KR102183516B1 - 투명한 스페이서에 의해 ｌｅｄ로부터 분리된 인광체 - Google Patents

투명한 스페이서에 의해 ｌｅｄ로부터 분리된 인광체 Download PDF

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Abstract

인광체 층(48)에 의해 방출된 광의 LED 다이(12)에 의한 흡수를 감소시키기 위해, LED 다이(12)의 흡수형 반도체 층들은 LED 다이에 부착된 비교적 두꺼운 유리판(44)에 의해 또는 LED 다이 투명한 성장 기판에 의해 인광체 층으로부터 분리된다. 따라서, LED 다이를 향해 충분한 각도로 방출된 인광체 광은 투명한 스페이서(44)를 통과하고 스페이서의 측벽들을 나가서, 그 광이 LED 다이에 의해 흡수되는 것을 방지할 것이다. LED 다이는 GaN계일 수도 있다. 스페이서는 적어도 100 마이크로미터 두께를 갖는다. 인광체가 LED 반도체 층들 상에 직접 퇴적되는 경우의 광 방출에 비교해서 이 기법을 이용함으로써 광 추출에 있어서의 16% 이득이 달성 가능하다.

Description

투명한 스페이서에 의해 ＬＥＤ로부터 분리된 인광체{PHOSPHOR SEPARATED FROM LED BY TRANSPARENT SPACER}
본 발명은 인광체 변환된(phosphor-converted) 발광 다이오드(LED)들에 관한 것이며, 특히 이러한 LED들에 있어서의 광 추출 효율을 향상시키기 위한 기법에 관한 것이다.
청색 LED 다이 위에 황색 YAG 인광체와 같은 인광체 층을 제공하는 것이 일반적이다. 통상적으로, 인광체를 청색 LED 다이 위에 직접 제공하여 백색 광을 제조한다. 인광체를 통과해 새어 나온 청색 광이 인광체 광과 조합되어 백색 광을 생성한다. LED 다이 위에 인광체 층을 퇴적하는(deposit) 많은 방식들이 있다.
인광체를 여기(exciting)시키는 청색 광은 인광체로 하여금 광자(photon)들을 모든 방향으로 방출하게 한다. 비교적 얇은 인광체 층에 대해, 인광체 광의 50%는 LED 다이로부터 멀리 상방으로 방출되고 인광체 광의 50%는 LED 다이를 향해 방출되어 LED 다이 표면들에 충돌한다고 가정될 수 있다. 질화 갈륨(GaN)계 LED 다이들에 대해, LED 다이 표면에 충돌하는 인광체 광의 약 15%는 LED 재료에 의해 흡수되고, 약 85%는 인광체 층을 향해 다시 반사된다. 따라서, 인광체 광의 대략 절반이 LED 표면에 충돌하고 그 광의 15%가 흡수되기 때문에, 인광체 층에 의해 방출된 전체 광의 약 7.5%는 LED 재료에 의해 흡수됨으로써 허비된다. 이것은 시스템에 있어서의 가장 큰 손실 메커니즘이다.
인광체 광의 LED 다이의 흡수에 의해 야기되는 이러한 손실을 감소시키기 위한 기법이 필요로 된다.
GaN계 LED가 투명한 사파이어, SiC 또는 다른 성장 기판 상에 성장된다. 이러한 기판들은 통상적으로 약 75 마이크로미터 두께를 가지며, 여기서 두께는 처리 동안 LED 웨이퍼에 최소 필요한 기계적 지지를 제공하도록 선택된다. 일 실시예에서, LED들이 단일화된(singulated) 후에, 많은 LED 다이들은 모든 LED 다이들이 용이하게 취급되고 처리될 수 있도록 단일 서브마운트 웨이퍼(submount wafer) 또는 리드 프레임 어셈블리(lead frame assembly) 상에 실장된다. 플립칩 LED 다이들에 대해, 서브마운트 웨이퍼 상에 LED 다이들을 실장한 후에, 성장 기판은 상방으로 향하고 있고 노출되어 있다. 성장 기판은 그 후에 레이저 리프트오프(laser liftoff)에 의해 제거될 수 있다.
투명한 유리판이 그 후에 각각의 LED 위에 얇은 실리콘 접착제(예컨대, 50 마이크로미터 미만)에 의해 부착된다. 유리판은 바람직하게 100 마이크로미터보다 더 큰 두께를 가지며, 일 실시예에서는 250 내지 400 마이크로미터 두께를 갖는다. 유리는 약 1.5의 굴절률을 갖는다.
인광체 층이 그 후에 유리판의 상단 표면 및 측벽들 위에, 이를테면 분무(spraying)에 의해 또는 유리판 및 서브마운트 웨이퍼 표면 위에 미리 형성된 인광체 시트를 적층함으로써, 또는 다른 적합한 기법들에 의해 퇴적된다. 일 실시예에서, 인광체는 실리콘 바인더 내에 주입된다. 실리콘은 약 1.5의 굴절률을 가지며, 그래서 인광체 층은 효과적으로 약 1.5의 인덱스를 갖는다. 인광체 층의 두께는 통상적으로 30 내지 75 마이크로미터일 것이다.
인광체 층과 유리판이 거의 동일한 굴절률을 가지기 때문에, 유리판 표면을 향해 방출되는 임의의 인광체 광은 유리판에 들어갈 것이고, LED 상단 표면에 충돌하지 않는 한, 거의 또는 전혀 내부 반사 없이 유리판을 직접 통과할 것이다. 유리판에 들어가고 LED 다이에서 반사되는 임의의 인광체 광은 다이에 의한 흡수로 인해 15% 감쇠를 가질 것이다.
유리판이 LED 다이에 비해 상대적으로 두껍기 때문에(반도체 층들은 단지 수 마이크로미터일 수 있음), 유리판에 들어가는 인광체 광의 많은 부분은 LED 다이에 접촉하지 않고서 유리판의 측벽들로부터 나갈 것이다. 그리하여, LED 재료에 의한 흡수는 인광체가 LED 다이 상에 직접 퇴적된 경우에 비교해서 휠씬 더 적을 것이다. 본 발명자들은 결과적인 LED 구조체를 시뮬레이션하였고, 인광체 층이 LED 다이 표면 위에 직접 퇴적된 디바이스에 비해 광 추출에 있어서의 16% 이득이 획득되었다.
결과적인 LED 구조체는 인광체 층이 LED 다이 위에 직접 퇴적되어 있는 종래의 LED 구조체에 비교해서 휠씬 더 많은 측면 방출(side emission)을 갖는다. 측면 방출이 요구되지 않으면, LED 구조체는 반사성 컵에 실장될 수도 있다. 전체 측면 방출이 요구되면, 반사성 금속 층이 인광체 층 위에 퇴적될 수도 있다. 선택적으로, 유리판은 컨포멀(conformal) 인광체 층 및 금속 반사체로 하여금 LED 다이로부터 멀리 광을 지향하게 하기 위해 딤플(dimple)을 가지고 형성될 수 있다. 이것은 더 적은 광이 LED 다이에 충돌할 것이기 때문에 광 추출 효율을 한층 더 향상시킬 것이다. 이러한 측면 방출형 LED는 백라이트에 적합하고, 여기서 LED 모듈들을 지지하는 인쇄 회로 기판이 광 가이드(light guide)와 평행하고 측면 방출이 광 가이드의 에지들에 커플링된다.
반사를 감소시키기 위해 유리판 및 인광체 층의 굴절률들이 일치하는 것이 바람직하다. 하지만, 굴절률들이 일치하지 않더라도, LED 다이에 의한 흡수를 감소시킴으로써 광 추출 효율을 여전히 증가시키는, 유리판 외부 표면들에서 인광체 광의 일부 반사가 있을 것이다.
다른 실시예에서, 투명한 성장 기판이 제거되지 않고, 인광체가 성장 기판 위에 퇴적된다. 이러한 실시예에 대해, 종래의 75 마이크로미터 기판보다 휠씬 더 두꺼운 성장 기판을 사용하는 것이 바람직하다. 일 실시예에서, 성장 기판은 100 내지 400 마이크로미터 사이의 두께를 갖는다. 이 두꺼운 기판에 들어가는 임의의 인광체 광은 LED 다이 표면에 접촉하지 않고서 기판 측벽들을 나갈 가능성이 크다.
유리판 및 기판은 400 마이크로미터보다 더 두껍게 제조될 수도 있지만, 성능과 재료 비용의 트레이드오프가 존재한다. 유리판을 사용하지 않고, 사파이어판들이 LED 다이에 부착될 수도 있다.
일 실시예에서, 서브마운트 또는 리드 프레임은 은 층에 의해 형성된 것과 같은 반사성 상단 표면을 가지며, 그래서 임의의 인광체 광 또는 LED 광은 서브마운트 또는 리드 프레임에서 반사될 것이고 흡수되지 않을 것이다.
실리콘으로 형성된 것과 같은 반구형 렌즈가 모든 LED들 위에 몰딩된다. 그 후에 서브마운트 웨이퍼가 단일화되거나 또는 리드 프레임들이 분리된다.
다른 실시예들이 개시된다.
도 1은 다른 LED 다이들과 함께 서브마운트 웨이퍼 상에 실장된 종래 기술의 청색 또는 UV 플립칩 LED 다이의 단면 개략도이다.
도 2는 도 1에서보다 한층 더 간략화된 LED 다이 및 서브마운트 웨이퍼의 단면도로서, LED 다이의 상단 표면에 부착된 유리판 그리고 유리판의 상단 표면 및 측벽들 위에 퇴적된 인광체 층을 갖는 도면이다.
도 3은 도 2의 구조체를 예시한 것으로서, 어떻게 인광체 층으로부터의 다양한 광선들이 유리판을 통과하고 유리판의 측벽들을 통해 나가서 LED 다이 표면에서의 충돌을 회피하는지를 도시한다.
도 4는 도 2와 유사하지만 모든 측면 방출을 야기하기 위해 딤플을 갖는 유리판 및 인광체 층 위의 금속 반사체를 가진 구조체를 예시한다.
도 5는 LED 다이의 원래대로 있는 투명한 성장 기판 및 기판 위에 퇴적된 인광체 층과 함께 간략화된 LED 다이 그리고 서브마운트 웨이퍼의 단면도이다.
도 6은 도 5의 구조체를 예시한 것으로서, 어떻게 인광체 층으로부터의 다양한 광선들이 투명한 성장 기판을 통과하고 기판의 측벽들을 통해 나가서 LED 다이 표면에서의 충돌을 회피하는지를 도시한다.
동일하거나 유사한 요소들은 동일한 부호로 라벨링된다.
본 발명의 기법은 많은 유형들의 상이한 LED들에 적용 가능할 수도 있으며, 본 발명의 적용을 예시하기 위해 LED 구조체의 일 예에 대해 설명할 것이다.
종래 기술인 도 1은 서브마운트 웨이퍼(14)의 일부분 상에 실장된 종래의 플립칩 LED 다이(12)를 예시한다. 플립칩에서, n 콘택트와 p 콘택트 모두가 LED 다이의 동일한 면에 형성된다. LED 다이는 그 상단 표면 상에 하나의 전극 또는 두 전극들을 갖는 다이를 포함한, 임의의 다른 유형의 다이일 수도 있다.
이 개시 내용에서, "서브마운트 웨이퍼"라는 용어는 LED 다이들의 어레이에 대한 지지체를 의미하도록 의도되며, 여기서 웨이퍼 상의 금속 패드들이 LED 다이들 상의 전극들에 본딩되고, 웨이퍼는 나중에 단일화되어 단일 서브마운트 상에 하나 이상의 LED 다이들을 형성한다.
서브마운트 웨이퍼 대신에, LED 다이들(12)은 반사성 리드 프레임 어셈블리 상에 실장될 수도 있고, 여기서 다수의 리드 프레임들이 금속 탭들에 의해 상호접속되는데, 금속 탭들은 LED들/리드 프레임들을 단일화하기 위해 나중에 톱으로 잘라진다. 리드 프레임들은 은이 코팅된 구리일 수도 있다. 각각의 리드 프레임은 LED 다이 전극들로의 접속을 위한 적어도 2개의 금속 패드들 그리고 인쇄 회로 기판으로의 접속을 위한 적어도 2개의 단자들을 가질 것이다.
LED 다이(12)는 사파이어 기판과 같은 성장 기판 상에 성장된, n층(16), 활성층(18) 및 p층(20)을 포함하는 반도체 에피택셜 층들로 형성된다. 성장 기판은 레이저 리프트오프, 에칭, 연마에 의해 또는 다른 기법들에 의해 도 1에서 제거되어 있다. 일 예에서, 에피택셜 층들은 GaN계이고, 활성층(18)은 청색 광을 방출한다. UV 광을 방출하는 LED 다이들도 본 발명에 적용 가능하다.
금속 전극(22)은 p층(20)에 전기적으로 접촉하고, 금속 전극(24)은 n층(16)에 전기적으로 접촉한다. 일 예에서, 전극들(22 및 24)은 금을 포함하고 세라믹 서브마운트 웨이퍼(14) 상의 금속 패드들(26 및 28)에 초음파 용접된다. 서브마운트 웨이퍼(14)는 인쇄 회로 기판에 본딩하기 위한 저부 금속 패드들(40)에 연결되는 도전성 비아들(30)을 갖는다. 많은 LED 다이들(12)이 서브마운트 웨이퍼(14) 상에 실장되고 통상적인 라인(42)을 따라 나중에 단일화되어 개별 LED들/서브마운트들을 형성할 것이다.
LED들의 추가적인 세부 사항들은 양수인의 미국 특허 6,649,440 및 6,274,399, 그리고 미국 특허 공개 US 2006/0281203 A1 및 2005/0269582 A1에서 발견될 수 있고, 이들 모두는 본 명세서에 참조로서 통합된다.
도 2는 (도 1에 도시된) 금속 패드들(26, 28)을 통해 서브마운트 웨이퍼(14) 상에 실장된 도 1에서의 간략화된 LED 다이(12)의 단면도이다. 서브마운트 웨이퍼(14)의 표면에는 LED 다이(12)를 둘러싸는 은 반사성 층(52)이 제공되거나, 또는 금속 패드들(26, 28)이 반사성이고 LED 다이(12)를 지나 연장된다.
성장 기판을 갖지 않는 LED 다이(12)는 단지 수 마이크로미터 두께를 갖는다. 투명한 유리판(44)은 실리콘(46)의 매우 얇은 층을 이용하여 LED 다이(12)의 상단 표면에 부착된다. 실리콘(46)은 실현 가능한 한 얇으며 통상적으로 약 50 마이크로미터 두께를 갖는다. 실리콘(46)은 마스크를 통한 분무 또는 인쇄에 의해 퇴적될 수도 있다. 유리판(44)은 비교적 두꺼워야 하며, 예컨대 100 내지 400 마이크로미터, 바람직하게는 250 마이크로미터보다 더 큰 두께를 가져야 한다. 유리판(44)은 공지된 물유리(liquid glass) 기법을 포함한 많은 기법들에 의해 제작될 수도 있고, 자동 픽 앤드 플레이스 머신(automated pick and place machine)들을 사용하여 배치될 수도 있다.
일 실시예에서, 실리콘(46)은 청색 LED 광의 몇몇 초기 파장 변환을 제공하기 위해 실리콘 내에 주입된 인광체를 갖는다. 실리콘(46) 내의 인광체는 YAG 인광체, 녹색 인광체, 적색 인광체, 또는 임의의 다른 인광체일 수도 있다.
인광체 층(48)은 그 후에 유리판(44)의 상단 표면 및 측벽들 위에 퇴적된다. 인광체 층(48)은 인광체 분말과 실리콘의 혼합물로 형성된, 미리 형성된 인광체 시트일 수도 있는데, 시트는 시험된 후에 LED 다이들(12) 및 서브마운트 웨이퍼(14) 위에 적층된다. 이 인광체는 YAG 인광체일 수도 있다. 시트를 유리판들(44) 및 서브마운트 웨이퍼(14) 표면 위에 가압하여 시트를 표면들에 정합(conform)시킨 후에, 시트를 그 후에 가열하여 유리판(44) 및 LED(12)의 측면들 위에 인광체 층(48)을 부착한다. 인광체 층(48)은 그 대신에 분무되거나, 스크린 인쇄되거나, 전기영동법(electrophoresis)에 의해 퇴적되거나, 또는 다른 수단에 의해 퇴적될 수도 있다. 일 실시예에서, 인광체 층은 원하는 색, LED 강도, 인광체의 밀도 및 다른 고려사항들에 따라 30 내지 75 마이크로미터 두께를 갖는다. 인광체 층(48)은 원하는 색을 달성하기 위해 인광체들의 조합을 포함할 수도 있고 또는 복수의 인광체 층들일 수도 있다. 일 실시예에서, LED 구조체의 전체 출력은 임의의 색 온도를 갖는 백색 광이다.
유리판(예컨대, n=1.5) 및 인광체 층(예컨대, n=1.5)의 굴절률들은 계면에서의 반사를 감소시키기 위해 일치하는 것이 바람직하다. 하지만, 굴절률들이 일치하지 않더라도, LED 다이(12)에 의한 흡수를 감소시킴으로써 광 추출 효율을 여전히 증가시키는, 유리판(44) 외부 표면들에서 인광체 광의 일부 반사가 있을 것이다.
서브마운트 웨이퍼(14) 또는 리드 프레임 어셈블리 상의 모든 LED 다이들(12)은 취급을 간단하게 하고, 균일성을 향상시키고, 처리를 고속화하고 그리고 비용을 절감하기 위해 최대한 가능한 정도로 함께 처리된다.
그 후에 반구형 렌즈들(50)이 모든 LED 다이들(12) 위에 동시에 몰딩되어 광 추출을 증가시키고 보호를 위해 LED 다이들(12)을 캡슐화한다. 렌즈들(50)은 실리콘일 수도 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 도 2의 구조체는 더 많은 광(54)이 LED 구조체의 측면들로부터 나오게 하는데, 이는 LED 구조체의 측벽들이 종래의 인광체 코팅된 LED의 측벽들보다 휠씬 더 두껍기 때문이다. 인광체 층(48)에 의한 광의 굴절 및 광의 산란은 간략화를 위해 도 3에 고려되지 않는다. 유리판(44)의 상단 표면 상의 인광체 층(48)이 충분한 각도로 광을 방출한다면, 모든 그러한 광은 LED 다이(12)에 충돌하여 부분적으로 흡수되기보다는 유리판(44)의 측벽들을 나갈 것이다. 유리판(44)의 측벽들 상의 인광체 층(48)에 의해 방출된 광의 대다수는 LED 다이(12)에 충돌하지 않을 것이다. 서브마운트 표면에 충돌하는 광은 반사성 층(52)에 의해 상방으로 반사될 것이다. 보다 두꺼운 유리판은 LED 다이(12)에 충돌하는 인광체 광의 양을 감소시켜, 흡수를 휠씬 더 감소시킬 것이다.
LED 구조체가 100% 측면 방출형 LED 구조체인 것이 요구된다면, LED 구조체의 상단을 통해 광이 나가는 것을 방지하고 모든 방출된 광이 측광이 되게 하기 위해 인광체 층(48)의 상단 표면 위에 금속 반사성 층(예컨대, 알루미늄 또는 은)이 퇴적될 수 있다.
도 4는 측면 방출형 LED 구조체를 예시하고, 여기서 유리판(44)은 딤플을 가지고 형성되는데, 딤플은 끝이 뾰족하거나 또는 구부러진 원뿔 모양일 수 있다. 인광체 층(48) 및 퇴적된 금속막(56)은 딤플 형상에 정합된다. 금속막(56)은 측면 방출형 LED 구조체를 형성하기 위해 유리판(44)의 측면들을 향해 모든 광을 반사시킨다. 이러한 측면 방출형 LED는 얇은 백라이트들에 적합하고, 여기서 LED 구조체를 지지하는 인쇄 회로 기판은 광 가이드와 평행하고, 측광은 광 가이드의 에지들에 커플링된다.
일 실시예에서, 사파이어판 또는 다른 투명한 재료가 판(44)을 위해 사용될 수도 있다.
도 2와 유사한 LED 구조체에 대해 수행된 시뮬레이션들에서, 인광체 층이 LED 다이(12) 표면 위에 직접 퇴적된 디바이스에 비해 광 추출에 있어서의 16% 이득이 획득되었다.
도 5는 LED 다이의 원래대로 있는 투명한 성장 기판(60) 및 기판(60) 위의 인광체 층(48)과 함께 서브마운트 웨이퍼(14) 상의 다른 간략화된 LED 다이(12)의 단면도이다. 기판(60)은 투명하며 사파이어, GaN, SiC, 또는 다른 적합한 기판일 수도 있다. 일 실시예에서, 기판(60)은 광 추출 효율을 크게 향상시키기 위해, 100 내지 400 마이크로미터 두께를 가지며, 바람직하게는 250 마이크로미터보다 더 크다. 부가된 두께는 도 2에 관해 주어진 것과 동일한 이유로 휠씬 더 많은 측광을 야기한다. 사파이어는 약 1.77의 굴절률을 가지기 때문에, 인광체 층(48)에서 바인더로서 사용된 실리콘은 사파이어에서 인광체 광의 반사를 최소화하고 내부 전반사를 최소화하기 위해 약 1.77의 인덱스를 갖도록 선택될 수 있다.
도 6은 도 5의 구조체를 예시한 것으로서, 어떻게 인광체 광(54)이 흡수형 LED 다이(12)에 충돌하지 않고 기판(60)을 통과하고 기판의 측벽들을 나가는지를 도시한다. 결과적으로, 종래 기술의 구조체들에 비해 광 추출 효율이 크게 증가된다.
그리고 나서 반구형 렌즈들(50)을 디바이스들 상에 몰딩한 후에, 서브마운트 웨이퍼(14)를 단일화하여 복수의 패키징된 LED 구조체들을 형성한다. 도 2 내지 도 6은, 인쇄 회로 기판의 패드들에 본딩하기 위해 서브마운트들의 저부 상에 금속 패드들을 갖는, 단일화 후의 LED 구조체를 나타낼 수 있다. 인광체 시트가 서브마운트 웨이퍼(14)에 적층된다면, 도 2 내지 도 5에 도시된 것과 유사하게, 인광체 시트는 패키징된 LED 구조체의 에지들로 연장된다. 대안으로, 렌즈들을 몰딩하거나, 인광체를 형성하거나 또는 유리를 부착하는 것이 단일화 이후에 일어날 수 있다.
모든 실시예들에서, 서브마운트 웨이퍼(14)는 반사성 리드 프레임 어셈블리에 의해 대체될 수 있다. 일단 LED 다이(12)가 렌즈(50)에 의해 캡슐화되면 더 이상 패키징은 필요하지 않다.
LED 다이들(12)에 대한 다른 실장들도 구상중이다.
일 실시예에서, LED 다이(12)의 폭 및 길이는 한면당 약 1 mm이고, 전체 패키징된 LED 구조체는 한면당 3mm 미만이다.
비록 유리판(44) 및 기판(60)이 "투명"하다고 지칭되지만, 완벽한 투명성은 실현 불가능하고, "투명"이라는 용어는 인광체 층(48)에 의해 방출되거나 LED 다이(12)에 의해 방출된 광의 파장들에 대해 실질적으로 투명한, 재료의 통상적인 투명성을 의미하도록 취해진다.
본 발명의 특정한 실시예들이 도시되고 설명되었지만, 본 기술 분야의 통상의 기술자들은 더 넓은 양태들에 있어서의 본 발명으로부터 벗어나지 않고서 변경들 및 수정들이 이루어질 수도 있으며, 따라서 첨부된 청구항들은 그러한 변경들 및 수정들 전부를 본 발명의 진정한 취지 및 범위 내에 있는 것으로서 그들의 범위 내에 포괄한다는 것을 분명히 알 것이다.

Claims (15)

  1. 인광체 변환된(phosphor-converted) 발광 다이오드(LED) 구조체로서,
    성장 기판 상에서 성장된 에피택셜 반도체 층들을 갖는 LED 다이 - 상기 성장 기판은 제거되어 있음 -;
    상기 LED 다이의 상단 표면에 부착된 실질적으로 투명한 층 - 상기 실질적으로 투명한 층은 250 마이크로미터보다 더 큰 두께를 가지며, 상기 실질적으로 투명한 층은 상단 표면 및 측벽들을 가짐 -; 및
    인광체 층에 의해 상기 실질적으로 투명한 층으로 방출된 일부의 광이 상기 실질적으로 투명한 층의 측벽들로부터 나가도록 상기 실질적으로 투명한 층의 상단 표면 및 측벽들에 직접 접촉하는 상기 인광체 층
    을 포함하고,
    상기 실질적으로 투명한 층은 인광체를 포함하는 접착제 층을 이용하여 상기 LED 다이에 부착되는 구조체.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 접착제 층은 실리콘을 더 포함하는 구조체.
  4. 제1항에 있어서, 상기 실질적으로 투명한 층은 상기 LED 다이 위에 부착된 유리 층을 포함하는 구조체.
  5. 제4항에 있어서, 상기 실질적으로 투명한 층이 상기 LED 다이 위에 부착되기 이전에 에피택셜 성장된 반도체 층들을 위한 성장 기판이 제거된 구조체.
  6. 제1항에 있어서, 상기 인광체 층 위에 상기 LED 다이를 캡슐화하는 렌즈를 더 포함하는 구조체.
  7. 제1항에 있어서, 상기 LED 다이가 실장되는 서브마운트(submount)를 더 포함하고, 상기 서브마운트의 상단 표면 부분은 상기 LED 다이 및 상기 인광체 층에 의해 방출된 광을 반사시키기 위해 반사성인 구조체.
  8. 제1항에 있어서, 상기 LED 다이가 실장되는 반사성 리드 프레임 어셈블리(reflective lead frame assembly)를 더 포함하는 구조체.
  9. 제1항에 있어서, 상기 LED 다이는 청색 광을 방출하고, 상기 청색 광과 조합된 인광체 광은 백색 광을 생성하는 구조체.
  10. 제1항에 있어서, 상기 실질적으로 투명한 층 및 상기 인광체 층은 거의 동일한 굴절률을 갖는 구조체.
  11. 제1항에 있어서, 상기 LED 다이는 플립칩인 구조체.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
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