WO2010047250A1

WO2010047250A1 - 高周波スイッチモジュール及び高周波スイッチ装置

Info

Publication number: WO2010047250A1
Application number: PCT/JP2009/067748
Authority: WO
Inventors: 永徳村瀬; 孝紀上嶋
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2008-10-20
Filing date: 2009-10-14
Publication date: 2010-04-29
Also published as: US8373492B2; US8248144B2; JPWO2010047250A1; US20120293237A1; US20110193614A1; JP5158205B2

Abstract

ノイズがコンデンサを経由してスイッチ回路に戻ることを抑制できる高周波スイッチ装置及び高周波スイッチモジュールを提供する。高周波スイッチモジュール（１０）は、多層基板（１２）と、多層基板（１２）に実装されているスイッチ回路（１４）と、を備えている。多層基板（１２）は、複数の周波数帯域の高周波信号が入出力する端子（Ｔ２６）と、複数の端子（Ｔ１～Ｔ１２）と、スイッチ回路（１４）の制御を行う制御信号が印加される端子（Ｔ１３～Ｔ１５）と、制御信号が印加される端子（Ｔ１３～Ｔ１５）とスイッチ回路（１４）とを接続する電流経路（Ｓ１～Ｓ３）と、電流経路（Ｓ１～Ｓ３）上に設けられ、電流経路（Ｓ１～Ｓ３）の抵抗値よりも大きな抵抗値を有している抵抗器（Ｒ１～Ｒ３）と、を含んでいる。スイッチ回路（１４）は、制御信号に基づいて切り替えの動作をする。

Description

高周波スイッチモジュール及び高周波スイッチ装置

　本発明は、高周波スイッチモジュール及び高周波スイッチ装置に関し、より特定的には、複数の異なる通信方式に使用できる無線機に用いる高周波スイッチモジュール及び高周波スイッチ装置に関する。

　携帯無線システムには、例えば、欧州で広く用いられているＧＳＭ９００（Ｇｌｏｂａｌ　Ｓｙｓｔｅｍ　ｆｏｒ　Ｍｏｂｉｌｅ　Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ　９００）方式及びＧＳＭ１８００（Ｇｌｏｂａｌ　Ｓｙｓｔｅｍ　ｆｏｒ　Ｍｏｂｉｌｅ　Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ　１８００）方式、又は北米で広く用いられているＧＳＭ８５０（Ｇｌｏｂａｌ　Ｓｙｓｔｅｍ　ｆｏｒ　Ｍｏｂｉｌｅ　Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ　８５０）方式、日本で広く用いられているＰＤＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ　Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｃｅｌｌｕａｒ）方式等がある。また、ＧＳＭと並んで用いられているＣＤＭＡ方式では、ＣｄｍａＯｎｅ（Ｃｏｄｅ　Ｄｉｖｉｓｉｏｎ　Ｍｕｌｔｉｐｌｅ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｏｎｅ）、ＩＭＴ－２０００（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｍｏｂｉｌｅ　Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ　２０００）等がある。近年の携帯電話の急激な普及に伴い、特に、大都市近郊において各無線システムに割り当てられた周波数帯域では、全システム利用者をまかないきれず、通信が途中切断されたり、接続が困難になったりするといった問題が生じていた。そこで、利用者が複数の無線システムを利用できるようにして、実質的に利用可能な周波数の増加を図り、サービスの向上やインフラの有効活用をすることが提案されている。

　そこで、特許文献１に記載のアンテナスイッチ回路が提案されている。該アンテナスイッチ回路は、アンテナ及びスイッチ回路を備えている。アンテナは、複数の周波数帯域の送受信信号を送受信する。スイッチ回路は、アンテナから入力してくる複数の周波数帯域の受信信号が対応する受信回路に正確に出力されるように、信号の伝送経路を切り替えると共に、送信回路からの送信信号がアンテナに正確に出力されるように伝送経路を切り替える。このようなスイッチ回路は、複数のＦＥＴトランジスタにより構成され、該ＦＥＴトランジスタは、制御信号によりＯＮとＯＦＦとに切り替えられることにより、伝送経路を切り替えている。以上のようなアンテナスイッチ回路によれば、携帯電話において、複数種類の周波数帯域の送受信信号を取り扱うことが可能となる。

　ところで、アンテナスイッチ回路では、アンテナスイッチ回路が実装されるプリント配線基板にて発生するノイズが、アンテナスイッチ回路のスイッチ回路に入力することを防止する必要がある。そこで、スイッチ回路を制御するための制御信号が伝送される経路に、一端が接地されたコンデンサが接続される。これにより、プリント配線基板にて発生したノイズは、コンデンサを介してプリント配線基板内のグランド電極を経由して接地側へと伝送され、スイッチ回路に入力しなくなる。

　しかしながら、前記アンテナスイッチ回路では、以下に説明するように、依然として、ノイズによって、スイッチ回路の高周波特性が劣化するという問題がある。図５は、アンテナスイッチ回路１００及びこれが実装されたプリント配線基板１０２の断面構造図である。プリント配線基板１０２上には、アンテナスイッチ回路１００及びコンデンサ１０４が実装されている。コンデンサ１０４は、プリント配線基板１０２に内蔵されたグランド電極１０６を介して、接地されている（グランド電極１０６が接地されている様子は省略）。また、アンテナスイッチ回路１００も、グランド電極１０６を介して接地されている。

　アンテナスイッチ回路１００では、プリント配線基板１０２にて発生したノイズの他に、アンテナスイッチ回路１００のスイッチ回路（図示せず）にて発生するノイズも存在する。これらのノイズは、前記コンデンサ１０４を介して、プリント配線基板１０２内のグランド電極１０６を経由して、接地側へと伝送される。ところが、図５の矢印に示すように、アンテナスイッチ回路１００がグランド電極１０６と接続されていると、ノイズの一部は、グランド電極１０６を経由して、アンテナスイッチ回路１００に入力してしまう。これにより、アンテナスイッチ回路１００のスイッチ回路にもノイズが入力し、送信信号がノイズによって変調される。その結果、送信信号の高調波に歪みが発生し、スイッチ回路の高周波特性が劣化してしまう。

特開２００４－２５３９５３号公報

　そこで、本発明の目的は、ノイズがコンデンサを経由してスイッチ回路に戻ることを抑制できる高周波スイッチ装置及び高周波スイッチモジュールを提供することである。

　本発明の一形態に係る高周波スイッチモジュールは、第１の基板と、前記第１の基板に実装されているスイッチ回路と、を備えており、前記第１の基板は、複数の周波数帯域の高周波信号が入出力する共通端子と、複数の切り替え端子と、前記共通端子に入出力する前記高周波信号の周波数帯域に応じて前記スイッチ回路の制御を行う制御信号が印加される制御端子と、前記制御端子と前記スイッチ回路とを接続する電流経路と、前記電流経路上に直列に設けられ、該電流経路の抵抗値よりも大きな抵抗値を有し、該電流経路を通過するノイズを低減するための抵抗部と、を含んでおり、前記スイッチ回路は、前記制御信号に基づいて、前記切り替え端子と該共通端子とを接続すること、を特徴とする。

　本発明の一形態に係る高周波スイッチ装置は、第１の基板と、前記第１の基板が実装されている第２の基板と、前記第１の基板に実装されているスイッチ回路と、を備えており、前記第１の基板は、複数の周波数帯域の高周波信号が入出力する共通端子と、複数の切り替え端子と、前記共通端子に入出力する前記高周波信号の周波数帯域に応じて前記スイッチ回路の制御を行う制御信号が印加される制御端子と、を含んでおり、前記スイッチ回路は、前記制御信号に基づいて、前記切り替え端子と該共通端子とを接続し、前記第２の基板は、前記制御端子に一端が接続されている電流経路と、前記電流経路上に直列に設けられ、該電流経路の抵抗値よりも大きな抵抗値を有し、該電流経路を通過するノイズを低減するための抵抗部と、を含んでいること、を特徴とする。

　本発明によれば、ノイズがコンデンサを経由してスイッチ回路に戻ることを抑制できる。

高周波スイッチモジュールを備えた高周波スイッチ装置のブロック図である。図２（ａ）は、多層基板の裏面を示した図であり、図２（ｂ）は、多層基板の表面を示した図である。図３（ａ）は、第１の実験例での実験結果を示したグラフであり、図３（ｂ）は、第２の実験例での実験結果を示したグラフであり、図３（ｃ）は、第３の実験例での実験結果を示したグラフである。高周波スイッチ装置のブロック図である。従来のアンテナスイッチ回路及びこれが実装されたプリント配線基板の断面構造図である。

　以下に、本発明の実施形態に係る高周波スイッチモジュール及び高周波スイッチ装置について説明する。

（高周波スイッチモジュール）
　以下に、本発明の一実施形態に係る高周波スイッチモジュールについて図面を参照しながら説明する。図１は、高周波スイッチモジュール１０を備えた高周波スイッチ装置７０のブロック図である。高周波スイッチ装置７０は、複数種類の周波数帯域の送受信信号を取り扱うことができる携帯電話に用いられる。そして、高周波スイッチ装置７０は、アンテナから入力してくる複数の周波数帯域の受信信号が対応する受信回路に正確に出力されるように、信号の伝送経路を切り替えると共に、送信回路からの送信信号がアンテナに正確に出力されるように伝送経路を切り替える。

　高周波スイッチ装置７０は、図１に示すように、プリント配線基板５０上に高周波スイッチモジュール１０が実装されることにより構成されている。また、プリント配線基板５０には、アンテナ３０及びコンデンサＣ１～Ｃ３が設けられている。高周波スイッチモジュール１０は、多層基板１２、スイッチ回路１４、ＳＡＷフィルタ２０，２２，２４，２６，２８、抵抗器Ｒ１～Ｒ３及び電流経路Ｓ１～Ｓ３を備えている。なお、抵抗器Ｒ１～Ｒ３はそれぞれ、電流経路Ｓ１～Ｓ３に対して直列に接続されており、ＳＡＷフィルタ２０，２２，２４，２６，２８は、平衡出力端子を有している。

　多層基板１２は、内部に回路が形成された基板である。図２（ａ）は、多層基板１２の裏面を示した図であり、図２（ｂ）は、多層基板１２の表面を示した図である。多層基板１２の裏面とは、多層基板１２がプリント配線基板５０上に実装される際に、プリント配線基板５０と対向する面であり、多層基板１２の表面とは、多層基板１２の裏面と平行な面である。

　図２（ａ）に示すように、多層基板１２の裏面には、端子Ｔ１～Ｔ２８が設けられている。図１に示すように、端子Ｔ１，Ｔ２はそれぞれ、ＧＳＭ方式の送信信号ＧＳＭ－Ｔｘ１，ＧＳＭ－Ｔｘ２が図示しない送信回路から入力してくる送信系端子である。端子Ｔ３～Ｔ１２はそれぞれ、ＧＳＭ方式の受信信号Ｒｘ１～Ｒｘ５が図示しない受信回路へと出力していく受信系端子である。端子Ｔ１３～Ｔ１５のそれぞれは、アンテナ３０に入出力する高周波信号の周波数帯域に応じてスイッチ回路１４の制御を行う制御信号Ｖｃ１～Ｖｃ３が印加される制御端子である。端子Ｔ１６は、スイッチ回路１４を駆動させるための電源電圧Ｖｄｄが印加される電源端子である。端子Ｔ１７～Ｔ２５には、図示しないＧＮＤ端子を介して接地される。端子Ｔ２６は、アンテナ３０が接続され、複数の周波数帯域の高周波信号が入出力する共通端子である。なお、図２（ａ）の端子Ｔ２７，Ｔ２８は、プリント配線基板５０上のＧＮＤ端子を介して接地されていてもよい。該端子Ｔ２７，Ｔ２８は、他の端子Ｔ１～Ｔ２６よりも大きな面積を有しており、図示しないプリント配線基板５０側の電極に対して固定されることにより、図１のプリント配線基板５０と多層基板１２とを接着する役割を果たしている。

　多層基板１２の表面には、図２（ｂ）に示すように、ＣＭＯＳ等の半導体素子を用いたスイッチ回路１４、ＳＡＷフィルタ（表面波フィルタ）２０，２２，２４，２６，２８、抵抗器Ｒ１～Ｒ３及びインダクタＬ１～Ｌ５が実装されている。スイッチ回路１４、ＳＡＷフィルタ２０，２２，２４，２６，２８、抵抗器Ｒ１～Ｒ３及びインダクタＬ１～Ｌ５は、図２（ａ）に示す端子Ｔ１～Ｔ２６と多層基板１２内に設けられているビアホール導体及び配線を介して電気的に接続されている。以下に、図２を参照しながらより詳細に説明する。なお、ＳＡＷフィルタ２０，２２及びＳＡＷフィルタ２４，２６はそれぞれ、２つのフィルタを１つのパッケージに一体化したものであり、ＳＡＷフィルタ２０，２２，２４，２６，２８は、平衡・不平衡変換機能を備えたフィルタである。

　図２（ｂ）に示した丸印は、多層基板１２の最上層に設けられているビアホール導体である。多層基板１２の最上層には、ビアホール導体ｂ１～ｂ３９が設けられている。端子Ｔ１，Ｔ２はそれぞれ、ビアホール導体ｂ１，ｂ２を介してスイッチ回路１４と電気的に接続されている。

　端子Ｔ３，Ｔ４は、ビアホール導体ｂ３，ｂ４を介してＳＡＷフィルタ２０と電気的に接続されている。更に、ビアホール導体ｂ３，ｂ４は、ＳＡＷフィルタ２０の平衡端子に接続され、ビアホール導体ｂ１７は、ＳＡＷフィルタ２０の不平衡端子に接続されている。更に、ビアホール導体ｂ１７は、多層基板１２内の配線等及びビアホール導体ｂ２０を介してスイッチ回路１４と電気的に接続されている。これにより、図１に示すように、スイッチ回路１４と端子Ｔ３，Ｔ４とは、ＳＡＷフィルタ２０を介して電気的に接続されている。すなわち、ＳＡＷフィルタ２０は、端子Ｔ３，Ｔ４とスイッチ回路１４との間に接続されている。

　端子Ｔ５，Ｔ６は、ビアホール導体ｂ５，ｂ６を介してＳＡＷフィルタ２２と電気的に接続されている。更に、ビアホール導体ｂ５，ｂ６は、ＳＡＷフィルタ２２の平衡端子に接続され、ビアホール導体ｂ２１は、ＳＡＷフィルタ２２の不平衡端子に接続されている。更に、ビアホール導体ｂ２１は、多層基板１２内の配線等及びビアホール導体ｂ２４を介してスイッチ回路１４と電気的に接続されている。これにより、図１に示すように、スイッチ回路１４と端子Ｔ５，Ｔ６とは、ＳＡＷフィルタ２２を介して電気的に接続されている。すなわち、ＳＡＷフィルタ２２は、端子Ｔ５，Ｔ６とスイッチ回路１４との間に接続されている。

　端子Ｔ７，Ｔ８は、ビアホール導体ｂ７，ｂ８を介してＳＡＷフィルタ２４と電気的に接続されている。更に、ビアホール導体ｂ７，ｂ８は、ＳＡＷフィルタ２４の平衡端子に接続され、ビアホール導体ｂ２５は、ＳＡＷフィルタ２４の不平衡端子に接続されている。更に、ビアホール導体ｂ２５は、多層基板１２内の配線等及びビアホール導体ｂ２７を介してスイッチ回路１４と電気的に接続されている。これにより、図１に示すように、スイッチ回路１４と端子Ｔ７，Ｔ８とは、ＳＡＷフィルタ２４を介して電気的に接続されている。すなわち、ＳＡＷフィルタ２４は、端子Ｔ７，Ｔ８とスイッチ回路１４との間に接続されている。

　端子Ｔ９，Ｔ１０は、ビアホール導体ｂ９，ｂ１０を介してＳＡＷフィルタ２６と電気的に接続されている。更に、ビアホール導体ｂ９，ｂ１０は、ＳＡＷフィルタ２６の平衡端子に接続され、ビアホール導体ｂ２５は、ＳＡＷフィルタ２６の不平衡端子に接続されている。更に、ビアホール導体ｂ２５は、多層基板１２内の配線等及びビアホール導体ｂ２７を介してスイッチ回路１４と電気的に接続されている。これにより、図１に示すように、スイッチ回路１４と端子Ｔ９，Ｔ１０とは、ＳＡＷフィルタ２６を介して電気的に接続されている。すなわち、ＳＡＷフィルタ２６は、端子Ｔ９，Ｔ１０とスイッチ回路１４との間に接続されている。

　端子Ｔ１１，Ｔ１２は、ビアホール導体ｂ１１，ｂ１２を介してＳＡＷフィルタ２８と電気的に接続されている。更に、ビアホール導体ｂ１１，ｂ１２は、ＳＡＷフィルタ２８の平衡端子に接続され、ビアホール導体ｂ２８は、ＳＡＷフィルタ２８の不平衡端子に接続されている。更に、ビアホール導体ｂ２８は、多層基板１２内の配線等及びビアホール導体ｂ３０を介してスイッチ回路１４と電気的に接続されている。これにより、図１に示すように、スイッチ回路１４と端子Ｔ１１，Ｔ１２とは、ＳＡＷフィルタ２８を介して電気的に接続されている。すなわち、ＳＡＷフィルタ２８は、端子Ｔ１１，Ｔ１２とスイッチ回路１４との間に接続されている。

　端子Ｔ１３は、ビアホール導体ｂ１３を介して抵抗器Ｒ１と電気的に接続されている。ビアホール導体ｂ１３は、抵抗器Ｒ１においてビアホール導体ｂ３１と電気的に接続されている。また、ビアホール導体ｂ３１は、ビアホール導体ｂ３２を介してスイッチ回路１４と電気的に接続されている。これにより、図１に示すように、スイッチ回路１４と端子Ｔ１３とは、抵抗器Ｒ１を介して電気的に接続されている。

　端子Ｔ１４は、ビアホール導体ｂ１４を介して抵抗器Ｒ２と電気的に接続されている。ビアホール導体ｂ１４は、抵抗器Ｒ２においてビアホール導体ｂ３３と電気的に接続されている。また、ビアホール導体ｂ３３は、ビアホール導体ｂ３４を介してスイッチ回路１４と電気的に接続されている。これにより、図１に示すように、スイッチ回路１４と端子Ｔ１４とは、抵抗器Ｒ２を介して電気的に接続されている。

　端子Ｔ１５は、ビアホール導体ｂ１５を介して抵抗器Ｒ３と電気的に接続されている。ビアホール導体ｂ１５は、抵抗器Ｒ３においてビアホール導体ｂ３５と電気的に接続されている。また、ビアホール導体ｂ３５は、ビアホール導体ｂ３６を介してスイッチ回路１４と電気的に接続されている。これにより、図１に示すように、スイッチ回路１４と端子Ｔ１５とは、抵抗器Ｒ３を介して電気的に接続されている。

　端子Ｔ１６は、ビアホール導体ｂ１６を介してスイッチ回路１４と電気的に接続されている。端子Ｔ１７～端子Ｔ２５は、ＧＮＤ端子であり、図２（ｂ）の参照符号が付されていないビアホール導体のいずれかに接続されている。

　端子Ｔ２６は、多層基板１２内の配線等及びビアホール導体ｂ３９を介して、スイッチ回路１４と電気的に接続されている。

　多層基板１２の内部には、所定の層の大部分を覆うグランド電極が設けられている。また、その他の層には、コイル電極及びコンデンサ電極が設けられている。該コイル電極及びコンデンサ電極は、図１のローパスフィルタ１６，１８を構成している。多層基板１２は、端子Ｔ１，Ｔ２とスイッチ回路１４との間に接続されているローパスフィルタ１６，１８を含んでいる。また、多層基板１２内において、スイッチ回路１４と端子Ｔ１３～Ｔ１５間に存在するビアホール導体及び配線は、電流経路Ｓ１～Ｓ３を構成している。

　次に、図１のコンデンサＣ１～Ｃ３について説明する。コンデンサＣ１～Ｃ３はそれぞれ、プリント配線基板５０に設けられており、一端が端子Ｔ１３～Ｔ１６に接続されている配線に接続されていると共に、他端が接地されている。コンデンサＣ１～Ｃ３の一端はそれぞれ、抵抗器Ｒ１～Ｒ３から端子Ｔ１３～Ｔ１６よりも離れた位置において配線に接続されている。コンデンサＣ１～Ｃ３は、制御信号Ｖｃ１～Ｖｃ３に発生したノイズを接地側へと流す役割を果たしている。なお、コンデンサＣ１～Ｃ３は、多層基板１２上に搭載されていてもよい。

　以上のように構成された高周波スイッチモジュール１０では、スイッチ回路１４は、制御信号Ｖｃ１～Ｖｃ３に基づいて、アンテナ３０が受信した受信信号の周波数帯域に応じた端子Ｔ３～Ｔ１２と端子Ｔ２６とを接続する。また、スイッチ回路１４は、制御信号Ｖｃ１～Ｖｃ３に基づいて、アンテナ３０から送信すべき送信信号の周波数帯域に応じた端子Ｔ１，Ｔ２と端子Ｔ２６とを接続する。これにより、高周波スイッチモジュール１０は、複数種類の周波数帯域の送受信信号を取り扱うことができる。

（効果）
　以上のように構成された高周波スイッチモジュール１０では、以下に説明するように、ノイズがコンデンサＣ１～Ｃ３を経由してスイッチ回路１４に戻ることを抑制できる。より詳細には、図１及び図２に示すように、スイッチ回路１４と端子Ｔ１３～Ｔ１５とを接続する電流経路Ｓ１～Ｓ３上に、電流経路Ｓ１～Ｓ３を通過するノイズを低減するための抵抗器Ｒ１～Ｒ３が設けられている。この抵抗器Ｒ１～Ｒ３は、電流経路Ｓ１～Ｓ３の抵抗値よりも大きな抵抗値を有している。そのため、抵抗器Ｒ１～Ｒ３が存在しない電流経路Ｓ１～Ｓ３にノイズが流れた場合よりも、抵抗器Ｒ１～Ｒ３が存在する電流経路Ｓ１～Ｓ３にノイズが流れた場合の方が、多くのノイズが熱エネルギーに変換されて、ノイズが大きく減衰する。そして、コンデンサＣ１～Ｃ３には、抵抗器Ｒ１～Ｒ３を通過することにより減衰したノイズが入力する。よって、高周波スイッチモジュール１０では、コンデンサＣ１～Ｃ３及びプリント配線基板５０内のグランド電極（図示せず）を経由して、スイッチ回路１４に入力するノイズの大きさが抑制されるようになる。その結果、高周波スイッチモジュール１０では、送信信号がノイズにより変調されて、送信信号の高調波に歪みが発生することを抑制でき、スイッチ回路１４の高周波特性が劣化することを抑制できる。

　また、図２（ｂ）に示すように、抵抗器Ｒ１～Ｒ３は、電流経路Ｓ１～Ｓ３とスイッチ回路１４との接続箇所（すなわち、ビアホール導体ｂ３２，ｂ３４，ｂ３６）に最も近い該スイッチ回路１４の辺に沿って設けられている。これにより、抵抗器Ｒ１～Ｒ３とスイッチ回路１４との間の距離が短くなり、これらの間においてノイズが流入することを抑制できる。

　また、図２（ｂ）に示すように、抵抗器Ｒ１～Ｒ３は、スイッチ回路１４とＳＡＷフィルタ２８との間に設けられている。ＳＡＷフィルタ２８には、受信信号Ｒｘ１～Ｒｘ５が入力しており、スイッチ回路１４には送信信号ＧＳＭ－Ｔｘ１，ＧＳＭ－Ｔｘ２が入力している。そのため、ＳＡＷフィルタ２８とスイッチ回路１４との間に抵抗器Ｒ１～Ｒ３が設けられることにより、受信信号Ｒｘ１～Ｒｘ５と送信信号ＧＳＭ－Ｔｘ１，ＧＳＭ－Ｔｘ２との間のアイソレーションを向上させることができる。

　更に、電流経路Ｓ１～Ｓ３を介してスイッチ回路１４へ静電気が流入する場合、その静電気の流入を抵抗器Ｒ１～Ｒ３により制御でき、スイッチ回路１４の静電気による破壊を防止できる。

（実験結果）
　本願発明者は、高周波スイッチモジュール１０が奏する効果をより明確なものとするために、以下に説明する実験を行った。具体的には、１ｋΩの抵抗器Ｒ１～Ｒ３を設けた高周波スイッチモジュール１０（第１の実験例）、５００Ωの抵抗器Ｒ１～Ｒ３を設けた高周波スイッチモジュール１０（第２の実験例）及び抵抗器Ｒ１～Ｒ３が設けられていない高周波スイッチモジュール１０（第３の実験例）を作製し、これらのＲＦポートで観測される信号を調べた。図３（ａ）は、第１の実験例での実験結果を示したグラフであり、図３（ｂ）は、第２の実験例での実験結果を示したグラフであり、図３（ｃ）は、第３の実験例での実験結果を示したグラフである。縦軸は、ノイズ量を示し、横軸は、周波数を示している。

　図３（ａ）ないし図３（ｃ）を比較すると分かるように、抵抗器Ｒ１～Ｒ３が設けられることにより、ノイズ量が低減していることが理解できる。よって、抵抗器Ｒ１～Ｒ３が設けられることにより、ノイズがコンデンサＣ１～Ｃ３を経由してスイッチ回路１４に戻ることを抑制できている。更に、図３（ａ）と図３（ｂ）とを比較すると、抵抗器Ｒ１～Ｒ３が５００Ωの場合には、僅かではあるがノイズが発生しているのに対して、抵抗器Ｒ１～Ｒ３が１ｋΩの場合には、ノイズが殆ど発生していない。よって、抵抗器Ｒ１～Ｒ３は、１ｋΩ以上の抵抗値を有していることが望ましい。

　また、本願発明者は、第１の実験例と第３の実験例において、ハーモニックスを測定した。ハーモニックスとは、ある周波数において半導体素子にパワーを印加した場合に、その周波数の高次高調波に相当する周波数において、パワーが観測される現象である。その結果、第３の実験例でのハーモニックスは、－６８ｄＢｃであったのに対して、第１の実験例でのハーモニックスは、－８５ｄＢｃであった。すなわち、抵抗器Ｒ１～Ｒ３が設けられた第１の実験例の方が、抵抗器Ｒ１～Ｒ３が設けられていない第３の実験例よりも、高調波信号の大きさを低減できていることが分かる。これは、スイッチ回路１４にノイズが侵入することにより、該ノイズにより高調波信号が変調されることを抑制できていることを示している。

（高周波スイッチ装置）
　以下に、本発明の一実施形態に係る高周波スイッチ装置について図面を参照しながら説明する。図４は、高周波スイッチ装置７０'のブロック図である。以下に、図１の高周波スイッチ装置７０との相違点を中心に説明を行う。

　高周波スイッチ装置７０'と高周波スイッチ装置７０との相違点は、電流経路Ｓ１'～Ｓ３'を通過するノイズを低減するための抵抗器Ｒ１～Ｒ３が設けられている位置である。高周波スイッチ装置７０では、抵抗器Ｒ１～Ｒ３は、図１に示すように、多層基板１２上に設けられていた。一方、高周波スイッチ装置７０'では、抵抗器Ｒ１～Ｒ３は、図４に示すように、プリント配線基板５０に設けられている。より詳細には、プリント配線基板５０には、端子Ｔ１３～Ｔ１５に一端が接続されている電流経路Ｓ１'～Ｓ３'が設けられている。抵抗器Ｒ１～Ｒ３は、電流経路Ｓ１'～Ｓ３'上に設けられている。すなわち、高周波スイッチ装置７０'では、抵抗器Ｒ１～Ｒ３は、高周波スイッチモジュール１０'外に設けられている。更に、コンデンサＣ１～Ｃ３は、一端が抵抗部Ｒ１～Ｒ３よりも端子Ｔ１３～Ｔ１５から離れた位置において電流経路Ｓ１'～Ｓ３'に対して接続され、かつ、他端が接地されている。このような構成によっても、ノイズがコンデンサＣ１～Ｃ３を経由してスイッチ回路１４に戻ることを抑制できる。

　なお、高周波スイッチ装置７０'のその他の構成については、高周波スイッチ装置７０のその他の構成と同じであるので、説明を省略する。

　なお、高周波スイッチ装置７０'では、抵抗器Ｒ１～Ｒ３は、多層基板１２とプリント配線基板５０との接続部分の近傍に設けられていることが望ましい。これにより、スイッチ回路１４から出るノイズをスイッチ回路１４近傍で除去することができ、スイッチ回路１４の他のポートへのノイズの回りこみを低減できる。

　更に、プリント配線基板５０は、電流経路Ｓ１'～Ｓ３'の他端に接続されている制御端子用電極（図示せず）を備えており、抵抗器Ｒ１～Ｒ３は、制御端子用電極の近傍に設けられていてもよい。これにより、他の制御端子電極から抵抗器Ｒ１～Ｒ３を備えた制御端子電極へのノイズの回りこみを低減できる。

（変形例）
　高周波スイッチモジュール１０及び高周波スイッチ装置７０は、前記実施形態に示したものに限らない。よって、これらは、発明の要旨の範囲内において変更可能である。例えば、抵抗器Ｒ１～Ｒ３は、抵抗素子であり、多層基板１２又はプリント配線基板５０に実装されるものとした。しかしながら、抵抗器Ｒ１～Ｒ３の代わりに、抵抗部が多層基板１２又はプリント配線基板５０に直接に設けられていてもよい。この場合、抵抗部は、電流経路Ｓ１～Ｓ３よりも高い抵抗値を有する材料が塗布されてなる配線により構成されていてもよいし、電流経路Ｓ１～Ｓ３よりも細い線幅の配線により構成されていてもよい。

　また、高周波スイッチモジュール１０及び高周波スイッチ装置７０では、端子Ｔ１３～Ｔ１５の全てに対して抵抗器Ｒ１～Ｒ３が設けられているが、端子Ｔ１３～Ｔ１５の全てに抵抗器Ｒ１～Ｒ３が設けられている必要はない。端子Ｔ１３～Ｔ１５のいずれかに抵抗器Ｒ１～Ｒ３が設けられなくても、ノイズの影響が生じない場合がある。このような場合には、ノイズに関与しない端子Ｔ１３～Ｔ１５には、抵抗器Ｒ１～Ｒ３を設けなくてもよい。

　本発明は、高周波スイッチ装置及び高周波スイッチモジュールに有用であり、特に、ノイズがコンデンサを経由してスイッチ回路に戻ることを抑制できる点において優れている。

　Ｃ１～Ｃ３　コンデンサ
　Ｓ１～Ｓ３，Ｓ１'～Ｓ３' 電流経路
　Ｒ１～Ｒ３　抵抗器
　Ｔ１～Ｔ２８　端子
　１０，１０' 高周波スイッチモジュール
　１２　多層基板
　１４　スイッチ回路
　１６，１８　ローパスフィルタ
　２０，２２，２４，２６，２８　ＳＡＷフィルタ
　３０　アンテナ
　５０　プリント配線基板
　７０，７０' 高周波スイッチ装置

Claims

　第１の基板と、
　前記第１の基板に実装されているスイッチ回路と、
　を備えており、
　前記第１の基板は、
　　複数の周波数帯域の高周波信号が入出力する共通端子と、
　　複数の切り替え端子と、
　　前記共通端子に入出力する前記高周波信号の周波数帯域に応じて前記スイッチ回路の制御を行う制御信号が印加される制御端子と、
　　前記制御端子と前記スイッチ回路とを接続する電流経路と、
　　前記電流経路上に直列に設けられ、該電流経路の抵抗値よりも大きな抵抗値を有し、該電流経路を通過するノイズを低減するための抵抗部と、
　を含んでおり、
　前記スイッチ回路は、前記制御信号に基づいて、前記切り替え端子と該共通端子とを接続すること、
　を特徴とする高周波スイッチモジュール。
　前記第１の基板は、
　　一端が前記抵抗部よりも前記制御端子から離れた位置において、前記電流経路に対して接続され、かつ、他端が接地されているコンデンサを、
　更に含んでいること、
　を特徴とする請求項１に記載の高周波スイッチモジュール。
　前記複数の切り替え端子は、送信系端子及び受信系端子からなり、
　前記第１の基板は、
　　前記送信系端子と前記スイッチ回路との間に接続されているローパスフィルタを、
　更に含んでいること、
　を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の高周波スイッチモジュール。
　前記複数の切り替え端子は、送信系端子及び受信系端子からなり、
　前記受信系端子と前記スイッチ回路との間に接続されている表面波フィルタを、
　更に備えていること、
　を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の高周波スイッチモジュール。
　前記抵抗部は、前記スイッチ回路と前記表面波フィルタとの間に配置されていること、
　を特徴とする請求項４に記載の高周波スイッチモジュール。
　前記抵抗部は、前記電流経路と前記スイッチ回路との接続箇所に最も近い該スイッチ回路の辺に沿って設けられていること、
　を特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の高周波スイッチモジュール。
　前記抵抗部は、１ｋΩ以上の抵抗値を有していること、
　を特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の高周波スイッチモジュール。
　前記スイッチ回路は、半導体スイッチであること、
　を特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の高周波スイッチモジュール。
　第１の基板と、
　前記第１の基板が実装されている第２の基板と、
　前記第１の基板に実装されているスイッチ回路と、
　を備えており、
　前記第１の基板は、
　　複数の周波数帯域の高周波信号が入出力する共通端子と、
　　複数の切り替え端子と、
　　前記共通端子に入出力する前記高周波信号の周波数帯域に応じて前記スイッチ回路の制御を行う制御信号が印加される制御端子と、
　を含んでおり、
　前記スイッチ回路は、前記制御信号に基づいて、前記切り替え端子と該共通端子とを接続し、
　前記第２の基板は、
　　前記制御端子に一端が接続されている電流経路と、
　　前記電流経路上に直列に設けられ、該電流経路の抵抗値よりも大きな抵抗値を有し、該電流経路を通過するノイズを低減するための抵抗部と、
　を含んでいること、
　を特徴とする高周波スイッチ装置。
　前記抵抗部は、前記第１の基板と前記第２の基板との接続部分の近傍に設けられていること、
　を特徴とする請求項９に記載の高周波スイッチ装置。
　前記第２の基板は、
　　前記電流経路の他端に接続されている制御端子用電極を、
　更に含み、
　前記抵抗部は、前記制御端子用電極の近傍に設けられていること、
　を特徴とする請求項９又は請求項１０のいずれかに記載の高周波スイッチ装置。
　前記第２の基板は、
　　一端が前記抵抗部よりも前記制御端子から離れた位置において前記電流経路に対して接続され、かつ、他端が接地されているコンデンサを、
　更に含んでいること、
　を特徴とする請求項９ないし請求項１１のいずれかに記載の高周波スイッチ装置。
　前記複数の切り替え端子は、送信系端子及び受信系端子からなり、
　前記第１の基板は、
　　前記送信系端子と前記スイッチ回路との間に接続されているローパスフィルタを、
　更に含んでいること、
　を特徴とする請求項９ないし請求項１２のいずれかに記載の高周波スイッチ装置。
　前記複数の切り替え端子は、送信系端子及び受信系端子からなり、
　前記受信系端子と前記スイッチ回路との間に接続されている表面波フィルタを、
　更に備えていること、
　を特徴とする請求項９ないし請求項１３のいずれかに記載の高周波スイッチ装置。
　前記抵抗部は、１ｋΩ以上の抵抗値を有していること、
　を特徴とする請求項９ないし請求項１４のいずれかに記載の高周波スイッチ装置。
　前記スイッチ回路は、半導体スイッチであること、
　を特徴とする請求項９ないし請求項１５のいずれかに記載の高周波スイッチ装置。