破壊やレジストの破損が生じ難い。
加えて、このような短絡用配線１６，１７が、ＩＤＴ電
極２または３の形成工程で同時に形成されるので、短絡
用配線を形成するための余分な工程を必要としない。

【００５１】さらに、本実施例の製造方法では、上記絶
縁膜２１の厚みを制御することにより周波数を調整する
ことができるので、弾性表面波装置の周波数ばらつきを
抑制することができ、それによって弾性表面波装置の良
品率を高めることができる。

【００５２】また、本実施例の弾性表面波装置では、電
極のパターニングを高精度に行うことができる。従っ
て、図６に示すように、フィルタ特性を改善することが
できる。図６において、実線は、本実施例に従って構成
された弾性表面波装置の減衰量周波数特性を、破線は、
比較のために用意した従来の弾性表面波装置の周波数特
性を示す。

【００５３】なお、従来の弾性表面波装置としては、第
１，第２の弾性表面波素子の電極パッド、ＩＤＴ電極の
バスバー及び配線電極が、それぞれ、第１，第２の弾性
表面波素子のＩＤＴ電極の電極指の膜厚と等しい単一の
導電膜で形成されていることを除いては、上記実施例と
同様にして構成されたものを用意した。

【００５４】図６から明らかなように、本実施例によれ
ば、帯域内における挿入損失のばらつきが小さく、かつ
通過帯域近傍におけるフィルタ特性の急峻性が高められ
ていることがわかる。

【００５５】（変形例）次に、上記実施例の変形例を説
明する。本変形例では、第２の弾性表面波素子２３側に
おけるＩＤＴ電極３の電極指とバスバーとの電気的接続
方法が変更されている。その他の点については、第１の
実施例と同様である。

【００５６】まず、上述した第１の実施例では、第１の
弾性表面波素子２２のＩＤＴ電極の電極指の膜厚が、第
２の弾性表面波素子のＩＤＴ電極の電極指の膜厚よりも
薄くされている。従って、図７に示すように、上記実施
例の製造方法を経て得られた弾性表面波装置において、
第２の弾性表面波素子側におけるバスバー３Ｂは、第１
の弾性表面波素子のＩＤＴ電極の電極指と同じ膜厚のバ
スバー層３ｂ上に第２の弾性表面波素子のＩＤＴ電極の
電極指の膜厚に等しい第２のバスバー層３ｂ₁を積層し
た構造を有し、この場合、電極指３ｃは、直接第２のバ
スバー層３ｂ₁と連なることになるため、バスバー３Ｂ
と電極指３ｃの電気的接続を確実にすることができる。

【００５７】これに対して、図８に示すように、第１の
弾性表面波素子のＩＤＴの電極指の膜厚が第２の弾性表
面波素子のＩＤＴ電極の電極指の膜厚よりも厚くてもよ
い。この場合は、第２の弾性表面波素子のバスバー３Ｂ
は、第１の弾性表面波素子のＩＤＴ電極の電極指の膜厚
と等しいバスバー層３ｂ上に、第２の弾性表面波素子の
ＩＤＴ電極の電極指３ｃと膜厚の等しい第２のバスバー
層３ｂ₁が積層される。従って、ＩＤＴ電極３の電極指
３ｃの端面がバスバー３Ｂのバスバー層３ｂの側面に接
触して、バスバー３Ｂと電極指３ｃの導通が図られる。

【００５８】図９は、第１の実施例のさらに他の変形例
を説明するための断面図である。第２の変形例では、図
８に示した変形例と同様に、第１の弾性表面波素子２２
の電極指の膜厚が、第２の弾性表面波素子のＩＤＴ電極
の電極指の膜厚よりも厚くされている。しかしながら、
バスバー層３ｂは、上方に行くほど幅が狭くなるよう
に、その側面にテーパーが付けられている。従って、最
終的に得られた弾性表面波装置では、電極指３ｃと、第
２のバスバー層３ｂ₁とが図９に示すように連ねられ
る。よって、図８に示した変形例の場合に比べて、電極
指３ｃとバスバー３Ｂとの電気的接続の信頼性が高めら
れる。

【００５９】なお、上述した実施例では、圧電基板１を
構成する材料として圧電セラミックスを示したが、Ｌｉ
ＴａＯ₃、ＬｉＮｂＯ₃、水晶、四硼酸リチウム、ランガ
サイトなどの圧電単結晶により圧電基板１を構成しても
よい。また、アルミナなどの絶縁性基板上にＺｎＯ薄膜
などの圧電性薄膜を形成することにより圧電基板１を構
成してもよい。

【００６０】さらに、上記実施例では、反射器４，５，
６，７が設けられていたが、本発明においては、弾性表
面波装置は反射器を有しない構造のものであってもよ
く、反射器やＩＤＴ電極の構造についても特に限定され
ない。

【００６１】また、金属バンプを構成する材料や電極形
成材料についても、ＡｌもしくはＡｌ合金の他、様々な
金属材料を用いることができる。さらに、周波数調整の
ために形成される絶縁膜２１を構成する材料について
も、ＳｉＯ₂に限定されるものではない。

【００６２】本発明は、本発明により製造される弾性表
面波装置については、特に限定されず、弾性表面波共振
子、弾性表面波フィルタ、デュプレクサなど様々な弾性
表面波装置の製造に本発明を適用することができる。

【００６３】図１０は、本発明に係る弾性表面波装置を
用いた通信機１６０を説明するための各概略ブロック図
である。図１０において、アンテナ１６１に、デュプレ
クサ１６２が接続されている。デュプレクサ１６２と受
信側ミキサ１６３との間に、ＲＦ段を構成する弾性表面
波フィルタ１６４及び増幅器１６５が接続されている。
さらにミキサ１６３にＩＦ段の表面波フィルタ１６９が
接続されている。また、デュプレクサ１６２と送信側の
ミキサ１６６との間には、ＲＦ段を構成する増幅器１６
７及び弾性表面波フィルタ１６８が接続されている。

【００６４】上記通信機１６０における表面波フィルタ
１６４，１６８として本発明に従って構成された弾性表
面波装置を好適に用いることができる。

【００６５】

【発明の効果】第１，第２の発明にかかる弾性表面波装
置の製造方法では、第１の弾性表面波素子のＩＤＴ電極
の形成と同時に、第２の弾性表面波素子の電極パッドが
少なくとも形成され、第２の弾性表面波素子の電極を完
成させるにあたり、第２の弾性表面波素子のＩＤＴ電極
の形成と同時に、第１，第２の弾性表面波素子の電極パ
ッドが２層化される。従って、２回の電極形成プロセス
を用いるだけで、２層構造の電極パッドを形成すること
ができ、第１，第２の弾性表面波素子のいずれの電極パ
ッドも２層構造を有するため、フリップチップボンディ
ング等における圧電基板のクラックを抑制することがで
きる。

【００６６】加えて、第１の弾性表面波素子のＩＤＴ電
極形成時に短絡用配線が形成され、第１，第２の弾性表
面波素子の電極形成後に該短絡用配線の一部が切断され
るので、電極形成工程において加熱されたとしても、電
極の焦電破壊やレジストの破損等が生じ難い。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ），（ｂ）は、本発明の一実施例における
製造方法において、圧電基板上に形成されている電極構
造及び電極構造上に形成されたレジストの形状を説明す
るための平面図。

【図２】（ａ），（ｂ）は、本発明の一実施例の製造方
法において、第２の弾性表面波素子の電極を形成した状
態を示す平面図及び金属バンプの形成及び短絡用配線の
切断後の状態を示す各平面図。

【図３】（ａ），（ｂ）は、本発明の一実施例の製造方
法において、絶縁膜を形成した状態を示す平面図、及び
絶縁膜の一部を除去した状態を示す平面図。

【図４】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施例の製造方
法において、電極形成工程を説明するための各模式的断
面図であり、２つの部分が組み合わされている図。

【図５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施例の製造方
法において、バンプの形成及び絶縁膜の形成並びに絶縁
膜の一部を除去した状態を示す各模式的断面図であり、
２つの部分が組み合わされている図。

【図６】本発明の一実施例により得られた弾性表面波装
置と、従来の弾性表面波装置の減衰量周波数特性を示
す。

【図７】第１の実施例における第２の弾性表面波素子の
ＩＤＴの電極指とバスバーとの電気的接続構造を説明す
るための部分切欠断面図。

【図８】第１の変形例における第２の弾性表面波素子の
ＩＤＴの電極指とバスバーとの電気的接続構造を説明す
るための部分切欠断面図。

【図９】第２の変形例における第２の弾性表面波素子の
ＩＤＴの電極指とバスバーとの電気的接続構造を説明す
るための部分切欠断面図。

【図１０】本発明に係る弾性表面波装置が用いられてい
る通信機を説明するための概略ブロック図。

【図１１】（ａ）〜（ｆ）は、従来の弾性表面波装置の
製造方法の一例を説明するための各断面図。

【符号の説明】

１…圧電基板２，３…ＩＤＴ電極２Ａ，２Ｂ，３Ａ，３Ｂ…バスバー２ａ，２ｂ，３ａ，３ｂ…バスバー層４，５，６，７…反射器８Ａ，９Ａ，１０Ａ，１１Ａ…電極パッド８ａ，９ａ，１０ａ，１１ａ…電極パッド層１２Ａ，１３Ａ，１４Ａ，１５Ａ…配線電極１２ａ，１３ａ，１４ａ，１５ａ…配線電極層１６，１７…短絡用配線１８…第１のレジスト１９…第２の導電膜２０…バンプ２１…絶縁膜２２，２３…第１，第２の弾性表面波素子１６０…通信機１６１…アンテナ１６２…デュプレクサ１６３，１６６…ミキサ１６４…弾性表面波フィルタ１６５…増幅器１６７…増幅器１６８…弾性表面波フィルタ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】圧電基板上に、複数のくし形電極を有す
るＩＤＴ電極及び該ＩＤＴ電極に接続された電極パッド
を有しかつ電極膜厚が異なる第１，第２の弾性表面波素
子が構成されている弾性表面波装置の製造方法であっ
て、前記第１の弾性表面波素子のＩＤＴ電極及び電極パッド
の一部の層である電極パッド層、第２の弾性表面波素子
の少なくとも前記電極パッドの一部の層である電極パッ
ド層、並びに前記第１の弾性表面波素子のＩＤＴ電極の
複数のくし形電極を接続する短絡用配線を形成する工程
と、前記第１の弾性表面波素子のＩＤＴ電極及び電極パッド
層が形成されている領域と第２の弾性表面波素子の少な
くとも電極パッド層が形成されている部分を含む領域と
にレジストを付与し、加熱する工程と、前記第２の弾性表面波素子が構成される領域上と、前記
第１の弾性表面波素子の少なくとも電極パッド層が形成
されている領域上のレジストを除去する工程と、前記第２の弾性表面波素子のＩＤＴ電極の電極膜厚と等
しい膜厚の導電膜を形成する工程と、前記レジスト及びレジスト上に付与されている導電膜を
リフトオフする工程と、前記短絡用配線を切断する工程とを備える、弾性表面波
装置の製造方法。
【請求項２】圧電基板上に、複数のくし形電極を有す
るＩＤＴ電極及び該ＩＤＴ電極に接続された電極パッド
を有しかつ電極膜厚が異なる第１，第２の弾性表面波素
子が構成されている弾性表面波装置の製造方法であっ
て、前記圧電基板上の全面に第１のレジストを付与する工程
と、前記第１の弾性表面波素子のＩＤＴ電極及び電極パッド
層が形成される領域と、第２の弾性表面波素子の少なく
とも電極パッド層が形成される領域のレジストを除去す
ると同時に、第１の弾性表面波素子のＩＤＴ電極の複数
のくし形電極を接続する短絡用配線が設けられる部分上
のレジストを除去する工程と、前記第１の弾性表面波素子のＩＤＴ電極の電極膜厚と等
しい膜厚の導電膜を形成する工程と、前記第１のレジスト及び第１のレジスト上に付与されて
いる導電膜をリフトオフし、第１の弾性表面波素子のＩ
ＤＴ電極、電極パッドの一部の層である電極パッド層、
第２の弾性表面波素子の電極パッドの一部の層である電
極パッド層、及び前記短絡用配線を形成する工程と、前記第１の弾性表面波素子のＩＤＴ電極及び電極パッド
層並びに第２の弾性表面波素子の少なくとも電極パッド
層が形成されている部分を含む領域上に第２のレジスト
を付与し、加熱する工程と、第２の弾性表面波素子が構成される領域上と、第１の弾
性表面波素子の少なくとも電極パッド層が形成されてい
る領域上の第２のレジストを除去する工程と、前記第２の弾性表面波素子のＩＤＴ電極の電極膜厚と等
しい膜厚の導電膜を形成する工程と、前記第２のレジスト及び第２のレジスト上に形成されて
いる導電膜をリフトオフする工程と、前記短絡用配線を切断する工程とを備える、弾性表面波
装置の製造方法。
【請求項３】第２の弾性表面波素子が構成される領域
上と、前記第１の弾性表面波素子の少なくとも電極パッ
ドが形成される領域上のレジストを除去する工程におい
て、同時に第２の弾性表面波素子のＩＤＴ電極の複数の
くし形電極を接続する短絡用配線が設けられる部分上の
レジストが除去され、導電膜の形成及びリフトオフによ
り第２の弾性表面波素子側においても短絡用配線が形成
され、前記第２の弾性表面波素子側の導電膜の形成及び
リフトオフの後に、前記各電極パッド上に金属バンプを
形成する工程をさらに備え、前記短絡用配線を切断する工程において、第２の弾性表
面波素子側に設けられた短絡用配線も切断されることを
特徴とする、請求項１または２に記載の弾性表面波装置
の製造方法。
【請求項４】第１の弾性表面波素子のＩＤＴ電極の膜
厚が、第２の弾性表面波素子のＩＤＴ電極の膜厚よりも
薄くされている、請求項１〜３のいずれかに記載の弾性
表面波装置の製造方法。
【請求項５】前記第１の弾性表面波素子のＩＤＴ電極
の膜厚が、第２の弾性表面波素子のＩＤＴ電極の膜厚よ
りも厚くされており、第１の弾性表面波素子のＩＤＴ電極と同時に形成され
る、第２の弾性表面波素子の少なくとも電極パッド層の
横断面形状が上方にいくほど細くなるように、側面にテ
ーパーがつけられた形状を有する、請求項１〜３のいず
れかに記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項６】前記短絡用配線の切断を行った後に、圧
電基板上に絶縁膜を形成する工程をさらに備える、請求
項１〜５のいずれかに記載の弾性表面波装置の製造方
法。
【請求項７】前記絶縁膜を形成した後に、少なくとも
電極パッドが形成されている領域の絶縁膜を除去する工
程を備える、請求項６に記載の弾性表面波装置の製造方
法。
【請求項８】前記金属バンプ上の絶縁膜を除去する工
程後に、少なくとも電極パッド表面をエッチングする工
程を備えることを特徴とする、請求項７，８に記載の弾
性表面波装置の製造方法。
【請求項９】前記絶縁膜の厚みを減少させることによ
り弾性表面波素子の周波数を調整する工程をさらに備え
る、請求項６〜８のいずれかに記載の弾性表面波装置の
製造方法。
【請求項１０】請求項１〜９のいずれかに記載の弾性
表面波装置の製造方法により得られた弾性表面波装置を
帯域フィルタとして備えることを特徴とする、通信機。