JP7395650B2 - 撮像素子および電子機器 - Google Patents
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- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 122
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 83
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 82
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 55
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 45
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 39
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 38
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 24
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 24
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 23
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N [Ga].[As].[In] Chemical compound [Ga].[As].[In] KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000003796 beauty Effects 0.000 description 1
- 210000004204 blood vessel Anatomy 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 210000004761 scalp Anatomy 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14629—Reflectors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
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- H—ELECTRICITY
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1464—Back illuminated imager structures
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- H—ELECTRICITY
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- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/10—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from different wavelengths
- H04N23/12—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from different wavelengths with one sensor only
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Signal Processing (AREA)
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Description
図1を参照して、本技術を適用した撮像素子の第1の実施の形態について説明する。
図9は、撮像素子の第2の実施の形態の構成例を示す図である。
図11は、撮像素子の第3の実施の形態の構成例を示す図である。
図13は、撮像素子の第4の実施の形態の構成例を示す図である。
図15および図16は、撮像素子の第5および第6の実施の形態の構成例を示す図である。
なお、上述したような撮像素子11は、例えば、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラなどの撮像システム、撮像機能を備えた携帯電話機、または、撮像機能を備えた他の機器といった各種の電子機器に適用することができる。
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
(1)
画素ごとに半導体基板に設けられ、所定の波長域の光を透過するフィルタ層を介して入射する光を光電変換する光電変換部と、
前記半導体基板において、隣接する前記画素どうしの前記光電変換部の間を分離する素子分離部と、
前記半導体基板および前記フィルタ層の間に設けられる層における前記画素どうしの間に、前記半導体基板の受光面から所定の間隔を隔てて配置される画素間遮光部と
を備え、
前記半導体基板の受光面と前記画素間遮光部の先端面との間隔が、前記画素間遮光部の先端面の幅よりも狭く設定される
撮像素子。
(2)
前記素子分離部の幅が、前記画素間遮光部の先端面の幅よりも狭く設定される
上記(1)に記載の撮像素子。
(3)
前記素子分離部は、前記半導体基板を貫通して設けられる
上記(1)または(2)に記載の撮像素子。
(4)
前記半導体基板の受光面に対して反対側の面に積層される配線層における前記素子分離部の先端側となる箇所であって、前記配線層に形成される配線よりも前記素子分離部に対して近傍となる箇所に、光を反射する反射部材が配置される
上記(1)から(3)までのいずれかに記載の撮像素子。
(5)
前記反射部材は、前記半導体基板に形成されるトレンチ内に設けられる前記素子分離部と接するように配置される
上記(4)に記載の撮像素子。
(6)
前記反射部材は、その一部分が、前記素子分離部を形成するために前記半導体基板に形成されたトレンチの内部に埋め込まれた形状とされる
上記(4)に記載の撮像素子。
(7)
前記反射部材の前記トレンチの内部に埋め込まれた一部分は、前記画素が備えるトランジスタのSTI(Shallow Trench Isolation)よりも深く形成される
上記(6)に記載の撮像素子。
(8)
前記半導体基板の受光面に対して反対側の面に積層される配線層における前記素子分離部の先端に対して側方となる箇所であって、前記配線層に形成される配線よりも前記素子分離部に対して近傍となる箇所に、光を反射する反射部材が配置される
上記(1)から(3)までのいずれかに記載の撮像素子。
(9)
前記画素は、前記撮像素子の像面における位相差を検出するための位相差遮光膜を有した像面位相差画素であり、その像面位相差画素の前記光電変換部を囲うように受光面側から埋め込まれた埋め込み遮光膜が設けられる
上記(1)から(8)までのいずれかに記載の撮像素子。
(10)
画素ごとに半導体基板に設けられ、所定の波長域の光を透過するフィルタ層を介して入射する光を光電変換する光電変換部と、
前記半導体基板において、隣接する前記画素どうしの前記光電変換部の間を分離する素子分離部と、
前記半導体基板および前記フィルタ層の間に設けられる層における前記画素どうしの間に、前記半導体基板の受光面から所定の間隔を隔てて配置される画素間遮光部と
を有し、
前記半導体基板の受光面と前記画素間遮光部の先端面との間隔が、前記画素間遮光部の先端面の幅よりも狭く設定される
撮像素子を備える電子機器。
Claims (8)
- 光入射面となる第1面と、前記第1面とは反対側となる第2面とを有する半導体基板に設けられ、前記半導体基板において、隣接する画素間に設けられた第1素子分離部と、
断面視で前記第1素子分離部と隣接する第2素子分離部と、
断面視で前記第1素子分離部と前記第2素子分離部との上方に設けられた金属膜と
を備え、
前記第1素子分離部および前記第2素子分離部のトレンチにはポリシリコンが設けられ、
前記断面視で前記金属膜は、前記第1素子分離部上の第1部分と、前記第2素子分離部上の第2部分とを有し、
前記断面視で前記第1部分は前記第1素子分離部の前記トレンチ内の所定の深さで前記ポリシリコンと接し、前記第2部分は前記第2素子分離部とは接しない
撮像素子。 - 前記金属膜は遮光膜である
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記金属膜はバリアメタルを含む
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記断面視で前記半導体基板の前記第1面と前記金属膜の先端面との間隔が、前記金属膜の先端面の幅よりも狭く設定される
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記第1素子分離部及び前記第2素子分離部は、前記半導体基板を貫通する
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記断面視で前記第1素子分離部の幅が、前記金属膜の先端面の幅よりも狭く設定される
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記画素は前記撮像素子の像面における位相差を検出するための位相差遮光膜を有した像面位相差画素である
請求項1に記載の撮像素子。 - 光入射面となる第1面と、前記第1面とは反対側となる第2面とを有する半導体基板に設けられ、前記半導体基板において、隣接する画素間に設けられた第1素子分離部と、
断面視で前記第1素子分離部と隣接する第2素子分離部と、
断面視で前記第1素子分離部と前記第2素子分離部との上方に設けられた金属膜と
を備え、
前記第1素子分離部および前記第2素子分離部のトレンチにはポリシリコンが設けられ、
前記断面視で前記金属膜は、前記第1素子分離部上の第1部分と、前記第2素子分離部上の第2部分とを有し、
前記断面視で前記第1部分は前記第1素子分離部の前記トレンチ内の所定の深さで前記ポリシリコンと接し、前記第2部分は前記第2素子分離部とは接しない
撮像素子を備える電子機器。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017027533 | 2017-02-17 | ||
JP2017027533 | 2017-02-17 | ||
PCT/JP2018/003505 WO2018150902A1 (ja) | 2017-02-17 | 2018-02-02 | 撮像素子および電子機器 |
JP2018568106A JP7079739B2 (ja) | 2017-02-17 | 2018-02-02 | 撮像素子および電子機器 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018568106A Division JP7079739B2 (ja) | 2017-02-17 | 2018-02-02 | 撮像素子および電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022113711A JP2022113711A (ja) | 2022-08-04 |
JP7395650B2 true JP7395650B2 (ja) | 2023-12-11 |
Family
ID=63170654
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018568106A Active JP7079739B2 (ja) | 2017-02-17 | 2018-02-02 | 撮像素子および電子機器 |
JP2022083621A Active JP7395650B2 (ja) | 2017-02-17 | 2022-05-23 | 撮像素子および電子機器 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018568106A Active JP7079739B2 (ja) | 2017-02-17 | 2018-02-02 | 撮像素子および電子機器 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US11411030B2 (ja) |
JP (2) | JP7079739B2 (ja) |
WO (1) | WO2018150902A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7079739B2 (ja) | 2017-02-17 | 2022-06-02 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子および電子機器 |
JP6779929B2 (ja) * | 2018-02-09 | 2020-11-04 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置および機器 |
JP7376057B2 (ja) * | 2018-10-02 | 2023-11-08 | i-PRO株式会社 | 内視鏡 |
JP7175159B2 (ja) * | 2018-11-05 | 2022-11-18 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子および製造方法、並びに電子機器 |
US20220068991A1 (en) * | 2018-12-27 | 2022-03-03 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging element and manufacturing method of imaging element |
TW202044566A (zh) | 2019-05-10 | 2020-12-01 | 日商索尼半導體解決方案公司 | 攝像元件及電子機器 |
JP7465120B2 (ja) * | 2020-03-10 | 2024-04-10 | キヤノン株式会社 | 半導体装置、その製造方法及び機器 |
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- 2018-02-02 JP JP2018568106A patent/JP7079739B2/ja active Active
- 2018-02-02 WO PCT/JP2018/003505 patent/WO2018150902A1/ja active Application Filing
- 2018-02-02 US US16/484,985 patent/US11411030B2/en active Active
-
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- 2022-02-28 US US17/682,157 patent/US11869911B2/en active Active
- 2022-05-23 JP JP2022083621A patent/JP7395650B2/ja active Active
-
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- 2023-12-05 US US18/529,579 patent/US20240105742A1/en active Pending
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JP2016096234A (ja) | 2014-11-14 | 2016-05-26 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
WO2018150902A1 (ja) | 2018-08-23 |
JPWO2018150902A1 (ja) | 2020-01-16 |
JP7079739B2 (ja) | 2022-06-02 |
US20200027913A1 (en) | 2020-01-23 |
US11869911B2 (en) | 2024-01-09 |
US20220190021A1 (en) | 2022-06-16 |
US20240105742A1 (en) | 2024-03-28 |
US11411030B2 (en) | 2022-08-09 |
JP2022113711A (ja) | 2022-08-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A977 | Report on retrieval |
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