JP2010220231A - 高周波スイッチモジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 電極パターンを有する複数の誘電体層からなる積層体を多層基板とする高周波スイッチモジュールであって、複数のスイッチング素子を有し、送受信系の送信回路と受信回路とを切り替える高周波スイッチ回路と、高周波スイッチ回路と送信回路との間に配置される送信フィルタ回路と、高周波スイッチ回路と受信回路との間に配置される受信フィルタ回路と、受信フィルタ回路と接続される平衡−不平衡変換回路とを備え、平衡−不平衡変換回路及び送信フィルタ回路は、積層体内に電極パターンにより形成されている高周波スイッチモジュール。
【選択図】 図22
Description
図1は本発明の高周波スイッチモジュールの回路の一例を示し、図2はその等価回路の一例を示す。この高周波スイッチモジュールは、高周波スイッチSWとSAWフィルタf2との間に位相補正回路LD4を有し、これらの部品は複合化されている。
図9(d) 〜図14(d) は、上記高周波スイッチモジュールにおけるアンテナから受信回路への挿入損失特性を示す。高周波スイッチとSAWフィルタ間に位相補正回路を設けても、アンテナから受信回路への挿入損失特性は劣化しないことが分かった。
図16に示す回路を有し、単一の多元接続方式で2つの異なる通信方式を扱う高周波スイッチモジュールを、第1の送受信系をEGSM900(送信周波数880〜915 MHz、受信周波数925〜960 MHz)、第2の送受信系をGSM1800(送信周波数1710〜1785 MHz、受信周波数1805〜1880 MHz)として、以下詳細に説明する。
本実施態様では、伝送線路LF3により、アンテナから来る静電気(Electrostatic discharge)をグランドへ逃がすことができ、ダイオードやSAWフィルタの静電破壊を防止している。
前記のように、回路素子を少なく構成しようとすれば、平衡−不平衡変換回路としてSAWフィルタを用いるのが好ましいが、フィルタとして必要な比帯域幅や挿入損失等の電気的特性や、平衡−不平衡変換回路として必要な位相平衡度及び振幅平衡度を確保しながら、所望の入出力インピーダンスを得るように構成することが容易でない場合がある。このような場合、平衡−不平衡変換回路として平衡−不平衡変換トランスを用い、これを高周波スイッチモジュールに複合化するのが好ましい。
本実施態様の高周波スイッチモジュールの回路を図25に示す。この高周波スイッチモジュールは、単一の多元接続方式で3つの異なる通信方式を扱うもので、第1の送受信系(例えばEGSM900 送信周波数880〜915 MHz、受信周波数925〜960 MHz)の送信回路と受信回路を切り替える第1の高周波スイッチSW1と、第2及び第3の送受信系の送信回路と、第2の送受信系(GSM1800 送信周波数1710〜1785 MHz、受信周波数1805〜1880MHz)の受信回路と、第3の送受信系(PCS 送信周波数1850〜1910 MHz、受信周波数1930〜1990 MHz)の受信回路とを切り替える第2の高周波スイッチSW2を具備する。第2の送受信系の送信回路と第3の送受信系の送信回路は共通化されており、高周波スイッチSW2とSAWフィルタf2との間に位相補正回路LD4が配置されている。SAWフィルタf2は不平衡入力−平衡出力型であり、その平衡出力端にインダクタが配置されている。なお高周波スイッチSW1,SW2は、本発明者等が先に提案したもの(WO 00/55983)と同じで良いので、説明を省略する。
Claims (5)
- 電極パターンを有する複数の誘電体層からなる積層体を多層基板とする高周波スイッチモジュールであって、
複数のスイッチング素子を有し、送受信系の送信回路と受信回路とを切り替える高周波スイッチ回路と、前記高周波スイッチ回路と前記送信回路との間に配置される送信フィルタ回路と、前記高周波スイッチ回路と前記受信回路との間に配置される受信フィルタ回路と、前記受信フィルタ回路と接続される平衡−不平衡変換回路とを備え、
前記平衡−不平衡変換回路及び前記送信フィルタ回路は、前記積層体内に前記電極パターンにより形成されていることを特徴とする高周波スイッチモジュール。 - 請求項1に記載の高周波スイッチモジュールにおいて、
前記送信フィルタ回路を構成するライン電極と前記平衡−不平衡変換回路を構成するライン電極とが横並びに形成されていることを特徴とする高周波スイッチモジュール。 - 請求項2に記載の高周波スイッチモジュールにおいて、
前記受信フィルタ回路は前記積層体上に搭載された弾性表面波フィルタであり、
前記弾性表面波フィルタと前記平衡−不平衡変換回路を構成するライン電極とが前記積層体内に形成されたグランド電極を介して積層方向に重なっていることを特徴とする高周波スイッチモジュール。 - 請求項1〜3のいずれかに記載の高周波スイッチモジュールにおいて、
前記積層体の裏面には複数の端子電極が形成されており、
前記複数の端子電極の内、前記裏面の一側面側に並設された端子電極と前記平衡−不平衡変換回路の平衡出力端とがビアホールを介して接続されていることを特徴とする高周波スイッチモジュール。 - 請求項1〜4のいずれかに記載の高周波スイッチモジュールにおいて、
前記平衡−不平衡変換回路は平衡−不平衡変換トランスであり、前記平衡−不平衡変換トランスの平衡出力端間にコンデンサが接続され、前記コンデンサは前記積層体上に搭載又は前記積層体に内蔵されていることを特徴とする高周波スイッチモジュール。
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