JPH02108301A - λ／４形スイッチ回路 - Google Patents
λ／４形スイッチ回路Info
- Publication number
- JPH02108301A JPH02108301A JP63261887A JP26188788A JPH02108301A JP H02108301 A JPH02108301 A JP H02108301A JP 63261887 A JP63261887 A JP 63261887A JP 26188788 A JP26188788 A JP 26188788A JP H02108301 A JPH02108301 A JP H02108301A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- input
- output terminal
- inductor
- terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 27
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Transceivers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、高周波信号を切り換える電子式スイッチ回
路に係り、特にλ／４形スイッチ回路に関するものであ
る。
路に係り、特にλ／４形スイッチ回路に関するものであ
る。
（従来の技術）
第３図は従来のλ／４形スイッチ回路の構成を説明する
回路図である。
回路図である。
この図において、１は入力端であり、ＤＣカットコンデ
ンサ５を介してダイオード７のアノード側およびＲＦチ
ョークコイル６に接続される。
ンサ５を介してダイオード７のアノード側およびＲＦチ
ョークコイル６に接続される。
２は入出力端であり、ＤＣカットコンデンサ５を介して
ダイオード７のカソード側およびλ／４位相線路８に接
続される。λ／４位相線路８の他端は、ダイオード１２
のアノード側に接続され、ダイオード１２のカソード側
はアースに接続される。３は出力端であり、ＤＣカット
コンデンサ５を介してλ／４位相線路８に接続されてい
る。４はバイアス端であり、ＲＦチョークコイル６に接
続され、バイパスコンデンサ１１を介してアースに接続
されている。
ダイオード７のカソード側およびλ／４位相線路８に接
続される。λ／４位相線路８の他端は、ダイオード１２
のアノード側に接続され、ダイオード１２のカソード側
はアースに接続される。３は出力端であり、ＤＣカット
コンデンサ５を介してλ／４位相線路８に接続されてい
る。４はバイアス端であり、ＲＦチョークコイル６に接
続され、バイパスコンデンサ１１を介してアースに接続
されている。
次に、入力端１と入出力端２とが導通する第１の場合と
、入出力端２と出力端３とが導通する第２の場合とに分
けて動作について説明する。
、入出力端２と出力端３とが導通する第２の場合とに分
けて動作について説明する。
（第１の場合〕
バイアス端４に電圧を印加すると、その電圧値によって
決定される電流がＲＦチョークコイル６を介してダイオ
ード７、λ／４位相線路８．ダイオード１２を経由して
アース方向に流れる。
決定される電流がＲＦチョークコイル６を介してダイオ
ード７、λ／４位相線路８．ダイオード１２を経由して
アース方向に流れる。
このとき、ダイオード７．１２は直流電流により高周波
抵抗値が小さくなる（例えば０．５Ω程度）。従って、
今、入力端１より入力された高周波信号は、ダイオード
７が微小抵抗体となっているため出力端２へ導かれる。
抵抗値が小さくなる（例えば０．５Ω程度）。従って、
今、入力端１より入力された高周波信号は、ダイオード
７が微小抵抗体となっているため出力端２へ導かれる。
このように、ダイオード１２が微小抵抗体となってアー
スに接続されると、ダイオード７のカソード側からダイ
オード１２側を見ると、λ／４長の位置にてアースに接
続された状態となって見える。
スに接続されると、ダイオード７のカソード側からダイ
オード１２側を見ると、λ／４長の位置にてアースに接
続された状態となって見える。
従って、ダイオード７から出力端３側を見ると、インピ
ーダンスＺＬは下記第（１）式により規定される。
ーダンスＺＬは下記第（１）式により規定される。
ＺＬ＝ＺｏｔａｎβＪ２ −−−−−−（１）ただ
し、Ｚｏは特性インピーダンスを示し、１はλ／４位相
線路８の線路長（λ／４）を示し、β＝２π／λを表わ
す。
し、Ｚｏは特性インピーダンスを示し、１はλ／４位相
線路８の線路長（λ／４）を示し、β＝２π／λを表わ
す。
このため、上記第（１）式は、下記第（２）式で表わさ
れ、 ＺＬ ＝Ｚｏ ｔ ａ ｎ （π／ ２） ・・・・
・・（２）＝ ００ となる。
れ、 ＺＬ ＝Ｚｏ ｔ ａ ｎ （π／ ２） ・・・・
・・（２）＝ ００ となる。
従って、入力端１と入出力端２間は導通状態となるとと
もに、入出力端２と出力端３間は非導通状態となる。
もに、入出力端２と出力端３間は非導通状態となる。
〔第２の場合〕
バイアス端４にバイアスを印加しない場合、ダイオード
７．１２の等偏口路上、微小容量を持ったコンデンサと
見なすことができ、この場合のダイオードインピーダン
スＺＤは、下記第（３）式で規定される。
７．１２の等偏口路上、微小容量を持ったコンデンサと
見なすことができ、この場合のダイオードインピーダン
スＺＤは、下記第（３）式で規定される。
Ｚｏ＝１／（ωＣ） ・・・・・・（３）ただ
し、ω＝２πｆであり、Ｃはダイオード容量である。
し、ω＝２πｆであり、Ｃはダイオード容量である。
このとき、ダイオードインピーダンスＺ。が特性インピ
ーダンスＺｏより十分に大きい場合、ダイオード７．１
２はあたかも接続されていないかのように見える。よっ
て、入出力端２より入力された高周波信号は、ＤＣカッ
トコンデンサ５．λ／４位相線路８．ＤＣカットコンデ
ンサ５を介して出力端３に出力される。
ーダンスＺｏより十分に大きい場合、ダイオード７．１
２はあたかも接続されていないかのように見える。よっ
て、入出力端２より入力された高周波信号は、ＤＣカッ
トコンデンサ５．λ／４位相線路８．ＤＣカットコンデ
ンサ５を介して出力端３に出力される。
従って、入出力端２と出力端３間は、導通状態となり、
また、入力１１と入出力端２間は、非導通状態となる。
また、入力１１と入出力端２間は、非導通状態となる。
なお、ＲＦチョークコイル６およびバイパスコンデンサ
１１は、バイアス端４へ高周波信号が漏れないように設
けられている。
１１は、バイアス端４へ高周波信号が漏れないように設
けられている。
従来のλ／４形スイッチ回路は上記のように構成されて
いるので、ダイオード７とダイオード１２は等偏口路上
高周波的に、バイアス電流印加時は微小抵抗体と見なす
とともに、バイアス電流を印加しない場合には、微小容
量コンデンサとみなすことを前提としているが、使用す
るダイオード７またはダイオード１２の特性が、バイア
ス電流印加時に微小抵抗体となるが、バイアス電流を印
加しない場合に容量が大きくなる特性であると、入出力
＠２と出力端３間の損失が大きくなることから、λ／４
形スイッチ特性が大幅に劣化してしまう問題点があフた
。
いるので、ダイオード７とダイオード１２は等偏口路上
高周波的に、バイアス電流印加時は微小抵抗体と見なす
とともに、バイアス電流を印加しない場合には、微小容
量コンデンサとみなすことを前提としているが、使用す
るダイオード７またはダイオード１２の特性が、バイア
ス電流印加時に微小抵抗体となるが、バイアス電流を印
加しない場合に容量が大きくなる特性であると、入出力
＠２と出力端３間の損失が大きくなることから、λ／４
形スイッチ特性が大幅に劣化してしまう問題点があフた
。
この発明は、上記の問題点を解決するためになされたも
ので、λ／４位相線路の両端に設けるダイオード容量が
大きい場合でも入出力端と出力端間の信号損失を損なわ
ないλ／４形スイッチ回路を得ることを目的とする。
ので、λ／４位相線路の両端に設けるダイオード容量が
大きい場合でも入出力端と出力端間の信号損失を損なわ
ないλ／４形スイッチ回路を得ることを目的とする。
（課題を解決するための手段）
この発明に係るλ／４形スイッチ回路は、λ／４位相線
路に接続されるダイオードに対してこのダイオードの容
量と並列共振を起すインダクタンス値を有するインダク
タと直流カット用のコンデンサとが直列接続された回路
を並列に接続したものである。
路に接続されるダイオードに対してこのダイオードの容
量と並列共振を起すインダクタンス値を有するインダク
タと直流カット用のコンデンサとが直列接続された回路
を並列に接続したものである。
この発明においては、λ／４位相線路に接続されるダイ
オードにバイアス電流が印加されない場合に、インダク
タがコンデンサとして機能するダイオード容量とで決定
される値で並列共振し、ダイオードとインダクタの並列
回路インビーダンを高め、λ／４位相線路に人力される
高周波信号の損失を押え、バイアス電流が印加される場
合に、直流カット用のコンデンサがインダクタへのバイ
アス電流印加を阻止する。
オードにバイアス電流が印加されない場合に、インダク
タがコンデンサとして機能するダイオード容量とで決定
される値で並列共振し、ダイオードとインダクタの並列
回路インビーダンを高め、λ／４位相線路に人力される
高周波信号の損失を押え、バイアス電流が印加される場
合に、直流カット用のコンデンサがインダクタへのバイ
アス電流印加を阻止する。
（実施例）
第１図はこの発明の一実施例を示すλ／４形スイッチ回
路の一例を示す回路図である。
路の一例を示す回路図である。
図において、９ａはインダクタで、一端がダイオード７
のアノード側に接続され、他端が直流カット用のコンデ
ンサ１０ａに直列接続され、コンデンサ１０ａの一端が
ダイオード７のカソード側に接続されることにより、イ
ンダクタ９ａとコンデンサ１０ａとが直列接続された回
路がダイオード７に並列接続される。
のアノード側に接続され、他端が直流カット用のコンデ
ンサ１０ａに直列接続され、コンデンサ１０ａの一端が
ダイオード７のカソード側に接続されることにより、イ
ンダクタ９ａとコンデンサ１０ａとが直列接続された回
路がダイオード７に並列接続される。
９ｂはインダクタで、一端がλ／４位相線路８に接続さ
れ、他端が直流カット用のコンデンサ１０ｂに接続され
、コンデンサ１０ｂの他端はアースされており、インダ
クタ９ｂとコンデンサ１０ｂとが直列された回路がダイ
オード１２に並列接続される。
れ、他端が直流カット用のコンデンサ１０ｂに接続され
、コンデンサ１０ｂの他端はアースされており、インダ
クタ９ｂとコンデンサ１０ｂとが直列された回路がダイ
オード１２に並列接続される。
なお、インダクタ９ａ、９ｂは、バイアスオフ時に、ダ
イオード容量と並列共振するように構成され、インダク
タンスしは、下記第（４）式により求めた値となる。
イオード容量と並列共振するように構成され、インダク
タンスしは、下記第（４）式により求めた値となる。
Ｌ＝１／ （（２πｆ）２ｘＣ） （）（）−・・−
（４）ただし、ｆは本スイッチの使用伝送周波数を表わ
し、Ｃはバイアスオフ時のダイオード容量を表わす。
（４）ただし、ｆは本スイッチの使用伝送周波数を表わ
し、Ｃはバイアスオフ時のダイオード容量を表わす。
また、コンデンサ１０ａ、１０ｂは、バイアス電圧印加
時に、バイアス電流をダイオード７．１２側に流すよう
に機能（インダクタ９ａ、９ｂ側への流入を阻止する機
能）し、容量値としては使用周波数に対して十分に大き
な値であって、インピーダンスとしては微小であり、共
振特性、伝送特性に影響を与えるものではない。
時に、バイアス電流をダイオード７．１２側に流すよう
に機能（インダクタ９ａ、９ｂ側への流入を阻止する機
能）し、容量値としては使用周波数に対して十分に大き
な値であって、インピーダンスとしては微小であり、共
振特性、伝送特性に影響を与えるものではない。
次に、入力端１と入出力端２とが導通する第１の場合と
、入出力端２と出力端３とが導通する第２の場合とに分
けて動作について説明する。
、入出力端２と出力端３とが導通する第２の場合とに分
けて動作について説明する。
（第１の場合）
バイアス端４に電圧を印加すると、その印加電圧値によ
って決定される電流がＲＦチョークコイル６を介してダ
イオード７、λ／４位相線路８゜ダイオード１２を経由
してアースへ導かれる。
って決定される電流がＲＦチョークコイル６を介してダ
イオード７、λ／４位相線路８゜ダイオード１２を経由
してアースへ導かれる。
なお、ダイオード７．１２は、直流電流が印加されるこ
とにより、等価回路上、高周波抵抗体となり、その値は
特性インピーダンスｚ０に比較して十分小さくなる。
とにより、等価回路上、高周波抵抗体となり、その値は
特性インピーダンスｚ０に比較して十分小さくなる。
従って、入力端１より人力された高周波信号は、ダイオ
ード７が微小抵抗体となるため、低損失状態で入出力端
２に導かれる。
ード７が微小抵抗体となるため、低損失状態で入出力端
２に導かれる。
このとき、入出力端２から出力端３を見たインピーダン
スＺＬは、λ／４位相位置でダイオード１２が微小抵抗
体としてアースにシャントされているため、上述したよ
うに、上記第（１）式、第（２）式よりインピーダンス
ＺＬは、無限大とみなさせる。
スＺＬは、λ／４位相位置でダイオード１２が微小抵抗
体としてアースにシャントされているため、上述したよ
うに、上記第（１）式、第（２）式よりインピーダンス
ＺＬは、無限大とみなさせる。
よって、入力端１と入出力端２との間は導通状態となり
、入出力端２と出力端３との間は非導通状態となる。
、入出力端２と出力端３との間は非導通状態となる。
なお、このとき、インダクタ９ａ、９ｂは、ダイオ−、
ドア、１２が微小抵抗体として機能するため、ＲＦチョ
ークコイルとして機能し、伝送特性に大きな影響を与え
ることはない。
ドア、１２が微小抵抗体として機能するため、ＲＦチョ
ークコイルとして機能し、伝送特性に大きな影響を与え
ることはない。
（第２の場合〕
バイアス端４にバイアスを印加しない場合、ダイオード
７．１２は等価回路上、微小容量をもったコンデンサと
見なすことができるため、上述した通り、インダクタ９
ａのインダクタンスＬとダイオード７の容量およびイン
ダクタ９ｂのインダクタンスＬとダイオード１２の容量
で決定される並列共振が起こり、並列回路のインピーダ
ンスは伝送周波数に対して無限大となる。
７．１２は等価回路上、微小容量をもったコンデンサと
見なすことができるため、上述した通り、インダクタ９
ａのインダクタンスＬとダイオード７の容量およびイン
ダクタ９ｂのインダクタンスＬとダイオード１２の容量
で決定される並列共振が起こり、並列回路のインピーダ
ンスは伝送周波数に対して無限大となる。
よって、入出力端２より入力された高周波信号は、ダイ
オード容量が大きくても損失が少なくなった状態で出力
端３へ導かれて導通状態となる。
オード容量が大きくても損失が少なくなった状態で出力
端３へ導かれて導通状態となる。
なお、このとき、入力端１と入出力４２との間が非導通
状態となることは上述の通りである。
状態となることは上述の通りである。
なお、上記実施例では、λ／４位相線路８の両端に接続
されるダイオード７．１２に対して双方にインダクタと
直流カット用のコンデンサとが接続された回路を並列接
続する場合について説明したが、第２図に示すように、
高周波入力側のダイオード７に対してのみ上記直列接続
されたインダクタ９ａと直流カット用のコンデンサ１０
ａを並列接続しても同様の効果が期待できる。
されるダイオード７．１２に対して双方にインダクタと
直流カット用のコンデンサとが接続された回路を並列接
続する場合について説明したが、第２図に示すように、
高周波入力側のダイオード７に対してのみ上記直列接続
されたインダクタ９ａと直流カット用のコンデンサ１０
ａを並列接続しても同様の効果が期待できる。
以上説明したように、この発明はλ／４位相線路に接続
されるダイオードに対してこのダイオードの容量と並列
共振を起すインダクタンス値を有するインダクタと直流
カット用のコンデンサとが直列接続された回路を並列に
接続したので、λ／４位相線路に接続されるダイオード
の容量が大きい場合であっても、バイアス電圧を印加し
ない場合に、ダイオードを含む並列回路のインピーダン
スを増加できるため、伝送損失を非常に小さくすること
ができる優れた効果を奏する。
されるダイオードに対してこのダイオードの容量と並列
共振を起すインダクタンス値を有するインダクタと直流
カット用のコンデンサとが直列接続された回路を並列に
接続したので、λ／４位相線路に接続されるダイオード
の容量が大きい場合であっても、バイアス電圧を印加し
ない場合に、ダイオードを含む並列回路のインピーダン
スを増加できるため、伝送損失を非常に小さくすること
ができる優れた効果を奏する。
第１図はこの発明の一実施例を示すλ／４形スイスイン
チ回路例を示す回路図、第２図はこの発明の他の実施例
を示すλ／４形スイッチ回路の一例を示す回路図、第３
図は従来のλ／４形スイッチ回路の構成を説明する回路
図である。 図において、１は入力端、２は入出力端、３は出力端、
４はバイアス端、５．１０ａ、１０ｂはＤＣカットコン
デンサ、６はＲＦチョークコイル、７．１２はダイオー
ド、８はλ／４位相線路、９ａ、９ｂはインダクタ、１
１はバイパスコンデンサである。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
チ回路例を示す回路図、第２図はこの発明の他の実施例
を示すλ／４形スイッチ回路の一例を示す回路図、第３
図は従来のλ／４形スイッチ回路の構成を説明する回路
図である。 図において、１は入力端、２は入出力端、３は出力端、
４はバイアス端、５．１０ａ、１０ｂはＤＣカットコン
デンサ、６はＲＦチョークコイル、７．１２はダイオー
ド、８はλ／４位相線路、９ａ、９ｂはインダクタ、１
１はバイパスコンデンサである。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 入力端と入出力端間にダイオードが介在し、前記入出力
端と出力端間にλ／４位相線路が介在し、かつこのλ／
４位相線路の前記出力端側がダイオードを介して接地さ
れ、前記各ダイオードに流すバイアス電流の有無によっ
て入力される高周波信号をＯＮ／ＯＦＦするλ／４形ス
イッチ回路において、少なくとも前記入力端側のダイオ
ードに対してこのダイオードの容量と並列共振を起すイ
ンダクタンス値を有するインダクタと直流カット用のコ
ンデンサとが直列接続された回路を並列に接続したこと
を特徴とするλ／４形スイッチ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63261887A JPH02108301A (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | λ／４形スイッチ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63261887A JPH02108301A (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | λ／４形スイッチ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02108301A true JPH02108301A (ja) | 1990-04-20 |
Family
ID=17368146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63261887A Pending JPH02108301A (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | λ／４形スイッチ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02108301A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5289142A (en) * | 1992-03-31 | 1994-02-22 | Raytheon Company | Transmit/receive switch for phased array antenna |
| JPH06197040A (ja) * | 1992-12-26 | 1994-07-15 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波スイッチ |
| JPH06197038A (ja) * | 1992-12-22 | 1994-07-15 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波スイッチ |
| US5499000A (en) * | 1994-05-17 | 1996-03-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency switch |
| US5634200A (en) * | 1993-03-30 | 1997-05-27 | Sony Corporation | Antenna duplexer and transmitting/receiving apparatus using the same |
| WO1998056060A1 (fr) * | 1997-06-03 | 1998-12-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Commutateur a deux frequences, dispositif utilisant une antenne a deux frequences commune, et equipement de radiocommunication mobile pour deux bandes de frequence, utilisant ledit dispositif |
| WO2000018026A1 (de) * | 1998-09-17 | 2000-03-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Mehrband-antennenschalter |
| WO2001022523A1 (fr) * | 1999-09-21 | 2001-03-29 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Circuit de commutation haute frequence |
| JP2002280802A (ja) * | 2001-03-15 | 2002-09-27 | Hitachi Metals Ltd | スイッチ回路 |
| US6847269B2 (en) | 2000-03-15 | 2005-01-25 | Hitachi Metals, Ltd. | High-frequency module and wireless communication device |
| US7253702B2 (en) | 2000-11-01 | 2007-08-07 | Hitachi Metals, Ltd. | High-frequency switch module |
| JP2007529165A (ja) * | 2003-10-30 | 2007-10-18 | アバゴ・テクノロジーズ・ジェネラル・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド | コモンモード除去が増大された薄膜音響結合変成器 |
| US7363020B2 (en) | 2004-08-20 | 2008-04-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Diode mixer |
| US7468543B2 (en) | 2003-09-19 | 2008-12-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device, communication device, and semiconductor device inspecting method |
-
1988
- 1988-10-17 JP JP63261887A patent/JPH02108301A/ja active Pending
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5289142A (en) * | 1992-03-31 | 1994-02-22 | Raytheon Company | Transmit/receive switch for phased array antenna |
| JPH06197038A (ja) * | 1992-12-22 | 1994-07-15 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波スイッチ |
| JPH06197040A (ja) * | 1992-12-26 | 1994-07-15 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波スイッチ |
| US5473293A (en) * | 1992-12-26 | 1995-12-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency switch |
| US5634200A (en) * | 1993-03-30 | 1997-05-27 | Sony Corporation | Antenna duplexer and transmitting/receiving apparatus using the same |
| US5499000A (en) * | 1994-05-17 | 1996-03-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency switch |
| US6496083B1 (en) | 1997-06-03 | 2002-12-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Diode compensation circuit including two series and one parallel resonance points |
| WO1998056060A1 (fr) * | 1997-06-03 | 1998-12-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Commutateur a deux frequences, dispositif utilisant une antenne a deux frequences commune, et equipement de radiocommunication mobile pour deux bandes de frequence, utilisant ledit dispositif |
| US6795714B1 (en) | 1998-09-17 | 2004-09-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Multiband antenna switcher |
| WO2000018026A1 (de) * | 1998-09-17 | 2000-03-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Mehrband-antennenschalter |
| WO2001022523A1 (fr) * | 1999-09-21 | 2001-03-29 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Circuit de commutation haute frequence |
| US7026887B2 (en) | 2000-03-15 | 2006-04-11 | Hitachi Metals, Ltd | High-frequency composite part and wireless communications device comprising it |
| US6847269B2 (en) | 2000-03-15 | 2005-01-25 | Hitachi Metals, Ltd. | High-frequency module and wireless communication device |
| EP2197120A2 (en) | 2000-03-15 | 2010-06-16 | Hitachi Metals, Ltd. | High-frequency module and wireless communication device |
| US7253702B2 (en) | 2000-11-01 | 2007-08-07 | Hitachi Metals, Ltd. | High-frequency switch module |
| EP2437400A1 (en) | 2000-11-01 | 2012-04-04 | Hitachi Metals, Ltd. | High-frequency switch module |
| JP2002280802A (ja) * | 2001-03-15 | 2002-09-27 | Hitachi Metals Ltd | スイッチ回路 |
| US7468543B2 (en) | 2003-09-19 | 2008-12-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device, communication device, and semiconductor device inspecting method |
| JP2007529165A (ja) * | 2003-10-30 | 2007-10-18 | アバゴ・テクノロジーズ・ジェネラル・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド | コモンモード除去が増大された薄膜音響結合変成器 |
| JP4796501B2 (ja) * | 2003-10-30 | 2011-10-19 | アバゴ・テクノロジーズ・ジェネラル・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド | コモンモード除去が増大された薄膜音響結合変成器 |
| US7363020B2 (en) | 2004-08-20 | 2008-04-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Diode mixer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5852384A (en) | Dual band oscillator circuit using strip line resonators | |
| US7911294B2 (en) | Variable-frequency band-elimination filter | |
| JP5050062B2 (ja) | インピーダンス整合特性を制御するために発生器の出力とプラズマ容器の入力との間に結合された制御されたインピーダンス・ネットワーク | |
| JPH02108301A (ja) | λ／４形スイッチ回路 | |
| EP1324420B1 (en) | Dielectric filter, dielectric duplexer and communication apparatus | |
| JPH06140862A (ja) | モノシリックに実現可能な無線周波数バイアス・チョーク | |
| WO1998052277A1 (en) | Varactor tuned microstrip line resonator and vco using same | |
| JP3454163B2 (ja) | 周波数可変型フィルタ、アンテナ共用器及び通信機装置 | |
| US6411176B1 (en) | Voltage-controlled duplexer and communication apparatus | |
| JPS61205016A (ja) | 数個の周波数範囲の切換を行うチユーナ用切換回路配置 | |
| JP2002009505A (ja) | フィルタ、アンテナ共用器および通信機装置 | |
| WO1992017912A1 (en) | Wide band frequency allotment type signal selection device utilizing electromagnetic coupling | |
| JP3296038B2 (ja) | 高周波スイッチ | |
| KR20080061262A (ko) | 발진기 | |
| US6229412B1 (en) | PIN diode switch to AC ground with three biasing sources | |
| JP2001156593A (ja) | テレビジョンチューナの入力回路 | |
| US7292834B2 (en) | Switchable high frequency bandpass filter | |
| JPH09307354A (ja) | 共振器とこれを用いた電圧制御発振器 | |
| JP4511014B2 (ja) | 同調可能な発振回路を有する発振器 | |
| JP3839123B2 (ja) | 同調周波数可変フィルタ | |
| US11722135B2 (en) | Superconducting AC switch system | |
| JPH066619Y2 (ja) | 入力同調回路 | |
| JPH07321586A (ja) | 周波数帯域可変フィルタ | |
| CN213754470U (zh) | 单刀多掷开关 | |
| KR100477210B1 (ko) | 전압제어 발진기 |