JPWO2005031823A1 - 液浸型レンズ系及び投影露光装置、並びにデバイス製造方法 - Google Patents
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- 238000007654 immersion Methods 0.000 title claims abstract description 255
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 234
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 174
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 15
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 11
- 239000010436 fluorite Substances 0.000 claims description 11
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 8
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 8
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 52
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 7
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 3
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical group 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N perfluorotributylamine Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)N(C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- TYIZUJNEZNBXRS-UHFFFAOYSA-K trifluorogadolinium Chemical compound F[Gd](F)F TYIZUJNEZNBXRS-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- BYMUNNMMXKDFEZ-UHFFFAOYSA-K trifluorolanthanum Chemical compound F[La](F)F BYMUNNMMXKDFEZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- XRADHEAKQRNYQQ-UHFFFAOYSA-K trifluoroneodymium Chemical compound F[Nd](F)F XRADHEAKQRNYQQ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229940105963 yttrium fluoride Drugs 0.000 description 1
- RBORBHYCVONNJH-UHFFFAOYSA-K yttrium(iii) fluoride Chemical compound F[Y](F)F RBORBHYCVONNJH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
Description
Claims (32)
- 光軸に沿った一端に光学面を有するとともに、当該光学面が第1の浸液に接触した状態とされる光学系本体と、
光軸に沿った両端に2つの面を有するとともに、前記光学系本体の光学面に対向して配置され、前記2つの面の一方が前記第1の浸液に接触した状態とされ、かつ、前記2つの面の他方が第2の浸液に接触した状態とされる光透過部材と、
前記光透過部材を前記一方の面が前記光学系本体の前記光学面に対向するように着脱自在に支持する保持部材と
を備える液浸型レンズ系。 - 前記第1及び第2の浸液は、それぞれ水を含むことを特徴とする請求項1記載の液浸型レンズ。
- 前記第1の浸液は、前記第2の浸液と分離されていることを特徴とする請求項1記載の液浸型レンズ系。
- 前記第1の浸液は、周囲を閉じた閉空間内に収容されており、前記第2の浸液は、周囲を開放した開放空間内に存在することを特徴とする請求項3記載の液浸型レンズ系。
- 前記閉空間内に収容されている前記第1の浸液の量は、前記開放空間内に存在する前記第2の浸液の量よりも多いことを特徴とする請求項4記載の液浸型レンズ系。
- 前記光透過部材は、平行平板状であることを特徴とする請求項1記載の液浸型レンズ系。
- 前記第2の浸液を前記2つの面の他方に接触するように供給するとともに、当該他方の面に接触している前記第2の浸液を回収する供給回収機構をさらに備えることを特徴とする請求項1記載の液浸型レンズ系。
- 前記光学系本体及び前記光透過部材の間の前記第1の浸液と、前記光透過部材に設けた前記他方の面に接触する前記第2の浸液との少なくとも一方を循環させる循環機構をさらに備えることを特徴とする請求項1記載の液浸型レンズ系。
- 前記循環機構は、前記第1の浸液を循環させる第1循環系と、前記第2の浸液を循環させる第2循環系とを有することを特徴とする請求項8記載の液浸型レンズ系。
- 前記第1及び第2の浸液の少なくとも一方の温度を調節する温度調節装置をさらに備えることを特徴とする請求項1及び請求項8のいずれか一項記載の液浸型レンズ系。
- 前記第1及び第2の浸液は、ともに脱イオン水であることを特徴とする請求項1記載の液浸型レンズ系。
- 前記光透過部材は、蛍石で形成されていることを特徴とする請求項1記載の液浸型レンズ系。
- 前記光学系本体の前記光学面を構成する光学素子は、合成石英で形成されていることを特徴とする請求項1記載の液浸型レンズ系。
- 前記光学系本体を構成する光学素子及び前記光透過部材は、投影露光用の紫外光を透過させることを特徴とする請求項1記載の液浸型レンズ系。
- 前記紫外光は、ArFエキシマレーザ光、KrFエキシマレーザ光、F2レーザ光及び水銀ランプのi線のいずれかであることを特徴とする請求項14記載の液浸型レンズ系。
- 前記光学系本体を構成する光学素子及び前記光透過部材の少なくとも一方は、反射防止膜を有することを特徴とする請求項1記載の液浸型レンズ系。
- 前記光透過部材は、蛍石で形成されており、
前記光学系本体の前記光学面を構成する光学素子は、合成石英で形成されていることを特徴とする請求項1記載の液浸型レンズ系。 - 前記第1及び第2の浸液は、それぞれ水を含むことを特徴とする請求項17記載の液浸型レンズ。
- 投影光学系を用いてパターン像を基板上に投影露光する装置であって、
前記パターン像を基板上に形成する請求項1記載の液浸型レンズ系を備える投影露光装置。 - 投影光学系を用いてパターン像を基板上に投影露光する投影露光装置であって、
前記投影光学系は、光軸に沿った一端に光学面を有するとともに、当該光学面が第1の浸液に接触した状態とされる光学系本体と、光軸に沿った両端に2つの面を有するとともに前記光学系本体の光学面に対向して配置され、前記2つの面の一方が前記第1の浸液に接触した状態とされ、かつ、前記2つの面の他方が第2の浸液に接触した状態とされる光透過部材とを有する投影露光装置。 - 前記光透過部材は着脱可能である請求項20記載の投影露光装置。
- 前記光透過部材は、平行平板状であることを特徴とする請求項21記載の投影露光装置。
- 前記第2の浸液で前記基板上に局所的に液浸領域を形成して、前記第1及び第2の浸液を介して前記基板を露光する請求項20の投影露光装置。
- 前記第1及び第2の浸液は、それぞれ水を含む請求項20記載の投影露光装置。
- 前記第1の浸液は、前記第2の浸液と分離されていることを特徴とする請求項20記載の投影露光装置。
- 前記第1の浸液を供給するとともに、前記第1の浸液を回収する第1供給回収機構をさらに備える請求項25記載の投影露光装置。
- 前記第1の浸液の温度を調節する温度調節装置を備えた請求項26記載の投影露光装置。
- 前記第1供給回収機構は、前記第1の浸液の循環系を含む請求項27記載の投影露光装置。
- 前記第2の浸液を供給するとともに、前記第2の浸液を回収する第2供給回収機構をさらに備える請求項26記載の投影露光装置。
- 前記第2の浸液の温度を調節する温度調節装置を備えた請求項29記載の投影露光装置。
- 前記第2供給回収機構は、前記第2の浸液の循環系を含む請求項30記載の投影露光装置。
- 請求項19または請求項20に記載の投影露光装置を用いるデバイス製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003337087 | 2003-09-29 | ||
JP2003337087 | 2003-09-29 | ||
PCT/JP2004/014260 WO2005031823A1 (ja) | 2003-09-29 | 2004-09-29 | 液浸型レンズ系及び投影露光装置、並びにデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2005031823A1 true JPWO2005031823A1 (ja) | 2007-11-15 |
JP4492539B2 JP4492539B2 (ja) | 2010-06-30 |
Family
ID=34386114
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005514258A Active JP4492539B2 (ja) | 2003-09-29 | 2004-09-29 | 液浸型光学系及び投影露光装置、並びにデバイス製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060164616A1 (ja) |
EP (1) | EP1670042A4 (ja) |
JP (1) | JP4492539B2 (ja) |
CN (1) | CN1860585B (ja) |
IL (1) | IL174566A0 (ja) |
SG (1) | SG144907A1 (ja) |
TW (1) | TW200513809A (ja) |
WO (1) | WO2005031823A1 (ja) |
Families Citing this family (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7385764B2 (en) | 2003-12-15 | 2008-06-10 | Carl Zeiss Smt Ag | Objectives as a microlithography projection objective with at least one liquid lens |
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- 2004-09-29 EP EP04788326A patent/EP1670042A4/en not_active Withdrawn
- 2004-09-29 SG SG200804997-5A patent/SG144907A1/en unknown
- 2004-09-29 TW TW093129326A patent/TW200513809A/zh unknown
- 2004-09-29 WO PCT/JP2004/014260 patent/WO2005031823A1/ja active Application Filing
- 2004-09-29 CN CN2004800280505A patent/CN1860585B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-09-29 JP JP2005514258A patent/JP4492539B2/ja active Active
-
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---|---|
EP1670042A1 (en) | 2006-06-14 |
CN1860585B (zh) | 2010-04-28 |
TW200513809A (en) | 2005-04-16 |
WO2005031823A1 (ja) | 2005-04-07 |
US20060164616A1 (en) | 2006-07-27 |
CN1860585A (zh) | 2006-11-08 |
SG144907A1 (en) | 2008-08-28 |
IL174566A0 (en) | 2006-08-20 |
JP4492539B2 (ja) | 2010-06-30 |
EP1670042A4 (en) | 2008-01-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060302 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060315 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070926 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080606 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080606 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100212 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100316 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100329 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130416 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130416 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130416 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130416 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
RVTR | Cancellation due to determination of trial for invalidation |