JP3275775B2 - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
- Publication number
- JP3275775B2 JP3275775B2 JP12720797A JP12720797A JP3275775B2 JP 3275775 B2 JP3275775 B2 JP 3275775B2 JP 12720797 A JP12720797 A JP 12720797A JP 12720797 A JP12720797 A JP 12720797A JP 3275775 B2 JP3275775 B2 JP 3275775B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- solder
- electrode layer
- layer
- acoustic wave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
- H03H9/059—Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ベース基板に半田
バンプ接続して載置されたＳＡＷ素子がベース基板とキ
ャップとを半田付けして形成されたパッケージ内に封止
された弾性表面波装置に関する。
バンプ接続して載置されたＳＡＷ素子がベース基板とキ
ャップとを半田付けして形成されたパッケージ内に封止
された弾性表面波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ＳＡＷ素子を半田バンプ接続
してベース基板に載置し、ベース基板と金属キャップと
を半田接合してＳＡＷ素子を封止した弾性表面波装置が
知られている。図４は、このような弾性表面波装置の従
来のＳＡＷ素子のバンプ電極形成領域を示す断面図であ
る。
してベース基板に載置し、ベース基板と金属キャップと
を半田接合してＳＡＷ素子を封止した弾性表面波装置が
知られている。図４は、このような弾性表面波装置の従
来のＳＡＷ素子のバンプ電極形成領域を示す断面図であ
る。
【０００３】従来のＳＡＷ素子は、表面波基板１１を有
し、表面波基板１１の一方主面には、図４に示すよう
に、ＩＤＴ電極（図示せず）や反射器電極（図示せ
ず）、ＩＤＴ電極から引出された引出電極１４が形成さ
れ、引出電極１４の先端部にバンプ電極４０が形成され
ている。引出電極１４、バンプ電極４０は蒸着、スパッ
タリング等の方法により形成される。引出電極１４はＡ
ｌ電極からなり、バンプ電極４０は、通常複数の電極膜
の層からなり、このＳＡＷ素子ではＮｉＣｒ膜４０ａ／
Ｎｉ膜４０ｂ／Ａｇ膜４０ｃの同一形状の３層の電極膜
で構成されている。
し、表面波基板１１の一方主面には、図４に示すよう
に、ＩＤＴ電極（図示せず）や反射器電極（図示せ
ず）、ＩＤＴ電極から引出された引出電極１４が形成さ
れ、引出電極１４の先端部にバンプ電極４０が形成され
ている。引出電極１４、バンプ電極４０は蒸着、スパッ
タリング等の方法により形成される。引出電極１４はＡ
ｌ電極からなり、バンプ電極４０は、通常複数の電極膜
の層からなり、このＳＡＷ素子ではＮｉＣｒ膜４０ａ／
Ｎｉ膜４０ｂ／Ａｇ膜４０ｃの同一形状の３層の電極膜
で構成されている。
【０００４】そして、上記ＳＡＷ素子のバンプ電極４０
がベース基板上のそれぞれに対応する電極ランドに半田
付け（半田バンプ接続）されて、ＳＡＷ素子がベース基
板に支持固定されるとともに電気的に接続され、ＳＡＷ
素子を覆うように、金属キャップがベース基板の接合ラ
ンドに半田付けされて、ＳＡＷ素子がベース基板と金属
キャップとで形成された空間内に封止されている。
がベース基板上のそれぞれに対応する電極ランドに半田
付け（半田バンプ接続）されて、ＳＡＷ素子がベース基
板に支持固定されるとともに電気的に接続され、ＳＡＷ
素子を覆うように、金属キャップがベース基板の接合ラ
ンドに半田付けされて、ＳＡＷ素子がベース基板と金属
キャップとで形成された空間内に封止されている。
【０００５】上記ベース基板の電極ランド上には、予め
予備半田が施され、ＳＡＷ素子とベース基板との半田に
よる固定・接続はリフロー半田付け法により行われる。
予備半田が施され、ＳＡＷ素子とベース基板との半田に
よる固定・接続はリフロー半田付け法により行われる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、バンプ
電極の膜厚は薄く、上記従来の弾性表面波装置において
は、ＳＡＷ素子をベース基板に半田付けした場合、溶融
した半田がバンプ電極４０の外周側面を伝って引出電極
１４であるＡｌ電極に接触してＡｌ電極が半田により腐
食し、引出電極１４の接続不具合、断線等による特性不
良が発生するという問題があった。
電極の膜厚は薄く、上記従来の弾性表面波装置において
は、ＳＡＷ素子をベース基板に半田付けした場合、溶融
した半田がバンプ電極４０の外周側面を伝って引出電極
１４であるＡｌ電極に接触してＡｌ電極が半田により腐
食し、引出電極１４の接続不具合、断線等による特性不
良が発生するという問題があった。
【０００７】そこで、本発明の目的は、半田によるＡｌ
電極の腐食を防止することができ、よって、引出電極の
接続不具合による特性不良が発生することのない弾性表
面波装置を提供することにある。
電極の腐食を防止することができ、よって、引出電極の
接続不具合による特性不良が発生することのない弾性表
面波装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に係る発明は、ＩＤＴ電極とＩＤＴ電極か
ら引出されたＡｌからなる引出電極が形成され、かつ引
出電極上の一部にバンプ電極が形成されたＳＡＷ素子
を、電極ランドが形成されたベース基板に、前記バンプ
電極と前記電極ランドとを半田バンプ接続して載置して
なる弾性表面波装置において、前記バンプ電極が、前記
引出電極上に形成され、前記引出電極と電気的に接続さ
れた第１電極層と、該第１電極層上に形成され、第１電
極層と電気的に接続された第２電極層とからなり、第２
電極層は半田バンプ接続時に直接半田付けされる電極層
であり、半田バンプ接続時に第２電極層の外周側面を伝
う半田が第１電極層の外周部でその流れが抑止されるよ
うに、第２電極層の外周は全周に亘って第１電極層の外
周よりも小さく形成されていることを特徴とするもので
ある。
に、請求項１に係る発明は、ＩＤＴ電極とＩＤＴ電極か
ら引出されたＡｌからなる引出電極が形成され、かつ引
出電極上の一部にバンプ電極が形成されたＳＡＷ素子
を、電極ランドが形成されたベース基板に、前記バンプ
電極と前記電極ランドとを半田バンプ接続して載置して
なる弾性表面波装置において、前記バンプ電極が、前記
引出電極上に形成され、前記引出電極と電気的に接続さ
れた第１電極層と、該第１電極層上に形成され、第１電
極層と電気的に接続された第２電極層とからなり、第２
電極層は半田バンプ接続時に直接半田付けされる電極層
であり、半田バンプ接続時に第２電極層の外周側面を伝
う半田が第１電極層の外周部でその流れが抑止されるよ
うに、第２電極層の外周は全周に亘って第１電極層の外
周よりも小さく形成されていることを特徴とするもので
ある。
【０００９】請求項２に係る発明は、請求項１に記載の
弾性表面波装置において、第１電極層が複数の電極膜で
構成され、第１電極層の最上層の電極膜が半田濡れ性の
悪い電極材料で形成されていることを特徴とするもので
ある。
弾性表面波装置において、第１電極層が複数の電極膜で
構成され、第１電極層の最上層の電極膜が半田濡れ性の
悪い電極材料で形成されていることを特徴とするもので
ある。
【００１０】請求項３に係る発明は、請求項２に記載の
弾性表面波装置において、第１電極層のいずれかの電極
膜が半田の拡散を防止する電極材料で形成されているこ
とを特徴とするものである。
弾性表面波装置において、第１電極層のいずれかの電極
膜が半田の拡散を防止する電極材料で形成されているこ
とを特徴とするものである。
【００１１】上記の構成によれば、半田バンプ接続され
る第２電極層は第１電極層の外周よりも小さく形成され
ており、半田バンプ接続時に第２電極層の外周側面を伝
う半田は第１電極層の外周部でその流れが抑止され、第
１電極層の外周側面を伝って引出電極であるＡｌ電極に
達することが防止され、Ａｌ電極の半田腐食を防止する
ことができる。
る第２電極層は第１電極層の外周よりも小さく形成され
ており、半田バンプ接続時に第２電極層の外周側面を伝
う半田は第１電極層の外周部でその流れが抑止され、第
１電極層の外周側面を伝って引出電極であるＡｌ電極に
達することが防止され、Ａｌ電極の半田腐食を防止する
ことができる。
【００１２】また、複数の電極膜からなる第１電極層の
最上層の電極膜は半田濡れ性の悪い電極材料、例えばＡ
ｌで形成するのが望ましい。すなわち、第２電極層の側
面を伝って第１電極層に達した半田は、第１電極層の最
上層の電極膜が半田の濡れにくい電極膜であるため、外
周部表面に濡れ広がることがなく、外周側面を伝って引
出電極であるＡｌ電極に達することが防止される。
最上層の電極膜は半田濡れ性の悪い電極材料、例えばＡ
ｌで形成するのが望ましい。すなわち、第２電極層の側
面を伝って第１電極層に達した半田は、第１電極層の最
上層の電極膜が半田の濡れにくい電極膜であるため、外
周部表面に濡れ広がることがなく、外周側面を伝って引
出電極であるＡｌ電極に達することが防止される。
【００１３】また、第１電極層のいずれかの電極膜は半
田の拡散を防止する電極材料、例えばＮｉ、ＮｉＣｒ等
で形成するのが望ましい。すなわち、半田の拡散を防止
する電極膜により、半田の厚み方向への浸透を防止する
ことができ、拡散による半田のＡｌ電極との接触を防止
することができる。
田の拡散を防止する電極材料、例えばＮｉ、ＮｉＣｒ等
で形成するのが望ましい。すなわち、半田の拡散を防止
する電極膜により、半田の厚み方向への浸透を防止する
ことができ、拡散による半田のＡｌ電極との接触を防止
することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る弾性表面波装
置を図１〜図３を参照して説明する。図１は本発明の一
実施例に係るＳＡＷ素子の平面図、図２はＳＡＷ素子の
バンプ電極形成領域を示す断面図、図３は本発明の一実
施例に係る弾性表面波装置の断面図である。
置を図１〜図３を参照して説明する。図１は本発明の一
実施例に係るＳＡＷ素子の平面図、図２はＳＡＷ素子の
バンプ電極形成領域を示す断面図、図３は本発明の一実
施例に係る弾性表面波装置の断面図である。
【００１５】本実施例のＳＡＷ素子１０は、図１及び図
２に示すように、表面波基板１１を有し、表面波基板１
１の上面の略中央部に２つのＩＤＴ電極１２、このＩＤ
Ｔ電極１２の外側に反射器電極１３、各ＩＤＴ電極１２
から引き出された引出電極１４が形成され、各引出電極
１４の先端部であって引出電極１４上に円形状のバンプ
電極４０が形成されている。ＩＤＴ電極１２、反射器電
極１３及び引出電極１４はＡｌ電極からなり、蒸着、ス
パッタリング等の方法により形成される。
２に示すように、表面波基板１１を有し、表面波基板１
１の上面の略中央部に２つのＩＤＴ電極１２、このＩＤ
Ｔ電極１２の外側に反射器電極１３、各ＩＤＴ電極１２
から引き出された引出電極１４が形成され、各引出電極
１４の先端部であって引出電極１４上に円形状のバンプ
電極４０が形成されている。ＩＤＴ電極１２、反射器電
極１３及び引出電極１４はＡｌ電極からなり、蒸着、ス
パッタリング等の方法により形成される。
【００１６】本実施例のバンプ電極４０は、図２に示す
ように、複数の電極膜の層からなる第１電極層４１及び
第１電極層４１上に同心円状の複数の電極膜の層からな
る第２電極層４２が形成されて構成され、第２電極層４
２の外径は第１電極層４１の外径よりも小さく形成され
ている。なお、本実施例では第１電極層４１の直径は
０．６８ｍｍ、第２電極層４２の直径は０．５０ｍｍで
形成されている。
ように、複数の電極膜の層からなる第１電極層４１及び
第１電極層４１上に同心円状の複数の電極膜の層からな
る第２電極層４２が形成されて構成され、第２電極層４
２の外径は第１電極層４１の外径よりも小さく形成され
ている。なお、本実施例では第１電極層４１の直径は
０．６８ｍｍ、第２電極層４２の直径は０．５０ｍｍで
形成されている。
【００１７】第１電極層４１は、半田バンプ接続時に引
出電極１４の半田による腐食を防止するために設けられ
たものであり、ＮｉＣｒ膜４１ａ（膜厚８０ｎｍ）／Ｎ
ｉ膜４１ｂ（膜厚６００ｎｍ）／ＮｉＣｒ膜４１ｃ（膜
厚８０ｎｍ）／Ａｌ膜４１ｄ（膜厚３００ｎｍ）の４層
で形成されている。第１電極層４１の１層目（最下層）
及び３層目の電極材料にはＡｌとの密着強度の強いＮｉ
Ｃｒが用いられ、最上層の電極材料には半田濡れ性の悪
いＡｌが用いられ、２層目の電極材料には半田の拡散を
防止するＮｉが用いられている。
出電極１４の半田による腐食を防止するために設けられ
たものであり、ＮｉＣｒ膜４１ａ（膜厚８０ｎｍ）／Ｎ
ｉ膜４１ｂ（膜厚６００ｎｍ）／ＮｉＣｒ膜４１ｃ（膜
厚８０ｎｍ）／Ａｌ膜４１ｄ（膜厚３００ｎｍ）の４層
で形成されている。第１電極層４１の１層目（最下層）
及び３層目の電極材料にはＡｌとの密着強度の強いＮｉ
Ｃｒが用いられ、最上層の電極材料には半田濡れ性の悪
いＡｌが用いられ、２層目の電極材料には半田の拡散を
防止するＮｉが用いられている。
【００１８】第２電極層４２は、半田バンプ接続時に直
接半田付けされる電極層であり、前述した従来例と同様
のＮｉＣｒ膜４０ａ（膜厚８０ｎｍ）／Ｎｉ膜４０ｂ
（膜厚３００ｎｍ）／Ａｇ膜４０ｃ（膜厚３００ｎｍ）
の３層で形成され、１層目（最下層）電極材料にはＡｌ
との密着強度の強いＮｉＣｒが用いられ、最上層の電極
材料には半田付け性、半田付け強度の良好なＡｇが用い
られ、２層目の電極材料には半田の拡散を防止するＮｉ
が用いられている。
接半田付けされる電極層であり、前述した従来例と同様
のＮｉＣｒ膜４０ａ（膜厚８０ｎｍ）／Ｎｉ膜４０ｂ
（膜厚３００ｎｍ）／Ａｇ膜４０ｃ（膜厚３００ｎｍ）
の３層で形成され、１層目（最下層）電極材料にはＡｌ
との密着強度の強いＮｉＣｒが用いられ、最上層の電極
材料には半田付け性、半田付け強度の良好なＡｇが用い
られ、２層目の電極材料には半田の拡散を防止するＮｉ
が用いられている。
【００１９】バンプ電極４０を構成する第１電極層４１
及び第２電極層４２は、フォトレジストでそれぞれの形
状に対応する開口部を有するレジストパターンを形成
し、各電極材料をそれぞれ所定の膜厚で順次蒸着した
後、レジストを除去するいわゆるリフトオフ法にて形成
されている。このリフトオフ法は他の方法よりも、バン
プ電極４０の側面を表面波基板１１に対して垂直に形成
することができるので、半田バンプ接続時の半田による
Ａｌ電極の腐食が低減される。
及び第２電極層４２は、フォトレジストでそれぞれの形
状に対応する開口部を有するレジストパターンを形成
し、各電極材料をそれぞれ所定の膜厚で順次蒸着した
後、レジストを除去するいわゆるリフトオフ法にて形成
されている。このリフトオフ法は他の方法よりも、バン
プ電極４０の側面を表面波基板１１に対して垂直に形成
することができるので、半田バンプ接続時の半田による
Ａｌ電極の腐食が低減される。
【００２０】そして、図３に示すように、上記ＳＡＷ素
子１０のバンプ電極４０がベース基板２０上のそれぞれ
に対応する電極ランドに半田５１で半田付け（半田バン
プ接続）されて、ＳＡＷ素子１０がベース基板２０に支
持固定されるとともに電気的に接続され、ＳＡＷ素子１
０を覆うように、一面開口状の金属キャップ３０がその
フランジ部３１でベース基板２０の接合ランドに半田５
２により半田付けされて、ＳＡＷ素子１０がベース基板
２０と金属キャップ３０とで形成された空間内に封止さ
れる。
子１０のバンプ電極４０がベース基板２０上のそれぞれ
に対応する電極ランドに半田５１で半田付け（半田バン
プ接続）されて、ＳＡＷ素子１０がベース基板２０に支
持固定されるとともに電気的に接続され、ＳＡＷ素子１
０を覆うように、一面開口状の金属キャップ３０がその
フランジ部３１でベース基板２０の接合ランドに半田５
２により半田付けされて、ＳＡＷ素子１０がベース基板
２０と金属キャップ３０とで形成された空間内に封止さ
れる。
【００２１】ベース基板２０の電極ランド上には、予め
予備半田が施され、ＳＡＷ素子１０及び金属キャップ３
０とベース基板２０との半田による接続・接合はリフロ
ー半田付け法により行われる。この弾性表面波装置は、
ベース基板２０の下面を実装面として実装基板に実装さ
れて使用される。
予備半田が施され、ＳＡＷ素子１０及び金属キャップ３
０とベース基板２０との半田による接続・接合はリフロ
ー半田付け法により行われる。この弾性表面波装置は、
ベース基板２０の下面を実装面として実装基板に実装さ
れて使用される。
【００２２】上記のように、本実施例の弾性表面波装置
においては、バンプ電極４０は外径の異なる２つの電極
層４１、４２で構成され、半田付けされる上部の第２電
極層４２は下部のＡｌ電極上に形成された第１電極層４
１の外周よりも小さく形成され、かつ第１電極層４１の
最上層の電極膜４１ｄは半田濡れ性の悪い電極材料であ
るＡｌが用いられており、第２電極層４２の側面を伝っ
て第１電極層４１に達した半田は、第１電極層４１の外
周部表面に濡れ広がることがなく、外周側面を伝って引
出電極１４であるＡｌ電極に達することがない。
においては、バンプ電極４０は外径の異なる２つの電極
層４１、４２で構成され、半田付けされる上部の第２電
極層４２は下部のＡｌ電極上に形成された第１電極層４
１の外周よりも小さく形成され、かつ第１電極層４１の
最上層の電極膜４１ｄは半田濡れ性の悪い電極材料であ
るＡｌが用いられており、第２電極層４２の側面を伝っ
て第１電極層４１に達した半田は、第１電極層４１の外
周部表面に濡れ広がることがなく、外周側面を伝って引
出電極１４であるＡｌ電極に達することがない。
【００２３】また、第１電極層４１の２層目の電極膜４
１ｂには半田の拡散を防止する電極材料であるＮｉが用
いられており、半田の厚み方向への浸透が防止され、拡
散による半田のＡｌ電極との接触が防止されている。
１ｂには半田の拡散を防止する電極材料であるＮｉが用
いられており、半田の厚み方向への浸透が防止され、拡
散による半田のＡｌ電極との接触が防止されている。
【００２４】また、バンプ電極４０は２つの電極層４
１、４２で構成され、バンプ電極４０の厚みを従来のも
のに比べ厚く形成することができ、側面を伝うまたは拡
散による半田とＡｌ電極との接触は大幅に低減されたも
のとなっている。
１、４２で構成され、バンプ電極４０の厚みを従来のも
のに比べ厚く形成することができ、側面を伝うまたは拡
散による半田とＡｌ電極との接触は大幅に低減されたも
のとなっている。
【００２５】すなわち、本実施例の構成では、半田バン
プ接続時に半田と引出電極であるＡｌ電極とは接触する
ことがなくなり、引出電極（Ａｌ電極）の半田による腐
食を防止することができる。
プ接続時に半田と引出電極であるＡｌ電極とは接触する
ことがなくなり、引出電極（Ａｌ電極）の半田による腐
食を防止することができる。
【００２６】なお、第１電極層及び第２電極層の構成は
上記実施例に限るものではなく、第１電極層をＮｉＣｒ
／Ｎｉ／Ａｌの３層で形成したものでもよく、また第１
電極層をＮｉＣｒの１層のみで形成したものでもよい。
また、第１電極層及び第２電極層の形状や寸法も上記実
施例に限るものではなく、円形以外の他の形状であって
もよい。
上記実施例に限るものではなく、第１電極層をＮｉＣｒ
／Ｎｉ／Ａｌの３層で形成したものでもよく、また第１
電極層をＮｉＣｒの１層のみで形成したものでもよい。
また、第１電極層及び第２電極層の形状や寸法も上記実
施例に限るものではなく、円形以外の他の形状であって
もよい。
【００２７】また、バンプ電極の形成方法はリフトオフ
法に限るものではなく、バンプ電極はマスク蒸着法等の
他の方法を用いて形成してもよい。
法に限るものではなく、バンプ電極はマスク蒸着法等の
他の方法を用いて形成してもよい。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る弾性
表面波装置は、半田バンプ接続される第２電極層は第１
電極層の外周よりも小さく形成されており、第２電極層
の外周側面を伝う半田は第１電極層の外周部でその流れ
が抑止され、半田と引出電極であるＡｌ電極との接触が
防止され、Ａｌ電極の半田による腐食を防止することが
できる。
表面波装置は、半田バンプ接続される第２電極層は第１
電極層の外周よりも小さく形成されており、第２電極層
の外周側面を伝う半田は第１電極層の外周部でその流れ
が抑止され、半田と引出電極であるＡｌ電極との接触が
防止され、Ａｌ電極の半田による腐食を防止することが
できる。
【００２９】また、第１電極層を複数の電極膜で形成し
最上層の電極膜に半田濡れ性の悪い電極材料を用いるこ
とにより、第２電極層の側面を伝って第１電極層に達し
た半田は外周部表面へ濡れ広がることがなく、外周部で
の半田の流れをより効果的に防止することができる。
最上層の電極膜に半田濡れ性の悪い電極材料を用いるこ
とにより、第２電極層の側面を伝って第１電極層に達し
た半田は外周部表面へ濡れ広がることがなく、外周部で
の半田の流れをより効果的に防止することができる。
【００３０】また、第１電極層のいずれかの電極膜に半
田の拡散を防止する電極材料を用いることにより、半田
の厚み方向への浸透を防止することができ、拡散による
半田のＡｌ電極との接触を防止することができる。
田の拡散を防止する電極材料を用いることにより、半田
の厚み方向への浸透を防止することができ、拡散による
半田のＡｌ電極との接触を防止することができる。
【００３１】したがって、本発明によれば、半田と引出
電極であるＡｌ電極との接触を防止することができ、Ａ
ｌ電極（引出電極）の半田腐食に起因する接続不具合、
断線等による特性不良を大幅に低減することができ、信
頼性の高い弾性表面波装置を得ることができる。
電極であるＡｌ電極との接触を防止することができ、Ａ
ｌ電極（引出電極）の半田腐食に起因する接続不具合、
断線等による特性不良を大幅に低減することができ、信
頼性の高い弾性表面波装置を得ることができる。
【図１】本発明の一実施例に係るＳＡＷ素子の平面図で
ある。
ある。
【図２】本発明の一実施例に係るＳＡＷ素子のバンプ電
極を示す部分拡大断面図である。
極を示す部分拡大断面図である。
【図３】本発明の一実施例に係る弾性表面波装置の断面
図である。
図である。
【図４】従来のＳＡＷ素子のバンプ電極を示す部分拡大
断面図である。
断面図である。
１０ ＳＡＷ素子 １１ 表面波基板 １４ 引出電極（Ａｌ電極） ２０ ベース基板 ３０ 金属キャップ ４０ バンプ電極 ４１ 第１電極層 ４２ 第２電極層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−78999（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−329694（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−228135（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 9/25 H03H 9/145
Claims (3)
- 【請求項１】 ＩＤＴ電極とＩＤＴ電極から引出された
Ａｌからなる引出電極が形成され、かつ引出電極上の一
部にバンプ電極が形成されたＳＡＷ素子を、電極ランド
が形成されたベース基板に、前記バンプ電極と前記電極
ランドとを半田バンプ接続して載置してなる弾性表面波
装置において、前記バンプ電極が、前記引出電極上に形成され、前記引
出電極と電気的に接続された第１電極層と、該第１電極
層上に形成され、第１電極層と電気的に接続された第２
電極層とからなり、第２電極層は半田バンプ接続時に直
接半田付けされる電極層であり、半田バンプ接続時に第
２電極層の外周側面を伝う半田が第１電極層の外周部で
その流れが抑止されるように、第２電極層の外周は全周
に亘って第１電極層の外周よりも小さく形成されている
こと を特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項２】 前記第１電極層が複数の電極膜で構成さ
れ、第１電極層の最上層の電極膜が半田濡れ性の悪い電
極材料で形成されていることを特徴とする請求項１に記
載の弾性表面波装置。 - 【請求項３】 前記第１電極層のいずれかの電極膜が半
田の拡散を防止する電極材料で形成されていることを特
徴とする請求項２に記載の弾性表面波装置
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12720797A JP3275775B2 (ja) | 1997-05-16 | 1997-05-16 | 弾性表面波装置 |
| US09/074,824 US6404110B1 (en) | 1997-05-16 | 1998-05-08 | Surface acoustic wave element having a bump electrode and surface acoustic wave device comprising the same |
| DE69840973T DE69840973D1 (de) | 1997-05-16 | 1998-05-14 | Akustisches Oberflächenwellenelement mit einer Höckerelektrode und akustische Oberflächenwellanordnung damit |
| EP98401149A EP0878905B1 (en) | 1997-05-16 | 1998-05-14 | Surface acoustic wave element having a bump electrode and surface acoustic wave device comprising the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12720797A JP3275775B2 (ja) | 1997-05-16 | 1997-05-16 | 弾性表面波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10322159A JPH10322159A (ja) | 1998-12-04 |
| JP3275775B2 true JP3275775B2 (ja) | 2002-04-22 |
Family
ID=14954380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12720797A Expired - Lifetime JP3275775B2 (ja) | 1997-05-16 | 1997-05-16 | 弾性表面波装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6404110B1 (ja) |
| EP (1) | EP0878905B1 (ja) |
| JP (1) | JP3275775B2 (ja) |
| DE (1) | DE69840973D1 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3351402B2 (ja) | 1999-04-28 | 2002-11-25 | 株式会社村田製作所 | 電子素子、弾性表面波素子、それらの実装方法、電子部品または弾性表面波装置の製造方法、および、弾性表面波装置 |
| DE19932649A1 (de) * | 1999-07-13 | 2001-02-08 | Epcos Ag | SAW-Filter des Reaktanzfiltertyps mit verbesserter Sperrbereichsunterdrückung und Verfahren zur Optimierung der Sperrbereichsunterdrückung |
| JP2001313305A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-11-09 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品素子、電子部品装置および通信機装置 |
| JP3405329B2 (ja) | 2000-07-19 | 2003-05-12 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置 |
| GB2381976B (en) * | 2000-12-26 | 2003-12-24 | Murata Manufacturing Co | Surface acoustic wave apparatus and manufacturing method therefor |
| JP3925133B2 (ja) * | 2000-12-26 | 2007-06-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置 |
| JP2003087080A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-03-20 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
| JP2003110403A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-04-11 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波素子、それを用いた弾性表面波装置、弾性表面波素子の製造方法、および弾性表面波装置の製造方法 |
| US7148610B2 (en) * | 2002-02-01 | 2006-12-12 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Surface acoustic wave device having improved performance and method of making the device |
| DE10246784B4 (de) * | 2002-10-08 | 2013-06-13 | Epcos Ag | Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement mit geringer Einfügedämpfung und Verfahren zur Herstellung |
| EP1788385A4 (en) * | 2004-09-10 | 2014-04-09 | Murata Manufacturing Co | SENSOR FOR DETECTING A SUBSTANCE IN A LIQUID AND DEVICE FOR DETECTING A SUBSTANCE IN A LIQUID IN USE THEREOF |
| JP4682657B2 (ja) * | 2005-03-22 | 2011-05-11 | パナソニック株式会社 | 弾性表面波デバイス |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58139513A (ja) * | 1982-05-11 | 1983-08-18 | Murata Mfg Co Ltd | チップ状圧電振動部品の製造方法 |
| JPS62173813A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-30 | Alps Electric Co Ltd | 弾性表面波素子 |
| US5508561A (en) | 1993-11-15 | 1996-04-16 | Nec Corporation | Apparatus for forming a double-bump structure used for flip-chip mounting |
| JPH07303022A (ja) | 1994-05-09 | 1995-11-14 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置 |
| JPH0878999A (ja) | 1994-09-07 | 1996-03-22 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置 |
| JP3301262B2 (ja) * | 1995-03-28 | 2002-07-15 | 松下電器産業株式会社 | 弾性表面波装置 |
| JP3328102B2 (ja) * | 1995-05-08 | 2002-09-24 | 松下電器産業株式会社 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| JPH1013184A (ja) | 1996-06-19 | 1998-01-16 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置 |
-
1997
- 1997-05-16 JP JP12720797A patent/JP3275775B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-05-08 US US09/074,824 patent/US6404110B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-05-14 EP EP98401149A patent/EP0878905B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-05-14 DE DE69840973T patent/DE69840973D1/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0878905A3 (en) | 2000-08-16 |
| US6404110B1 (en) | 2002-06-11 |
| JPH10322159A (ja) | 1998-12-04 |
| EP0878905A2 (en) | 1998-11-18 |
| DE69840973D1 (de) | 2009-08-27 |
| EP0878905B1 (en) | 2009-07-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3275775B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| TWI244184B (en) | Semiconductor device with under bump metallurgy and method for fabricating the same | |
| US20020125569A1 (en) | Semiconductor device with bumps for pads | |
| JP5248868B2 (ja) | ろう付け可能な接合部及び該接合部の形成のための方法 | |
| CA2412030C (en) | Perimeter anchored thick film pad | |
| JP3929675B2 (ja) | 圧電振動子 | |
| JP3263875B2 (ja) | 表面実装型電子部品の製造方法及び表面実装型電子部品 | |
| JPH03101234A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2003197666A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2514291B2 (ja) | 半導体回路装置の製造方法 | |
| JPS59188147A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH1013184A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP2760360B2 (ja) | はんだバンプとその製造方法 | |
| JPH0252436A (ja) | ハンダバンプ製造方法 | |
| JPH0637093A (ja) | バンプ電極の形成方法 | |
| JPH01191451A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0226780B2 (ja) | ||
| JPH09148693A (ja) | フリップチップ実装用基板及びその製造方法 | |
| JP2000286662A (ja) | 弾性表面波素子、その製造方法、及びｓａｗデバイスの構造 | |
| JPS61183945A (ja) | 半導体装置 | |
| KR100212496B1 (ko) | 플립칩용 반도체 장치의 제조방법 | |
| JPH05299420A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0395931A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2869586B2 (ja) | 回路部品搭載用中間基板及びその製造法 | |
| JPH0727610Y2 (ja) | 可変抵抗器の電極構造 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090208 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090208 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100208 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110208 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110208 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120208 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130208 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |