WO2005031823A1 - 液浸型レンズ系及び投影露光装置、並びにデバイス製造方法 - Google Patents

液浸型レンズ系及び投影露光装置、並びにデバイス製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2005031823A1
WO2005031823A1 PCT/JP2004/014260 JP2004014260W WO2005031823A1 WO 2005031823 A1 WO2005031823 A1 WO 2005031823A1 JP 2004014260 W JP2004014260 W JP 2004014260W WO 2005031823 A1 WO2005031823 A1 WO 2005031823A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
immersion
immersion liquid
liquid
optical
lens system
Prior art date
Application number
PCT/JP2004/014260
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Noriaki Okada
Original Assignee
Nikon Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=34386114&utm_source=***_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=WO2005031823(A1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Nikon Corporation filed Critical Nikon Corporation
Priority to JP2005514258A priority Critical patent/JP4492539B2/ja
Priority to CN2004800280505A priority patent/CN1860585B/zh
Priority to EP04788326A priority patent/EP1670042A4/en
Publication of WO2005031823A1 publication Critical patent/WO2005031823A1/ja
Priority to US11/387,885 priority patent/US20060164616A1/en
Priority to IL174566A priority patent/IL174566A0/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70341Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply

Definitions

  • the present invention relates to a lens system incorporated in a projection exposure apparatus or the like for transferring a mask pattern onto a photosensitive substrate in a lithographic process for manufacturing a device such as a semiconductor element.
  • the present invention relates to an immersion type lens system, a projection exposure apparatus incorporating the same, and a device manufacturing method using the immersion type projection exposure apparatus.
  • ultraviolet laser light having a shorter wavelength than visible light is used as exposure light.
  • an apparatus that uses an ArF excimer laser at a wavelength of 193 nm has been put into practical use, in addition to an apparatus that uses a KrF excimer laser at a wavelength of 248 nm, which is currently mainstream.
  • the lens at the tip of the projection lens is eroded by the immersion liquid, and the life of the apparatus may be extremely shortened.
  • the light density rapidly increases near the image plane where the energy of the light itself is very high. .
  • the tip lens on which the exposure light of the high energy is concentrated may be eroded in a relatively short time, and the life of the projection lens, that is, the immersion type exposure apparatus may be shortened.
  • the light transmitting member is disposed so as to face the optical surface of the optical system main body. Therefore, the optical system main body is connected to the second immersion liquid via the light transmitting member. Workpieces (photosensitive substrates), etc., which are placed at different distances will be placed apart. Therefore, the optical system main body can be prevented from being damaged.
  • the light transmitting member may be damaged by the condensed processing light and the second immersion liquid, or the impurities in the second immersion liquid may adhere thereto. The performance as an immersion type lens system can be maintained for a long period of time by exchanging.
  • the first immersion liquid is also separated by the second immersion force. Therefore, it is possible to prevent inconveniences such as impurities in the second immersion liquid from being mixed into the first immersion liquid.
  • the first immersion liquid is contained in a closed space having a closed periphery
  • the second immersion liquid is contained in an open space having a peripheral opening.
  • the second immersion liquid is on the target side such as a work, and opening the immersion liquid improves workability.
  • the first The immersion liquid is reliably separated from the second immersion force by being stored in the closed space.
  • the amount of the first immersion liquid contained in the closed space is larger than the amount of the second immersion liquid existing in the open space.
  • the amount of the second immersion liquid is relatively small, the time required to fill or remove the second immersion liquid between the immersion lens system and a target such as a work is reduced, thereby further increasing the processing throughput. improves.
  • the light transmitting member has a parallel plate shape. In this case, since the displacement of the light transmitting member has little effect on the image formation, the workability of replacing the light transmitting member is improved while maintaining the imaging performance where alignment accuracy of the light transmitting member is not a problem. Can be
  • the second immersion liquid is supplied so as to be in contact with the other of the two surfaces, and the second immersion liquid is in contact with the other surface.
  • a supply and recovery mechanism for recovering the liquid is further provided. In this case, intermittent, or continuous exchange of supplying and recovering the second immersion liquid at appropriate timing can be performed.
  • the immersion lens system further includes a temperature control device for controlling the temperature of at least one of the first and second immersion liquids.
  • a temperature control device for controlling the temperature of at least one of the first and second immersion liquids.
  • the light transmitting member is made of fluorite, reflection at the replaceable light transmitting member can be reduced, and deterioration of the imaging characteristics due to stray light can be prevented. At the same time, the load of alignment work for the light transmitting member can be reduced. Further, since the optical element of the optical system main body is made of synthetic quartz, damage to the optical element on the main body side due to the first immersion liquid can be reduced.
  • the above-mentioned immersion type lens system is used as a projection lens system for forming a pattern image on a substrate, immersion type exposure becomes possible, and the resolution and Z or An improvement in the depth of focus can be achieved.
  • the optical system body of the immersion lens system can be prevented from being damaged by the light transmitting member, and the performance of the projection exposure apparatus to which the immersion method is applied can be maintained for a long time.
  • the projection exposure apparatus of the present invention is a projection exposure apparatus that projects and exposes a pattern image onto a substrate using a projection optical system, and the projection optical system has an optical surface at one end along an optical axis. And an optical system body whose optical surface is in contact with the first immersion liquid, and two surfaces at both ends along the optical axis, which face the optical surface of the optical system body.
  • a light transmitting member arranged so that one of the two surfaces is in contact with the first immersion liquid and the other of the two surfaces is in a state of being in contact with the second immersion liquid.
  • the optical path between the main body of the projection optical system and the light transmitting member is filled with the first immersion liquid. It can be an element or an optical element having a very small refractive power.
  • the device manufacturing method of the present invention can manufacture a high-performance device by using the above-described projection exposure apparatus.
  • FIG. 1 is a view showing a schematic configuration of a projection exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is an enlarged view of a lower end portion of an immersion lens system incorporated in the projection exposure apparatus shown in FIG.
  • FIG. 3 is a flowchart illustrating an example of a semiconductor device manufacturing process.
  • FIG. 1 shows a schematic configuration of a projection exposure apparatus of the present embodiment.
  • an ArF excimer laser light source as an exposure light source
  • an optical integrator homogenizer
  • a field stop e.g., a field stop
  • a condenser lens e.g., a condenser lens
  • Exposure light EL composed of ultraviolet pulse light having a wavelength of 193 nm emitted from the illumination optical system 1 illuminates the pattern provided on the reticle R.
  • the pattern of the reticle R is coated with a photoresist at a predetermined projection magnification (
  • the Z axis is taken parallel to the optical axis AX of the projection optical system PL
  • the Y axis is taken perpendicularly to the plane of FIG. 1 in a plane perpendicular to the Z axis
  • the X axis is taken parallel to the plane of FIG. explain.
  • the reticle R is held on the reticle stage RST, and the reticle stage RST has a mechanism for finely moving the reticle R in the X direction, the Y direction, and the rotation direction of each axis.
  • the two-dimensional position and rotation angle of reticle stage RST are measured in real time by a laser interferometer (not shown), and based on these measured values, main control system 14 determines the position of reticle R. Do.
  • the two-dimensional position and rotation angle of the Z stage 9 (wafer W) are measured in real time by the laser interferometer 13 as the position of the movable mirror 12. Based on this measurement result, control information is sent from the main control system 14 to the wafer stage drive system 15, and based on this information, the Z stage 9 and the XY stage 10 Control the operation of. At the time of exposure, each shot area on the wafer W is sequentially stepped to the exposure position, and the operation of exposing the pattern image of the reticle R is repeated in a step-and-repeat manner.
  • FIG. 2 is a side sectional view illustrating the structure of the lower end portion of projection optical system PL.
  • This projection optical system PL is an immersion type lens system, and can substantially shorten the exposure wavelength to improve the resolution and substantially widen the depth of focus.
  • the projection optical system PL may be any of a refraction type, a reflection type, and a catadioptric type.
  • the holder 41 has a circular opening AP at the lower portion, and the lower surface of the outer peripheral portion of the parallel plate 42 is supported by an annular locking portion 41c provided around the opening AP.
  • the upper surface of the outer peripheral portion of the parallel plate 42 is supported by the fastening member 41d.
  • the number and arrangement of the discharge nozzles 53 and the suction nozzles 54a and 54b depend on the conditions of use of the projection optical system PL, the distance between the parallel plate 42 and the wafer W, the movement of the wafer W, the flow rate of the second immersion liquid IL2, It can be appropriately changed according to the control temperature of the second immersion liquid IL2 and the like.
  • the optical element 33 is manufactured from a bulk material that also has a synthetic quartz force. If necessary, an antireflection film made of magnesium fluoride can be deposited on the bulk material. As a result, the optical element 33 that comes into contact with the first immersion liquid IL1, that is, the bulk material thereof / the antireflection film is eroded, and the water resistance of the main body part 30 can be increased. The performance can be maintained, and as a result, the imaging performance of the projection optical system PL can be favorably maintained.
  • the lower ends of the holder 41 and the lens barrel 31 are for forming a container-like immersion liquid IC, and come into contact with the first immersion liquid IL1. Shall have high corrosion resistance against In this embodiment, since deionized water (pure water) is used as the first immersion liquid IL1, specifically, the lower end of the holder 41 and the lens barrel 31 is processed by processing a titanium alloy, stainless steel, or the like. Form.
  • deionized water pure water
  • a supply pipe 25 extends from the liquid supply device 75.
  • the supply pipe 25 is connected to the lower end of the projection optical system PL, and communicates with the immersion liquid IC via the discharge nozzle 51.
  • a suction nozzle 52 communicating with the immersion liquid IC is formed near the lower end of the projection optical system PL, and this suction nozzle 52 extends to the temperature controller 76 via the collection pipe 26.
  • the discharge nozzle 51 and the suction nozzle 52 are disposed so as to sandwich the lower end portion of the projection optical system PL, for example, in the X direction, and between the optical element 33 and the parallel plate 42, that is, in the X direction in the immersion liquid IC. To form a flow of the first immersion liquid IL1 into the first immersion liquid IL1.
  • the temperature of the first immersion liquid IL1 does not necessarily need to be set to the same level as the temperature in the chamber.
  • the temperature is adjusted to a desired temperature at which the imaging performance of the projection optical system PL can be maintained by the temperature controller 76. U can control it.
  • the second immersion liquid IL2 collected by the liquid recovery device 72 is returned to the liquid supply device 71 in a state where the second immersion liquid IL2 is cooled to a desired temperature by the temperature adjustment device 73, for example.
  • the second immersion liquid IL2 is set to be, for example, about the same as the temperature in the chamber in which the projection exposure apparatus of the present embodiment is housed.
  • the imaging characteristics of the projection optical system PL can be stabilized.
  • the surface of the parallel plate 42 heated by the exposure light EL is cooled by the second immersion liquid IL2 temperature-controlled by the temperature control device 73, so that the erosion of the parallel plate 42 can be suppressed.
  • a discharge nozzle is formed between the pair of suction nozzles 54a and 54b in parallel with each other, and a pair of suction nozzles are formed on both sides of the discharge nozzle 53 in parallel to the force.
  • a nozzle is formed, and the flow of the second immersion liquid IL2 can be switched in the + X direction.
  • the first supply / discharge nozzle system which includes a force discharge nozzle 53, suction nozzles 54a, 54b, and the like (not shown), is rotated by approximately 90 ° around the lower end of the projection optical system PL.
  • a second supply and discharge nozzle system is also provided, A flow of the second immersion liquid IL2 in the Y direction or the + Y direction can be formed between the flat plate 42 and the wafer W.
  • the discharge nozzle 53, the suction nozzles 54a and 54b, the liquid supply device 71, the liquid recovery device 72, and the temperature control device 73 constitute at least a part of a supply and recovery mechanism.
  • the one including the pipe 22 is a circulation mechanism constituting at least a part of the second circulation system.
  • the temperature of the second immersion liquid IL2 does not necessarily need to be set to the same level as the temperature in the chamber.
  • the temperature is adjusted to a desired temperature at which the imaging performance of the projection optical system PL can be maintained by the temperature controller 73. U can control it.
  • a circulation system is formed to return the second immersion liquid IL2 collected by the suction nozzles 54a and 54b to the temperature control device 73, but the second immersion liquid IL2 collected by the suction nozzles 54a and 54b is formed. At least a part of the second immersion liquid IL2 may be discarded, and a new clean second immersion liquid IL2 may be supplied to the temperature controller 73.
  • the temperature adjusting device 73 can be arranged downstream of the liquid supply device 71.
  • the projection optical system PL can further increase the numerical aperture, and in this regard, the resolution is also improved.
  • the first immersion liquid IL1 at a certain temperature is circulated in the immersion liquid IC of the projection optical system PL by operating the liquid supply device 75 etc. in advance.
  • the Z stage 9 and the XY stage 10 are appropriately driven to move the projection optical system PL to an appropriate position with respect to the wafer W.
  • the liquid supply device 71 and the liquid recovery device 72 are operated to circulate the second immersion liquid IL2 at a constant temperature between the wafer W and the parallel plate 42.
  • the reticle R on which the pattern is formed is uniformly illuminated in a superimposed manner by the exposure light EL emitted from the illumination optical system 1.
  • the parallel plate 42 which may be damaged by the exposure light EL and the second immersion liquid IL2, can be replaced with a new one at the replacement part 40, so that the performance of the projection optical system PL is extended. Can be maintained for a period.
  • the first immersion liquid IL1 having a refractive index close to these is filled between the optical element 33 and the parallel plate 42, the exit side optical surface 33a of the optical element 33 and the incident side plane of the parallel plate 42 are filled. By preventing reflection at 42a, it is possible to prevent deterioration of imaging characteristics such as flare.
  • the amount of the first immersion liquid IL1 between the optical element 33 and the parallel plate 42 may be different from the amount of the second immersion liquid IL2 between the parallel plate 42 and the wafer W. And may be the same. Further, the flow rate of the first immersion liquid IL1 between the optical element 33 and the parallel plate 42 and the flow rate of the second immersion liquid IL2 between the parallel plate 42 and the wafer W may be different, or May be the same.
  • the exposure light EL is not limited to the ArF excimer laser light, but may be a KrF excimer laser light.
  • the parallel plate 42 when using KrF excimer laser light, for example, synthetic quartz or fluorite can be used as the main material of the optical element 33, and for example, magnesium fluoride (MgF) or the like should be used as the material of the antireflection film. Can be. At this time, the parallel plate 42
  • fluorite can be used as the main body material, but synthetic quartz can also be used since laser compaction does not pose a problem at a relatively low wavelength.
  • F laser light can be used as the main body material, but synthetic quartz can also be used since laser compaction does not pose a problem at a relatively low wavelength.
  • fluorite can be used as the main material of the optical element 33, and for example, magnesium fluoride or the like can be used as the material of the antireflection film. At this time, for example, fluorite can be used as the main body material of the parallel plate 42.
  • the material of the antireflection film of the optical element 33 is not limited to magnesium fluoride, but may be lanthanum fluoride, gadolinium fluoride, neodymium fluoride, yttrium fluoride, LiSrAlF, LiCaAlF.
  • Multilayers can be formed by combining films of materials as appropriate.
  • a parallel plate is used as an optical element of the replacement part 40 of the projection optical system PL.
  • a lens having an extremely small refractive index may be used.
  • the optical element 33 of the projection optical system PL may be a plano-convex lens whose optical surface 33a is a flat surface, and a lens whose power optical surface 33a is a curved surface.
  • an exposure apparatus that locally fills the space between the projection optical system PL and the wafer W with the second immersion liquid IL2 is used.
  • a liquid immersion exposure apparatus for moving a stage holding a substrate to be exposed in a liquid tank and a liquid immersion exposure apparatus as disclosed in JP-A-10-303114.
  • the present invention is also applicable to a liquid immersion exposure apparatus in which a liquid bath having a constant depth is formed and a substrate is held therein.
  • the light-transmissive parallel flat plate 42 is disposed so as to face the optical surface 33a of the optical system main body 30.
  • the wafer W is placed away from the work object such as the wafer W placed on the second immersion liquid side through the intermediary. Therefore, as if the parallel plate 42 protects the optical system main body 30, it is possible to prevent the optical system main body 30 from being damaged by the exposure light and the immersion liquid which are focused on the parallel plate 42 side. it can.
  • the parallel plate 42 is a new one that has a possibility that it is damaged by the condensing exposure light and the second immersion liquid IL2 and that the impurities in the second immersion liquid IL2 may adhere thereto.
  • the first immersion liquid IL1 and the second immersion liquid IL2 are separated, it is possible to prevent inconveniences such as impurities in the second immersion liquid IL2 from being mixed into the first immersion liquid IL1. .
  • the second immersion liquid IL2 is intermittently supplied or constantly refreshed separately from the first immersion liquid IL1 to perform exposure processing, etc. Can be executed efficiently, leading to an improvement in throughput.
  • a micro device such as a semiconductor device includes a step 201 of designing the function and performance of the micro device, a step 202 of manufacturing a mask (reticle) based on the design step, and Step 203 of manufacturing a substrate (Ueno) as a base material, exposure processing step 204 of exposing a mask pattern to the substrate by the exposure apparatus of the above-described embodiment, device assembling step (dicing step, bonding step, package (Including process) 205, inspection step 206, etc.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Lenses (AREA)
  • Lens Barrels (AREA)

Abstract

 長期間安定して使用できる高性能の液浸型レンズ系及びこれを備える投影露光装置を提供する。このため、本発明の液浸型レンズ系は、光軸に沿った一端に光学面33aを有するとともに、当該光学面33aが第1の浸液IL1に接触した状態とされる光学系本体30と、光軸に沿った両端に2つの面を有するとともに、光学系本体30の光学面33aに対向して配置され、2つの面の一方42aが第1の浸液IL1に接触した状態とされ、かつ、2つの面の他方42bが第2の浸液IL2に接触した状態とされる光透過部材42と、光透過部材42を一方の面42aが光学系本体30の光学面33aに対向するように着脱自在に支持する保持部材41とを備えている。また本発明の投影露光装置はこのような液浸型レンズ系を備えている。

Description

明 細 書
液浸型レンズ系及び投影露光装置、並びにデバイス製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、半導体素子等のデバイスを製造するためのリソグラフイエ程でマスクパ ターンを感光性の基板上に転写するための投影露光装置等に組み込まれるレンズ 系に関し、より詳しくは、液浸型のレンズ系及びこれを組み込んだ投影露光装置、並 びにこの液浸型の投影露光装置を用いるデバイス製造方法に関するものである。 背景技術
[0002] 投影露光装置による露光の高解像度化を目的として、可視光よりも短波長の紫外 レーザ光が露光光として用いられている。この種の投影露光装置としては、現在主流 となっている KrFエキシマレーザの波長 248nmで使用する装置のほかに、 ArFェキ シマレーザの波長 193nmで使用する装置が実用化されている。
[0003] また、この露光光の短波長化を実質的に行う別の方法として、液浸法が提案されて いる(特開平 10— 303114号公報、特開平 10— 340846号公報、特開平 11—17672 7号公報、国際公開第 99Z49504号公報等参照)。これは、投影光学系の下面とゥ ェハとの間を液体で満たした場合、液体中での露光光の波長が空気中の lZn倍 (n は液体の屈折率 1. 2-1. 7)になることを利用して、解像度及び Z又は焦点深度を 向上させるというものである。
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0004] しかし、液浸型露光装置では、浸液によって投影レンズ先端のレンズが侵食され、 装置の寿命が極端に短くなる可能性がある。すなわち、投影レンズの NAが大きく露 光光として短波長の紫外光を用いる液浸型露光装置では、光自身のエネルギーが 非常に高ぐ結像面に近い箇所では急激に光の密度も高くなる。このため、高工ネル ギ一の露光光が集中する先端レンズが比較的短期間で侵食され、投影レンズすなわ ち液浸型露光装置の寿命が短くなる可能性があった。
[0005] また液体と接触して!/ヽる投影レンズ先端のレンズ表面に液体中の不純物が付着す る可能性もある。
[0006] ここで、投影レンズ先端に交換可能な平行平板を設けて投影レンズを保護すること も考えられるが、 NAが大きくなると平行平板に適切な反射防止膜を形成することが 困難になり、結果的に平行平板での表面反射が大きくなつてフレアー等に起因する 像劣化が生じる。
[0007] そこで、本発明は、長期間安定して使用できる高性能の液浸型レンズ系及びこれを 備える投影露光装置、並びに該投影露光装置を用いるデバイス製造方法を提供す ることを目的とする。
課題を解決するための手段
[0008] 上記課題を解決するため、第 1の発明に係る液浸型レンズ系は、(a)光軸に沿った 一端に光学面を有するとともに、当該光学面が第 1の浸液に接触した状態とされる光 学系本体と、(b)光軸に沿った両端に 2つの面を有するとともに、光学系本体の光学 面に対向して配置され、 2つの面の一方が第 1の浸液に接触した状態とされ、かつ、 2つの面の他方が第 2の浸液に接触した状態とされる光透過部材と、 (c)光透過部材 を一方の面が光学系本体の光学面に対向するように着脱自在に支持する保持部材 とを備える。
[0009] 上記液浸型レンズ系によれば、光学系本体の光学面に対向して光透過部材が配 置されるので、光学系本体が、光透過部材を介して第 2の浸液側に配置されるワーク (感光性の基板)等の対象力 離れて配置されることになる。よって、光学系本体がダ メージを受けることを回避できる。また、光透過部材は、集光する処理光と第 2の浸液 とによってダメージを受けたり、第 2の浸液中の不純物が付着する可能性があるが、 光透過部材を新し ヽものと交換することによって、液浸型レンズ系としての性能を長 期間維持することができる。
[0010] また、上記液浸型レンズ系では、第 1の浸液を第 2の浸液力も分離する。よって、第 2の浸液中の不純物などが第 1の浸液中に混入する等の不都合を防止できる。
[0011] また、上記液浸型レンズ系においては、第 1の浸液が、周囲を閉じた閉空間内に収 容されており、第 2の浸液が、周囲を開放した開放空間内に存在する。この場合、第 2の浸液は、ワーク等の対象側にあり開放が作業性を高めることになる。一方、第 1の 浸液は、閉空間に収納することによって第 2の浸液力 より確実に分離される。
[0012] また、上記液浸型レンズ系においては、閉空間内に収容されている第 1の浸液の量 力 開放空間内に存在する第 2の浸液の量よりも多い。この場合、第 2の浸液が比較 的少ないので、液浸型レンズ系とワーク等の対象との間に第 2の浸液を充填したり除 去する時間が短縮され、処理のスループットがさらに向上する。
[0013] また、上記液浸型レンズ系にお 、ては、光透過部材が、平行平板状である。この場 合、光透過部材の変位が結像に及ぼす影響が少ないので、光透過部材のァライメン ト精度が問題となりにくぐ結像性能を維持しつつも光透過部材の交換の作業性を高 めることができる。
[0014] また、上記液浸型レンズ系にお 、ては、第 2の浸液を 2つの面の他方に接触するよ うに供給するとともに、当該他方の面に接触している第 2の浸液を回収する供給回収 機構をさらに備える。この場合、第 2の浸液を適当なタイミングで供給 ·回収する間欠 的な、ある 、は連続的な交換を行うことができる。
[0015] また、上記液浸型レンズ系にお 、ては、光学系本体及び光透過部材の間の第 1の 浸液と、光透過部材の他方の面に接触する第 2の浸液との少なくとも一方を循環させ る循環機構をさらに備える。この場合、循環機構によって浸液の組成や温度の均一 化を図りつつ、浸液のリフレッシュを行うことができる。
[0016] また、上記液浸型レンズ系においては、循環機構が、第 1の浸液を循環させる第 1 循環系と、第 2の浸液を循環させる第 2循環系とを有する。この場合、各浸液を別個 の循環系で分離したまま独立に循環させることができる。
[0017] また、上記液浸型レンズ系にお!/、ては、第 1及び第 2の浸液の少なくとも一方の温 度を調節する温度調節装置をさらに備える。この場合、光透過部材ゃ光学系本体の 温度変化に起因する特性変動や加熱によるダメージの加速を防止することができる。
[0018] また、上記液浸型レンズ系にお 、ては、第 1及び第 2の浸液が、ともに脱イオン水で ある。この場合、光透過部材ゃ光学系本体に与えるダメージが少なぐ浸液としての 取り扱い性に優れる。さらに、水には洗浄効果があるので液浸型レンズ系の汚染を防 止でき、水は環境に優 、ので処理設備が簡素化され処理後の廃棄等の後処理も 簡単である。 [0019] また、上記液浸型レンズ系にお ヽては、光透過部材が、蛍石で形成されて 、る。こ の場合、光透過部材と第 1の浸液 (例えば水)との屈折率差が少なくなるので、光透 過部材での反射が減少する。なお、蛍石の保護部材即ち光透過部材がダメージを 受けた場合は交換すればょ ヽ。
[0020] また、上記液浸型レンズ系にお 、ては、光学系本体の光学面を構成する光学素子 は、合成石英で形成されている。この場合、光学系本体の光学素子が合成石英であ るので、第 1の浸液による本体側の光学素子のダメージを低減することができる。
[0021] また、上記液浸型レンズ系にお!/、ては、光透過部材が、蛍石で形成されており、光 学系本体の光学面を構成する光学素子が、合成石英で形成されている。
[0022] 上記液浸型レンズ系によれば、光透過部材が蛍石であるので、交換可能な光透過 部材での反射を低減することができ、迷光による結像特性の劣化を防止できるととも に光透過部材のァライメント作業の負荷を軽減できる。また、光学系本体の光学素子 が合成石英であるので、第 1の浸液による本体側の光学素子のダメージを低減する ことができる。
[0023] また、本発明の投影露光装置は、投影光学系を用いてパターン像を基板上に投影 露光する装置であって、パターン像を基板上に形成する上記発明に係る液浸型レン ズ系とを備える。
[0024] 上記投影露光装置では、パターン像を基板上に形成するための投影レンズ系とし て、上述の液浸型レンズ系を用いるので、液浸型の露光が可能になり、解像度及び Z又は焦点深度の向上を達成することができる。この場合、光透過部材によって液 浸型レンズ系の光学系本体がダメージを受けることを回避でき、液浸法を適用した投 影露光装置の性能を長期間維持することができる。
[0025] また、本発明の投影露光装置は、投影光学系を用いてパターン像を基板上に投影 露光する投影露光装置であって、その投影光学系は、光軸に沿った一端に光学面 を有するとともに、当該光学面が第 1の浸液に接触した状態とされる光学系本体と、 光軸に沿った両端に 2つの面を有するとともに、その光学系本体の光学面に対向し て配置され、 2つの面の一方が第 1の浸液に接触した状態とされ、かつ、 2つの面の 他方が第 2の浸液に接触した状態とされる光透過部材とを有するものである。 [0026] 本発明の投影露光装置によれば、投影光学系の本体と光透過部材との間の光路 が第 1の浸液で満たされているので、その光透過部材を無屈折力の光学素子、ある いは屈折力の非常に小さ 、光学素子にすることができる。
[0027] また本発明のデバイス製造方法は、上記の投影露光装置を用いることによって、高 性能なデバイスを製造することができる。
図面の簡単な説明
[0028] [図 1]本発明の一実施形態に係る投影露光装置の概略構成を示す図である。
[図 2]図 1に示す投影露光装置に組み込まれる液浸型レンズ系の下端部分の拡大図 である。
[図 3]半導体デバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
発明を実施するための最良の形態
[0029] 以下、本発明に係る液浸型レンズ系を組み込んだステップ ·アンド'リピート方式の 投影露光装置について説明する。
[0030] 図 1は、本実施形態の投影露光装置の概略構成を示し、この図 1において、露光光 源としての ArFエキシマレーザ光源、オプティカル 'インテグレータ(ホモジナイザー) 、視野絞り、コンデンサレンズ等を含む照明光学系 1から射出された波長 193nmの 紫外パルス光よりなる露光光 ELは、レチクル Rに設けられたパターンを照明する。レ チクル Rのパターンは、両側(又はワークであるウエノ、 W側に片側)テレセントリックな 投影光学系 PLを介して所定の投影倍率 ( |8は例えば 1Z4, 1Z5等)でフォトレジ ストが塗布されたウェハ W上の露光領域に縮小投影される。以下、投影光学系 PLの 光軸 AXに平行に Z軸を取り、 Z軸に垂直な平面内で図 1の紙面に垂直に Y軸を取り 、図 1の紙面に平行に X軸を取って説明する。
[0031] レチクル Rは、レチクルステージ RST上に保持され、レチクルステージ RSTには X 方向、 Y方向、各軸の回転方向にレチクル Rを微動する機構が組み込まれている。レ チクルステージ RSTの 2次元的な位置、及び回転角はレーザ干渉計 (不図示)によつ てリアルタイムに計測され、この計測値に基づ 、て主制御系 14がレチクル Rの位置 決めを行う。
[0032] 一方、ウェハ Wは、ウェハホルダ(不図示)を介してウェハ Wのフォーカス位置(Z方 向の位置)及び傾斜角を制御する Zステージ 9上に固定されている。 Zステージ 9は投 影光学系 PLの像面と実質的に平行な XY平面に沿って移動する XYステージ 10上 に固定され、 XYステージ 10はベース 11上に載置されている。 Zステージ 9は、ゥェ ハ Wのフォーカス位置(Z方向の位置)、及び傾斜角を制御してウェハ W上の表面を オートフォーカス方式、及びオートレべリング方式で投影光学系 PLの像面に合わせ 込み、 XYステージ 10は、ウェハ Wの X方向、及び Y方向の位置決めを行う。 Zステー ジ 9 (ウェハ W)の 2次元的な位置、及び回転角は、移動鏡 12の位置としてレーザ干 渉計 13によってリアルタイムで計測されて 、る。この計測結果に基づ!/、て主制御系 1 4からウェハステージ駆動系 15に制御情報が送られ、これに基づ!/、てウェハステー ジ駆動系 15は、 Zステージ 9及び XYステージ 10の動作を制御する。露光時にはゥ ェハ W上の各ショット領域を順次露光位置にステップ移動し、レチクル Rのパターン 像を露光する動作がステップ'アンド'リピート方式で繰り返される。
[0033] 図 2は、投影光学系 PLの下端部の構造を説明する側方断面図である。この投影光 学系 PLは、液浸型レンズ系であり、露光波長を実質的に短くして解像度を向上する とともに焦点深度を実質的に広くすることができる。なお、投影光学系 PLは屈折型、 反射型、反射屈折型のいずれであってもよい。
[0034] 投影光学系 PLは、本体部分 30と交換部分 40とを備える。本体部分 30は、鏡筒 31 内に複数の光学素子を備える光学系本体であり、そのうちの 1つの光学素子 33が鏡 筒 31の下端に固定されて露出している。交換部分 40は、保持部材である環状のホ ルダ 41に対して平行平板 42を固定したものであり、本体部分 30に対して着脱可能 になっている。つまり、本体部分 30の鏡筒 31の下部先端には、環状の雌ねじ 31aが 形成されており、ホルダ 41の上部には、環状の雄ねじ 41aが形成されており、ホルダ 41を鏡筒 31の下端にねじ込んで固定することができるようになつている。逆に、ホル ダ 41をねじ回して緩めることにより鏡筒 31の下端力も外すことができ、別の同一構造 のホルダ (不図示)と交換することがきるようになつている。なお、ホルダ 41は、下部に 円形の開口 APを有しており、この開口 APの周囲に設けた環状の係止部 41cに平行 平板 42の外周部下面が支持され、ホルダ 41に設けた環状の締結部材 41dによって 平行平板 42の外周部上面が支持される。これにより、ホルダ 41底面に所定量だけ突 出するように平行平板 42が固定される。
[0035] ホルダ 41を鏡筒 31の下端にねじ込んで固定した状態において、ホルダ 41と鏡筒 3 1との間には、第 1浸液 IL1を収容する浸液溜 ICが形成される。この浸液溜 ICは、光 学素子 33の射出側光学面 33aと平行平板 42の入射側平面 42aとの間に挟まれて円 板状の輪郭を有する実質的な閉空間となっている。なお、平行平板 42と処理対象で あるウェハ Wとの間には、第 2浸液 IL2がその表面張力によって保持されている。つ まり、第 2浸液 IL2は、開放空間に保持された状態となっている。
[0036] 第 1浸液 IL1を収容する浸液溜 ICには、吐出ノズル 51と吸引ノズル 52とが一対以 上互いに対向して形成されており、浸液溜 ICに第 1浸液 IL1を供給して、光学素子 3 3の射出側光学面 33aと平行平板 42の入射側平面 42aとの間の露光光の光路空間 を第 1浸液 IL1で満たすとともに、浸液溜 IC中の第 1浸液 IL1を徐々に交換できるよう になっている。つまり、鏡筒 31の下部側面の適所に第 1浸液 IL1を所定流量で吐出 させる吐出ノズル 51が 1つ以上形成されており、ホルダ 41の側面の適所に第 1浸液 I L1を排出させる吸引ノズル 52が 1つ以上形成されている。吐出ノズル 51や吸引ノズ ル 52の個数や配置は、投影光学系 PLの使用条件や親液溜 ICの大きさ、第 1浸液 I L1の流速、第 1浸液 IL1の制御温度等に応じて適宜変更することができる。
[0037] なお、ホルダ 41の周囲には、先端部が細くなつた吐出ノズル 53と、先端部が広くな つた一対の吸引ノズル 54a, 54bとが互いに対向して配置されており、平行平板 42の 射出側平面 42bとウエノ、 Wの表面とに挟まれた開放空間に第 2浸液 IL2を供給して、 平行平板 42の射出側平面 42bとウェハ Wの表面との間の露光光の光路空間を第 2 浸液 IL2で満たしたり、力かる開放空間から第 2浸液 IL2を除去したり、さらに、かかる 開放空間に保持された第 2浸液 IL2を徐々に置換又は交換できるようになつている。
[0038] 吐出ノズル 53や吸引ノズル 54a, 54bの個数や配置は、投影光学系 PLの使用条 件や平行平板 42とウェハ Wとの間隔、ウェハ Wの動き、第 2浸液 IL2の流速、第 2浸 液 IL2の制御温度等に応じて適宜変更することができる。
[0039] 光学素子 33は、第 1浸液 IL1に接しているので、本体部分 30の寿命を延ばすため には、光学素子 33の材料が第 1浸液 IL1に対して耐食性を有する必要がある。そこ で、光学素子 33のバルク材ゃ反射防止膜を旧来の材料である CaF結晶等とせず、
2 CaF結晶材料よりも比較的水に対する溶解度が小さい光透過材料とする。具体的
2
には、例えば合成石英力もなるバルク材によって光学素子 33を作製する。なお、必 要であればバルク材上に弗化マグネシウム力 なる反射防止膜を堆積することもでき る。これにより、第 1浸液 IL1に接触する光学素子 33すなわちそのバルク材ゃ反射防 止膜が侵食されに《なり、本体部分 30の耐水性を高めることができるので、本体部 分 30の結像性能を維持することができ、その結果、投影光学系 PLの結像性能を良 好に維持することができる。
[0040] 一方、平行平板 42は、第 1浸液 IL1及び第 2浸液 IL2の双方に接しているので耐 食性が高い材料で形成するのが望ましいが、ホルダ 41とともに交換可能な光学素子 であるので、両浸液 IL1, IL2に対して高い耐食性を有する必要は必ずしもない。そ こで、本実施形態においては、平行平板 42のバルタ等は、合成石英等の水に対す る溶解度が比較的小さい材料とせず、水に対する溶解度がある程度大きい光透過材 料とする。ただし、平行平板 42及びその近傍では露光光が集中して光密度を高める ので、平行平板 42の材料としては、レーザコンパクションに対してある程度の耐性を 有することが望ましい。具体的には、 CaF結晶等力もなるノ レク材を用いて平行平
2
板 42を形成する。なお、必要であれば、バルク材の射出面上に弗化マグネシウム( MgF )からなる反射防止膜を堆積して平行平板 42を完成する。もちろん、第 1浸液 I
2
L1と接する平行平板 42の入射面上に弗化マグネシウム (MgF )などの反射防止膜
2
を施してもよい。
[0041] なお、ホルダ 41や鏡筒 31の下端部は、容器状の浸液溜 ICを形成するためのもの であり、第 1浸液 IL1に接触することになるので、第 1浸液 IL1に対する高い耐食性を 有するものとする。本実施形態においては、第 1浸液 IL1として脱イオン水(純水)を 用いているので、具体的には、チタン合金、ステンレススティール等を加工してホルダ 41や鏡筒 31の下端部を形成する。
[0042] 以上のような投影光学系 PLにおいて、レチクル R (図 1参照)を透過して本体部分 3 0の上端に入射した像光は、本体部分 30の下端に設けた光学素子 33から収束しつ つ出射し、第 1浸液 IL1を経て平行平板 42に入射する。この平行平板 42を通過した 像光は、第 2浸液 IL2を経てウェハ Wに入射してここに投影像を形成する。 [0043] 図 1に戻って、浸液溜 ICである光学素子 33と平行平板 42との間の空間に挟まれた 第 1浸液 IL1は、その液体のタンク、加圧ポンプ等力もなる液体供給装置 75によって 、吐出ノズル 51を介して流量制御された状態で供給される。液体供給装置 75の前 段には、温度調節手段である温度調節装置 76が設けられている。すなわち、液体供 給装置 75から送り出される第 1浸液 IL1は、温度調節装置 76で例えば冷却されて所 望の温度とされる。ここで、第 1浸液 IL1は、例えば本実施形態の投影露光装置が収 納されているチャンバ内の温度と同程度に設定されている。このように、温度調節装 置 76を用いて第 1浸液 IL1の温度を一定に保つことにより、投影光学系 PLの結像特 性を安定ィ匕することができる。この際、温度調節装置 76によって温度調節された第 1 浸液 IL1により、露光光 ELによって加熱される光学素子 33や平行平板 42の表面が 冷却されるので、これらの光学素子の浸食の進行を抑えることができる。
[0044] 液体供給装置 75からは、供給管 25が延びており、この供給管 25は、投影光学系 P Lの下端に接続されており、吐出ノズル 51を介して浸液溜 ICに連通する。
[0045] 一方、投影光学系 PLの下端近傍には、浸液溜 ICに連通する吸引ノズル 52が形成 されており、この吸引ノズル 52は、回収管 26を介して温度調節装置 76に延びている 。吐出ノズル 51と吸引ノズル 52とは、投影光学系 PLの下端部分を例えば X方向に 関して挟むように配置されており、光学素子 33と平行平板 42との間すなわち浸液溜 I Cにおいて X方向への第 1浸液 IL1の流れを形成することができる。これら吐出ノズ ル 51、吸引ノズル 52、及び液体供給装置 75は、供給回収機構の少なくとも一部を 構成し、さらに供給管 25及び回収管 26を含めたものは第 1循環系を構成する循環 機構の一部を構成している。
[0046] なお、第 1浸液 IL1の温度は必ずしもチャンバ内の温度と同程度に設定する必要は 無ぐ温度調節装置 76により投影光学系 PLの結像性能を維持可能な所望の温度に 帘 U御することができる。
[0047] また、本実施形態にぉ 、ては、吸引ノズル 52で回収された第 1浸液 IL1を温度調 節装置 76に戻す循環系が形成されているが、吸引ノズル 52から回収した第 1浸液 I L1の少なくとも一部を廃棄して、新しい清浄な第 1浸液 IL1を温度調節装置 76に供 給してちょい。 [0048] また、温度調整装置 76を液体供給装置 75の下流側に配置することもできる。
[0049] また、液体供給装置 75のポンプやタンク、及び温度調節装置 76は必ずしも投影露 光装置が備えている必要はなぐそれらの少なくとも一部を投影露光装置が設置され る工場などの設備で代用することもできる。
[0050] 平行平板 42とウェハ Wとの間に挟まれた第 2浸液 IL2は、その液体のタンク、加圧 ポンプ等力もなる液体供給装置 71によって、吐出ノズル 53を介してウェハ W上に流 量制御された状態で供給され、その液体のタンク、吸引ポンプ等力 なる液体回収 装置 72によって、所定の吸引ノズル等を介してウェハ W上から回収される。液体回 収装置 72から液体供給装置 71にかけての循環路上には、温度調節手段である温 度調節装置 73が設けられている。すなわち、液体回収装置 72で回収された第 2浸 液 IL2は、温度調節装置 73で例えば冷却されて所望の温度とされた状態で、液体供 給装置 71に戻される。ここで、第 2浸液 IL2は、例えば本実施形態の投影露光装置 が収納されているチャンバ内の温度と同程度に設定されている。このように、温度調 節装置 73を用いて第 2浸液 IL2の温度を一定に保つことにより、投影光学系 PLの結 像特性を安定ィ匕することができる。この際、温度調節装置 73によって温度調節され た第 2浸液 IL2により、露光光 ELによって加熱される平行平板 42の表面が冷却され るので、平行平板 42の浸食の進行を抑えることができる。
[0051] 液体供給装置 71からは、供給管 21を介して先端部が細くなつた吐出ノズル 53が 延びており、液体回収装置 72からは、回収管 22を介して先端部が広くなつた 2つの 吸引ノズル 54a, 54bが延びている。吐出ノズル 53と一対の吸引ノズル 54a, 54bと は、投影光学系 PLの下端部分を X方向に関して挟むように配置されており、交換部 分 40に設けた平行平板 42とウェハ Wとの間において X方向への第 2浸液 IL2の流 れを形成することができる。なお、図示を省略している力 一対の吸引ノズル 54a, 54 bの間には、これらに平行に吐出ノズルが形成されており、吐出ノズル 53の両側方に は、これに平行に一対の吸引ノズルが形成されており、第 2浸液 IL2の流れを +X方 向に切り換えることもできる。さらに、図示を省略している力 吐出ノズル 53、吸引ノズ ル 54a, 54b等を一組とする第 1の給排ノズルシステムを投影光学系 PLの下端部分 の回りにほぼ 90° 回転した配置の第 2の給排ノズルシステムも設けられており、平行 平板 42とウェハ Wとの間において Y方向若しくは +Y方向への第 2浸液 IL2の流れ を形成することができる。つまり、露光に際して ±Χ方向にウェハ Wをステップ移動さ せる際には、第 1の給排ノズルシステムを用 、て平行平板 42とウェハ Wとの間に層流 状で安定した第 2浸液 IL2の流れを形成することができ、露光に際して士 Υ方向にゥ エノ、 Wをステップ移動させる際には、第2の給排ノズルシステムを用いて平行平板 42 とウェハ Wとの間に層流状で安定した第 2浸液 IL2の流れを形成することができるの で、平行平板 42とウェハ Wとの間を常に新鮮な第 2浸液 IL2で安定して満たすことが できる。なお、吐出ノズルと吸引ノズルの配置及び動作は、例えば、国際公開第 99 Ζ49504号公報に開示されており、本国際出願で指定または選択された国の法令 で許容される限りにおいて、この公報の開示を援用して本文の記載の一部とする。
[0052] 以上において、吐出ノズル 53、吸引ノズル 54a, 54b、液体供給装置 71、液体回 収装置 72及び温度調節装置 73は、供給回収機構の少なくとも一部を構成し、さらに 供給管 21及び回収管 22を含めたものは第 2循環系の少なくとも一部を構成する循 環機構である。
[0053] なお、第 2浸液 IL2の温度は必ずしもチャンバ内の温度と同程度に設定する必要は 無ぐ温度調節装置 73により投影光学系 PLの結像性能を維持可能な所望の温度に 帘 U御することができる。
[0054] また、本実施形態においては、吸引ノズル 54a, 54bで回収された第 2浸液 IL2を 温度調節装置 73に戻す循環系が形成されているが、吸引ノズル 54a, 54bから回収 した第 2浸液 IL2の少なくとも一部を廃棄して、新しい清浄な第 2浸液 IL2を温度調節 装置 73に供給してもよい。
[0055] また、温度調整装置 73を液体供給装置 71の下流側に配置することもできる。
[0056] また、液体供給装置 71及び液体回収装置 72のポンプやタンク、及び温度調節装 置 73は必ずしも投影露光装置が備えている必要はなぐそれらの少なくとも一部を投 影露光装置が設置される工場などの設備で代用することもできる。
[0057] また、第 1の浸液 IL1と第 2の浸液 IL2とを同じ温度に制御する場合には、 1つの温 度調整装置で兼用してもよい。
[0058] 以下、具体的な実施例について説明する。光学素子 33の平凸レンズを合成石英 で形成し、平行平板 42を蛍石で形成した。そして、平行平板 42の厚みを 10mmとし 、光学素子 33と平行平板 42との間隔を 2mmとし、平行平板 42とウエノ、 Wの間隔を5 mmとした。また、投影光学系 PLについては、結像側の NAを 1. 25とした。また、第 1及び第 2浸液 IL1, IL2は脱イオン水(純水)とした。脱イオン水は、半導体製造ェ 場等で容易に大量に入手できるとともに、ウェハ W上のフォトレジストや光学レンズ等 に対する悪影響がない利点がある。また、脱イオン水は環境に対する悪影響がない とともに、不純物の含有量が極めて低いため、ウェハの表面を洗浄する作用も期待 できる。そして、波長が 200nm程度の露光光 ELに対する脱イオン水(水)の屈折率 nはほぼ 1. 44であるため、 ArFエキシマレーザ光の波長 193nmは、ウェハ W上で は lZn、即ち約 134nmに短波長化されたと同等の効果が生じて高い解像度が得ら れる。さらに、焦点深度は空気中に比べて約 n倍、即ち約 1. 44倍に拡大されるため 、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影 光学系 PLの開口数をより増カロさせることができ、この点でも解像度が向上する。
[0059] 光学素子 33の射出側光学面 33aにおけるエネルギー密度は、平行平板 42の射出 側平面 42bにおけるエネルギー密度の 1. 5%になっており、平行平板 42の入射側 平面 42aにおけるエネルギー密度の 3%になっている。つまり、光学素子 33の射出 側光学面 33aにおけるエネルギー密度は、平行平板 42の位置におけるエネルギー 密度に比較して 2桁程度少なぐ第 2浸液 IL2による光学素子 33の浸食や露光光 EL によるレーザコンパクションはほとんど無視できるレベルとなる。
[0060] また、光学素子 33の射出側光学面 33aや平行平板 42の射出側平面 42bにおける 光軸上の反射は、それぞれ 0. 14%及び 0. 03%であり、これらの最大 NAに対応す る入射角(60° )における光軸上の反射は、それぞれ 0. 87%及び 0. 32% (s偏光と p 偏光の平均)である。つまり、露光光 ELの光線の入射角が 0°— 60°までの場合、中 間の射出側光学面 33aや最終の射出側平面 42bでの反射率が極めて低い 0. 14% 一 0. 87%或いは 0. 03%— 0. 32%となり、反射防止膜では不可能な値を簡単に 達成することができる。
[0061] 以下、図 1等に示す投影露光装置の動作について説明する。予め、液体供給装置 75等を動作させて、投影光学系 PLの浸液溜 IC中に一定温度の第 1浸液 IL1を循環 させる。次に、 Zステージ 9及び XYステージ 10を適宜駆動して、投影光学系 PLをゥ ェハ Wに対して適所に移動させる。この際、液体供給装置 71、液体回収装置 72等 を動作させて、ウェハ Wと平行平板 42との間に一定温度の第 2浸液 IL2を循環させ る。一方、パターンが形成されたレチクル Rは、照明光学系 1から射出された露光光 E Lによって重畳的に均一に照明される。レチクル Rのパターンを透過した光束は、投 影光学系 PLを介して、感光性基板であるウェハ W上にマスクパターンの像を形成す る。そして、投影光学系 PLの光軸 AXと直交する XY平面内においてウェハ Wをステ ップ移動させることによって、ウェハ Wの全面に所望のパターンが逐次露光される。こ の際、投影光学系 PLの本体部分 30の下端に設けた光学素子 33がウェハ Wから離 れて配置されるので、本体部分 30が露光光 ELと第 1浸液 IL1とによってダメージを 受けることを回避できる。なお、露光光 ELと第 2浸液 IL2等とによってダメージを受け る可能性がある平行平板 42については、交換部分 40ごと新しいものと交換すること ができるので、投影光学系 PLの性能を長期間維持することができる。また、光学素 子 33と平行平板 42との間にこれらに近い屈折率を有する第 1浸液 IL1が満たされて いるので、光学素子 33の射出側光学面 33aや平行平板 42の入射側平面 42aにお ける反射を防止して、フレアー等の結像特性の劣化を防止することができる。さらに、 露光時に、平行平板 42とウェハ Wとの間に比較的少量 (浸液溜 ICに収容される第 1 浸液 IL1に比較して少量)の第 2浸液 IL2を満たすだけであるので、第 2浸液 IL2の 使用量を低減して効率的で迅速な供給動作を行わせることができ、延いては露光処 理の迅速性を高めることができる。
[0062] なお、光学素子 33と平行平板 42との間の第 1浸液 IL1の量と、平行平板 42とゥェ ハ Wとの間の第 2浸液 IL2の量は異なっていてもよいし、同じであってもよい。また、 光学素子 33と平行平板 42との間の第 1浸液 IL1の流速と、平行平板 42とウェハ Wと の間の第 2浸液 IL2の流速とは異なって 、てもよ 、し、同じであってもよ 、。
[0063] なお、第 1浸液 IL1は、投影光学系 PLの像面力 比較的に離れているので、露光 光 ELの照射による温度変化が第 2浸液 IL2に比べて小さぐ温度変化が投影光学系 PLの結像性能に与える影響も第 2浸液 IL2に比べて小さいば力りでなぐウェハ Wと 接触する第 2浸液 ILと比べて格段に汚れ難いので、その量は第 2浸液 IL2よりも少な くてもよく、その流速 (浸液の入れ替え速度)も第 2浸液よりも小さくてよい。したがって 、ウェハ W上へのパターン像の投影中は、吐出ノズル 51による第 1浸液 IL1の供給 動作と吸引ノズル 52による第 1浸液 IL2の回収動作を停止させてもよい。
[0064] 以上実施形態に即して本発明を説明したが、本発明は上記実施形態に限定される ものではない。例えば、第 1及び第 2浸液 ILl, IL2としては、純水以外にも、露光光 ELに対する十分な透過性があってできるだけ屈折率が高ぐ投影光学系 PLゃゥェ ハ W表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なものを用いることができる。 例えば波長 200nm以下の露光光 ELに対しては、これを透過させる液体として例え ばフッ素系オイル (フロリナート;米国スリーェム社製)や過フッ化ポリエーテル (PFP E)等を含むフッ素系の浸液等の使用が好適である。
[0065] また、上述の実施形態においては、第 1浸液 IL1と第 2浸液 IL2は共に純水 (脱ィォ ン水)を用いるが、その水質 (制御温度、温度安定性、溶存酸素濃度、比抵抗値、 T OC [total organic carbon]など)は異なっていてもよい。例えば、第 2の浸液 IL2 の水質を第 1浸液 IL1の水質よりも高くすることができる。また第 1浸液 IL1と第 2浸液 I L2とに異なる種類の液体 (水溶液含む)を用いるようにしてもよ!、。
[0066] また、露光光 ELとしては、 ArFエキシマレーザ光に限らず、 KrFエキシマレーザ光
(波長 248nm)、 Fレーザ光(波長 157nm)や水銀ランプの i線 (波長 365nm)等を
2
使用してもよい。例えば KrFエキシマレーザ光を用いた場合、光学素子 33の本体材 料として例えば合成石英や蛍石を使用することができ、その反射防止膜の材料として 例えば弗化マグネシウム (MgF )等を使用することができる。この際、平行平板 42の
2
本体材料として例えば蛍石を使用することができるが、比較的低波長でレーザコンパ クシヨンが問題となりにくいので合成石英を使用することもできる。また、 Fレーザ光を
2 用いた場合、光学素子 33の本体材料として例えば蛍石を使用することができ、その 反射防止膜の材料として例えば弗化マグネシウム等を使用することができる。この際 、平行平板 42の本体材料として例えば蛍石を使用することができる。
[0067] また、光学素子 33の反射防止膜の材料としては、弗化マグネシウムに限らず、弗化 ランタン、弗化ガドリニウム、弗化ネオジゥム、弗化イットリウム、 LiSrAlF、 LiCaAlF
6 6 等の弗化物、若しくはサファイア、水晶等の酸ィ匕物とすることができ、さらに、これらの 材料の膜を宜組み合わせて多層に積層したものとすることができる。
[0068] また、上述の実施形態においては、投影光学系 PLの交換部分 40の光学素子とし て平行平板が用いられて 、るが、例えば屈折率の極めて小さ 、レンズにしてもょ 、。 また、投影光学系 PLの光学素子 33は、光学面 33aが平面である平凸レンズである 力 光学面 33aが曲面であるレンズを用いることもできる。
[0069] また、上述の実施形態において、ステップ'アンド'リピート方式の投影露光装置は、 ウェハ W上の一つのショット領域を、ウェハ Wをほぼ静止した状態で露光する静止露 光タイプのものであってもよ 、し、ウェハ Wを移動しながら露光する走査露光タイプの ものであってもよい。
[0070] また、上述の実施形態においては、投影光学系 PLとウェハ Wとの間を局所的に第 2浸液 IL2で満たす露光装置を採用しているが、特開平 6— 124873号公報に開示さ れて ヽるように、露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる液浸 露光装置や、特開平 10— 303114号公報に開示されているように、ステージ上に所 定深さの液体槽を形成し、その中に基板を保持する液浸露光装置にも本発明を適 用可能である。
[0071] また、上記実施形態において、 X方向、又は Y方向から第 2浸液 IL2の供給及び回 収を行うノズルだけでなぐ例えば斜めの方向力ゝら第 2浸液 IL2の供給及び回収を行 うためのノズルを設けてもよ!、。
[0072] また、本発明は、ウェハ等の被処理基板を別々に載置して XY方向に独立に移動 可能な 2つのステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。ツイン ステージ型の露光装置の構造及び露光動作は、例えば特開平 10 - 163099号及び 特開平 10— 214783号(対応米国特許 6, 341, 007、 6, 400, 441、 6, 549, 269 及び 6, 590, 634)、特表 2000— 505958号(対応米国特許 5, 969, 441)あるい は米国特許 6, 208, 407に開示されており、本国際出願で指定または選択された国 の法令で許容される限りにおいて、それらの開示を援用して本文の記載の一部とす る。
[0073] また、本発明は、特開平 11— 135400号に開示されているように、ウェハ等の被処 理基板を保持して移動可能な露光ステージと、各種の計測部材ゃセンサを備えた計 測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。
[0074] 以上のように、上述の実施形態によれば、光学系本体 30の光学面 33aに対向して 光透過性の平行平板 42が配置されるので、光学系本体 30が、平行平板 42を介して 第 2の浸液側に配置されるウェハ Wなどのワーク対象カゝら離れて配置されることにな る。よって、平行平板 42が光学系本体 30を保護するかのように、平行平板 42側にお いて集光することになる露光光と浸液とによって光学系本体 30がダメージを受けるこ とを回避できる。また、平行平板 42は、集光する露光光と第 2浸液 IL2とによってダメ ージを受けたり、第 2浸液 IL2中の不純物が付着する可能性がある力 平行平板 42 を新しいものと交換することによって、液浸型レンズ系としての性能を長期間維持す ることができる。また、光学系本体 30 (光学素子 33)の光学面 33aと平行平板 42との 間に空気よりも高い屈折率の第 1浸液 IL1が配置されるので、平行平板 42を配置し ても液浸光学系として高い光学性能を維持することができるば力りでなぐ平行平板 4 2の一方の面等における反射を防止して、フレアー等による結像特性の劣化を防止 することができる。
[0075] また、第 1浸液 IL1と第 2浸液 IL2とが分離されているので、第 2浸液 IL2中の不純 物などが第 1浸液 IL1中に混入する等の不都合を防止できる。また、第 1浸液 IL1と 第 2浸液 IL2とが分離されているので、第 1浸液 IL1とは別に、第 2浸液 IL2を間欠的 に供給したり常時リフレッシュして、露光処理などを効率よく実行できるので、スルー プット向上につながる。
[0076] 半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図 3に示すように、マイクロデバイスの機 能 ·性能設計を行うステップ 201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製 作するステップ 202、デバイスの基材である基板 (ウエノ、)を製造するステップ 203、 前述した実施形態の露光装置によりマスクのパターンを基板に露光する露光処理ス テツプ 204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケ一 ジ工程を含む) 205、検査ステップ 206等を経て製造される。

Claims

請求の範囲
[1] 光軸に沿った一端に光学面を有するとともに、当該光学面が第 1の浸液に接触した 状態とされる光学系本体と、
光軸に沿った両端に 2つの面を有するとともに、前記光学系本体の光学面に対向 して配置され、前記 2つの面の一方が前記第 1の浸液に接触した状態とされ、かつ、 前記 2つの面の他方が第 2の浸液に接触した状態とされる光透過部材と、
前記光透過部材を前記一方の面が前記光学系本体の前記光学面に対向するよう に着脱自在に支持する保持部材と
を備える液浸型レンズ系。
[2] 前記第 1及び第 2の浸液は、それぞれ水を含むことを特徴とする請求項 1記載の液 浸型レンズ。
[3] 前記第 1の浸液は、前記第 2の浸液と分離されていることを特徴とする請求項 1記載 の液浸型レンズ系。
[4] 前記第 1の浸液は、周囲を閉じた閉空間内に収容されており、前記第 2の浸液は、 周囲を開放した開放空間内に存在することを特徴とする請求項 3記載の液浸型レン ズ系。
[5] 前記閉空間内に収容されている前記第 1の浸液の量は、前記開放空間内に存在 する前記第 2の浸液の量よりも多いことを特徴とする請求項 4記載の液浸型レンズ系
[6] 前記光透過部材は、平行平板状であることを特徴とする請求項 1記載の液浸型レ ンズ系。
[7] 前記第 2の浸液を前記 2つの面の他方に接触するように供給するとともに、当該他 方の面に接触している前記第 2の浸液を回収する供給回収機構をさらに備えることを 特徴とする請求項 1記載の液浸型レンズ系。
[8] 前記光学系本体及び前記光透過部材の間の前記第 1の浸液と、前記光透過部材 に設けた前記他方の面に接触する前記第 2の浸液との少なくとも一方を循環させる 循環機構をさらに備えることを特徴とする請求項 1記載の液浸型レンズ系。
[9] 前記循環機構は、前記第 1の浸液を循環させる第 1循環系と、前記第 2の浸液を循 環させる第 2循環系とを有することを特徴とする請求項 8記載の液浸型レンズ系。
[10] 前記第 1及び第 2の浸液の少なくとも一方の温度を調節する温度調節装置をさらに 備えることを特徴とする請求項 1及び請求項 8のいずれか一項記載の液浸型レンズ 系。
[11] 前記第 1及び第 2の浸液は、ともに脱イオン水であることを特徴とする請求項 1記載 の液浸型レンズ系。
[12] 前記光透過部材は、蛍石で形成されて ヽることを特徴とする請求項 1記載の液浸 型レンズ系。
[13] 前記光学系本体の前記光学面を構成する光学素子は、合成石英で形成されて 、 ることを特徴とする請求項 1記載の液浸型レンズ系。
[14] 前記光学系本体を構成する光学素子及び前記光透過部材は、投影露光用の紫外 光を透過させることを特徴とする請求項 1記載の液浸型レンズ系。
[15] 前記紫外光は、 ArFエキシマレーザ光、 KrFエキシマレーザ光、 Fレーザ光及び
2
水銀ランプの i線のいずれかであることを特徴とする請求項 14記載の液浸型レンズ系
[16] 前記光学系本体を構成する光学素子及び前記光透過部材の少なくとも一方は、反 射防止膜を有することを特徴とする請求項 1記載の液浸型レンズ系。
[17] 前記光透過部材は、蛍石で形成されており、
前記光学系本体の前記光学面を構成する光学素子は、合成石英で形成されて 、 ることを特徴とする請求項 1記載の液浸型レンズ系。
[18] 前記第 1及び第 2の浸液は、それぞれ水を含むことを特徴とする請求項 17記載の 液浸型レンズ。
[19] 投影光学系を用いてパターン像を基板上に投影露光する装置であって、
前記パターン像を基板上に形成する請求項 1記載の液浸型レンズ系を備える投影
[20] 投影光学系を用いてパターン像を基板上に投影露光する投影露光装置であって、 前記投影光学系は、光軸に沿った一端に光学面を有するとともに、当該光学面が 第 1の浸液に接触した状態とされる光学系本体と、光軸に沿った両端に 2つの面を有 するとともに前記光学系本体の光学面に対向して配置され、前記 2つの面の一方が 前記第 1の浸液に接触した状態とされ、かつ、前記 2つの面の他方が第 2の浸液に接 触した状態とされる光透過部材とを有する投影露光装置。
[21] 前記光透過部材は着脱可能である請求項 20記載の投影露光装置。
[22] 前記光透過部材は、平行平板状であることを特徴とする請求項 21記載の投影露光
[23] 前記第 2の浸液で前記基板上に局所的に液浸領域を形成して、前記第 1及び第 2 の浸液を介して前記基板を露光する請求項 20の投影露光装置。
[24] 前記第 1及び第 2の浸液は、それぞれ水を含む請求項 20記載の投影露光装置。
[25] 前記第 1の浸液は、前記第 2の浸液と分離されていることを特徴とする請求項 20記
[26] 前記第 1の浸液を供給するとともに、前記第 1の浸液を回収する第 1供給回収機構 をさらに備える請求項 25記載の投影露光装置。
[27] 前記第 1の浸液の温度を調節する温度調節装置を備えた請求項 26記載の投影露
[28] 前記第 1供給回収機構は、前記第 1の浸液の循環系を含む請求項 27記載の投影
[29] 前記第 2の浸液を供給するとともに、前記第 2の浸液を回収する第 2供給回収機構 をさらに備える請求項 26記載の投影露光装置。
[30] 前記第 2の浸液の温度を調節する温度調節装置を備えた請求項 29記載の投影露
[31] 前記第 2供給回収機構は、前記第 2の浸液の循環系を含む請求項 30記載の投影
[32] 請求項 19または請求項 20に記載の投影露光装置を用いるデバイス製造方法。
PCT/JP2004/014260 2003-09-29 2004-09-29 液浸型レンズ系及び投影露光装置、並びにデバイス製造方法 WO2005031823A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005514258A JP4492539B2 (ja) 2003-09-29 2004-09-29 液浸型光学系及び投影露光装置、並びにデバイス製造方法
CN2004800280505A CN1860585B (zh) 2003-09-29 2004-09-29 液浸型透镜***和投影曝光装置
EP04788326A EP1670042A4 (en) 2003-09-29 2004-09-29 LIQUID IMMERSION TYPE LENS SYSTEM, PROJECTION ALIGNER, AND PRODUCTION METHOD OF THE DEVICE
US11/387,885 US20060164616A1 (en) 2003-09-29 2006-03-24 Liquid immersion type lens system, projection exposure apparatus, and device fabricating method
IL174566A IL174566A0 (en) 2003-09-29 2006-03-26 Liquid immersion type lens system, projection exposure apparatus, and device fabricating method

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003-337087 2003-09-29
JP2003337087 2003-09-29

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US11/387,885 Continuation US20060164616A1 (en) 2003-09-29 2006-03-24 Liquid immersion type lens system, projection exposure apparatus, and device fabricating method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2005031823A1 true WO2005031823A1 (ja) 2005-04-07

Family

ID=34386114

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2004/014260 WO2005031823A1 (ja) 2003-09-29 2004-09-29 液浸型レンズ系及び投影露光装置、並びにデバイス製造方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20060164616A1 (ja)
EP (1) EP1670042A4 (ja)
JP (1) JP4492539B2 (ja)
CN (1) CN1860585B (ja)
IL (1) IL174566A0 (ja)
SG (1) SG144907A1 (ja)
TW (1) TW200513809A (ja)
WO (1) WO2005031823A1 (ja)

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006140499A (ja) * 2004-11-12 2006-06-01 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2006179759A (ja) * 2004-12-24 2006-07-06 Nikon Corp 光学素子及び投影露光装置
JP2006196906A (ja) * 2005-01-14 2006-07-27 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2006313905A (ja) * 2005-05-03 2006-11-16 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2006332669A (ja) * 2005-05-25 2006-12-07 Carl Zeiss Smt Ag 異なる浸漬液とともに使用するのに適した投影レンズとその変換方法及び製造方法
JP2007005525A (ja) * 2005-06-23 2007-01-11 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP2007013152A (ja) * 2005-06-28 2007-01-18 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2007027438A (ja) * 2005-07-15 2007-02-01 Nikon Corp 投影光学系、露光装置、およびデバイスの製造方法
WO2007046429A1 (ja) * 2005-10-21 2007-04-26 Nikon Corporation 液浸顕微鏡装置
JP2007266186A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Nikon Corp 露光装置、露光装置の調整方法、およびデバイスの製造方法
EP1881520A1 (en) * 2005-05-12 2008-01-23 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus and exposure method
US7385764B2 (en) 2003-12-15 2008-06-10 Carl Zeiss Smt Ag Objectives as a microlithography projection objective with at least one liquid lens
US7719658B2 (en) 2004-02-13 2010-05-18 Carl Zeiss Smt Ag Imaging system for a microlithographical projection light system
JP2011129951A (ja) * 2006-05-22 2011-06-30 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびリソグラフィ装置洗浄方法
US8253924B2 (en) * 2005-05-24 2012-08-28 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus and device manufacturing method
JP2014140060A (ja) * 2007-10-02 2014-07-31 Carl Zeiss Smt Gmbh マイクロリソグラフィ用の投影対物系
KR101555707B1 (ko) 2005-04-18 2015-09-25 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
US9411247B2 (en) 2004-06-10 2016-08-09 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070216889A1 (en) * 2004-06-04 2007-09-20 Yasufumi Nishii Exposure Apparatus, Exposure Method, and Method for Producing Device
US20070103661A1 (en) * 2004-06-04 2007-05-10 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US20070222959A1 (en) * 2004-06-10 2007-09-27 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US7180572B2 (en) * 2004-06-23 2007-02-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion optical projection system
JP4555903B2 (ja) * 2004-12-02 2010-10-06 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP2006261606A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Canon Inc 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
WO2006130338A1 (en) * 2005-06-01 2006-12-07 Nikon Corporation Immersion fluid containment system and method for immersion lithography
WO2006133884A2 (en) 2005-06-14 2006-12-21 Carl Zeiss Smt Ag Optical element with an antireflection coating, projection objective, and exposure apparatus comprising such an element
US7812926B2 (en) 2005-08-31 2010-10-12 Nikon Corporation Optical element, exposure apparatus based on the use of the same, exposure method, and method for producing microdevice
TWI450044B (zh) * 2005-08-31 2014-08-21 尼康股份有限公司 An optical element, an exposure apparatus using the same, an exposure method, and a manufacturing method of the micro-element
US8068208B2 (en) 2006-12-01 2011-11-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for improving immersion scanner overlay performance
JP2008218653A (ja) * 2007-03-02 2008-09-18 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
US8654306B2 (en) 2008-04-14 2014-02-18 Nikon Corporation Exposure apparatus, cleaning method, and device fabricating method
US8421993B2 (en) * 2008-05-08 2013-04-16 Asml Netherlands B.V. Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2249205B1 (en) * 2008-05-08 2012-03-07 ASML Netherlands BV Immersion lithographic apparatus, drying device, immersion metrology apparatus and device manufacturing method
JP5482784B2 (ja) * 2009-03-10 2014-05-07 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP6261357B2 (ja) * 2014-01-30 2018-01-17 オリンパス株式会社 顕微鏡および観察方法
CN103885301B (zh) * 2014-03-21 2015-09-16 浙江大学 浸没式光刻机中浸液传送***的控制时序的模型匹配方法
DE102015200927A1 (de) * 2015-01-21 2016-07-21 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Ausbildung eines Immersionsmittelfilms
EP3460558A1 (en) * 2017-09-20 2019-03-27 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Cryo-light microscope and immersion medium for cryo-light microscopy
CN109407474A (zh) * 2018-12-26 2019-03-01 长春长光智欧科技有限公司 一种带保护玻璃的浸没头
DE102020111715A1 (de) * 2020-04-29 2021-11-04 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Immersionsobjektiv und verfahren zur immersionsmikroskopie

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10303114A (ja) 1997-04-23 1998-11-13 Nikon Corp 液浸型露光装置
WO1999049504A1 (fr) * 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
WO2004019128A2 (en) * 2002-08-23 2004-03-04 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
JP2004172621A (ja) * 2002-11-18 2004-06-17 Asml Netherlands Bv リソグラフ装置およびデバイス製造方法
JP2004207711A (ja) * 2002-12-10 2004-07-22 Nikon Corp 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4346164A (en) * 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
JPS57153433A (en) * 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
DD221563A1 (de) * 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
DD224448A1 (de) * 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JP2844696B2 (ja) * 1989-07-24 1999-01-06 株式会社ニコン レーザ処理装置
JP2753930B2 (ja) * 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
US5825407A (en) * 1993-09-13 1998-10-20 Albrit Technologies Ltd. Cable television audio messaging systems
JPH08316124A (ja) * 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH1054932A (ja) * 1996-08-08 1998-02-24 Nikon Corp 投影光学装置及びそれを装着した投影露光装置
US5825043A (en) * 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
ATE404906T1 (de) * 1996-11-28 2008-08-15 Nikon Corp Ausrichtvorrichtung und belichtungsverfahren
DE69717975T2 (de) * 1996-12-24 2003-05-28 Asml Netherlands Bv In zwei richtungen ausgewogenes positioniergerät, sowie lithographisches gerät mit einem solchen positioniergerät
US6208407B1 (en) * 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
JP4453939B2 (ja) * 1999-09-16 2010-04-21 信越石英株式会社 F2エキシマレーザー透過用光学シリカガラス部材及びその製造方法
JP2001168000A (ja) * 1999-12-03 2001-06-22 Nikon Corp 露光装置の製造方法、および該製造方法によって製造された露光装置を用いたマイクロデバイスの製造方法
JP2001223422A (ja) * 2000-02-10 2001-08-17 Komatsu Ltd 超狭帯域化レーザ装置及び狭帯域化レーザ装置
JP4763877B2 (ja) * 2000-05-29 2011-08-31 信越石英株式会社 F2エキシマレーザー用合成石英ガラス光学材料及び光学部材
JP4650712B2 (ja) * 2000-08-02 2011-03-16 株式会社ニコン 装置設計製作システム、このシステムにより製作される装置およびこの装置により製造される製品
JP2002158157A (ja) * 2000-11-17 2002-05-31 Nikon Corp 照明光学装置および露光装置並びにマイクロデバイスの製造方法
JPWO2002052624A1 (ja) * 2000-12-27 2004-04-30 株式会社ニコン 露光装置、光学部材装着部材、光学部材脱着ジグ及びデバイスの製造方法
DE10121346A1 (de) * 2001-05-02 2002-11-07 Zeiss Carl Objektiv, insbesondere Projektionsobjektiv für die Halbleiter-Lithographie
DE10210899A1 (de) * 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
CN101424881B (zh) * 2002-11-12 2011-11-30 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置
EP1420302A1 (en) * 2002-11-18 2004-05-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2004333761A (ja) * 2003-05-06 2004-11-25 Nikon Corp 反射屈折型の投影光学系、露光装置、および露光方法
DE10324477A1 (de) * 2003-05-30 2004-12-30 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
US6954256B2 (en) * 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
JP2005191381A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Canon Inc 露光方法及び装置
US7180572B2 (en) * 2004-06-23 2007-02-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion optical projection system

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10303114A (ja) 1997-04-23 1998-11-13 Nikon Corp 液浸型露光装置
WO1999049504A1 (fr) * 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
WO2004019128A2 (en) * 2002-08-23 2004-03-04 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
JP2004172621A (ja) * 2002-11-18 2004-06-17 Asml Netherlands Bv リソグラフ装置およびデバイス製造方法
JP2004207711A (ja) * 2002-12-10 2004-07-22 Nikon Corp 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法

Cited By (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7385764B2 (en) 2003-12-15 2008-06-10 Carl Zeiss Smt Ag Objectives as a microlithography projection objective with at least one liquid lens
US7474469B2 (en) 2003-12-15 2009-01-06 Carl Zeiss Smt Ag Arrangement of optical elements in a microlithographic projection exposure apparatus
US7428105B2 (en) 2003-12-15 2008-09-23 Carl Zeiss Smt Ag Objectives as a microlithography projection objective with at least one liquid lens
US7719658B2 (en) 2004-02-13 2010-05-18 Carl Zeiss Smt Ag Imaging system for a microlithographical projection light system
US9411247B2 (en) 2004-06-10 2016-08-09 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
JP4679339B2 (ja) * 2004-11-12 2011-04-27 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2006140499A (ja) * 2004-11-12 2006-06-01 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2006179759A (ja) * 2004-12-24 2006-07-06 Nikon Corp 光学素子及び投影露光装置
US7924403B2 (en) 2005-01-14 2011-04-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device and device manufacturing method
JP2006196906A (ja) * 2005-01-14 2006-07-27 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
KR101555707B1 (ko) 2005-04-18 2015-09-25 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
JP2006313905A (ja) * 2005-05-03 2006-11-16 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP4543003B2 (ja) * 2005-05-03 2010-09-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
EP1881520A4 (en) * 2005-05-12 2010-06-02 Nikon Corp OPTICAL PROJECTION SYSTEM, EXPOSURE DEVICE, AND EXPOSURE METHOD
US7936441B2 (en) 2005-05-12 2011-05-03 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
JPWO2006121008A1 (ja) * 2005-05-12 2008-12-18 株式会社ニコン 投影光学系、露光装置、および露光方法
EP1881520A1 (en) * 2005-05-12 2008-01-23 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus and exposure method
JP5055566B2 (ja) * 2005-05-12 2012-10-24 株式会社ニコン 投影光学系、露光装置、および露光方法
US8253924B2 (en) * 2005-05-24 2012-08-28 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus and device manufacturing method
JP2006332669A (ja) * 2005-05-25 2006-12-07 Carl Zeiss Smt Ag 異なる浸漬液とともに使用するのに適した投影レンズとその変換方法及び製造方法
JP2007005525A (ja) * 2005-06-23 2007-01-11 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP2007013152A (ja) * 2005-06-28 2007-01-18 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP4545119B2 (ja) * 2005-06-28 2010-09-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2007027438A (ja) * 2005-07-15 2007-02-01 Nikon Corp 投影光学系、露光装置、およびデバイスの製造方法
US7868996B2 (en) 2005-10-21 2011-01-11 Nikon Corporation Liquid immersion microscope
JP2007114609A (ja) * 2005-10-21 2007-05-10 Nikon Corp 液浸顕微鏡装置
EP1939664A4 (en) * 2005-10-21 2010-10-27 Nikon Corp LIQUID IMMERSION MICROSCOPE
WO2007046429A1 (ja) * 2005-10-21 2007-04-26 Nikon Corporation 液浸顕微鏡装置
EP1939664A1 (en) * 2005-10-21 2008-07-02 Nikon Corporation Liquid immersion microscope
JP2007266186A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Nikon Corp 露光装置、露光装置の調整方法、およびデバイスの製造方法
JP2011129951A (ja) * 2006-05-22 2011-06-30 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびリソグラフィ装置洗浄方法
JP2014140060A (ja) * 2007-10-02 2014-07-31 Carl Zeiss Smt Gmbh マイクロリソグラフィ用の投影対物系
JP2017194697A (ja) * 2007-10-02 2017-10-26 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ用の投影対物系

Also Published As

Publication number Publication date
US20060164616A1 (en) 2006-07-27
EP1670042A1 (en) 2006-06-14
CN1860585A (zh) 2006-11-08
IL174566A0 (en) 2006-08-20
EP1670042A4 (en) 2008-01-30
JP4492539B2 (ja) 2010-06-30
TW200513809A (en) 2005-04-16
SG144907A1 (en) 2008-08-28
CN1860585B (zh) 2010-04-28
JPWO2005031823A1 (ja) 2007-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2005031823A1 (ja) 液浸型レンズ系及び投影露光装置、並びにデバイス製造方法
JP6008056B2 (ja) 露光装置、露光方法、並びにデバイス製造方法
TWI553420B (zh) Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP4565270B2 (ja) 露光方法、デバイス製造方法
US7215410B2 (en) Exposure apparatus
JP4604452B2 (ja) 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP4595320B2 (ja) 露光装置、及びデバイス製造方法
JP4179283B2 (ja) 光学素子及びその光学素子を用いた投影露光装置
JP4352874B2 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP4605014B2 (ja) 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法
WO1999049504A1 (fr) Procede et systeme d'exposition par projection
JP2010161409A (ja) 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
JP2009212539A (ja) 光学素子及び露光装置
JP2005209705A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP4168880B2 (ja) 液浸用溶液
JP4701606B2 (ja) 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法
JP2005012195A (ja) 露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2006319065A (ja) 露光装置
JP4466647B2 (ja) 露光装置、液体処理方法、露光方法、及びデバイス製造方法
KR20070017954A (ko) 액침형 렌즈계 및 투영노광장치, 그리고 디바이스 제조방법
JP2010135853A (ja) 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2007005571A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP2007012832A (ja) 露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200480028050.5

Country of ref document: CN

AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2005514258

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020067005781

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 11387885

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 174566

Country of ref document: IL

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2004788326

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2004788326

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 11387885

Country of ref document: US

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020067005781

Country of ref document: KR