JP2011138905A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011138905A JP2011138905A JP2009297658A JP2009297658A JP2011138905A JP 2011138905 A JP2011138905 A JP 2011138905A JP 2009297658 A JP2009297658 A JP 2009297658A JP 2009297658 A JP2009297658 A JP 2009297658A JP 2011138905 A JP2011138905 A JP 2011138905A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- solid
- state imaging
- imaging device
- trench
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 125
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 95
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 50
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 107
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 67
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 50
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 50
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 50
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 46
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 20
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 49
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 32
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 32
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 description 29
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 28
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 description 23
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 21
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 12
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 11
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 10
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 7
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 6
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 5
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- VBCSQFQVDXIOJL-UHFFFAOYSA-N diethylazanide;hafnium(4+) Chemical compound [Hf+4].CC[N-]CC.CC[N-]CC.CC[N-]CC.CC[N-]CC VBCSQFQVDXIOJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1464—Back illuminated imager structures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【課題】微細化しても高い感度を得ることを可能にする。
【解決手段】第1導電型の半導体基板150上に設けられた複数の画素200であって、それぞれが半導体基板の第1面側から入射する光を信号電荷に変換し蓄積する第2導電型の半導体領域201aを有する複数の画素200と、半導体基板の第1面と反対の第2面側に設けられ、前記画素に蓄積された信号電荷を読み出すための読み出し回路と、半導体基板の、隣接する画素間に設けられた画素分離構造160であって、画素分離構造は半導体基板の前記第1面側から設けられたトレンチ内に埋め込まれた積層膜を有し、積層膜は、トレンチの側面および底面に沿って設けられた第1絶縁膜164と、第1絶縁膜を覆うようにトレンチ内に設けられ固定電荷を保持する固定電荷膜162とを含む画素分離構造160と、を備えている。
【選択図】図9
Description
前記半導体基板の、隣接する画素間に設けられた画素分離構造であって、前記画素分離構造は前記半導体基板の前記第1面側から設けられたトレンチ内に埋め込まれた積層膜を有し、前記積層膜は、前記トレンチの側面および底面に沿って設けられた第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜を覆うように前記トレンチ内に設けられ固定電荷を保持する固定電荷膜とを含む画素分離構造と、を備えていることを特徴とする。
本発明の第1実施形態による固体撮像装置を図1に示す。本実施形態の固体撮像装置100は、撮像領域101に、マトリクス状に配列された、光電変換画素200が設けられている。光電変換画素200は光電変換により入射光信号を電気信号に変換する。また、この撮像領域101の周囲には、負荷トランジスタ部102、CDS回路部103、V選択回路104、H選択回路105、AGC(自動ゲイン制御回路)106、ADC(A/D変換器)107、デジタルアンプ108、TG(タイミングジェネレータ)回路109等が配置されている。ADC107は、CDS回路103と一体構成され、カラム型のCDS−ADC回路構成とすることも可能である。あるいは、TG109、AGC106、ADC107、デジタルアンプ108等を別チップにしても構わない。
θc=arcsin(n2/n1) (1)
で定義される臨界角θcより浅い角度で入射した光が全反射するためである。したがって、光学的クロストークが大幅に抑制される。このとき、画素分離構造160が光入射側の開口径と比較して底面の開口径が小さい、いわゆるテーパー形状を有することで、上記の入射光が画素分離構造160に侵入する角度が浅くなり、光学的クロストーク抑制の範囲が拡大するので、より好ましい。
次に、第1実施形態の第1変形例による固体撮像装置を、図4を参照して説明する。第1変形例の固体撮像装置は、第1実施形態の固体撮像装置において、トレンチ型の画素分離構造160を図4に示すトレンチ型の画素分離構造160Aに置き換えて構成となっている。この第1変形例に係る画素分離構造160Aは、トレンチ内部に、シリコン酸化層164、窒化シリコン膜からなる電荷固定膜162、シリコン酸化層166、および多結晶シリコン膜168の積層膜を、この順序で形成した構成を有しており、第1実施形態と同様の効果を得ることが可能である。このとき、シリコン酸化層166は多結晶シリコン膜168に10V〜20V程度の電圧を印加することで、トンネル電流が流れる程度の膜厚、例えば2nm程度とする。窒化シリコン膜162は、その内部に固定電荷を保持可能となるような組成であり、例えば、Si9N10のようなシリコンリッチな組成であり、その膜厚は例えば10nm程度とする。そしてシリコン酸化層164として、シリコン基板150の内部での正孔蓄積層の形成のために、例えば2nm程度とする。
次に、本発明の第2実施形態による固体撮像装置を図5に示す。この第2実施形態の固体撮像装置は、第1実施形態と同様に、隣接する画素間にはトレンチ型の画素分離構造160が設けられるとともに、隣接する画素間の、フローティングディフュージョン203が設けられた側には、フローティングディフュージョン203と、画素分離構造160との間にp+画素分離領域220が設けられた構成となっている。なお、隣接する画素間のフローティングディフュージョン203が設けられた側と異なる側にはp+画素分離領域220は設けられていない。この第2実施形態においては、画素分離構造160は、図3で説明したように、半導体基板150に設けられたトレンチ内にシリコン酸化層164と、例えば、酸化ハフニウムを含む固定電荷膜162とが埋め込まれた構成を有している。また、図5においては、PD_n領域201a上には、暗電流がPD_n領域201aに流れ込むのを防止するためにp+領域210が設けられている。なお、画素上に設けられたカラーフィルタ237は、隣接する画素においては色が異なるように配置される。
次に、第2実施形態の第1変形例による固体撮像装置を図6に示す。この第1変形例の固体撮像素子は、図5に示す固体撮像装置において、隣接する画素間のフローティングディフュージョン203が設けられた側と異なる側には、画素分離構造160上にp+画素分離領域221を設けた構成となっている。すなわち、隣接する画素間には、画素分離構造160と、p+画素分離領域220または221とが設けられた構成となっている。この第1変形例のように、隣接する画素間における、シリコン基板150の表面側の画素分離構造として、全てp+画素分離領域220または221と、このp+画素分離領域220または221下に設けられる画素分離構造160と、備えた構造も可能である。
次に、第2実施形態の第2変形例による固体撮像装置を図7に示す。この第2変形例の固体撮像素子は、図5に示す固体撮像装置において、トレンチ型の画素分離構造160を、図4に示したトレンチ型の画素分離構造160Aに置き換えた構成となっている。
次に、第2実施形態の第3変形例による固体撮像装置を図8に示す。この第2変形例の固体撮像素子は、図6に示す第1変形例の固体撮像装置において、トレンチ型の画素分離構造160を、図4に示したトレンチ型の画素分離構造160Aに置き換えた構成となっている。
次に、本発明の第3実施形態による固体撮像装置を図9に示す。第1乃至第2実施形態およびその変形例の固体撮像装置は、入射光は表面側から入射される表面照射型であったが、この第3実施形態の固体撮像装置は、裏面照射型である。
次に、本発明の第4実施形態による固体撮像装置を図10に示す。この第4実施形態の固体撮像装置は、図9に示す第3実施形態の固体撮像装置において、トレンチ型の画素分離構造160を、トレンチ型の画素分離構造160Bに置き換えた構成となっている。
ここで言う低屈折率材料とは、半導体基板150よりも屈折率が低い材料を意味し、半導体基板が単結晶シリコンの場合、その屈折率は3.9であるので、屈折率が3.9未満の材料である。あるいは、第3実施形態において説明したように、光入射側の反射防止構造の効率を向上し、より高感度化する目的のためには、酸化ハフニウムの屈折率2.0より低い材料であることがより好ましい。また、以下に説明する、光学的クロストーク抑制効果向上のためには、酸化シリコンの屈折率1.4よりも低い屈折率を有する材料が、さらに好ましい。
次に、本発明の第5実施形態による固体撮像装置を図11に示す。この第5実施形態の固体撮像装置は、第3実施形態と同様に、隣接する画素間にはトレンチ型の画素分離構造160が設けられるとともに、隣接する画素間の、フローティングディフュージョン203が設けられた側には、フローティングディフュージョン203と、画素分離構造160との間にp+画素分離領域220が設けられている。また、隣接する画素間のフローティングディフュージョン203が設けられた側と異なる側にはp+画素分離領域221が設けられている。なお、この第5実施形態においては、画素分離構造160は、図3で説明したように、半導体基板150に設けられたトレンチ内にシリコン酸化層164と、例えば、酸化ハフニウムを含む固定電荷膜162とが埋め込まれた構成を有している。
次に、本発明の第6実施形態による固体撮像装置を図12に示す。この第6実施形態の固体撮像装置は、図11に示す第5実施形態の固体撮像装置において、画素分離構造160を図10に示した第4実施形態に用いた画素分離構造160Bに置き換えた構成となっている。
次に、本発明の第7実施形態による固体撮像装置を図13に示す。この第7実施形態の固体撮像装置は、図11に示す第5実施形態の固体撮像装置において、画素分離構造のトレンチに埋め込まれた固定電荷膜162およびシリコン酸化層164がPD_n領域201aの下面側にも延在するように構成されている。なお、本実施形態においては、図11に示す第5実施形態と異なり、暗電流がPD_n領域201aに流れ込むのを抑制するためのp+領域210aは設けられていない。これは、固定電荷膜162には一定の電位が印加されることにより、暗電流がPD_n領域201aに流れ込むのを抑制することが可能となるからである。
次に、本発明の第8実施形態による固体撮像装置を図14に示す。この第8実施形態の固体撮像装置は、図12に示す第6実施形態の固体撮像装置において、画素分離構造のトレンチに埋め込まれた固定電荷膜162およびシリコン酸化層164ならびに低屈折率膜169がPD_n領域201aの下面側にも延在するように構成されている。なお、本実施形態においては、図12に示す第6実施形態と異なり、暗電流がPD_n領域201aに流れ込むのを抑制するためのp+領域210aは設けられていない。これは、固定電荷膜162には一定の電位が印加されることにより、暗電流がPD_n領域201aに流れ込むのを抑制することが可能となるからである。
次に、本発明の第9実施形態による固体撮像装置を図15に示す。この第9実施形態の固体撮像装置は、図11に示す第5実施形態の固体撮像装置において、画素分離構造160を、図4に示す第1実施形態の第1変形例に用いた画素分離構造160Aに置き換えた構成となっている。
この第9実施形態も第5実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第1実施形態の第1変形例の場合と同様に、ゲートリークに起因した白傷の発生を大幅に低減することができる。
次に、本発明の第10実施形態による固体撮像装置を図16に示す。この第10実施形態の固体撮像装置は、図15に示す第9実施形態の固体撮像装置において、画素分離構造160Aを、トレンチ型の画素分離構造160Cに置き換えた構成となっている。この画素分離構造160Cは、画素分離構造160Aの多結晶シリコン膜168内に低屈折材料膜169を更に設けた構成となっている。すなわち、画素分離構造160Cは、トレンチ内に、シリコン酸化層164、固定電荷膜162、シリコン酸化層166、多結晶シリコン膜168、低屈折材料膜169からなる積層膜を埋め込んだ構成となっている。
この第10実施形態も第9実施形態と同様の効果を得ることができる。また、斜め入射光が隣接画素に侵入することに起因する光学的クロストーク抑制効果を高めることが可能となり、より高感度な固体撮像装置を得ることができる。
次に、本発明の第11実施形態による固体撮像装置を図17に示す。この第11実施形態の固体撮像装置は、図15に示す第9実施形態の固体撮像装置において、画素分離構造160Aのトレンチに埋め込まれたシリコン酸化層164、固定電荷膜162、シリコン酸化層166、および多結晶シリコン膜168がPD_n領域201aの下面側にも延在するように構成されている。なお、本実施形態においては、図15に示す第9実施形態と異なり、暗電流がPD_n領域201aに流れ込むのを抑制するためのp+領域210aは設けられていない。これは、固定電荷膜162には一定の電位が印加されることにより、暗電流がPD_n領域201aに流れ込むのを抑制することが可能となるからである。
次に、本発明の第12実施形態による固体撮像装置を図18に示す。この第12実施形態の固体撮像装置は、図16に示す第10実施形態の固体撮像装置において、画素分離構造160Cのトレンチに埋め込まれたシリコン酸化層164、固定電荷膜162、シリコン酸化層166、多結晶シリコン膜168、および低屈折材料膜169がPD_n領域201aの下面側にも延在するように構成されている。なお、本実施形態においては、図16に示す第10実施形態と異なり、暗電流がPD_n領域201aに流れ込むのを抑制するためのp+領域210aは設けられていない。これは、固定電荷膜162には一定の電位が印加されることにより、暗電流がPD_n領域201aに流れ込むのを抑制することが可能となるからである。
101 撮像領域
102 負荷トランジスタ
103 CDS回路
104 V選択回路
105 H選択回路
106 AGC回路
107 A/D変換器
108 デジタルアンプ
109 TG回路
150 シリコン基板
160 トレンチ型の画素分離構造
160A トレンチ型の画素分離構造
160B トレンチ型の画素分離構造
160C トレンチ型の画素分離構造
162 固定電荷膜
164 シリコン酸化層
166 シリコン酸化層
168 多結晶シリコン膜
169 低屈折率膜
200 画素
201 フォトダイオード
201a n型不純物領域(PD_n領域)
202 転送トランジスタ
203 フローティングディフュージョン(FD)
205 増幅トランジスタ
206 選択トランジスタ
230 層間絶縁膜
235 金属配線
237 カラーフィルタ
239 マイクロレンズ
Claims (10)
- 第1導電型の半導体基板上に設けられた複数の画素であって、それぞれが前記半導体基板の第1面側から入射する光を信号電荷に変換し蓄積する第2導電型の半導体領域を有する複数の画素と、
前記半導体基板の前記第1面と反対の第2面側に設けられ、前記画素に蓄積された信号電荷を読み出すための読み出し回路と、
前記半導体基板の、隣接する画素間に設けられた画素分離構造であって、前記画素分離構造は前記半導体基板の前記第1面側から設けられたトレンチ内に埋め込まれた積層膜を有し、前記積層膜は、前記トレンチの側面および底面に沿って設けられた第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜を覆うように前記トレンチ内に設けられ固定電荷を保持する固定電荷膜とを含む画素分離構造と、
を備えていることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記画素分離構造の底面に接するように前記半導体基板に設けられ、前記半導体基板よりも高濃度の第1導電型の不純物領域を更に備えていることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記画素分離構造の前記積層膜は、前記固定電荷膜を覆うように前記トレンチ内に設けられた第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜を覆うように前記トレンチ内に設けられ電圧が印加される多結晶シリコンの電極膜を更に備えていることを特徴とする請求項1または2記載の固体撮像装置。
- 前記画素分離構造の前記積層膜は、前記固定電荷膜を覆うように前記トレンチ内に設けられ前記半導体基板よりも屈折率の低い低屈折率膜を更に備えていることを特徴とする請求項1または2記載の固体撮像装置。
- 前記画素分離構造の前記積層膜は、前記画素の光入射面側に延在していることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 第1導電型の半導体基板上に設けられた複数の画素であって、それぞれが前記半導体基板の第1面側から入射する光を信号電荷に変換し蓄積する第2導電型の半導体領域を有する複数の画素と、
前記半導体基板の前記第1面側に設けられ、前記画素に蓄積された信号電荷を読み出すための読み出し回路と、
前記半導体基板の、隣接する画素間に設けられた画素分離構造であって、前記画素分離構造は前記半導体基板の前記第1面側から設けられたトレンチ内に埋め込まれた積層膜を有し、前記積層膜は、前記トレンチの側面および底面に沿って設けられた第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜を覆うように前記トレンチ内に設けられ固定電荷を保持する固定電荷膜とを含む画素分離構造と、
を備えていることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記画素分離構造の上面に接するように前記半導体基板に設けられ、前記半導体基板よりも高濃度の第1導電型の不純物領域を更に備えていることを特徴とする請求項6記載の固体撮像装置。
- 前記画素分離構造の前記積層膜は、前記固定電荷膜を覆うように前記トレンチ内に設けられた第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜を覆うように前記トレンチ内に設けられ電圧が印加される多結晶シリコンの電極膜を更に備えていることを特徴とする請求項6または7記載の固体撮像装置。
- 前記画素分離構造の前記積層膜は、前記固定電荷膜を覆うように前記トレンチ内に設けられ前記半導体基板よりも屈折率の低い低屈折率膜を更に備えていることを特徴とする請求項6または7記載の固体撮像装置。
- 前記半導体基板はシリコン基板であり、前記第1絶縁膜はシリコン酸化膜であり、前記固定電荷膜は、ハフニウム(Hf)ジルコニウム(Zr)、及びチタン(Ti)のうちの少なくとも1つを含む酸化物誘電体膜であることを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載の固体撮像装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009297658A JP5172819B2 (ja) | 2009-12-28 | 2009-12-28 | 固体撮像装置 |
US12/875,546 US8445950B2 (en) | 2009-12-28 | 2010-09-03 | Solid-state imaging device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009297658A JP5172819B2 (ja) | 2009-12-28 | 2009-12-28 | 固体撮像装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012062591A Division JP5535261B2 (ja) | 2012-03-19 | 2012-03-19 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011138905A true JP2011138905A (ja) | 2011-07-14 |
JP5172819B2 JP5172819B2 (ja) | 2013-03-27 |
Family
ID=44186414
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009297658A Expired - Fee Related JP5172819B2 (ja) | 2009-12-28 | 2009-12-28 | 固体撮像装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8445950B2 (ja) |
JP (1) | JP5172819B2 (ja) |
Cited By (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6444098A (en) * | 1987-08-12 | 1989-02-16 | Fujikura Ltd | Superconducting electromagnetic shielding material |
WO2012117931A1 (ja) * | 2011-03-02 | 2012-09-07 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器 |
WO2013080769A1 (ja) * | 2011-12-01 | 2013-06-06 | シャープ株式会社 | 固体撮像素子 |
KR20130097836A (ko) * | 2012-02-27 | 2013-09-04 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서의 단위 픽셀 및 이를 포함하는 이미지 센서 |
WO2013150839A1 (ja) * | 2012-04-05 | 2013-10-10 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及び、電子機器 |
JP2014033107A (ja) * | 2012-08-03 | 2014-02-20 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器 |
WO2014181665A1 (ja) * | 2013-05-09 | 2014-11-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体エネルギー線検出素子及び半導体エネルギー線検出素子の製造方法 |
JP2015029047A (ja) * | 2013-07-05 | 2015-02-12 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
WO2015029705A1 (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体エネルギー線検出素子 |
JP2015162679A (ja) * | 2014-02-27 | 2015-09-07 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 負の電荷物質を含むトレンチを有するイメージセンサー及びその製造方法 |
JP2015228510A (ja) * | 2015-07-31 | 2015-12-17 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器 |
KR20160000044A (ko) * | 2014-06-23 | 2016-01-04 | 삼성전자주식회사 | 자동 초점 이미지 센서 및 이를 포함하는 디지털 영상 처리 장치 |
KR20160045054A (ko) * | 2013-08-19 | 2016-04-26 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 소자 및 전자 기기 |
JP2017055127A (ja) * | 2016-10-28 | 2017-03-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、および電子機器 |
KR20170108779A (ko) * | 2016-03-17 | 2017-09-27 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 이미지 센서 디바이스 및 그 제조 방법 |
US9893106B2 (en) | 2013-05-24 | 2018-02-13 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and electronic apparatus |
JP2018129525A (ja) * | 2018-03-28 | 2018-08-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、および電子機器 |
CN108717940A (zh) * | 2013-09-27 | 2018-10-30 | 索尼公司 | 摄像装置和电子设备 |
WO2019093150A1 (ja) * | 2017-11-09 | 2019-05-16 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子、電子機器 |
JP2019091936A (ja) * | 2019-02-27 | 2019-06-13 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置の製造方法 |
JP2019134186A (ja) * | 2018-03-28 | 2019-08-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
WO2019239754A1 (ja) * | 2018-06-15 | 2019-12-19 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法ならびに電子機器 |
JP2020123717A (ja) * | 2019-01-30 | 2020-08-13 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置 |
WO2020209107A1 (ja) * | 2019-04-12 | 2020-10-15 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2021166304A (ja) * | 2016-04-25 | 2021-10-14 | ソニーグループ株式会社 | 固体撮像素子 |
JP2022075774A (ja) * | 2013-07-03 | 2022-05-18 | ソニーグループ株式会社 | 光検出装置およびその製造方法 |
WO2022158236A1 (ja) * | 2021-01-21 | 2022-07-28 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光検出装置及び電子機器 |
JP2022113711A (ja) * | 2017-02-17 | 2022-08-04 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子および電子機器 |
JP2022168045A (ja) * | 2016-11-02 | 2022-11-04 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子、撮像装置、並びに電子機器 |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7057256B2 (en) | 2001-05-25 | 2006-06-06 | President & Fellows Of Harvard College | Silicon-based visible and near-infrared optoelectric devices |
US7442629B2 (en) | 2004-09-24 | 2008-10-28 | President & Fellows Of Harvard College | Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate |
US8692198B2 (en) | 2010-04-21 | 2014-04-08 | Sionyx, Inc. | Photosensitive imaging devices and associated methods |
CN103081128B (zh) | 2010-06-18 | 2016-11-02 | 西奥尼克斯公司 | 高速光敏设备及相关方法 |
JP5708025B2 (ja) | 2011-02-24 | 2015-04-30 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
JP5810551B2 (ja) * | 2011-02-25 | 2015-11-11 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
US9496308B2 (en) | 2011-06-09 | 2016-11-15 | Sionyx, Llc | Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods |
CN103946867A (zh) | 2011-07-13 | 2014-07-23 | 西奥尼克斯公司 | 生物计量成像装置和相关方法 |
JP5794068B2 (ja) * | 2011-09-16 | 2015-10-14 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器 |
FR2980304A1 (fr) * | 2011-09-20 | 2013-03-22 | St Microelectronics Crolles 2 | Procede de fabrication d'un capteur d'image eclaire par la face arriere avec couche antireflet |
US9064764B2 (en) | 2012-03-22 | 2015-06-23 | Sionyx, Inc. | Pixel isolation elements, devices, and associated methods |
JP2015012043A (ja) * | 2013-06-26 | 2015-01-19 | 株式会社東芝 | 撮像装置およびその製造方法 |
JP2015012127A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-01-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
WO2014209421A1 (en) | 2013-06-29 | 2014-12-31 | Sionyx, Inc. | Shallow trench textured regions and associated methods |
JP6303803B2 (ja) | 2013-07-03 | 2018-04-04 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2015032640A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 |
US9136298B2 (en) * | 2013-09-03 | 2015-09-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Mechanisms for forming image-sensor device with deep-trench isolation structure |
JP2015153772A (ja) * | 2014-02-10 | 2015-08-24 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
US10276620B2 (en) | 2014-02-27 | 2019-04-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Image sensor device and method for forming the same |
US9627426B2 (en) * | 2014-02-27 | 2017-04-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Image sensor device and method for forming the same |
FR3019378A1 (fr) * | 2014-03-25 | 2015-10-02 | St Microelectronics Crolles 2 | Structure d'isolement entre des photodiodes |
KR102212138B1 (ko) * | 2014-08-19 | 2021-02-04 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서의 단위 픽셀과 이를 포함하는 픽셀 어레이 |
US9584744B2 (en) * | 2015-06-23 | 2017-02-28 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensors with voltage-biased trench isolation structures |
KR102437162B1 (ko) * | 2015-10-12 | 2022-08-29 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
US9954022B2 (en) * | 2015-10-27 | 2018-04-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Extra doped region for back-side deep trench isolation |
US9620548B1 (en) * | 2015-10-30 | 2017-04-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Image sensor with wide contact |
KR20170070685A (ko) * | 2015-12-14 | 2017-06-22 | 삼성전자주식회사 | 하이브리드 컬러필터를 포함한 이미지 센서 |
KR20170087580A (ko) * | 2016-01-20 | 2017-07-31 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이를 제조하는 방법 |
KR20180079518A (ko) | 2016-12-30 | 2018-07-11 | 삼성전자주식회사 | 씨모스 이미지 센서 |
KR102604687B1 (ko) | 2017-02-01 | 2023-11-20 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
CN108428709A (zh) * | 2018-04-10 | 2018-08-21 | 德淮半导体有限公司 | 图像传感器及其制造和控制方法 |
CN108428712A (zh) * | 2018-05-14 | 2018-08-21 | 德淮半导体有限公司 | 图像传感器及其制造方法 |
CN109326621B (zh) * | 2018-10-17 | 2021-02-09 | 德淮半导体有限公司 | 形成图像传感器的方法及图像传感器 |
CN109509764A (zh) * | 2018-12-12 | 2019-03-22 | 上海华力集成电路制造有限公司 | Cmos图像传感器及其制造方法 |
JP2020113573A (ja) * | 2019-01-08 | 2020-07-27 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
US11843019B2 (en) * | 2019-11-20 | 2023-12-12 | Omni Vision Technologies, Inc. | Pixel, associated image sensor, and method |
US11848339B2 (en) * | 2021-03-19 | 2023-12-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Semiconductor structure including isolation structure and method for forming isolation structure |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05283516A (ja) * | 1992-04-02 | 1993-10-29 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH05283520A (ja) * | 1992-03-31 | 1993-10-29 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH07254652A (ja) * | 1994-03-16 | 1995-10-03 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
JP2008306160A (ja) * | 2007-05-07 | 2008-12-18 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法および撮像装置 |
JP2009522814A (ja) * | 2006-01-09 | 2009-06-11 | マイクロン テクノロジー, インク. | 表面空乏が改良されたイメージセンサ |
JP2009206356A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Toshiba Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5105695B2 (ja) * | 2001-11-05 | 2012-12-26 | カミヤチョウ アイピー ホールディングス | 固体イメージセンサおよびその製造方法 |
US6888214B2 (en) * | 2002-11-12 | 2005-05-03 | Micron Technology, Inc. | Isolation techniques for reducing dark current in CMOS image sensors |
US7492027B2 (en) * | 2004-02-20 | 2009-02-17 | Micron Technology, Inc. | Reduced crosstalk sensor and method of formation |
JP4525144B2 (ja) * | 2004-04-02 | 2010-08-18 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP4774714B2 (ja) | 2004-10-20 | 2011-09-14 | ソニー株式会社 | 撮像装置及び撮像装置の駆動制御方法 |
US8049256B2 (en) * | 2006-10-05 | 2011-11-01 | Omnivision Technologies, Inc. | Active pixel sensor having a sensor wafer connected to a support circuit wafer |
ITRM20070280A1 (it) * | 2007-05-22 | 2008-11-23 | Micron Technology Inc | Photon guiding structure and method of forming the same. |
TWI445166B (zh) * | 2008-11-07 | 2014-07-11 | Sony Corp | 固態成像裝置,製造固態成像裝置之方法、及電子設備 |
JP2010225818A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Toshiba Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
US8101450B1 (en) * | 2010-12-13 | 2012-01-24 | Omnivision Technologies, Inc. | Photodetector isolation in image sensors |
FR2969384A1 (fr) * | 2010-12-21 | 2012-06-22 | St Microelectronics Sa | Capteur d'image a intermodulation reduite |
-
2009
- 2009-12-28 JP JP2009297658A patent/JP5172819B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-09-03 US US12/875,546 patent/US8445950B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05283520A (ja) * | 1992-03-31 | 1993-10-29 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH05283516A (ja) * | 1992-04-02 | 1993-10-29 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH07254652A (ja) * | 1994-03-16 | 1995-10-03 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
JP2009522814A (ja) * | 2006-01-09 | 2009-06-11 | マイクロン テクノロジー, インク. | 表面空乏が改良されたイメージセンサ |
JP2008306160A (ja) * | 2007-05-07 | 2008-12-18 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法および撮像装置 |
JP2009206356A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Toshiba Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Cited By (69)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6444098A (en) * | 1987-08-12 | 1989-02-16 | Fujikura Ltd | Superconducting electromagnetic shielding material |
WO2012117931A1 (ja) * | 2011-03-02 | 2012-09-07 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器 |
JP2013175494A (ja) * | 2011-03-02 | 2013-09-05 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器 |
US9673235B2 (en) | 2011-03-02 | 2017-06-06 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, and electronic device |
US9923010B2 (en) | 2011-03-02 | 2018-03-20 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, and electronic device |
US9502450B2 (en) | 2011-03-02 | 2016-11-22 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, and electronic device |
US10128291B2 (en) | 2011-03-02 | 2018-11-13 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, and electronic device |
JP2022046719A (ja) * | 2011-03-02 | 2022-03-23 | ソニーグループ株式会社 | 固体撮像装置、及び、電子機器 |
JPWO2013080769A1 (ja) * | 2011-12-01 | 2015-04-27 | シャープ株式会社 | 固体撮像素子 |
WO2013080769A1 (ja) * | 2011-12-01 | 2013-06-06 | シャープ株式会社 | 固体撮像素子 |
KR20130097836A (ko) * | 2012-02-27 | 2013-09-04 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서의 단위 픽셀 및 이를 포함하는 이미지 센서 |
KR101931658B1 (ko) * | 2012-02-27 | 2018-12-21 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서의 단위 픽셀 및 이를 포함하는 이미지 센서 |
WO2013150839A1 (ja) * | 2012-04-05 | 2013-10-10 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及び、電子機器 |
JP2014033107A (ja) * | 2012-08-03 | 2014-02-20 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器 |
JP2014220403A (ja) * | 2013-05-09 | 2014-11-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体エネルギー線検出素子及び半導体エネルギー線検出素子の製造方法 |
WO2014181665A1 (ja) * | 2013-05-09 | 2014-11-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体エネルギー線検出素子及び半導体エネルギー線検出素子の製造方法 |
US10319769B2 (en) | 2013-05-24 | 2019-06-11 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and electronic apparatus |
US11894406B2 (en) | 2013-05-24 | 2024-02-06 | Sony Group Corporation | Solid-state imaging device and electronic apparatus |
US10615207B2 (en) | 2013-05-24 | 2020-04-07 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and electronic apparatus |
US11569286B2 (en) | 2013-05-24 | 2023-01-31 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and electronic apparatus |
US9893106B2 (en) | 2013-05-24 | 2018-02-13 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and electronic apparatus |
JP2022075774A (ja) * | 2013-07-03 | 2022-05-18 | ソニーグループ株式会社 | 光検出装置およびその製造方法 |
JP7290185B2 (ja) | 2013-07-03 | 2023-06-13 | ソニーグループ株式会社 | 光検出装置およびその製造方法 |
US9871148B2 (en) | 2013-07-05 | 2018-01-16 | Sony Corporation | Solid state imaging apparatus, production method thereof and electronic device |
US9520430B2 (en) | 2013-07-05 | 2016-12-13 | Sony Corporation | Solid state imaging apparatus, production method thereof and electronic device |
JP2015029047A (ja) * | 2013-07-05 | 2015-02-12 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
US11532762B2 (en) | 2013-07-05 | 2022-12-20 | Sony Corporation | Solid state imaging apparatus, production method thereof and electronic device |
KR20230003400A (ko) * | 2013-08-19 | 2023-01-05 | 소니그룹주식회사 | 고체 촬상 소자 및 전자 기기 |
KR20160045054A (ko) * | 2013-08-19 | 2016-04-26 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 소자 및 전자 기기 |
KR102482051B1 (ko) * | 2013-08-19 | 2022-12-28 | 소니그룹주식회사 | 고체 촬상 소자 및 전자 기기 |
US11094730B2 (en) | 2013-08-19 | 2021-08-17 | Sony Corporation | Solid-state imaging device having through electrode provided therein and electronic apparatus incorporating the solid-state imaging device |
KR20220005597A (ko) * | 2013-08-19 | 2022-01-13 | 소니그룹주식회사 | 고체 촬상 소자 및 전자 기기 |
US11862655B2 (en) | 2013-08-19 | 2024-01-02 | Sony Group Corporation | Solid-state imaging device having through electrode provided therein and electronic apparatus incorporating the solid-state imaging device |
KR102349538B1 (ko) * | 2013-08-19 | 2022-01-12 | 소니그룹주식회사 | 고체 촬상 소자 및 전자 기기 |
KR102576328B1 (ko) | 2013-08-19 | 2023-09-08 | 소니그룹주식회사 | 고체 촬상 소자 및 전자 기기 |
WO2015029705A1 (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体エネルギー線検出素子 |
JP2015050223A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体エネルギー線検出素子 |
CN108735767A (zh) * | 2013-09-27 | 2018-11-02 | 索尼公司 | 摄像装置和电子设备 |
US11862652B2 (en) | 2013-09-27 | 2024-01-02 | Sony Group Corporation | Image pickup element, method of manufacturing image pickup element, and electronic apparatus |
US11557623B2 (en) | 2013-09-27 | 2023-01-17 | Sony Corporation | Image pickup element, method of manufacturing image pickup element, and electronic apparatus |
CN108717940A (zh) * | 2013-09-27 | 2018-10-30 | 索尼公司 | 摄像装置和电子设备 |
CN108717940B (zh) * | 2013-09-27 | 2022-12-16 | 索尼公司 | 摄像装置和电子设备 |
JP2015162679A (ja) * | 2014-02-27 | 2015-09-07 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 負の電荷物質を含むトレンチを有するイメージセンサー及びその製造方法 |
KR20160000044A (ko) * | 2014-06-23 | 2016-01-04 | 삼성전자주식회사 | 자동 초점 이미지 센서 및 이를 포함하는 디지털 영상 처리 장치 |
KR102268712B1 (ko) * | 2014-06-23 | 2021-06-28 | 삼성전자주식회사 | 자동 초점 이미지 센서 및 이를 포함하는 디지털 영상 처리 장치 |
US10979621B2 (en) | 2014-06-23 | 2021-04-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Auto-focus image sensor and digital image processing device including the same |
US11375100B2 (en) | 2014-06-23 | 2022-06-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Auto-focus image sensor and digital image processing device including the same |
JP2015228510A (ja) * | 2015-07-31 | 2015-12-17 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器 |
US11101307B2 (en) | 2016-03-17 | 2021-08-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Image sensor having stacked conformal films |
KR102045352B1 (ko) * | 2016-03-17 | 2019-12-03 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 이미지 센서 디바이스 및 그 제조 방법 |
US10163949B2 (en) | 2016-03-17 | 2018-12-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Image device having multi-layered refractive layer on back surface |
KR20170108779A (ko) * | 2016-03-17 | 2017-09-27 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 이미지 센서 디바이스 및 그 제조 방법 |
JP2021166304A (ja) * | 2016-04-25 | 2021-10-14 | ソニーグループ株式会社 | 固体撮像素子 |
US11948958B2 (en) | 2016-04-25 | 2024-04-02 | Sony Group Corporation | Solid-state imaging element, method for manufacturing the same, and electronic apparatus |
JP2017055127A (ja) * | 2016-10-28 | 2017-03-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、および電子機器 |
JP2022168045A (ja) * | 2016-11-02 | 2022-11-04 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子、撮像装置、並びに電子機器 |
JP2022113711A (ja) * | 2017-02-17 | 2022-08-04 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子および電子機器 |
JP7395650B2 (ja) | 2017-02-17 | 2023-12-11 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子および電子機器 |
US11869911B2 (en) | 2017-02-17 | 2024-01-09 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging element and electronic apparatus |
JPWO2019093150A1 (ja) * | 2017-11-09 | 2020-11-26 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子、電子機器 |
US11798968B2 (en) | 2017-11-09 | 2023-10-24 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Image pickup device and electronic apparatus |
WO2019093150A1 (ja) * | 2017-11-09 | 2019-05-16 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子、電子機器 |
JP2019134186A (ja) * | 2018-03-28 | 2019-08-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2018129525A (ja) * | 2018-03-28 | 2018-08-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、および電子機器 |
WO2019239754A1 (ja) * | 2018-06-15 | 2019-12-19 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法ならびに電子機器 |
JP2020123717A (ja) * | 2019-01-30 | 2020-08-13 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2019091936A (ja) * | 2019-02-27 | 2019-06-13 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置の製造方法 |
WO2020209107A1 (ja) * | 2019-04-12 | 2020-10-15 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置 |
WO2022158236A1 (ja) * | 2021-01-21 | 2022-07-28 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光検出装置及び電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5172819B2 (ja) | 2013-03-27 |
US20110156186A1 (en) | 2011-06-30 |
US8445950B2 (en) | 2013-05-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5172819B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
US11735620B2 (en) | Solid-state imaging device having optical black region, method of manufacturing the same, and electronic apparatus | |
US8835981B2 (en) | Solid-state image sensor | |
JP5725239B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法、及び、カメラ | |
KR102065291B1 (ko) | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 제조 방법 및 전자 기기 | |
KR101708059B1 (ko) | 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 전자 기기 | |
WO2015025723A1 (ja) | 固体撮像素子および電子機器 | |
JP2007258684A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法、並びにカメラ | |
JP2012169530A (ja) | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 | |
KR102225297B1 (ko) | 촬상 소자 및 촬상 장치 | |
US20130314576A1 (en) | Solid-state image sensor | |
JP2011054741A (ja) | 裏面照射型固体撮像装置 | |
JP5535261B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2012099743A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP2018207049A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110916 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120120 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120319 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120925 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121116 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121204 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121226 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160111 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |