JP2004172621A - リソグラフ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 7
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 46
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 35
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 2
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010073306 Exposure to radiation Diseases 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 230000001795 light effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000037452 priming Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
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Abstract
【解決手段】液浸リソグラフィ装置において、基板テーブルと投影レンズとの間に透明プレートが設けられ、それにより、基準フレームを歪ませることになる力を投影レンズに付与している液体の流れを回避している。透明プレートは、基準フレームに取り付けられた位置センサに応答するアクチュエータ・システムによって、基準フレームに対して静止した状態に維持される。透明プレートは、液体の屈折率と同じ屈折率を有している。
【選択図】図2
Description
−投影放射ビームを供給するための放射システムと、
−所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するべく機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、
−基板を保持するための基板テーブルと、
−パターン化されたビームを基板の目標部分に投射するための投影システムと、
−前記投影システムの最終エレメントと前記基板の間の空間に液体を充填するための液体供給システムと
を備えたリソグラフ投影装置に関する。
−マスク:マスクの概念についてはリソグラフィにおいては良く知られており、バイナリ、交番移相および減衰移相などのマスク・タイプ、および様々なハイブリッド・マスク・タイプが知られている。このようなマスクを放射ビーム中に配置することにより、マスクに衝突する放射をマスクのパターンに従って選択的に透過(透過型マスクの場合)させ、あるいは選択的に反射(反射型マスクの場合)させている。マスクの場合、通常、支持構造がマスク・テーブルを構成しており、入射する放射ビーム中の所望の位置にマスクを確実に保持し、かつ、必要に応じてビームに対して移動させている。
−プログラム可能ミラー・アレイ:粘弾性制御層および反射表面を有するマトリックス・アドレス可能表面は、このようなデバイスの一例である。このような装置の基礎をなしている基本原理は、(例えば)反射表面のアドレス領域が入射光を回折光として反射し、一方、未アドレス領域が入射光を非回折光として反射することである。適切なフィルタを使用することにより、前記非回折光を反射ビームからフィルタ除去し、回折光のみを残すことができるため、この方法により、マトリックス・アドレス可能表面の処理パターンに従ってビームがパターン化される。プログラム可能ミラー・アレイの代替実施例には、マトリックス配列された微小ミラーが使用されている。微小ミラーの各々は、適切な局部電界を印加することによって、あるいは圧電駆動手段を使用することによって、軸線の周りに個々に傾斜させることができる。もう一度、アドレス・ミラーは入射する放射ビームを未アドレス・ミラーと異なる方向に反射し、この態様において、反射されたビームがマトリックス・アドレス可能ミラーのアドレス・パターンに従ってパターン化されるように、ミラーはマトリックス・アドレス可能である。必要なマトリックス・アドレス化は、適切な電子手段を使用して実行される。上で説明したいずれの状況においても、パターン化手段は、1つまたは複数のプログラム可能ミラー・アレイを備えている。上で参照したミラー・アレイに関する詳細な情報については、たとえば、いずれも参照により本明細書に援用される米国特許第5,296,891号および第5,523,193号、およびPCT特許出願WO98/38597号およびWO98/33096号を参照されたい。プログラム可能ミラー・アレイの場合、前記支持構造は、たとえば、必要に応じて固定または移動させることができるフレームあるいはテーブルとして具体化されている。
−プログラム可能LCDアレイ:このような構成の一例は、参照により本明細書に援用される米国特許第5,229,872号に記載されている。この場合の支持構造は、上と同様、たとえば、必要に応じて固定または移動させることができるフレームあるいはテーブルとして具体化されてもよい。
簡単にするために、本明細書の以下の特定の部分、とりわけ実施例の部分にはマスクおよびマスク・テーブルが包含されているが、実施例の中で考察されている一般原理は、上で説明したパターン化手段のより広義の文脈の中で理解されたい。
−前記投影システムと前記基板テーブルの間に設けられ、かつ、前記投影システムから機械的に分離された透明プレートと、
−前記透明プレートを前記投影システムに対して実質的に静止した状態に維持するための手段とを特徴とするリソグラフ装置によって達成される。
−少なくとも一部が放射感応材料の層で覆われた基板を提供するステップと、
−放射システムを使用して投影放射ビームを提供するステップと、
−投影ビームの断面をパターン化するべくパターン化手段を使用するステップと、
−パターン化された放射ビームを放射感応材料の層の目標部分に投射するステップと、
−基板と前記投射ステップで使用される投影システムの最終エレメントとの間の空間を充填するべく液体を提供するステップとを含み、
−前記基板と前記投影システムの前記最終エレメントの間に、前記投影システムから機械的に分離された透明プレートを提供するステップと、前記透明プレートを前記投影システムに対して実質的に静止した状態に維持するステップとを特徴とするデバイス製造方法が提供される。
−投影放射ビームPB(たとえばDUV放射)を供給するための放射システムEx、IL(この特定の実施例の場合、放射システムにはさらに放射源LAが含まれている)と、
−マスクMA(たとえばレチクル)を保持するためのマスク・ホルダを備えた、アイテムPLに対してマスクを正確に位置決めするための第1の位置決め手段に接続された第1の対物テーブル(マスク・テーブル)MTと、
−基板W(たとえばレジスト被覆シリコン・ウェハ)を保持するための基板ホルダを備えた、アイテムPLに対して基板を正確に位置決めするための第2の位置決め手段に接続された第2の対物テーブル(基板テーブル)WTと、
−マスクMAの照射部分を基板Wの目標部分C(たとえば1つまたは複数のダイからなっている)に結像させるための投影システム(「レンズ」)PL(たとえば屈折レンズ系)とを備えている。図に示すように、この装置は透過型(たとえば透過型マスクを有する)装置であるが、一般的にはたとえば反射型(たとえば反射型マスクを備えた)装置であっても良い。別法としては、この装置は、たとえば上で参照したプログラム可能ミラー・アレイ・タイプなど、他の種類のパターン化手段を使用することもできる。
−ステップ・モードでは、マスク・テーブルMTは、基本的に静止状態に維持され、マスク画像全体が目標部分Cに1回の照射(すなわち単一「フラッシュ」で)投影される。次に、基板テーブルWTがxおよび/またはy方向にシフトされ、異なる目標部分CがビームPBによって照射される。
−走査モードでは、所与の目標部分Cが単一「フラッシュ」に露光されない点を除き、ステップ・モードと基本的に同じシナリオが適用される。走査モードではマスク・テーブルMTを所与の方向(いわゆる「走査方向」、たとえばy方向)に速度νで移動させることができるため、投影ビームPBでマスク画像を走査し、かつ、基板テーブルWTを同時に同じ方向または逆方向に、速度V=Mνで移動させることができる。MはレンズPLの倍率である(通常、M=1/4またはM=1/5)。この方法によれば、解像度を犠牲にすることなく、比較的大きい目標部分Cを露光させることができる。
Claims (10)
- 投影放射ビームを供給するための放射システムと、
所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するべく機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターン化されたビームを基板の目標部分に投射するための投影システムと、
前記投影システムの最終エレメントと前記基板との間の空間に液体を充填するための液体供給システムとを備えたリソグラフ投影装置において、
前記投影システムと前記基板テーブルとの間に設けられ、かつ、前記投影システムから機械的に分離された透明プレートと、
前記透明プレートを前記投影システムに対して実質的に静止した状態に維持するための手段とを特徴とする装置。 - 前記透明プレートの投影ビームの波長における屈折率が、投影ビームの波長における液体の屈折率と実質的に同じである、請求項1に記載の装置。
- 前記透明プレートが、液体が、1つは投影レンズと透明プレートとの間に、もう1つは透明プレートと基板テーブルとの間の2つの部分に分割されるように、形状化され、かつ、位置決めされ、その2つの部分の間に液体連絡がない、請求項1または請求項2に記載の装置。
- 前記透明プレートを実質的に静止した状態に維持するための前記手段がアクチュエータ・システムからなる、請求項1、請求項2または請求項3に記載の装置。
- 前記アクチュエータ・システムが、透明プレートの投影システムに対する位置を測定するための位置センサ、および前記位置センサに結合されたアクチュエータ手段を備えた、請求項4に記載の装置。
- 前記位置センサが、同じく前記投影システムを支えている基準フレームに取り付けられた、請求項5に記載の装置。
- 前記アクチュエータ手段が、基準フレームから機械的に分離されたベース・フレームに取り付けられた、請求項6に記載の装置。
- 前記アクチュエータ・システムがフィードバック方式で制御される、請求項4から請求項7までのいずれか一項に記載の装置。
- 前記アクチュエータ・システムがフィードフォワード方式で制御される、請求項4から請求項7までのいずれか一項に記載の装置。
- 少なくとも一部が放射感応材料の層で覆われた基板を提供するステップと、
放射システムを使用して投影放射ビームを提供するステップと、
投影ビームの断面をパターン化するべくパターン化手段を使用するステップと、
パターン化された放射ビームを放射感応材料の層の目標部分に投射するステップと、
基板と前記投射ステップで使用される投影システムの最終エレメントとの間の空間を充填するべく液体を提供するステップとを含んだデバイス製造方法において、
前記基板と前記投影システムの前記最終エレメントとの間に、前記投影システムから機械的に分離された透明プレートを提供するステップと、
前記透明プレートを前記投影システムに対して実質的に静止した状態に維持するステップとを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP02257938 | 2002-11-18 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004172621A true JP2004172621A (ja) | 2004-06-17 |
JP3978421B2 JP3978421B2 (ja) | 2007-09-19 |
Family
ID=32479815
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003386748A Expired - Fee Related JP3978421B2 (ja) | 2002-11-18 | 2003-11-17 | リソグラフ装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7009682B2 (ja) |
JP (1) | JP3978421B2 (ja) |
KR (1) | KR100588125B1 (ja) |
CN (1) | CN1501170B (ja) |
SG (1) | SG131766A1 (ja) |
TW (1) | TWI238295B (ja) |
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JP2011205121A (ja) * | 2005-11-16 | 2011-10-13 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
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US11789369B2 (en) | 2005-11-16 | 2023-10-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US11209738B2 (en) | 2005-11-16 | 2021-12-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9618853B2 (en) | 2005-11-16 | 2017-04-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8786823B2 (en) | 2005-11-16 | 2014-07-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8421996B2 (en) | 2005-11-16 | 2013-04-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
JP4567651B2 (ja) * | 2005-11-16 | 2010-10-20 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 露光装置及びデバイス製造方法 |
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US10768536B2 (en) | 2005-11-16 | 2020-09-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9140996B2 (en) | 2005-11-16 | 2015-09-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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JP2009200492A (ja) * | 2008-02-19 | 2009-09-03 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及び方法 |
JP2015507369A (ja) * | 2012-02-03 | 2015-03-05 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | ステージシステム及びリソグラフィ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040114117A1 (en) | 2004-06-17 |
US20060098180A1 (en) | 2006-05-11 |
KR100588125B1 (ko) | 2006-06-09 |
CN1501170A (zh) | 2004-06-02 |
CN1501170B (zh) | 2010-04-21 |
TW200421043A (en) | 2004-10-16 |
US7119881B2 (en) | 2006-10-10 |
KR20040044145A (ko) | 2004-05-27 |
JP3978421B2 (ja) | 2007-09-19 |
TWI238295B (en) | 2005-08-21 |
US7009682B2 (en) | 2006-03-07 |
SG131766A1 (en) | 2007-05-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060913 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20060904 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061018 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070118 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20070313 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070613 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070625 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100629 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100629 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110629 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120629 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130629 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |