JP3435639B2 - 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置 - Google Patents

弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波フィル
タなどの弾性表面波装置の製造方法に関し、より詳細に
は、フリップチップ工法によりバンプが形成されている
弾性表面波装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、移動体通信機器の小型化及び軽量
化が進んでおり、用いられる電子部品においても小型化
が要求されている。従って、移動体通信機において帯域
フィルタとして用いられている弾性表面波装置において
も、小型化が強く求められている。
【０００３】従来の弾性表面波装置では、パッケージ内
に弾性表面波素子が収納されており、該弾性表面波素子
の電極パッドと、パッケージの電極パターンとがワイヤ
ーにより電気的に接続されていた。従って、弾性表面波
装置の小型化に限界があった。
【０００４】そこで、近年、弾性表面波素子上の電極パ
ッド上にバンプを形成し、パッケージの電極パターンに
バンプを当接させ、例えば超音波を印加することにより
接合する、フリップチップ工法が用いられてきている。
【０００５】特開平９−１７２３４１号公報には、上記
フリップチップ工法を用いた弾性表面波装置の製造方法
の一例が開示されている。この先行技術に記載の弾性表
面波装置では、防塵及び防食耐性を高めるために、弾性
表面波素子が誘電体層で覆われている。
【０００６】すなわち、圧電性基板上に先ずくし歯電極
と、電極パッドとしての面状電極とが形成される。そし
て、圧電性基板上に誘電体層が保護層として形成され
る。さらに、外部と電気的接続を行うために、平面視し
た場合に面状電極と実質的に同じ面積を有する上部電極
が面状電極と誘電体層を介して重なり合う位置に形成さ
れる。さらに、金属バンプを上部電極上にボンディング
することにより、誘電体層が上部電極により破断され、
面状電極と上部電極とが直接電気的に接続される。この
ようにして金属バンプを面状電極に接続した後、上述し
たフリップチップ工法によりバンプがパッケージ基板に
接続される。
【０００７】他方、特開平１０−１６３７８９号公報に
は、弾性表面波フィルタ素子をパッケージに収納するこ
となく回路基板上に実装し得る構造が開示されている。
すなわち、図８に示すように、回路基板５１上に弾性表
面波フィルタ素子５２が直接実装されている。このよう
な実装を可能とするために、以下のようにして弾性表面
波フィルタ５２が製造される。
【０００８】すなわち、先ず、圧電基板上に、櫛型電
極、反射器、入力用電極パッド及び出力用電極パッドが
形成される。次に、ＳｉＯ2 からなる膜厚２００Å〜１
５μｍの保護膜５３が形成される。さらに、入出力電極
パッド５２ａの中心部を保護膜５３から露出させ、導電
性接合剤５４を付着させる。この導電性接合剤５４とし
て、半田ボール、金バンプあるいは導電性樹脂が用いら
れる。上記導電性接合剤５４を回路基板５１の対応する
電極パターン５１ａに接触させ、弾性表面波フィルタ素
子５２を回路基板上に搭載した状態で、半田ボールなど
の導電性接合剤を加熱・溶融することにより、弾性表面
波フィルタ素子が回路基板５１に直接実装される。
【０００９】他方、特開平４−３７１００９号公報に
は、保護膜形成前に入出力端子を接続線で短絡し、保護
膜形成後に接続線を切断する方法が開示されている。こ
こでは、保護膜の被着及びその窓開け時の加熱によって
電位差が生じやすくなり、焦電破壊が発生するため、接
続線で入出力端子を短絡することにより焦電破壊が防止
されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】バンプを用いて弾性表
面波素子をパッケージ基板や回路基板に接合しようとす
る場合、バンプシェア強度を高めるため、通常、バンプ
形成工程において圧電基板を加熱し、金属の相互拡散作
用の促進を図る必要がある。
【００１１】しかしながら、焦電性を有する圧電基板を
用いている場合には、上記加熱に際しての温度変化によ
り、弾性表面波素子のインターデジタルトランスデュー
サの異なる電位に接続される電極間に電位差が生じ、放
電が生じる。この放電により、インターデジタルトラン
スデューサの焦電破壊が生じ、良品率が低下するという
問題があった。
【００１２】また、保護膜被着前に加熱による焦電破壊
を防ぐために、入出力端子が接続線で短絡されている
と、保護膜形成前に素子の周波数特性が測定され得なく
なる。従って、保護膜の膜厚の調節により素子の周波数
を調節することができなくなる。また、保護膜形成後に
接続線を切断し、素子の周波数特性を測定した後に、保
護膜の膜厚を調節することにより周波数が調節されたと
しても、その後のバンプ形成工程においては、接続線が
切断されているため、やはり焦電破壊が発生する。
【００１３】本発明の目的は、防塵・防食耐性に優れて
いるだけでなく、フリップチップ工法を用いてパッケー
ジ基板や回路基板に搭載することができ、さらにバンプ
形成時の加熱によるインターデジタルトランスデューサ
の焦電破壊が生じ難く、特性のばらつきが少なくかつ良
品率を高め得る弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面
波装置を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、フリップチッ
プ工法を用いた弾性表面波装置の製造方法であって、圧
電基板上に、弾性表面波装置を構成するための少なくと
も１つのインターデジタルトランスデューサと、該イン
ターデジタルトランスデューサに電気的に接続された電
極パッドを形成する工程と、前記電極パッド上にバンプ
を形成する工程と、前記バンプ形成工程後に、少なくと
もバンプが形成されている部分以外の領域に絶縁膜を形
成する工程を備え、前記バンプ形成工程前に、少なくと
も１つのインターデジタルトランスデューサの信号端子
側とアース側とを短絡させる短絡用配線を形成する工程
と、前記バンプ形成工程後であって、前記絶縁膜の形成
工程前に、前記短絡用配線を切断する工程とをさらに備
える。
【００１５】本発明のある特定の局面では、前記絶縁膜
を形成する工程は、圧電基板上の全面に絶縁膜を形成す
る工程と、次に、少なくともバンプ上の絶縁膜を除去す
る工程とを備える。
【００１６】本発明の別の特定の局面では、前記バンプ
上の絶縁膜を除去する工程後に、少なくとも電極パッド
表面をエッチングする工程がさらに備えられる。
【００１７】本発明の他の特定の局面では、前記バンプ
形成工程前に、前記圧電基板のインターデジタルトラン
スデューサが形成される面とは反対の面である裏面に導
電膜を形成し、導電膜または導電性治具を用いて、前記
圧電基板の表面の電極と、裏面の導電膜とを短絡させる
工程がさらに備えられる。この場合、好ましくは、前記
圧電基板の電極形成面に、全面に導電性の矩形状格子パ
ターンが形成される。
【００１８】本発明のさらに他の特定の局面では、前記
バンプ材料と、それに対向してフェースダウンされるバ
ンプ接合面の金属パッドの材料とが同一材料からなる。
本発明の他の特定の局面では、前記絶縁膜を形成する工
程は、絶縁膜の膜厚を調節することで周波数調整を行う
工程である。
【００１９】本発明のさらに別の特定の局面では、前記
絶縁膜を形成後、その厚みを減少させて周波数調整を行
う工程がさらに備えられる。本発明のさらに他の特定の
局面では、前記周波数調整工程の前に、弾性表面波装置
の周波数特性を測定する工程がさらに備えられる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ、本発明
の具体的な実施例を説明することにより、本発明を明ら
かにする。
【００２１】図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施例
の製造方法を説明するための各平面図であり、図２
（ａ）〜（ｄ）は、本実施例の製造方法を説明するため
の各断面図である。
【００２２】先ず、矩形板状の圧電基板を用意する。こ
の圧電基板としては、チタン酸ジルコン酸鉛系セラミッ
クスのような圧電セラミックスを用いることができる。
後述するように、圧電基板１が焦電性を有する場合であ
っても、本実施例の製造方法によれば、焦電破壊は生じ
難い。
【００２３】上記圧電基板の上面の全面に、Ａｌなどの
導電性材料を蒸着、スパッタリングまたはメッキ等の適
宜の方法で付与することにより、導電膜を形成する。次
に、上記導電膜上にポジ型のフォトレジスト層を形成
し、該フォトレジスト層上に、インターデジタルトラン
スデューサ（以下、ＩＤＴ）、及び反射器等の電極部分
が遮蔽部とされたマスクを被せて露光する。しかる後、
露光されたフォトレジスト部分を除去することにより、
フォトレジスト層をパターニングする。
【００２４】しかる後、上記フォトレジストを侵さない
が、導電膜を除去し得るエッチャントを用いてエッチン
グし、図１（ａ）に示すように、圧電基板１上にＩＤＴ
２、反射器３，４、電極パッド５，６、配線電極９ａ，
９ｂ及び短絡用配線７を形成する。
【００２５】ここで、ＩＤＴ２は、一対のくし歯電極か
らなり、該ＩＤＴ２の表面波伝搬方向両側に反射器３，
４が配置されている。また、電極パッド５，６は入出力
用電極パッドを構成しており、ＩＤＴ２の一方のくし歯
電極に電気的に接続されている。短絡用配線７は、電極
パッド５，６及び反射器３，４を電気的に接続するよう
に構成されている。すなわち、短絡用配線７は、ＩＤＴ
２の入出力側と、アース電位に接続される側とを電気的
に接続している。配線電極９ａ，９ｂは、電極パッド
５，６とＩＤＴ２を電気的に接続するように構成されて
いる。
【００２６】なお、上記エッチングの方法については、
湿式あるいは乾式のいずれのエッチング法により行って
もよい。また、リフトオフ法により上記各電極を形成し
てもよい。
【００２７】次に、圧電基板１上に、ポジ型のフォトレ
ジストを全面に付与し、しかる後、ＩＤＴ２のバスバー
２ａ，２ｂ、入出力用電極パッド５，６及び配線電極９
ａ，９ｂに重なる部分が開口部とされたマスクを該フォ
トレジスト上に積層して露光する。しかる後、露光され
た部分のフォトレジストを除去することにより、図１
（ｂ）に示すように、フォトレジスト層８に開口８ａを
形成する。なお、図１（ｂ）では、フォトレジスト層８
の下方のＩＤＴ２などの電極はフォトレジスト層８に隠
れているが、実線で図示されている。この開口８ａは、
上記のように、電極パッド５，６、バスバー２ａ，２ｂ
及び配線電極９ａ，９ｂを露出させている。
【００２８】次に、上記フォトレジスト層８を加熱する
ことにより、フォトレジスト層８の圧電基板１に対する
密着性を高めると共に、耐プラズマ性を高める。この場
合、短絡用配線７により、電極パッド５，６、反射器
３，４が短絡されているので、各部分は同電位となる。
従って、圧電基板１が焦電性を有する場合であっても、
焦電効果による放電が生じず、ＩＤＴ２やレジスト８の
破損のおそれはない。
【００２９】次に、圧電基板１上において、第２の導電
膜を全面に付与する。この第２の導電膜は、後述するよ
うに、バスバー２ａ，２ｂ、入出力用電極パッド５，６
及び配線電極９ａ，９ｂを２層構造とするために付与さ
れる。すなわち、上記開口８ａ内に付与されている第２
の導電膜により、バスバー２ａ，２ｂ、電極パッド５，
６及び配線電極９ａ，９ｂが２層構造とされる。
【００３０】しかる後、フォトレジスト層８上に付与さ
れている第２の導電膜部分を、フォトレジスト層８と共
にリフトオフする。このようにして、図２（ａ）に略図
的断面図で示すように、圧電基板１上に、２層構造の電
極パッド５Ａ，６Ａ、バスバー２Ａ，２Ｂ及び配線電極
９Ａ，９Ｂが形成される。
【００３１】なお、図２（ａ）では、図１（ｃ）のＡ−
Ａ線に沿う部分に相当する断面図であるため、短絡用配
線７は図示されていない。上記のように２層構造の電極
膜を形成するのは、金属バンプ形成時に圧電基板１に生
じるクラックを防止するためである。従って、電極パッ
ドを２層構造とすることが好ましく、バスバー及び配線
電極は必ずしも２層構造とせずともよい。
【００３２】次に、図２（ｂ）に示すように、電極パッ
ド５Ａ，６Ａ上に、金属バンプ１１を形成する。金属バ
ンプ１１を構成する材料については、金、Ａｌ、Ａｌ合
金など適宜の導電性材料を用いることができる。
【００３３】上記金属バンプ１１の形成に際しては、圧
電基板１が加熱される。この圧電基板１の加熱により、
電極パッド５Ａ，６Ａにおける２層目の金属と、金属バ
ンプ１１を構成している金属との相互拡散作用が促進
し、金属バンプ１１が電極パッド５Ａ，６Ａに強固に接
合される。この場合、短絡用配線７により、電極パッド
５，６と反射器３，４とが短絡されているので、それぞ
れの部分における電位差はなく、同電位となるため、放
電は生じない。従って、ＩＤＴ２やレジスト８の破損が
生じ難い。
【００３４】次に、図１（ｃ）に示すように、短絡用配
線７Ａを矢印Ｂ１，Ｂ２で示す部分で切断する。さら
に、図１（ｄ）及び図２（ｃ）に示すように、圧電基板
１上のほぼ全面に絶縁膜１２を形成する。絶縁膜１２
は、例えばＳｉＯ2などの絶縁性材料を、例えばスパッ
タリングなどにより付与することにより形成される。
【００３５】また、上記絶縁膜１２の厚みについては、
弾性表面波素子の周波数が所望の値となるようにその厚
みが設定されている。次に、図２（ｄ）に示すように、
外部回路と接続するために、金属バンプ１１上の、本実
施例では、入出力パッド５Ａ，６Ａ上をも含めて、絶縁
膜１２が除去される。従って、高いダイシェア強度を得
ることができる。
【００３６】フリップチップ工法を用いて、本実施例の
弾性表面波装置１３を、金、Ａｌ、Ａｌ合金などからな
る回路基板上の電極パターンに、超音波を印加しつつ接
合した。この場合のサンプルをサンプル（Ｂ）とし、ダ
イシェア強度を評価した。結果を図３に示す。
【００３７】上記ダイシェア強度の測定に用いた弾性表
面波装置では、圧電基板材料としてタンタル酸リチウム
を用い、電極材料としてＡｌを用い、バンプ材料として
Ａｕを用いたものを使用した。また、絶縁膜材料として
ＳｉＯ2を用いた。
【００３８】また、絶縁膜１２が形成されていないこと
を除いては上記サンプル（Ｂ）と同様にして得られた弾
性表面波装置をサンプル（Ａ）とし、同様にしてダイシ
ェア強度を評価した。さらに、金属バンプ１１上の絶縁
膜１２を除去していないサンプルをサンプル（Ｃ）とし
て用意し、同様にして評価した。結果をそれぞれ、図３
に示す。
【００３９】図３から明らかなように、サンプル（Ｃ）
におけるダイシェア強度は低く、サンプル（Ｂ）では、
サンプル（Ａ）と同様に高いダイシェア強度を有してい
ることがわかる。
【００４０】図４〜図６を参照して、第２の実施例の弾
性表面波装置及びその製造方法を説明する。図４（ａ）
は、第２の実施例に係る弾性表面波装置の回路構成を示
す図である。本実施例では、５個の弾性表面波素子が梯
子型回路構成を有するように接続されて、ラダー型フィ
ルタが構成されている。すなわち、入力端子２１と出力
端子２２との間に、２個の直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２が接
続されており、直列腕とアース電位との間に、並列腕共
振子Ｐ１〜Ｐ３がそれぞれ接続されている。
【００４１】図４（ａ）に示す直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２
及び並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ３は、それぞれ、第１の実施
例の弾性表面波装置と同様の電極構造を有する。すなわ
ち、表面波伝搬方向中央に配置されたＩＤＴと、ＩＤＴ
の伝搬方向両側に配置された反射器と、ＩＤＴの一対の
くし歯電極にそれぞれ接続された電極パッドとを有す
る。
【００４２】図４（ｂ）は、本実施例の弾性表面波装置
の模式的平面図である。矩形の圧電基板２３上に、直列
腕共振子Ｓ１，Ｓ２及び並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ３が構成
されている。
【００４３】また、直列腕共振子Ｓ１のＩＤＴの一方の
バスバーに接続されている電極パッド２５Ａ上に、金属
バンプ１１が形成されている。同様に、直列腕共振子Ｓ
２のＩＤＴの一方のバスバーに接続されている電極パッ
ド２６Ａ上にもバンプ１１が形成されている。さらに、
直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２は、配線電極２６により電気的
に接続されている。配線電極２６は、直列腕共振子Ｓ
１，Ｓ２と、並列腕共振子Ｐ２とを接続している。
【００４４】また、電極パッド２５Ａには、配線電極２
７の一端が接続されており、配線電極２７の他端は並列
腕共振子Ｐ１の一端に接続されている。並列腕共振子Ｐ
１の他端には、配線電極２８が接続されており、配線電
極２８の他端が電極パッド２９に接続されている。電極
パッド２９上にもバンプ１１が形成されている。さら
に、並列腕共振子Ｐ２の配線電極２６が接続されている
側とは反対側の端部が配線電極３０により電極パッド２
９及び並列腕共振子Ｐ３の一端に接続されている。並列
腕共振子Ｐ３の他端は、配線電極３１により電極パッド
２６Ａに接続されている。
【００４５】本実施例では、絶縁膜（図示せず）が、電
極パッド２５Ａ，２６Ａ，２９を除いて、圧電基板及び
電極構造を被覆するように形成されている。また、図４
（ｂ）において、周波数調整を行うためのプローブ４１
〜４３が、それぞれ、電極パッド２５Ａ，２６Ａ，２９
に当接される。プローブ４１〜４３は、ウエハープロー
ビングを行うために当接され、この場合、プローブ４１
〜４３は、バンプ１１に直接接触していないことが望ま
しい。また、この際に、より完成品に近い周波数特性を
得るために、入出力側の短絡用配線３２，３３は切断さ
れ、アース電位の短絡用配線３４は上記弾性表面波装置
の回路を全て囲む矩形状の格子３５と短絡されている。
【００４６】図７に示すように、ウエハー６１の裏面に
金、Ａｌ、Ａｌ合金などからなる導電性膜６２を成膜
し、クリップなどの適宜の治具６３をウエハー６１の表
裏面間に挟み、電気的に短絡させてもよい。この処置を
することで、ウエハー６１の表面に形成されている格子
３５とウエハー裏面の導電性膜６２とは電気的に短絡さ
れることになる。
【００４７】図５（ａ）は、上記絶縁膜３１を圧電基板
２３上に形成した場合の略図的断面図である。なお、電
極パッド２５Ａ，２６Ａ内の矢印Ｘで示す領域には、直
列腕共振子Ｓ１，Ｓ２及び配線電極２６が構成されてい
るが、図示は省略されている。この場合、弾性表面波装
置の周波数特性が、絶縁膜３１を形成する前には、所望
の周波数より高くなるように設定されている。そして、
図５（ａ）に示す状態では、周波数特性が、所望の周波
数より低くなるように厚みの厚い絶縁膜３１が形成され
る。
【００４８】次に、上記弾性表面波装置の周波数特性を
プローブ４１〜４３を用いて測定し、その測定結果か
ら、周波数特性の調整量を求める。すなわち、絶縁膜３
１を形成した後の周波数と、所望の周波数との差を求め
る。
【００４９】しかる後、上記周波数の差に基づき、絶縁
膜３１をエッチングし、絶縁膜３１の厚みを低減する。
この絶縁膜３１の厚み低減量は、上記周波数差に応じて
行われ、その結果に応じて図５（ｂ）に示すように、周
波数調整量に応じて厚みが低減された絶縁膜３１Ａが形
成される。このエッチングは、湿式エッチング、あるい
はプラズマ等を用いた乾式エッチングのいずれを用いて
行ってもよい。
【００５０】上記のようにして、本実施例の弾性表面波
装置では、絶縁膜３１の厚みを実際に得られた弾性表面
波装置にプローブ４１〜４３を用いて周波数特性を測定
しつつ行い得るので、所望の周波数特性を有する弾性表
面波装置を確実に提供することができる。
【００５１】図６は、本実施例の弾性表面波装置におけ
る周波数特性の変化を示す図である。図６において、実
線は、絶縁膜３１が形成される前の弾性表面波装置の周
波数特性を、破線が、２９ｎｍの厚みの絶縁膜３１を形
成した際の周波数特性を、一点鎖線が、周波数調整後
（絶縁膜の厚みが１３ｎｍまで低減された状態）の周波
数特性を示す。図６から明らかなように、ＳｉＯ2から
なる絶縁膜３１をエッチングして厚みを低減することに
より、周波数調整を行い得ることがわかる。
【００５２】第１，第２の実施例の弾性表面波装置及び
その製造方法は、第１の実施例のように弾性表面波共振
子や、第２の実施例のように複数の共振子を接続してな
るラダー型フィルタなどの様々な弾性表面波装置に適用
することができる。すなわち、本発明は、様々な弾性表
面波共振子、弾性表面波フィルタ、弾性表面波デュプレ
クサなどの適宜の弾性表面波装置に適用することができ
る。また、反射器を有しない弾性表面波装置にも本発明
を適用することができる。
【００５３】また、圧電基板は、チタン酸ジルコン酸鉛
系セラミックスのような圧電セラミックスに限らず、Ｌ
ｉＴａＯ3、ＬｉＮｂＯ3、水晶、四硼酸リチウム、ラン
ガサイトなどの圧電単結晶を用いて構成されてもよい。
さらに、アルミナなどの絶縁性基板上に、ＺｎＯなどの
圧電性薄膜を形成してなる圧電基板を用いてもよい。
【００５４】また、ＩＤＴ、反射器及び短絡用配線など
の電極材料は、ＡｌやＡｌ合金の他、任意の導電性材料
を用いて構成され得る。さらに、周波数調整を果たすた
めの絶縁膜を構成する材料は、ＳｉＯ2に限定されず、
ＳｉＮ、ＺｎＯなどを用いてもよい。
【００５５】
【発明の効果】本発明に係る弾性表面波装置の製造方法
では、圧電基板上に少なくとも１つのＩＤＴ及び電極パ
ッドが形成されており、該電極パッド上にバンプが形成
されており、少なくともバンプが形成されている部分を
除いた領域が絶縁膜で被覆されているので、該絶縁膜に
より防塵性及び防食耐性が高められる。加えて、弾性表
面波装置が上記バンプを用いてフリップチップ工法によ
り回路基板上に搭載され得るので、弾性表面波装置が用
いられる通信機器等の電子機器の小型化が図られ得る。
また、バンプ形成工程前に少なくとも１つのＩＤＴの信
号端子側とアース側とを短絡させる短絡用配線を形成す
る工程をさらに備えるので、バンプ形成時にバンプと電
極パッドとの接合強度を高めるために加熱が施されたと
しても、短絡用配線により電極パッド及びＩＤＴが短絡
されているので、焦電効果による放電が生じ難い。従っ
て、ＩＤＴの破壊を防止することができ、かつ弾性表面
波装置の特性のばらつきを抑制することができる。 特
に、上記短絡用配線の切断を上記絶縁膜を形成する工程
の前に行うので、絶縁膜形成前に素子の周波数特性が測
定され得る。従って、所望の周波数特性を有する弾性表
面波装置を確実に提供することができる。また、バンプ
形成後に短絡用配線が切断されるため、バンプ形成時の
焦電破壊対策も同時に施される。
【００５６】上記絶縁膜の形成に際し、圧電基板上の全
面に絶縁膜を形成し、次に少なくともバンプ上の絶縁膜
を除去する工程をさらに備える場合には、バンプ上の絶
縁膜が除去されるので、フリップチップ工法による弾性
表面波装置の回路基板への搭載が容易に行われ得る。
【００５７】さらに、少なくともバンプ上の絶縁膜を除
去する工程後、少なくとも電極パッド表面をエッチング
する場合には、例えばパンプと電極パッドの界面、また
は電極パッド、バンプ表面の絶縁膜やエッチャントの残
さが除去され、電極パッドとパンプ、またはバンプと外
部電極の接合性が高められる。また、超音波接合時に、
バンプが押しつぶされてバンプ面積が大きくなるので、
パッド上の残さをなくすことにより、バンプが広がった
領域における接合性の向上が図られる。
【００５８】
【００５９】
【００６０】圧電基板の裏面に導電性膜を形成する工程
をさらに備える場合には、基板の表裏面を導電性の膜や
治具を用いて短絡させることにより、基板表面で電荷が
溜まり難くなり、放電が生じ難くなる。よって、ＩＤＴ
の焦電破壊を防ぐための短絡用配線が不要となり、短絡
用配線を切断する工程を省くことができる。そのため、
製造工程全体を簡略化することができる。また、その際
に圧電基板の電極形成面の全面に導電性の矩形状格子パ
ターンが形成されると、圧電基板表面の電荷が裏面に向
けてより一層移動し易くなり、それによって放電が一層
生じ難くなる。
【００６１】上記バンプ材料と、それに対向してフェー
スダウンされるバンプ接合面の金属パッドの材料とが同
一材料である場合には、バンプとそれに接続される金属
パッドが同一材料であるため、金属の相互拡散がより起
こり易くなる。従って、仮に絶縁膜の残さがバンプ表面
に生じたとしても、十分な接合強度を保つことができ
る。よって、弾性表面波素子の信頼性を向上させること
ができる。
【００６２】上記絶縁膜を形成する際に、絶縁膜の膜厚
を調節することで周波数調整を行う工程をさらに備える
場合には、絶縁膜の厚みを減少させる工程を省くことが
できる。従って、製造工程全体の簡略化並びに、弾性表
面波素子の良品率の向上を図ることができる。
【００６３】上記絶縁膜を形成後、その厚みを減少させ
て周波数調整を行う工程をさらに備える場合には、絶縁
膜形成後に素子の周波数特性を確認できるため、絶縁膜
の膜厚ばらつきによる周波数ずれの影響をなくすことが
できる。よって、弾性表面波素子の良品率の向上を図り
得る。
【００６４】上記周波数調整工程の前に弾性表面波装置
の周波数特性を測定する工程をさらに備える場合には、
素子の周波数特性を直接測定することによって、より精
度の高い周波数調整が実現され得る。よって、弾性表面
波素子の良品率の向上に貢献できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施例の弾
性表面波装置の製造方法を説明するための各平面図。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施例の弾
性表面波装置の製造方法を説明するための各側面断面
図。
【図３】第１の実施例の製造方法により得られた弾性表
面波装置、変形例の製造方法により得られた弾性表面波
装置並びに比較のために用意した弾性表面波装置のダイ
シェア強度を示す図。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は、第２の実施例に係る弾性
表面波装置の回路構成を示す図及び模式的平面図。
【図５】（ａ）及び（ｂ）は、第２の実施例の弾性表面
波装置の製造方法において、絶縁膜の厚みを低減して周
波数調整を行う工程を説明するための各側面断面図。
【図６】第２の実施例の製造方法において周波数調整を
行った場合の周波数特性の変化を説明するための図。
【図７】本発明の変形例を説明するための斜視図。
【図８】従来の弾性表面波装置の一例を説明するための
斜視図。
【符号の説明】
１，２３…圧電基板 ２…ＩＤＴ ２ａ，２ｂ…バスバー ３，４…反射器 ５，６…電極パッド ７…短絡用配線 ８…フォトレジスト層 ９…配線電極 １１…バンプ １２…絶縁膜 ２５Ａ，２６Ａ…電極パッド ２６，２７，２８…配線電極 ２９…電極パッド ３０，３１…配線電極 ３２，３３，３４…短絡用配線 ３５…格子 ４１，４２，４３…プローブ ５１…回路基板 ５１ａ…電極パターン ５２…弾性表面波フィルタ素子 ５２ａ…入出力電極パッド ５３…保護膜 ５４…導電性接合剤 ６１…ウエハー ６２…導電性膜 ６３…治具
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平10−173468（ＪＰ，Ａ) 特開2000−295060（ＪＰ，Ａ) 特開2000−13165（ＪＰ，Ａ) 特開2000−91870（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−163797（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−163789（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−172341（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−371009（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 3/08 H03H 3/10 H03H 9/145 H03H 9/25

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 フリップチップ工法を用いた弾性表面波
    装置の製造方法であって、 圧電基板上に、弾性表面波装置を構成するための少なく
    とも１つのインターデジタルトランスデューサと、該イ
    ンターデジタルトランスデューサに電気的に接続された
    電極パッドを形成する工程と、 前記電極パッド上にバンプを形成する工程と、 前記バンプ形成工程後に、少なくともバンプが形成され
    ている部分以外の領域に絶縁膜を形成する工程を備え、 前記バンプ形成工程前に、少なくとも１つのインターデ
    ジタルトランスデューサの信号端子側とアース側とを短
    絡させる短絡用配線を形成する工程と、 前記バンプ形成工程後であって、前記絶縁膜の形成工程
    前に、前記短絡用配線を切断する工程とをさらに備え る
    ことを特徴とする、弾性表面波装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記絶縁膜を形成する工程が、圧電基板
    上の全面に絶縁膜を形成する工程と、次に、少なくとも
    バンプ上の絶縁膜を除去する工程とを備える、請求項１
    に記載の弾性表面波装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記バンプ上の絶縁膜を除去する工程後
    に、少なくとも電極パッド表面をエッチングする工程を
    備えることを特徴とする請求項１または２に記載の弾性
    表面波装置の製造方法。
  4. 【請求項４】 前記バンプ形成工程前に、前記圧電基板
    のインターデジタルトランスデューサが形成される面と
    は反対の面である裏面に導電膜を形成し、導電膜または
    導電性治具を用いて、前記圧電基板の表面の電極と、裏
    面の導電膜とを短絡させる工程をさらに備える、請求項
    １〜３に記載の弾性表面波装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 前記圧電基板の電極形成面に、全面に導
    電性の矩形状格子パターンを形成したことを特徴とす
    る、請求項４に記載の弾性表面波装置の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記バンプ材料と、それに対向してフェ
    ースダウンされるバンプ接合面の金属パッドの材料が、
    同一材料からなることを特徴とする、請求項１〜５に記
    載の弾性表面波装置の製造方法。
  7. 【請求項７】 前記絶縁膜を形成する工程は、絶縁膜の
    膜厚を調節することで周波数調整を行う工程であること
    を特徴とする、請求項１〜６に記載の弾性表面波装置の
    製造方法。
  8. 【請求項８】 前記絶縁膜を形成後、その厚みを減少さ
    せて周波数調整を行う工程をさらに備える請求項１〜６
    に記載の弾性表面波装置の製造方法。
  9. 【請求項９】 前記周波数調整工程の前に、弾性表面波
    装置の周波数特性を測定する工程をさらに備えることを
    特徴とする、請求項８に記載の弾性表面波装置の製造方
    法。
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