JP4731026B2 - 弾性表面波装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、携帯電話やセルラ電話等の移動体用通信機器などに高周波素子として好適に使用される弾性表面波装置及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来技術とその課題】
従来の弾性表面波装置の構造例を図4(a),(b)に示す。なお、簡単のため、図4(a)においては保護膜2の図示を省略している。また、図4(b)は図4(a)におけるA4−A4線断面図である。
【0003】
図4(a),(b)、に示すように、例えばタンタル酸リチウム単結晶から成る圧電基板1上に、弾性表面波を励振する櫛歯状をなす励振電極4と、これに接続されたパッド電極3と、パッド電極3の上面の一部を除く領域に形成した酸化物等から成る保護膜2とを設けて弾性表面波装置が構成されている。
【0004】
ところが、パッド電極3にワイヤやバンプを接合する場合、その接合時に大きな外力が加わることがあり、パッド電極3が圧電基板1から容易に剥離するなどの問題があった。すなわち、パッド電極3は励起電極4と同時に同一膜厚に形成されるのが一般的であり、例えば約200nm程度と非常に薄いので、バンプ等を形成した後の外力で剥離が生じたり、ワイヤやバンプがパッド電極3に接合しにくいという問題があった。
【0005】
また、励起電極4やパッド電極は一般にAl(アルミニウム)やAlを主成分とした合金の同一材料形成されるが、ワイヤやバンプは一般にAu(金)が使用される。このように、パッド電極3とワイヤやバンプの材料が異なり、両者の材料のなじみが悪い(例えば濡れ性が悪い)ことから、ワイヤやバンプとパッド電極3との接合強度が弱かった。
【0006】
また図4と同様に図示した図3(a)、(b)(図3(b)は図3(a)におけるA3−A3線断面図である)に示すように、図4に示す弾性表面波装置と同様な構成においてパッド電極3を下部層3Aと上部層3Bとから成る2層構造とし、パッド電極3の膜厚を厚くしたものも知られている。
【0007】
ところが、パッド電極3が積層構造であるので、例えばパッド電極の1層目の下部層3Aが製造工程中において大気にさらされたときに表面が酸化し、これにより下部層3Aと2層目の上部層3Bとの接合強度が低下し、両者の界面で密着強度が低下するという問題があった。特に、2層目の上部層3BにAlまたはAlを主成分にした材料を選択した場合、AlまたはAlを主成分にした材料とAuバンプとの接合強度が弱くなる。
【0008】
一方、上部層3BにAuまたはAuを主成分にした材料を選択すると、パッド電極3と励起電極2との接合強度が弱くなる。
【0009】
このような弾性表面波装置を製造する場合、(1)圧電基板1の表面を洗浄処理する工程と、(2)フォトリソグラフィにより所望形状にフォトレジストを形成する工程と、(3)励振電極4及びパッド電極3の下部層3Aの領域をエッチングにより除去する工程と、(4)励振電極4及びパッド電極3の上に保護膜2を成膜する工程と、(5)フォトリソグラフィにより所望形状にフォトレジストを形成する工程と、(6)保護膜2の電極パッド3B領域をエッチングにより除去する工程と、(7)パッド電極3の上部層3Bを成膜する工程と、(8)リフトオフによりパッド電極3の上部層3Bを形成する工程とから成る。
【0010】
ここで、パッド電極3の下部層3Bの剥離を低減するためには、圧電基板1と下部層3Bの密着強度を向上させることも考えられる。そのためには、前記工程(1)の圧電基板1表面をUV照射、O2プラズマ処理、酸溶液により有機物等を除去して清浄化したり、Ar、O2などの逆スパッタなどにより表面を活性化することにより、密着強度を高めるなどの方法が知られている。
【0011】
しかし、前記工程(7)の前において、電極パッド3Aが大気にさらされている1層目の下部層3Aの表面が酸化され、バンプとの接合や2層目のパッド電極との接合が弱くなるという問題があった。
【0012】
そこで本発明は、前記従来の問題を解消し、密着強度を向上させることができ、バンプやワイヤを接合した後の剥がれを極力防止することができる、信頼性の高い弾性表面波装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、本発明の弾性表面波装置は、圧電基板上に、弾性表面波を励振する励振電極と、該励振電極に接続され該励振電極より厚い単層のパッド電極とをそれぞれ配設するとともに、励振電極の上及びパッド電極の外周部に保護膜を形成したことを特徴とする。ここで特に、励振電極とパッド電極とが互いに異なる導電材料から成ることとする。
【0014】
また、本発明の弾性表面波装置の製造方法は、圧電基板上に、弾性表面波を励振する励振電極を形成する工程と、励振電極を含む領域上に保護膜を積層する工程と、保護膜上のパッド電極形成領域を除く所定領域にフォトレジスト膜を積層する工程と、保護膜のパッド電極形成領域を除去して圧電基板の一部及び励振電極の一部を露出させる工程と、露出させた圧電基板の表面の付着物を除去して表面清浄化処理を行う工程と、フォトレジスト膜の上、露出させた圧電基板の上、及び露出させた励振電極の上に、パッド電極材料を積層する工程と、フォトレジスト膜を除去してパッド電極を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【0015】
特に、圧電基板の表面清浄化処理は、紫外線照射、気相反応、またはエッチングにより行うこととする。ここで気相反応は、例えば、酸素を用いたプラズマを利用したり、Ar(アルゴン)または酸素(O2)を用いた逆スパッタにて行うものとする。また、エッチングは、例えばふっ酸、硝酸または燐酸等の酸性溶液により行うものとする。
【0016】
本発明によれば、励振電極とパッド電極とを互いにことなる材料とすることで、ボンディングワイヤやバンプに適したパッド電極の材料を選択でき、ワイヤやバンプの接合強度を高めることができる。また、励振電極の膜厚と関係なくパッド電極を厚くすることにより、外力に対する強度を向上させ、剥離が発生しづらくなる。また、パッド電極が単層なので酸化層の介在を防止することができる。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る弾性表面波装置及びその製造方法の実施形態について模式的に示した図面に基づき詳細に説明する。
【0018】
本発明の弾性表面波装置の構造例を図1(a),(b)に示す。なお、簡単のため、図1(a)においては保護膜2の図示を省略している。また、図1(b)は図1(a)におけるA1−A1線断面図である。
【0019】
図1に示すように、本発明の弾性表面波装置は、例えばタンタル酸リチウム単結晶、四ほう酸リチウム単結晶、ランガサイト型結晶構造を有する単結晶などから成る厚み0.35mm程度の圧電基板1上に、AlやAlを主成分とした合金から成り、単層または複数層の厚み150〜500nm程度の励振電極4を複数、配設・接続し、さらに各励振電極4にはこれより厚く形成された単層のパッド電極5を接続してラダー型回路構成としている。そして、圧電基板1上にはパッド電極5を除く領域に(パッド電極5の外周部に)、酸化珪素または窒化珪素等の保護膜2を厚み10〜100nm程度に形成している。
【0020】
ここで、各励振電極4は1対の櫛歯状電極を互いに噛み合うように構成されており、その弾性表面波の伝搬方向に位置する両端部に反射器電極を配設した例を示しているが、反射器電極は形成させない場合もある。なお、説明の都合上、励振電極4は各櫛歯状電極に接続された配線をも含めて励振電極というものとする。
【0021】
ここで、パッド電極5を構成する材料を励振電極4に一般に使用されるAlやAlを主体とする合金と異なる導電材料(特に金属材料)、すなわち、Auや半田を用いるバンプやボンディングワイヤと同様な材料を選択することにより、両者の材料がよくなじむのでバンプやボンディングワイヤとの接合強度を大きくすることができる。
【0022】
弾性表面波装置の励振電極の膜厚は、例えば1.9GHz帯に用いる弾性表面波フィルタなどではおよそ200nmである。しかし、この厚さではバンプを形成する際の強度が十分でなく剥がれが生じたり、バンプが接合できなかったりする。そこで、このように、パッド電極5を励振電極4より厚く最適膜厚とすることで、バンプの接合を容易にさせることができる。
【0023】
また、一般に弾性表面波フィルタの励振電極はAlかAlを主成分とした合金であるが、今後他のCu,Agでも作製される可能性がある。その場合も本発明の構造ではパッド電極のほとんどが圧電基板上に成膜されるため、種類の異なる膜同士の密着強度が弱いという問題を考える必要がないので、常に所望の電極パッド材料を適宜に選択できる。
【0024】
本発明の弾性表面波装置の製造方法について、図2(a)〜(g)の工程図に基づき詳細に説明する。
【0025】
まず、図2(a)に示すように、圧電基板1上に励振電極材料を蒸着法やスパッタ法等の薄膜形成法により所定膜厚に形成する。
【0026】
次に、図2(b)に示すように、フォトリソグラフィ法とRIE法等により、所定パターン形状を有する励振電極4を形成した後に、励振電極4を含む領域上、すなわち、圧電基板1上及び励振電極4上にCVD法等の薄膜形成法により、保護膜12を圧電基板1上のほぼ全面に積層する。
【0027】
次に、図2(c)に示すように、保護膜12上のパッド電極形成領域12aを除く所定領域にフォトレジスト膜6を積層する。
【0028】
次に、図2(d)に示すように、フォトリソグラフィ法とRIE法等を用い、図2(c)における保護膜12のパッド電極形成領域12aを除去して、圧電基板1の一部(面1a)及び励振電極4の一部(配線端部4a)を露出させ、所定パターン形状の保護膜2を形成する。
【0029】
次に、図2(e)に示すように、露出させた圧電基板1の表面に付着したレジスト等の付着物を除去して表面清浄化処理を行う。ここで、この表面清浄化処理は、紫外線照射、気相反応、またはエッチングにより行う。
【0030】
次に、図2(f)に示すように、フォトレジスト膜6の上、露出させた圧電基板1の面1a、及び露出させた励振電極4の配線端部4aの上に、スパッタ法や蒸着法等の薄膜形成法を用いて、圧電基板1上のほぼ全面にパッド電極材料15を積層する。
【0031】
そして、図2(g)に示すように、フォトレジスト膜6をリフトオフ法により除去して、所定形状のパッド電極5を形成することによって弾性表面波装置を製造する。
【0032】
ここで、パッド電極5を成膜する前に、その成膜させる圧電基板1の表面を清浄にするので、パッド電極5と圧電基板1との密着強度が増し、その後にバンプやボンディングワイヤを接合させる際の剥離などを極力防止することができる。
【0033】
また、同様に前記表面浄化処理をUV照射、または気相反応(O2によるプラズマ処理、またはArやO2の逆スパッタ粒子による反応を用いたり、薄いふっ酸、硝酸、または燐酸等の酸溶液により圧電基板1の表面をエッチングして清浄化することによっても同様な効果が得られる。
【0034】
【実施例】
次に本発明をより具体化した実施例について説明する。
【0035】
タンタル酸リチウム単結晶からなる厚み0.35mmの圧電基板の上に、DCスパッタ装置を用いてAl−Cu(1wt%)の合金を厚み200nm程度に成膜した(なお、1.9GHz帯SAWフィルタの場合200nmが好適である)。
【0036】
次に、スピンコーターを用いてフォトレジスト膜をコーティングし、縮小投影露光機(ステッパー)により露光を行った。
【0037】
励振電極のパターンはラダー型の1.9GHz帯用に適した回路構成とした。
【0038】
露光後、現像とRIEを行い所望形状の励振電極パターンを形成した。
【0039】
その後、SiO2から成る保護膜をCVD装置で300℃にて成膜した。なお、この保護膜の材料としてはSiO2が好適である。なぜなら、SiO2は熱膨張係数が小さいため基板の伸縮がおさえられ、SAWフィルタの温度特性が改善されるからである。また、この保護膜の好適な膜厚は15nm〜100nmである。その理由は、15nmより薄いと保護膜の絶縁効果がなくなり、100nmより厚いとフィルタの電気特性である挿入損失が5dB以上となり特性が劣化するからである。
【0040】
その後、再度フォトリソグラフィを行い、パッド電極の形状にフォトレジストを現像し除去した。
【0041】
次に、O2とCF4ガスにてSiO2にドライエッチングを施した。
【0042】
このとき、パッド電極形状にタンタル酸リチウム単結晶基板の一部表面と励振電極の一部を露出させた。
【0043】
次に、UV照射を10分行い、基板表面のレジストなどの有機物を除去して清浄化した後、蒸着法によりAuを800nmの厚みに成膜した。ここで、パッド電極の材料は後に付けるバンプの材料と同じものが好適であり、バンプやワイヤの材料をAuとする場合、Auを選択して形成した。また、その厚みは800nm以上であることが好ましい。これは、厚いほど薄膜は破れにくくなるので、バンプやワイヤの形成後の引っ張りに対し耐性が高くなるためである。90℃の剥離液の中でフォトレジスト膜及びその上に成膜したAu膜を剥離し、パッド電極を形成した。
【0044】
次に、これらパッド電極上にAuバンプを形成した。この接合状態は良好であった。
【0045】
かくして、本実施例によれば、ダイシェア強度を測定した結果、従来構造では0.5N以下であったのに対して、1.0N以上の非常に高い値が得られた。
【0046】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の弾性表面波装置及びその製造方法によれば、従来技術に比べ、パッド電極の膜厚を任意に厚くするので剥がれに強い、信頼性の高い優れた弾性表面波装置を提供できる。また、パッド電極部分が単層で積層構造ではないため、従来のように積層界面からの剥離のない、信頼性に優れた弾性表面波装置を提供できる。
【0047】
また、パッド電極の構成材料をバンプやボンディングワイヤとの接合に適した材料にすることにより、バンプやワイヤの接合を確実にかつ堅固にすることができ、剥がれにくい信頼性の高い優れた弾性表面波装置を提供できる。
【0048】
また、パッド電極の剥がれに対する強度やバンプやボンディングワイヤの接着強度が十分な場合は、パッド電極を薄くすることができ、成膜時間や成膜材料の節約が図れる優れた弾性表面波装置を提供できる。
【0049】
また、従来、励振電極と異なる材料のパッド電極を用いる場合は中間層を設ける必要があったが、本発明ではそのような考慮は全く不要であり、圧電基板上に直接単層のパッド電極を設けるので、任意の材料を選択しても圧電基板及びバンプやワイヤに対する密着強度が大きくすることができ、信頼性の高い優れた弾性表面波装置を提供できる。
【0050】
さらに、圧電基板の表面浄化処理により、圧電基板とパッド電極の密着強度を向上させることができ、バンプやワイヤを接合した後の剥がれを極力防止することができる、信頼性の高い弾性表面波装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る弾性表面波装置の実施形態を模式的に説明する図であり、(a)は平面図、(b)は(a)のA1−A1線断面図である。
【図2】(a)〜(g)は、それぞれ本発明に係る弾性表面波装置の製造工程を模式的に説明する断面図である。
【図3】従来の弾性表面波装置を模式的に説明する図であり、(a)は平面図、(b)は(a)のA3−A3線断面図である。
【図4】従来の他の弾性表面波装置を模式的に説明する図であり、(a)は平面図、(b)は(a)のA4−A4線断面図である。
【符号の説明】
1:圧電基板
2、12:保護膜
3:パッド電極
4:励振電極
5:パッド電極
Claims (2)
- 圧電基板上に、弾性表面波を励振する励振電極を形成する工程と、前記励振電極を含む領域上にSiO 2 からなる保護膜を積層した後、前記保護膜上のパッド電極形成領域を除く所定領域にフォトレジスト膜を積層する工程と、前記保護膜の前記パッド電極形成領域を除去して前記圧電基板の一部及び前記励振電極の一部を露出させる工程と、前記圧電基板の露出部分に対し、紫外線照射、気相反応、またはエッチングのいずれかの方法によって表面清浄化処理を行った後、前記フォトレジスト膜の上、前記露出させた圧電基板の上、及び前記露出させた励振電極の上に、単一のパッド電極材料を前記励振電極の厚みよりも厚く積層する工程と、前記フォトレジスト膜を除去してパッド電極を形成する工程とを含むことを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
- 前記圧電基板がタンタル酸リチウム単結晶からなり、前記表面浄化処理が紫外線照射により行われ、前記パッド電極材料がAuであることを特徴とする請求項1に記載の弾性表面波装置の製造方法。
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