JPH10190389A - Ｓａｗフィルタ及びその製造方法 - Google Patents
Ｓａｗフィルタ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH10190389A JPH10190389A JP34216496A JP34216496A JPH10190389A JP H10190389 A JPH10190389 A JP H10190389A JP 34216496 A JP34216496 A JP 34216496A JP 34216496 A JP34216496 A JP 34216496A JP H10190389 A JPH10190389 A JP H10190389A
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- Japan
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- idt
- bonding pad
- thin film
- film
- saw filter
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＩＤＴの電極間でのショートをなくし、信頼
性の高いＳＡＷフィルタ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 ＬｉＴａＯ3 などの強誘電体基板１１上
にボンディングパッドを構成するパターンなどをフォト
リソ工程を実施し、蒸着やスパッタで形成されたＡｕ膜
１２をパターン化する。次に、導通を確保するためにＡ
ｕ膜１２に少なくともボンディングパッドの一部が重な
るようにフォトリソ工程を実施し、蒸着やスパッタで膜
付けされたＡｌ膜１３をパターン化する。
性の高いＳＡＷフィルタ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 ＬｉＴａＯ3 などの強誘電体基板１１上
にボンディングパッドを構成するパターンなどをフォト
リソ工程を実施し、蒸着やスパッタで形成されたＡｕ膜
１２をパターン化する。次に、導通を確保するためにＡ
ｕ膜１２に少なくともボンディングパッドの一部が重な
るようにフォトリソ工程を実施し、蒸着やスパッタで膜
付けされたＡｌ膜１３をパターン化する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆ
ａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ：表面弾性波）フ
ィルタ及びその製造方法に関するものである。
ａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ：表面弾性波）フ
ィルタ及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、以下に記載されるようなものがあった。図３は
かかる従来のＳＡＷフィルタの平面図、図４は図３のＡ
−Ａ線断面図である。
例えば、以下に記載されるようなものがあった。図３は
かかる従来のＳＡＷフィルタの平面図、図４は図３のＡ
−Ａ線断面図である。
【０００３】これらの図において、１はＬｉＴａＯ3 な
どの強誘電体基板、２はその強誘電体基板１に形成され
るＡｌ蒸着膜からなるＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ Ｄｉｇｉｔ
ａｌＴｒａｎｓｄｕｃｅｒ：すだれ状電極）、３はその
ＩＤＴに接続されるＡｕ蒸着膜である。
どの強誘電体基板、２はその強誘電体基板１に形成され
るＡｌ蒸着膜からなるＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ Ｄｉｇｉｔ
ａｌＴｒａｎｓｄｕｃｅｒ：すだれ状電極）、３はその
ＩＤＴに接続されるＡｕ蒸着膜である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＬｉＴａＯ3 などの強
誘電体基板１に薄膜ＡｌのＩＤＴ２を形成後、外部接続
用のＡｕ蒸着膜３を用いてボンディングパッドのパター
ンを形成する場合、Ａｕ蒸着膜３のリフトオフを実施す
る場合がある。この際、図５に示すように、薄膜Ａｌの
ＩＤＴ２が帯電してＡｕ蒸着膜の屑４が帯電したＩＤＴ
２に付着し、電極間でショート不良が発生するという問
題点があった。
誘電体基板１に薄膜ＡｌのＩＤＴ２を形成後、外部接続
用のＡｕ蒸着膜３を用いてボンディングパッドのパター
ンを形成する場合、Ａｕ蒸着膜３のリフトオフを実施す
る場合がある。この際、図５に示すように、薄膜Ａｌの
ＩＤＴ２が帯電してＡｕ蒸着膜の屑４が帯電したＩＤＴ
２に付着し、電極間でショート不良が発生するという問
題点があった。
【０００５】また、最初にＩＤＴを形成し、その後、ボ
ンディングパッドを形成するようにしているので、ボン
ディングパッド形成時に基板面に凹凸が多く形成されて
おり、金属屑が引っ掛かり易い。本発明は、上記問題点
を除去し、ＩＤＴの電極間でのショートをなくし、信頼
性の高いＳＡＷフィルタ及びその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
ンディングパッドを形成するようにしているので、ボン
ディングパッド形成時に基板面に凹凸が多く形成されて
おり、金属屑が引っ掛かり易い。本発明は、上記問題点
を除去し、ＩＤＴの電極間でのショートをなくし、信頼
性の高いＳＡＷフィルタ及びその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 （１）ＳＡＷフィルタにおいて、強誘電体基板上に形成
されるボンディングパッドと、このボンディングパッド
に接続されるように形成されるＩＤＴとを設けるように
したものである。
成するために、 （１）ＳＡＷフィルタにおいて、強誘電体基板上に形成
されるボンディングパッドと、このボンディングパッド
に接続されるように形成されるＩＤＴとを設けるように
したものである。
【０００７】（２）上記（１）記載のＳＡＷフィルタに
おいて、前記ボンディングパッドはＡｕ薄膜、前記ＩＤ
ＴはＡｌ薄膜からなる。 （３）ＳＡＷフィルタの製造方法において、強誘電体基
板上にＡｕ薄膜からなるボンディングパッドを膜付けす
る工程と、このボンディングパッドに接続されるよう
に、Ａｌ薄膜からなるＩＤＴを形成する工程とを施すよ
うにしたものである。
おいて、前記ボンディングパッドはＡｕ薄膜、前記ＩＤ
ＴはＡｌ薄膜からなる。 （３）ＳＡＷフィルタの製造方法において、強誘電体基
板上にＡｕ薄膜からなるボンディングパッドを膜付けす
る工程と、このボンディングパッドに接続されるよう
に、Ａｌ薄膜からなるＩＤＴを形成する工程とを施すよ
うにしたものである。
【０００８】このように構成したので、上記（１）及び
（２）記載のＳＡＷフィルタによれば、ＩＤＴの電極間
でのショートをなくし、信頼性の高いＳＡＷフィルタを
提供することができる。また、上記（３）記載のＳＡＷ
フィルタの製造方法によれば、Ａｕ薄膜のボンディング
パッド部はＡｌ薄膜のＩＤＴに比べてパターンが大き
く、Ａｌ薄膜のＩＤＴ部より先にパターンを形成するよ
うにしたので、Ａｌパターンがないので凹凸が少なく表
面積が小さい。さらに、凹凸が少ないので金属屑が引っ
掛かりにくい。
（２）記載のＳＡＷフィルタによれば、ＩＤＴの電極間
でのショートをなくし、信頼性の高いＳＡＷフィルタを
提供することができる。また、上記（３）記載のＳＡＷ
フィルタの製造方法によれば、Ａｕ薄膜のボンディング
パッド部はＡｌ薄膜のＩＤＴに比べてパターンが大き
く、Ａｌ薄膜のＩＤＴ部より先にパターンを形成するよ
うにしたので、Ａｌパターンがないので凹凸が少なく表
面積が小さい。さらに、凹凸が少ないので金属屑が引っ
掛かりにくい。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について図
面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の第１
実施例を示すＳＡＷフィルタの平面図、図２は図１のＢ
−Ｂ線断面図である。これらの図に示すように、ＬｉＴ
ａＯ3 などの強誘電体基板１１上に、ボンディングパッ
ドを構成するパターンをフォトリソ工程を実施し、蒸着
やスパッタで形成されたＡｕ膜１２をパターン化する。
面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の第１
実施例を示すＳＡＷフィルタの平面図、図２は図１のＢ
−Ｂ線断面図である。これらの図に示すように、ＬｉＴ
ａＯ3 などの強誘電体基板１１上に、ボンディングパッ
ドを構成するパターンをフォトリソ工程を実施し、蒸着
やスパッタで形成されたＡｕ膜１２をパターン化する。
【００１０】次に、導通を確保するためにＡｕ膜１２に
少なくともボンディングパッドの一部が重なるようにフ
ォトリソ工程を実施し、蒸着やスパッタで膜付けされた
Ａｌ膜１３をパターン化する。このように、まず、Ａｕ
膜１２をパターン化した後に、Ａｌ蒸着によるＡｌ薄膜
をパターン化するようにしたので、従来のように、薄膜
ＡｌのＩＤＴが帯電してＡｕ蒸着膜の屑４が帯電したＩ
ＤＴ２に付着し、電極間でショート不良が発生するとい
うことはなくなる。
少なくともボンディングパッドの一部が重なるようにフ
ォトリソ工程を実施し、蒸着やスパッタで膜付けされた
Ａｌ膜１３をパターン化する。このように、まず、Ａｕ
膜１２をパターン化した後に、Ａｌ蒸着によるＡｌ薄膜
をパターン化するようにしたので、従来のように、薄膜
ＡｌのＩＤＴが帯電してＡｕ蒸着膜の屑４が帯電したＩ
ＤＴ２に付着し、電極間でショート不良が発生するとい
うことはなくなる。
【００１１】このようにして得られたＳＡＷ（表面弾性
波）フィルタのＩＤＴは、Ａｌ薄膜で構成されており、
６００ＭＨｚ〜１．５ＧＨｚの周波数が中心であり、
０．８〜数ミクロンのピッチで形成されている。そのた
め、微小なごみであっても特性に大きな影響をあたえ
る。また、ＳＡＷフィルタの基板は強誘電体のＬｉＴａ
Ｏ3 等の材料で作られており、特に温度変化や微かな基
板変形により静電気が発生して、ごみやリフトオフの際
の金属屑が付着する。
波）フィルタのＩＤＴは、Ａｌ薄膜で構成されており、
６００ＭＨｚ〜１．５ＧＨｚの周波数が中心であり、
０．８〜数ミクロンのピッチで形成されている。そのた
め、微小なごみであっても特性に大きな影響をあたえ
る。また、ＳＡＷフィルタの基板は強誘電体のＬｉＴａ
Ｏ3 等の材料で作られており、特に温度変化や微かな基
板変形により静電気が発生して、ごみやリフトオフの際
の金属屑が付着する。
【００１２】このように、Ａｕ薄膜のボンディングパッ
ド部はＡｌ薄膜のＩＤＴに比べてパターンが大きく、Ａ
ｌ薄膜のＩＤＴ部より先にパターンを形成するようにし
たので、Ａｌパターンがないので凹凸が少なく表面積が
小さい。さらに、凹凸が少ないので金属屑が引っ掛かり
にくい。なお、本発明は上記実施例に限定されるもので
はなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であ
り、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
ド部はＡｌ薄膜のＩＤＴに比べてパターンが大きく、Ａ
ｌ薄膜のＩＤＴ部より先にパターンを形成するようにし
たので、Ａｌパターンがないので凹凸が少なく表面積が
小さい。さらに、凹凸が少ないので金属屑が引っ掛かり
にくい。なお、本発明は上記実施例に限定されるもので
はなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であ
り、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【００１３】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （Ａ）請求項１及び２記載の発明によれば、ＩＤＴの電
極間でのショートをなくし、信頼性の高いＳＡＷフィル
タを提供することができる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （Ａ）請求項１及び２記載の発明によれば、ＩＤＴの電
極間でのショートをなくし、信頼性の高いＳＡＷフィル
タを提供することができる。
【００１４】（Ｂ）請求項３記載の発明によれば、Ａｕ
薄膜のボンディングパッド部はＡｌ薄膜のＩＤＴに比べ
てパターンが大きく、Ａｌ薄膜のＩＤＴ部より先にパタ
ーンを形成するようにしたので、Ａｌパターンがないの
で凹凸が少なく表面積が小さい。 さらに、凹凸が少な
いので金属屑が引っ掛かりにくい。
薄膜のボンディングパッド部はＡｌ薄膜のＩＤＴに比べ
てパターンが大きく、Ａｌ薄膜のＩＤＴ部より先にパタ
ーンを形成するようにしたので、Ａｌパターンがないの
で凹凸が少なく表面積が小さい。 さらに、凹凸が少な
いので金属屑が引っ掛かりにくい。
【図１】本発明の第１実施例を示すＳＡＷフィルタの平
面図である。
面図である。
【図２】図１のＢ−Ｂ線断面図である。
【図３】従来のＳＡＷフィルタの平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ線断面図である。
【図５】従来技術の問題点の説明図である。
１１ 強誘電体基板 １２ Ａｕ膜 １３ Ａｌ膜
Claims (3)
- 【請求項１】（ａ）強誘電体基板上に形成されるボンデ
ィングパッドと、（ｂ）該ボンディングパッドに接続さ
れるように形成されるＩＤＴとを具備することを特徴と
するＳＡＷフィルタ。 - 【請求項２】 請求項１記載のＳＡＷフィルタにおい
て、前記ボンディングパッドはＡｕ薄膜、前記ＩＤＴは
Ａｌ薄膜からなるＳＡＷフィルタ。 - 【請求項３】（ａ）強誘電体基板上にＡｕ薄膜からなる
ボンディングパッドを膜付けする工程と、（ｂ）該ボン
ディングパッドに接続されるようにＡｌ薄膜からなるＩ
ＤＴを形成する工程とを施すことを特徴とするＳＡＷフ
ィルタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34216496A JPH10190389A (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | Ｓａｗフィルタ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34216496A JPH10190389A (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | Ｓａｗフィルタ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10190389A true JPH10190389A (ja) | 1998-07-21 |
Family
ID=18351622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34216496A Withdrawn JPH10190389A (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | Ｓａｗフィルタ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10190389A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006217517A (ja) * | 2005-02-07 | 2006-08-17 | Kyocera Corp | 弾性表面波素子および通信装置 |
| JP2008113273A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波共振子 |
| JP2010263662A (ja) * | 2010-08-23 | 2010-11-18 | Kyocera Corp | 弾性表面波素子および通信装置 |
| JP2017118425A (ja) * | 2015-12-25 | 2017-06-29 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| JP2018006922A (ja) * | 2016-06-29 | 2018-01-11 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波素子、弾性表面波フィルタ及びマルチプレクサ |
-
1996
- 1996-12-20 JP JP34216496A patent/JPH10190389A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006217517A (ja) * | 2005-02-07 | 2006-08-17 | Kyocera Corp | 弾性表面波素子および通信装置 |
| JP4637600B2 (ja) * | 2005-02-07 | 2011-02-23 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波素子および通信装置 |
| JP2008113273A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波共振子 |
| JP2010263662A (ja) * | 2010-08-23 | 2010-11-18 | Kyocera Corp | 弾性表面波素子および通信装置 |
| JP2017118425A (ja) * | 2015-12-25 | 2017-06-29 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| JP2018006922A (ja) * | 2016-06-29 | 2018-01-11 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波素子、弾性表面波フィルタ及びマルチプレクサ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040302 |