JP2000077969A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
- Publication number
- JP2000077969A JP2000077969A JP10245672A JP24567298A JP2000077969A JP 2000077969 A JP2000077969 A JP 2000077969A JP 10245672 A JP10245672 A JP 10245672A JP 24567298 A JP24567298 A JP 24567298A JP 2000077969 A JP2000077969 A JP 2000077969A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- surface acoustic
- electrode
- balanced
- balun
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 大きな比帯域幅を有し小型化が可能な優れた
不平衡入力−平衡出力型あるいは平衡入力−不平衡出力
型の弾性表面波装置を提供すること。 【解決手段】 入力電極及び出力電極が形成された基体
34上に、入力電極又は出力電極に接続され平衡−不平
衡変換又は不平衡−平衡変換を行うバラン素子2と、圧
電基板15上にバラン素子2に接続される励振電極11
aを形成した弾性表面波素子1とを順次重ねて配置して
成る弾性表面波装置S1とする。
不平衡入力−平衡出力型あるいは平衡入力−不平衡出力
型の弾性表面波装置を提供すること。 【解決手段】 入力電極及び出力電極が形成された基体
34上に、入力電極又は出力電極に接続され平衡−不平
衡変換又は不平衡−平衡変換を行うバラン素子2と、圧
電基板15上にバラン素子2に接続される励振電極11
aを形成した弾性表面波素子1とを順次重ねて配置して
成る弾性表面波装置S1とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、自動車電
話及び携帯電話等の移動体無線機器等に内蔵される周波
数帯域フィルタ等の弾性表面波装置に関し、特に、不平
衡入力−平衡出力型あるいは平衡入力−不平衡出力型の
弾性表面波装置に関する。
話及び携帯電話等の移動体無線機器等に内蔵される周波
数帯域フィルタ等の弾性表面波装置に関し、特に、不平
衡入力−平衡出力型あるいは平衡入力−不平衡出力型の
弾性表面波装置に関する。
【0002】
【従来技術とその課題】近年、移動体通信用の周波数帯
域フィルタは広帯域化が要求されるようになってきてお
り、中心周波数に対する通過帯域幅の比率(以下、比帯
域幅ともいう)は、例えば中心周波数942MHzに対して、
35MHz(約3.7 %) に増加している。また、温度によるフ
ィルタ特性のシフト分と、製造によるフィルタ特性のば
らつき分とを考慮し、通常は通過帯域幅は上記要求より
大きめ(例えば約50MHz 、約5.3%)に設定する必要が
ある。
域フィルタは広帯域化が要求されるようになってきてお
り、中心周波数に対する通過帯域幅の比率(以下、比帯
域幅ともいう)は、例えば中心周波数942MHzに対して、
35MHz(約3.7 %) に増加している。また、温度によるフ
ィルタ特性のシフト分と、製造によるフィルタ特性のば
らつき分とを考慮し、通常は通過帯域幅は上記要求より
大きめ(例えば約50MHz 、約5.3%)に設定する必要が
ある。
【0003】また、移動体通信機器等の小型・軽量化及
び低コスト化のための使用部品の削減により、弾性表面
波(Surface Acoustic Wave、以下、SAWともいう)装
置に新たな機能の付加が要求されてきており、例えば、
不平衡入力−平衡出力型あるいは平衡入力−不平衡出力
型に対応できるものが要求されている。
び低コスト化のための使用部品の削減により、弾性表面
波(Surface Acoustic Wave、以下、SAWともいう)装
置に新たな機能の付加が要求されてきており、例えば、
不平衡入力−平衡出力型あるいは平衡入力−不平衡出力
型に対応できるものが要求されている。
【0004】ここで、平衡入力あるいは平衡出力とは、
信号が2つの信号線路間の電位差として入力あるいは出
力するものをいい、各信号線路の信号は振幅が等しく、
位相が逆相になっている。これに対して、不平衡入力あ
るいは不平衡出力とは、信号がグランド電位に対する1
本の線路の電位として入力あるいは出力するものをい
う。
信号が2つの信号線路間の電位差として入力あるいは出
力するものをいい、各信号線路の信号は振幅が等しく、
位相が逆相になっている。これに対して、不平衡入力あ
るいは不平衡出力とは、信号がグランド電位に対する1
本の線路の電位として入力あるいは出力するものをい
う。
【0005】従来のSAWフィルタは、一般的に不平衡
入力−不平衡出力型SAWフィルタ(以下、不平衡型S
AWフィルタと略す)であるため、SAWフィルタ後段
の回路や電子部品が平衡入力型となっている場合は、S
AWフィルタと後段との間に、不平衡−平衡変換器であ
るバラン素子を挿入した回路構成を採用していた。
入力−不平衡出力型SAWフィルタ(以下、不平衡型S
AWフィルタと略す)であるため、SAWフィルタ後段
の回路や電子部品が平衡入力型となっている場合は、S
AWフィルタと後段との間に、不平衡−平衡変換器であ
るバラン素子を挿入した回路構成を採用していた。
【0006】同様に、SAWフィルタ前段の回路や電子
部品が平衡出力型となっている場合は、前段とSAWフ
ィルタとの間に平衡−不平衡変換器でもあるバラン素子
を挿入した回路構成としていた。
部品が平衡出力型となっている場合は、前段とSAWフ
ィルタとの間に平衡−不平衡変換器でもあるバラン素子
を挿入した回路構成としていた。
【0007】現在、バラン素子を用いずに、SAWフィ
ルタに不平衡−平衡変換機能あるいは平衡−不平衡変換
機能を持たせた、いわゆる不平衡入力−平衡出力型SA
Wフィルタあるいは平衡入力−不平衡出力型SAWフィ
ルタ(以下、平衡型SAWフィルタと略す)の実用化が
進められている。
ルタに不平衡−平衡変換機能あるいは平衡−不平衡変換
機能を持たせた、いわゆる不平衡入力−平衡出力型SA
Wフィルタあるいは平衡入力−不平衡出力型SAWフィ
ルタ(以下、平衡型SAWフィルタと略す)の実用化が
進められている。
【0008】しかしながら、例えば、図7に示すような
従来の平衡型SAWフィルタJは、設計上、大きな比帯
域幅を得るのが困難である。それに対して、不平衡型S
AWフィルタは大きな比帯域幅を得ることができる反
面、バラン素子が必要になり、装置全体が大面積化する
といった問題がある。なお、図7において、D1は櫛歯
状のIDT電極、D2は反射器電極であり、I1は入力
端子、O1,O2はそれぞれ出力端子を示す。
従来の平衡型SAWフィルタJは、設計上、大きな比帯
域幅を得るのが困難である。それに対して、不平衡型S
AWフィルタは大きな比帯域幅を得ることができる反
面、バラン素子が必要になり、装置全体が大面積化する
といった問題がある。なお、図7において、D1は櫛歯
状のIDT電極、D2は反射器電極であり、I1は入力
端子、O1,O2はそれぞれ出力端子を示す。
【0009】そこで本発明は、上記事情に鑑みて提案さ
れたものであり、その目的は大きな比帯域幅を有し小型
化が可能な優れた不平衡入力−平衡出力型あるいは平衡
入力−不平衡出力型の弾性表面波装置を提供することに
ある。
れたものであり、その目的は大きな比帯域幅を有し小型
化が可能な優れた不平衡入力−平衡出力型あるいは平衡
入力−不平衡出力型の弾性表面波装置を提供することに
ある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の弾性表面波装置
は、入力電極及び出力電極が形成された基体上に、前記
入力電極又は出力電極に接続され平衡−不平衡変換又は
不平衡−平衡変換を行うバラン素子と、圧電基板上に前
記バラン素子に接続される励振電極を形成した弾性表面
波素子とを順次重ねて配置して成る。
は、入力電極及び出力電極が形成された基体上に、前記
入力電極又は出力電極に接続され平衡−不平衡変換又は
不平衡−平衡変換を行うバラン素子と、圧電基板上に前
記バラン素子に接続される励振電極を形成した弾性表面
波素子とを順次重ねて配置して成る。
【0011】また、積層配線基板から成るバラン素子上
に、該バラン素子に接続される励振電極を形成した圧電
基板から成る弾性表面波素子を収容したパッケージを配
設してもよい。すなわち、励振電極を形成した圧電基板
から成る弾性表面波素子を収容したパッケージの外部端
子面を、上面に接続端子を有する積層配線基板から成る
バラン素子上に載置した実装構成とする。
に、該バラン素子に接続される励振電極を形成した圧電
基板から成る弾性表面波素子を収容したパッケージを配
設してもよい。すなわち、励振電極を形成した圧電基板
から成る弾性表面波素子を収容したパッケージの外部端
子面を、上面に接続端子を有する積層配線基板から成る
バラン素子上に載置した実装構成とする。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る弾性表面波装
置の実施形態について図面に基づき詳細に説明する。
置の実施形態について図面に基づき詳細に説明する。
【0013】図1(a),(b)は、それぞれ弾性表面
波装置S1の縦断面図,横断面図である。図1に示すよ
うに、弾性表面波装置S1は後記する入力電極及び出力
電極が形成され、セラミック等から成るパッケージ3を
構成する基体34上に、入力電極又は出力電極に接続さ
れ、平衡−不平衡変換又は不平衡−平衡変換を行うセラ
ミック等で構成された積層配線基板から成るバラン素子
2と、圧電基板15上にバラン素子2に電気的に接続さ
れる励振電極等の電極11から成るSAW素子1とを順
次重ねて配置して成る。
波装置S1の縦断面図,横断面図である。図1に示すよ
うに、弾性表面波装置S1は後記する入力電極及び出力
電極が形成され、セラミック等から成るパッケージ3を
構成する基体34上に、入力電極又は出力電極に接続さ
れ、平衡−不平衡変換又は不平衡−平衡変換を行うセラ
ミック等で構成された積層配線基板から成るバラン素子
2と、圧電基板15上にバラン素子2に電気的に接続さ
れる励振電極等の電極11から成るSAW素子1とを順
次重ねて配置して成る。
【0014】ここで、パッケージ3は上記基体34上
に、第1枠体33,第2枠体32,蓋体31が積層され
て構成されている。バラン素子2はフリップチップ法に
より基体34上の所定位置に載置固定されている。さら
に、SAW素子1はバラン素子2上にシリコン樹脂等の
接着部材により接着され載置固定されている。なお、w
はAu線等から成るワイヤーであり、SAW素子1とバ
ラン素子2、SAW素子1とパッケージ3、バラン素子
2とパッケージ3との間で配線が施されている。また、
図中、12〜14はそれぞれ電極パッドを示す。
に、第1枠体33,第2枠体32,蓋体31が積層され
て構成されている。バラン素子2はフリップチップ法に
より基体34上の所定位置に載置固定されている。さら
に、SAW素子1はバラン素子2上にシリコン樹脂等の
接着部材により接着され載置固定されている。なお、w
はAu線等から成るワイヤーであり、SAW素子1とバ
ラン素子2、SAW素子1とパッケージ3、バラン素子
2とパッケージ3との間で配線が施されている。また、
図中、12〜14はそれぞれ電極パッドを示す。
【0015】図2(a)はSAW素子1とバラン素子2
により形成される複合素子の縦断面を、図2(b),
(c)はその平面形状を図示したものである。なお、図
2(b)は絶縁体層41は断面形状を示している。
により形成される複合素子の縦断面を、図2(b),
(c)はその平面形状を図示したものである。なお、図
2(b)は絶縁体層41は断面形状を示している。
【0016】図2(a)〜(c)に示すように、バラン
素子2は絶縁体層と導電体パターンとが多層に積層され
た積層配線基板であり、上部層4と下部層5とから成
る。上部層4は絶縁体層42,導電体パターン43,こ
の導電体パターン43を外部に露出させる開口部41a
を有する絶縁体層41から成る。また、下部層5は絶縁
体層51と導電体パターン52とから成り、導電体パタ
ーン52はピンホールを通じて外部と接続できるように
形成されており、出力端子部52a,52b、グランド
端子部52cを有している。すなわち、これら端子部は
パッケージ3に形成された電極に接続される。
素子2は絶縁体層と導電体パターンとが多層に積層され
た積層配線基板であり、上部層4と下部層5とから成
る。上部層4は絶縁体層42,導電体パターン43,こ
の導電体パターン43を外部に露出させる開口部41a
を有する絶縁体層41から成る。また、下部層5は絶縁
体層51と導電体パターン52とから成り、導電体パタ
ーン52はピンホールを通じて外部と接続できるように
形成されており、出力端子部52a,52b、グランド
端子部52cを有している。すなわち、これら端子部は
パッケージ3に形成された電極に接続される。
【0017】導電体パターン43はAu等の金属から成
る電極であり、インダクタ成分を持つように設計し、螺
旋型やミアンダ型の形状等に形成される。また、その両
端をボンディングパッドに接続し、ワイヤーを介して、
一方はSAW素子1へ、他方はパッケージ3の後記する
グランド電極へ接続される。
る電極であり、インダクタ成分を持つように設計し、螺
旋型やミアンダ型の形状等に形成される。また、その両
端をボンディングパッドに接続し、ワイヤーを介して、
一方はSAW素子1へ、他方はパッケージ3の後記する
グランド電極へ接続される。
【0018】導電体パターン52も導電体パターン43
と同様な材質,特性を有するように設計されており、そ
の両端及び中間部が、絶縁体層51のピンホールを介し
てバラン素子の裏面に形成したパッドと接続するように
形成されている。バラン素子2の裏面側の両端のパッド
52a,52bはそれぞれパッケージ3の後記する出力
1電極、出力2電極へ接続され、中間部のパッド52c
はパッケージ3の後記するグランド電極へ接続される。
と同様な材質,特性を有するように設計されており、そ
の両端及び中間部が、絶縁体層51のピンホールを介し
てバラン素子の裏面に形成したパッドと接続するように
形成されている。バラン素子2の裏面側の両端のパッド
52a,52bはそれぞれパッケージ3の後記する出力
1電極、出力2電極へ接続され、中間部のパッド52c
はパッケージ3の後記するグランド電極へ接続される。
【0019】図3(a),(b)はパッケージを構成す
る一部層の平面を示す図である。図3(a)に示すよう
に、第1枠体33において入力電極33a及びグランド
電極33b,33cが形成されている。また、図3
(b)に示すように、基体34には、入力電極34a、
出力1電極34b、出力2電極34c及びグランド電極
34dが構成されている。ここで、破線で示す位置に前
記SAW素子とバラン素子の複合素子が載置固定され
る。複合素子の裏面に形成された電極とパッケージの電
極は、フリップチップ法によりそれぞれ接続され、導通
がとれる構成となっている。
る一部層の平面を示す図である。図3(a)に示すよう
に、第1枠体33において入力電極33a及びグランド
電極33b,33cが形成されている。また、図3
(b)に示すように、基体34には、入力電極34a、
出力1電極34b、出力2電極34c及びグランド電極
34dが構成されている。ここで、破線で示す位置に前
記SAW素子とバラン素子の複合素子が載置固定され
る。複合素子の裏面に形成された電極とパッケージの電
極は、フリップチップ法によりそれぞれ接続され、導通
がとれる構成となっている。
【0020】上記のような構成により、弾性表面波装置
S1に入力した不平衡な信号はSAW素子1、バラン素
子2を通過し、平衡な信号に変換され出力することがで
きる。また、SAW素子は不平衡型SAWフィルタでも
問題が無いため、大きな比帯域幅を得る設計が可能であ
る。また、また、従来のバラン素子を平面的に配置して
接続した弾性表面波装置より1/2以下の実装面積とな
り、小型化を実現することができる。
S1に入力した不平衡な信号はSAW素子1、バラン素
子2を通過し、平衡な信号に変換され出力することがで
きる。また、SAW素子は不平衡型SAWフィルタでも
問題が無いため、大きな比帯域幅を得る設計が可能であ
る。また、また、従来のバラン素子を平面的に配置して
接続した弾性表面波装置より1/2以下の実装面積とな
り、小型化を実現することができる。
【0021】次に、図5(a)に縦断面図、図5(b)
に横断面図を示す弾性表面波装置S2について説明す
る。弾性表面波装置S2は、上面に接続端子部7aを形
成した積層配線基板から成るバラン素子7上に、SAW
素子6を収容し下部に接続端子部(外部端子面)85を
形成したパッケージ8を配設したものであり、バラン素
子7にはSAW素子6を構成する櫛歯状の励振電極61
aや反射器電極61b等の電極61、入出力パッド62
〜64に接続されており、これらは圧電基板65上に形
成されている。
に横断面図を示す弾性表面波装置S2について説明す
る。弾性表面波装置S2は、上面に接続端子部7aを形
成した積層配線基板から成るバラン素子7上に、SAW
素子6を収容し下部に接続端子部(外部端子面)85を
形成したパッケージ8を配設したものであり、バラン素
子7にはSAW素子6を構成する櫛歯状の励振電極61
aや反射器電極61b等の電極61、入出力パッド62
〜64に接続されており、これらは圧電基板65上に形
成されている。
【0022】ここで、パッケージ8は基体84上に、第
1枠体83,第2枠体82,蓋体81が積層されて構成
されており、このパッケージ8の下面にバラン素子7が
導電性の接着部材及び電極層を介して接合されている。
なお、wはAu線等から成るワイヤーでありSAW素子
6とパッケージ8との間で配線されている。また、図
中、62〜64は電極パッドであり、83a〜83cは
第1枠体83に形成された電極パターンである。
1枠体83,第2枠体82,蓋体81が積層されて構成
されており、このパッケージ8の下面にバラン素子7が
導電性の接着部材及び電極層を介して接合されている。
なお、wはAu線等から成るワイヤーでありSAW素子
6とパッケージ8との間で配線されている。また、図
中、62〜64は電極パッドであり、83a〜83cは
第1枠体83に形成された電極パターンである。
【0023】また、SAW素子6はフェイスアップ実装
またはフリップチップ法によりパッケージ8内の基体8
4上の所定位置に載置固定され、Au線等から成るワイ
ヤーにより電気的配線が施された形状となっている。そ
して、パッケージ8のシートおよびバラン素子7のシー
トをエポキシ等の接着樹脂および高温はんだにより機械
的且つ電気的に接続且つ載置固定されている。
またはフリップチップ法によりパッケージ8内の基体8
4上の所定位置に載置固定され、Au線等から成るワイ
ヤーにより電気的配線が施された形状となっている。そ
して、パッケージ8のシートおよびバラン素子7のシー
トをエポキシ等の接着樹脂および高温はんだにより機械
的且つ電気的に接続且つ載置固定されている。
【0024】図6(a)はバラン素子7の積層構造を説
明する縦断面図であり、図6(b)〜(e)は各層の横
断面図を示す。図6に示すように、バラン素子7の場合
も上述のごとく絶縁体層と導電体パターンとが多層に積
層された積層配線基板であり、上部層9と下部層10と
から成る。上部層9は絶縁体層92,導電体パターン9
3,絶縁体層91から成る。また、下部層10は絶縁体
層101と導電体パターン102とから成り、導電体パ
ターン102はピンホールを通じて外部と接続させるよ
うに形成されており、出力端子部102a,102b、
グランド端子部102cを有している。
明する縦断面図であり、図6(b)〜(e)は各層の横
断面図を示す。図6に示すように、バラン素子7の場合
も上述のごとく絶縁体層と導電体パターンとが多層に積
層された積層配線基板であり、上部層9と下部層10と
から成る。上部層9は絶縁体層92,導電体パターン9
3,絶縁体層91から成る。また、下部層10は絶縁体
層101と導電体パターン102とから成り、導電体パ
ターン102はピンホールを通じて外部と接続させるよ
うに形成されており、出力端子部102a,102b、
グランド端子部102cを有している。
【0025】絶縁体層91の上面にはパッケージ8と電
気的に接続されるパッドが最低3個以上形成されてい
る。ここで、パッド93aはパッケージ8への入力信号
との接合用、パッド93bはパッケージ8からの不平衡
信号出力との接合用、パッド93c〜93eはパッケー
ジ8のグランド電極との接合用、パッド93fはであ
る。
気的に接続されるパッドが最低3個以上形成されてい
る。ここで、パッド93aはパッケージ8への入力信号
との接合用、パッド93bはパッケージ8からの不平衡
信号出力との接合用、パッド93c〜93eはパッケー
ジ8のグランド電極との接合用、パッド93fはであ
る。
【0026】これらパッドは、フィルタ回路として考慮
した場合、入力用のグランドと出力用のグランドを分離
し、且つグランドの質を高める目的で多数個配置するこ
とが好適といえる。
した場合、入力用のグランドと出力用のグランドを分離
し、且つグランドの質を高める目的で多数個配置するこ
とが好適といえる。
【0027】絶縁層92上にはAu、Ag、Cu等の金属から
成る導電体パターン93が形成されており、この導電体
パターンはインダクタ成分を持つように設計され、上述
したようにら旋型やミアンダ型の形状等で細長く形成す
るため、特に、高周波の場合は表皮効果による導電損に
よりインダクタンスのQ値が劣化しないよう配慮するこ
とが重要である。また、両端がビアを経由し、パッケー
ジ8からの不平衡信号の電極接合用のパッドおよびPK
Gグランドとそれぞれ接続される。
成る導電体パターン93が形成されており、この導電体
パターンはインダクタ成分を持つように設計され、上述
したようにら旋型やミアンダ型の形状等で細長く形成す
るため、特に、高周波の場合は表皮効果による導電損に
よりインダクタンスのQ値が劣化しないよう配慮するこ
とが重要である。また、両端がビアを経由し、パッケー
ジ8からの不平衡信号の電極接合用のパッドおよびPK
Gグランドとそれぞれ接続される。
【0028】絶縁層101には所定位置にビアホールが
形成されており、導電体パターン102が上記導電体パ
ターン93と同様にして形成されている。また、両端お
よび中間部が、絶縁体層101のビアホールを介して裏
面側のパッドと接続するように形成されている。ここで
裏面側の両端のパッドはそれぞれ平衡出力になり出力
1、出力2となる。また、中間部のパッドはパッケージ
8のグランド電極へ接続され、電気的な中性点となる。
形成されており、導電体パターン102が上記導電体パ
ターン93と同様にして形成されている。また、両端お
よび中間部が、絶縁体層101のビアホールを介して裏
面側のパッドと接続するように形成されている。ここで
裏面側の両端のパッドはそれぞれ平衡出力になり出力
1、出力2となる。また、中間部のパッドはパッケージ
8のグランド電極へ接続され、電気的な中性点となる。
【0029】上述したように、導体損,誘電損等からバ
ラン素子7では損失が発生する。このような損失発生を
低減するためには、電極材料に導電性の良好なAg,Au,Cu
等の金属が好適であるため、バラン素子7の構造材料は
850℃から1050℃程度で焼成可能な低温焼成材料
を使用するのが望ましい。また、インピーダンス整合や
インダクタンスの値、および電極容量の最適化を考慮す
ると材料の比誘電率は4〜9程度が好適な範囲といえ
る。また、バラン素子7とパッケージ8との接続はエポ
キシ樹脂により固定載置されているため、SAW素子6
の実装時におけるはんだ熱により不具合を発生すること
はないが、この接続にはSAW素子6の実装時のはんだ
温度である約240℃よりも高温の約320℃が融点の
高温はんだを用いることが好適である。
ラン素子7では損失が発生する。このような損失発生を
低減するためには、電極材料に導電性の良好なAg,Au,Cu
等の金属が好適であるため、バラン素子7の構造材料は
850℃から1050℃程度で焼成可能な低温焼成材料
を使用するのが望ましい。また、インピーダンス整合や
インダクタンスの値、および電極容量の最適化を考慮す
ると材料の比誘電率は4〜9程度が好適な範囲といえ
る。また、バラン素子7とパッケージ8との接続はエポ
キシ樹脂により固定載置されているため、SAW素子6
の実装時におけるはんだ熱により不具合を発生すること
はないが、この接続にはSAW素子6の実装時のはんだ
温度である約240℃よりも高温の約320℃が融点の
高温はんだを用いることが好適である。
【0030】上記のような構成により、弾性表面波装置
に入力した不平衡な信号はSAW素子で信号濾過され、
バラン素子を通過し、平衡な信号に変換され出力するこ
とが出来る。また、SAW素子は不平衡型SAWフィル
タでも問題が無いため、大きな比帯域幅を得る設計が可
能である。また、従来のバラン素子を平面的に配置して
接続した弾性表面波装置より1/2以下の実装面積とな
り、小型化を実現することができる。
に入力した不平衡な信号はSAW素子で信号濾過され、
バラン素子を通過し、平衡な信号に変換され出力するこ
とが出来る。また、SAW素子は不平衡型SAWフィル
タでも問題が無いため、大きな比帯域幅を得る設計が可
能である。また、従来のバラン素子を平面的に配置して
接続した弾性表面波装置より1/2以下の実装面積とな
り、小型化を実現することができる。
【0031】なお、本発明は上記の実施形態に限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種
々の変更は何等差し支えない。
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種
々の変更は何等差し支えない。
【0032】
【実施例】以下に、本発明に係る弾性表面波装置のより
具体的な実施例について説明する。
具体的な実施例について説明する。
【0033】〔実施例1〕図1に示すSAW素子及びバ
ラン素子を用い複合素子を形成し、パッケージに実装す
ることにより作製した。
ラン素子を用い複合素子を形成し、パッケージに実装す
ることにより作製した。
【0034】具体的には、紫外線(Deep-UV) を用いた密
着露光機によるフォトリソグラフィ法により、36°Yカ
ットのLiTaO3 (タンタル酸リチウム、以下、LTと
略す)単結晶からなる圧電基板上に、単結晶のX軸との
成す角度θ=0°となるSAWの伝搬方向に、SAWフ
ィルタ用のレジストのネガパターンを形成した。
着露光機によるフォトリソグラフィ法により、36°Yカ
ットのLiTaO3 (タンタル酸リチウム、以下、LTと
略す)単結晶からなる圧電基板上に、単結晶のX軸との
成す角度θ=0°となるSAWの伝搬方向に、SAWフ
ィルタ用のレジストのネガパターンを形成した。
【0035】次いで、上記ネガパターン上に電子ビーム
蒸着機でAlを形成した。その後、レジスト剥離液中で不
要なAlをリフトオフし、IDT電極等の微細な回路パタ
ーンを形成した。
蒸着機でAlを形成した。その後、レジスト剥離液中で不
要なAlをリフトオフし、IDT電極等の微細な回路パタ
ーンを形成した。
【0036】その後、電子ビーム蒸着機によりIDT電
極の保護用であるSi膜を圧電基板全面に形成した。次
に、パターニングの終了した圧電基板を個々のSAWフ
ィルタ毎にダイシング法でカットし、個々のSAW素子
を形成した。
極の保護用であるSi膜を圧電基板全面に形成した。次
に、パターニングの終了した圧電基板を個々のSAWフ
ィルタ毎にダイシング法でカットし、個々のSAW素子
を形成した。
【0037】次に、セラミック基板の所定の箇所に直径
約0.2mm のピンホールを形成し、図2の43及び52に
示すAuからなる電極パターンを形成した。次に、各セラ
ミック基板を焼成,接合して、その上に図2の4に示す
ワイヤボンディング用のパッド以外の部分に、SiO2
から成る絶縁膜を成膜した。次にパターニングの終了し
たセラミック基板を個々のバラン素子にダイシング法で
カットし、個々のバラン素子を形成した。
約0.2mm のピンホールを形成し、図2の43及び52に
示すAuからなる電極パターンを形成した。次に、各セラ
ミック基板を焼成,接合して、その上に図2の4に示す
ワイヤボンディング用のパッド以外の部分に、SiO2
から成る絶縁膜を成膜した。次にパターニングの終了し
たセラミック基板を個々のバラン素子にダイシング法で
カットし、個々のバラン素子を形成した。
【0038】次に、バラン素子の上にSAW素子をシリ
コン樹脂により接着し、載置固定し、SAW素子とバラ
ン素子の複合素子を形成した。次に、前記複合素子をS
MD(Surface Mounted Device:表面実装素子)用のパッ
ケージ内にフリップチップ実装法により接着し、載置固
定した。
コン樹脂により接着し、載置固定し、SAW素子とバラ
ン素子の複合素子を形成した。次に、前記複合素子をS
MD(Surface Mounted Device:表面実装素子)用のパッ
ケージ内にフリップチップ実装法により接着し、載置固
定した。
【0039】次に、上記パッケージ内の複合素子につい
て30μmφ(直径30μm)のAuワイヤーをパッケージの
電極パッドと複合素子、及びSAW素子と複合素子とを
接続するよう超音波ボンディングした後、パッケージリ
ッドを被せ接着し、SAWフィルタのパッケージングを
終了した。
て30μmφ(直径30μm)のAuワイヤーをパッケージの
電極パッドと複合素子、及びSAW素子と複合素子とを
接続するよう超音波ボンディングした後、パッケージリ
ッドを被せ接着し、SAWフィルタのパッケージングを
終了した。
【0040】このSAWフィルタをマルチポートのネッ
トワークアナライザに接続し、挿入損失の周波数特性を
測定した。その結果、図4に示すように、通過帯域が大
きく、かつ、平衡型の特性を示した。
トワークアナライザに接続し、挿入損失の周波数特性を
測定した。その結果、図4に示すように、通過帯域が大
きく、かつ、平衡型の特性を示した。
【0041】〔実施例2〕次に、図5に示す積層配線基
板から成るバラン素子上に、該バラン素子に接続される
励振電極を形成した圧電基板から成るSAW素子を収容
したパッケージを配設して成る弾性表面波装置の具体的
な実施例について説明する。
板から成るバラン素子上に、該バラン素子に接続される
励振電極を形成した圧電基板から成るSAW素子を収容
したパッケージを配設して成る弾性表面波装置の具体的
な実施例について説明する。
【0042】紫外線(Deep-UV) を用いた密着露光機によ
るフォトリソグラフィ法により、36°YカットのLiT
aO3 タンタル酸リチウム、以下、LTと略す)単結晶か
らなる圧電基板上に、単結晶のX軸との成す角度θ=0
°となるSAWの伝搬方向に、SAWフィルタ用のレジ
ストのネガパターンを形成した。
るフォトリソグラフィ法により、36°YカットのLiT
aO3 タンタル酸リチウム、以下、LTと略す)単結晶か
らなる圧電基板上に、単結晶のX軸との成す角度θ=0
°となるSAWの伝搬方向に、SAWフィルタ用のレジ
ストのネガパターンを形成した。
【0043】次いで、上記ネガパターン上に電子ビーム
蒸着機でAlを形成した。その後、レジスト剥離液中で不
要なAlをリフトオフし、IDT電極等の微細な回路パタ
ーンを形成した。
蒸着機でAlを形成した。その後、レジスト剥離液中で不
要なAlをリフトオフし、IDT電極等の微細な回路パタ
ーンを形成した。
【0044】その後、電子ビーム蒸着機によりIDT電
極の保護用であるSi膜を圧電基板全面に形成した。次
に、パターニングの終了した圧電基板を個々のSAWフ
ィルタ毎にダイシング法でカットし、個々のSAW素子
を形成した。
極の保護用であるSi膜を圧電基板全面に形成した。次
に、パターニングの終了した圧電基板を個々のSAWフ
ィルタ毎にダイシング法でカットし、個々のSAW素子
を形成した。
【0045】次に、低温焼成基板材質のガラスセラミッ
ク基板に図6に示す所定位置に直径約0.2mm のビアホー
ルを形成し、図6の93および102に示すAgからなる
電極パターンを形成した。次に、各セラミック基板を約
900℃の温度で焼成、ラミネート接合した。
ク基板に図6に示す所定位置に直径約0.2mm のビアホー
ルを形成し、図6の93および102に示すAgからなる
電極パターンを形成した。次に、各セラミック基板を約
900℃の温度で焼成、ラミネート接合した。
【0046】次に、前記SAWチップをシート状のSM
D(Surface Mounted Device:表面実装素子)用のパッケ
ージ内にフェイスアップにより接着し、載置固定した。
さらに、上記バラン素子シート上面にエポキシ接着剤お
よびはんだペーストを塗布し、パッケージシートをパタ
ーンを合わせて積層し、350℃の炉中にて電気的かつ
機械的に接合した。
D(Surface Mounted Device:表面実装素子)用のパッケ
ージ内にフェイスアップにより接着し、載置固定した。
さらに、上記バラン素子シート上面にエポキシ接着剤お
よびはんだペーストを塗布し、パッケージシートをパタ
ーンを合わせて積層し、350℃の炉中にて電気的かつ
機械的に接合した。
【0047】次に、上記シートのパッケージキャビティ
ー内に上記SAW素子をシリコン系の接着部材にて搭載
し、150℃にて1時間硬化した。この後、SAW素子
とパッケージの電気的接続を30μmφ(直径30μm)の
Auワイヤーを用いて超音波ボンディングした後、パッケ
ージリッドを被せ接着し、SAWフィルタのパッケージ
ングを終了した。
ー内に上記SAW素子をシリコン系の接着部材にて搭載
し、150℃にて1時間硬化した。この後、SAW素子
とパッケージの電気的接続を30μmφ(直径30μm)の
Auワイヤーを用いて超音波ボンディングした後、パッケ
ージリッドを被せ接着し、SAWフィルタのパッケージ
ングを終了した。
【0048】この後、ダイシングソーにてパッケージを
分割し、1シートから約300個のバラン素子と弾性表
面波フィルタからなる弾性表面波装置を完成した。
分割し、1シートから約300個のバラン素子と弾性表
面波フィルタからなる弾性表面波装置を完成した。
【0049】この弾性表面波装置をマルチポートのネッ
トワークアナライザに接続し、挿入損失の周波数特性を
測定した。その結果、実施例1と同様に通過帯域が大き
く、かつ、平衡型の特性を示した。
トワークアナライザに接続し、挿入損失の周波数特性を
測定した。その結果、実施例1と同様に通過帯域が大き
く、かつ、平衡型の特性を示した。
【0050】
【発明の効果】本発明の弾性表面波装置によれば、弾性
表面波素子をバラン素子上に接着及び配線を行った複合
素子を形成し、その複合素子をフリップチップ実装によ
りパッケージに搭載することにより、従来の平衡型フィ
ルタより比帯域幅を大きく設計することが可能で、しか
も従来のバラン素子を配線した弾性表面波装置より大幅
に小型化することが可能となる。
表面波素子をバラン素子上に接着及び配線を行った複合
素子を形成し、その複合素子をフリップチップ実装によ
りパッケージに搭載することにより、従来の平衡型フィ
ルタより比帯域幅を大きく設計することが可能で、しか
も従来のバラン素子を配線した弾性表面波装置より大幅
に小型化することが可能となる。
【0051】また、弾性表面波素子を収容したパッケー
ジの外部端子面を、上面に接続端子を有する積層配線基
板から成るバラン素子上に載置することでも上記と同様
な効果を奏する弾性表面波装置を提供することができ
る。
ジの外部端子面を、上面に接続端子を有する積層配線基
板から成るバラン素子上に載置することでも上記と同様
な効果を奏する弾性表面波装置を提供することができ
る。
【図1】本発明に係る弾性表面波装置の一例を説明する
図であり、(a)は縦断面図、(b)は横断面図であ
る。
図であり、(a)は縦断面図、(b)は横断面図であ
る。
【図2】本発明に係るSAW素子及びバラン素子の一例
を説明する図であり、(a)は縦断面図、(b),
(c)は平面図である。
を説明する図であり、(a)は縦断面図、(b),
(c)は平面図である。
【図3】(a),(b)はそれぞれ本発明に係るパッケ
ージの層構造を説明する平面図である。
ージの層構造を説明する平面図である。
【図4】本発明に係る弾性表面波装置の挿入損失の周波
数特性を測定したグラフである。
数特性を測定したグラフである。
【図5】本発明に係る他の弾性表面波装置の一例を説明
する図であり、(a)は縦断面図、(b)は横断面図で
ある。
する図であり、(a)は縦断面図、(b)は横断面図で
ある。
【図6】本発明に係る他のバラン素子の一例を説明する
図であり、(a)は縦断面図、(b)〜(e)は各層を
示す平面図である。
図であり、(a)は縦断面図、(b)〜(e)は各層を
示す平面図である。
【図7】従来の平衡型SAWフィルタを説明する平面図
である。
である。
1,6:SAW素子 11,61:電極 2,7:バラン素子 3,8:パッケージ 32,82:第2枠体 33,83:第1枠体 34,84:基体 4,9:上部層 41:絶縁体層 43:導電体パターン 5,10:下部層 51,101:絶縁体層 52,102:導電体パターン 15,65:圧電基板 S1,S2:弾性表面波装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5J097 AA12 AA19 AA29 BB11 GG03 HA02 HA04 HA07 HA08 JJ09 KK04 KK10 LL01
Claims (2)
- 【請求項1】 入力電極及び出力電極が形成された基体
上に、前記入力電極又は出力電極に接続され、平衡−不
平衡変換又は不平衡−平衡変換を行うバラン素子と、圧
電基板上に前記バラン素子に接続される励振電極を形成
した弾性表面波素子とを順次重ねて配置した弾性表面波
装置。 - 【請求項2】 励振電極を形成した圧電基板から成る弾
性表面波素子を収容したパッケージの外部端子面を、上
面に接続端子を有する積層配線基板から成るバラン素子
上に載置した弾性表面波装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10245672A JP2000077969A (ja) | 1998-08-31 | 1998-08-31 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10245672A JP2000077969A (ja) | 1998-08-31 | 1998-08-31 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000077969A true JP2000077969A (ja) | 2000-03-14 |
Family
ID=17137109
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10245672A Pending JP2000077969A (ja) | 1998-08-31 | 1998-08-31 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000077969A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1261143A1 (en) * | 2001-05-15 | 2002-11-27 | TDK Corporation | Transceiver front end module |
EP1315297A2 (en) * | 2001-10-29 | 2003-05-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter element, surface acoustic wave filter and communication device using the same |
US6998760B2 (en) * | 2001-10-12 | 2006-02-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Surface acoustic wave device and communication device |
JP2010178380A (ja) * | 2000-11-01 | 2010-08-12 | Hitachi Metals Ltd | 高周波スイッチモジュール |
JP2011139316A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Kyocera Corp | 弾性波装置および弾性波装置の製造方法 |
-
1998
- 1998-08-31 JP JP10245672A patent/JP2000077969A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010178380A (ja) * | 2000-11-01 | 2010-08-12 | Hitachi Metals Ltd | 高周波スイッチモジュール |
JP2010220231A (ja) * | 2000-11-01 | 2010-09-30 | Hitachi Metals Ltd | 高周波スイッチモジュール |
JP2011254505A (ja) * | 2000-11-01 | 2011-12-15 | Hitachi Metals Ltd | 高周波スイッチモジュール |
EP1261143A1 (en) * | 2001-05-15 | 2002-11-27 | TDK Corporation | Transceiver front end module |
KR100643412B1 (ko) * | 2001-05-15 | 2006-11-10 | 티디케이가부시기가이샤 | 프론트 엔드 모듈 |
US6998760B2 (en) * | 2001-10-12 | 2006-02-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Surface acoustic wave device and communication device |
EP1315297A2 (en) * | 2001-10-29 | 2003-05-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter element, surface acoustic wave filter and communication device using the same |
JP2008306773A (ja) * | 2001-10-29 | 2008-12-18 | Panasonic Corp | 弾性表面波フィルタ素子 |
JP2011139316A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Kyocera Corp | 弾性波装置および弾性波装置の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5079813B2 (ja) | 電子部品 | |
USRE45419E1 (en) | Surface acoustic wave device and method of fabricating the same | |
WO2015098793A1 (ja) | 電子部品モジュール | |
US7518470B2 (en) | Surface acoustic wave element, surface acoustic wave device and communication device including the same | |
WO2012039158A1 (ja) | 電子部品およびその製造方法、並びに電子部品を備えた電子デバイス | |
KR20000068639A (ko) | 탄성표면파 필터 및 그의 제조방법 | |
JP4518870B2 (ja) | 弾性表面波装置および通信装置 | |
JP2001185976A (ja) | 弾性表面波装置 | |
KR20030005013A (ko) | 탄성 표면파 소자 및 그 제조방법 | |
JP2005073265A (ja) | 埋め込みpcb基板を用いたデュプレクサおよびその製造方法 | |
JP4382945B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
JP5010256B2 (ja) | 弾性表面波装置及びこれを備えた通信装置 | |
JP2000077969A (ja) | 弾性表面波装置 | |
US11159143B2 (en) | Filter device and method for manufacturing the same | |
JP5038452B2 (ja) | 弾性表面波装置および通信装置 | |
JP4841311B2 (ja) | 基板実装型弾性表面波装置及びその製造方法並びに通信装置 | |
JP4601415B2 (ja) | 弾性表面波装置および通信装置 | |
JP3315644B2 (ja) | 弾性表面波素子 | |
JP3814438B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
KR102295454B1 (ko) | 전자 부품 및 그것을 구비하는 모듈 | |
JP2000138552A (ja) | 弾性表面波装置 | |
JP3797656B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
JP2014230079A (ja) | 弾性表面波装置 | |
JP2005079694A (ja) | 分波器 | |
CN218276649U (zh) | 声波器件结构和电子设备 |