JP5553117B2 - フィルタモジュール - Google Patents
フィルタモジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP5553117B2 JP5553117B2 JP2012555812A JP2012555812A JP5553117B2 JP 5553117 B2 JP5553117 B2 JP 5553117B2 JP 2012555812 A JP2012555812 A JP 2012555812A JP 2012555812 A JP2012555812 A JP 2012555812A JP 5553117 B2 JP5553117 B2 JP 5553117B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- terminal
- mounting
- balanced
- duplexer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 48
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 14
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 56
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0566—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers
- H03H9/0571—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers including bulk acoustic wave [BAW] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0566—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers
- H03H9/0576—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers including surface acoustic wave [SAW] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/58—Multiple crystal filters
- H03H9/60—Electric coupling means therefor
- H03H9/605—Electric coupling means therefor consisting of a ladder configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/6483—Ladder SAW filters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/703—Networks using bulk acoustic wave devices
- H03H9/706—Duplexers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
- H03H9/725—Duplexers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/0023—Balance-unbalance or balance-balance networks
- H03H9/0028—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Transceivers (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
本発明は、フィルタモジュールに関する。
近年、携帯電話などの通信サービスでは、加入者数の増大への対応、全世界での使用を可能とするグローバルローミング化、通信品質の向上、各種コンテンツの大容量化などが進められている。このような通信サービスに対応するため、携帯電話機などの通信機は、多バンド化や複数の通信システムへの対応が必要となっている。この結果、複数のバンドや通信システムに対応する通信機では、RF(Radio Frequency)回路に複数の段間フィルタや分波器が搭載されるようになっている。すなわち、使用される各バンド及び各通信システムに対応する段間フィルタや分波器が通信機に搭載されるようになっている。
RF回路に搭載される段間フィルタや分波器の個数が増加する一方で、通信機は小型であることが求められている。そのため、RF回路の小型化を実現するために、使用される各バンド及び各通信システムに対応する段間フィルタや分波器、複数の整合素子からなるフィルタモジュールをRF回路に搭載することが検討されている。特許文献1には、フィルタモジュールの1種であるデュプレクサモジュールが記載されている。
図17に、特許文献1に記載されているデュプレクサモジュール100の模式的平面図を示す。デュプレクサモジュール100は、実装基板101と、第1及び第2のデュプレクサ102,103とを備えている。第1及び第2のデュプレクサ102,103は、実装基板101の表面に搭載されている。第1及び第2のデュプレクサ102,103は、それぞれ、アンテナ端子と、送信端子と、受信端子とを有する。また、実装基板101は、第1及び第2のアンテナ端子電極と、第1及び第2の送信端子電極と、第1及び第2の受信端子電極とを有する。第1及び第2のアンテナ端子電極と、第1及び第2の送信端子電極と、第1及び第2の受信端子電極は、実装基板101の裏面に形成されている。
第1のデュプレクサ102のアンテナ端子は、実装基板101の第1のアンテナ端子電極と接続されている。第1のデュプレクサ102の送信端子は、実装基板101の第1の送信端子電極と接続されている。第1のデュプレクサ102の受信端子は、実装基板101の第1の受信端子電極と接続されている。第2のデュプレクサ103のアンテナ端子は、実装基板101の第2のアンテナ端子電極と接続されている。第2のデュプレクサ103の送信端子は、実装基板101の第2の送信端子電極と接続されている。第2のデュプレクサ103の受信端子は、実装基板101の第2の受信端子電極と接続されている。
RF回路のRFICが平衡入力型である場合に対応するため、第1のデュプレクサ102は、受信フィルタが平衡−不平衡変換機能を有する縦結合共振子型弾性表面波フィルタにより構成されている。すなわち、デュプレクサモジュール100は、バランスフィルタモジュールである。このため、第1のデュプレクサ102の受信端子は、第1及び第2の平衡端子である、1組の端子により構成されている。また、実装基板101の第1の受信端子電極も同様に、第1及び第2の平衡端子電極である、1組の端子電極により構成されている。よって、実装基板101の第1の受信端子電極からは、平衡信号が出力される。
第1のデュプレクサ102においては、受信端子から出力される受信信号の位相バランス特性が、受信フィルタの通過帯域及び送信フィルタの通過帯域において0°に近くなるようにされている。
上記のようなデュプレクサモジュール100では、実装基板101の第1の受信端子電極から出力される受信信号の位相バランス特性が悪くなるという問題が発生することがある。
本発明は、かかる点に鑑みて成されたものであり、その目的は、位相バランス特性が優れたフィルタモジュールを提供することにある。
本発明に係るフィルタモジュールは、実装基板と、少なくとも1つのフィルタ部品とを備えている。実装基板は、実装電極層と、内部電極層と、端子電極層と、少なくとも1つの誘電体層とを含む。実装基板は、実装電極層が最も上側に位置し、端子電極層が最も下側に位置するように、実装電極層と、内部電極層と、端子電極層と、誘電体層とが積層されてなるものである。少なくとも1つのフィルタ部品は、実装基板の表面に搭載されている。少なくとも1つのフィルタ部品は、第1及び第2の平衡端子を有する。実装電極層は、第1の平衡端子に接続される第1の平衡実装電極と、第2の平衡端子に接続される第2の平衡実装電極とを含む。内部電極層は、第1の内部グラウンド電極を含む。端子電極層は、第1の平衡実装電極に接続される第1の平衡端子電極と、第2の平衡実装電極に接続される第2の平衡端子電極とを含む。第1の平衡実装電極と第1の平衡端子電極との間の信号経路の長さと、第2の平衡実装電極と第2の平衡端子電極との間の信号経路の長さとが異なる。フィルタ部品が搭載されている側から実装基板を視た際に、第1の平衡実装電極と第1の内部グラウンド電極とが対向している部分の面積と、第2の平衡実装電極と第1の内部グラウンド電極とが対向している部分の面積とが異なる。
本発明に係るフィルタモジュールのある特定の局面では、フィルタ部品は、弾性表面波フィルタ、弾性境界波フィルタまたは弾性バルク波フィルタにより構成されている。
本発明に係るフィルタモジュールの他の特定の局面では、フィルタ部品は、平衡−不平衡変換機能を有するフィルタ部を含む。
本発明によれば、位相バランス特性が優れたフィルタモジュールを提供することができる。
以下、本発明を実施した好ましい形態について、フィルタモジュールであるデュプレクサモジュール1を例に挙げて説明する。但し、デュプレクサモジュール1は、単なる例示である。本発明に係るフィルタモジュールは、デュプレクサモジュール1に何ら限定されない。本発明に係るフィルタモジュールは、第1及び第2の平衡端子を有するフィルタ部品を備えていればよく、例えば、複数の段間フィルタを備えるフィルタモジュールであってもよいし、トリプレクサを備えるフィルタモジュールであってもよい。
本実施形態のデュプレクサモジュール1は、例えば、携帯電話機などの通信機のRF回路に搭載されるものである。図1は、本実施形態のデュプレクサモジュール1の模式的回路図である。図2は、本実施形態のデュプレクサモジュール1の模式的平面図である。
図1及び図2に示すように、デュプレクサモジュール1は、実装基板2と、デュプレクサ3,4,5,6と、受信フィルタ7と、複数のチップ部品8とを備える。デュプレクサ3,4,5,6と、受信フィルタ7とは、フィルタ部品である。チップ部品8は、インダクタやキャパシタなどの整合素子である。図2に示すように、デュプレクサ3,4,5,6と、受信フィルタ7と、チップ部品8とは、実装基板2の表面に、半田などを用いて搭載されている。
デュプレクサ3は、UMTS−BAND1に対応するデュプレクサである。UMTS−BAND1の送信周波数帯は、1920MHz〜1980MHzであり、受信周波数帯は、2110MHz〜2170MHzである。
図3は、本実施形態のデュプレクサモジュール1における、デュプレクサ3の模式的回路図である。図4は、本実施形態のデュプレクサモジュール1における、デュプレクサ3の模式的断面図である。
図3に示すように、デュプレクサ3は、受信フィルタ31と送信フィルタ32とを有する。受信フィルタ31は、平衡−不平衡変換機能を有する縦結合共振子型弾性表面波フィルタにより構成されている。すなわち、デュプレクサ3は、平衡−不平衡変換機能を有するフィルタ部を含む。
送信フィルタ32は、ラダー型弾性表面波フィルタにより構成されている。そして、デュプレクサ3は、アンテナ端子3aと、送信端子3bと、受信端子3c1,3c2とを有する。受信フィルタ31の入力端子と送信フィルタ32の出力端子とが、アンテナ端子3aに接続されている。送信フィルタ32の入力端子は、送信端子3bに接続されている。受信フィルタ31の出力端子は、受信端子3c1,3c2に接続されている。受信端子3c1は、第1の平衡端子である。受信端子3c2は、第2の平衡端子である。
図4に示すように、デュプレクサ3は、配線基板33と、受信側弾性表面波フィルタチップ31Aと、送信側弾性表面波フィルタチップ32Aとを備えている。受信側弾性表面波フィルタチップ31Aと送信側弾性表面波フィルタチップ32Aとは、配線基板33のダイアタッチ面33aにバンプ34によりフリップチップ実装されている。配線基板33の上には、受信側弾性表面波フィルタチップ31Aと送信側弾性表面波フィルタチップ32Aとを覆うように、封止樹脂35が形成されている。すなわち、デュプレクサ3は、CSP(Chip Size Package)型の弾性表面波デバイスである。配線基板33は、樹脂からなるプリント配線多層基板やセラミック多層基板である。デュプレクサ3では、受信フィルタ31が受信側弾性表面波フィルタチップ31Aに形成されており、送信フィルタ32が送信側弾性表面波フィルタチップ32Aに形成されている。デュプレクサ3では、配線基板33の裏面33bに、裏面端子36が形成されている。
図5は、本実施形態のデュプレクサモジュール1における、デュプレクサ3の裏面端子36を示す透視平面図である。図5は、受信側弾性表面波フィルタチップ31Aと送信側弾性表面波フィルタチップ32Aとが搭載される側から配線基板33を透視した状態を示している。裏面端子36は、アンテナ端子3aと、送信端子3bと、受信端子3c1,3c2と、グラウンド端子3dとを含む。グラウンド端子3dは、受信フィルタ31と送信フィルタ32とをグラウンドに接続するものである。
デュプレクサ4は、UMTS−BAND2に対応するデュプレクサである。UMTS−BAND2の送信周波数帯は、1850MHz〜1910MHzであり、受信周波数帯は、1930MHz〜1990MHzである。デュプレクサ4は、デュプレクサ3と同様の構成を有する。すなわち、デュプレクサ4は、受信フィルタと送信フィルタとを有し、受信フィルタは、平衡−不平衡変換機能を有する縦結合共振子型弾性表面波フィルタにより構成されている。すなわち、デュプレクサ4は、平衡−不平衡変換機能を有するフィルタ部を含む。そして、デュプレクサ4は、アンテナ端子4aと、送信端子4bと、受信端子4c1,4c2とを有する。また、図示していないが、デュプレクサ4は、受信フィルタと送信フィルタとをグラウンドに接続する、グラウンド端子を有する。
デュプレクサ5は、UMTS−BAND5に対応するデュプレクサである。UMTS−BAND5の送信周波数帯は、824MHz〜849MHzであり、受信周波数帯は、869MHz〜894MHzである。デュプレクサ5は、デュプレクサ3と同様の構成を有する。すなわち、デュプレクサ5は、受信フィルタと送信フィルタとを有し、受信フィルタは、平衡−不平衡変換機能を有する縦結合共振子型弾性表面波フィルタにより構成されている。すなわち、デュプレクサ5は、平衡−不平衡変換機能を有するフィルタ部を含む。そして、デュプレクサ5は、アンテナ端子5aと、送信端子5bと、受信端子5c1,5c2とを有する。また、図示していないが、デュプレクサ5は、受信フィルタと送信フィルタとをグラウンドに接続する、グラウンド端子を有する。
デュプレクサ6は、UMTS−BAND8に対応するデュプレクサである。UMTS−BAND8の送信周波数帯は、880MHz〜915MHzであり、受信周波数帯は、925MHz〜960MHzである。デュプレクサ6は、デュプレクサ3と同様の構成を有する。すなわち、デュプレクサ6は、受信フィルタと送信フィルタとを有し、受信フィルタは、平衡−不平衡変換機能を有する縦結合共振子型弾性表面波フィルタにより構成されている。すなわち、デュプレクサ6は、平衡−不平衡変換機能を有するフィルタ部を含む。そして、デュプレクサ6は、アンテナ端子6aと、送信端子6bと、受信端子6c1,6c2とを有する。また、図示していないが、デュプレクサ6は、受信フィルタと送信フィルタとをグラウンドに接続する、グラウンド端子を有する。
受信フィルタ7は、DCSに対応する受信側段間フィルタである。DCSの受信周波数帯は、1805MHz〜1880MHzである。受信フィルタ7は、平衡−不平衡変換機能を有する縦結合共振子型弾性表面波フィルタにより構成されている。すなわち、受信フィルタ7は、平衡−不平衡変換機能を有するフィルタ部を含む。そして、受信フィルタ7は、入力端子7aと、出力端子7b1,7b2とを有する。また、図示していないが、受信フィルタ7はグラウンド端子を有する。受信フィルタ7は、デュプレクサ3と同様に、CSP型の弾性表面波デバイスである。
図6は、本実施形態のデュプレクサモジュール1における、実装基板2の一部分を表す略図的断面図である。図6に示すように、実装基板2は、第1〜第4の電極層21〜24と、第1〜第3の誘電体層25〜27とを有する。実装基板2では、これらの電極層と誘電体層とが交互に積層されている。具体的には、上から、第1の電極層21、第1の誘電体層25、第2の電極層22、第2の誘電体層26、第3の電極層23、第3の誘電体層27、第4の電極層24の順に積層されている。すなわち、第1〜第4の電極層21〜24と、第1〜第3の誘電体層25〜27とのうち、第1の電極層21が最も上側に位置し、第4の電極層24が最も下側に位置する。
実装基板2は、プリント配線多層基板である。第1〜第4の電極層21〜24は、例えば、Cuなどの金属からなる。第1〜第3の誘電体層25〜27は、例えば、それぞれ樹脂からなる。
図7は、本実施形態のデュプレクサモジュール1における、実装基板2の模式的透視平面図である。図8は、本実施形態のデュプレクサモジュール1における、実装基板2の第1の電極層21と第1の誘電体層25との模式的透視平面図である。図9は、本実施形態のデュプレクサモジュール1における、実装基板2の第2の電極層22と第2の誘電体層26との模式的透視平面図である。図10は、本実施形態のデュプレクサモジュール1における、実装基板2の第3の電極層23と第3の誘電体層27との模式的透視平面図である。図11は、本実施形態のデュプレクサモジュール1における、実装基板2の第4の電極層24の模式的透視平面図である。図7〜図11は、デュプレクサ3,4,5,6と、受信フィルタ7と、チップ部品8が搭載される側から実装基板2を透視した状態を示している。
図7に示すように、実装基板2では、第1の電極層21の一部を覆うように、レジスト層28が形成されている。図7では、デュプレクサ3,4,5,6、受信フィルタ7、チップ部品8が搭載される領域を一点破線で示している。
図8に示すように、第1の電極層21は、複数の実装電極を含む実装電極層である。図9に示すように、第2の電極層22は、複数の内部電極を含む内部電極層である。図10に示すように、第3の電極層23は、複数の内部電極を含む内部電極層である。内部電極層である第3の電極層23は、第1の誘電体層25、第2の電極層22、第2の誘電体層26を介して、実装電極層である第1の電極層21と対向している。図11に示すように、第4の電極層24は、複数の端子電極を含む端子電極層である。
図9〜図11では、ビアホール電極が丸印で示されている。ビアホール電極は、第1の電極層21の実装電極と第2の電極層22の内部電極との間、第2の電極層22の内部電極と第3の電極層23の内部電極との間、第3の電極層23の内部電極と第4の電極層24の端子電極との間をそれぞれ接続している。
図7及び図8に示すように、第1の電極層21は、実装電極21−3a,21−3b,21−3c1,21−3c2,21−3d,21−4a,21−4b,21−4c1,21−4c2,21−4d,21−5a,21−5b,21−5c1,21−5c2,21−5d,21−6a,21−6b,21−6c1,21−6c2,21−6d,21−7a,21−7b1,21−7b2,21−7cを含む。
実装電極21−3aは、デュプレクサ3のアンテナ端子3aと接続されている。実装電極21−3bは、デュプレクサ3の送信端子3bと接続されている。実装電極21−3c1は、デュプレクサ3の受信端子3c1と接続されている。実装電極21−3c2は、デュプレクサ3の受信端子3c2と接続されている。実装電極21−3dは、デュプレクサ3のグラウンド端子3dと接続されている。実装電極21−3c1は、第1の平衡端子である、デュプレクサ3の受信端子3c1と接続される、第1の平衡実装電極である。実装電極21−3c2は、第2の平衡端子である、デュプレクサ3の受信端子3c2と接続される、第2の平衡実装電極である。
実装電極21−4aは、デュプレクサ4のアンテナ端子4aと接続されている。実装電極21−4bは、デュプレクサ4の送信端子4bと接続されている。実装電極21−4c1は、デュプレクサ4の受信端子4c1と接続されている。実装電極21−4c2は、デュプレクサ4の受信端子4c2と接続されている。実装電極21−4dは、デュプレクサ4の図示しないグラウンド端子と接続されている。
実装電極21−5aは、デュプレクサ5のアンテナ端子5aと接続されている。実装電極21−5bは、デュプレクサ5の送信端子5bと接続されている。実装電極21−5c1は、デュプレクサ5の受信端子5c1と接続されている。実装電極21−5c2は、デュプレクサ5の受信端子5c2と接続されている。実装電極21−5dは、デュプレクサ5の図示しないグラウンド端子と接続されている。
実装電極21−6aは、デュプレクサ6のアンテナ端子6aと接続されている。実装電極21−6bは、デュプレクサ6の送信端子6bと接続されている。実装電極21−6c1は、デュプレクサ6の受信端子6c1と接続されている。実装電極21−6c2は、デュプレクサ6の受信端子6c2と接続されている。実装電極21−6dは、デュプレクサ6の図示しないグラウンド端子と接続されている。
実装電極21−7aは、受信フィルタ7の入力端子7aと接続されている。実装電極21−7b1は、受信フィルタ7の出力端子7b1と接続されている。実装電極21−7b2は、受信フィルタ7の出力端子7b2と接続されている。実装電極21−7cは、受信フィルタ7の図示しないグラウンド端子と接続されている。
第1の電極層21の他の実装電極は、チップ部品8の端子電極と接続されている。
図9に示すように、第2の電極層22は、内部電極22−dを含む。内部電極22−dは、ビアホール電極により、第1の電極層21の実装電極21−3d,21−4d,21−5d,21−6d,21−7cと接続されている。内部電極22−dは、グラウンドに接続されるグラウンド電極である。
図10に示すように、第3の電極層23は、内部電極23−dを含む。内部電極23−dは、ビアホール電極により、第2の電極層22の内部電極22−dと接続されている。内部電極23−dは、グラウンドに接続されるグラウンド電極であり、第1の内部グラウンド電極である。
図11に示すように、第4の電極層24は、端子電極24−3a,24−3b,24−3c1,24−3c2,24−4a,24−4b,24−4c1,24−4c2,24−5a,24−5b,24−5c1,24−5c2,24−6a,24−6b,24−6c1,24−6c2,24−7a,24−7b1,24−7b2を含む。
端子電極24−3aは、第2の電極層22の内部電極及び第3の電極層23の内部電極などを介して、第1の電極層21の実装電極21−3aと接続されている。すなわち、端子電極24−3aは、デュプレクサ3のアンテナ端子3aと接続されている。また、端子電極24−3aは、通信機のアンテナに接続される、アンテナ端子電極である。
端子電極24−3bは、第2の電極層22の内部電極及び第3の電極層23の内部電極などを介して、第1の電極層21の実装電極21−3bと接続されている。すなわち、端子電極24−3bは、デュプレクサ3の送信端子3bと接続されている。また、端子電極24−3bは、通信機のRFICに接続される、送信端子電極である。
端子電極24−3c1は、第2の電極層22の内部電極及び第3の電極層23の内部電極などを介して、第1の電極層21の実装電極21−3c1と接続されている。すなわち、端子電極24−3c1は、デュプレクサ3の受信端子3c1と接続されている。端子電極24−3c1は、第1の平衡実装電極である、実装電極21−3c1と接続される、第1の平衡端子電極である。また、端子電極24−3c1は、通信機のRFICに接続される、第1の受信端子電極である。
端子電極24−3c2は、第2の電極層22の内部電極及び第3の電極層23の内部電極などを介して、第1の電極層21の実装電極21−3c2と接続されている。すなわち、端子電極24−3c2は、デュプレクサ3の受信端子3c2と接続されている。端子電極24−3c2は、第2の平衡実装電極である、実装電極21−3c2と接続される、第2の平衡端子電極である。また、端子電極24−3c2は、通信機のRFICに接続される、第2の受信端子電極である。
端子電極24−4aは、第2の電極層22の内部電極及び第3の電極層23の内部電極などを介して、第1の電極層21の実装電極21−4aと接続されている。端子電極24−4bは、第2の電極層22の内部電極及び第3の電極層23の内部電極などを介して、第1の電極層21の実装電極21−4bと接続されている。端子電極24−4c1は、第2の電極層22の内部電極及び第3の電極層23の内部電極などを介して、第1の電極層21の実装電極21−4c1と接続されている。端子電極24−4c2は、第2の電極層22の内部電極及び第3の電極層23の内部電極などを介して、第1の電極層21の実装電極21−4c2と接続されている。
端子電極24−5aは、第2の電極層22の内部電極及び第3の電極層23の内部電極などを介して、第1の電極層21の実装電極21−5aと接続されている。端子電極24−5bは、第2の電極層22の内部電極及び第3の電極層23の内部電極などを介して、第1の電極層21の実装電極21−5bと接続されている。端子電極24−5c1は、第2の電極層22の内部電極及び第3の電極層23の内部電極などを介して、第1の電極層21の実装電極21−5c1と接続されている。端子電極24−5c2は、第2の電極層22の内部電極及び第3の電極層23の内部電極などを介して、第1の電極層21の実装電極21−5c2と接続されている。
端子電極24−6aは、第2の電極層22の内部電極及び第3の電極層23の内部電極などを介して、第1の電極層21の実装電極21−6aと接続されている。端子電極24−6bは、第2の電極層22の内部電極及び第3の電極層23の内部電極などを介して、第1の電極層21の実装電極21−6bと接続されている。端子電極24−6c1は、第2の電極層22の内部電極及び第3の電極層23の内部電極などを介して、第1の電極層21の実装電極21−6c1と接続されている。端子電極24−6c2は、第2の電極層22の内部電極及び第3の電極層23の内部電極などを介して、第1の電極層21の実装電極21−6c2と接続されている。
端子電極24−7aは、第2の電極層22の内部電極及び第3の電極層23の内部電極などを介して、第1の電極層21の実装電極21−7aと接続されている。端子電極24−7b1は、第2の電極層22の内部電極及び第3の電極層23の内部電極などを介して、第1の電極層21の実装電極21−7b1と接続されている。端子電極24−7b2は、第2の電極層22の内部電極及び第3の電極層23の内部電極などを介して、第1の電極層21の実装電極21−7b2と接続されている。
第4の電極層24の他の端子電極は、ビアホール電極により、第3の電極層23の内部電極23−dと接続されている。第4の電極層24の他の端子電極は、グラウンドに接続される、グラウンド端子電極である。
本実施形態のデュプレクサモジュール1においては、第1の平衡実装電極と第1の平衡端子電極との間の信号経路の長さと、第2の平衡実装電極と第2の平衡端子電極との間の信号経路の長さとが異なる。すなわち、本実施形態のデュプレクサモジュール1では、第1の電極層21の実装電極21−3c1と第4の電極層24の端子電極24−3c1との間の信号経路の長さと、第1の電極層21の実装電極21−3c2と第4の電極層24の端子電極24−3c2との間の信号経路の長さとが異なる。信号経路には、第2の電極層22の内部電極、第3の電極層23の内部電極、ビアホール電極などが含まれる。
そして、本実施形態のデュプレクサモジュール1においては、フィルタ部品が搭載されている側から実装基板を視た際に、第1の平衡実装電極と第1の内部グラウンド電極とが対向している部分の面積と、第2の平衡実装電極と第1の内部グラウンド電極とが対向している部分の面積とが異なる。すなわち、本実施形態のデュプレクサモジュール1は、デュプレクサ3が搭載されている側から実装基板2を視た際に、第1の電極層21の実装電極21−3c1と第3の電極層23の内部電極23−dとが対向している部分の面積と、第1の電極層21の実装電極21−3c2と第3の電極層23の内部電極23−dとが対向している部分の面積とが異なる。具体的には、デュプレクサ3が搭載されている側から実装基板2を視た際に、実装電極21−3c1の下方には内部電極23−dが配置されており、実装電極21−3c1は内部電極23−dと対向している部分を有しているのに対して、実装電極21−3c2の下方には内部電極23−dが配置されておらず、実装電極21−3c2は内部電極23−dと対向している部分を有していない。
言い換えれば、本実施形態のデュプレクサモジュール1においては、フィルタ部品が搭載されている側から実装基板を視た際に、第1の平衡実装電極と第1の内部グラウンド電極とが重なって視える部分の面積と、第2の平衡実装電極と第1の内部グラウンド電極とが重なって視える部分の面積とが異なる。すなわち、本実施形態のデュプレクサモジュール1は、デュプレクサ3が搭載されている側から実装基板2を視た際に、第1の電極層21の実装電極21−3c1と第3の電極層23の内部電極23−dとが重なって視える部分の面積と、第1の電極層21の実装電極21−3c2と第3の電極層23の内部電極23−dとが重なって視える部分の面積とが異なる。具体的には、デュプレクサ3が搭載されている側から実装基板2を視た際に、実装電極21−3c1の下方には内部電極23−dが配置されており、実装電極21−3c1は内部電極23−dと重なって視える部分を有しているのに対して、実装電極21−3c2の下方には内部電極23−dが配置されておらず、実装電極21−3c2は内部電極23−dと重なって視える部分を有していない。
このため、本実施形態のデュプレクサモジュール1では、端子電極24−3c1,24−3c2から出力される受信信号の位相バランス特性を改善することができる。さらに、送信帯域における差動アイソレーション特性を改善することができる。
本実施形態のデュプレクサモジュール1に対する比較例を用意した。比較例のデュプレクサモジュールは、デュプレクサ3が搭載されている側から実装基板2を視た際に、実装電極21−3c1と実装電極21−3c2の両方の下方に内部電極23−dが配置されており、実装電極21−3c1と実装電極21−3c2との全ての部分が、内部電極23−dと対向している。これにより、デュプレクサ3が搭載されている側から実装基板2を視た際に、実装電極21−3c1における内部電極23−dと対向している部分の面積と、実装電極21−3c2における内部電極23−dと対向している部分の面積とが等しくされている。なお、比較例のデュプレクサモジュールは、第3の電極層23の内部電極23−dの形状以外は、本実施形態のデュプレクサモジュール1と同じ構成である。
ここで、本実施形態のデュプレクサモジュール1と比較例のデュプレクサモジュールとのそれぞれにおける電気特性を測定した。
図12に、本実施形態のデュプレクサモジュール1と比較例のデュプレクサモジュールとのそれぞれにおける、第1の受信端子電極である端子電極24−3c1と、第2の受信端子電極である端子電極24−3c2との間の通過特性を示す。図12に示すように、本実施形態のデュプレクサモジュール1では、デュプレクサ3が対応しているUMTS−BAND1の送信周波数帯(1920MHz〜1980MHz)において、減衰量が大きくなっている。
図13に、本実施形態のデュプレクサモジュール1と比較例のデュプレクサモジュールとのそれぞれにおける、送信端子電極である端子電極24−3bと、第1の受信端子電極である端子電極24−3c1との間の位相特性を示す。図14に、本実施形態のデュプレクサモジュール1と比較例のデュプレクサモジュールとのそれぞれにおける、送信端子電極である端子電極24−3bと、第2の受信端子電極である端子電極24−3c2との間の位相特性を示す。図15に、図13に示す送信端子電極と第1の受信端子電極との間の位相特性と、図14に示す送信端子電極と第2の受信端子電極との間の位相特性との差分である、位相バランス特性を示す。
図13及び図14に示すように、比較例のデュプレクサモジュールでは、デュプレクサ3が対応しているUMTS−BAND1の送信周波数帯(1920MHz〜1980MHz)において、送信端子電極と第1の受信端子電極との間の位相特性と、送信端子電極と第2の受信端子電極との間の位相特性とが大きく異なっているのに対して、本実施形態のデュプレクサモジュール1では、2つの位相特性が非常に類似している。その結果として、図15に示すように、本実施形態のデュプレクサモジュール1では、デュプレクサ3が対応しているUMTS−BAND1の送信周波数帯(1920MHz〜1980MHz)において、位相バランス特性が0°に近くなっており、優れた位相バランス特性となっている。
図16に、本実施形態のデュプレクサモジュール1と比較例のデュプレクサモジュールとのそれぞれにおける、送信端子電極である端子電極24−3bと、第1の受信端子電極である端子電極24−3c1及び第2の受信端子電極である端子電極24−3c2との間の差動アイソレーション特性を示す。図16に示すように、本実施形態のデュプレクサモジュール1では、デュプレクサ3が対応しているUMTS−BAND1の送信周波数帯(1920MHz〜1980MHz)において、減衰量が大きくなっており、優れた差動アイソレーション特性となっている。
本実施形態のデュプレクサモジュール1において、優れた位相バランス特性が得られる原理について説明する。
デュプレクサモジュール1では、第1の電極層21の実装電極21−3c1(第1の平衡実装電極)と第4の電極層24の端子電極24−3c1(第1の平衡端子電極)との間の信号経路の長さと、第1の電極層21の実装電極21−3c2(第2の平衡実装電極)と第4の電極層24の端子電極24−3c2(第2の平衡端子電極)との間の信号経路の長さとが異なる。
この信号経路の長さの違いにより、デュプレクサ3の受信端子3c1(第1の平衡端子)から出力された受信信号の位相特性と、受信端子3c2(第2の平衡端子)から出力された受信信号の位相特性との差が、0°から大きくずれることになる。
デュプレクサモジュール1では、第1の電極層21の実装電極21−3c1(第1の平衡実装電極)と第3の電極層23の内部電極23−d(第1の内部グラウンド電極)とが対向している部分の面積と、第1の電極層21の実装電極21−3c2(第2の平衡実装電極)と第3の電極層23の内部電極23−d(第1の内部グラウンド電極)とが対向している部分の面積とが異なる。そのため、第1の電極層21の実装電極21−3c1(第1の平衡実装電極)と第3の電極層23の内部電極23−d(第1の内部グラウンド電極)との間に形成される容量の大きさと、第1の電極層21の実装電極21−3c2(第2の平衡実装電極)と第3の電極層23の内部電極23−d(第1の内部グラウンド電極)との間に形成される容量の大きさとが異なる。この容量の大きさの差により、上記の位相特性の差が補正され、優れた位相バランス特性を実現することができる。
なお、第1の平衡実装電極と第1の内部グラウンド電極とが対向している部分の面積と、第2の平衡実装電極と第1の内部グラウンド電極とが対向している部分の面積とを異ならせる方法としては、第1及び第2の平衡実装電極の一方を他方よりも小さく形成する方法も考えられる。しかしながら、フィルタ部品を好適に実装するためには、第1及び第2の平衡実装電極をある程度以上の大きさにする必要がある。従って、上記方法では、第1の平衡実装電極と第1の内部グラウンド電極とが対向している部分の面積と、第2の平衡実装電極と第1の内部グラウンド電極とが対向している部分の面積とを十分に大きく異ならせることが困難である場合がある。従って、第1の内部グラウンド電極の形状及び位置を適宜調整することによって、第1の平衡実装電極と第1の内部グラウンド電極とが対向している部分の面積と、第2の平衡実装電極と第1の内部グラウンド電極とが対向している部分の面積とを異ならせることが好ましい。
本実施形態のデュプレクサモジュール1では、デュプレクサ3が搭載されている側から実装基板2を視た際に、実装電極21−3c1の下方には内部電極23−dが配置されており、実装電極21−3c1は内部電極23−dと対向している部分を有しているのに対して、実装電極21−3c2の下方には内部電極23−dが配置されておらず、実装電極21−3c2は内部電極23−dと対向している部分を有していないが、本発明はこれに限るものではない。
本発明では、フィルタ部品が搭載されている側から実装基板を視た際に、第1の平衡実装電極と第2の平衡実装電極の両方の下方に第1の内部グラウンド電極が配置され、第1の平衡実装電極と第2の平衡実装電極の両方が第1の内部グラウンド電極と対向している部分を有しており、第1の平衡実装電極と第1の内部グラウンド電極とが対向している部分の面積と、第2の平衡実装電極と第1の内部グラウンド電極とが対向している部分の面積とが異なるものであってもよい。
このような構成であっても、第1の平衡実装電極と第1の内部グラウンド電極との間に形成される容量の大きさと、第2の平衡実装電極と第1の内部グラウンド電極との間に形成される容量の大きさとが異なるため、優れた位相バランス特性を実現することができる。
フィルタ部品が搭載されている側から実装基板を視た際に、第1の平衡実装電極の下方には第1の内部グラウンド電極が配置されており、第1の平衡実装電極は第1の内部グラウンド電極と対向している部分を有しているのに対して、第2の平衡実装電極の下方には第1の内部グラウンド電極とは異なる、第2の内部グラウンド電極が配置されており、第1の平衡実装電極と第2の平衡実装電極の両方が第1の内部グラウンド電極と対向している部分を有しており、第2の平衡実装電極は第2の内部グラウンド電極と対向している部分を有しているものの、第1の内部グラウンド電極と対向している部分を有しておらず、第1の平衡実装電極と第1の内部グラウンド電極とが対向している部分の面積と、第2の平衡実装電極と第1の内部グラウンド電極とが対向している部分の面積とが異なるものであってもよい。第2の内部グラウンド電極は、第1の内部グラウンド電極と同じ電極層に形成されているものであってもよいし、第1の内部グラウンド電極と異なる電極層に形成されているものであってもよい。
このような構成であっても、第1の平衡実装電極と第1の内部グラウンド電極との間に形成される容量の大きさと、第2の平衡実装電極と第1の内部グラウンド電極との間に形成される容量の大きさとが異なるため、優れた位相バランス特性を実現することができる。また、第2の平衡実装電極と第2の内部グラウンド電極とが対向している部分の面積を変えて、第2の平衡実装電極と第2の内部グラウンド電極との間に形成される容量の大きさを変えることにより、より容易に優れた位相バランス特性を実現することができる。
(変形例)
デュプレクサモジュール1では、デュプレクサ3,4,5,6と、受信フィルタ7とが、弾性表面波フィルタにより構成されていたが、本発明はこれに限るものではない。フィルタ部品が、弾性表面波フィルタ、弾性境界波フィルタ、弾性バルク波フィルタのいずれかにより構成されていればよい。
デュプレクサモジュール1では、デュプレクサ3,4,5,6と、受信フィルタ7とが、弾性表面波フィルタにより構成されていたが、本発明はこれに限るものではない。フィルタ部品が、弾性表面波フィルタ、弾性境界波フィルタ、弾性バルク波フィルタのいずれかにより構成されていればよい。
また、デュプレクサモジュール1では、デュプレクサ3の受信フィルタが平衡−不平衡変換機能を有するフィルタ部を含んでいたが、本発明はこれに限るものではない。フィルタ部品が、第1及び第2の平衡端子を有していればよく、フィルタ部品がバランを含むものであってもよい。
1…デュプレクサモジュール
2…実装基板
3,4,5,6…デュプレクサ(フィルタ部品)
3a,4a,5a,6a…アンテナ端子
3b,4b,5b,6b…送信端子
3c1…受信端子(第1の平衡端子)
3c2…受信端子(第2の平衡端子)
4c1,4c2,5c1,5c2,6c1,6c2…受信端子
3d…グラウンド端子
7…受信フィルタ
7a…入力端子
7b1,7b2…出力端子
8…チップ部品
21…第1の電極層(実装電極層)
21−3c1…実装電極(第1の平衡実装電極)
21−3c2…実装電極(第2の平衡実装電極)
22…第2の電極層(内部電極層)
23…第3の電極層(内部電極層)
23−d…内部電極(第1の内部グラウンド電極)
24…第4の電極層(端子電極層)
24−3c1…端子電極(第1の平衡端子電極)
24−3c2…端子電極(第2の平衡端子電極)
25…第1の誘電体層
26…第2の誘電体層
27…第3の誘電体層
28…レジスト層
31…受信フィルタ
31A…受信側弾性表面波フィルタチップ
32…送信フィルタ
32A…送信側弾性表面波フィルタチップ
33…配線基板
33a…ダイアタッチ面
33b…裏面
34…バンプ
35…封止樹脂
36…裏面端子
2…実装基板
3,4,5,6…デュプレクサ(フィルタ部品)
3a,4a,5a,6a…アンテナ端子
3b,4b,5b,6b…送信端子
3c1…受信端子(第1の平衡端子)
3c2…受信端子(第2の平衡端子)
4c1,4c2,5c1,5c2,6c1,6c2…受信端子
3d…グラウンド端子
7…受信フィルタ
7a…入力端子
7b1,7b2…出力端子
8…チップ部品
21…第1の電極層(実装電極層)
21−3c1…実装電極(第1の平衡実装電極)
21−3c2…実装電極(第2の平衡実装電極)
22…第2の電極層(内部電極層)
23…第3の電極層(内部電極層)
23−d…内部電極(第1の内部グラウンド電極)
24…第4の電極層(端子電極層)
24−3c1…端子電極(第1の平衡端子電極)
24−3c2…端子電極(第2の平衡端子電極)
25…第1の誘電体層
26…第2の誘電体層
27…第3の誘電体層
28…レジスト層
31…受信フィルタ
31A…受信側弾性表面波フィルタチップ
32…送信フィルタ
32A…送信側弾性表面波フィルタチップ
33…配線基板
33a…ダイアタッチ面
33b…裏面
34…バンプ
35…封止樹脂
36…裏面端子
Claims (3)
- 実装電極層と、内部電極層と、端子電極層と、少なくとも1つの誘電体層とを含み、前記実装電極層が最も上側に位置し、前記端子電極層が最も下側に位置するように、前記実装電極層と、前記内部電極層と、前記端子電極層と、前記誘電体層とが積層されてなる実装基板と、
前記実装基板の表面に搭載されており、第1及び第2の平衡端子を有する、少なくとも1つのフィルタ部品とを備え、
前記実装電極層は、前記第1の平衡端子に接続される第1の平衡実装電極と、前記第2の平衡端子に接続される第2の平衡実装電極とを含み、
前記内部電極層は、第1の内部グラウンド電極を含み、
前記端子電極層は、前記第1の平衡実装電極に接続される第1の平衡端子電極と、前記第2の平衡実装電極に接続される第2の平衡端子電極とを含み、
前記第1の平衡実装電極と前記第1の平衡端子電極との間の信号経路の長さと、前記第2の平衡実装電極と前記第2の平衡端子電極との間の信号経路の長さとが異なり、
前記フィルタ部品が搭載されている側から前記実装基板を視た際に、前記第1の平衡実装電極と前記第1の内部グラウンド電極とが対向している部分の面積と、前記第2の平衡実装電極と前記第1の内部グラウンド電極とが対向している部分の面積とが異なる、フィルタモジュール。 - 前記フィルタ部品は、弾性表面波フィルタ、弾性境界波フィルタまたは弾性バルク波フィルタにより構成されている、請求項1に記載のフィルタモジュール。
- 前記フィルタ部品は、平衡−不平衡変換機能を有するフィルタ部を含む、請求項1または請求項2に記載のフィルタモジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012555812A JP5553117B2 (ja) | 2011-02-04 | 2012-01-24 | フィルタモジュール |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011022624 | 2011-02-04 | ||
JP2011022624 | 2011-02-04 | ||
JP2012555812A JP5553117B2 (ja) | 2011-02-04 | 2012-01-24 | フィルタモジュール |
PCT/JP2012/051441 WO2012105375A1 (ja) | 2011-02-04 | 2012-01-24 | フィルタモジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2012105375A1 JPWO2012105375A1 (ja) | 2014-07-03 |
JP5553117B2 true JP5553117B2 (ja) | 2014-07-16 |
Family
ID=46602594
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012555812A Active JP5553117B2 (ja) | 2011-02-04 | 2012-01-24 | フィルタモジュール |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8872602B2 (ja) |
JP (1) | JP5553117B2 (ja) |
CN (1) | CN103348593B (ja) |
DE (1) | DE112012000675B4 (ja) |
WO (1) | WO2012105375A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112012000679B4 (de) * | 2011-02-04 | 2017-05-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Duplexermodul |
JP5983907B1 (ja) * | 2014-10-31 | 2016-09-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及び弾性波モジュール |
KR102499634B1 (ko) * | 2015-11-09 | 2023-02-13 | 가부시키가이샤 와이솔재팬 | 듀플렉서 디바이스 및 듀플렉서 탑재용 기판 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002208875A (ja) * | 2001-01-09 | 2002-07-26 | Murata Mfg Co Ltd | アンテナ共用器 |
JP2003092526A (ja) * | 2001-07-11 | 2003-03-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | インターディジタルトランスデューサ、弾性表面波フィルタ、及びそれを用いた通信機器 |
JP2003258597A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-12 | Kyocera Corp | 弾性表面波フィルタ用パッケージ |
JP2009225198A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Tdk Corp | 弾性表面波装置 |
WO2010140445A1 (ja) * | 2009-06-04 | 2010-12-09 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びデュプレクサ |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4746882A (en) * | 1987-06-24 | 1988-05-24 | Unisys Corporation | Saw multiplexer using tapered transducers |
US6801100B2 (en) * | 1996-05-23 | 2004-10-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Inter-digital transducer, surface acoustic wave filter and communication apparatus using the same |
EP1333588B1 (en) * | 2000-11-01 | 2012-02-01 | Hitachi Metals, Ltd. | High-frequency switch module |
JP3931767B2 (ja) * | 2002-08-29 | 2007-06-20 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置、通信装置 |
DE102006015072B4 (de) * | 2006-03-31 | 2017-06-01 | Epcos Ag | Mobilfunkmodul für Multi-Band-Multi-Mode Betrieb |
JP5073355B2 (ja) | 2007-04-20 | 2012-11-14 | 太陽誘電株式会社 | アンテナ分波器 |
JP5262413B2 (ja) | 2008-08-12 | 2013-08-14 | 株式会社村田製作所 | マルチバンドデュプレクサモジュール |
-
2012
- 2012-01-24 JP JP2012555812A patent/JP5553117B2/ja active Active
- 2012-01-24 DE DE112012000675.5T patent/DE112012000675B4/de active Active
- 2012-01-24 WO PCT/JP2012/051441 patent/WO2012105375A1/ja active Application Filing
- 2012-01-24 CN CN201280007598.6A patent/CN103348593B/zh active Active
-
2013
- 2013-07-29 US US13/952,918 patent/US8872602B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002208875A (ja) * | 2001-01-09 | 2002-07-26 | Murata Mfg Co Ltd | アンテナ共用器 |
JP2003092526A (ja) * | 2001-07-11 | 2003-03-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | インターディジタルトランスデューサ、弾性表面波フィルタ、及びそれを用いた通信機器 |
JP2003258597A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-12 | Kyocera Corp | 弾性表面波フィルタ用パッケージ |
JP2009225198A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Tdk Corp | 弾性表面波装置 |
WO2010140445A1 (ja) * | 2009-06-04 | 2010-12-09 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びデュプレクサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2012105375A1 (ja) | 2014-07-03 |
CN103348593A (zh) | 2013-10-09 |
WO2012105375A1 (ja) | 2012-08-09 |
CN103348593B (zh) | 2016-04-20 |
DE112012000675B4 (de) | 2017-09-21 |
DE112012000675T5 (de) | 2013-10-31 |
US20130307638A1 (en) | 2013-11-21 |
US8872602B2 (en) | 2014-10-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4585431B2 (ja) | 分波器 | |
US8040205B2 (en) | Duplexer having specified relationship of the minimum distances between signal pads and specific ground pads | |
KR101115199B1 (ko) | 필터, 분파기, 및 분파기를 포함하는 모듈, 통신 기기 | |
US7276992B2 (en) | Antenna duplexer and electronic device | |
JP4091043B2 (ja) | 分波器 | |
JP4446922B2 (ja) | フィルタおよび分波器 | |
JP2003332885A (ja) | 弾性表面波分波器およびそれを有する通信装置 | |
JP2010041141A (ja) | フィルタ、分波器、および通信機器 | |
JP2009290606A (ja) | 分波器および無線通信機器 | |
US9941859B2 (en) | Ladder-type filter, duplexer, and module | |
JP5553116B2 (ja) | デュプレクサモジュール | |
JP2005268878A (ja) | アンテナ共用器 | |
JP5494840B2 (ja) | 高周波モジュール | |
JP5553117B2 (ja) | フィルタモジュール | |
US8912866B2 (en) | Dual-band surface acoustic wave filter and composite high-frequency component | |
US9124238B2 (en) | Duplexer | |
JP5846833B2 (ja) | デュプレクサ | |
US9595940B2 (en) | Filter, duplexer and module | |
JP2012205215A (ja) | 弾性表面波装置およびその製造方法 | |
JP5660223B2 (ja) | 分波装置 | |
JP5189097B2 (ja) | フィルタ、分波器、および分波器を含むモジュール、通信機器 | |
KR20050001227A (ko) | 세라믹 패키지 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140430 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140513 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5553117 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |