JPH03220911A - 弾性表面波フィルタ - Google Patents

弾性表面波フィルタ

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JPH03220911A
JPH03220911A JP1701290A JP1701290A JPH03220911A JP H03220911 A JPH03220911 A JP H03220911A JP 1701290 A JP1701290 A JP 1701290A JP 1701290 A JP1701290 A JP 1701290A JP H03220911 A JPH03220911 A JP H03220911A
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acoustic wave
surface acoustic
wave filter
package
circuit
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JP1701290A
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Yoshiaki Fujiwara
嘉朗 藤原
Kiyoshi Sato
清 佐藤
Tsutomu Miyashita
勉 宮下
Hideki Omori
秀樹 大森
Yoshio Sato
良夫 佐藤
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 弾性表面波フィルタの構造に関し、 インピーダンス整合回路を含む弾性表面波フィルタを小
形化することを目的とし、 圧電体基板上に、櫛型入力電極と櫛型出力電極を配設し
た弾性表面波フィルタ素子をセラミックパッケージ中に
封止してなる弾性表面波フィルタにおいて、前記セラミ
ックパッケージの層間、あるいは、パッケージの内外露
出面に、複数の膜回路素子から形成されたインピーダン
ス整合回路を設けて弾性表面波フィルタを構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は弾性表面波フィルタ、とくに、セラミックパッ
ケージにインピーダンス整合回路を組み込んだ小形フィ
ルタの構成に関する。
近年、情報処理機器や通信機器の小形化、可搬化に対す
る要求は増加の一途にあり、それにともなって信号処理
用フィルタ回路の小形化が強く要請されている。
一般に高周波部のフィルタ回路(たとえば、700MH
2帯以上のような)に多く用いられている誘電体共振器
フィルタは形状が大きく、また、重量も重いので、たと
えば、携帯用通信機器などに用いるには不適当であり、
フィルタ回路を格段に小形化できるフィルタデバイスの
開発が求められている。
〔従来の技術〕
最近、高周波帯における小形フィルタ素子として、とく
に、弾性表面波フィルタが注目されている。
弾性表面波素子、たとえば、弾性表面波フィルタは、電
気−機械結合係数が大きく、しかも周波数の温度係数が
比較的小さい圧電体基板、たとえば、36°回転Yカッ
トーX伝播LiTa03(36°Y−X LiTa03
)単結晶基板の上に、入力用および出力用の櫛型電極を
設けた3端子あるいは4端子型素子である。
第8図は弾性表面波フィルタの構成を示す図である。図
中lは弾性表面波フィルタ素子で圧電体基板11の上に
、AIなどからなる櫛歯電極指を差し挟んだ櫛型人力電
極12と櫛型出力電極13を対面配置して構成されてい
る。電極指の巾1間隔(スペース)、ピッチ、本数、各
電極指の長さ(重み付は形状ンなとは所要のフィルタ特
性によって決定される。これら櫛形入出力電極はその構
造上必ず並列容量が生じる。したがって、弾性表面波フ
ィルタ素子を他の高周波回路と接続する場合、信号の反
射を防止するため、前記並列容量をキャンセルアウトす
るインピーダンス整合回路6(6aおよび6b)を弾性
表面波フィルタ素子の入出力端子に接続する必要がある
第9図は整合回路を含む弾性表面波フィルタの等価回路
を示す図である。同図(イ)は並列インダクタンス型で
入力端子間に並列インダクタンスLp f l 出力端
子間に並列インダクタンスLPoを接続した場合、同図
(ロ)は並列容量型で入出力端子に直列インダクタンス
Ls 5. Ls。をそれぞれ接続し、入出力端子に並
列容量CPi+CPoをそれぞれ接続した場合で、いず
れも電極容量CTi+CT。をキャンセルするようにし
ている。なお、図中B、  Boは櫛型人力電極12お
よび櫛型出力電極13の放射コンダクタンス、G、、G
。は同じく放射サセプタンスである。並列容量型は直流
が加わるような回路の場合、端子間がショートされるの
を回避するために好適である。
第1O図は従来の弾性表面波フィルタの製品例をを示す
図で、同図(イ)は蓋板3をはずして内部の状態が見え
るようにした開蓋斜視図、同図(ロ)はA−A’断面図
、同図(ハ)は同じ< B−B’断面図である。
セラミックパッケージ2゛は、たとえば、3層のアルミ
ナセラミックからなり、板状の第3層23′の上に角穴
の大きさの異なる第2層22゛、第1層21’を積層焼
成したもので、第1層21’ と第2層22゜との間に
は電極端子配線部100°、 200’ 、 300’
 、 400’の金属パターンが形成され、さらに、第
3層23′の開口中央部とそこから接地電極端子配線部
300°。
400°に接続される金属パターン350゛が同時一体
形成されている。前記中央開口部の角穴部分に弾性表面
波フィルタ素子1を前記金属パターン350′に、たと
えば、導電性接着材によりダイボンディングし、素子の
端子パッドと前記電極端子配線部100′、 200’
 、 300’ 、 400’  との間をホンデイン
クワイヤ4で接続し、最後に、たとえば、セラミック板
からなる蓋板3を第1層2Fの上面に密閉接着封止すれ
ば弾性表面波フィルタ10°が形成される。
この例はセラミックパッケージ2°の側面から底面にか
けて、前記電極端子配線部too’ 、 200’ 、
 300°、400°の延長部が図示したごとく外部に
露出形成されているので外部回路との接続には表面実装
技術が適用できる。いわゆる、リードレスチップキャリ
ア(LCC)タイプのパッケージの場合である。
第11図はプリント基板上に形成された従来のインピー
ダンス整合回路の例を示す図で、同図(イ)は並列イン
ダクタンス型の場合、同図(ロ)は並列容量型の場合で
ある。
前記の弾性表面波フィルタ10°を、たとえば、プリン
ト基板500に搭載してフィルタ回路を構成する場合、
同図(イ)の例ではインピーダンス整合回路6°a、 
6’ bとして並列インダクタンスL。
L、。をプリント基板の導体配線パターンと同時形成の
ミアンダパターンで構成したものであり、同図(ロ)の
例ではインピーダンス整合回路6″a、6”bとして直
列インダクタンスLSi+LSoを同じくプリント基板
の導体配線パターンと同時形成のミアンダパターンで構
成し、並列容量Cp I+ Cp。にはそれぞれ、たと
えば、チップコンをSMT技術により搭載接続してフィ
ルタ回路を構成している。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、上記従来例に示したごときインピーダンス整合
回路の構成では、弾性表面波フィルタlO。
自体は小さくなっても、インピーダンス整合回路6’ 
a、 6“bや6”a、6”bがプリント基板500上
に大きな実装面積を占め回路全体の小形化を阻害し、か
つ、インダクタンス素子のミアンダパターンに傷がつく
など信頼性の面でも問題となり、その解決が求められて
いる。
〔課題を解決するための手段〕
上記の課題は、圧電体基板11上に、櫛型入力電極12
と櫛型出力電極13を配設した弾性表面波フィルタ素子
1をセラミックパッケージ2中に封止してなる弾性表面
波フィルタにおいて、前記セラミックパッケージ2の層
間、あるいは、パッケージの内外露出面に、複数の膜回
路素子5から形成されたインピーダンス整合回路6を設
けて弾性表面波フィルタを構成することにより解決する
ことができる。
〔作用〕
本発明によれば、インピーダンス整合回路を、弾性表面
波フィルタ素子lを収容するセラミックパッケージ2の
層間、あるいは、パッケージの内外露出面に複数の膜回
路素子5により、セラミックパッケージ2と一体に形成
しであるので、フィルタ回路を構成するのに外部に別個
にインピーダンス整合回路を付加する必要がなくフィル
タ回路全体が小形化できるのである。
〔実施例〕
第1図は本発明の第1実施例を示す断面図で、並列イン
ダクタンス型の場合である。図中lは弾性表面波フィル
タ素子で、たとえば、36°Y−XLiTaO3単結晶
板からなる厚さ0.5 mm、大きさ2mmX4 mm
の圧電体基板11の上に、厚さ200nmのAfからな
る櫛歯電極指を差し挟んだ櫛型人力電極12と櫛型出力
電極13を対面配置して構成し、電極指の巾9間隔(ス
ペース)、ピッチ、本数、各電極指の長さ(重み付は形
状)などは所要のフィルタ特性によって決定されるが、
本実施例では中心周波数800MHzを得るために電極
指中を1.2μmとし、櫛形入出力電極はいずれも15
対の正規型電極指構成とした。
セラミックパッケージ2の外形寸法は、高さ5mm、大
きさ6 mmX6 mmで、たとえば、4層のアルミナ
セラミックからなり、板状の第4層24゜第3層23の
上に角穴の大きさの異なる第2層22゜第1層21を積
層焼成したものであり、第1層21と第2層22との間
には電極端子配線部100.200.300゜400と
して、たとえば、層間には厚さ15μmの厚膜印刷され
たタングステン(W)を形成し、また、第3層23上の
開口中央部とそこから接地電極端子配線部300.40
0に接続されるWからなる金属パターン350を、さら
に、第4層24のセラミック板の上、すなわち、第3層
23との間に同じくW膜からなる膜回路素子5を前記金
属パターンと同様の構成で形成し、全体をこの順序に重
ねて高温で焼成して一体となったセラミックパッケージ
とし、最後にセラミックパッケージの内外表面に露出し
た前記W膜の上にNi、さらに、その上に厚さ1〜2μ
mのAuをメツキした3層からなる外部電極金属パター
ンを形成してセラミックパッケージ2が完成する。
以上の工程は未焼成の原料シートに厚膜タングステン(
W)ペーストを印刷したものを重ねて、−体に焼成する
。いわゆる、公知のグリーンシート法により容易に行う
ことができる。
前記中央開口部の角穴部分に弾性表面波フィルタ素子l
を前記金属パターン350のAu膜上に、たとえば、A
g導電性接着材層450あるいはAu−3n共晶により
ダイボンディングし、素子の端子パッドと前記電極端子
配線部100.200.300.400との間を。
たとえば、AI!あるいはAuからなるボンディングワ
イヤ4で接続し、最後に、たとえば、セラミック板から
なる蓋板3を第1層21の上面に、たとえば、エポキシ
樹脂系接着材で密閉接着封止すれば本発明の弾性表面波
フィルタIOが形成される。
第2図は本発明の第1実施例の要部を示す図で、同図(
イ)は第1実施例の整合回路パターン図、同図(ロ)は
第1実施例の底面の電極パターン図である。図中、10
0は入力端子、200は出力端子、300および400
は接地端子で弾性表面波フィルタ素子1のグイホンディ
ングパッドである350と接続されている。5I!は膜
回路素子(ストリップラインが誘電体に挟まれた。いわ
ゆる、平衡型マイクロストリップラインによるインダク
タンス素子)で、たとえば、前記に説明し厚さ15μm
のW膜からなり、巾約130μm、長さ約13m mの
ミアンダラインに形成して12〜13nHの並列インダ
クタンスが得られた。
同図(ロ)に示した外部端子100.200.300.
400を用いて、たとえば、プリント基板500上の所
定の配線パッド部にSMT技術により実装することがで
きる。
上記実施例はSMT実装技術に適した。いわゆる、LC
Cパッケージについて本発明を適用した例を示したが、
リード付きのセラミックパッケージの場合にも同様に本
発明が適用できることは言うまでもない。また、パッケ
ージ素材もアルミナセラミックに限らず他のセラミック
材料を用いてもよい。
第3図は本発明の第2実施例を示す図で、同図(イ)は
x−x’断面図、同図(ロ)は底面図である。
本実施例では第1実施例における第4層24を省略し、
第3層23の底面に膜回路素子51(この場合は不平衡
型マイクロストリップラインによるインダクタンス素子
となる)を設けた場合で、パッケージ形成上で有利であ
る特徴かあるが、プリント基板への実装に際し膜回路素
子51(インダクタンス素子)がパッケージ外に露出し
ているので、短絡したり信号線が接近して特性が変化す
るなどの点に注意して使用する必要がある。
第4図は本発明の第3実施例を示す図で、同図(イ)は
蓋板3を外した状態の上面図、同図(ロ)はx−x’断
面図である。本実施例では第1層21と第2層22の間
に膜回路素子51Cインダクタンス素子)を形成しであ
るので、パッケージ構成が簡略であり、かつ、前記第2
実施例のように膜回路素子51がパッケージ外に露出し
ていないので、外部回路からの干渉障害を受ける恐れが
ない。
第5図は本発明の第4実施例を示す図で、同図(イ)は
上面図、同図(ロ)はx−x’断面図である。
本実施例ではセラミックパッケージ2の内部の第2層2
2の露出部分に膜回路素子51(インダクタンス素子)
を形成しであるので、たとえば、弾性表面波フィルタ素
子lOを組み立てた後に並列インダクタンスの調整を、
たとえば、ストリップラインの巾のレーザトリミングに
より行い、所要のインピーダンスに整合させることがで
き、性能あるいは歩留りを向上させるのに適した構成の
ものである。
第6図は本発明の第5実施例を示す図で、同図(イ)は
x−x’断面矢視図、同図(ロ)は開蓋上面図である。
本実施例は並列容量型の場合の一例を示したもので、第
4層24のセラミック板の上、すなわち、第3層23と
の間にW膜からなる膜回路素子51(平衡型マイクロス
トリップラインによるインダクタンス素子)と膜回路素
子5c(平行線路型の容量素子)を形成してインピーダ
ンス整合回路6を構成した例である。500および60
0は弾性表面波フィルタ素子lの入出力端子と膜回路素
子51(平衡型マイクロストリップラインによるインダ
クタンス素子)の一方の端を接続する接続導体である。
なお、前記の諸国面で説明したものと同等の部分につい
ては同一符号を付し、かつ、同等部分についての説明は
省略する。
第7図は本発明第5実施例の整合回路パターンを示す図
であり、図示したごとく本実施例における膜回路素子5
c(平行線路型の容量素子)は。
たとえば、線路巾120μm、線路ギャップ120μm
、平行線路長3mmの場合で約2〜5pFの並列容量が
得られた。
以上述べた実施例は数例を示したもので、本発明の趣旨
に添うものである限り、使用する素材や構成など適宜好
ましいもの、あるいはその組み合わせ、あるいは、変形
例などを用いてもよいことは言うまでもない。
〔発明の効果〕
以上述べたように、本発明によればインピーダンス整合
回路6を、弾性表面波フィルタ素子lを収容するセラミ
ックパッケージ2の層間、あるいは、パッケージの内外
露出面に複数の膜回路素子5により、セラミックパッケ
ージ2と一体に形成しであるので、フィルタ回路を構成
するのに外部に別個のインピーダンス整合回路を付加す
る必要がなくフィルタ回路全体が小形化でき、しかも、
信頼性も高まり、弾性表面波フィルタの小形化と機能の
向上に寄与するところが極めて大きい。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1実施例を示す断面図、第2図は本
発明第1実施例の要部を示す図、第3図は本発明の第2
実施例を示す図、第4図は本発明の第3実施例を示す図
、第5図は本発明の第4実施例を示す図、第6図は本発
明の第5実施例を示す図、第7図は本発明第5実施例の
整合回路パターンを示す図、 第8図は弾性表面波フィルタの構成を示す図、第9図は
整合回路を含む弾性表面波フィルタの等膜回路を示す図
、 第10図は従来の弾性表面波フィルタの製品例を示す図
、 第11図はプリント基板上に形成された従来のインピー
ダンス整合回路の例を示す図である。 図において、 lは弾性表面波フィルタ素子、 2はセラミックパッケージ、 3は蓋板、 4はボンディングワイヤ、 5 (!M、5c)は膜回路素子、 6 (6a、6b)はインピーダンス整合回路、lOは
弾性表面波フィルタ、 11は圧電体基板、 12櫛型入力電極、 13は櫛型出力電極である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  圧電体基板(11)上に、櫛型入力電極(12)と櫛
    型出力電極(13)を配設した弾性表面波フィルタ素子
    (1)をセラミックパッケージ(2)中に封止してなる
    弾性表面波フィルタにおいて、 前記セラミックパッケージ(2)の層間、あるいは、パ
    ッケージの内外露出面に、複数の膜回路素子(5)から
    形成されたインピーダンス整合回路(6)を設けること
    を特徴とした弾性表面波フィルタ。
JP1701290A 1990-01-26 1990-01-26 弾性表面波フィルタ Pending JPH03220911A (ja)

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