JP3296356B2 - 弾性表面波デバイスとその製造方法 - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は無線通信機器等に使
用される弾性表面波デバイスとその製造方法に関するも
のである。
用される弾性表面波デバイスとその製造方法に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】従来の弾性表面波デバイスの製造方法に
ついて図23を用いて説明する。
ついて図23を用いて説明する。
【0003】まず円板状の圧電基板100上にアルミニ
ウムの蒸着膜を形成し、所望の形状のパターンで露光、
現像し、インターディジタルトランスデューサ電極10
1(以下IDT電極と称する)及び接続電極102を形
成する。次にIDT電極101の両側にシリコーン樹脂
をスクリーン印刷により塗布、熱処理して吸音材103
を形成する。次いで圧電基板100を個々の弾性表面波
素子105に分割する。次に外部接続用電極106を有
するパッケージ107内に接着剤108を用いて弾性表
面波素子105を固定すると共に外部接続用電極106
と接続電極102とをワイヤ109で電気的に接続す
る。その後パッケージ107の開口部をリッド110で
封止する。
ウムの蒸着膜を形成し、所望の形状のパターンで露光、
現像し、インターディジタルトランスデューサ電極10
1(以下IDT電極と称する)及び接続電極102を形
成する。次にIDT電極101の両側にシリコーン樹脂
をスクリーン印刷により塗布、熱処理して吸音材103
を形成する。次いで圧電基板100を個々の弾性表面波
素子105に分割する。次に外部接続用電極106を有
するパッケージ107内に接着剤108を用いて弾性表
面波素子105を固定すると共に外部接続用電極106
と接続電極102とをワイヤ109で電気的に接続す
る。その後パッケージ107の開口部をリッド110で
封止する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記方法によると、吸
音材103をスクリーン印刷により形成すると、印刷精
度に劣ると共に樹脂ダレが発生するため、その断面はド
ーム型となり、上面が曲面となりその上高さも均一に形
成しにくいものであった。
音材103をスクリーン印刷により形成すると、印刷精
度に劣ると共に樹脂ダレが発生するため、その断面はド
ーム型となり、上面が曲面となりその上高さも均一に形
成しにくいものであった。
【0005】ところでパッケージ107内に弾性表面波
素子105を実装する時は、弾性表面波素子105の表
面を吸着して移送させるのであるが、吸音材103の上
面が曲面でかつ高さも異なるため吸着しづらく、実装不
良を発生する恐れがあった。
素子105を実装する時は、弾性表面波素子105の表
面を吸着して移送させるのであるが、吸音材103の上
面が曲面でかつ高さも異なるため吸着しづらく、実装不
良を発生する恐れがあった。
【0006】そこで本発明はパッケージに実装する際の
実装不良を防止することのできる弾性表面波デバイスを
提供することを目的とするものである。
実装不良を防止することのできる弾性表面波デバイスを
提供することを目的とするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の弾性表面波デバイスは、外部接続用電極を有
するパッケージと、このパッケージ内に収納した弾性表
面波素子と、前記パッケージの開口部を封止したリッド
とを備え、前記弾性表面波素子は、圧電基板表面に少な
くともIDT電極と、このIDT電極に電気的に接続し
た接続電極と、前記IDT電極の両側に形成した吸音材
とを備え、前記IDT電極は表面に保護層を有し、前記
吸音材は感光性樹脂で形成されると共にその上面は前記
圧電基板の主面と平行であり、かつ前記接続電極が前記
外部接続用電極と電気的に接続して構成したものであ
り、吸音材の上面が平面であるため、パッケージに実装
時の弾性表面波素子を移動手段により吸着させやすくな
り、上記目的を達成することができる。
に本発明の弾性表面波デバイスは、外部接続用電極を有
するパッケージと、このパッケージ内に収納した弾性表
面波素子と、前記パッケージの開口部を封止したリッド
とを備え、前記弾性表面波素子は、圧電基板表面に少な
くともIDT電極と、このIDT電極に電気的に接続し
た接続電極と、前記IDT電極の両側に形成した吸音材
とを備え、前記IDT電極は表面に保護層を有し、前記
吸音材は感光性樹脂で形成されると共にその上面は前記
圧電基板の主面と平行であり、かつ前記接続電極が前記
外部接続用電極と電気的に接続して構成したものであ
り、吸音材の上面が平面であるため、パッケージに実装
時の弾性表面波素子を移動手段により吸着させやすくな
り、上記目的を達成することができる。
【0008】
【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の発明
は、外部接続用電極を有するパッケージと、このパッケ
ージ内に収納した弾性表面波素子と、前記パッケージの
開口部を封止したリッドとを備え、前記弾性表面波素子
は、圧電基板表面に少なくともIDT電極と、前記ID
T電極に電気的に接続した接続電極と、前記IDT電極
の両側に形成した吸音材とを備え、前記IDT電極は表
面に保護層を有し、前記吸音材は感光性樹脂で形成され
ると共にその上面は前記圧電基板の主面と平行であり、
かつ前記接続電極が前記外部接続用電極と電気的に接続
して構成した弾性表面波デバイスであり、吸音材の上面
が平面のため、パッケージへの実装時に弾性表面波素子
を吸着しやすく、実装不良を防止できるものである。
は、外部接続用電極を有するパッケージと、このパッケ
ージ内に収納した弾性表面波素子と、前記パッケージの
開口部を封止したリッドとを備え、前記弾性表面波素子
は、圧電基板表面に少なくともIDT電極と、前記ID
T電極に電気的に接続した接続電極と、前記IDT電極
の両側に形成した吸音材とを備え、前記IDT電極は表
面に保護層を有し、前記吸音材は感光性樹脂で形成され
ると共にその上面は前記圧電基板の主面と平行であり、
かつ前記接続電極が前記外部接続用電極と電気的に接続
して構成した弾性表面波デバイスであり、吸音材の上面
が平面のため、パッケージへの実装時に弾性表面波素子
を吸着しやすく、実装不良を防止できるものである。
【0009】請求項2に記載の発明は、保護層は吸音材
を構成する感光性樹脂の現像液に対する耐性がIDT電
極を構成する主たる金属よりも大である請求項1に記載
の弾性表面波デバイスであり、吸音効果が高いため、吸
音材の低面積化、低背化が可能なものである。
を構成する感光性樹脂の現像液に対する耐性がIDT電
極を構成する主たる金属よりも大である請求項1に記載
の弾性表面波デバイスであり、吸音効果が高いため、吸
音材の低面積化、低背化が可能なものである。
【0010】請求項3に記載の発明は、感光性樹脂はネ
ガ型である請求項2に記載の弾性表面波デバイスであ
り、感光した部分が吸音材として形成されるので、優れ
た安定性を有するものである。
ガ型である請求項2に記載の弾性表面波デバイスであ
り、感光した部分が吸音材として形成されるので、優れ
た安定性を有するものである。
【0011】請求項4に記載の発明は、感光性樹脂はエ
ポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂のいずれか
である請求項2に記載の弾性表面波デバイスであり、弾
性を有するので効率良く吸音できるものである。
ポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂のいずれか
である請求項2に記載の弾性表面波デバイスであり、弾
性を有するので効率良く吸音できるものである。
【0012】請求項5に記載の発明は、吸音材の弾性表
面波伝播方向の幅は、0.5λ(λ:弾性表面波の波
長)以上である請求項1に記載の弾性表面波デバイスで
あり、十分な吸音効果を有するものである。
面波伝播方向の幅は、0.5λ(λ:弾性表面波の波
長)以上である請求項1に記載の弾性表面波デバイスで
あり、十分な吸音効果を有するものである。
【0013】請求項6に記載の発明は、吸音材のIDT
電極側の端部は折線状である請求項1に記載の弾性表面
波デバイスであり、不要波の散乱効果を有するので、よ
りよく不要波を抑圧できるものである。
電極側の端部は折線状である請求項1に記載の弾性表面
波デバイスであり、不要波の散乱効果を有するので、よ
りよく不要波を抑圧できるものである。
【0014】請求項7に記載の発明は、IDT電極の下
部を除き、少なくとも吸音材と圧電基板との間に前記吸
音材と前記圧電基板の接着強度よりも大きい接着強度を
有するカップリング層を設けた請求項1に記載の弾性表
面波デバイスであり、吸音材の圧電基板との密着強度が
上がるので、優れた安定性を有するものとなる。
部を除き、少なくとも吸音材と圧電基板との間に前記吸
音材と前記圧電基板の接着強度よりも大きい接着強度を
有するカップリング層を設けた請求項1に記載の弾性表
面波デバイスであり、吸音材の圧電基板との密着強度が
上がるので、優れた安定性を有するものとなる。
【0015】請求項8に記載の発明は、カップリング層
は吸音材よりも大きな表面積を有する請求項7に記載の
弾性表面波デバイスであり、吸音材の全面にわたって圧
電基板との密着強度が上がるので、優れた安定性を有す
るものとなる。
は吸音材よりも大きな表面積を有する請求項7に記載の
弾性表面波デバイスであり、吸音材の全面にわたって圧
電基板との密着強度が上がるので、優れた安定性を有す
るものとなる。
【0016】請求項9に記載の発明は、カップリング層
はシラン系樹脂を用いて形成した請求項7に記載の弾性
表面波デバイスであり、吸音材の圧電基板との密着強度
が上がるので、優れた安定性を有するものとなる。
はシラン系樹脂を用いて形成した請求項7に記載の弾性
表面波デバイスであり、吸音材の圧電基板との密着強度
が上がるので、優れた安定性を有するものとなる。
【0017】請求項10に記載の発明は、吸音材と圧電
基板との間に下地金属層を設けた請求項1に記載の弾性
表面波デバイスであり、吸音材の形成のための露光時、
圧電基板の裏面まで光を透過させないので、裏面での反
射光がなく、所望の形状の吸音材を有するものとなる。
基板との間に下地金属層を設けた請求項1に記載の弾性
表面波デバイスであり、吸音材の形成のための露光時、
圧電基板の裏面まで光を透過させないので、裏面での反
射光がなく、所望の形状の吸音材を有するものとなる。
【0018】請求項11に記載の発明は、IDT電極と
下地金属層とを接続し、前記下地金属層と外部接続用電
極とを接続した請求項10に記載の弾性表面波デバイス
であり、IDT電極と外部接続用電極とを接続するため
の電極を圧電基板上に新たに設ける必要がないので小型
化が可能となるものである。
下地金属層とを接続し、前記下地金属層と外部接続用電
極とを接続した請求項10に記載の弾性表面波デバイス
であり、IDT電極と外部接続用電極とを接続するため
の電極を圧電基板上に新たに設ける必要がないので小型
化が可能となるものである。
【0019】請求項12に記載の発明は、圧電基板を介
して吸音材と対向する前記圧電基板の裏面に光反射防止
膜を設けた請求項1に記載の弾性表面波デバイスであ
り、吸音材の形成のための露光時、圧電基板の裏面で光
を吸収するので、所望の形状の吸音材を形成できるもの
である。
して吸音材と対向する前記圧電基板の裏面に光反射防止
膜を設けた請求項1に記載の弾性表面波デバイスであ
り、吸音材の形成のための露光時、圧電基板の裏面で光
を吸収するので、所望の形状の吸音材を形成できるもの
である。
【0020】請求項13に記載の発明は、反射防止膜の
形成領域を吸音材よりも大きくした請求項12に記載の
弾性表面波デバイスであり、吸音材形成のための露光
時、圧電基板の裏面で光を吸収するので、所望の形状の
吸音材を形成できるものである。
形成領域を吸音材よりも大きくした請求項12に記載の
弾性表面波デバイスであり、吸音材形成のための露光
時、圧電基板の裏面で光を吸収するので、所望の形状の
吸音材を形成できるものである。
【0021】請求項14に記載の発明は、光反射防止膜
をアモルファスシリコンあるいは金属窒化膜で形成した
請求項13に記載の弾性表面波デバイスであり、光を良
く吸収するので所望の形状の吸音材を形成できる。
をアモルファスシリコンあるいは金属窒化膜で形成した
請求項13に記載の弾性表面波デバイスであり、光を良
く吸収するので所望の形状の吸音材を形成できる。
【0022】請求項15に記載の発明は、吸音材はその
上面の面積より圧電基板と接する下面側の方を大きくし
た請求項1に記載の弾性表面波デバイスであり、吸音材
の圧電基板への密着力を向上させることができるもので
ある。
上面の面積より圧電基板と接する下面側の方を大きくし
た請求項1に記載の弾性表面波デバイスであり、吸音材
の圧電基板への密着力を向上させることができるもので
ある。
【0023】請求項16に記載の発明は、弾性表面波素
子の接続電極上に形成されたバンプを用いて前記接続電
極と、パッケージの外部接続用電極とを電気的に接続し
た請求項1に記載の弾性表面波デバイスであり、弾性表
面波の励起空間を必ず確保することができるものであ
る。
子の接続電極上に形成されたバンプを用いて前記接続電
極と、パッケージの外部接続用電極とを電気的に接続し
た請求項1に記載の弾性表面波デバイスであり、弾性表
面波の励起空間を必ず確保することができるものであ
る。
【0024】請求項17に記載の発明は、吸音材はID
T電極および接続電極を囲むように圧電基板の外周部に
設けた請求項1に記載の弾性表面波デバイスであり、よ
りよく不要波を吸音できるものである。
T電極および接続電極を囲むように圧電基板の外周部に
設けた請求項1に記載の弾性表面波デバイスであり、よ
りよく不要波を吸音できるものである。
【0025】請求項18に記載の発明は、パッケージの
内壁と圧電基板側面との間に充填材を設けた請求項17
に記載の弾性表面波デバイスであり、弾性表面波伝播方
向端部の不要波吸音効率をさらに向上させることができ
ると共に、弾性表面波素子をパッケージ内に確実に固定
することのできるものである。
内壁と圧電基板側面との間に充填材を設けた請求項17
に記載の弾性表面波デバイスであり、弾性表面波伝播方
向端部の不要波吸音効率をさらに向上させることができ
ると共に、弾性表面波素子をパッケージ内に確実に固定
することのできるものである。
【0026】請求項19に記載の発明は、充填材は吸音
材よりも弾性を有する請求項18に記載の弾性表面波デ
バイスであり、熱膨張などによる応力を緩和することが
できるものである。
材よりも弾性を有する請求項18に記載の弾性表面波デ
バイスであり、熱膨張などによる応力を緩和することが
できるものである。
【0027】請求項20に記載の発明は、充填材として
シリコーン樹脂を用いた請求項19に記載の弾性表面波
デバイスであり、熱膨張などによる応力を緩和すること
ができる。
シリコーン樹脂を用いた請求項19に記載の弾性表面波
デバイスであり、熱膨張などによる応力を緩和すること
ができる。
【0028】請求項21に記載の発明は、圧電基板の裏
面の少なくともIDT電極と対向する領域に吸音材を設
けた請求項16に記載の弾性表面波デバイスであり、さ
らに不要波の吸音効果の高いものとなる。
面の少なくともIDT電極と対向する領域に吸音材を設
けた請求項16に記載の弾性表面波デバイスであり、さ
らに不要波の吸音効果の高いものとなる。
【0029】請求項22に記載の発明は、圧電基板の裏
面に設けられた吸音材とリッドとは非接触の状態とした
請求項21に記載の弾性表面波デバイスであり、パッケ
ージの開口部をリッドで封止する際、弾性表面波素子の
裏面から過剰な圧力がかかり弾性表面波素子がひずむこ
とにより特性が悪化するのを防止できるものである。
面に設けられた吸音材とリッドとは非接触の状態とした
請求項21に記載の弾性表面波デバイスであり、パッケ
ージの開口部をリッドで封止する際、弾性表面波素子の
裏面から過剰な圧力がかかり弾性表面波素子がひずむこ
とにより特性が悪化するのを防止できるものである。
【0030】請求項23に記載の発明は、圧電材料から
なる基板上に少なくともIDT電極および前記IDT電
極に接続した接続電極を形成する第1工程と、前記ID
T電極表面に保護膜を設ける第2工程と、前記基板の表
面に感光性フィルムレジストを圧着し、前記基板と同等
以下で後に形成する弾性表面波素子となる部分よりも大
きな感光性フィルムレジスト層を形成する第3工程と、
吸音材となる部分の前記感光性フィルムレジスト層を露
光し、現像して吸音材を形成し基板上に多数の弾性表面
波素子を形成する第4工程と、前記基板を切断し、分割
して得た弾性表面波素子をパッケージに載置し、前記弾
性表面波素子の接続電極と前記パッケージの外部接続用
電極とを電気的に接続する第5工程と、前記パッケージ
の開口部 をリッドで封止する第6工程とを有し、かつ前
記吸音材の主面は前記圧電基板の表面と平行になるよう
に形成した弾性表面波デバイスの製造方法であり、吸音
材の上面が平面のため、パッケージへの実装時に弾性表
面波素子の表面を確実に吸着できるため、実装不良を防
止できるものである。
なる基板上に少なくともIDT電極および前記IDT電
極に接続した接続電極を形成する第1工程と、前記ID
T電極表面に保護膜を設ける第2工程と、前記基板の表
面に感光性フィルムレジストを圧着し、前記基板と同等
以下で後に形成する弾性表面波素子となる部分よりも大
きな感光性フィルムレジスト層を形成する第3工程と、
吸音材となる部分の前記感光性フィルムレジスト層を露
光し、現像して吸音材を形成し基板上に多数の弾性表面
波素子を形成する第4工程と、前記基板を切断し、分割
して得た弾性表面波素子をパッケージに載置し、前記弾
性表面波素子の接続電極と前記パッケージの外部接続用
電極とを電気的に接続する第5工程と、前記パッケージ
の開口部 をリッドで封止する第6工程とを有し、かつ前
記吸音材の主面は前記圧電基板の表面と平行になるよう
に形成した弾性表面波デバイスの製造方法であり、吸音
材の上面が平面のため、パッケージへの実装時に弾性表
面波素子の表面を確実に吸着できるため、実装不良を防
止できるものである。
【0031】請求項24に記載の発明は、第3工程にお
ける感光性樹脂層の厚さは圧電基板と同等以下でかつ弾
性表面波素子形成部よりも厚いものを用いる請求項23
に記載の弾性表面波デバイスの製造方法であり、圧電基
板からフィルムレジストがはみ出ていないので、圧電基
板の搬送時におけるトラブルを防止できる。
ける感光性樹脂層の厚さは圧電基板と同等以下でかつ弾
性表面波素子形成部よりも厚いものを用いる請求項23
に記載の弾性表面波デバイスの製造方法であり、圧電基
板からフィルムレジストがはみ出ていないので、圧電基
板の搬送時におけるトラブルを防止できる。
【0032】請求項25に記載の発明は、第1工程にお
いてIDT電極と共に吸音材形成予定場所に下地金属層
を形成する請求項23に記載の弾性表面波デバイスの製
造方法であり、第3工程において圧電基板の裏面まで光
を透過させないので、裏面での反射光がなく吸音材を精
度よく形成できる。
いてIDT電極と共に吸音材形成予定場所に下地金属層
を形成する請求項23に記載の弾性表面波デバイスの製
造方法であり、第3工程において圧電基板の裏面まで光
を透過させないので、裏面での反射光がなく吸音材を精
度よく形成できる。
【0033】請求項26に記載の発明は、保護層は陽極
酸化により設ける請求項23に記載の弾性表面波デバイ
スの製造方法であり、アルミニウムを主成分とするID
T電極の場合、耐アルカリ性に優れた酸化アルミニウム
よりなる保護膜を容易に形成できる。
酸化により設ける請求項23に記載の弾性表面波デバイ
スの製造方法であり、アルミニウムを主成分とするID
T電極の場合、耐アルカリ性に優れた酸化アルミニウム
よりなる保護膜を容易に形成できる。
【0034】請求項27に記載の発明は、圧電材料から
なる基板の表面に金属膜を形成し、この金属膜の表面に
陽極酸化により絶縁層を形成する第1工程と、圧電材料
からなる基板上に少なくともIDT電極および前記ID
T電極に接続した接続電極を形成する第2工程と、前記
基板の表面に感光性フィルムレジストを圧着し、前記基
板と同等以下で後に形成する弾性表面波素子となる部分
よりも大きな感光性フィルムレジスト層を形成する第3
工程と、吸音材となる部分の前記感光性フィルムレジス
ト層を露光し、現像して吸音材を形成し基板上に多数の
弾性表面波素子を形成する第4工程と、前記基板を切断
し、分割して得た弾性表面波素子をパッケージに載置
し、前記弾性表面波素子の接続電極と前記パッケージの
外部接続用 電極とを電気的に接続する第5工程と、前記
パッケージの開口部をリッドで封止する第6工程とを有
し、かつ前記吸音材の主面は前記基板の表面と平行にな
るように形成する弾性表面波デバイスの製造方法であ
る。
なる基板の表面に金属膜を形成し、この金属膜の表面に
陽極酸化により絶縁層を形成する第1工程と、圧電材料
からなる基板上に少なくともIDT電極および前記ID
T電極に接続した接続電極を形成する第2工程と、前記
基板の表面に感光性フィルムレジストを圧着し、前記基
板と同等以下で後に形成する弾性表面波素子となる部分
よりも大きな感光性フィルムレジスト層を形成する第3
工程と、吸音材となる部分の前記感光性フィルムレジス
ト層を露光し、現像して吸音材を形成し基板上に多数の
弾性表面波素子を形成する第4工程と、前記基板を切断
し、分割して得た弾性表面波素子をパッケージに載置
し、前記弾性表面波素子の接続電極と前記パッケージの
外部接続用 電極とを電気的に接続する第5工程と、前記
パッケージの開口部をリッドで封止する第6工程とを有
し、かつ前記吸音材の主面は前記基板の表面と平行にな
るように形成する弾性表面波デバイスの製造方法であ
る。
【0035】請求項28に記載の発明は、第3工程前に
圧電材料からなる基板の吸音材形成場所にシラン系のカ
ップリング層を形成する請求項23に記載の弾性表面波
デバイスの製造方法であり、吸音材の圧電基板との密着
強度を向上させることができる。
圧電材料からなる基板の吸音材形成場所にシラン系のカ
ップリング層を形成する請求項23に記載の弾性表面波
デバイスの製造方法であり、吸音材の圧電基板との密着
強度を向上させることができる。
【0036】請求項29に記載の発明は、第1工程前に
圧電材料からなる基板の裏面で吸音材形成予定場所とは
圧電基板を介して対向する領域に反射防止膜を設けた請
求項23に記載の弾性表面波デバイスの製造方法であ
り、第4工程において圧電基板の裏面で光を吸収するの
で、吸音材を精度よく形成できる。
圧電材料からなる基板の裏面で吸音材形成予定場所とは
圧電基板を介して対向する領域に反射防止膜を設けた請
求項23に記載の弾性表面波デバイスの製造方法であ
り、第4工程において圧電基板の裏面で光を吸収するの
で、吸音材を精度よく形成できる。
【0037】請求項30に記載の発明は、第1工程前に
圧電材料からなる基板の裏面を光を散乱する粗面にする
工程を有する請求項23に記載の弾性表面波デバイスの
製造方法であり、第4工程において圧電基板の裏面で透
過光を散乱するので吸音材を精度よく形成できる。
圧電材料からなる基板の裏面を光を散乱する粗面にする
工程を有する請求項23に記載の弾性表面波デバイスの
製造方法であり、第4工程において圧電基板の裏面で透
過光を散乱するので吸音材を精度よく形成できる。
【0038】請求項31に記載の発明は、保護層は吸音
材を構成する感光性樹脂の現像液に対する耐性がIDT
電極を構成する主たる金属よりも大である弾性表面波デ
バイスの製造方法である。
材を構成する感光性樹脂の現像液に対する耐性がIDT
電極を構成する主たる金属よりも大である弾性表面波デ
バイスの製造方法である。
【0039】以下、本発明の一実施の形態について図面
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
【0040】(実施の形態1) 図1は本発明の実施の形態1における弾性表面波デバイ
スの断面図、図2は本実施の形態1におけるリッドで封
止前の弾性表面波デバイスの上面図であり、10はパッ
ケージ、11は外部接続用電極、12は接着剤、13は
弾性表面波素子、14は圧電基板、15はIDT電極、
16は接続電極、17は金属層、18は吸音材、19は
ワイヤ、20はリッドである。
スの断面図、図2は本実施の形態1におけるリッドで封
止前の弾性表面波デバイスの上面図であり、10はパッ
ケージ、11は外部接続用電極、12は接着剤、13は
弾性表面波素子、14は圧電基板、15はIDT電極、
16は接続電極、17は金属層、18は吸音材、19は
ワイヤ、20はリッドである。
【0041】また、図3は本発明の一実施の形態におけ
る弾性表面波素子13の搬送方法の説明図であり、30
は搬送装置である。
る弾性表面波素子13の搬送方法の説明図であり、30
は搬送装置である。
【0042】まず円板状の水晶、LiTaO3,LiN
bO3等の圧電基板14上にアルミニウムあるいはアル
ミニウムを主成分とする金属の均一な厚みの蒸着膜を形
成する。次にこの蒸着膜上にポジ型の感光性レジストを
スピンコートにより均一に塗布する。次いで所望の形状
のIDT電極15及びこのIDT電極15に接続される
接続電極16及び吸音材形成予定場所に設ける金属層1
7となるように露光、現像し、IDT電極15、接続電
極16及び金属層17を形成する。またこの金属層17
は形成しようとする吸音材より大きく形成したものであ
る。
bO3等の圧電基板14上にアルミニウムあるいはアル
ミニウムを主成分とする金属の均一な厚みの蒸着膜を形
成する。次にこの蒸着膜上にポジ型の感光性レジストを
スピンコートにより均一に塗布する。次いで所望の形状
のIDT電極15及びこのIDT電極15に接続される
接続電極16及び吸音材形成予定場所に設ける金属層1
7となるように露光、現像し、IDT電極15、接続電
極16及び金属層17を形成する。またこの金属層17
は形成しようとする吸音材より大きく形成したものであ
る。
【0043】その後圧電基板14の金属層17の形成面
全体をネガ型感光性フィルムレジストで被覆し加熱しな
がら圧着する。このフィルムレジストは形成しようとす
る吸音材18の厚みと同じ厚みのものを使用する。
全体をネガ型感光性フィルムレジストで被覆し加熱しな
がら圧着する。このフィルムレジストは形成しようとす
る吸音材18の厚みと同じ厚みのものを使用する。
【0044】次いで、吸音材18となる部分のフィルム
レジストを露光、現像し、吸音材18を得る。現像後、
吸音材18中の水分を除去して圧電基板14との密着力
を向上させる。ここで吸音材18中に水分が残留してい
ると、吸音材18が変質したり、IDT電極15が腐食
したりする恐れがある。
レジストを露光、現像し、吸音材18を得る。現像後、
吸音材18中の水分を除去して圧電基板14との密着力
を向上させる。ここで吸音材18中に水分が残留してい
ると、吸音材18が変質したり、IDT電極15が腐食
したりする恐れがある。
【0045】次に圧電基板14に水を吹き付けながらダ
イサーで個々の弾性表面波素子13に分割し、水分を除
去した後、図3に示すように搬送装置30で弾性表面波
素子13の表面即ち吸音材18の表面を吸着して移動さ
せて、接着剤12を塗布したパッケージ10内に実装す
る。この時吸音材18は同一厚みでかつその表面が圧電
基板14の表面と平行な平面のため、搬送装置30で確
実に弾性表面波素子13を吸着し、精度良くパッケージ
10内に実装できる。
イサーで個々の弾性表面波素子13に分割し、水分を除
去した後、図3に示すように搬送装置30で弾性表面波
素子13の表面即ち吸音材18の表面を吸着して移動さ
せて、接着剤12を塗布したパッケージ10内に実装す
る。この時吸音材18は同一厚みでかつその表面が圧電
基板14の表面と平行な平面のため、搬送装置30で確
実に弾性表面波素子13を吸着し、精度良くパッケージ
10内に実装できる。
【0046】次に弾性表面波素子13の接続電極16と
パッケージ10の外部接続用電極11とをワイヤ19で
電気的に接続し、パッケージ10の開口部をリッド20
で封止する。
パッケージ10の外部接続用電極11とをワイヤ19で
電気的に接続し、パッケージ10の開口部をリッド20
で封止する。
【0047】(実施の形態2) 図4は本発明の実施の形態2における弾性表面波デバイ
スのリッドで封止前の上面図、図5は本実施の形態2に
おける弾性表面波デバイスの断面図であり、21はカッ
プリング層、実施の形態1と同様の他の構成要素につい
ては同番号を付して説明を省略する。また図4、図5に
おいては、わかりやすく説明するためにカップリング層
21は必要な部分のみ記載しているが、本実施の形態2
においては、IDT電極15及び接続電極16を覆い、
圧電基板14の表面全体に設けている。
スのリッドで封止前の上面図、図5は本実施の形態2に
おける弾性表面波デバイスの断面図であり、21はカッ
プリング層、実施の形態1と同様の他の構成要素につい
ては同番号を付して説明を省略する。また図4、図5に
おいては、わかりやすく説明するためにカップリング層
21は必要な部分のみ記載しているが、本実施の形態2
においては、IDT電極15及び接続電極16を覆い、
圧電基板14の表面全体に設けている。
【0048】以下本実施の形態2の弾性表面波デバイス
の製造方法について説明する。
の製造方法について説明する。
【0049】まず実施の形態1と同様にして円板状の圧
電基板14上にIDT電極15、接続電極16及び金属
層17を多数形成する。次に圧電基板14のIDT電極
15を形成した側の表面全体にスピンコートにより、シ
ラン系のカップリング剤を均一に塗布し、カップリング
層21を形成する。次に乾燥して、カップリング層21
中の溶剤成分を除去する。
電基板14上にIDT電極15、接続電極16及び金属
層17を多数形成する。次に圧電基板14のIDT電極
15を形成した側の表面全体にスピンコートにより、シ
ラン系のカップリング剤を均一に塗布し、カップリング
層21を形成する。次に乾燥して、カップリング層21
中の溶剤成分を除去する。
【0050】この後実施の形態1と同様にして、圧電基
板14の表面全体をネガ型感光性フィルムレジストで被
覆し加熱しながら圧着する。このフィルムレジストは形
成しようとする吸音材18の厚みと同じ厚みのものを使
用する。次いで、吸音材18となる部分のフィルムレジ
ストを露光、現像し、吸音材18を得た後、吸音材18
中の水分を除去する。次に実施の形態1と同様にして個
々の弾性表面波素子13に分割後、パッケージ10に実
装して弾性表面波デバイスを作製する。
板14の表面全体をネガ型感光性フィルムレジストで被
覆し加熱しながら圧着する。このフィルムレジストは形
成しようとする吸音材18の厚みと同じ厚みのものを使
用する。次いで、吸音材18となる部分のフィルムレジ
ストを露光、現像し、吸音材18を得た後、吸音材18
中の水分を除去する。次に実施の形態1と同様にして個
々の弾性表面波素子13に分割後、パッケージ10に実
装して弾性表面波デバイスを作製する。
【0051】本実施の形態においても実施の形態1と同
様に吸音材18の表面が圧電基板14の表面と平行な平
面のため、確実に搬送手段により弾性表面波素子13の
吸着とパッケージ10内への実装を行うことができる。
様に吸音材18の表面が圧電基板14の表面と平行な平
面のため、確実に搬送手段により弾性表面波素子13の
吸着とパッケージ10内への実装を行うことができる。
【0052】さらに本実施の形態2において形成したシ
ラン系のカップリング層21は吸音材18と圧電基板1
4との結合強度よりも、吸音材18及び圧電基板14と
の結合強度が大きく、単分子層のため非常に薄いので吸
音効果を妨げることなく吸音材18と圧電基板14の接
着強度を大きく向上させることができる。従ってこの圧
電基板14を個々の弾性表面波素子13に分割する時に
吹き付ける水により圧電基板14から吸音材18が剥離
するのを防止することができる。その上、例えばリッド
20でパッケージ10の開口部をハンダ封止する時や弾
性表面波デバイスを実装基板にリフロー等で実装する時
などの熱ストレス等の応力に対しても強い吸音材18と
なる。
ラン系のカップリング層21は吸音材18と圧電基板1
4との結合強度よりも、吸音材18及び圧電基板14と
の結合強度が大きく、単分子層のため非常に薄いので吸
音効果を妨げることなく吸音材18と圧電基板14の接
着強度を大きく向上させることができる。従ってこの圧
電基板14を個々の弾性表面波素子13に分割する時に
吹き付ける水により圧電基板14から吸音材18が剥離
するのを防止することができる。その上、例えばリッド
20でパッケージ10の開口部をハンダ封止する時や弾
性表面波デバイスを実装基板にリフロー等で実装する時
などの熱ストレス等の応力に対しても強い吸音材18と
なる。
【0053】(実施の形態3) 図6は本発明の実施の形態3における弾性表面波デバイ
スの断面図、図7は本実施の形態3における弾性表面波
デバイスのリッド封止前の上面図であり、22は絶縁性
の酸化膜、実施の形態1と同様の他の構成要素について
は同番号を付して説明を省略する。
スの断面図、図7は本実施の形態3における弾性表面波
デバイスのリッド封止前の上面図であり、22は絶縁性
の酸化膜、実施の形態1と同様の他の構成要素について
は同番号を付して説明を省略する。
【0054】また図8は本実施の形態3における絶縁性
の酸化膜22の作製工程説明図であり、81は電極、8
2は電解液である。
の酸化膜22の作製工程説明図であり、81は電極、8
2は電解液である。
【0055】以下本実施の形態3の弾性表面波デバイス
の製造方法について説明する。
の製造方法について説明する。
【0056】まず実施の形態1と同様にして円板状の圧
電基板14上にフォトリソ法によりIDT電極15、接
続電極16及び金属層17を形成する。次に図8に示す
ように圧電基板14とステンレスなどの電極81とを電
解液82に浸漬し、電極81を陰極、IDT電極15、
接続電極16及び金属層17を陽極として電圧を印加す
る。この電圧印加によりIDT電極15、接続電極16
及び金属層17の表面及び側面が酸化されて酸化膜22
で被覆されることとなる。ついで圧電基板14を電解液
82から引き上げて、純水で浸漬洗浄する。
電基板14上にフォトリソ法によりIDT電極15、接
続電極16及び金属層17を形成する。次に図8に示す
ように圧電基板14とステンレスなどの電極81とを電
解液82に浸漬し、電極81を陰極、IDT電極15、
接続電極16及び金属層17を陽極として電圧を印加す
る。この電圧印加によりIDT電極15、接続電極16
及び金属層17の表面及び側面が酸化されて酸化膜22
で被覆されることとなる。ついで圧電基板14を電解液
82から引き上げて、純水で浸漬洗浄する。
【0057】次いで、実施の形態2と同様にして、カッ
プリング層(図示せず)、吸音材18を形成し、個々の
弾性表面波素子13に分割する。
プリング層(図示せず)、吸音材18を形成し、個々の
弾性表面波素子13に分割する。
【0058】次に実施の形態2と同様にして接着剤12
を塗布したパッケージ10内に実装し、ワイヤ19で外
部接続用電極11と接続電極16とを電気的に接続し、
パッケージに接続し、パッケージ10の開口部をリッド
20で封止する。
を塗布したパッケージ10内に実装し、ワイヤ19で外
部接続用電極11と接続電極16とを電気的に接続し、
パッケージに接続し、パッケージ10の開口部をリッド
20で封止する。
【0059】本実施の形態3においても実施の形態1と
同様に吸音材18の表面が圧電基板14の表面と平行な
平面のため、確実に搬送手段により弾性表面波素子13
の吸着とパッケージ10内への実装を行うことができ
る。
同様に吸音材18の表面が圧電基板14の表面と平行な
平面のため、確実に搬送手段により弾性表面波素子13
の吸着とパッケージ10内への実装を行うことができ
る。
【0060】さらに本実施の形態3においても実施の形
態2と同様にシラン系のカップリング層は吸音効果を妨
げることなく吸音材18と圧電基板14との接着強度を
大きく向上させることができる。従って圧電基板14を
個々の弾性表面波素子13に分割する時に吹き付ける水
により圧電基板14から吸音材18が剥離するのを防止
することができる。その上例えばリッド20でパッケー
ジ10の開口部をハンダ封止する時や弾性表面波デバイ
スを実装基板にリフロー等で実装する時などの熱ストレ
ス等の応力に対しても強い吸音材18となる。
態2と同様にシラン系のカップリング層は吸音効果を妨
げることなく吸音材18と圧電基板14との接着強度を
大きく向上させることができる。従って圧電基板14を
個々の弾性表面波素子13に分割する時に吹き付ける水
により圧電基板14から吸音材18が剥離するのを防止
することができる。その上例えばリッド20でパッケー
ジ10の開口部をハンダ封止する時や弾性表面波デバイ
スを実装基板にリフロー等で実装する時などの熱ストレ
ス等の応力に対しても強い吸音材18となる。
【0061】上記実施の形態3では、IDT電極15及
び接続電極16形成後に陽極酸化を行った。感光性樹脂
の現像液は一般的にアルカリ性であるため、吸音材18
となるフィルムレジストを現像する際、アルミニウムあ
るいはアルミニウムを主成分とする金属からなるIDT
電極15及び接続電極16は浸食される恐れがある。し
かしながらIDT電極15及び接続電極16の表面及び
側面を絶縁性の酸化膜22で被覆することにより、現像
液により悪影響を受けるのを防止できる。
び接続電極16形成後に陽極酸化を行った。感光性樹脂
の現像液は一般的にアルカリ性であるため、吸音材18
となるフィルムレジストを現像する際、アルミニウムあ
るいはアルミニウムを主成分とする金属からなるIDT
電極15及び接続電極16は浸食される恐れがある。し
かしながらIDT電極15及び接続電極16の表面及び
側面を絶縁性の酸化膜22で被覆することにより、現像
液により悪影響を受けるのを防止できる。
【0062】また、上記実施の形態3では、IDT電極
15、接続電極16及び金属層17の形成後に陽極酸化
を行ったが、IDT電極15、接続電極16及び金属層
17の形成前にIDT電極15、接続電極16及び金属
層17となる金属膜の陽極酸化を行い、IDT電極1
5、接続電極16及び金属層17の表面が絶縁性の酸化
膜22で覆われるようにしても構わない。この場合ID
T電極15、接続電極16、金属層17を形成するため
の現像時にIDT電極15及び接続電極16が現像液に
より浸食されにくい。しかしながらこの場合側面は酸化
膜22で覆われていないので、吸音材18を形成するた
めの現像液により浸食されるのを防止するためには、上
記のようにIDT電極15形成後に陽極酸化を行うこと
が好ましい。
15、接続電極16及び金属層17の形成後に陽極酸化
を行ったが、IDT電極15、接続電極16及び金属層
17の形成前にIDT電極15、接続電極16及び金属
層17となる金属膜の陽極酸化を行い、IDT電極1
5、接続電極16及び金属層17の表面が絶縁性の酸化
膜22で覆われるようにしても構わない。この場合ID
T電極15、接続電極16、金属層17を形成するため
の現像時にIDT電極15及び接続電極16が現像液に
より浸食されにくい。しかしながらこの場合側面は酸化
膜22で覆われていないので、吸音材18を形成するた
めの現像液により浸食されるのを防止するためには、上
記のようにIDT電極15形成後に陽極酸化を行うこと
が好ましい。
【0063】このようにIDT電極15の形成前あるい
は形成後のいずれの場合に陽極酸化を行い、表面を酸化
膜22で被覆されるようにすることにより、酸化膜22
を形成しない場合と比較すると、IDT電極15及び接
続電極16の現像液による浸食を防止できる。
は形成後のいずれの場合に陽極酸化を行い、表面を酸化
膜22で被覆されるようにすることにより、酸化膜22
を形成しない場合と比較すると、IDT電極15及び接
続電極16の現像液による浸食を防止できる。
【0064】(実施の形態4) 図9は本発明の実施の形態4における弾性表面波素子の
上面図、図10は本実施の形態4における弾性表面波デ
バイスの断面図であり、23はバンプ、実施の形態1と
同様の他の構成要素については同番号を付して説明を省
略する。
上面図、図10は本実施の形態4における弾性表面波デ
バイスの断面図であり、23はバンプ、実施の形態1と
同様の他の構成要素については同番号を付して説明を省
略する。
【0065】また、図11はバンプ23を用いて弾性表
面波素子13をパッケージ10に実装する時にバンプ2
3が最大限低くなった時の弾性表面波デバイスの断面図
であり、図10と同要素については同番号を付して説明
を省略する。
面波素子13をパッケージ10に実装する時にバンプ2
3が最大限低くなった時の弾性表面波デバイスの断面図
であり、図10と同要素については同番号を付して説明
を省略する。
【0066】以下本実施の形態4の弾性表面波デバイス
の製造方法について説明する。
の製造方法について説明する。
【0067】まず実施の形態1と同様にして円板状の圧
電基板14上にIDT電極15、接続電極16及び金属
層17を形成した後、金属層17上に吸音材18を形成
する。この吸音材18はパッケージ10に実装後IDT
電極15が弾性表面波を励起できるだけの必要な空間を
形成できる高さを有するものである。
電基板14上にIDT電極15、接続電極16及び金属
層17を形成した後、金属層17上に吸音材18を形成
する。この吸音材18はパッケージ10に実装後IDT
電極15が弾性表面波を励起できるだけの必要な空間を
形成できる高さを有するものである。
【0068】次に接続電極16上に金を用いてバンプ2
3を複数形成する。このバンプ23の高さは吸音材18
よりも高く形成している。
3を複数形成する。このバンプ23の高さは吸音材18
よりも高く形成している。
【0069】次いで円板状の圧電基板14を実施の形態
1と同様にして分割し、図9に示すような弾性表面波素
子13を得る。
1と同様にして分割し、図9に示すような弾性表面波素
子13を得る。
【0070】その後弾性表面波素子13を外部接続用電
極11を有するパッケージ10内にバンプ23形成面を
下にして実装し、弾性表面波素子13と外部接続用電極
11とをバンプ23を介して電気的に接続する。
極11を有するパッケージ10内にバンプ23形成面を
下にして実装し、弾性表面波素子13と外部接続用電極
11とをバンプ23を介して電気的に接続する。
【0071】この時バンプ23が加熱及び加圧されるこ
とにより高さが低くなる。
とにより高さが低くなる。
【0072】この時図24に示すように従来の吸音材1
03の場合であると、吸音材103の高さが異なり、そ
の断面がドーム型であるため、バンプ111で弾性表面
波素子105の接続電極102とパッケージ107の外
部接続用電極106とを接続する際、バンプ111の高
さが最大限低くなると弾性表面波素子105をパッケー
ジ107内で水平に実装できず、所望の特性の弾性表面
波デバイスを得ることができないという可能性もある。
03の場合であると、吸音材103の高さが異なり、そ
の断面がドーム型であるため、バンプ111で弾性表面
波素子105の接続電極102とパッケージ107の外
部接続用電極106とを接続する際、バンプ111の高
さが最大限低くなると弾性表面波素子105をパッケー
ジ107内で水平に実装できず、所望の特性の弾性表面
波デバイスを得ることができないという可能性もある。
【0073】しかしながら本発明においては吸音材18
の高さが一定で表面が圧電基板14と平行なため、図1
1に示すように例えバンプ23が低くなったとしても吸
音材18がストッパーとして作用し、吸音材18の高さ
より低くなることがないのでIDT電極15が弾性表面
波を励起できるだけの必要な空間を確保することができ
る。またこの場合弾性表面波素子13を水平に実装する
ことができるので、バンプ23と接続電極16との接合
強度のばらつきを低減できる。つまり機械的及び熱的な
応力に対して強いものとなる。
の高さが一定で表面が圧電基板14と平行なため、図1
1に示すように例えバンプ23が低くなったとしても吸
音材18がストッパーとして作用し、吸音材18の高さ
より低くなることがないのでIDT電極15が弾性表面
波を励起できるだけの必要な空間を確保することができ
る。またこの場合弾性表面波素子13を水平に実装する
ことができるので、バンプ23と接続電極16との接合
強度のばらつきを低減できる。つまり機械的及び熱的な
応力に対して強いものとなる。
【0074】その後パッケージ10の開口部をリッド2
0で封止して、通常は図10に示す弾性表面波デバイス
を作製する。
0で封止して、通常は図10に示す弾性表面波デバイス
を作製する。
【0075】なお、本実施の形態4においてはバンプ2
3を金で形成したがハンダ等を用いて形成しても構わな
い。
3を金で形成したがハンダ等を用いて形成しても構わな
い。
【0076】(実施の形態5) 図12は本発明の実施の形態5における弾性表面波素子
の上面図、図13は本実施の形態5における弾性表面波
デバイスの断面図であり、実施の形態1〜4と同様の構
成要素については同番号を付して説明を省略する。
の上面図、図13は本実施の形態5における弾性表面波
デバイスの断面図であり、実施の形態1〜4と同様の構
成要素については同番号を付して説明を省略する。
【0077】また、図12、図13においては、わかり
やすく説明するためにカップリング層21は必要な部分
のみ記載しているが、本実施の形態5においては、ID
T電極15及び接続電極16を覆い、圧電基板14の表
面全体に設けている。
やすく説明するためにカップリング層21は必要な部分
のみ記載しているが、本実施の形態5においては、ID
T電極15及び接続電極16を覆い、圧電基板14の表
面全体に設けている。
【0078】以下本実施の形態5の弾性表面波デバイス
の製造方法について説明する。
の製造方法について説明する。
【0079】まず実施の形態2と同様にして、円板状の
圧電基板14上にIDT電極15、接続電極16、金属
層17及びカップリング層21を形成する。
圧電基板14上にIDT電極15、接続電極16、金属
層17及びカップリング層21を形成する。
【0080】次に、圧電基板14の表面全体をネガ型感
光性フィルムレジストで被覆し加熱して圧着する。この
フィルムレジストは形成しようとする吸音材18の厚み
と同じ厚みのものを使用する。次いで、吸音材18とな
る部分のフィルムレジストを露光、現像し、吸音材18
を得る。この吸音材18はパッケージ10に実装後ID
T電極15が弾性表面波を励起できるだけの必要な空間
を形成できる高さを有するものである。
光性フィルムレジストで被覆し加熱して圧着する。この
フィルムレジストは形成しようとする吸音材18の厚み
と同じ厚みのものを使用する。次いで、吸音材18とな
る部分のフィルムレジストを露光、現像し、吸音材18
を得る。この吸音材18はパッケージ10に実装後ID
T電極15が弾性表面波を励起できるだけの必要な空間
を形成できる高さを有するものである。
【0081】次に実施の形態4と同様に接続電極16上
にバンプ23を形成後、個々の弾性表面波素子13に分
割し、パッケージ10に実装して弾性表面波デバイスを
作製する。
にバンプ23を形成後、個々の弾性表面波素子13に分
割し、パッケージ10に実装して弾性表面波デバイスを
作製する。
【0082】本実施の形態5においても実施の形態4と
同様に弾性表面波素子13の実装時に吸音材18がスト
ッパーとして作用することにより、バンプ23の高さは
吸音材18の高さより低くなることがないのでIDT電
極15が弾性表面波を励起できるだけの必要な空間を確
保することができる。また、この場合弾性表面波素子1
3を水平に実装することができるので、バンプ23と接
続電極16との接合強度のばらつきを低減できる。つま
り機械的及び熱的な応力に対して強いものとなる。
同様に弾性表面波素子13の実装時に吸音材18がスト
ッパーとして作用することにより、バンプ23の高さは
吸音材18の高さより低くなることがないのでIDT電
極15が弾性表面波を励起できるだけの必要な空間を確
保することができる。また、この場合弾性表面波素子1
3を水平に実装することができるので、バンプ23と接
続電極16との接合強度のばらつきを低減できる。つま
り機械的及び熱的な応力に対して強いものとなる。
【0083】さらに本実施の形態5においては、金属層
17と吸音材18との間にカップリング層21を形成す
ることにより、実施の形態2と同様に吸音効果を妨げる
ことなく吸音材18と圧電基板14の接着強度を大きく
向上させることができる。従って圧電基板14を個々の
弾性表面波素子13に分割する時に吹き付ける水により
圧電基板14から吸音材18が剥離するのを防止するこ
とができる。その上、例えばリッド20でパッケージ1
0開口部をハンダ封止する時や弾性表面波デバイスを実
装基板にリフロー等で実装する時などの熱ストレス等の
応力に対しても強い吸音材18となる。
17と吸音材18との間にカップリング層21を形成す
ることにより、実施の形態2と同様に吸音効果を妨げる
ことなく吸音材18と圧電基板14の接着強度を大きく
向上させることができる。従って圧電基板14を個々の
弾性表面波素子13に分割する時に吹き付ける水により
圧電基板14から吸音材18が剥離するのを防止するこ
とができる。その上、例えばリッド20でパッケージ1
0開口部をハンダ封止する時や弾性表面波デバイスを実
装基板にリフロー等で実装する時などの熱ストレス等の
応力に対しても強い吸音材18となる。
【0084】(実施の形態6) 図14は本発明の実施の形態6における弾性表面波素子
の上面図、図15は本実施の形態6の弾性表面波デバイ
スの断面図であり、実施の形態1〜6と同要素について
は同番号を付して説明を省略する。
の上面図、図15は本実施の形態6の弾性表面波デバイ
スの断面図であり、実施の形態1〜6と同要素について
は同番号を付して説明を省略する。
【0085】以下本実施の形態6における弾性表面波デ
バイスの製造方法について説明する。
バイスの製造方法について説明する。
【0086】まず実施の形態3と同様にして、表面及び
側面が絶縁性の酸化膜22で覆われたIDT電極15、
接続電極16、金属層17を作製する。
側面が絶縁性の酸化膜22で覆われたIDT電極15、
接続電極16、金属層17を作製する。
【0087】この後の工程については実施の形態4,5
と同様にして金属層17上に吸音材18を作製し、接続
電極16上にバンプ23を形成し、個々の弾性表面波素
子13に分割する。次いでパッケージ10に実装してリ
ッド20で封止して弾性表面波デバイスを作製する。
と同様にして金属層17上に吸音材18を作製し、接続
電極16上にバンプ23を形成し、個々の弾性表面波素
子13に分割する。次いでパッケージ10に実装してリ
ッド20で封止して弾性表面波デバイスを作製する。
【0088】本実施の形態6においては実施の形態3と
同様にIDT電極15、接続電極16、金属層17の表
面及び側面を酸化膜22で被覆しているので、吸音材1
8の形成のための現像時にIDT電極15及び接続電極
16が現像液により浸食されるのを防ぐことができる。
同様にIDT電極15、接続電極16、金属層17の表
面及び側面を酸化膜22で被覆しているので、吸音材1
8の形成のための現像時にIDT電極15及び接続電極
16が現像液により浸食されるのを防ぐことができる。
【0089】また、実施の形態3で述べたように、ID
T電極15、接続電極16及び金属層17の形成前の圧
電基板14にアルミニウムあるいはアルミニウム合金の
金属膜を作製した段階で、陽極酸化を行うことにより、
IDT電極15及び接続電極16の表面を絶縁性の酸化
膜22で被覆しても構わない。
T電極15、接続電極16及び金属層17の形成前の圧
電基板14にアルミニウムあるいはアルミニウム合金の
金属膜を作製した段階で、陽極酸化を行うことにより、
IDT電極15及び接続電極16の表面を絶縁性の酸化
膜22で被覆しても構わない。
【0090】(実施の形態7) 図16は実施の形態7における弾性表面波素子の上面
図、図17は本実施の形態7における弾性表面波デバイ
スの断面図であり、25は充填材で、実施の形態4と同
じ構成要素については同番号を付して説明を省略する。
図、図17は本実施の形態7における弾性表面波デバイ
スの断面図であり、25は充填材で、実施の形態4と同
じ構成要素については同番号を付して説明を省略する。
【0091】本実施の形態7においては実施の形態4と
異なる点について説明する。
異なる点について説明する。
【0092】金属層17及びこの上に形成する吸音材1
8をIDT電極15及び接続電極16を囲むように圧電
基板14の外周部に枠状に形成する。形成方法は実施の
形態4と同じである。
8をIDT電極15及び接続電極16を囲むように圧電
基板14の外周部に枠状に形成する。形成方法は実施の
形態4と同じである。
【0093】弾性表面波素子13をパッケージに実装
後、シリコーン樹脂よりなる充填材25を弾性表面波素
子13とパッケージ10の内壁との間に充填し、加熱し
て硬化させる。この時枠状の吸音材18により充填材2
5がIDT電極15の弾性表面波の励起空間に流れ込む
のを防止することができる。
後、シリコーン樹脂よりなる充填材25を弾性表面波素
子13とパッケージ10の内壁との間に充填し、加熱し
て硬化させる。この時枠状の吸音材18により充填材2
5がIDT電極15の弾性表面波の励起空間に流れ込む
のを防止することができる。
【0094】また、この充填材25は硬化後吸音材18
よりも弾性を有するものであり、吸音材18で吸収でき
なかった不要波を吸収するとともに、弾性表面波素子1
3とパッケージ10との熱膨張係数の差等により弾性表
面波素子13に加わる応力を緩和し、特性が変化するの
を防止することができる。
よりも弾性を有するものであり、吸音材18で吸収でき
なかった不要波を吸収するとともに、弾性表面波素子1
3とパッケージ10との熱膨張係数の差等により弾性表
面波素子13に加わる応力を緩和し、特性が変化するの
を防止することができる。
【0095】(実施の形態8) 図16は実施の形態8における弾性表面波素子の上面
図、図18は本実施の形態8における弾性表面波デバイ
スの断面図であり、実施の形態7と同じ構成要素につい
ては同番号を付して説明を省略する。
図、図18は本実施の形態8における弾性表面波デバイ
スの断面図であり、実施の形態7と同じ構成要素につい
ては同番号を付して説明を省略する。
【0096】本実施の形態8の弾性表面波デバイスが実
施の形態7の弾性表面波デバイスと異なるところは、充
填材25を弾性表面波素子13とパッケージ10の内壁
との間だけでなく、弾性表面波素子13のリッド20側
の表面上にも設けている。従って実施の形態7の弾性表
面波デバイスと比較すると不要波の吸収効果が大きいも
のとなる。
施の形態7の弾性表面波デバイスと異なるところは、充
填材25を弾性表面波素子13とパッケージ10の内壁
との間だけでなく、弾性表面波素子13のリッド20側
の表面上にも設けている。従って実施の形態7の弾性表
面波デバイスと比較すると不要波の吸収効果が大きいも
のとなる。
【0097】なお、本実施の形態8においては充填材2
5を弾性表面波素子13のリッド20側の表面全体に設
けたが、IDT電極15に対応する部分にのみ設けても
同様に不要波の吸収効果はある。
5を弾性表面波素子13のリッド20側の表面全体に設
けたが、IDT電極15に対応する部分にのみ設けても
同様に不要波の吸収効果はある。
【0098】また、弾性表面波デバイスの特性に悪影響
を及ぼさないよう、弾性表面波素子13のリッド20側
の表面に設けた充填材25とリッド20とは非接触の状
態となるようにすることが望ましい。
を及ぼさないよう、弾性表面波素子13のリッド20側
の表面に設けた充填材25とリッド20とは非接触の状
態となるようにすることが望ましい。
【0099】(実施の形態9) 図19は本発明の実施の形態9における弾性表面波デバ
イスのリッドで封止する前の上面図であり、実施の形態
1と同要素については同番号を付して説明を省略する。
イスのリッドで封止する前の上面図であり、実施の形態
1と同要素については同番号を付して説明を省略する。
【0100】本実施の形態9においては、二対のIDT
電極15を一体化させて、その両側に反射器電極26を
設けた弾性表面波ユニット27を二つ圧電基板14上で
平行に並べて設けると共に、この弾性表面波ユニット2
7間の圧電基板14上に金属層17を介して吸音材18
を形成したものである。この構成とすることにより弾性
表面波ユニット27間の音響結合を抑え、優れた帯域外
減衰量を有するものとなる。
電極15を一体化させて、その両側に反射器電極26を
設けた弾性表面波ユニット27を二つ圧電基板14上で
平行に並べて設けると共に、この弾性表面波ユニット2
7間の圧電基板14上に金属層17を介して吸音材18
を形成したものである。この構成とすることにより弾性
表面波ユニット27間の音響結合を抑え、優れた帯域外
減衰量を有するものとなる。
【0101】この吸音材18も実施の形態1で示した方
法で作製したので、表面が圧電基板14の表面と平行な
平面のため、弾性表面波素子13をパッケージ10内に
実装する際、搬送装置30で確実に弾性表面波素子13
を吸着し、パッケージ10内に実装できる。
法で作製したので、表面が圧電基板14の表面と平行な
平面のため、弾性表面波素子13をパッケージ10内に
実装する際、搬送装置30で確実に弾性表面波素子13
を吸着し、パッケージ10内に実装できる。
【0102】このように一枚の圧電基板14上に複数の
弾性表面波ユニット27を有する弾性表面波デバイスに
おいては、弾性表面波ユニット27間の少なくとも対向
するIDT電極15間に吸音材18を設けて音響結合を
抑えることが望ましい。また弾性表面波ユニット27に
おいてIDT電極15間あるいはIDT電極15の両端
部に反射器電極26を設けた場合は、上記実施の形態の
ように弾性表面波ユニット27間のIDT電極15間だ
けでなく反射器電極26間にも同様の方法で作製した吸
音材18を設けることが好ましい。
弾性表面波ユニット27を有する弾性表面波デバイスに
おいては、弾性表面波ユニット27間の少なくとも対向
するIDT電極15間に吸音材18を設けて音響結合を
抑えることが望ましい。また弾性表面波ユニット27に
おいてIDT電極15間あるいはIDT電極15の両端
部に反射器電極26を設けた場合は、上記実施の形態の
ように弾性表面波ユニット27間のIDT電極15間だ
けでなく反射器電極26間にも同様の方法で作製した吸
音材18を設けることが好ましい。
【0103】(実施の形態10) 図20は本発明の実施の形態10における弾性表面波デ
バイスのリッドで封止前の上面図であり、実施の形態9
と同様の構成要素については同番号を付して説明を省略
する。
バイスのリッドで封止前の上面図であり、実施の形態9
と同様の構成要素については同番号を付して説明を省略
する。
【0104】本実施の形態10においては弾性表面波ユ
ニット27間だけでなく、反射器電極26と弾性表面波
伝播方向の圧電基板14の端部との間にも吸音材18を
設けている。もちろんこの吸音材18は実施の形態1と
同様にして圧電基板14上に金属層17を介して設けた
ものであり、この吸音材18も弾性表面波ユニット27
間の吸音材18も同一厚みで表面が圧電基板14の表面
と平行な平面のため、搬送装置30で確実に弾性表面波
素子13を吸着し、パッケージ10内に実装できる。
ニット27間だけでなく、反射器電極26と弾性表面波
伝播方向の圧電基板14の端部との間にも吸音材18を
設けている。もちろんこの吸音材18は実施の形態1と
同様にして圧電基板14上に金属層17を介して設けた
ものであり、この吸音材18も弾性表面波ユニット27
間の吸音材18も同一厚みで表面が圧電基板14の表面
と平行な平面のため、搬送装置30で確実に弾性表面波
素子13を吸着し、パッケージ10内に実装できる。
【0105】この構成とすることにより、実施の形態9
の弾性表面波デバイスと比較するとさらに不要波の吸音
効果が向上する。
の弾性表面波デバイスと比較するとさらに不要波の吸音
効果が向上する。
【0106】(実施の形態11) 図21は本発明の実施の形態11における弾性表面波デ
バイスのリッドで封止前の上面図であり、実施の形態1
と同様の構成については同番号を付して説明を省略す
る。
バイスのリッドで封止前の上面図であり、実施の形態1
と同様の構成については同番号を付して説明を省略す
る。
【0107】一般的に接続電極16と外部接続用電極1
1と接続するワイヤ19を短くして、接続電極16と外
部接続用電極11間のインダクタンスをできるだけ小さ
くしようとした場合、接続電極16から接続しようとす
る外部接続用電極11に近接した圧電基板14の端部へ
の引き回し電極を設けることとなる。
1と接続するワイヤ19を短くして、接続電極16と外
部接続用電極11間のインダクタンスをできるだけ小さ
くしようとした場合、接続電極16から接続しようとす
る外部接続用電極11に近接した圧電基板14の端部へ
の引き回し電極を設けることとなる。
【0108】しかしながら本実施の形態11のように接
続電極16と金属層17とを接続して接続しようとする
外部接続用電極11と金属層17とをワイヤ19で接続
することにより、新たに引き回し電極を設けることなく
ワイヤ19を短くすることができる。
続電極16と金属層17とを接続して接続しようとする
外部接続用電極11と金属層17とをワイヤ19で接続
することにより、新たに引き回し電極を設けることなく
ワイヤ19を短くすることができる。
【0109】従って弾性表面波素子13即ち弾性表面波
デバイスの小型化を図ることができる。
デバイスの小型化を図ることができる。
【0110】なお本実施の形態11の弾性表面波デバイ
スは、接続電極16と金属層17とが接続された状態に
すること以外は実施の形態1で説明した製造方法で作製
したものであり、実施の形態1と同様にIDT電極15
の両側の吸音材18は同一厚みで表面が圧電基板14の
表面と平行な平面のため、搬送装置30で確実に弾性表
面波素子13を吸着し、パッケージ10内に実装でき
る。
スは、接続電極16と金属層17とが接続された状態に
すること以外は実施の形態1で説明した製造方法で作製
したものであり、実施の形態1と同様にIDT電極15
の両側の吸音材18は同一厚みで表面が圧電基板14の
表面と平行な平面のため、搬送装置30で確実に弾性表
面波素子13を吸着し、パッケージ10内に実装でき
る。
【0111】(実施の形態12) 図22は本発明の実施の形態12における弾性表面波デ
バイスの断面図であり、28は反射防止膜であり、実施
の形態1,2,3と同様の他の構成については同番号を
付して説明を省略する。
バイスの断面図であり、28は反射防止膜であり、実施
の形態1,2,3と同様の他の構成については同番号を
付して説明を省略する。
【0112】円板状の水晶、LiTaO3,LiNbO3
等の圧電基板14の裏面全体にアモルファスシリコンあ
るいは硬質窒化膜の反射防止膜28を作製する。
等の圧電基板14の裏面全体にアモルファスシリコンあ
るいは硬質窒化膜の反射防止膜28を作製する。
【0113】次に圧電基板14の表面にアルミニウムあ
るいはアルミニウムを主成分とする金属の均一な厚みの
蒸着膜を形成する。次にこの蒸着膜上にポジ型の感光性
レジストをスピンコートにより均一に塗布する。
るいはアルミニウムを主成分とする金属の均一な厚みの
蒸着膜を形成する。次にこの蒸着膜上にポジ型の感光性
レジストをスピンコートにより均一に塗布する。
【0114】次いで所望の形状のIDT電極15及びこ
のIDT電極15に接続される接続電極16となるよう
に露光する。この時圧電基板14の裏面には反射防止膜
28が形成されているので透過光を吸収し、反射光が発
生するのを防止している。
のIDT電極15に接続される接続電極16となるよう
に露光する。この時圧電基板14の裏面には反射防止膜
28が形成されているので透過光を吸収し、反射光が発
生するのを防止している。
【0115】次いで現像し、IDT電極15、接続電極
16を形成し、陽極酸化によりIDT電極及び接続電極
16の表面及び側面に絶縁性の酸化膜22を形成する。
16を形成し、陽極酸化によりIDT電極及び接続電極
16の表面及び側面に絶縁性の酸化膜22を形成する。
【0116】その後実施の形態2と同様にして少なくと
も圧電基板14の表面の吸音材18の形成予定場所にカ
ップリング層21を形成する。
も圧電基板14の表面の吸音材18の形成予定場所にカ
ップリング層21を形成する。
【0117】次に圧電基板14のIDT電極15を形成
面全体をネガ型感光性フィルムレジストで被覆し加熱し
ながら圧着する。このフィルムレジストは形成しようと
する吸音材18の厚みと同じ厚みのものを使用する。
面全体をネガ型感光性フィルムレジストで被覆し加熱し
ながら圧着する。このフィルムレジストは形成しようと
する吸音材18の厚みと同じ厚みのものを使用する。
【0118】次いで、吸音材18となる部分のフィルム
レジストを露光する。この時も圧電基板14の裏面の反
射防止膜28により透過光を吸収し、反射光の発生を防
止している。
レジストを露光する。この時も圧電基板14の裏面の反
射防止膜28により透過光を吸収し、反射光の発生を防
止している。
【0119】その後現像し、吸音材18を得る。現像
後、吸音材18中の水分を除去して圧電基板14との密
着力を向上させる。
後、吸音材18中の水分を除去して圧電基板14との密
着力を向上させる。
【0120】以降実施の形態1と同様にして図22に示
す弾性表面波デバイスを作製する。
す弾性表面波デバイスを作製する。
【0121】本実施の形態12においても、実施の形態
1と同様にIDT電極15の両側の吸音材18は同一厚
みで表面が圧電基板14の表面と平行な平面のため、搬
送装置30で確実に弾性表面波素子13を吸着し、パッ
ケージ10内に実装できる。
1と同様にIDT電極15の両側の吸音材18は同一厚
みで表面が圧電基板14の表面と平行な平面のため、搬
送装置30で確実に弾性表面波素子13を吸着し、パッ
ケージ10内に実装できる。
【0122】なお上記実施の形態12では、金属の蒸着
膜を形成する前に反射防止膜28を形成したが、形成後
吸音材18となるフィルムレジストを露光する前に反射
防止膜28を作製すれば、形状精度に優れた吸音材18
を得ることができる。しかしながらIDT電極15の形
成前に反射防止膜28を作製する方が、IDT電極15
及び接続電極16をより精度良く作製することができ
る。この時反射防止膜28の形成は本実施の形態12の
ように感光性樹脂の露光前であれば構わない。
膜を形成する前に反射防止膜28を形成したが、形成後
吸音材18となるフィルムレジストを露光する前に反射
防止膜28を作製すれば、形状精度に優れた吸音材18
を得ることができる。しかしながらIDT電極15の形
成前に反射防止膜28を作製する方が、IDT電極15
及び接続電極16をより精度良く作製することができ
る。この時反射防止膜28の形成は本実施の形態12の
ように感光性樹脂の露光前であれば構わない。
【0123】また反射防止膜28は圧電基板14の裏面
全体に設けたが、全体に設ける必要はないが、少なくと
も吸音材18、IDT電極15及び接続電極16となる
部分よりも大きく形成し、透過光の圧電基板14の裏面
での反射により吸音材18、IDT電極15及び接続電
極16となる感光性樹脂に光が当たらないようにするこ
とが望ましい。
全体に設けたが、全体に設ける必要はないが、少なくと
も吸音材18、IDT電極15及び接続電極16となる
部分よりも大きく形成し、透過光の圧電基板14の裏面
での反射により吸音材18、IDT電極15及び接続電
極16となる感光性樹脂に光が当たらないようにするこ
とが望ましい。
【0124】以下、本発明においてポイントとなる点に
ついて説明する。
ついて説明する。
【0125】(1)上記実施の形態における吸音材18
は、フィルムレジストを用いて形成したが感光性樹脂溶
液をスピンコートなどにより圧電基板上に均一な厚みに
塗布することにより形成しても同様の効果が得られる。
ただしこの場合1回のスピンコートで形成できる厚みは
薄い。従って感光性樹脂溶液を複数回スピンコートする
ことにより所望の厚みの吸音材18となるように調整す
るとよい。
は、フィルムレジストを用いて形成したが感光性樹脂溶
液をスピンコートなどにより圧電基板上に均一な厚みに
塗布することにより形成しても同様の効果が得られる。
ただしこの場合1回のスピンコートで形成できる厚みは
薄い。従って感光性樹脂溶液を複数回スピンコートする
ことにより所望の厚みの吸音材18となるように調整す
るとよい。
【0126】(2)上記各実施の形態では、吸音材18
をエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂のいず
れか一つを用いて形成する。特にアクリル樹脂は、圧電
基板14に対する接着性に優れているので好ましい。
をエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂のいず
れか一つを用いて形成する。特にアクリル樹脂は、圧電
基板14に対する接着性に優れているので好ましい。
【0127】(3)吸音材18は略方形状に形成しても
良いのであるが、上記各実施の形態で示したように吸音
材18のIDT電極15側の端部は曲面状として、吸音
効果に加えて散乱効果を持たせて不要波の抑圧を向上さ
せることが望ましい。またこの時できるだけ角部がない
ような形状とし、仮に角部を形成する場合は上記各実施
の形態で示したようにその角度を鈍角とすることによ
り、例えば円板状の圧電基板を分割する際に吹き付ける
水圧により圧電基板14から吸音材18が剥離するのを
防止することができる。
良いのであるが、上記各実施の形態で示したように吸音
材18のIDT電極15側の端部は曲面状として、吸音
効果に加えて散乱効果を持たせて不要波の抑圧を向上さ
せることが望ましい。またこの時できるだけ角部がない
ような形状とし、仮に角部を形成する場合は上記各実施
の形態で示したようにその角度を鈍角とすることによ
り、例えば円板状の圧電基板を分割する際に吹き付ける
水圧により圧電基板14から吸音材18が剥離するのを
防止することができる。
【0128】(4)吸音材18の弾性表面波の伝播方向
の幅の最も短い部分を0.5λ(λ:弾性表面波の波
長)以上とすると、十分な吸音効果を得ることができ
る。
の幅の最も短い部分を0.5λ(λ:弾性表面波の波
長)以上とすると、十分な吸音効果を得ることができ
る。
【0129】(5)吸音材18の弾性表面波の伝播方向
と直交する方向の長さは、同方向のIDT電極15の長
さ以上とすることが望ましい。なぜならば弾性表面波に
は波の性質として回折効果があるので、同方向のIDT
電極15の長さ以上とすることにより、十分な吸音効果
が得られるからである。
と直交する方向の長さは、同方向のIDT電極15の長
さ以上とすることが望ましい。なぜならば弾性表面波に
は波の性質として回折効果があるので、同方向のIDT
電極15の長さ以上とすることにより、十分な吸音効果
が得られるからである。
【0130】(6)本発明のようにフォトリソ法により
形状精度に優れた吸音材18を形成する場合、以下の三
つの方法の少なくとも一つの方法を利用することが望ま
しい。
形状精度に優れた吸音材18を形成する場合、以下の三
つの方法の少なくとも一つの方法を利用することが望ま
しい。
【0131】即ち一つ目は、上記実施の形態で示したよ
うに圧電基板14の表面に金属層17を形成し、光を圧
電基板14の裏面まで透過させないようにする方法であ
る。この金属層17、IDT電極15及び接続電極16
の作製と同時に作製することができるので新たに別工程
を設ける必要がないので最も好ましい。
うに圧電基板14の表面に金属層17を形成し、光を圧
電基板14の裏面まで透過させないようにする方法であ
る。この金属層17、IDT電極15及び接続電極16
の作製と同時に作製することができるので新たに別工程
を設ける必要がないので最も好ましい。
【0132】二つ目は、圧電基板14の裏面を粗面と
し、反射光を散乱させて吸音材となるフィルムレジスト
に反射光が照射しないようにする方法である。
し、反射光を散乱させて吸音材となるフィルムレジスト
に反射光が照射しないようにする方法である。
【0133】三つ目は、実施の形態12で示したように
圧電基板14の裏面に反射防止膜28を形成し、透過光
を吸収する方法である。
圧電基板14の裏面に反射防止膜28を形成し、透過光
を吸収する方法である。
【0134】(7)吸音材18を形成する時、円板状の
圧電基板14と同等以下で弾性表面波素子13となる部
分より大きなフィルムレジストを用いるか、あるいは圧
電基板14より大きなフィルムレジストの場合は、圧電
基板14に貼り合わせた後圧電基板14と同等以下で弾
性表面波素子13となる部分より大きくなるように切断
することが望ましい。その理由は、フィルムレジストが
圧電基板14よりも大きいと、露光、現像のために圧電
基板14を搬送する際、フィルムレジストが搬送装置な
どに引っかかってフィルムレジストが剥離したり、搬送
がうまくできないなどの恐れがあるからである。
圧電基板14と同等以下で弾性表面波素子13となる部
分より大きなフィルムレジストを用いるか、あるいは圧
電基板14より大きなフィルムレジストの場合は、圧電
基板14に貼り合わせた後圧電基板14と同等以下で弾
性表面波素子13となる部分より大きくなるように切断
することが望ましい。その理由は、フィルムレジストが
圧電基板14よりも大きいと、露光、現像のために圧電
基板14を搬送する際、フィルムレジストが搬送装置な
どに引っかかってフィルムレジストが剥離したり、搬送
がうまくできないなどの恐れがあるからである。
【0135】(8)実施の形態2及び実施の形態5にお
いては製造工程を容易にするため、圧電基板14の全面
にカップリング剤を塗布した。そのため、圧電基板14
と吸音材18との間にだけでなくIDT電極15の表面
にもカップリング層21が形成されることとなる。しか
しながらカップリング層21は弾性表面波デバイスの特
性に悪影響を及ぼさないので、除去する必要はない。
いては製造工程を容易にするため、圧電基板14の全面
にカップリング剤を塗布した。そのため、圧電基板14
と吸音材18との間にだけでなくIDT電極15の表面
にもカップリング層21が形成されることとなる。しか
しながらカップリング層21は弾性表面波デバイスの特
性に悪影響を及ぼさないので、除去する必要はない。
【0136】(9)吸音材18は上端側より下端側(圧
電基板14側)の方を大きくして、圧電基板14との密
着性を向上させることが望ましい。
電基板14側)の方を大きくして、圧電基板14との密
着性を向上させることが望ましい。
【0137】(10)充填材25はシリコーン樹脂を用
いたが、他の熱硬化性樹脂を用いても構わない。しかし
ながら充填材25は吸音材18よりも弾性を有し、熱膨
張などにより弾性表面波素子13に加わる応力を緩和す
ることが望ましい。
いたが、他の熱硬化性樹脂を用いても構わない。しかし
ながら充填材25は吸音材18よりも弾性を有し、熱膨
張などにより弾性表面波素子13に加わる応力を緩和す
ることが望ましい。
【0138】(11)弾性表面波素子13の焦電破壊を
防止するために、圧電基板14を加熱あるいは冷却する
時は急激な温度変化を避ける。
防止するために、圧電基板14を加熱あるいは冷却する
時は急激な温度変化を避ける。
【0139】(12)IDT電極15、接続電極16、
金属層17の表面を陽極酸化し、その表面を絶縁層で被
覆することにより、仮に弾性表面波素子13の表面に導
電性の異物が落下したとしてもショート防止できる。
金属層17の表面を陽極酸化し、その表面を絶縁層で被
覆することにより、仮に弾性表面波素子13の表面に導
電性の異物が落下したとしてもショート防止できる。
【0140】
【発明の効果】以上本発明によると、同じ厚みで表面が
圧電基板に平行な吸音材を作製することにより、弾性表
面波素子をパッケージに実装する際の実装不良を防止す
ることができる。
圧電基板に平行な吸音材を作製することにより、弾性表
面波素子をパッケージに実装する際の実装不良を防止す
ることができる。
【図1】本発明の実施の形態1における弾性表面波デバ
イスの断面図
イスの断面図
【図2】本発明の実施の形態1における弾性表面波デバ
イスのリッド封止前の上面図
イスのリッド封止前の上面図
【図3】本発明の一実施の形態における弾性表面波デバ
イスの製造工程を説明するための断面図
イスの製造工程を説明するための断面図
【図4】本発明の実施の形態2における弾性表面波デバ
イスのリッド封止前の上面図
イスのリッド封止前の上面図
【図5】本発明の実施の形態2における弾性表面波デバ
イスの断面図
イスの断面図
【図6】本発明の実施の形態3における弾性表面波デバ
イスの断面図
イスの断面図
【図7】本発明の実施の形態3における弾性表面波デバ
イスのリッド封止前の上面図
イスのリッド封止前の上面図
【図8】本発明の実施の形態3における弾性表面波デバ
イスの一製造工程の説明図
イスの一製造工程の説明図
【図9】本発明の実施の形態4における弾性表面波素子
の上面図
の上面図
【図10】本発明の実施の形態4における弾性表面波デ
バイスの断面図
バイスの断面図
【図11】本発明の一実施の形態における弾性表面波デ
バイスの断面図
バイスの断面図
【図12】本発明の実施の形態5における弾性表面波素
子の上面図
子の上面図
【図13】本発明の実施の形態5における弾性表面波デ
バイスの断面図
バイスの断面図
【図14】本発明の実施の形態6における弾性表面波素
子の上面図
子の上面図
【図15】本発明の実施の形態6における弾性表面波デ
バイスの断面図
バイスの断面図
【図16】本発明の実施の形態7,8における弾性表面
波素子の上面図
波素子の上面図
【図17】本発明の実施の形態7における弾性表面波デ
バイスの断面図
バイスの断面図
【図18】本発明の実施の形態8における弾性表面波デ
バイスの断面図
バイスの断面図
【図19】本発明の実施の形態9における弾性表面波デ
バイスのリッド封止前の上面図
バイスのリッド封止前の上面図
【図20】本発明の実施の形態10における弾性表面波
デバイスのリッド封止前の上面図
デバイスのリッド封止前の上面図
【図21】本発明の実施の形態11における弾性表面波
デバイスのリッド封止前の上面図
デバイスのリッド封止前の上面図
【図22】本発明の実施の形態12における弾性表面波
デバイスの断面図
デバイスの断面図
【図23】従来の弾性表面波デバイスの断面図
【図24】従来の弾性表面波デバイスの断面図
10 パッケージ 11 外部接続用電極 12 接着剤 13 弾性表面波素子 14 圧電基板 15 IDT電極 16 接続電極 17 金属層 18 吸音材 19 ワイヤ 20 リッド 21 カップリング層 22 酸化膜 23 バンプ 25 充填材 26 反射器電極 27 弾性表面波ユニット 28 反射防止膜 30 搬送装置 81 電極 82 電解液
フロントページの続き (72)発明者 松尾 聡 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 古賀 孝文 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 村上 弘三 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平2−174412(JP,A) 特開 平8−97673(JP,A) 特開 昭58−92117(JP,A) 特開 昭63−178615(JP,A) 特開 昭59−74719(JP,A) 特開 平8−307197(JP,A) 特開 平8−111629(JP,A) 特開 平4−27514(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03H 9/25 H03H 3/08
Claims (31)
- 【請求項1】 外部接続用電極を有するパッケージと、
このパッケージ内に収納した弾性表面波素子と、前記パ
ッケージの開口部を封止したリッドとを備え、前記弾性
表面波素子は、圧電基板表面に少なくともインターディ
ジタルトランスデューサ電極と、前記インターディジタ
ルトランスデューサ電極に電気的に接続した接続電極
と、前記インターディジタルトランスデューサ電極の両
側に形成した吸音材とを備え、前記インターディジタル
トランスデューサ電極は表面に保護層を有し、前記吸音
材は感光性樹脂で形成されると共にその上面は前記圧電
基板の主面と平行であり、かつ前記接続電極が前記外部
接続用電極と電気的に接続した弾性表面波デバイス。 - 【請求項2】 保護層は吸音材を構成する感光性樹脂の
現像液に対する耐性がインターディジタルトランスデュ
ーサ電極を構成する主たる金属よりも大である請求項1
記載の弾性表面波デバイス。 - 【請求項3】 感光性樹脂はネガ型である請求項2記載
の弾性表面波デバイス。 - 【請求項4】 感光性樹脂はエポキシ樹脂、ポリイミド
樹脂、アクリル樹脂のいずれかである請求項2記載の弾
性表面波デバイス。 - 【請求項5】 吸音材の弾性表面波伝播方向の幅は、
0.5λ(λ:弾性表面波の波長)以上である請求項1
記載の弾性表面波デバイス。 - 【請求項6】 吸音材のインターディジタルトランスデ
ューサ電極側の端部は折線状である請求項1記載の弾性
表面波デバイス。 - 【請求項7】 インターディジタルトランスデューサ電
極の下部を除き、少なくとも吸音材と圧電基板との間に
前記吸音材と前記圧電基板の接着強度よりも大きい接着
強度を有するカップリング層を設けた請求項1記載の弾
性表面波デバイス。 - 【請求項8】 カップリング層は吸音材よりも大きな表
面積を有する請求項7記載の弾性表面波デバイス。 - 【請求項9】 カップリング層はシラン系樹脂を用いて
形成した請求項7記載の弾性表面波デバイス。 - 【請求項10】 吸音材と圧電基板との間に下地金属層
を設けた請求項1記載の弾性表面波デバイス。 - 【請求項11】 インターディジタルトランスデューサ
電極と下地金属層とを接続し、前記下地金属層と外部接
続用電極とを接続した請求項10記載の弾性表面波デバ
イス。 - 【請求項12】 圧電基板を介して吸音材と対向する前
記圧電基板の裏面に光反射防止膜を設けた請求項1記載
の弾性表面波デバイス。 - 【請求項13】 反射防止膜の形成領域を吸音材よりも
大きくした請求項12記載の弾性表面波デバイス。 - 【請求項14】 光反射防止膜をアモルファスシリコン
あるいは金属窒化膜で形成した請求項13記載の弾性表
面波デバイス。 - 【請求項15】 吸音材はその上面の面積より圧電基板
と接する下面側の方を大きくした請求項1記載の弾性表
面波デバイス。 - 【請求項16】 弾性表面波素子の接続電極上に形成さ
れたバンプを用いて前記接続電極と、パッケージの外部
接続用電極とを電気的に接続した請求項1記載の弾性表
面波デバイス。 - 【請求項17】 吸音材はインターディジタルトランス
デューサ電極および接続電極を囲むように圧電基板の外
周部に設けた請求項1記載の弾性表面波デバイス。 - 【請求項18】 パッケージの内壁と圧電基板側面との
間に充填材を設けた請求項17記載の弾性表面波デバイ
ス。 - 【請求項19】 充填材は吸音材よりも弾性を有する請
求項18記載の弾性表面波デバイス。 - 【請求項20】 充填材としてシリコーン樹脂を用いた
請求項19記載の弾性表面波デバイス。 - 【請求項21】 圧電基板の裏面の少なくともインター
ディジタルトランスデューサ電極と対向する領域に吸音
材を設けた請求項16記載の弾性表面波デバイス。 - 【請求項22】 圧電基板の裏面に設けられた吸音材と
リッドとは非接触の状態とした請求項21記載の弾性表
面波デバイス。 - 【請求項23】 圧電材料からなる基板上に少なくとも
インターディジタルトランスデューサ電極および前記イ
ンターディジタルトランスデューサ電極に接続した接続
電極を形成する第1工程と、前記インターディジタルト
ランスデューサ電極表面に保護層を設ける第2工程と、
前記基板の表面に感光性フィルムレジストを圧着し、前
記基板と同等以下で後に形成する弾性表面波素子となる
部分よりも大きな感光性フィルムレジスト層を形成する
第3工程と、吸音材となる部分の前記感光性フィルムレ
ジスト層を露光し、現像して吸音材を形成し基板上に多
数の弾性表面波素子を形成する第4工程と、前記基板を
切断し、分割して得た弾性表面波素子をパッケージに載
置し、前記弾性表面波素子の接続電極と前記パッケージ
の外部接続用電極とを電気的に接続する第5工程と、前
記パッケージの開口部をリッドで封止する第6工程とを
有し、かつ前記吸音材の主面は前記基板の表面と平行に
なるように形成する弾性表面波デバイスの製造方法。 - 【請求項24】 第3工程における感光性樹脂層の厚さ
は圧電材料からなる基板と同等以下でかつ弾性表面波素
子形成部よりも厚いものを用いる請求項23記載の弾性
表面波デバイスの製造方法。 - 【請求項25】 第1工程においてインターディジタル
トランスデューサ電極と共に吸音材形成予定場所に下地
金属層を形成する請求項23記載の弾性表面波デバイス
の製造方法。 - 【請求項26】 保護膜は陽極酸化により設ける請求項
23記載の弾性表面波デバイスの製造方法。 - 【請求項27】 圧電材料からなる基板の表面に金属膜
を形成し、この金属膜の表面に陽極酸化により絶縁層を
形成する第1工程と、圧電材料からなる基板上に少なく
ともインターディジタルトランスデューサ電極および前
記インターディジタルトランスデューサ電極に接続した
接続電極を形成する第2工程と、前記基板の表面に感光
性フィルムレジストを圧着し、前記基板と同等以下で後
に形成する弾性表面波素子となる部分よりも大きな感光
性フィルムレジスト層を形成する 第3工程と、吸音材と
なる部分の前記感光性フィルムレジスト層を露光し、現
像して吸音材を形成し基板上に多数の弾性表面波素子を
形成する第4工程と、前記基板を切断し、分割して得た
弾性表面波素子をパッケージに載置し、前記弾性表面波
素子の接続電極と前記パッケージの外部接続用電極とを
電気的に接続する第5工程と、前記パッケージの開口部
をリッドで封止する第6工程とを有し、かつ前記吸音材
の主面は前記基板の表面と平行になるように形成する弾
性表面波デバイスの製造方法。 - 【請求項28】 第3工程前に圧電材料からなる基板の
吸音材形成場所にシラン系のカップリング層を形成する
請求項23記載の弾性表面波デバイスの製造方法。 - 【請求項29】 第1工程前に圧電材料からなる基板の
裏面で吸音材形成予定場所とは圧電基板を介して対向す
る領域に反射防止膜を設ける請求項23記載の弾性表面
波デバイスの製造方法。 - 【請求項30】 第1工程前に圧電材料からなる基板の
裏面を光を散乱する粗面にする工程を有する請求項23
記載の弾性表面波デバイスの製造方法。 - 【請求項31】 保護層は吸音材を構成する感光性樹脂
の現像液に対する耐性がインターディジタルトランスデ
ューサ電極を構成する主たる金属よりも大である請求項
23記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000011451A JP3296356B2 (ja) | 1999-02-08 | 2000-01-20 | 弾性表面波デバイスとその製造方法 |
EP00902110A EP1152528A4 (en) | 1999-02-08 | 2000-02-07 | ACOUSTIC SURFACE WAVE ASSEMBLY AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
US09/890,914 US6534901B1 (en) | 1999-02-08 | 2000-02-07 | Surface acoustic wave device and method of manufacture thereof |
KR10-2001-7009959A KR100499207B1 (ko) | 1999-02-08 | 2000-02-07 | 탄성 표면파 장치와 그 제조 방법 |
PCT/JP2000/000638 WO2000046920A1 (fr) | 1999-02-08 | 2000-02-07 | Dispositif d'ondes acoustiques de surface et son procede de fabrication |
CNB008026246A CN1162960C (zh) | 1999-02-08 | 2000-02-07 | 弹性表面波装置及其制造方法 |
TW089102065A TW453027B (en) | 1999-02-08 | 2000-02-08 | Saw device and manufacturing method therefor |
US10/315,091 US6848153B2 (en) | 1999-02-08 | 2002-12-10 | Method of manufacturing a surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11-29571 | 1999-02-08 | ||
JP2957199 | 1999-02-08 | ||
JP2000011451A JP3296356B2 (ja) | 1999-02-08 | 2000-01-20 | 弾性表面波デバイスとその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000299617A JP2000299617A (ja) | 2000-10-24 |
JP3296356B2 true JP3296356B2 (ja) | 2002-06-24 |
Family
ID=26367786
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000011451A Expired - Lifetime JP3296356B2 (ja) | 1999-02-08 | 2000-01-20 | 弾性表面波デバイスとその製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6534901B1 (ja) |
EP (1) | EP1152528A4 (ja) |
JP (1) | JP3296356B2 (ja) |
KR (1) | KR100499207B1 (ja) |
CN (1) | CN1162960C (ja) |
TW (1) | TW453027B (ja) |
WO (1) | WO2000046920A1 (ja) |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10000746A1 (de) * | 2000-01-11 | 2001-07-12 | Epcos Ag | Bauelement mit Ableitung für Pyrospannungen und Herstellverfahren |
JP3925133B2 (ja) | 2000-12-26 | 2007-06-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置 |
JP3489576B2 (ja) | 2001-01-12 | 2004-01-19 | 株式会社村田製作所 | レジストパターンの形成方法、電極パターンの形成方法および弾性表面波装置の製造方法 |
JP2003087080A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-03-20 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
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JP2000252787A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-09-14 | Toshiba Corp | 弾性表面波装置および弾性表面波装置用の外囲器 |
-
2000
- 2000-01-20 JP JP2000011451A patent/JP3296356B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-02-07 CN CNB008026246A patent/CN1162960C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2000-02-07 EP EP00902110A patent/EP1152528A4/en not_active Withdrawn
- 2000-02-07 WO PCT/JP2000/000638 patent/WO2000046920A1/ja not_active Application Discontinuation
- 2000-02-07 US US09/890,914 patent/US6534901B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-02-07 KR KR10-2001-7009959A patent/KR100499207B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-02-08 TW TW089102065A patent/TW453027B/zh active
-
2002
- 2002-12-10 US US10/315,091 patent/US6848153B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1152528A1 (en) | 2001-11-07 |
TW453027B (en) | 2001-09-01 |
WO2000046920A1 (fr) | 2000-08-10 |
JP2000299617A (ja) | 2000-10-24 |
US6848153B2 (en) | 2005-02-01 |
KR100499207B1 (ko) | 2005-07-07 |
CN1162960C (zh) | 2004-08-18 |
US6534901B1 (en) | 2003-03-18 |
EP1152528A4 (en) | 2006-07-05 |
CN1337091A (zh) | 2002-02-20 |
KR20010094758A (ko) | 2001-11-01 |
US20030127943A1 (en) | 2003-07-10 |
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