JP2000278168A - 高周波複合部品及びそれを用いる無線通信装置 - Google Patents
高周波複合部品及びそれを用いる無線通信装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型化、軽量化を図ることができる高周波複
合部品及びそれを用いる無線通信装置を提供する。 【解決手段】 高周波複合部品１０は、ＰＤＣ方式の携
帯電話器に用いられるものであり、ＧａＡｓスイッチＳ
Ｗ１と、高周波フィルタである低域通過フィルタＬＰＦ
１，ＬＰＦ２と、方向性結合器ＣＯＵとで構成され、第
１〜第６ポートＰ１１〜Ｐ１６を備える。ＧａＡｓスイ
ッチＳＷ１は６つの端子Ｓ１１〜Ｓ１６を備え、端子Ｓ
１４には低域通過フィルタＬＰＦ１、端子Ｓ１６には低
域通過フィルタＬＰＦ２がそれぞれ接続される。また、
端子Ｓ１１〜Ｓ１３，Ｓ１５は高周波複合部品１０の第
１〜第３及び第５ポートＰ１１〜Ｐ１３，Ｐ１５とな
る。方向性結合器ＣＯＵは主線路ＳＬ１と副線路ＳＬ２
とで形成され、低域通過フィルタＬＰＦ１は方向性結合
器ＣＯＵの主線路ＳＬ１と、その主線路ＳＬ１に並列接
続されたコンデンサＣ１とで形成される。また、低域通
過フィルタＬＰＦ２はインダクタＬと、そのインダクタ
Ｌに並列接続されたコンデンサＣ２とで形成される。
合部品及びそれを用いる無線通信装置を提供する。 【解決手段】 高周波複合部品１０は、ＰＤＣ方式の携
帯電話器に用いられるものであり、ＧａＡｓスイッチＳ
Ｗ１と、高周波フィルタである低域通過フィルタＬＰＦ
１，ＬＰＦ２と、方向性結合器ＣＯＵとで構成され、第
１〜第６ポートＰ１１〜Ｐ１６を備える。ＧａＡｓスイ
ッチＳＷ１は６つの端子Ｓ１１〜Ｓ１６を備え、端子Ｓ
１４には低域通過フィルタＬＰＦ１、端子Ｓ１６には低
域通過フィルタＬＰＦ２がそれぞれ接続される。また、
端子Ｓ１１〜Ｓ１３，Ｓ１５は高周波複合部品１０の第
１〜第３及び第５ポートＰ１１〜Ｐ１３，Ｐ１５とな
る。方向性結合器ＣＯＵは主線路ＳＬ１と副線路ＳＬ２
とで形成され、低域通過フィルタＬＰＦ１は方向性結合
器ＣＯＵの主線路ＳＬ１と、その主線路ＳＬ１に並列接
続されたコンデンサＣ１とで形成される。また、低域通
過フィルタＬＰＦ２はインダクタＬと、そのインダクタ
Ｌに並列接続されたコンデンサＣ２とで形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波複合部品及
びそれを用いる無線通信装置に関し、特に、送信と受信
とを選択的に切り換えて通信を行う際に用いられるＧａ
Ａｓスイッチを備えた高周波複合部品及びそれを用いる
無線通信装置に関する。
びそれを用いる無線通信装置に関し、特に、送信と受信
とを選択的に切り換えて通信を行う際に用いられるＧａ
Ａｓスイッチを備えた高周波複合部品及びそれを用いる
無線通信装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、無線通信装置である携帯電話器な
どではダイバシティ方式を採用することにより、フェー
ジングを軽減し実効利得の向上（７〜８ｄＢ）を図って
いる。
どではダイバシティ方式を採用することにより、フェー
ジングを軽減し実効利得の向上（７〜８ｄＢ）を図って
いる。
【０００３】図９は、一般的な携帯電話器のＲＦブロッ
ク図である。携帯電話器５０は、送受信用アンテナＡＮ
Ｔ１と、受信用アンテナＡＮＴ２と、送信部Ｔｘ・受信
部Ｒｘを切り換えるＧａＡｓスイッチＳＷとを有する。
ク図である。携帯電話器５０は、送受信用アンテナＡＮ
Ｔ１と、受信用アンテナＡＮＴ２と、送信部Ｔｘ・受信
部Ｒｘを切り換えるＧａＡｓスイッチＳＷとを有する。
【０００４】ＧａＡｓスイッチＳＷは４つの端子Ｓ５１
〜Ｓ５４を備え、端子Ｓ５１には送受信用アンテナＡＮ
Ｔ１、端子Ｓ５２には受信用アンテナＡＮＴ２、端子Ｓ
５３には受信部Ｒｘ、端子Ｓ５４には送信部Ｔｘがそれ
ぞれ接続される。また、送信部Ｔｘは、低域通過フィル
タＬＰＦ、方向性結合器ＣＯＵ、高出力増幅器ＰＡ及び
ミキサＭＩＸ１を備え、受信部Ｒｘは、帯域通過フィル
タである弾性表面波フィルタＳＡＷ、低雑音増幅器ＬＮ
Ａ、及びミキサＭＩＸ２を備える。さらに、送信部Ｔｘ
のミキサＭＩＸ１及び受信部ＲｘのミキサＭＩＸ２の一
方の入力には局部信号を発生するシンセサイザＳＹＮが
接続される。
〜Ｓ５４を備え、端子Ｓ５１には送受信用アンテナＡＮ
Ｔ１、端子Ｓ５２には受信用アンテナＡＮＴ２、端子Ｓ
５３には受信部Ｒｘ、端子Ｓ５４には送信部Ｔｘがそれ
ぞれ接続される。また、送信部Ｔｘは、低域通過フィル
タＬＰＦ、方向性結合器ＣＯＵ、高出力増幅器ＰＡ及び
ミキサＭＩＸ１を備え、受信部Ｒｘは、帯域通過フィル
タである弾性表面波フィルタＳＡＷ、低雑音増幅器ＬＮ
Ａ、及びミキサＭＩＸ２を備える。さらに、送信部Ｔｘ
のミキサＭＩＸ１及び受信部ＲｘのミキサＭＩＸ２の一
方の入力には局部信号を発生するシンセサイザＳＹＮが
接続される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の従来
の携帯電話器においては、ディスクリート部品からなる
ＧａＡｓスイッチ、送信部あるいは受信部を構成するフ
ィルタ、増幅器などをプリント配線基板に実装している
ため、さらなる小型化、軽量化は困難であるといった問
題があった。特に、低域通過フィルタの場合には、一般
的に、性能と形状寸法とは反比例する関係にあって、低
域通過フィルタの性能を高めれば高めるほど形状寸法は
大きくなり、低域通過フィルタの小型化、軽量化の妨げ
となる。逆に、携帯電話器の寸法の制約上からの低域通
過フィルタの小型化は、フィルタ特性が不十分ゆえの機
器性能の妥協を強いられることになる。
の携帯電話器においては、ディスクリート部品からなる
ＧａＡｓスイッチ、送信部あるいは受信部を構成するフ
ィルタ、増幅器などをプリント配線基板に実装している
ため、さらなる小型化、軽量化は困難であるといった問
題があった。特に、低域通過フィルタの場合には、一般
的に、性能と形状寸法とは反比例する関係にあって、低
域通過フィルタの性能を高めれば高めるほど形状寸法は
大きくなり、低域通過フィルタの小型化、軽量化の妨げ
となる。逆に、携帯電話器の寸法の制約上からの低域通
過フィルタの小型化は、フィルタ特性が不十分ゆえの機
器性能の妥協を強いられることになる。
【０００６】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたものであり、小型化、軽量化を図ることが
できる高周波複合部品及びそれを用いる無線通信装置を
提供することを目的とする。
めになされたものであり、小型化、軽量化を図ることが
できる高周波複合部品及びそれを用いる無線通信装置を
提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述する問題点を解決す
るため本発明の高周波複合部品は、誘電体層を積層して
なる積層体と、該積層体に内蔵された方向性結合器及び
高周波フィルタの少なくとも一方と、前記積層体に搭載
されたＧａＡｓスイッチとを備えることを特徴とする。
るため本発明の高周波複合部品は、誘電体層を積層して
なる積層体と、該積層体に内蔵された方向性結合器及び
高周波フィルタの少なくとも一方と、前記積層体に搭載
されたＧａＡｓスイッチとを備えることを特徴とする。
【０００８】また、前記積層体に搭載された弾性表面波
フィルタを備えることを特徴とする。
フィルタを備えることを特徴とする。
【０００９】また、前記方向性結合器が、前記積層体の
内部に設けたストリップ電極で構成されることを特徴と
する。
内部に設けたストリップ電極で構成されることを特徴と
する。
【００１０】また、前記高周波フィルタが、前記積層体
の内部に設けたインダクタ電極と、前記積層体の内部に
前記誘電体層を挟んで互いに対向して設けたコンデンサ
電極で構成されることを特徴とする。
の内部に設けたインダクタ電極と、前記積層体の内部に
前記誘電体層を挟んで互いに対向して設けたコンデンサ
電極で構成されることを特徴とする。
【００１１】本発明の無線通信装置は、上述の高周波複
合部品を用いることを特徴とする。
合部品を用いることを特徴とする。
【００１２】本発明の高周波複合部品によれば、ＧａＡ
ｓスイッチ、方向性結合器及び高周波フィルタを、誘電
体層を積層してなる積層体に一体化することにより、従
来のディスクリート部品のＧａＡｓスイッチ、アイソレ
ータ、低域通過フィルタ、方向性結合器などをプリント
配線基板上に実装して、接続したものに比べて、全体の
寸法を小さくすることができる。
ｓスイッチ、方向性結合器及び高周波フィルタを、誘電
体層を積層してなる積層体に一体化することにより、従
来のディスクリート部品のＧａＡｓスイッチ、アイソレ
ータ、低域通過フィルタ、方向性結合器などをプリント
配線基板上に実装して、接続したものに比べて、全体の
寸法を小さくすることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。図１は、本発明に係る高周波複合部品
の第１の実施例の回路図である。高周波複合部品１０
は、ＰＤＣ（Personal Digital Cellular）方式の携帯
電話器に用いられるものであり、ＧａＡｓスイッチＳＷ
１と、高周波フィルタである低域通過フィルタＬＰＦ
１，ＬＰＦ２と、方向性結合器ＣＯＵとで構成され、第
１〜第６ポートＰ１１〜Ｐ１６を備える。
施例を説明する。図１は、本発明に係る高周波複合部品
の第１の実施例の回路図である。高周波複合部品１０
は、ＰＤＣ（Personal Digital Cellular）方式の携帯
電話器に用いられるものであり、ＧａＡｓスイッチＳＷ
１と、高周波フィルタである低域通過フィルタＬＰＦ
１，ＬＰＦ２と、方向性結合器ＣＯＵとで構成され、第
１〜第６ポートＰ１１〜Ｐ１６を備える。
【００１４】ＧａＡｓスイッチＳＷ１は６つの端子Ｓ１
１〜Ｓ１６を備え、端子Ｓ１４には低域通過フィルタＬ
ＰＦ１及び方向性結合器ＣＯＵが、端子Ｓ１６には低域
通過フィルタＬＰＦ２がそれぞれ接続される。また、端
子Ｓ１１〜Ｓ１３，Ｓ１５は高周波複合部品１０の第１
〜第３及び第５ポートＰ１１〜Ｐ１３，Ｐ１５となる。
１〜Ｓ１６を備え、端子Ｓ１４には低域通過フィルタＬ
ＰＦ１及び方向性結合器ＣＯＵが、端子Ｓ１６には低域
通過フィルタＬＰＦ２がそれぞれ接続される。また、端
子Ｓ１１〜Ｓ１３，Ｓ１５は高周波複合部品１０の第１
〜第３及び第５ポートＰ１１〜Ｐ１３，Ｐ１５となる。
【００１５】方向性結合器ＣＯＵは主線路ＳＬ１と副線
路ＳＬ２とで形成され、低域通過フィルタＬＰＦ１は方
向性結合器ＣＯＵの主線路ＳＬ１と、その主線路ＳＬ１
に並列接続されたコンデンサＣ１とで形成される。ま
た、低域通過フィルタＬＰＦ２はインダクタＬと、その
インダクタＬに並列接続されたコンデンサＣ２とで形成
される。
路ＳＬ２とで形成され、低域通過フィルタＬＰＦ１は方
向性結合器ＣＯＵの主線路ＳＬ１と、その主線路ＳＬ１
に並列接続されたコンデンサＣ１とで形成される。ま
た、低域通過フィルタＬＰＦ２はインダクタＬと、その
インダクタＬに並列接続されたコンデンサＣ２とで形成
される。
【００１６】図２は、図１の回路を備えた高周波複合部
品の透視斜視図である。高周波複合部品１０は、方向性
結合器、低域通過フィルタ（図示せず）が内蔵された積
層体１１を備える。
品の透視斜視図である。高周波複合部品１０は、方向性
結合器、低域通過フィルタ（図示せず）が内蔵された積
層体１１を備える。
【００１７】そして、積層体１１にはベアチップ状のＧ
ａＡｓスイッチＳＷ１が搭載され、そのＧａＡｓスイッ
チＳＷ１を覆うように金属キャップ１２が取り付けられ
ている。また、積層体１１の側面及び下面には第１〜第
６ポートＰ１〜Ｐ６となる外部端子Ｔ１〜Ｔ６が形成さ
れ、下面にはグランドとなるグランド端子ＴＧが形成さ
れている。
ａＡｓスイッチＳＷ１が搭載され、そのＧａＡｓスイッ
チＳＷ１を覆うように金属キャップ１２が取り付けられ
ている。また、積層体１１の側面及び下面には第１〜第
６ポートＰ１〜Ｐ６となる外部端子Ｔ１〜Ｔ６が形成さ
れ、下面にはグランドとなるグランド端子ＴＧが形成さ
れている。
【００１８】図３は、図１の回路を備えた別の高周波複
合部品の断面図である。高周波複合部品１０ａは、図２
の高周波複合部品１０と比較して、方向性結合器、低域
通過フィルタ（図示せず）が内蔵された積層体１１ａが
ＧａＡｓスイッチＳＷ１を搭載するキャビティ１３を備
える点で異なる。このキャビティ１３はＧａＡｓスイッ
チＳＷ１が搭載された後、樹脂１４で封入される。
合部品の断面図である。高周波複合部品１０ａは、図２
の高周波複合部品１０と比較して、方向性結合器、低域
通過フィルタ（図示せず）が内蔵された積層体１１ａが
ＧａＡｓスイッチＳＷ１を搭載するキャビティ１３を備
える点で異なる。このキャビティ１３はＧａＡｓスイッ
チＳＷ１が搭載された後、樹脂１４で封入される。
【００１９】図４（ａ）〜図４（ｆ）、図５（ａ）〜図
５（ｃ）は、図２の高周波複合部品の積層体を構成する
各誘電体層の上面図及び下面図である。
５（ｃ）は、図２の高周波複合部品の積層体を構成する
各誘電体層の上面図及び下面図である。
【００２０】積層体１１は、誘電率が６の酸化バリウ
ム、酸化アルミニウム、シリカを主成分とする誘電体セ
ラミックからなる第１〜第８の誘電体層ａ〜ｈを上から
順次積層することによって形成される。
ム、酸化アルミニウム、シリカを主成分とする誘電体セ
ラミックからなる第１〜第８の誘電体層ａ〜ｈを上から
順次積層することによって形成される。
【００２１】第１の誘電体層ａの上面にはＧａＡｓスイ
ッチを実装するためのランドＬａ、配線パターンＬｐが
形成される。また、第２、第８の誘電体層ｂ，ｈの上面
にはグランド電極Ｇｐ１，Ｇｐ２がそれぞれ形成され
る。
ッチを実装するためのランドＬａ、配線パターンＬｐが
形成される。また、第２、第８の誘電体層ｂ，ｈの上面
にはグランド電極Ｇｐ１，Ｇｐ２がそれぞれ形成され
る。
【００２２】さらに、第３の誘電体層ｃの上面には配線
パターンＬｐが形成される。また、第４、第５の誘電体
層ｄ，ｅの上面にはストリップ電極Ｓｐ１〜Ｓｐ４がそ
れぞれ形成される。
パターンＬｐが形成される。また、第４、第５の誘電体
層ｄ，ｅの上面にはストリップ電極Ｓｐ１〜Ｓｐ４がそ
れぞれ形成される。
【００２３】さらに、第６、第７の誘電体層ｆ，ｇの上
面にはコンデンサ電極Ｃｐ１〜Ｃｐ６がそれぞれ形成さ
れる。また、第８の誘電体層ｈの下面（図４（ｃ）中で
ｈｕの符号を付す）には高周波複合部品１０の第１〜第
６のポートＰ１〜Ｐ６となる外部端子Ｔ１〜Ｔ６、グラ
ンドとなるグランド端子ＴＧが形成される。
面にはコンデンサ電極Ｃｐ１〜Ｃｐ６がそれぞれ形成さ
れる。また、第８の誘電体層ｈの下面（図４（ｃ）中で
ｈｕの符号を付す）には高周波複合部品１０の第１〜第
６のポートＰ１〜Ｐ６となる外部端子Ｔ１〜Ｔ６、グラ
ンドとなるグランド端子ＴＧが形成される。
【００２４】なお、ストリップ電極Ｓｐ１〜Ｓｐ４、コ
ンデンサ電極Ｃｐ１〜Ｃｐ６、グランド電極Ｇｐ１，Ｇ
ｐ２、ランドＬａ、外部端子Ｔ１〜Ｔ６及びグランド端
子ＴＧは、各誘電体層に形成されたビアホール電極Ｖｈ
や配線パターンＬｐで適宜接続される。
ンデンサ電極Ｃｐ１〜Ｃｐ６、グランド電極Ｇｐ１，Ｇ
ｐ２、ランドＬａ、外部端子Ｔ１〜Ｔ６及びグランド端
子ＴＧは、各誘電体層に形成されたビアホール電極Ｖｈ
や配線パターンＬｐで適宜接続される。
【００２５】なお、方向性結合器ＣＯＵの主線路ＳＬ１
はストリップ電極Ｓｐ３、副線路ＳＬ２はストリップ電
極Ｓｐ１で構成される。また、低域通過フィルタＬＰＦ
１のコンデンサＣ１はコンデンサ電極Ｃｐ１，Ｃｐ３，
Ｃｐ４で構成される。さらに、低域通過フィルタＬＰＦ
２のインダクタＬはストリップ電極Ｓｐ２，Ｓｐ４で、
コンデンサＣ２はコンデンサ電極Ｃｐ２，Ｃｐ５，Ｃｐ
６でそれぞれ構成される。
はストリップ電極Ｓｐ３、副線路ＳＬ２はストリップ電
極Ｓｐ１で構成される。また、低域通過フィルタＬＰＦ
１のコンデンサＣ１はコンデンサ電極Ｃｐ１，Ｃｐ３，
Ｃｐ４で構成される。さらに、低域通過フィルタＬＰＦ
２のインダクタＬはストリップ電極Ｓｐ２，Ｓｐ４で、
コンデンサＣ２はコンデンサ電極Ｃｐ２，Ｃｐ５，Ｃｐ
６でそれぞれ構成される。
【００２６】以上のような構成で、図１の高周波複合部
品１０を構成する方向性結合器ＣＯＵ、低域通過フィル
タＬＰＦ１，ＬＰＦ２を内蔵する積層体１１が形成され
る。そして、この積層体１１にＧａＡｓスイッチＳＷ１
を搭載し、金属キャップ１２を取り付けることにより図
２に示したような高周波複合部品１０が完成する。
品１０を構成する方向性結合器ＣＯＵ、低域通過フィル
タＬＰＦ１，ＬＰＦ２を内蔵する積層体１１が形成され
る。そして、この積層体１１にＧａＡｓスイッチＳＷ１
を搭載し、金属キャップ１２を取り付けることにより図
２に示したような高周波複合部品１０が完成する。
【００２７】図６は、本発明に係る高周波複合部品の第
２の実施例の回路図である。高周波複合部品２０は、Ｐ
ＨＳ（Personal Handy-phone System）方式の携帯電話
器に用いられるものであり、ＧａＡｓスイッチＳＷ２
と、高周波フィルタである低域通過フィルタＬＰＦ１
と、方向性結合器ＣＯＵとで構成され、４つのポートＰ
２１〜Ｐ２４を備える。
２の実施例の回路図である。高周波複合部品２０は、Ｐ
ＨＳ（Personal Handy-phone System）方式の携帯電話
器に用いられるものであり、ＧａＡｓスイッチＳＷ２
と、高周波フィルタである低域通過フィルタＬＰＦ１
と、方向性結合器ＣＯＵとで構成され、４つのポートＰ
２１〜Ｐ２４を備える。
【００２８】ＧａＡｓスイッチＳＷ２は４つの端子Ｓ２
１〜Ｓ２４を備え、端子Ｓ２４には低域通過フィルタＬ
ＰＦ１及び方向性結合器ＣＯＵが接続される。また、端
子Ｓ２１〜Ｓ２３は高周波複合部品２０の第１〜第３の
ポートＰ２１〜Ｐ２３となる。
１〜Ｓ２４を備え、端子Ｓ２４には低域通過フィルタＬ
ＰＦ１及び方向性結合器ＣＯＵが接続される。また、端
子Ｓ２１〜Ｓ２３は高周波複合部品２０の第１〜第３の
ポートＰ２１〜Ｐ２３となる。
【００２９】なお、方向性結合器ＣＯＵと低域通過フィ
ルタＬＰＦ１とは第１の実施例の高周波複合部品１０
（図１）と同様の構成を成している。
ルタＬＰＦ１とは第１の実施例の高周波複合部品１０
（図１）と同様の構成を成している。
【００３０】上述の第１及び第２の実施例の高周波複合
部品によれば、ＧａＡｓスイッチ、送信側の方向性結合
器及び低域通過フィルタを、誘電体層を積層してなる積
層体に一体化することにより、従来のディスクリートの
ＧａＡｓスイッチ、アイソレータ、低域通過フィルタ、
方向性結合器などをプリント配線基板上に実装して、接
続したものに比べて、全体の寸法を小さくすることがで
き、高周波複合部品の小型化、軽量化を実現することが
可能となる。
部品によれば、ＧａＡｓスイッチ、送信側の方向性結合
器及び低域通過フィルタを、誘電体層を積層してなる積
層体に一体化することにより、従来のディスクリートの
ＧａＡｓスイッチ、アイソレータ、低域通過フィルタ、
方向性結合器などをプリント配線基板上に実装して、接
続したものに比べて、全体の寸法を小さくすることがで
き、高周波複合部品の小型化、軽量化を実現することが
可能となる。
【００３１】また、方向性結合器が、積層体の内部に設
けたストリップ電極で構成されるため、高周波複合部品
をさらに小型化できるとともに、ＧａＡｓスイッチと方
向性結合器のインピーダンス整合を施した設計を行うこ
とができ、高周波複合部品の高性能化が実現できる。
けたストリップ電極で構成されるため、高周波複合部品
をさらに小型化できるとともに、ＧａＡｓスイッチと方
向性結合器のインピーダンス整合を施した設計を行うこ
とができ、高周波複合部品の高性能化が実現できる。
【００３２】さらに、低域通過フィルタが、積層体の内
部に設けたストリップ電極とコンデンサ電極とで構成さ
れるため、高周波複合部品をさらに小型化できるととも
に、ＧａＡｓスイッチと低域通過フィルタのインピーダ
ンス整合を施した設計を行うことができ、高周波複合部
品の高性能化が実現できる。
部に設けたストリップ電極とコンデンサ電極とで構成さ
れるため、高周波複合部品をさらに小型化できるととも
に、ＧａＡｓスイッチと低域通過フィルタのインピーダ
ンス整合を施した設計を行うことができ、高周波複合部
品の高性能化が実現できる。
【００３３】図７は、本発明に係る高周波複合部品の第
３の実施例の回路図である。高周波複合部品３０は、第
１の実施例の高周波複合部品１０（図１）と比較してＧ
ａＡｓスイッチＳＷ１の端子Ｓ１３に接続される弾性表
面波フィルタＳＡＷが一体化される点で異なる。
３の実施例の回路図である。高周波複合部品３０は、第
１の実施例の高周波複合部品１０（図１）と比較してＧ
ａＡｓスイッチＳＷ１の端子Ｓ１３に接続される弾性表
面波フィルタＳＡＷが一体化される点で異なる。
【００３４】この際、弾性表面波フィルタＳＡＷは、Ｇ
ａＡｓスイッチＳＷ１とともに積層体に搭載されること
となる。
ａＡｓスイッチＳＷ１とともに積層体に搭載されること
となる。
【００３５】なお、第２の実施例の高周波複合部品２０
（図６）に弾性表面波フィルタＳＡＷを一体化してもよ
い。この際、弾性表面波フィルタＳＡＷはＧａＡｓスイ
ッチＳＷ２の端子Ｓ２３に接続されることとなる。
（図６）に弾性表面波フィルタＳＡＷを一体化してもよ
い。この際、弾性表面波フィルタＳＡＷはＧａＡｓスイ
ッチＳＷ２の端子Ｓ２３に接続されることとなる。
【００３６】上述の第３の実施例の高周波複合部品によ
れば、受信側の弾性表面波フィルタＳＡＷも一体化され
ているため、小型化を実現しつつ高周波複合部品の機能
をさらに向上させることができる。
れば、受信側の弾性表面波フィルタＳＡＷも一体化され
ているため、小型化を実現しつつ高周波複合部品の機能
をさらに向上させることができる。
【００３７】図８は、一般的な無線通信装置であるＰＣ
Ｄ方式の携帯電話器のＲＦブロック図である。携帯電話
器４０は、送受信用アンテナＡＮＴ１と、受信用アンテ
ナＡＮＴ２と、スイッチＳＷ１を介して送受信用アンテ
ナＡＮＴ１に接続される送信部Ｔｘと、スイッチＳＷ１
を介して送受信用アンテナＡＮＴ１、受信用アンテナＡ
ＮＴ２に接続される受信部Ｒｘとを含む。
Ｄ方式の携帯電話器のＲＦブロック図である。携帯電話
器４０は、送受信用アンテナＡＮＴ１と、受信用アンテ
ナＡＮＴ２と、スイッチＳＷ１を介して送受信用アンテ
ナＡＮＴ１に接続される送信部Ｔｘと、スイッチＳＷ１
を介して送受信用アンテナＡＮＴ１、受信用アンテナＡ
ＮＴ２に接続される受信部Ｒｘとを含む。
【００３８】なお、送信部Ｔｘは、低域通過フィルタＬ
ＰＦ１、方向性結合器ＣＯＵ、高出力増幅器ＰＡ及びミ
キサＭＩＸ１で構成され、受信部Ｒｘは、帯域通過フィ
ルタである弾性表面波フィルタＳＡＷ、低雑音増幅器Ｌ
ＮＡ、及びミキサＭＩＸ２を備える。また、送信部Ｔｘ
のミキサＭＩＸ１及び受信部ＲｘのミキサＭＩＸ２の一
方の入力には局部信号を発生するシンセサイザＳＹＮが
接続される。
ＰＦ１、方向性結合器ＣＯＵ、高出力増幅器ＰＡ及びミ
キサＭＩＸ１で構成され、受信部Ｒｘは、帯域通過フィ
ルタである弾性表面波フィルタＳＡＷ、低雑音増幅器Ｌ
ＮＡ、及びミキサＭＩＸ２を備える。また、送信部Ｔｘ
のミキサＭＩＸ１及び受信部ＲｘのミキサＭＩＸ２の一
方の入力には局部信号を発生するシンセサイザＳＹＮが
接続される。
【００３９】そして、図８（ａ）に示すように、携帯電
話器４０のＲＦ部の一部であるスイッチＳＷ１、送信部
Ｔｘの方向性結合器ＣＯＵ及び低域通過フィルタＬＰＦ
１、並びにＧａＡｓスイッチＳＷ１と第６ポートＰ１６
との間に配設された低域通過フィルタＬＰＦ２に、図１
に示す高周波複合部品１０を用いる。
話器４０のＲＦ部の一部であるスイッチＳＷ１、送信部
Ｔｘの方向性結合器ＣＯＵ及び低域通過フィルタＬＰＦ
１、並びにＧａＡｓスイッチＳＷ１と第６ポートＰ１６
との間に配設された低域通過フィルタＬＰＦ２に、図１
に示す高周波複合部品１０を用いる。
【００４０】また、図８（ｂ）に示すように、携帯電話
器４０のＲＦ部の一部であるスイッチＳＷ１、送信部Ｔ
ｘの方向性結合器ＣＯＵ及び低域通過フィルタＬＰＦ
１、送信部Ｒｘの弾性表面波フィルタＳＡＷ、並びにＧ
ａＡｓスイッチＳＷ１と第６ポートＰ１６との間に配設
された低域通過フィルタＬＰＦ２に、図７に示す高周波
複合部品３０を用いる。
器４０のＲＦ部の一部であるスイッチＳＷ１、送信部Ｔ
ｘの方向性結合器ＣＯＵ及び低域通過フィルタＬＰＦ
１、送信部Ｒｘの弾性表面波フィルタＳＡＷ、並びにＧ
ａＡｓスイッチＳＷ１と第６ポートＰ１６との間に配設
された低域通過フィルタＬＰＦ２に、図７に示す高周波
複合部品３０を用いる。
【００４１】なお、高周波複合部品１０，３０を搭載す
るＰＤＣ方式の携帯電話器を自動車電話として用いる場
合には、自由端子となっている高周波複合部品１０，３
０の第５ポートＰ５に送受信用の車載アンテナ、第６ポ
ートＰ６に受信用の車載アンテナをそれぞれ接続し、こ
れらの車載アンテナにより送受信を行う。
るＰＤＣ方式の携帯電話器を自動車電話として用いる場
合には、自由端子となっている高周波複合部品１０，３
０の第５ポートＰ５に送受信用の車載アンテナ、第６ポ
ートＰ６に受信用の車載アンテナをそれぞれ接続し、こ
れらの車載アンテナにより送受信を行う。
【００４２】上述の実施例の携帯電話器によれば、小型
化、軽量化した高周波複合部品を携帯電話器のＲＦ部の
一部に使用するため、携帯電話器を小型化、軽量化する
ことができる。
化、軽量化した高周波複合部品を携帯電話器のＲＦ部の
一部に使用するため、携帯電話器を小型化、軽量化する
ことができる。
【００４３】なお、上述の第１〜第３の実施例の高周波
複合部品では、高周波フィルタに低域通過フィルタを用
いる場合について説明したが、高域通過フィルタや帯域
通過フィルタでも同様の効果が得られる。
複合部品では、高周波フィルタに低域通過フィルタを用
いる場合について説明したが、高域通過フィルタや帯域
通過フィルタでも同様の効果が得られる。
【００４４】また、上述の実施例の移動体通信装置で
は、ＰＤＣ方式の携帯電話器を例に挙げて説明したが、
他の方式、例えばＰＨＳ方式の携帯電話器に用いても同
様の効果が得られる。
は、ＰＤＣ方式の携帯電話器を例に挙げて説明したが、
他の方式、例えばＰＨＳ方式の携帯電話器に用いても同
様の効果が得られる。
【００４５】
【発明の効果】請求項１の高周波複合部品によれば、Ｇ
ａＡｓスイッチ、送信側の方向性結合器及び低域通過フ
ィルタを、誘電体層を積層してなる積層体に一体化する
ことにより、従来のディスクリート部品のＧａＡｓスイ
ッチ、アイソレータ、低域通過フィルタ、方向性結合器
などをプリント配線基板上に実装して、接続したものに
比べて、全体の寸法を小さくすることができ、高周波複
合部品の小型化、軽量化を実現することが可能となる。
ａＡｓスイッチ、送信側の方向性結合器及び低域通過フ
ィルタを、誘電体層を積層してなる積層体に一体化する
ことにより、従来のディスクリート部品のＧａＡｓスイ
ッチ、アイソレータ、低域通過フィルタ、方向性結合器
などをプリント配線基板上に実装して、接続したものに
比べて、全体の寸法を小さくすることができ、高周波複
合部品の小型化、軽量化を実現することが可能となる。
【００４６】請求項２の高周波複合部品によれば、受信
側の弾性表面波フィルタＳＡＷも一体化されているた
め、小型化を実現しつつ高周波複合部品の機能をさらに
向上させることができる。
側の弾性表面波フィルタＳＡＷも一体化されているた
め、小型化を実現しつつ高周波複合部品の機能をさらに
向上させることができる。
【００４７】請求項３の高周波複合部品によれば、方向
性結合器が、積層体の内部に設けたストリップ電極で構
成されるため、高周波複合部品をさらに小型化できると
ともに、ＧａＡｓスイッチと方向性結合器のインピーダ
ンス整合を施した設計を行うことができ、高周波複合部
品の高性能化が実現できる。
性結合器が、積層体の内部に設けたストリップ電極で構
成されるため、高周波複合部品をさらに小型化できると
ともに、ＧａＡｓスイッチと方向性結合器のインピーダ
ンス整合を施した設計を行うことができ、高周波複合部
品の高性能化が実現できる。
【００４８】請求項４の高周波複合部品によれば、低域
通過フィルタが、積層体の内部に設けたストリップ電極
とコンデンサ電極とで構成されるため、高周波複合部品
をさらに小型化できるとともに、ＧａＡｓスイッチと低
域通過フィルタのインピーダンス整合を施した設計を行
うことができ、高周波複合部品の高性能化が実現でき
る。
通過フィルタが、積層体の内部に設けたストリップ電極
とコンデンサ電極とで構成されるため、高周波複合部品
をさらに小型化できるとともに、ＧａＡｓスイッチと低
域通過フィルタのインピーダンス整合を施した設計を行
うことができ、高周波複合部品の高性能化が実現でき
る。
【００４９】請求項５の無線通信装置によれば、小型
化、軽量化した高周波複合部品を携帯電話器のＲＦ部の
一部に使用するため、携帯電話器を小型化、軽量化する
ことができる。
化、軽量化した高周波複合部品を携帯電話器のＲＦ部の
一部に使用するため、携帯電話器を小型化、軽量化する
ことができる。
【図１】本発明の高周波複合部品に係る第１の実施例の
回路図である。
回路図である。
【図２】図１の回路を備えた高周波複合部品の透視斜視
図である。
図である。
【図３】図１の回路を備えた別の高周波複合部品の断面
図である。
図である。
【図４】図１の高周波複合部品の積層体を構成する
（ａ）第１の誘電体層〜（ｆ）第６の誘電体層の上面図
である。
（ａ）第１の誘電体層〜（ｆ）第６の誘電体層の上面図
である。
【図５】図１の高周波複合部品の積層体を構成する
（ａ）第７の誘電体層、（ｂ）第８の誘電体層の上面図
及び（ｃ）第８の誘電体層の下面図である。
（ａ）第７の誘電体層、（ｂ）第８の誘電体層の上面図
及び（ｃ）第８の誘電体層の下面図である。
【図６】本発明の高周波複合部品に係る第２の実施例の
回路図である。
回路図である。
【図７】本発明の高周波複合部品に係る第３の実施例の
回路図である。
回路図である。
【図８】一般的な無線通信装置であるＰＣＤ方式の携帯
電話器のＲＦブロック図である。
電話器のＲＦブロック図である。
【図１０】従来の高周波複合部品を示すブロック図であ
る。
る。
１０，１０ａ，２０，３０ 高周波複合部品 １１，１１ａ 積電体 ４０ 無線通信装置（携帯電話器） ａ〜ｈ 誘電体層 ＣＯＵ 方向性結合器 Ｃｐ１〜Ｃｐ６ コンデンサ電極 ＬＰＦ１，ＬＰＦ２ 高周波フィルタ（低域通過フ
ィルタ） ＳＡＷ 弾性表面波フィルタ Ｓｐ１〜Ｓｐ４ ストリップ電極 ＳＷ１，ＳＷ２ ＧａＡｓスイッチ
ィルタ） ＳＡＷ 弾性表面波フィルタ Ｓｐ１〜Ｓｐ４ ストリップ電極 ＳＷ１，ＳＷ２ ＧａＡｓスイッチ
【手続補正書】
【提出日】平成１１年６月１６日（１９９９．６．１
６）
６）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の高周波複合部品に係る第１の実施例の
回路図である。
回路図である。
【図２】図１の回路を備えた高周波複合部品の透視斜視
図である。
図である。
【図３】図１の回路を備えた別の高周波複合部品の断面
図である。
図である。
【図４】図１の高周波複合部品の積層体を構成する
（ａ）第１の誘電体層〜（ｆ）第６の誘電体層の上面図
である。
（ａ）第１の誘電体層〜（ｆ）第６の誘電体層の上面図
である。
【図５】図１の高周波複合部品の積層体を構成する
（ａ）第７の誘電体層、（ｂ）第８の誘電体層の上面図
及び（ｃ）第８の誘電体層の下面図である。
（ａ）第７の誘電体層、（ｂ）第８の誘電体層の上面図
及び（ｃ）第８の誘電体層の下面図である。
【図６】本発明の高周波複合部品に係る第２の実施例の
回路図である。
回路図である。
【図７】本発明の高周波複合部品に係る第３の実施例の
回路図である。
回路図である。
【図８】一般的な無線通信装置であるＰＣＤ方式の携帯
電話器のＲＦブロック図である。
電話器のＲＦブロック図である。
【図９】従来の高周波複合部品を示すブロック図であ
る。
る。
【符号の説明】 １０，１０ａ，２０，３０ 高周波複合部品 １１，１１ａ 積電体 ４０ 無線通信装置（携帯電話器） ａ〜ｈ 誘電体層 ＣＯＵ 方向性結合器 Ｃｐ１〜Ｃｐ６ コンデンサ電極 ＬＰＦ１，ＬＰＦ２ 高周波フィルタ（低域通過フ
ィルタ） ＳＡＷ 弾性表面波フィルタ Ｓｐ１〜Ｓｐ４ ストリップ電極 ＳＷ１，ＳＷ２ ＧａＡｓスイッチ
ィルタ） ＳＡＷ 弾性表面波フィルタ Ｓｐ１〜Ｓｐ４ ストリップ電極 ＳＷ１，ＳＷ２ ＧａＡｓスイッチ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5J024 AA01 CA00 CA11 DA04 DA29 DA35 EA01 EA03 FA03 5K011 DA00 DA03 DA21 DA23 DA27 JA01 KA00
Claims (5)
- 【請求項１】 誘電体層を積層してなる積層体と、該積
層体に内蔵された方向性結合器及び高周波フィルタの少
なくとも一方と、前記積層体に搭載されたＧａＡｓスイ
ッチとを備えることを特徴とする高周波複合部品。 - 【請求項２】 前記積層体に搭載された弾性表面波フィ
ルタを備えることを特徴とする請求項１に記載の高周波
複合部品。 - 【請求項３】 前記方向性結合器が、前記積層体の内部
に設けたストリップ電極で構成されることを特徴とする
請求項１あるいは請求項２に記載の高周波複合部品。 - 【請求項４】 前記高周波フィルタが、前記積層体の内
部に設けたインダクタ電極と、前記積層体の内部に前記
誘電体層を挟んで互いに対向して設けたコンデンサ電極
で構成されることを特徴とする請求項１あるいは請求項
２に記載の高周波複合部品。 - 【請求項５】 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載
の高周波複合部品を用いることを特徴とする無線通信装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11081538A JP2000278168A (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 高周波複合部品及びそれを用いる無線通信装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11081538A JP2000278168A (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 高周波複合部品及びそれを用いる無線通信装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000278168A true JP2000278168A (ja) | 2000-10-06 |
Family
ID=13749087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11081538A Pending JP2000278168A (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 高周波複合部品及びそれを用いる無線通信装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000278168A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003109699A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Nec Tokin Corp | 導電端子及びその接合方法及び情報通信媒体 |
| KR20030073077A (ko) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | (주)파워플러스 | 블로킹 필터 및 페이즈 커플러를 일체화한 통합형블로킹필터 |
| JP2005020140A (ja) * | 2003-06-24 | 2005-01-20 | Ngk Spark Plug Co Ltd | アンテナスイッチモジュール及びそれを用いた無線電話通信装置 |
| JPWO2005057803A1 (ja) * | 2003-12-11 | 2008-04-17 | 日立金属株式会社 | マルチバンド高周波回路、マルチバンド高周波回路部品及びこれを用いたマルチバンド通信装置 |
| JP2008306758A (ja) * | 2003-11-11 | 2008-12-18 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波モジュール |
| US7555324B2 (en) | 2003-09-19 | 2009-06-30 | Hitachi, Ltd. | Mobile terminal |
| JP2010178380A (ja) * | 2000-11-01 | 2010-08-12 | Hitachi Metals Ltd | 高周波スイッチモジュール |
| US8116046B2 (en) | 2002-10-02 | 2012-02-14 | Epcos Ag | Circuit arrangement that includes a device to protect against electrostatic discharge |
| WO2014013765A1 (ja) * | 2012-07-18 | 2014-01-23 | 株式会社村田製作所 | アンテナマッチングデバイス |
| US8922295B2 (en) | 2010-11-12 | 2014-12-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Directional coupler |
-
1999
- 1999-03-25 JP JP11081538A patent/JP2000278168A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010220231A (ja) * | 2000-11-01 | 2010-09-30 | Hitachi Metals Ltd | 高周波スイッチモジュール |
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| US7904031B2 (en) | 2003-11-11 | 2011-03-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency module for transmitting and receiving transmission-reception signals of at least three communication systems using a single antenna |
| JP4702415B2 (ja) * | 2003-11-11 | 2011-06-15 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
| JP2009005381A (ja) * | 2003-11-11 | 2009-01-08 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波モジュール |
| JP4548610B2 (ja) * | 2003-12-11 | 2010-09-22 | 日立金属株式会社 | マルチバンド高周波回路、マルチバンド高周波回路部品及びこれを用いたマルチバンド通信装置 |
| JPWO2005057803A1 (ja) * | 2003-12-11 | 2008-04-17 | 日立金属株式会社 | マルチバンド高周波回路、マルチバンド高周波回路部品及びこれを用いたマルチバンド通信装置 |
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| JP5720854B2 (ja) * | 2012-07-18 | 2015-05-20 | 株式会社村田製作所 | アンテナマッチングデバイス |
| US9391657B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-07-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna matching device |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040708 |
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