JP2004172621A - リソグラフ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

リソグラフ装置およびデバイス製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2004172621A
JP2004172621A JP2003386748A JP2003386748A JP2004172621A JP 2004172621 A JP2004172621 A JP 2004172621A JP 2003386748 A JP2003386748 A JP 2003386748A JP 2003386748 A JP2003386748 A JP 2003386748A JP 2004172621 A JP2004172621 A JP 2004172621A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
projection
transparent plate
substrate
liquid
radiation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003386748A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3978421B2 (ja
Inventor
Arno Jan Bleeker
ヤン ブレーケル アルノ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of JP2004172621A publication Critical patent/JP2004172621A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3978421B2 publication Critical patent/JP3978421B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70341Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】リソグラフ装置およびデバイス製造方法を提供すること。
【解決手段】液浸リソグラフィ装置において、基板テーブルと投影レンズとの間に透明プレートが設けられ、それにより、基準フレームを歪ませることになる力を投影レンズに付与している液体の流れを回避している。透明プレートは、基準フレームに取り付けられた位置センサに応答するアクチュエータ・システムによって、基準フレームに対して静止した状態に維持される。透明プレートは、液体の屈折率と同じ屈折率を有している。
【選択図】図2

Description

本発明は、
−投影放射ビームを供給するための放射システムと、
−所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するべく機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、
−基板を保持するための基板テーブルと、
−パターン化されたビームを基板の目標部分に投射するための投影システムと、
−前記投影システムの最終エレメントと前記基板の間の空間に液体を充填するための液体供給システムと
を備えたリソグラフ投影装置に関する。
本明細書で使用されている「パターン化手段」という用語は、入射放射ビームに、基板の目標部分に生成すべきパターンに対応するパターン化された断面を付与するのに使用することができる手段を意味するものとして広義に解釈されたい。また、この文脈においては、「光バルブ」という用語が使用されている。一般的には、前記パターンは、目標部分に生成されるデバイス、たとえば集積回路または他のデバイス(以下を参照されたい)中の特定の機能層に対応している。このようなパターン化手段の例には、
−マスク:マスクの概念についてはリソグラフィにおいては良く知られており、バイナリ、交番移相および減衰移相などのマスク・タイプ、および様々なハイブリッド・マスク・タイプが知られている。このようなマスクを放射ビーム中に配置することにより、マスクに衝突する放射をマスクのパターンに従って選択的に透過(透過型マスクの場合)させ、あるいは選択的に反射(反射型マスクの場合)させている。マスクの場合、通常、支持構造がマスク・テーブルを構成しており、入射する放射ビーム中の所望の位置にマスクを確実に保持し、かつ、必要に応じてビームに対して移動させている。
−プログラム可能ミラー・アレイ:粘弾性制御層および反射表面を有するマトリックス・アドレス可能表面は、このようなデバイスの一例である。このような装置の基礎をなしている基本原理は、(例えば)反射表面のアドレス領域が入射光を回折光として反射し、一方、未アドレス領域が入射光を非回折光として反射することである。適切なフィルタを使用することにより、前記非回折光を反射ビームからフィルタ除去し、回折光のみを残すことができるため、この方法により、マトリックス・アドレス可能表面の処理パターンに従ってビームがパターン化される。プログラム可能ミラー・アレイの代替実施例には、マトリックス配列された微小ミラーが使用されている。微小ミラーの各々は、適切な局部電界を印加することによって、あるいは圧電駆動手段を使用することによって、軸線の周りに個々に傾斜させることができる。もう一度、アドレス・ミラーは入射する放射ビームを未アドレス・ミラーと異なる方向に反射し、この態様において、反射されたビームがマトリックス・アドレス可能ミラーのアドレス・パターンに従ってパターン化されるように、ミラーはマトリックス・アドレス可能である。必要なマトリックス・アドレス化は、適切な電子手段を使用して実行される。上で説明したいずれの状況においても、パターン化手段は、1つまたは複数のプログラム可能ミラー・アレイを備えている。上で参照したミラー・アレイに関する詳細な情報については、たとえば、いずれも参照により本明細書に援用される米国特許第5,296,891号および第5,523,193号、およびPCT特許出願WO98/38597号およびWO98/33096号を参照されたい。プログラム可能ミラー・アレイの場合、前記支持構造は、たとえば、必要に応じて固定または移動させることができるフレームあるいはテーブルとして具体化されている。
−プログラム可能LCDアレイ:このような構成の一例は、参照により本明細書に援用される米国特許第5,229,872号に記載されている。この場合の支持構造は、上と同様、たとえば、必要に応じて固定または移動させることができるフレームあるいはテーブルとして具体化されてもよい。
簡単にするために、本明細書の以下の特定の部分、とりわけ実施例の部分にはマスクおよびマスク・テーブルが包含されているが、実施例の中で考察されている一般原理は、上で説明したパターン化手段のより広義の文脈の中で理解されたい。
リソグラフ投影装置は、たとえば集積回路(IC)の製造に使用することができる。このような場合、パターン化手段が、ICの個々の層に対応する回路パターンを生成し、このパターンが、放射感応材料(レジスト)の層で被覆された基板(シリコン・ウェハ)上の目標部分(たとえば1つまたは複数のダイからなる)に画像化される。通常、1枚のウェハには、投影システムを介して順次照射される目標部分に隣接する回路網全体が含まれている。現在、マスク・テーブル上のマスクによるパターン化を使用した装置には2種類の装置がある。第1の種類のリソグラフ投影装置では、マスク・パターン全体を1回の照射で目標部分に露光することによって目標部分の各々が照射される。このような装置は、一般にウェハ・ステッパと呼ばれている。一般にステップ・アンド・スキャン装置と呼ばれている代替装置では、マスク・パターンを投影ビームの下で所与の基準方向(「走査方向」)に連続的に走査し、かつ、基板テーブルを基準方向に平行に、あるいは非平行に同期走査することによって目標部分の各々が照射される。通常、投影システムは、倍率係数M(通常<1)を有しているため、基板表面を走査する速度Vは、マスク・テーブルを走査する速度を係数M倍した速度になる。上で説明したリソグラフ・デバイスに関する詳細な情報は、たとえば、参照により本明細書に援用される米国特許第6,046,792号から収集され得る。
リソグラフ投影装置を使用した製造プロセスでは、パターン(たとえばマスクのパターン)が、少なくとも一部が放射感応材料(レジスト)の層で覆われた基板上に画像化される。この画像化ステップに先立って、プライミング、レジスト・コーティングおよびソフト・ベークなど、様々な処理手順が基板に加えられる。放射への露光後、露光後ベーク(PEB)、現像、ハード・ベークおよび画像化されたフィーチャの測定/検査などの他の処理手順が基板に加えられる。この一連の処理手順は、たとえばICなどのデバイスの個々の層をパターン化するための基本として使用されている。次に、パターン化されたこのような層に、エッチング、イオン注入(ドーピング)、メタライゼーション、酸化、化学機械研磨等、様々な処理が施される。これらの処理はすべて個々の層の仕上げを意図したものである。複数の層を必要とする場合、すべての処理手順またはそれらの変形手順を新しい層の各々に対して繰り返さなければならないが、最終的にはデバイスのアレイが基板(ウェハ)上に出現する。これらのデバイスは、次に、ダイシングまたはソーイングなどの技法を使用して互いに分割され、分割された個々のデバイスは、キャリアに取り付け、あるいはピンに接続することができる。このようなプロセスに関する詳細な情報は、たとえば、参照により本明細書に援用される著書「Microchip Fabrication:A Practical Guide to Semiconductor Processing」(Peter van Zant著、第3版、McGraw Hill Publishing Co.、1997年、ISBN 0−07−067250−4)から得られる。
単純化のために、以下、投影システムを「レンズ」と呼ぶが、この用語には、たとえば、屈折光学系、反射光学系およびカタディオプトリック系を始めとする様々なタイプの投影システムが包含されているものとして広義に解釈されたい。また、放射システムには、投影放射ビームを導き、整形し、かつ、制御するための任意の設計タイプに従って動作するコンポーネントが含まれており、以下、このようなコンポーネントについても、集合的あるいは個々に「レンズ」と呼ぶ。また、リソグラフ装置は、複数の基板テーブル(および/または複数のマスク・テーブル)を有するタイプの装置である。このような「多重ステージ」デバイスでは、追加テーブルが並列に使用されているか、あるいは1つまたは複数の他のテーブルが露光のために使用されている間、1つまたは複数のテーブルに対して予備ステップが実行されている。たとえば、参照により本明細書に援用される米国特許第5,969,441号およびWO98/40791号に、二重ステージ・リソグラフ装置が記載されている。
投影レンズの最終エレメントと基板の間の空間を充填するべく、リソグラフ投影装置内の基板を、比較的屈折率の大きい液体、たとえば水に浸す方法が提案されている。この方法のポイントは、液体中では露光放射の波長が短くなるため、より小さいフィーチャを画像化することができることである。(また、液体の効果は、システムの有効NAが増加することにあると見なすことができる。)
しかし、たとえば走査露光において、基板テーブルが液体中を移動すると、液体の粘性によって投影レンズに力が付与され、それゆえ、装置内のあらゆる位置センサが取り付けられている基準フレームに力が付与されることになる。基板およびマスク・ステージの正確な位置決めを可能にするためには、基準フレームは、基準フレームに取り付けられる様々なセンサに、極端に剛直で、かつ、安定した基準を提供しなければならない。液体を介して基準フレームに付与される力は、基準フレームに基づく様々な位置の測値を無効にするだけの十分な歪みを基準フレームにもたらしている。
本発明の目的は、基板と投影システムの間の空間が液体で充填され、かつ、基準フレームが基板ステージの移動による妨害から有効に分離されたリソグラフ投影装置を提供することである。
この目的およびその他の目的は、本発明による、冒頭で明記したリソグラフ装置において、
−前記投影システムと前記基板テーブルの間に設けられ、かつ、前記投影システムから機械的に分離された透明プレートと、
−前記透明プレートを前記投影システムに対して実質的に静止した状態に維持するための手段とを特徴とするリソグラフ装置によって達成される。
投影システムと基板テーブルの間の透明プレートは、投影システムと基板テーブルを分離し、投影レンズへの、故に、基準フレームへの液体を介した力の伝達を防止している。したがって、基板テーブルが移動することによって、基準フレームおよび基準フレームに取り付けられているセンサが妨害されることはない。
透明プレートの投影ビームの波長における屈折率は、投影ビームの波長における液体の屈折率と実質的に同じであることが好ましく、それにより、透明プレートによるあらゆる不要な光効果の導入が回避される。
透明プレートは、液体が、1つは投影レンズと透明プレートの間に、もう1つは透明プレートと基板テーブルの間の2つの部分に分割されるように、形状化され、かつ、位置決めされることが好ましく、また、その2つの部分の間に液体連絡がないことが好ましい。この構造により、基板テーブルと投影レンズの間の完全な分離が保証される。
透明プレートを静止状態に維持するための手段は、透明プレートの投影システムに対する位置を測定するための位置センサ、および前記位置センサに結合された、前記透明プレートを前記投影システムに対して所定の位置に維持するためのアクチュエータ手段を備えたアクチュエータ・システムを備えていることが好ましい。位置センサは、基準フレームに取り付けられることが好ましく、また、アクチュエータ手段は、基準フレームとは機械的に分離されたベース・フレームに取り付けられることが好ましい。また、アクチュエータ手段は、位置センサを介したフィードバック制御に加えて、あるいは、位置センサを介したフィードバック制御に代わって、フィードフォワード制御を提供するべく、基板テーブルのための位置決め手段に提供される位置決め命令に応答可能であってもよい。
本発明の他の態様によれば、
−少なくとも一部が放射感応材料の層で覆われた基板を提供するステップと、
−放射システムを使用して投影放射ビームを提供するステップと、
−投影ビームの断面をパターン化するべくパターン化手段を使用するステップと、
−パターン化された放射ビームを放射感応材料の層の目標部分に投射するステップと、
−基板と前記投射ステップで使用される投影システムの最終エレメントとの間の空間を充填するべく液体を提供するステップとを含み、
−前記基板と前記投影システムの前記最終エレメントの間に、前記投影システムから機械的に分離された透明プレートを提供するステップと、前記透明プレートを前記投影システムに対して実質的に静止した状態に維持するステップとを特徴とするデバイス製造方法が提供される。
本明細書においては、本発明による装置の、とりわけICの製造における使用が言及されているが、本発明による装置は、他の多くの応用可能性を有していることを明確に理解されたい。たとえば、本発明による装置は、集積光学系、磁気領域メモリのための誘導および検出パターン、液晶表示パネル、薄膜磁気ヘッド等の製造に使用することができる。このような代替応用の文脈においては、本明細書における「レチクル」、「ウェハ」あるいは「ダイ」という用語の使用はすべて、それぞれより一般的な「マスク」、「基板」および「目標部分」という用語に置換されているものと見なすべきであることは、当分野の技術者には理解されよう。
本明細書においては、「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線放射(たとえば、波長が365nm、248nm、193nm、157nmまたは126nm)およびEUV(波長の範囲がたとえば5〜20nmの極紫外線放射)を含むあらゆるタイプの電磁放射を包含するべく使用されている。
次に、本発明の実施例について、単なる実施例に過ぎないが、添付の略図に照らして説明する。
図において、対応する参照記号は、対応する部品を表している。
図1は、本発明の特定の実施例によるリソグラフ投影装置を略図で示したものである。この装置は、
−投影放射ビームPB(たとえばDUV放射)を供給するための放射システムEx、IL(この特定の実施例の場合、放射システムにはさらに放射源LAが含まれている)と、
−マスクMA(たとえばレチクル)を保持するためのマスク・ホルダを備えた、アイテムPLに対してマスクを正確に位置決めするための第1の位置決め手段に接続された第1の対物テーブル(マスク・テーブル)MTと、
−基板W(たとえばレジスト被覆シリコン・ウェハ)を保持するための基板ホルダを備えた、アイテムPLに対して基板を正確に位置決めするための第2の位置決め手段に接続された第2の対物テーブル(基板テーブル)WTと、
−マスクMAの照射部分を基板Wの目標部分C(たとえば1つまたは複数のダイからなっている)に結像させるための投影システム(「レンズ」)PL(たとえば屈折レンズ系)とを備えている。図に示すように、この装置は透過型(たとえば透過型マスクを有する)装置であるが、一般的にはたとえば反射型(たとえば反射型マスクを備えた)装置であっても良い。別法としては、この装置は、たとえば上で参照したプログラム可能ミラー・アレイ・タイプなど、他の種類のパターン化手段を使用することもできる。
放射源LA(たとえばエキシマ・レーザ)は放射ビームを生成している。この放射ビームは、照明システム(イルミネータ)ILに直接供給され、あるいは、たとえばビーム拡大器Exなどの調整手段を通して供給される。イルミネータILは、ビーム内の強度分布の外部および/または内部ラジアル・エクステント(一般に、それぞれσ−アウターおよびσ−インナーと呼ばれている)を設定するための調整手段AMを備えている。また、イルミネータILは、通常、積分器INおよびコンデンサCOなど、他の様々なコンポーネントを備えている。この方法により、マスクMAに衝突するビームPBの断面に、所望する一様な強度分布を持たせることができる。
図1に関して、放射源LAをリソグラフ投影装置のハウジング内に配置し(放射源LAがたとえば水銀灯の場合にしばしば見られるように)、かつリソグラフ投影装置から離して配置することにより、放射源LAが生成する放射ビームをリソグラフ投影装置に供給する(たとえば適切な誘導ミラーを使用することによって)ことができることに留意されたい。この後者のシナリオは、放射源LAがエキシマ・レーザの場合にしばしば見られるシナリオである。本発明および特許請求の範囲の各請求項には、これらのシナリオの両方が包含されている。
次に、ビームPBが、マスク・テーブルMT上に保持されているマスクMAによって遮断される。マスクMAを通過したビームPBは、ビームPBを基板Wの目標部分Cに集束させるレンズPLを通過する。第2の位置決め手段(および干渉測定手段IF)を使用することにより、たとえば異なる目標部分CをビームPBの光路中に配置するべく、基板テーブルWTを正確に移動させることができる。同様に、第1の位置決め手段を使用して、たとえばマスク・ライブラリからマスクMAを機械的に検索した後、あるいは走査中に、マスクMAをビームPBの光路に対して正確に配置することができる。通常、対物テーブルMTおよびWTの移動は、図1には明確に示されていないが、長ストローク・モジュール(粗位置決め)および短ストローク・モジュール(精密位置決め)を使用して実現されている。しかし、ウェハ・ステッパ(ステップ・アンド・スキャン装置ではなく)の場合、マスク・テーブルMTは、短ストローク・アクチュエータに接続するだけで良く、あるいは固定することもできる。
図に示す装置は、2つの異なるモードで使用することができる。
−ステップ・モードでは、マスク・テーブルMTは、基本的に静止状態に維持され、マスク画像全体が目標部分Cに1回の照射(すなわち単一「フラッシュ」で)投影される。次に、基板テーブルWTがxおよび/またはy方向にシフトされ、異なる目標部分CがビームPBによって照射される。
−走査モードでは、所与の目標部分Cが単一「フラッシュ」に露光されない点を除き、ステップ・モードと基本的に同じシナリオが適用される。走査モードではマスク・テーブルMTを所与の方向(いわゆる「走査方向」、たとえばy方向)に速度νで移動させることができるため、投影ビームPBでマスク画像を走査し、かつ、基板テーブルWTを同時に同じ方向または逆方向に、速度V=Mνで移動させることができる。MはレンズPLの倍率である(通常、M=1/4またはM=1/5)。この方法によれば、解像度を犠牲にすることなく、比較的大きい目標部分Cを露光させることができる。
図2は、基板ステージをより詳細に示したものである。基板テーブルWTは、液体供給システム15によって供給される、たとえば水などの比較的屈折率の大きい液体10に浸されている。液体は、液体中における投影ビームの放射波長を、空気中または真空中における波長より短くする効果を有しており、より小さいフィーチャの解像を可能にしている。投影システムにおける解像限界は、とりわけ投影ビームの波長およびシステムの開口数によって決まることは良く知られている。また、液体の存在は、有効開口数の増加と見なすことができる。
投影システムPLと基板テーブルWTの間に透明プレートすなわち皿12が配置され、同じく液体11が充填されている。液体11は、液体10と同じ液体であることが好ましい。したがって、投影システムPLと基板Wの間の全空間には液体が充填され、かつ、透明プレート12と投影システムPLの間の液体11と、透明プレート12と基板Wの間の液体10とは分離されている。
透明プレート12の屈折率は、少なくとも、透明プレートを透過する、たとえば、レンズ・アラインメント系を通過する投影ビームおよびあらゆるセンサ・ビームの波長における液体10および11の屈折率と同じであることが好ましく、それにより、さもなければ特性化し、かつ、補償しなければならない光学的副作用が回避される。当然のことではあるが、プレート全体を透明にする必要はなく、透明部分は、ビームを通過させなければならない部分のみで良い。
基板テーブルWTは、たとえば走査露光を実行するべく、第2の位置決め手段PWによって、たとえば矢印vで示す方向に移動する。基板テーブルが移動すると、液体10中に流れが生じ、それにより透明プレート12に力が付与される。投影システムPLおよび基準フレームRFへの力のさらなる伝搬を回避するべく、透明プレート12は、アクチュエータ・システムによって、投影レンズPLに対して静止した状態に維持される。透明プレート12が静止しているため、液体11による妨害がなく、したがって投影システムPLに伝搬する力は存在しない。
透明プレート12を静止した状態に維持するためのアクチュエータ・システムは、基準フレームRFに取り付けられた位置センサ14によって測定される透明プレート12の位置に応答してフィードバック・ループで制御され、かつ/または第2の位置決め手段PWに送られる位置決め命令に基づくフィードフォワード・ループで制御されるアクチュエータ13を備えている。アクチュエータ・システムのための制御システムには、雑音防止手段を組み込むことができる。位置センサには、干渉計、容量センサおよびエンコーダを使用することができ、また、アクチュエータには、ローレンツ・モータあるいはボイス・コイル・モータを使用することができる。
槽中の液体の体積を過度に増加させることなく、画像化後における基板テーブルWTからの基板の取外しを容易に実行するため、基板テーブルWTが浸漬される槽に対しては、固定接続ではなく、アクチュエータが使用されることが好ましい。
透明プレート12に付与される力Fdは、液体10を介した力の伝達の乱れおよび遅延のため、必ずしも基板テーブルWTの運動vと平行であるとは限らず、あるいは基板テーブルWTの運動vに対して必ずしも直線的ではないことは理解されよう。この非平行性あるいは非直線性が、フィードフォワード制御の有用性を制限しているが、透明プレート12に付与される力Faが、液体10を介して伝達される力Fdと十分に対抗し、それにより液体11中における妨害が十分に小さい状態に維持され、しいては投影レンズに伝達される力が許容範囲内に維持されることが重要なポイントである。
状況によっては、たとえば基板テーブルの移動速度が比較的遅く、かつ、液体の粘性が小さい場合、透明プレート12を静止状態に維持するためのアクチュエータ・システムを必ずしも使用する必要はなく、その代わりに、透明プレート12をたとえばベース・フレームあるいは基準フレームから分離された他の静止部品に固定することができることに留意されたい。
以上、本発明の特定の実施例について説明したが、説明した以外の方法で本発明を実践することができることは理解されよう。以上の説明は、本発明を制限することを意図したものではない。
本発明の一実施例によるリソグラフ投影装置を示す図である。 本発明の実施例による基板テーブルの液浸および投影レンズの分離構造を示す図である。

Claims (10)

  1. 投影放射ビームを供給するための放射システムと、
    所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するべく機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、
    基板を保持するための基板テーブルと、
    パターン化されたビームを基板の目標部分に投射するための投影システムと、
    前記投影システムの最終エレメントと前記基板との間の空間に液体を充填するための液体供給システムとを備えたリソグラフ投影装置において、
    前記投影システムと前記基板テーブルとの間に設けられ、かつ、前記投影システムから機械的に分離された透明プレートと、
    前記透明プレートを前記投影システムに対して実質的に静止した状態に維持するための手段とを特徴とする装置。
  2. 前記透明プレートの投影ビームの波長における屈折率が、投影ビームの波長における液体の屈折率と実質的に同じである、請求項1に記載の装置。
  3. 前記透明プレートが、液体が、1つは投影レンズと透明プレートとの間に、もう1つは透明プレートと基板テーブルとの間の2つの部分に分割されるように、形状化され、かつ、位置決めされ、その2つの部分の間に液体連絡がない、請求項1または請求項2に記載の装置。
  4. 前記透明プレートを実質的に静止した状態に維持するための前記手段がアクチュエータ・システムからなる、請求項1、請求項2または請求項3に記載の装置。
  5. 前記アクチュエータ・システムが、透明プレートの投影システムに対する位置を測定するための位置センサ、および前記位置センサに結合されたアクチュエータ手段を備えた、請求項4に記載の装置。
  6. 前記位置センサが、同じく前記投影システムを支えている基準フレームに取り付けられた、請求項5に記載の装置。
  7. 前記アクチュエータ手段が、基準フレームから機械的に分離されたベース・フレームに取り付けられた、請求項6に記載の装置。
  8. 前記アクチュエータ・システムがフィードバック方式で制御される、請求項4から請求項7までのいずれか一項に記載の装置。
  9. 前記アクチュエータ・システムがフィードフォワード方式で制御される、請求項4から請求項7までのいずれか一項に記載の装置。
  10. 少なくとも一部が放射感応材料の層で覆われた基板を提供するステップと、
    放射システムを使用して投影放射ビームを提供するステップと、
    投影ビームの断面をパターン化するべくパターン化手段を使用するステップと、
    パターン化された放射ビームを放射感応材料の層の目標部分に投射するステップと、
    基板と前記投射ステップで使用される投影システムの最終エレメントとの間の空間を充填するべく液体を提供するステップとを含んだデバイス製造方法において、
    前記基板と前記投影システムの前記最終エレメントとの間に、前記投影システムから機械的に分離された透明プレートを提供するステップと、
    前記透明プレートを前記投影システムに対して実質的に静止した状態に維持するステップとを特徴とする方法。
JP2003386748A 2002-11-18 2003-11-17 リソグラフ装置およびデバイス製造方法 Expired - Fee Related JP3978421B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP02257938 2002-11-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004172621A true JP2004172621A (ja) 2004-06-17
JP3978421B2 JP3978421B2 (ja) 2007-09-19

Family

ID=32479815

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003386748A Expired - Fee Related JP3978421B2 (ja) 2002-11-18 2003-11-17 リソグラフ装置およびデバイス製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US7009682B2 (ja)
JP (1) JP3978421B2 (ja)
KR (1) KR100588125B1 (ja)
CN (1) CN1501170B (ja)
SG (1) SG131766A1 (ja)
TW (1) TWI238295B (ja)

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005031823A1 (ja) * 2003-09-29 2005-04-07 Nikon Corporation 液浸型レンズ系及び投影露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2006019720A (ja) * 2004-06-04 2006-01-19 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2006140499A (ja) * 2004-11-12 2006-06-01 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2006191055A (ja) * 2004-12-28 2006-07-20 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2007013152A (ja) * 2005-06-28 2007-01-18 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2007142428A (ja) * 2005-11-16 2007-06-07 Asml Netherlands Bv 露光装置及びデバイス製造方法
JP2007335859A (ja) * 2006-06-07 2007-12-27 Asml Netherlands Bv リソグラフィ用ミラーアレイ
JP2008244488A (ja) * 2003-04-11 2008-10-09 Nikon Corp 液浸リソグラフィ装置
WO2008139913A1 (ja) * 2007-05-10 2008-11-20 Nikon Corporation 露光方法及び露光用平板
JP2009016871A (ja) * 2003-08-29 2009-01-22 Asml Netherlands Bv リソグラフィック装置及びデバイス製造方法
JP2009200492A (ja) * 2008-02-19 2009-09-03 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及び方法
JP2010118714A (ja) * 2004-06-04 2010-05-27 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2010187025A (ja) * 2005-11-16 2010-08-26 Asml Netherlands Bv 露光装置及びデバイス製造方法
US8421996B2 (en) 2005-11-16 2013-04-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US8436979B2 (en) 2003-06-19 2013-05-07 Nikon Corporation Exposure apparatus, and device manufacturing method
US8786823B2 (en) 2005-11-16 2014-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2014168068A (ja) * 2007-03-15 2014-09-11 Nikon Corp 液浸リソグラフィマシンにおける基板交換の間に、液浸流体を光学アセンブリに隣接して保持する装置および方法
JP2015507369A (ja) * 2012-02-03 2015-03-05 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. ステージシステム及びリソグラフィ装置
US9632431B2 (en) 2004-02-02 2017-04-25 Nikon Corporation Lithographic apparatus and method having substrate and sensor tables

Families Citing this family (210)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG121822A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG2010050110A (en) * 2002-11-12 2014-06-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7372541B2 (en) * 2002-11-12 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100568101C (zh) 2002-11-12 2009-12-09 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7110081B2 (en) * 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60335595D1 (de) * 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US7242455B2 (en) * 2002-12-10 2007-07-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
JP4352874B2 (ja) * 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
EP1571695A4 (en) * 2002-12-10 2008-10-15 Nikon Corp EXPOSURE APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
CN1723539B (zh) * 2002-12-10 2010-05-26 株式会社尼康 曝光装置和曝光方法以及器件制造方法
KR101037057B1 (ko) * 2002-12-10 2011-05-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7948604B2 (en) * 2002-12-10 2011-05-24 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
AU2003289239A1 (en) * 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure system and device producing method
AU2003295177A1 (en) * 2002-12-19 2004-07-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
DE10261775A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
SG2012087615A (en) * 2003-02-26 2015-08-28 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
JP4353179B2 (ja) 2003-03-25 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
WO2004090956A1 (ja) 2003-04-07 2004-10-21 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
KR101177331B1 (ko) * 2003-04-09 2012-08-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
KR20140139139A (ko) * 2003-04-10 2014-12-04 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템
JP4656057B2 (ja) * 2003-04-10 2011-03-23 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置用電気浸透素子
EP2921905B1 (en) * 2003-04-10 2017-12-27 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
CN105700301B (zh) * 2003-04-10 2018-05-25 株式会社尼康 包括用于沉浸光刻装置的真空清除的环境***
WO2004092830A2 (en) 2003-04-11 2004-10-28 Nikon Corporation Liquid jet and recovery system for immersion lithography
SG185136A1 (en) 2003-04-11 2012-11-29 Nikon Corp Cleanup method for optics in immersion lithography
ATE542167T1 (de) 2003-04-17 2012-02-15 Nikon Corp Lithographisches immersionsgerät
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20060009356A (ko) * 2003-05-15 2006-01-31 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
TWI424470B (zh) * 2003-05-23 2014-01-21 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
TWI614794B (zh) * 2003-05-23 2018-02-11 Nikon Corp 曝光方法及曝光裝置以及元件製造方法
KR101618419B1 (ko) * 2003-05-28 2016-05-04 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
DE10324477A1 (de) * 2003-05-30 2004-12-30 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
TWI442694B (zh) * 2003-05-30 2014-06-21 Asml Netherlands Bv 微影裝置及元件製造方法
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317504B2 (en) * 2004-04-08 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2261742A3 (en) * 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and device manufacturing method.
WO2004112108A1 (ja) * 2003-06-13 2004-12-23 Nikon Corporation 露光方法、基板ステージ、露光装置、及びデバイス製造方法
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
US6809794B1 (en) * 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
EP1975721A1 (en) * 2003-06-30 2008-10-01 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7236232B2 (en) * 2003-07-01 2007-06-26 Nikon Corporation Using isotopically specified fluids as optical elements
JP4697138B2 (ja) * 2003-07-08 2011-06-08 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置、液浸リソグラフィ方法、デバイス製造方法
EP2264532B1 (en) * 2003-07-09 2012-10-31 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
DE602004030247D1 (de) * 2003-07-09 2011-01-05 Nippon Kogaku Kk Belichtungsvorrichtung und verfahren zur bauelementherstellung
KR101296501B1 (ko) * 2003-07-09 2013-08-13 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
CN100508119C (zh) * 2003-07-09 2009-07-01 株式会社尼康 曝光装置、器件制造方法
US7738074B2 (en) * 2003-07-16 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1500982A1 (en) 2003-07-24 2005-01-26 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP3346485A1 (en) 2003-07-25 2018-07-11 Nikon Corporation Projection optical system inspecting method and inspection apparatus, and a projection optical system manufacturing method
KR101785707B1 (ko) 2003-07-28 2017-11-06 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의 제어 방법
EP1503244A1 (en) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US7326522B2 (en) 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
US7779781B2 (en) 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8149381B2 (en) 2003-08-26 2012-04-03 Nikon Corporation Optical element and exposure apparatus
TW200513805A (en) * 2003-08-26 2005-04-16 Nippon Kogaku Kk Optical device and exposure apparatus
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG145780A1 (en) * 2003-08-29 2008-09-29 Nikon Corp Exposure apparatus and device fabricating method
EP2261740B1 (en) 2003-08-29 2014-07-09 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus
CN100394244C (zh) * 2003-09-03 2008-06-11 株式会社尼康 为浸没光刻提供流体的装置和方法
KR101590686B1 (ko) * 2003-09-03 2016-02-01 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
WO2005029559A1 (ja) * 2003-09-19 2005-03-31 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
EP1519231B1 (en) * 2003-09-29 2005-12-21 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101664642B1 (ko) 2003-09-29 2016-10-11 가부시키가이샤 니콘 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
US7158211B2 (en) * 2003-09-29 2007-01-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20060126949A (ko) 2003-10-08 2006-12-11 가부시키가이샤 니콘 기판 반송 장치와 기판 반송 방법, 노광 장치와 노광 방법,및 디바이스 제조 방법
ATE509367T1 (de) * 2003-10-08 2011-05-15 Zao Nikon Co Ltd Belichtungsgerät, substrattrageverfahren, belichtungsverfahren und verfahren zur herstellung einer vorrichtung
JP2005136364A (ja) * 2003-10-08 2005-05-26 Zao Nikon Co Ltd 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
TW201738932A (zh) 2003-10-09 2017-11-01 Nippon Kogaku Kk 曝光裝置及曝光方法、元件製造方法
EP1524557A1 (en) * 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1524558A1 (en) * 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7352433B2 (en) * 2003-10-28 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411653B2 (en) * 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP4295712B2 (ja) 2003-11-14 2009-07-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置及び装置製造方法
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP3139214B1 (en) 2003-12-03 2019-01-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US20070081133A1 (en) * 2004-12-14 2007-04-12 Niikon Corporation Projection exposure apparatus and stage unit, and exposure method
KR101111363B1 (ko) * 2003-12-15 2012-04-12 가부시키가이샤 니콘 투영노광장치 및 스테이지 장치, 그리고 노광방법
US7982857B2 (en) * 2003-12-15 2011-07-19 Nikon Corporation Stage apparatus, exposure apparatus, and exposure method with recovery device having lyophilic portion
US7460206B2 (en) * 2003-12-19 2008-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for immersion lithography
US7394521B2 (en) * 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7589818B2 (en) * 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
JP2005191381A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Canon Inc 露光方法及び装置
ATE467902T1 (de) 2004-01-05 2010-05-15 Nikon Corp Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und bauelementeherstellungsverfahren
WO2005069078A1 (en) * 2004-01-19 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens
KR101135232B1 (ko) * 2004-01-20 2012-04-12 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 마이크로 리소그래픽 투영 노광 장치
KR101276392B1 (ko) 2004-02-03 2013-06-19 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101441777B1 (ko) * 2004-03-25 2014-09-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7034917B2 (en) * 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7271878B2 (en) * 2004-04-22 2007-09-18 International Business Machines Corporation Wafer cell for immersion lithography
WO2005111722A2 (en) 2004-05-04 2005-11-24 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US7616383B2 (en) * 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7486381B2 (en) * 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4845880B2 (ja) 2004-06-04 2011-12-28 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 光学結像系の像品質測定システム
US20070103661A1 (en) * 2004-06-04 2007-05-10 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
EP1783821B1 (en) * 2004-06-09 2015-08-05 Nikon Corporation Exposure system and device production method
US20070222959A1 (en) * 2004-06-10 2007-09-27 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8373843B2 (en) 2004-06-10 2013-02-12 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
KR101699965B1 (ko) * 2004-06-10 2017-01-25 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
US8508713B2 (en) * 2004-06-10 2013-08-13 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8717533B2 (en) * 2004-06-10 2014-05-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
EP3067750B1 (en) 2004-06-10 2019-01-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US7481867B2 (en) * 2004-06-16 2009-01-27 Edwards Limited Vacuum system for immersion photolithography
EP1756663B1 (en) * 2004-06-17 2015-12-16 Nikon Corporation Fluid pressure compensation for immersion lithography lens
CN100547488C (zh) * 2004-06-23 2009-10-07 台湾积体电路制造股份有限公司 浸入式光学投影***与集成电路晶片的制造方法
JP4565272B2 (ja) * 2004-07-01 2010-10-20 株式会社ニコン 液浸リソグラフィのための動的流体制御システム
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006006565A1 (ja) 2004-07-12 2006-01-19 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US7161663B2 (en) * 2004-07-22 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7304715B2 (en) 2004-08-13 2007-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20070048164A (ko) * 2004-08-18 2007-05-08 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060044533A1 (en) * 2004-08-27 2006-03-02 Asmlholding N.V. System and method for reducing disturbances caused by movement in an immersion lithography system
US7522261B2 (en) * 2004-09-24 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7355674B2 (en) 2004-09-28 2008-04-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and computer program product
US7894040B2 (en) * 2004-10-05 2011-02-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7209213B2 (en) * 2004-10-07 2007-04-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7119876B2 (en) * 2004-10-18 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7379155B2 (en) * 2004-10-18 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7128427B2 (en) * 2004-11-05 2006-10-31 Sematech, Inc. Method and apparatus for fluid handling in immersion lithography
US7583357B2 (en) 2004-11-12 2009-09-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7423720B2 (en) 2004-11-12 2008-09-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7414699B2 (en) * 2004-11-12 2008-08-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411657B2 (en) * 2004-11-17 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7230681B2 (en) * 2004-11-18 2007-06-12 International Business Machines Corporation Method and apparatus for immersion lithography
US7145630B2 (en) * 2004-11-23 2006-12-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4720747B2 (ja) * 2004-12-02 2011-07-13 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
US7256121B2 (en) * 2004-12-02 2007-08-14 Texas Instruments Incorporated Contact resistance reduction by new barrier stack process
US7161654B2 (en) * 2004-12-02 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7446850B2 (en) * 2004-12-03 2008-11-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7196770B2 (en) * 2004-12-07 2007-03-27 Asml Netherlands B.V. Prewetting of substrate before immersion exposure
US7248334B2 (en) * 2004-12-07 2007-07-24 Asml Netherlands B.V. Sensor shield
US7397533B2 (en) * 2004-12-07 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7365827B2 (en) 2004-12-08 2008-04-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7352440B2 (en) * 2004-12-10 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Substrate placement in immersion lithography
US7403261B2 (en) * 2004-12-15 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7880860B2 (en) * 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7528931B2 (en) 2004-12-20 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7491661B2 (en) * 2004-12-28 2009-02-17 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method, top coat material and substrate
US7405805B2 (en) 2004-12-28 2008-07-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060147821A1 (en) * 2004-12-30 2006-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG124359A1 (en) 2005-01-14 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN1804724A (zh) * 2005-01-14 2006-07-19 朱晓 芯片光刻制程中油浸式曝光方法
SG124351A1 (en) * 2005-01-14 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1863070B1 (en) * 2005-01-31 2016-04-27 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for manufacturing device
US8692973B2 (en) * 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
KR100938271B1 (ko) 2005-02-10 2010-01-22 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 침지 액체, 노광 장치, 및 노광 프로세스
US7378025B2 (en) 2005-02-22 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Fluid filtration method, fluid filtered thereby, lithographic apparatus and device manufacturing method
US7224431B2 (en) * 2005-02-22 2007-05-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8018573B2 (en) * 2005-02-22 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7282701B2 (en) 2005-02-28 2007-10-16 Asml Netherlands B.V. Sensor for use in a lithographic apparatus
US7428038B2 (en) 2005-02-28 2008-09-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and apparatus for de-gassing a liquid
US7324185B2 (en) 2005-03-04 2008-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7684010B2 (en) * 2005-03-09 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, seal structure, method of removing an object and a method of sealing
US7330238B2 (en) * 2005-03-28 2008-02-12 Asml Netherlands, B.V. Lithographic apparatus, immersion projection apparatus and device manufacturing method
US7411654B2 (en) * 2005-04-05 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US7291850B2 (en) * 2005-04-08 2007-11-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060232753A1 (en) * 2005-04-19 2006-10-19 Asml Holding N.V. Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow
US20090135382A1 (en) * 2005-04-28 2009-05-28 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device
US7433016B2 (en) 2005-05-03 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8248577B2 (en) 2005-05-03 2012-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317507B2 (en) * 2005-05-03 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006133800A1 (en) 2005-06-14 2006-12-21 Carl Zeiss Smt Ag Lithography projection objective, and a method for correcting image defects of the same
US7751027B2 (en) 2005-06-21 2010-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7501834B2 (en) * 2005-06-21 2009-03-10 Custom Sensors & Technologies, Inc. Voice coil actuator with embedded capacitive sensor for motion, position and/or acceleration detection
US7652746B2 (en) * 2005-06-21 2010-01-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7468779B2 (en) * 2005-06-28 2008-12-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7834974B2 (en) * 2005-06-28 2010-11-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100720242B1 (ko) * 2005-06-28 2007-05-22 주식회사 하이닉스반도체 이머젼 리소그래피 장치
US7535644B2 (en) * 2005-08-12 2009-05-19 Asml Netherlands B.V. Lens element, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US8054445B2 (en) * 2005-08-16 2011-11-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7357768B2 (en) * 2005-09-22 2008-04-15 William Marshall Recliner exerciser
US7411658B2 (en) * 2005-10-06 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7633073B2 (en) 2005-11-23 2009-12-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7773195B2 (en) * 2005-11-29 2010-08-10 Asml Holding N.V. System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography
US20070124987A1 (en) * 2005-12-05 2007-06-07 Brown Jeffrey K Electronic pest control apparatus
KR100768849B1 (ko) * 2005-12-06 2007-10-22 엘지전자 주식회사 계통 연계형 연료전지 시스템의 전원공급장치 및 방법
US7492441B2 (en) * 2005-12-22 2009-02-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method incorporating a pressure shield
US7420194B2 (en) * 2005-12-27 2008-09-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and substrate edge seal
US7839483B2 (en) 2005-12-28 2010-11-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a control system
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8045134B2 (en) 2006-03-13 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method
US9477158B2 (en) * 2006-04-14 2016-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102006021797A1 (de) * 2006-05-09 2007-11-15 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung
US7969548B2 (en) * 2006-05-22 2011-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method
US7826030B2 (en) * 2006-09-07 2010-11-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8045135B2 (en) * 2006-11-22 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus with a fluid combining unit and related device manufacturing method
US9632425B2 (en) 2006-12-07 2017-04-25 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface
US8634053B2 (en) 2006-12-07 2014-01-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7791709B2 (en) * 2006-12-08 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Substrate support and lithographic process
US8817226B2 (en) 2007-02-15 2014-08-26 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography
US8654305B2 (en) * 2007-02-15 2014-02-18 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography
US8947629B2 (en) * 2007-05-04 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US8011377B2 (en) 2007-05-04 2011-09-06 Asml Netherlands B.V. Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method
US7866330B2 (en) * 2007-05-04 2011-01-11 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US9013672B2 (en) * 2007-05-04 2015-04-21 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
KR101448152B1 (ko) * 2008-03-26 2014-10-07 삼성전자주식회사 수직 포토게이트를 구비한 거리측정 센서 및 그를 구비한입체 컬러 이미지 센서
SG156564A1 (en) * 2008-04-09 2009-11-26 Asml Holding Nv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8654306B2 (en) * 2008-04-14 2014-02-18 Nikon Corporation Exposure apparatus, cleaning method, and device fabricating method
EP2128703A1 (en) 2008-05-28 2009-12-02 ASML Netherlands BV Lithographic Apparatus and a Method of Operating the Apparatus
NL2005207A (en) * 2009-09-28 2011-03-29 Asml Netherlands Bv Heat pipe, lithographic apparatus and device manufacturing method.
AU2010343143A1 (en) * 2009-12-28 2012-06-28 Pioneer Hi-Bred International, Inc. Sorghum fertility restorer genotypes and methods of marker-assisted selection
EP2381310B1 (en) 2010-04-22 2015-05-06 ASML Netherlands BV Fluid handling structure and lithographic apparatus
DE102018221670A1 (de) * 2018-12-13 2020-06-18 Karlsruher Institut für Technologie Vorrichtung und Verfahren zur optischen Charakterisierung oder Bearbeitung eines Objekts
WO2020154381A1 (en) * 2019-01-23 2020-07-30 Vulcanforms Inc. Laser control systems for additive manufacturing

Family Cites Families (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE224448C (ja)
DE206607C (ja)
DE242880C (ja)
DE221563C (ja)
GB1242527A (en) * 1967-10-20 1971-08-11 Kodak Ltd Optical instruments
US3573975A (en) * 1968-07-10 1971-04-06 Ibm Photochemical fabrication process
EP0023231B1 (de) 1979-07-27 1982-08-11 Tabarelli, Werner, Dr. Optisches Lithographieverfahren und Einrichtung zum Kopieren eines Musters auf eine Halbleiterscheibe
FR2474708B1 (fr) 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
JPS5754317A (en) 1980-09-19 1982-03-31 Hitachi Ltd Method and device for forming pattern
US4346164A (en) * 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
US4509852A (en) * 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
US4390273A (en) * 1981-02-17 1983-06-28 Censor Patent-Und Versuchsanstalt Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system
US4395705A (en) * 1981-03-03 1983-07-26 Toyo Electronics Corporation Trouble-shooting circuit with first-failure identification capability
JPS57153433A (en) * 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
DD224448A1 (de) * 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS62121417A (ja) 1985-11-22 1987-06-02 Hitachi Ltd 液浸対物レンズ装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
US5040020A (en) * 1988-03-31 1991-08-13 Cornell Research Foundation, Inc. Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography
JPH03209479A (ja) 1989-09-06 1991-09-12 Sanee Giken Kk 露光方法
US5121256A (en) * 1991-03-14 1992-06-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Lithography system employing a solid immersion lens
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) * 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP2520833B2 (ja) 1992-12-21 1996-07-31 東京エレクトロン株式会社 浸漬式の液処理装置
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
JPH08316124A (ja) * 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
WO1998009278A1 (en) * 1996-08-26 1998-03-05 Digital Papyrus Technologies Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction
US5825043A (en) * 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP3612920B2 (ja) 1997-02-14 2005-01-26 ソニー株式会社 光学記録媒体の原盤作製用露光装置
JPH10255319A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
US5900354A (en) * 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
WO1999031717A1 (fr) 1997-12-12 1999-06-24 Nikon Corporation Procede d'exposition par projection et graveur a projection
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
TWI242111B (en) * 1999-04-19 2005-10-21 Asml Netherlands Bv Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus
JP4504479B2 (ja) 1999-09-21 2010-07-14 オリンパス株式会社 顕微鏡用液浸対物レンズ
JP2001272604A (ja) * 2000-03-27 2001-10-05 Olympus Optical Co Ltd 液浸対物レンズおよびそれを用いた光学装置
TW591653B (en) * 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
KR100866818B1 (ko) * 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
WO2002091078A1 (en) 2001-05-07 2002-11-14 Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus employing an index matching medium
US6600547B2 (en) * 2001-09-24 2003-07-29 Nikon Corporation Sliding seal
US6897941B2 (en) * 2001-11-07 2005-05-24 Applied Materials, Inc. Optical spot grid array printer
DE10229818A1 (de) * 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
KR20050035890A (ko) 2002-08-23 2005-04-19 가부시키가이샤 니콘 투영 광학계, 포토리소그래피 방법, 노광 장치 및 그 이용방법
US6788477B2 (en) * 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
DE10258718A1 (de) * 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
CN1723539B (zh) 2002-12-10 2010-05-26 株式会社尼康 曝光装置和曝光方法以及器件制造方法
AU2003289237A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for manufacturing device
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
EP1571695A4 (en) 2002-12-10 2008-10-15 Nikon Corp EXPOSURE APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
AU2003289272A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method
AU2003302831A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus and method for manufacturing device
JP4232449B2 (ja) 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
AU2003289239A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure system and device producing method
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
EP1429190B1 (en) * 2002-12-10 2012-05-09 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
AU2003302830A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for manufacturing device
KR20050085026A (ko) 2002-12-10 2005-08-29 가부시키가이샤 니콘 광학 소자 및 그 광학 소자를 사용한 투영 노광 장치
KR101037057B1 (ko) 2002-12-10 2011-05-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
AU2003276569A1 (en) 2002-12-13 2004-07-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer
AU2003295177A1 (en) 2002-12-19 2004-07-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
ES2268450T3 (es) 2002-12-19 2007-03-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Metodo y dispositivo para irradiar puntos en una capa.
US6781670B2 (en) * 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography

Cited By (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008244488A (ja) * 2003-04-11 2008-10-09 Nikon Corp 液浸リソグラフィ装置
JP2010123991A (ja) * 2003-04-11 2010-06-03 Nikon Corp 液浸リソグラフィ装置、デバイス製造方法
US9500960B2 (en) 2003-04-11 2016-11-22 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
US10191388B2 (en) 2003-06-19 2019-01-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, and device manufacturing method
US9810995B2 (en) 2003-06-19 2017-11-07 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US8436979B2 (en) 2003-06-19 2013-05-07 Nikon Corporation Exposure apparatus, and device manufacturing method
US9551943B2 (en) 2003-06-19 2017-01-24 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US10007188B2 (en) 2003-06-19 2018-06-26 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2009016871A (ja) * 2003-08-29 2009-01-22 Asml Netherlands Bv リソグラフィック装置及びデバイス製造方法
JP4492539B2 (ja) * 2003-09-29 2010-06-30 株式会社ニコン 液浸型光学系及び投影露光装置、並びにデバイス製造方法
JPWO2005031823A1 (ja) * 2003-09-29 2007-11-15 株式会社ニコン 液浸型レンズ系及び投影露光装置、並びにデバイス製造方法
WO2005031823A1 (ja) * 2003-09-29 2005-04-07 Nikon Corporation 液浸型レンズ系及び投影露光装置、並びにデバイス製造方法
US10007196B2 (en) 2004-02-02 2018-06-26 Nikon Corporation Lithographic apparatus and method having substrate and sensor tables
US9632431B2 (en) 2004-02-02 2017-04-25 Nikon Corporation Lithographic apparatus and method having substrate and sensor tables
US10139737B2 (en) 2004-02-02 2018-11-27 Nikon Corporation Lithographic apparatus and method having substrate and sensor tables
US9665016B2 (en) 2004-02-02 2017-05-30 Nikon Corporation Lithographic apparatus and method having substrate table and sensor table to hold immersion liquid
US9684248B2 (en) 2004-02-02 2017-06-20 Nikon Corporation Lithographic apparatus having substrate table and sensor table to measure a patterned beam
JP2010118714A (ja) * 2004-06-04 2010-05-27 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2006019720A (ja) * 2004-06-04 2006-01-19 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP4655763B2 (ja) * 2004-06-04 2011-03-23 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2009246375A (ja) * 2004-11-12 2009-10-22 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP4679339B2 (ja) * 2004-11-12 2011-04-27 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2006140499A (ja) * 2004-11-12 2006-06-01 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2006191055A (ja) * 2004-12-28 2006-07-20 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP4545119B2 (ja) * 2005-06-28 2010-09-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2009302594A (ja) * 2005-06-28 2009-12-24 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2007013152A (ja) * 2005-06-28 2007-01-18 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2011205121A (ja) * 2005-11-16 2011-10-13 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2007142428A (ja) * 2005-11-16 2007-06-07 Asml Netherlands Bv 露光装置及びデバイス製造方法
US11789369B2 (en) 2005-11-16 2023-10-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US11209738B2 (en) 2005-11-16 2021-12-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9618853B2 (en) 2005-11-16 2017-04-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8786823B2 (en) 2005-11-16 2014-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8421996B2 (en) 2005-11-16 2013-04-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP4567651B2 (ja) * 2005-11-16 2010-10-20 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 露光装置及びデバイス製造方法
JP2010187025A (ja) * 2005-11-16 2010-08-26 Asml Netherlands Bv 露光装置及びデバイス製造方法
US10768536B2 (en) 2005-11-16 2020-09-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9140996B2 (en) 2005-11-16 2015-09-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10126664B2 (en) 2005-11-16 2018-11-13 Asml Netherlands, B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007335859A (ja) * 2006-06-07 2007-12-27 Asml Netherlands Bv リソグラフィ用ミラーアレイ
JP2014168068A (ja) * 2007-03-15 2014-09-11 Nikon Corp 液浸リソグラフィマシンにおける基板交換の間に、液浸流体を光学アセンブリに隣接して保持する装置および方法
WO2008139913A1 (ja) * 2007-05-10 2008-11-20 Nikon Corporation 露光方法及び露光用平板
JP2009200492A (ja) * 2008-02-19 2009-09-03 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及び方法
JP2015507369A (ja) * 2012-02-03 2015-03-05 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. ステージシステム及びリソグラフィ装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20040114117A1 (en) 2004-06-17
US20060098180A1 (en) 2006-05-11
KR100588125B1 (ko) 2006-06-09
CN1501170A (zh) 2004-06-02
CN1501170B (zh) 2010-04-21
TW200421043A (en) 2004-10-16
US7119881B2 (en) 2006-10-10
KR20040044145A (ko) 2004-05-27
JP3978421B2 (ja) 2007-09-19
TWI238295B (en) 2005-08-21
US7009682B2 (en) 2006-03-07
SG131766A1 (en) 2007-05-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3978421B2 (ja) リソグラフ装置およびデバイス製造方法
EP1420302A1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7081944B2 (en) Lithographic projection apparatus and device manufacturing method utilizing two arrays of focusing elements
JP5017402B2 (ja) リソグラフィ投影装置
US8144310B2 (en) Positioning system, lithographic apparatus and device manufacturing method
US7466413B2 (en) Marker structure, mask pattern, alignment method and lithographic method and apparatus
US7130049B2 (en) Method of measurement, method for providing alignment marks, and device manufacturing method
JP4397371B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2003115450A (ja) リトグラフ装置、デバイス製造方法、およびその方法により製造されたデバイス
US7889321B2 (en) Illumination system for illuminating a patterning device and method for manufacturing an illumination system
US7388650B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8908146B2 (en) Actuator system, lithographic apparatus, and device manufacturing method
KR101509553B1 (ko) 리소그래피 투영 장치 및 섭동 인자들을 보상하는 방법
EP1494075B1 (en) Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US20080259299A1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005175487A (ja) リソグラフィ装置、モデルパラメータを決定する方法、デバイス製造方法、およびそれによって製造したデバイス
JP5033175B2 (ja) リソグラフィ装置及びパターニングデバイス
JP4406433B2 (ja) リソグラフィ装置用センサ及びリソグラフィ装置の測定値を得る方法
JP2010147468A (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2004165642A (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
US7244534B2 (en) Device manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060913

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20060904

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061018

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070118

RD05 Notification of revocation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425

Effective date: 20070313

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070510

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070613

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070625

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100629

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100629

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110629

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120629

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130629

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees