JP3296356B2 - 弾性表面波デバイスとその製造方法 - Google Patents

弾性表面波デバイスとその製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は無線通信機器等に使
用される弾性表面波デバイスとその製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来の弾性表面波デバイスの製造方法に
ついて図２３を用いて説明する。
【０００３】まず円板状の圧電基板１００上にアルミニ
ウムの蒸着膜を形成し、所望の形状のパターンで露光、
現像し、インターディジタルトランスデューサ電極１０
１（以下ＩＤＴ電極と称する）及び接続電極１０２を形
成する。次にＩＤＴ電極１０１の両側にシリコーン樹脂
をスクリーン印刷により塗布、熱処理して吸音材１０３
を形成する。次いで圧電基板１００を個々の弾性表面波
素子１０５に分割する。次に外部接続用電極１０６を有
するパッケージ１０７内に接着剤１０８を用いて弾性表
面波素子１０５を固定すると共に外部接続用電極１０６
と接続電極１０２とをワイヤ１０９で電気的に接続す
る。その後パッケージ１０７の開口部をリッド１１０で
封止する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記方法によると、吸
音材１０３をスクリーン印刷により形成すると、印刷精
度に劣ると共に樹脂ダレが発生するため、その断面はド
ーム型となり、上面が曲面となりその上高さも均一に形
成しにくいものであった。
【０００５】ところでパッケージ１０７内に弾性表面波
素子１０５を実装する時は、弾性表面波素子１０５の表
面を吸着して移送させるのであるが、吸音材１０３の上
面が曲面でかつ高さも異なるため吸着しづらく、実装不
良を発生する恐れがあった。
【０００６】そこで本発明はパッケージに実装する際の
実装不良を防止することのできる弾性表面波デバイスを
提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の弾性表面波デバイスは、外部接続用電極を有
するパッケージと、このパッケージ内に収納した弾性表
面波素子と、前記パッケージの開口部を封止したリッド
とを備え、前記弾性表面波素子は、圧電基板表面に少な
くともＩＤＴ電極と、このＩＤＴ電極に電気的に接続し
た接続電極と、前記ＩＤＴ電極の両側に形成した吸音材
とを備え、前記ＩＤＴ電極は表面に保護層を有し、前記
吸音材は感光性樹脂で形成されると共にその上面は前記
圧電基板の主面と平行であり、かつ前記接続電極が前記
外部接続用電極と電気的に接続して構成したものであ
り、吸音材の上面が平面であるため、パッケージに実装
時の弾性表面波素子を移動手段により吸着させやすくな
り、上記目的を達成することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、外部接続用電極を有するパッケージと、このパッケ
ージ内に収納した弾性表面波素子と、前記パッケージの
開口部を封止したリッドとを備え、前記弾性表面波素子
は、圧電基板表面に少なくともＩＤＴ電極と、前記ＩＤ
Ｔ電極に電気的に接続した接続電極と、前記ＩＤＴ電極
の両側に形成した吸音材とを備え、前記ＩＤＴ電極は表
面に保護層を有し、前記吸音材は感光性樹脂で形成され
ると共にその上面は前記圧電基板の主面と平行であり、
かつ前記接続電極が前記外部接続用電極と電気的に接続
して構成した弾性表面波デバイスであり、吸音材の上面
が平面のため、パッケージへの実装時に弾性表面波素子
を吸着しやすく、実装不良を防止できるものである。
【０００９】請求項２に記載の発明は、保護層は吸音材
を構成する感光性樹脂の現像液に対する耐性がＩＤＴ電
極を構成する主たる金属よりも大である請求項１に記載
の弾性表面波デバイスであり、吸音効果が高いため、吸
音材の低面積化、低背化が可能なものである。
【００１０】請求項３に記載の発明は、感光性樹脂はネ
ガ型である請求項２に記載の弾性表面波デバイスであ
り、感光した部分が吸音材として形成されるので、優れ
た安定性を有するものである。
【００１１】請求項４に記載の発明は、感光性樹脂はエ
ポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂のいずれか
である請求項２に記載の弾性表面波デバイスであり、弾
性を有するので効率良く吸音できるものである。
【００１２】請求項５に記載の発明は、吸音材の弾性表
面波伝播方向の幅は、０．５λ（λ：弾性表面波の波
長）以上である請求項１に記載の弾性表面波デバイスで
あり、十分な吸音効果を有するものである。
【００１３】請求項６に記載の発明は、吸音材のＩＤＴ
電極側の端部は折線状である請求項１に記載の弾性表面
波デバイスであり、不要波の散乱効果を有するので、よ
りよく不要波を抑圧できるものである。
【００１４】請求項７に記載の発明は、ＩＤＴ電極の下
部を除き、少なくとも吸音材と圧電基板との間に前記吸
音材と前記圧電基板の接着強度よりも大きい接着強度を
有するカップリング層を設けた請求項１に記載の弾性表
面波デバイスであり、吸音材の圧電基板との密着強度が
上がるので、優れた安定性を有するものとなる。
【００１５】請求項８に記載の発明は、カップリング層
は吸音材よりも大きな表面積を有する請求項７に記載の
弾性表面波デバイスであり、吸音材の全面にわたって圧
電基板との密着強度が上がるので、優れた安定性を有す
るものとなる。
【００１６】請求項９に記載の発明は、カップリング層
はシラン系樹脂を用いて形成した請求項７に記載の弾性
表面波デバイスであり、吸音材の圧電基板との密着強度
が上がるので、優れた安定性を有するものとなる。
【００１７】請求項１０に記載の発明は、吸音材と圧電
基板との間に下地金属層を設けた請求項１に記載の弾性
表面波デバイスであり、吸音材の形成のための露光時、
圧電基板の裏面まで光を透過させないので、裏面での反
射光がなく、所望の形状の吸音材を有するものとなる。
【００１８】請求項１１に記載の発明は、ＩＤＴ電極と
下地金属層とを接続し、前記下地金属層と外部接続用電
極とを接続した請求項１０に記載の弾性表面波デバイス
であり、ＩＤＴ電極と外部接続用電極とを接続するため
の電極を圧電基板上に新たに設ける必要がないので小型
化が可能となるものである。
【００１９】請求項１２に記載の発明は、圧電基板を介
して吸音材と対向する前記圧電基板の裏面に光反射防止
膜を設けた請求項１に記載の弾性表面波デバイスであ
り、吸音材の形成のための露光時、圧電基板の裏面で光
を吸収するので、所望の形状の吸音材を形成できるもの
である。
【００２０】請求項１３に記載の発明は、反射防止膜の
形成領域を吸音材よりも大きくした請求項１２に記載の
弾性表面波デバイスであり、吸音材形成のための露光
時、圧電基板の裏面で光を吸収するので、所望の形状の
吸音材を形成できるものである。
【００２１】請求項１４に記載の発明は、光反射防止膜
をアモルファスシリコンあるいは金属窒化膜で形成した
請求項１３に記載の弾性表面波デバイスであり、光を良
く吸収するので所望の形状の吸音材を形成できる。
【００２２】請求項１５に記載の発明は、吸音材はその
上面の面積より圧電基板と接する下面側の方を大きくし
た請求項１に記載の弾性表面波デバイスであり、吸音材
の圧電基板への密着力を向上させることができるもので
ある。
【００２３】請求項１６に記載の発明は、弾性表面波素
子の接続電極上に形成されたバンプを用いて前記接続電
極と、パッケージの外部接続用電極とを電気的に接続し
た請求項１に記載の弾性表面波デバイスであり、弾性表
面波の励起空間を必ず確保することができるものであ
る。
【００２４】請求項１７に記載の発明は、吸音材はＩＤ
Ｔ電極および接続電極を囲むように圧電基板の外周部に
設けた請求項１に記載の弾性表面波デバイスであり、よ
りよく不要波を吸音できるものである。
【００２５】請求項１８に記載の発明は、パッケージの
内壁と圧電基板側面との間に充填材を設けた請求項１７
に記載の弾性表面波デバイスであり、弾性表面波伝播方
向端部の不要波吸音効率をさらに向上させることができ
ると共に、弾性表面波素子をパッケージ内に確実に固定
することのできるものである。
【００２６】請求項１９に記載の発明は、充填材は吸音
材よりも弾性を有する請求項１８に記載の弾性表面波デ
バイスであり、熱膨張などによる応力を緩和することが
できるものである。
【００２７】請求項２０に記載の発明は、充填材として
シリコーン樹脂を用いた請求項１９に記載の弾性表面波
デバイスであり、熱膨張などによる応力を緩和すること
ができる。
【００２８】請求項２１に記載の発明は、圧電基板の裏
面の少なくともＩＤＴ電極と対向する領域に吸音材を設
けた請求項１６に記載の弾性表面波デバイスであり、さ
らに不要波の吸音効果の高いものとなる。
【００２９】請求項２２に記載の発明は、圧電基板の裏
面に設けられた吸音材とリッドとは非接触の状態とした
請求項２１に記載の弾性表面波デバイスであり、パッケ
ージの開口部をリッドで封止する際、弾性表面波素子の
裏面から過剰な圧力がかかり弾性表面波素子がひずむこ
とにより特性が悪化するのを防止できるものである。
【００３０】請求項２３に記載の発明は、圧電材料から
なる基板上に少なくともＩＤＴ電極および前記ＩＤＴ電
極に接続した接続電極を形成する第１工程と、前記ＩＤ
Ｔ電極表面に保護膜を設ける第２工程と、前記基板の表
面に感光性フィルムレジストを圧着し、前記基板と同等
以下で後に形成する弾性表面波素子となる部分よりも大
きな感光性フィルムレジスト層を形成する第３工程と、
吸音材となる部分の前記感光性フィルムレジスト層を露
光し、現像して吸音材を形成し基板上に多数の弾性表面
波素子を形成する第４工程と、前記基板を切断し、分割
して得た弾性表面波素子をパッケージに載置し、前記弾
性表面波素子の接続電極と前記パッケージの外部接続用
電極とを電気的に接続する第５工程と、前記パッケージ
の開口部 をリッドで封止する第６工程とを有し、かつ前
記吸音材の主面は前記圧電基板の表面と平行になるよう
に形成した弾性表面波デバイスの製造方法であり、吸音
材の上面が平面のため、パッケージへの実装時に弾性表
面波素子の表面を確実に吸着できるため、実装不良を防
止できるものである。
【００３１】請求項２４に記載の発明は、第３工程にお
ける感光性樹脂層の厚さは圧電基板と同等以下でかつ弾
性表面波素子形成部よりも厚いものを用いる請求項２３
に記載の弾性表面波デバイスの製造方法であり、圧電基
板からフィルムレジストがはみ出ていないので、圧電基
板の搬送時におけるトラブルを防止できる。
【００３２】請求項２５に記載の発明は、第１工程にお
いてＩＤＴ電極と共に吸音材形成予定場所に下地金属層
を形成する請求項２３に記載の弾性表面波デバイスの製
造方法であり、第３工程において圧電基板の裏面まで光
を透過させないので、裏面での反射光がなく吸音材を精
度よく形成できる。
【００３３】請求項２６に記載の発明は、保護層は陽極
酸化により設ける請求項２３に記載の弾性表面波デバイ
スの製造方法であり、アルミニウムを主成分とするＩＤ
Ｔ電極の場合、耐アルカリ性に優れた酸化アルミニウム
よりなる保護膜を容易に形成できる。
【００３４】請求項２７に記載の発明は、圧電材料から
なる基板の表面に金属膜を形成し、この金属膜の表面に
陽極酸化により絶縁層を形成する第１工程と、圧電材料
からなる基板上に少なくともＩＤＴ電極および前記ＩＤ
Ｔ電極に接続した接続電極を形成する第２工程と、前記
基板の表面に感光性フィルムレジストを圧着し、前記基
板と同等以下で後に形成する弾性表面波素子となる部分
よりも大きな感光性フィルムレジスト層を形成する第３
工程と、吸音材となる部分の前記感光性フィルムレジス
ト層を露光し、現像して吸音材を形成し基板上に多数の
弾性表面波素子を形成する第４工程と、前記基板を切断
し、分割して得た弾性表面波素子をパッケージに載置
し、前記弾性表面波素子の接続電極と前記パッケージの
外部接続用 電極とを電気的に接続する第５工程と、前記
パッケージの開口部をリッドで封止する第６工程とを有
し、かつ前記吸音材の主面は前記基板の表面と平行にな
るように形成する弾性表面波デバイスの製造方法であ
る。
【００３５】請求項２８に記載の発明は、第３工程前に
圧電材料からなる基板の吸音材形成場所にシラン系のカ
ップリング層を形成する請求項２３に記載の弾性表面波
デバイスの製造方法であり、吸音材の圧電基板との密着
強度を向上させることができる。
【００３６】請求項２９に記載の発明は、第１工程前に
圧電材料からなる基板の裏面で吸音材形成予定場所とは
圧電基板を介して対向する領域に反射防止膜を設けた請
求項２３に記載の弾性表面波デバイスの製造方法であ
り、第４工程において圧電基板の裏面で光を吸収するの
で、吸音材を精度よく形成できる。
【００３７】請求項３０に記載の発明は、第１工程前に
圧電材料からなる基板の裏面を光を散乱する粗面にする
工程を有する請求項２３に記載の弾性表面波デバイスの
製造方法であり、第４工程において圧電基板の裏面で透
過光を散乱するので吸音材を精度よく形成できる。
【００３８】請求項３１に記載の発明は、保護層は吸音
材を構成する感光性樹脂の現像液に対する耐性がＩＤＴ
電極を構成する主たる金属よりも大である弾性表面波デ
バイスの製造方法である。
【００３９】以下、本発明の一実施の形態について図面
を参照しながら説明する。
【００４０】（実施の形態１） 図１は本発明の実施の形態１における弾性表面波デバイ
スの断面図、図２は本実施の形態１におけるリッドで封
止前の弾性表面波デバイスの上面図であり、１０はパッ
ケージ、１１は外部接続用電極、１２は接着剤、１３は
弾性表面波素子、１４は圧電基板、１５はＩＤＴ電極、
１６は接続電極、１７は金属層、１８は吸音材、１９は
ワイヤ、２０はリッドである。
【００４１】また、図３は本発明の一実施の形態におけ
る弾性表面波素子１３の搬送方法の説明図であり、３０
は搬送装置である。
【００４２】まず円板状の水晶、ＬｉＴａＯ3，ＬｉＮ
ｂＯ3等の圧電基板１４上にアルミニウムあるいはアル
ミニウムを主成分とする金属の均一な厚みの蒸着膜を形
成する。次にこの蒸着膜上にポジ型の感光性レジストを
スピンコートにより均一に塗布する。次いで所望の形状
のＩＤＴ電極１５及びこのＩＤＴ電極１５に接続される
接続電極１６及び吸音材形成予定場所に設ける金属層１
７となるように露光、現像し、ＩＤＴ電極１５、接続電
極１６及び金属層１７を形成する。またこの金属層１７
は形成しようとする吸音材より大きく形成したものであ
る。
【００４３】その後圧電基板１４の金属層１７の形成面
全体をネガ型感光性フィルムレジストで被覆し加熱しな
がら圧着する。このフィルムレジストは形成しようとす
る吸音材１８の厚みと同じ厚みのものを使用する。
【００４４】次いで、吸音材１８となる部分のフィルム
レジストを露光、現像し、吸音材１８を得る。現像後、
吸音材１８中の水分を除去して圧電基板１４との密着力
を向上させる。ここで吸音材１８中に水分が残留してい
ると、吸音材１８が変質したり、ＩＤＴ電極１５が腐食
したりする恐れがある。
【００４５】次に圧電基板１４に水を吹き付けながらダ
イサーで個々の弾性表面波素子１３に分割し、水分を除
去した後、図３に示すように搬送装置３０で弾性表面波
素子１３の表面即ち吸音材１８の表面を吸着して移動さ
せて、接着剤１２を塗布したパッケージ１０内に実装す
る。この時吸音材１８は同一厚みでかつその表面が圧電
基板１４の表面と平行な平面のため、搬送装置３０で確
実に弾性表面波素子１３を吸着し、精度良くパッケージ
１０内に実装できる。
【００４６】次に弾性表面波素子１３の接続電極１６と
パッケージ１０の外部接続用電極１１とをワイヤ１９で
電気的に接続し、パッケージ１０の開口部をリッド２０
で封止する。
【００４７】（実施の形態２） 図４は本発明の実施の形態２における弾性表面波デバイ
スのリッドで封止前の上面図、図５は本実施の形態２に
おける弾性表面波デバイスの断面図であり、２１はカッ
プリング層、実施の形態１と同様の他の構成要素につい
ては同番号を付して説明を省略する。また図４、図５に
おいては、わかりやすく説明するためにカップリング層
２１は必要な部分のみ記載しているが、本実施の形態２
においては、ＩＤＴ電極１５及び接続電極１６を覆い、
圧電基板１４の表面全体に設けている。
【００４８】以下本実施の形態２の弾性表面波デバイス
の製造方法について説明する。
【００４９】まず実施の形態１と同様にして円板状の圧
電基板１４上にＩＤＴ電極１５、接続電極１６及び金属
層１７を多数形成する。次に圧電基板１４のＩＤＴ電極
１５を形成した側の表面全体にスピンコートにより、シ
ラン系のカップリング剤を均一に塗布し、カップリング
層２１を形成する。次に乾燥して、カップリング層２１
中の溶剤成分を除去する。
【００５０】この後実施の形態１と同様にして、圧電基
板１４の表面全体をネガ型感光性フィルムレジストで被
覆し加熱しながら圧着する。このフィルムレジストは形
成しようとする吸音材１８の厚みと同じ厚みのものを使
用する。次いで、吸音材１８となる部分のフィルムレジ
ストを露光、現像し、吸音材１８を得た後、吸音材１８
中の水分を除去する。次に実施の形態１と同様にして個
々の弾性表面波素子１３に分割後、パッケージ１０に実
装して弾性表面波デバイスを作製する。
【００５１】本実施の形態においても実施の形態１と同
様に吸音材１８の表面が圧電基板１４の表面と平行な平
面のため、確実に搬送手段により弾性表面波素子１３の
吸着とパッケージ１０内への実装を行うことができる。
【００５２】さらに本実施の形態２において形成したシ
ラン系のカップリング層２１は吸音材１８と圧電基板１
４との結合強度よりも、吸音材１８及び圧電基板１４と
の結合強度が大きく、単分子層のため非常に薄いので吸
音効果を妨げることなく吸音材１８と圧電基板１４の接
着強度を大きく向上させることができる。従ってこの圧
電基板１４を個々の弾性表面波素子１３に分割する時に
吹き付ける水により圧電基板１４から吸音材１８が剥離
するのを防止することができる。その上、例えばリッド
２０でパッケージ１０の開口部をハンダ封止する時や弾
性表面波デバイスを実装基板にリフロー等で実装する時
などの熱ストレス等の応力に対しても強い吸音材１８と
なる。
【００５３】（実施の形態３） 図６は本発明の実施の形態３における弾性表面波デバイ
スの断面図、図７は本実施の形態３における弾性表面波
デバイスのリッド封止前の上面図であり、２２は絶縁性
の酸化膜、実施の形態１と同様の他の構成要素について
は同番号を付して説明を省略する。
【００５４】また図８は本実施の形態３における絶縁性
の酸化膜２２の作製工程説明図であり、８１は電極、８
２は電解液である。
【００５５】以下本実施の形態３の弾性表面波デバイス
の製造方法について説明する。
【００５６】まず実施の形態１と同様にして円板状の圧
電基板１４上にフォトリソ法によりＩＤＴ電極１５、接
続電極１６及び金属層１７を形成する。次に図８に示す
ように圧電基板１４とステンレスなどの電極８１とを電
解液８２に浸漬し、電極８１を陰極、ＩＤＴ電極１５、
接続電極１６及び金属層１７を陽極として電圧を印加す
る。この電圧印加によりＩＤＴ電極１５、接続電極１６
及び金属層１７の表面及び側面が酸化されて酸化膜２２
で被覆されることとなる。ついで圧電基板１４を電解液
８２から引き上げて、純水で浸漬洗浄する。
【００５７】次いで、実施の形態２と同様にして、カッ
プリング層（図示せず）、吸音材１８を形成し、個々の
弾性表面波素子１３に分割する。
【００５８】次に実施の形態２と同様にして接着剤１２
を塗布したパッケージ１０内に実装し、ワイヤ１９で外
部接続用電極１１と接続電極１６とを電気的に接続し、
パッケージに接続し、パッケージ１０の開口部をリッド
２０で封止する。
【００５９】本実施の形態３においても実施の形態１と
同様に吸音材１８の表面が圧電基板１４の表面と平行な
平面のため、確実に搬送手段により弾性表面波素子１３
の吸着とパッケージ１０内への実装を行うことができ
る。
【００６０】さらに本実施の形態３においても実施の形
態２と同様にシラン系のカップリング層は吸音効果を妨
げることなく吸音材１８と圧電基板１４との接着強度を
大きく向上させることができる。従って圧電基板１４を
個々の弾性表面波素子１３に分割する時に吹き付ける水
により圧電基板１４から吸音材１８が剥離するのを防止
することができる。その上例えばリッド２０でパッケー
ジ１０の開口部をハンダ封止する時や弾性表面波デバイ
スを実装基板にリフロー等で実装する時などの熱ストレ
ス等の応力に対しても強い吸音材１８となる。
【００６１】上記実施の形態３では、ＩＤＴ電極１５及
び接続電極１６形成後に陽極酸化を行った。感光性樹脂
の現像液は一般的にアルカリ性であるため、吸音材１８
となるフィルムレジストを現像する際、アルミニウムあ
るいはアルミニウムを主成分とする金属からなるＩＤＴ
電極１５及び接続電極１６は浸食される恐れがある。し
かしながらＩＤＴ電極１５及び接続電極１６の表面及び
側面を絶縁性の酸化膜２２で被覆することにより、現像
液により悪影響を受けるのを防止できる。
【００６２】また、上記実施の形態３では、ＩＤＴ電極
１５、接続電極１６及び金属層１７の形成後に陽極酸化
を行ったが、ＩＤＴ電極１５、接続電極１６及び金属層
１７の形成前にＩＤＴ電極１５、接続電極１６及び金属
層１７となる金属膜の陽極酸化を行い、ＩＤＴ電極１
５、接続電極１６及び金属層１７の表面が絶縁性の酸化
膜２２で覆われるようにしても構わない。この場合ＩＤ
Ｔ電極１５、接続電極１６、金属層１７を形成するため
の現像時にＩＤＴ電極１５及び接続電極１６が現像液に
より浸食されにくい。しかしながらこの場合側面は酸化
膜２２で覆われていないので、吸音材１８を形成するた
めの現像液により浸食されるのを防止するためには、上
記のようにＩＤＴ電極１５形成後に陽極酸化を行うこと
が好ましい。
【００６３】このようにＩＤＴ電極１５の形成前あるい
は形成後のいずれの場合に陽極酸化を行い、表面を酸化
膜２２で被覆されるようにすることにより、酸化膜２２
を形成しない場合と比較すると、ＩＤＴ電極１５及び接
続電極１６の現像液による浸食を防止できる。
【００６４】（実施の形態４） 図９は本発明の実施の形態４における弾性表面波素子の
上面図、図１０は本実施の形態４における弾性表面波デ
バイスの断面図であり、２３はバンプ、実施の形態１と
同様の他の構成要素については同番号を付して説明を省
略する。
【００６５】また、図１１はバンプ２３を用いて弾性表
面波素子１３をパッケージ１０に実装する時にバンプ２
３が最大限低くなった時の弾性表面波デバイスの断面図
であり、図１０と同要素については同番号を付して説明
を省略する。
【００６６】以下本実施の形態４の弾性表面波デバイス
の製造方法について説明する。
【００６７】まず実施の形態１と同様にして円板状の圧
電基板１４上にＩＤＴ電極１５、接続電極１６及び金属
層１７を形成した後、金属層１７上に吸音材１８を形成
する。この吸音材１８はパッケージ１０に実装後ＩＤＴ
電極１５が弾性表面波を励起できるだけの必要な空間を
形成できる高さを有するものである。
【００６８】次に接続電極１６上に金を用いてバンプ２
３を複数形成する。このバンプ２３の高さは吸音材１８
よりも高く形成している。
【００６９】次いで円板状の圧電基板１４を実施の形態
１と同様にして分割し、図９に示すような弾性表面波素
子１３を得る。
【００７０】その後弾性表面波素子１３を外部接続用電
極１１を有するパッケージ１０内にバンプ２３形成面を
下にして実装し、弾性表面波素子１３と外部接続用電極
１１とをバンプ２３を介して電気的に接続する。
【００７１】この時バンプ２３が加熱及び加圧されるこ
とにより高さが低くなる。
【００７２】この時図２４に示すように従来の吸音材１
０３の場合であると、吸音材１０３の高さが異なり、そ
の断面がドーム型であるため、バンプ１１１で弾性表面
波素子１０５の接続電極１０２とパッケージ１０７の外
部接続用電極１０６とを接続する際、バンプ１１１の高
さが最大限低くなると弾性表面波素子１０５をパッケー
ジ１０７内で水平に実装できず、所望の特性の弾性表面
波デバイスを得ることができないという可能性もある。
【００７３】しかしながら本発明においては吸音材１８
の高さが一定で表面が圧電基板１４と平行なため、図１
１に示すように例えバンプ２３が低くなったとしても吸
音材１８がストッパーとして作用し、吸音材１８の高さ
より低くなることがないのでＩＤＴ電極１５が弾性表面
波を励起できるだけの必要な空間を確保することができ
る。またこの場合弾性表面波素子１３を水平に実装する
ことができるので、バンプ２３と接続電極１６との接合
強度のばらつきを低減できる。つまり機械的及び熱的な
応力に対して強いものとなる。
【００７４】その後パッケージ１０の開口部をリッド２
０で封止して、通常は図１０に示す弾性表面波デバイス
を作製する。
【００７５】なお、本実施の形態４においてはバンプ２
３を金で形成したがハンダ等を用いて形成しても構わな
い。
【００７６】（実施の形態５） 図１２は本発明の実施の形態５における弾性表面波素子
の上面図、図１３は本実施の形態５における弾性表面波
デバイスの断面図であり、実施の形態１〜４と同様の構
成要素については同番号を付して説明を省略する。
【００７７】また、図１２、図１３においては、わかり
やすく説明するためにカップリング層２１は必要な部分
のみ記載しているが、本実施の形態５においては、ＩＤ
Ｔ電極１５及び接続電極１６を覆い、圧電基板１４の表
面全体に設けている。
【００７８】以下本実施の形態５の弾性表面波デバイス
の製造方法について説明する。
【００７９】まず実施の形態２と同様にして、円板状の
圧電基板１４上にＩＤＴ電極１５、接続電極１６、金属
層１７及びカップリング層２１を形成する。
【００８０】次に、圧電基板１４の表面全体をネガ型感
光性フィルムレジストで被覆し加熱して圧着する。この
フィルムレジストは形成しようとする吸音材１８の厚み
と同じ厚みのものを使用する。次いで、吸音材１８とな
る部分のフィルムレジストを露光、現像し、吸音材１８
を得る。この吸音材１８はパッケージ１０に実装後ＩＤ
Ｔ電極１５が弾性表面波を励起できるだけの必要な空間
を形成できる高さを有するものである。
【００８１】次に実施の形態４と同様に接続電極１６上
にバンプ２３を形成後、個々の弾性表面波素子１３に分
割し、パッケージ１０に実装して弾性表面波デバイスを
作製する。
【００８２】本実施の形態５においても実施の形態４と
同様に弾性表面波素子１３の実装時に吸音材１８がスト
ッパーとして作用することにより、バンプ２３の高さは
吸音材１８の高さより低くなることがないのでＩＤＴ電
極１５が弾性表面波を励起できるだけの必要な空間を確
保することができる。また、この場合弾性表面波素子１
３を水平に実装することができるので、バンプ２３と接
続電極１６との接合強度のばらつきを低減できる。つま
り機械的及び熱的な応力に対して強いものとなる。
【００８３】さらに本実施の形態５においては、金属層
１７と吸音材１８との間にカップリング層２１を形成す
ることにより、実施の形態２と同様に吸音効果を妨げる
ことなく吸音材１８と圧電基板１４の接着強度を大きく
向上させることができる。従って圧電基板１４を個々の
弾性表面波素子１３に分割する時に吹き付ける水により
圧電基板１４から吸音材１８が剥離するのを防止するこ
とができる。その上、例えばリッド２０でパッケージ１
０開口部をハンダ封止する時や弾性表面波デバイスを実
装基板にリフロー等で実装する時などの熱ストレス等の
応力に対しても強い吸音材１８となる。
【００８４】（実施の形態６） 図１４は本発明の実施の形態６における弾性表面波素子
の上面図、図１５は本実施の形態６の弾性表面波デバイ
スの断面図であり、実施の形態１〜６と同要素について
は同番号を付して説明を省略する。
【００８５】以下本実施の形態６における弾性表面波デ
バイスの製造方法について説明する。
【００８６】まず実施の形態３と同様にして、表面及び
側面が絶縁性の酸化膜２２で覆われたＩＤＴ電極１５、
接続電極１６、金属層１７を作製する。
【００８７】この後の工程については実施の形態４，５
と同様にして金属層１７上に吸音材１８を作製し、接続
電極１６上にバンプ２３を形成し、個々の弾性表面波素
子１３に分割する。次いでパッケージ１０に実装してリ
ッド２０で封止して弾性表面波デバイスを作製する。
【００８８】本実施の形態６においては実施の形態３と
同様にＩＤＴ電極１５、接続電極１６、金属層１７の表
面及び側面を酸化膜２２で被覆しているので、吸音材１
８の形成のための現像時にＩＤＴ電極１５及び接続電極
１６が現像液により浸食されるのを防ぐことができる。
【００８９】また、実施の形態３で述べたように、ＩＤ
Ｔ電極１５、接続電極１６及び金属層１７の形成前の圧
電基板１４にアルミニウムあるいはアルミニウム合金の
金属膜を作製した段階で、陽極酸化を行うことにより、
ＩＤＴ電極１５及び接続電極１６の表面を絶縁性の酸化
膜２２で被覆しても構わない。
【００９０】（実施の形態７） 図１６は実施の形態７における弾性表面波素子の上面
図、図１７は本実施の形態７における弾性表面波デバイ
スの断面図であり、２５は充填材で、実施の形態４と同
じ構成要素については同番号を付して説明を省略する。
【００９１】本実施の形態７においては実施の形態４と
異なる点について説明する。
【００９２】金属層１７及びこの上に形成する吸音材１
８をＩＤＴ電極１５及び接続電極１６を囲むように圧電
基板１４の外周部に枠状に形成する。形成方法は実施の
形態４と同じである。
【００９３】弾性表面波素子１３をパッケージに実装
後、シリコーン樹脂よりなる充填材２５を弾性表面波素
子１３とパッケージ１０の内壁との間に充填し、加熱し
て硬化させる。この時枠状の吸音材１８により充填材２
５がＩＤＴ電極１５の弾性表面波の励起空間に流れ込む
のを防止することができる。
【００９４】また、この充填材２５は硬化後吸音材１８
よりも弾性を有するものであり、吸音材１８で吸収でき
なかった不要波を吸収するとともに、弾性表面波素子１
３とパッケージ１０との熱膨張係数の差等により弾性表
面波素子１３に加わる応力を緩和し、特性が変化するの
を防止することができる。
【００９５】（実施の形態８） 図１６は実施の形態８における弾性表面波素子の上面
図、図１８は本実施の形態８における弾性表面波デバイ
スの断面図であり、実施の形態７と同じ構成要素につい
ては同番号を付して説明を省略する。
【００９６】本実施の形態８の弾性表面波デバイスが実
施の形態７の弾性表面波デバイスと異なるところは、充
填材２５を弾性表面波素子１３とパッケージ１０の内壁
との間だけでなく、弾性表面波素子１３のリッド２０側
の表面上にも設けている。従って実施の形態７の弾性表
面波デバイスと比較すると不要波の吸収効果が大きいも
のとなる。
【００９７】なお、本実施の形態８においては充填材２
５を弾性表面波素子１３のリッド２０側の表面全体に設
けたが、ＩＤＴ電極１５に対応する部分にのみ設けても
同様に不要波の吸収効果はある。
【００９８】また、弾性表面波デバイスの特性に悪影響
を及ぼさないよう、弾性表面波素子１３のリッド２０側
の表面に設けた充填材２５とリッド２０とは非接触の状
態となるようにすることが望ましい。
【００９９】（実施の形態９） 図１９は本発明の実施の形態９における弾性表面波デバ
イスのリッドで封止する前の上面図であり、実施の形態
１と同要素については同番号を付して説明を省略する。
【０１００】本実施の形態９においては、二対のＩＤＴ
電極１５を一体化させて、その両側に反射器電極２６を
設けた弾性表面波ユニット２７を二つ圧電基板１４上で
平行に並べて設けると共に、この弾性表面波ユニット２
７間の圧電基板１４上に金属層１７を介して吸音材１８
を形成したものである。この構成とすることにより弾性
表面波ユニット２７間の音響結合を抑え、優れた帯域外
減衰量を有するものとなる。
【０１０１】この吸音材１８も実施の形態１で示した方
法で作製したので、表面が圧電基板１４の表面と平行な
平面のため、弾性表面波素子１３をパッケージ１０内に
実装する際、搬送装置３０で確実に弾性表面波素子１３
を吸着し、パッケージ１０内に実装できる。
【０１０２】このように一枚の圧電基板１４上に複数の
弾性表面波ユニット２７を有する弾性表面波デバイスに
おいては、弾性表面波ユニット２７間の少なくとも対向
するＩＤＴ電極１５間に吸音材１８を設けて音響結合を
抑えることが望ましい。また弾性表面波ユニット２７に
おいてＩＤＴ電極１５間あるいはＩＤＴ電極１５の両端
部に反射器電極２６を設けた場合は、上記実施の形態の
ように弾性表面波ユニット２７間のＩＤＴ電極１５間だ
けでなく反射器電極２６間にも同様の方法で作製した吸
音材１８を設けることが好ましい。
【０１０３】（実施の形態１０） 図２０は本発明の実施の形態１０における弾性表面波デ
バイスのリッドで封止前の上面図であり、実施の形態９
と同様の構成要素については同番号を付して説明を省略
する。
【０１０４】本実施の形態１０においては弾性表面波ユ
ニット２７間だけでなく、反射器電極２６と弾性表面波
伝播方向の圧電基板１４の端部との間にも吸音材１８を
設けている。もちろんこの吸音材１８は実施の形態１と
同様にして圧電基板１４上に金属層１７を介して設けた
ものであり、この吸音材１８も弾性表面波ユニット２７
間の吸音材１８も同一厚みで表面が圧電基板１４の表面
と平行な平面のため、搬送装置３０で確実に弾性表面波
素子１３を吸着し、パッケージ１０内に実装できる。
【０１０５】この構成とすることにより、実施の形態９
の弾性表面波デバイスと比較するとさらに不要波の吸音
効果が向上する。
【０１０６】（実施の形態１１） 図２１は本発明の実施の形態１１における弾性表面波デ
バイスのリッドで封止前の上面図であり、実施の形態１
と同様の構成については同番号を付して説明を省略す
る。
【０１０７】一般的に接続電極１６と外部接続用電極１
１と接続するワイヤ１９を短くして、接続電極１６と外
部接続用電極１１間のインダクタンスをできるだけ小さ
くしようとした場合、接続電極１６から接続しようとす
る外部接続用電極１１に近接した圧電基板１４の端部へ
の引き回し電極を設けることとなる。
【０１０８】しかしながら本実施の形態１１のように接
続電極１６と金属層１７とを接続して接続しようとする
外部接続用電極１１と金属層１７とをワイヤ１９で接続
することにより、新たに引き回し電極を設けることなく
ワイヤ１９を短くすることができる。
【０１０９】従って弾性表面波素子１３即ち弾性表面波
デバイスの小型化を図ることができる。
【０１１０】なお本実施の形態１１の弾性表面波デバイ
スは、接続電極１６と金属層１７とが接続された状態に
すること以外は実施の形態１で説明した製造方法で作製
したものであり、実施の形態１と同様にＩＤＴ電極１５
の両側の吸音材１８は同一厚みで表面が圧電基板１４の
表面と平行な平面のため、搬送装置３０で確実に弾性表
面波素子１３を吸着し、パッケージ１０内に実装でき
る。
【０１１１】（実施の形態１２） 図２２は本発明の実施の形態１２における弾性表面波デ
バイスの断面図であり、２８は反射防止膜であり、実施
の形態１，２，３と同様の他の構成については同番号を
付して説明を省略する。
【０１１２】円板状の水晶、ＬｉＴａＯ3，ＬｉＮｂＯ3
等の圧電基板１４の裏面全体にアモルファスシリコンあ
るいは硬質窒化膜の反射防止膜２８を作製する。
【０１１３】次に圧電基板１４の表面にアルミニウムあ
るいはアルミニウムを主成分とする金属の均一な厚みの
蒸着膜を形成する。次にこの蒸着膜上にポジ型の感光性
レジストをスピンコートにより均一に塗布する。
【０１１４】次いで所望の形状のＩＤＴ電極１５及びこ
のＩＤＴ電極１５に接続される接続電極１６となるよう
に露光する。この時圧電基板１４の裏面には反射防止膜
２８が形成されているので透過光を吸収し、反射光が発
生するのを防止している。
【０１１５】次いで現像し、ＩＤＴ電極１５、接続電極
１６を形成し、陽極酸化によりＩＤＴ電極及び接続電極
１６の表面及び側面に絶縁性の酸化膜２２を形成する。
【０１１６】その後実施の形態２と同様にして少なくと
も圧電基板１４の表面の吸音材１８の形成予定場所にカ
ップリング層２１を形成する。
【０１１７】次に圧電基板１４のＩＤＴ電極１５を形成
面全体をネガ型感光性フィルムレジストで被覆し加熱し
ながら圧着する。このフィルムレジストは形成しようと
する吸音材１８の厚みと同じ厚みのものを使用する。
【０１１８】次いで、吸音材１８となる部分のフィルム
レジストを露光する。この時も圧電基板１４の裏面の反
射防止膜２８により透過光を吸収し、反射光の発生を防
止している。
【０１１９】その後現像し、吸音材１８を得る。現像
後、吸音材１８中の水分を除去して圧電基板１４との密
着力を向上させる。
【０１２０】以降実施の形態１と同様にして図２２に示
す弾性表面波デバイスを作製する。
【０１２１】本実施の形態１２においても、実施の形態
１と同様にＩＤＴ電極１５の両側の吸音材１８は同一厚
みで表面が圧電基板１４の表面と平行な平面のため、搬
送装置３０で確実に弾性表面波素子１３を吸着し、パッ
ケージ１０内に実装できる。
【０１２２】なお上記実施の形態１２では、金属の蒸着
膜を形成する前に反射防止膜２８を形成したが、形成後
吸音材１８となるフィルムレジストを露光する前に反射
防止膜２８を作製すれば、形状精度に優れた吸音材１８
を得ることができる。しかしながらＩＤＴ電極１５の形
成前に反射防止膜２８を作製する方が、ＩＤＴ電極１５
及び接続電極１６をより精度良く作製することができ
る。この時反射防止膜２８の形成は本実施の形態１２の
ように感光性樹脂の露光前であれば構わない。
【０１２３】また反射防止膜２８は圧電基板１４の裏面
全体に設けたが、全体に設ける必要はないが、少なくと
も吸音材１８、ＩＤＴ電極１５及び接続電極１６となる
部分よりも大きく形成し、透過光の圧電基板１４の裏面
での反射により吸音材１８、ＩＤＴ電極１５及び接続電
極１６となる感光性樹脂に光が当たらないようにするこ
とが望ましい。
【０１２４】以下、本発明においてポイントとなる点に
ついて説明する。
【０１２５】（１）上記実施の形態における吸音材１８
は、フィルムレジストを用いて形成したが感光性樹脂溶
液をスピンコートなどにより圧電基板上に均一な厚みに
塗布することにより形成しても同様の効果が得られる。
ただしこの場合１回のスピンコートで形成できる厚みは
薄い。従って感光性樹脂溶液を複数回スピンコートする
ことにより所望の厚みの吸音材１８となるように調整す
るとよい。
【０１２６】（２）上記各実施の形態では、吸音材１８
をエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂のいず
れか一つを用いて形成する。特にアクリル樹脂は、圧電
基板１４に対する接着性に優れているので好ましい。
【０１２７】（３）吸音材１８は略方形状に形成しても
良いのであるが、上記各実施の形態で示したように吸音
材１８のＩＤＴ電極１５側の端部は曲面状として、吸音
効果に加えて散乱効果を持たせて不要波の抑圧を向上さ
せることが望ましい。またこの時できるだけ角部がない
ような形状とし、仮に角部を形成する場合は上記各実施
の形態で示したようにその角度を鈍角とすることによ
り、例えば円板状の圧電基板を分割する際に吹き付ける
水圧により圧電基板１４から吸音材１８が剥離するのを
防止することができる。
【０１２８】（４）吸音材１８の弾性表面波の伝播方向
の幅の最も短い部分を０．５λ（λ：弾性表面波の波
長）以上とすると、十分な吸音効果を得ることができ
る。
【０１２９】（５）吸音材１８の弾性表面波の伝播方向
と直交する方向の長さは、同方向のＩＤＴ電極１５の長
さ以上とすることが望ましい。なぜならば弾性表面波に
は波の性質として回折効果があるので、同方向のＩＤＴ
電極１５の長さ以上とすることにより、十分な吸音効果
が得られるからである。
【０１３０】（６）本発明のようにフォトリソ法により
形状精度に優れた吸音材１８を形成する場合、以下の三
つの方法の少なくとも一つの方法を利用することが望ま
しい。
【０１３１】即ち一つ目は、上記実施の形態で示したよ
うに圧電基板１４の表面に金属層１７を形成し、光を圧
電基板１４の裏面まで透過させないようにする方法であ
る。この金属層１７、ＩＤＴ電極１５及び接続電極１６
の作製と同時に作製することができるので新たに別工程
を設ける必要がないので最も好ましい。
【０１３２】二つ目は、圧電基板１４の裏面を粗面と
し、反射光を散乱させて吸音材となるフィルムレジスト
に反射光が照射しないようにする方法である。
【０１３３】三つ目は、実施の形態１２で示したように
圧電基板１４の裏面に反射防止膜２８を形成し、透過光
を吸収する方法である。
【０１３４】（７）吸音材１８を形成する時、円板状の
圧電基板１４と同等以下で弾性表面波素子１３となる部
分より大きなフィルムレジストを用いるか、あるいは圧
電基板１４より大きなフィルムレジストの場合は、圧電
基板１４に貼り合わせた後圧電基板１４と同等以下で弾
性表面波素子１３となる部分より大きくなるように切断
することが望ましい。その理由は、フィルムレジストが
圧電基板１４よりも大きいと、露光、現像のために圧電
基板１４を搬送する際、フィルムレジストが搬送装置な
どに引っかかってフィルムレジストが剥離したり、搬送
がうまくできないなどの恐れがあるからである。
【０１３５】（８）実施の形態２及び実施の形態５にお
いては製造工程を容易にするため、圧電基板１４の全面
にカップリング剤を塗布した。そのため、圧電基板１４
と吸音材１８との間にだけでなくＩＤＴ電極１５の表面
にもカップリング層２１が形成されることとなる。しか
しながらカップリング層２１は弾性表面波デバイスの特
性に悪影響を及ぼさないので、除去する必要はない。
【０１３６】（９）吸音材１８は上端側より下端側（圧
電基板１４側）の方を大きくして、圧電基板１４との密
着性を向上させることが望ましい。
【０１３７】（１０）充填材２５はシリコーン樹脂を用
いたが、他の熱硬化性樹脂を用いても構わない。しかし
ながら充填材２５は吸音材１８よりも弾性を有し、熱膨
張などにより弾性表面波素子１３に加わる応力を緩和す
ることが望ましい。
【０１３８】（１１）弾性表面波素子１３の焦電破壊を
防止するために、圧電基板１４を加熱あるいは冷却する
時は急激な温度変化を避ける。
【０１３９】（１２）ＩＤＴ電極１５、接続電極１６、
金属層１７の表面を陽極酸化し、その表面を絶縁層で被
覆することにより、仮に弾性表面波素子１３の表面に導
電性の異物が落下したとしてもショート防止できる。
【０１４０】
【発明の効果】以上本発明によると、同じ厚みで表面が
圧電基板に平行な吸音材を作製することにより、弾性表
面波素子をパッケージに実装する際の実装不良を防止す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１における弾性表面波デバ
イスの断面図
【図２】本発明の実施の形態１における弾性表面波デバ
イスのリッド封止前の上面図
【図３】本発明の一実施の形態における弾性表面波デバ
イスの製造工程を説明するための断面図
【図４】本発明の実施の形態２における弾性表面波デバ
イスのリッド封止前の上面図
【図５】本発明の実施の形態２における弾性表面波デバ
イスの断面図
【図６】本発明の実施の形態３における弾性表面波デバ
イスの断面図
【図７】本発明の実施の形態３における弾性表面波デバ
イスのリッド封止前の上面図
【図８】本発明の実施の形態３における弾性表面波デバ
イスの一製造工程の説明図
【図９】本発明の実施の形態４における弾性表面波素子
の上面図
【図１０】本発明の実施の形態４における弾性表面波デ
バイスの断面図
【図１１】本発明の一実施の形態における弾性表面波デ
バイスの断面図
【図１２】本発明の実施の形態５における弾性表面波素
子の上面図
【図１３】本発明の実施の形態５における弾性表面波デ
バイスの断面図
【図１４】本発明の実施の形態６における弾性表面波素
子の上面図
【図１５】本発明の実施の形態６における弾性表面波デ
バイスの断面図
【図１６】本発明の実施の形態７，８における弾性表面
波素子の上面図
【図１７】本発明の実施の形態７における弾性表面波デ
バイスの断面図
【図１８】本発明の実施の形態８における弾性表面波デ
バイスの断面図
【図１９】本発明の実施の形態９における弾性表面波デ
バイスのリッド封止前の上面図
【図２０】本発明の実施の形態１０における弾性表面波
デバイスのリッド封止前の上面図
【図２１】本発明の実施の形態１１における弾性表面波
デバイスのリッド封止前の上面図
【図２２】本発明の実施の形態１２における弾性表面波
デバイスの断面図
【図２３】従来の弾性表面波デバイスの断面図
【図２４】従来の弾性表面波デバイスの断面図
【符号の説明】
１０ パッケージ １１ 外部接続用電極 １２ 接着剤 １３ 弾性表面波素子 １４ 圧電基板 １５ ＩＤＴ電極 １６ 接続電極 １７ 金属層 １８ 吸音材 １９ ワイヤ ２０ リッド ２１ カップリング層 ２２ 酸化膜 ２３ バンプ ２５ 充填材 ２６ 反射器電極 ２７ 弾性表面波ユニット ２８ 反射防止膜 ３０ 搬送装置 ８１ 電極 ８２ 電解液
フロントページの続き (72)発明者 松尾 聡 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 古賀 孝文 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 村上 弘三 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−174412（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−97673（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−92117（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−178615（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−74719（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−307197（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−111629（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−27514（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 9/25 H03H 3/08

Claims (31)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 外部接続用電極を有するパッケージと、
    このパッケージ内に収納した弾性表面波素子と、前記パ
    ッケージの開口部を封止したリッドとを備え、前記弾性
    表面波素子は、圧電基板表面に少なくともインターディ
    ジタルトランスデューサ電極と、前記インターディジタ
    ルトランスデューサ電極に電気的に接続した接続電極
    と、前記インターディジタルトランスデューサ電極の両
    側に形成した吸音材とを備え、前記インターディジタル
    トランスデューサ電極は表面に保護層を有し、前記吸音
    材は感光性樹脂で形成されると共にその上面は前記圧電
    基板の主面と平行であり、かつ前記接続電極が前記外部
    接続用電極と電気的に接続した弾性表面波デバイス。
  2. 【請求項２】 保護層は吸音材を構成する感光性樹脂の
    現像液に対する耐性がインターディジタルトランスデュ
    ーサ電極を構成する主たる金属よりも大である請求項１
    記載の弾性表面波デバイス。
  3. 【請求項３】 感光性樹脂はネガ型である請求項２記載
    の弾性表面波デバイス。
  4. 【請求項４】 感光性樹脂はエポキシ樹脂、ポリイミド
    樹脂、アクリル樹脂のいずれかである請求項２記載の弾
    性表面波デバイス。
  5. 【請求項５】 吸音材の弾性表面波伝播方向の幅は、
    ０．５λ（λ：弾性表面波の波長）以上である請求項１
    記載の弾性表面波デバイス。
  6. 【請求項６】 吸音材のインターディジタルトランスデ
    ューサ電極側の端部は折線状である請求項１記載の弾性
    表面波デバイス。
  7. 【請求項７】 インターディジタルトランスデューサ電
    極の下部を除き、少なくとも吸音材と圧電基板との間に
    前記吸音材と前記圧電基板の接着強度よりも大きい接着
    強度を有するカップリング層を設けた請求項１記載の弾
    性表面波デバイス。
  8. 【請求項８】 カップリング層は吸音材よりも大きな表
    面積を有する請求項７記載の弾性表面波デバイス。
  9. 【請求項９】 カップリング層はシラン系樹脂を用いて
    形成した請求項７記載の弾性表面波デバイス。
  10. 【請求項１０】 吸音材と圧電基板との間に下地金属層
    を設けた請求項１記載の弾性表面波デバイス。
  11. 【請求項１１】 インターディジタルトランスデューサ
    電極と下地金属層とを接続し、前記下地金属層と外部接
    続用電極とを接続した請求項１０記載の弾性表面波デバ
    イス。
  12. 【請求項１２】 圧電基板を介して吸音材と対向する前
    記圧電基板の裏面に光反射防止膜を設けた請求項１記載
    の弾性表面波デバイス。
  13. 【請求項１３】 反射防止膜の形成領域を吸音材よりも
    大きくした請求項１２記載の弾性表面波デバイス。
  14. 【請求項１４】 光反射防止膜をアモルファスシリコン
    あるいは金属窒化膜で形成した請求項１３記載の弾性表
    面波デバイス。
  15. 【請求項１５】 吸音材はその上面の面積より圧電基板
    と接する下面側の方を大きくした請求項１記載の弾性表
    面波デバイス。
  16. 【請求項１６】 弾性表面波素子の接続電極上に形成さ
    れたバンプを用いて前記接続電極と、パッケージの外部
    接続用電極とを電気的に接続した請求項１記載の弾性表
    面波デバイス。
  17. 【請求項１７】 吸音材はインターディジタルトランス
    デューサ電極および接続電極を囲むように圧電基板の外
    周部に設けた請求項１記載の弾性表面波デバイス。
  18. 【請求項１８】 パッケージの内壁と圧電基板側面との
    間に充填材を設けた請求項１７記載の弾性表面波デバイ
    ス。
  19. 【請求項１９】 充填材は吸音材よりも弾性を有する請
    求項１８記載の弾性表面波デバイス。
  20. 【請求項２０】 充填材としてシリコーン樹脂を用いた
    請求項１９記載の弾性表面波デバイス。
  21. 【請求項２１】 圧電基板の裏面の少なくともインター
    ディジタルトランスデューサ電極と対向する領域に吸音
    材を設けた請求項１６記載の弾性表面波デバイス。
  22. 【請求項２２】 圧電基板の裏面に設けられた吸音材と
    リッドとは非接触の状態とした請求項２１記載の弾性表
    面波デバイス。
  23. 【請求項２３】 圧電材料からなる基板上に少なくとも
    インターディジタルトランスデューサ電極および前記イ
    ンターディジタルトランスデューサ電極に接続した接続
    電極を形成する第１工程と、前記インターディジタルト
    ランスデューサ電極表面に保護層を設ける第２工程と、
    前記基板の表面に感光性フィルムレジストを圧着し、前
    記基板と同等以下で後に形成する弾性表面波素子となる
    部分よりも大きな感光性フィルムレジスト層を形成する
    第３工程と、吸音材となる部分の前記感光性フィルムレ
    ジスト層を露光し、現像して吸音材を形成し基板上に多
    数の弾性表面波素子を形成する第４工程と、前記基板を
    切断し、分割して得た弾性表面波素子をパッケージに載
    置し、前記弾性表面波素子の接続電極と前記パッケージ
    の外部接続用電極とを電気的に接続する第５工程と、前
    記パッケージの開口部をリッドで封止する第６工程とを
    有し、かつ前記吸音材の主面は前記基板の表面と平行に
    なるように形成する弾性表面波デバイスの製造方法。
  24. 【請求項２４】 第３工程における感光性樹脂層の厚さ
    は圧電材料からなる基板と同等以下でかつ弾性表面波素
    子形成部よりも厚いものを用いる請求項２３記載の弾性
    表面波デバイスの製造方法。
  25. 【請求項２５】 第１工程においてインターディジタル
    トランスデューサ電極と共に吸音材形成予定場所に下地
    金属層を形成する請求項２３記載の弾性表面波デバイス
    の製造方法。
  26. 【請求項２６】 保護膜は陽極酸化により設ける請求項
    ２３記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
  27. 【請求項２７】 圧電材料からなる基板の表面に金属膜
    を形成し、この金属膜の表面に陽極酸化により絶縁層を
    形成する第１工程と、圧電材料からなる基板上に少なく
    ともインターディジタルトランスデューサ電極および前
    記インターディジタルトランスデューサ電極に接続した
    接続電極を形成する第２工程と、前記基板の表面に感光
    性フィルムレジストを圧着し、前記基板と同等以下で後
    に形成する弾性表面波素子となる部分よりも大きな感光
    性フィルムレジスト層を形成する 第３工程と、吸音材と
    なる部分の前記感光性フィルムレジスト層を露光し、現
    像して吸音材を形成し基板上に多数の弾性表面波素子を
    形成する第４工程と、前記基板を切断し、分割して得た
    弾性表面波素子をパッケージに載置し、前記弾性表面波
    素子の接続電極と前記パッケージの外部接続用電極とを
    電気的に接続する第５工程と、前記パッケージの開口部
    をリッドで封止する第６工程とを有し、かつ前記吸音材
    の主面は前記基板の表面と平行になるように形成する弾
    性表面波デバイスの製造方法。
  28. 【請求項２８】 第３工程前に圧電材料からなる基板の
    吸音材形成場所にシラン系のカップリング層を形成する
    請求項２３記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
  29. 【請求項２９】 第１工程前に圧電材料からなる基板の
    裏面で吸音材形成予定場所とは圧電基板を介して対向す
    る領域に反射防止膜を設ける請求項２３記載の弾性表面
    波デバイスの製造方法。
  30. 【請求項３０】 第１工程前に圧電材料からなる基板の
    裏面を光を散乱する粗面にする工程を有する請求項２３
    記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
  31. 【請求項３１】 保護層は吸音材を構成する感光性樹脂
    の現像液に対する耐性がインターディジタルトランスデ
    ューサ電極を構成する主たる金属よりも大である請求項
    ２３記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
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