CN100547488C - 浸入式光学投影***与集成电路晶片的制造方法 - Google Patents

Abstract

一种浸入式光学投影***与集成电路晶片的制造方法。该浸入式光学投影***包括：一末端镜片元件；一晶圆基座，用于握持一晶圆；一透明板，于该浸入式光学投影***使用时座落于该末端镜片元件与该晶圆间。该透明板具有一镜片侧表面与一晶圆侧表面，该浸入式光学投影***具有一镜片侧流体层，位于该末端镜片元件与该透明板的该镜片侧表面之间；以及该浸入式光学投影***具有一晶圆侧流体层，位于该透明板的该晶圆侧表面与该晶圆之间。该晶圆侧流体层与该镜片侧流体层之间并无流通，且该镜片侧流体层可与该晶圆侧流体层相同或不同。本发明较少污染镜片，且仍保有一般浸入式***的优点与功能。

Description

浸入式光学投影***与集成电路晶片的制造方法

技术领域

本发明是有关于用于半导体制造中微影制程的浸入式光学投影***(immersion optical projection system)。

背景技术

在半导体制作过程中，通过微影制程以将掩膜版上的图案转印到基底或晶圆的表面上。在已知的微影制程中，需形成阻剂层(通常为可在光线照射后改变其特性的高分子材料)于一中间结构上。经由穿过一光学投影***内的一系列镜片与掩膜版而将期望图案投影至阻剂层上。这些镜片缩小了投影影像的尺寸。由镜片造成的影像缩减则依据设计准则而改变，举例来说，一般的影像缩减量约为4～5倍。当掩膜版上的图案投影至晶圆上阻剂层而产生曝光时，经曝光区域的阻剂层的酸性便产生变化。并于阻剂显影时，移除部分阻剂而形成了一图案化的阻剂层。

在晶圆上投影形成具有最小尺寸的清晰且精确的图案往往受限于所使用光源的波长。举例来说，目前采用了深紫外光具有波长约为248纳米至193纳米的微影***中，通常可形成特征尺寸介于130～90纳米的图案。为了延长193纳米微影技术所形成的特征尺寸至0.45纳米或以下，便衍生出了流体浸入式微影技术。如此将可得到数字孔径(numerical apertures)大于1的光学特性。

图1为一简化示意图，绘示了用于微影制程的一已知的浸入式光学投影***(immersion optical projection system)10。图1所示的浸入式光学投影***10有时也称为喷洒式结构(shower configuration)。在此***中，连续地循环流体(fluid)12，以消除热能所引起的毁损。如图1中的浸入式光学投影***10所示，在微影制程中，循环的流体12位于末端镜片元件22与晶圆24之间。在用于图1的浸入式光学投影***10的浸入式镜头26中，流体入口14使得流体12流经位于末端镜片元件22与晶圆24间的空间，并为流体出口16所接收。在图1所示的一般晶圆基座(wafer chuck)28中，其利用由真空通道30与真空管线32所供应的真空力而握持晶圆24。流体12则为毛细现象所局限，进而维持约1～2毫米(mm)的流体厚度。此外，可在浸入式镜头26的外部区域使用其他真空通道和/或气压方式(未图示)，以更限制此流体。用于浸入式光学投影***10的流体通常为超纯度的去离子水，其具有高于一般介于镜片与晶圆表面间气泡的折射率(refractive index)的一折射率。此外，也可在水中添加其它添加物或掺质，以提高其折射率。

在如此的流体浸入式***中，通常较佳地使用具有高反射率与低吸收表现的流体，并不期望流体吸收来自晶圆上的微尘(particles)。然而，在使用图1所示的***10时，阻剂层上的微尘将倾向被循环流体12的流动所带走。如此的微尘将被带至末端镜片元件22的表面。如此将造成晶片的污染，而最终需要进行镜片更换，因而造成极为昂贵的代价。因此，便需要适用于微影制程中的一种浸入式光学投影***，其具有较少的镜片污染，且仍然可以保有浸入式***的优点与功能。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种适用于微影制程中的浸入式光学投影***、以及一种集成电路晶片的制造方法，其可具有较少的镜片污染情形，且仍保有一般浸入式***的优点与功能。

为了实现上述目的，依据本发明的一实施例，本发明提供了一种浸入式光学投影***，其适用于微影制程，包括：一末端镜片元件；一晶圆基座，用于握持一晶圆；一透明板，于该浸入式光学投影***使用时座落于该末端镜片元件与该晶圆间。该透明板具有一镜片侧表面与一晶圆侧表面，该浸入式光学投影***可具有一镜片侧流体层，位于该末端镜片元件以及该透明板的该镜片侧表面之间；以及该浸入式光学投影***可具有一晶圆侧流体层，位于该透明板的该晶圆侧表面与该晶圆之间，其中该镜片侧流体层与该晶圆侧流体层间具有不同润湿特性。于一实施例中，该晶圆侧流体层与该镜片侧流体层间并无流通。于一实施例中，该镜片侧流体层不同于该晶圆侧流体层。于一实施例中，该晶圆侧流体层的流体速率不同于该镜片侧流体层的流动速率。

本发明所述的浸入式光学投影***，该透明板粘着于该末端镜片元件，该镜片侧流体层座落于该末端镜片元件与该透明板之间，并为静止。

本发明所述的浸入式光学投影***，更包括：一镜片侧流体入口，在该浸入式光学投影***使用时邻近于该末端镜片元件，该镜片侧流体入口可使得一镜片侧流体流经透明板与该末端镜片元件之间，以形成至少部分的该镜片侧流动流体层；以及一镜片侧流体出口，在该浸入式光学投影***使用时邻近于该末端镜片元件，该镜片侧流体出口可接收流动于该透明板与该末端镜片元件间的部分流体流动，以形成至少部分的镜片侧流动流体层。

本发明所述的浸入式光学投影***，包括：一晶圆侧流体入口，位于该晶圆基座内，该晶圆侧流体入口可使得一晶圆侧流体流过该透明板与该晶圆之间，以形成该晶圆侧流动流体层；以及一晶圆侧流体出口，位于该晶圆基座内，该晶圆侧流体出口可接收来自该透明板与该晶圆之间的该流动流体，以形成该晶圆侧的流动流体层。

本发明所述的浸入式光学投影***，更包括一载具，用于移动该透明板，其中该载具包括相互轴枢地耦合的两个或三个手臂。

依据本发明的另一目的，本发明提供了一种浸入式光学投影***，其适用于微影制程，包括：一末端镜片元件；一透明板，粘着于该末端镜片元件；一镜片侧的静止流体层，位于该末端镜片元件与该透明板之间；一晶圆基座，用于握持一晶圆；以及一晶圆侧的流动流体层，位于该透明板与该晶圆之间，其中该镜片侧的静止流体层与该晶圆侧的流动流体层间具有不同润湿特性。

本发明所述的浸入式光学投影***，更包括：一流体入口，在该浸入式光学投影***使用时邻近于该末端镜片元件，该流体入口可使得一流体流经透明板与晶圆之间，以形成至少部分的该晶圆侧的流动流体层；以及一流体出口，在该浸入式光学投影***使用时邻近于该末端镜片元件，该流体出口可接收流动于该透明板与该晶圆间的该部分流体，以形成至少部分的该晶圆侧的流动流体层。

依据本发明的另一目的，本发明提供了一种集成电路晶片的制造方法，包括下列步骤：设置一末端镜片元件于一晶圆上，其中于该末端镜片元件与该晶圆间设置有一透明板，该透明板具有一镜片侧表面与一晶圆侧表面；对该晶圆施行一微影制程；于施行该微影制程时，形成一镜片侧流体于该末端镜片元件与该透明板的该镜片侧表面间；以及于施行该微影制程时，形成一晶圆侧流体于该透明板的该晶圆侧表面与该晶圆间，其中该镜片侧流体与该晶圆侧流体间具有不同润湿特性。

本发明所述的集成电路晶片的制造方法，在施行该微影制程时该镜片侧流体是静止的，而该晶圆侧流体是流动的。

本发明所述的集成电路晶片的制造方法，在施行该微影制程时该镜片侧流体是流动的，而该晶圆侧流体是静止的。

本发明所述的集成电路晶片的制造方法，在施行该微影制程时，该镜片侧流体具有一镜片侧流体速率，该晶圆侧流体具有一晶圆侧流体速率，而该镜片侧流体速率不同于该晶圆侧流体速率。

附图说明

图1为一简化示意图，用以说明已知的用于微影制程的浸入式光学投影***；

图2为一简化示意图，用以说明依据本发明第一实施例的用于微影制程的浸入式光学投影***；

图3为一简化示意图，用以说明依据本发明第二实施例的用于微影制程的浸入式光学投影***；

图4为一简化示意图，用以说明依据本发明第三实施例的用于微影制程的浸入式光学投影***；

图5为一简化示意图，用以说明第三实施例中的***中用于放置与移动保护透明板的构造；以及

图6A～6C为一系列俯视图，用以显示数种不同的保护透明板的载具。

具体实施方式

为了让本发明的上述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合所附图示，作详细说明如下。

本发明的实施例将配合以下图式作详细叙述如下，其中于不同图式中所使用的相同附图标记代表了本发明不同实施例中的相同或相似元件。以下图式并未依据实际尺寸而绘制，且为了说明目的，将简化某些实施例中的图式表示。本领域技术人员应知，本发明可基于以下实施例的精神而保有不同应用与变化。

本发明的实施例提供了一种用于半导体装置制造中制程的浸入式光学投影***。图2显示了本发明的第一解说实施例。图3则显示了本发明的第二解说实施例。而图4～6C则显示了依据本发明的第三解说用实施例。上述三个解说实施例将依据用于半导体制造所施行一微影程序作为主题，以解说本发明的不同特征以及优点。值得注意的是，以下所述的各实施例中，不同特征可于本发明的其他实施例中混合或合并使用。此外，还值得注意的是，于一实施例中所叙述或讨论的范围与特征不一定应用于本发明的另一实施例中，然而在大部分情形中，本领域技术人员当可受益于本发明所公开的技术。

图2为一简化示意图，显示了依据本发明第一实施例的浸入式光学投影***20，其适用于微影制程。于图2的浸入式光学投影***20中，浸入式镜头26包括一末端镜片元件22与一保护透明板34。在图2中，在微影制程时，浸入式镜头26座落于晶圆24上，而保护透明板34座落于末端镜片元件22与晶圆24之间。保护透明板34具有一镜片侧表面36与一晶圆侧表面38。在微影制程时，在末端镜片元件22与保护透明板34的镜片侧表面36之间则形成有一镜片侧流体层40，如图2所示。镜片侧流体层40具有等于0或大于0的一镜片侧流体速率。此外，于第一实施例中，于保护透明板34的晶圆侧表面38与晶圆24间形成有一晶圆侧流体层42，其具有相同或不同于镜片侧流体速率的一晶圆侧流体速率，此晶圆侧流体速率可为0或大于0。

于第一实施例中，流体入口44、46以及流体出口48、50座落于邻近末端镜片元件22处。镜片侧的流体入口44提供了形成镜片侧流体层40的流体，以使得镜片侧流体层40的流体流经末端镜片元件22与保护透明板34间，且至少部分的镜片侧流体层40的流体为镜片侧的流体出口48所接收。晶圆侧的流体入口46提供了形成晶圆侧流体层42的流体，以使得晶圆侧流体层42的流体流经透明板34与晶圆24间。于第一实施例中，镜片侧流体层的流体较佳并非流动地连结于晶圆侧流体层42的流体，以避免来自于晶圆侧流体42中(如来自于晶圆24的阻剂材料上)的微尘污染传播至末端镜片元件22处。当保护透明板34为微粒所污染时将可进行替换，而非替换末端镜片元件22。如此，本发明优点之一在于，替换保护透明板34较替换末端镜片元件22来的经济与简单。于一较佳实施例中，由于保护透明板的使用，故可较为容易地进行移除与替换。然而，于某些实施例中，保护透明板34可永久地粘着于其他零件上，而可能或不可能轻易移除之。

于其他实施例中，镜片侧流体层40可经由***中的某些地方而流通地连结于晶圆侧流体层42。在这样的情形中，在加入于镜片侧流体流40之前，晶圆侧流体层42较佳地为经过过滤的。然而，基于某些理由，将仍使用两不同的流体40、42。举例来说，晶圆24上的阻剂表面与于镜片表面的表面特性(如湿润角，wetting angle)可能不同。因此，可能于各流体层40、42的流体中分别加入不同的添加剂，以符合镜片与晶圆表面的湿润特性。因此，镜片侧流体层40的流体与晶圆侧流体层42的流体可能具有不同的湿润特性。镜片侧流体层40的流体可能包括一或多种添加物，以使得镜片侧流体层40的镜片侧流体湿润特性较为符合末端镜片元件22的湿润特性，而非符合晶圆24的湿润特性。同样的，晶圆侧流体层42也可包括一或多个添加物，使得晶圆侧流体层42的晶圆侧流体湿润特性较为符合晶圆的湿润特性，而非符合末端镜片元件22的湿润特性。

另一原因则为，由于***20中两流体层40、42中使用两种不同的流体，因而较佳的可得到不同的折射率。举例来说，镜片侧流体层的流体40可具有接近末端镜片元件22的折射率，而非较接近晶圆24和/或保护透明板34的折射率。因此，晶圆侧流体层42的流体较佳地具有不同的折射率。再者，当镜片侧流体层40的流体并非流动地连结于晶圆侧流体层42的流体时，相较于晶圆侧流体层42的流体，由于镜片侧流体层的流体40并不会接触晶圆24，故镜片侧流体层的流体40便非限定为一低吸收性流体。

于本发明的具有保护透明板34的浸入式光学投影***20中，介于末端镜片元件22、保护透明板34与晶圆24间(至少沿着图案投影路径)的所有空间较佳地为流体(例如高折射率的中间物)所填满。在本发明的较佳实施例中，保护透明板34与其两侧边浸入于流体层40、42中。当沿着投射路径的任何空间内存在有间隙或气泡时，自掩膜版图案至镜片的高空间频率可能不符合阻剂特性。在保护透明板34各侧边的流体层40、42也降低了对于保护透明板34的极度高光学品质的依赖。由于保护透明板34也为沿着投影路径设置的一光学元件，且为极度低偏差***，因此保护透明板34需精确地针对光线波长的分量而考虑其表面平坦度(surface flatness)、光滑度(smoothness)、平行度(parallelism)、位移量(placement)与定位(orientation)等情形。然而，在本发明的一个实施例中，当镜片侧流体层40与末端镜片元件22的折射率极为相符时，便不需要维持前述的光学特性。于一实际应用中，即使折射率镜片侧流体层40与末端镜片元件22的折射率可以相符，由于其较存在有空气时的折射率较为相符，因此前述光学品质便具有一大体的容忍度。举例来说，在193纳米波长设定中，当保护透明板34可为石英材质而镜片侧流体为水时，折射率的差异约为1.55-1.44＝0.11。经比较，在干燥***中(气隙)的折射率差异约为1.55-1.00＝0.55。因此，约具有五倍的容忍度。

较佳地，保护透明板34的材料对于光化光线(actiniclight)而言为透明的，其具有约为80％或更高的穿透率(transmission)。因此，对于浸入式光学投影***20内所使用光线波长而言，保护透明板较佳地为透明(＞80％穿透率)。举例来说，在实施例中的***20可采用波长约为436纳米、约为365纳米、约为248纳米、约为193纳米或更少的光线。举例来说，保护透明板34可包括任一适当材料，例如包括(但不以此为限)：石英、熔融硅(fused silica)、氟化钙(CaF₂)、氟化锂(LiF₂)、氟化镁(MgF₂)以及其组合物。保护透明板34的折射率较佳地相同或高于流体层40、42的折射率。举例来说，流体层40、42较佳地具有约为1.3或更高的折射率。于一实施例中，水(例如超纯水、去离子水)为较佳流体，由于其折射率大于空气的折射率(即大于1)。于一实施例中，可于水中加入杂质和/或添加物，借以改变流体层40、42的特定特性。然而于其他实施例中，这些因子与标准将有所变动。

举例来说，保护透明板34可为大体平坦、部分弯曲、弯曲或上述形状的组合。本发明实施例的另一优点为保护透明板34的镜片侧表面36可能不同于其晶圆侧表面38。由于末端镜片元件22的镜片表面特性具有一镜片湿润特性，而晶圆24的晶圆表面特性则具有一晶圆湿润特性。因此，于一实施例中，保护透明板34的镜片侧表面36具有一镜片侧表面特性，其异于保护透明板34的晶圆侧表面38的晶圆侧表面特性。镜片侧表面36的镜片侧表面特性具有一镜片侧表面湿润特性，其较晶圆侧表面特性近似于镜片表面特性所提供的镜片湿润特性。同样的，晶圆侧表面38的晶圆侧表面特性具有一晶圆侧表面湿润特性，其较镜片侧表面特性近似于晶圆表面特性所提供的镜片湿润特性。因此，保护透明板34的表面36、38可分别地修改或定作，以符合(或较没有修改前接近)阻剂与镜片的表面湿润特性。

于本发明的实施例中，位于末端镜片元件22与保护透明板34间的镜片侧流体层40可为流动、静止或其他状态。同样的，位于保护透明板34与晶圆24间的晶圆侧流体层42可为静止、流动或其他状态。于前述第一实施例中，于微影制程时，镜片侧流体层40与晶圆侧流体层42较佳地为流动状态，虽然其也可为静止或介于静止与流动的其他状态。

图3为一简化示意图，用以说明依据本发明第二实施例的用于微影制程的浸入式光学投影***20。于第二实施例中，镜片侧流体40为静止状态，而晶圆侧流体42为流动状态。镜片侧流体40可隐密地密封于保护透明板34与末端镜片元件22之间。此时，保护透明板34粘着于末端镜片元件22上。换句话说，于平常浸入式光学投影***20使用时，相对于末端镜片元件22，保护透明板34为静止。虽然保护透明板粘着于末端镜片元件22，由于其皆为粘着于浸入式镜头26上，因而其也可间接地粘着于末端镜片元件22上(例如保护透明板经由浸入式镜头26的其他构件粘着而于末端镜片元件22)。

在本发明的一实施例中，在浸入式光学投影***20使用时，当末端镜片元件22朝向晶圆24移动时，对于浸入式镜头26、末端镜片元件22、晶圆24、晶圆基座28或其组合而言，保护透明板34为静止。举例来说，前述的第一与第二实施例中(请参照图2、3)，当末端镜片元件22对应晶圆24而移动时，相对于浸入式镜头26与末端镜片元件22，保护透明板34仍维持静止。

图4为一简化示意图，用以说明依据本发明第三实施例的用于微影制程的浸入式光学投影***20。于第三实施例中，当末端镜片元件22朝向晶圆24移动时，对于晶圆24以及晶圆基座28而言，保护透明板34为静止。保护透明板34可移除地粘着于晶圆基座28上，以允许晶圆24的移动与移出。于晶圆基座28内设置有一晶圆侧流体入口46与出口50，以使得晶圆侧流体层42的流体流经保护透明层34与晶圆24之间。邻近于浸入式镜头内的末端镜片元件22处则设置有镜片侧流体入口44与出口48，借以供应镜片侧流体层40的流体。

图5则显示了座落于保护透明板34上的一平板状的载具54。保护透明板34可平躺于载具54上，因而自晶圆基座28上为此载具54所回收。举例来说，于较佳实施例中，保护透明板34可通过载具54内的真空力举起与收纳。此外，于微影制程中，透明保护板34也可为晶圆基座28内的真空力所握持

于握持透明保护板34后，载具54可于曝光***20内的一简易位置暂停。在这样的情形中，微影制程较佳地需要最小化用于停放载具54的位置。为了减少停放位置的空间，载具54可能具有任何的形状。图6A～6C显示了多种不同载具54的可能范例的俯视图。在图6A中，载具54为环状(ring)外型，其包括真空槽(vacuum groove)和/或沿着载具54的环状部56分布的多个真空洞(vacuum hole)。在图6B中，载具54具有十字状(cross)外型。在图6B中的纵向手臂58轴枢地(pivotably)耦接于横向手臂60，以使得横向手臂60于不使用时可折向纵向手臂58。图6C则显示了另外一个范例。在图6C中，载具54具有叉状(fork)外型，其具有两轴枢地(pivotably)耦接的侧臂62。这些侧臂62可朝向中央手臂64折迭以提供较为紧凑的折迭结构，以节省空间。本领域技术人员应当知道，载具54可以是其他外型，而不局限于本发明的范围。

虽然本发明已通过较佳实施例说明如上，但该较佳实施例并非用以限定本发明。本领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，应有能力对该较佳实施例做出各种更改和补充，因此本发明的保护范围以权利要求书的范围为准。

附图中符号的简单说明如下：

10、20：浸入式光学投影***    40：镜片侧流体层

12：循环流体                  42：晶圆侧流体层

14：流体入口                  44：镜片侧流体入口

16：流体出口                  46：晶圆侧流体入口

22：末端镜片元件              48：镜片侧流体出口

24：晶圆                      50：晶圆侧流体出口

28：晶圆基座                  54：载具

30：真空通道                  56：载具的环状部

32：真空管路                  58：纵向手臂

34：透明保护板                60：横向手臂

36：透明保护板的镜片侧表面    62：侧臂

38：透明保护板的晶圆侧表面    64：中央手臂

Claims (11)

1、一种浸入式光学投影***，适用于微影制程，包括：

一末端镜片元件；

一晶圆基座，用于握持一晶圆；

一透明板，在该浸入式光学投影***使用时座落于该末端镜片元件与该晶圆之间，其中该透明板具有一镜片侧表面与一晶圆侧表面；

该浸入式光学投影***具有一镜片侧流体层，位于该末端镜片元件以及该透明板的该镜片侧表面之间；以及

该浸入式光学投影***具有一晶圆侧流体层，位于该透明板的该晶圆侧表面与该晶圆之间，其中该镜片侧流体层与该晶圆侧流体层间具有不同润湿特性。

2、根据权利要求1所述的浸入式光学投影***，其特征在于：该透明板粘着于该末端镜片元件，该镜片侧流体层座落于该末端镜片元件与该透明板之间，并为静止。

3、根据权利要求1所述的浸入式光学投影***，其特征在于，更包括：

一镜片侧流体入口，在该浸入式光学投影***使用时邻近于该末端镜片元件，该镜片侧流体入口可使得一镜片侧流体流经透明板与该末端镜片元件之间，以形成至少部分的该镜片侧流动流体层；以及

一镜片侧流体出口，在该浸入式光学投影***使用时邻近于该末端镜片元件，该镜片侧流体出口可接收流动于该透明板与该末端镜片元件间的部分流体流动，以形成至少部分的镜片侧流动流体层。

4、根据权利要求1所述的浸入式光学投影***，其特征在于，包括：

一晶圆侧流体入口，位于该晶圆基座内，该晶圆侧流体入口可使得一晶圆侧流体流过该透明板与该晶圆之间，以形成该晶圆侧流动流体层；以及

一晶圆侧流体出口，位于该晶圆基座内，该晶圆侧流体出口可接收来自该透明板与该晶圆之间的该流动流体，以形成该晶圆侧的流动流体层。

5、根据权利要求1所述的浸入式光学投影***，其特征在于：更包括一载具，用于移动该透明板，其中该载具包括相互轴枢地耦合的两个或三个手臂。

6、一种浸入式光学投影***，适用于微影制程，包括：

一末端镜片元件；

一透明板，粘着于该末端镜片元件；

一镜片侧的静止流体层，位于该末端镜片元件与该透明板之间；

一晶圆基座，用于握持一晶圆；以及

一晶圆侧的流动流体层，位于该透明板与该晶圆之间，其中该镜片侧的静止流体层与该晶圆侧的流动流体层间具有不同润湿特性。

7、根据权利要求6所述的浸入式光学投影***，其特征在于，更包括：

一流体入口，在该浸入式光学投影***使用时邻近于该末端镜片元件，该流体入口可使得一流体流经透明板与晶圆之间，以形成至少部分的该晶圆侧的流动流体层；以及

一流体出口，在该浸入式光学投影***使用时邻近于该末端镜片元件，该流体出口可接收流动于该透明板与该晶圆间的该部分流体，以形成至少部分的该晶圆侧的流动流体层。

8、一种集成电路晶片的制造方法，包括下列步骤：

设置一末端镜片元件于一晶圆上，其中于该末端镜片元件与该晶圆间设置有一透明板，该透明板具有一镜片侧表面与一晶圆侧表面；

对该晶圆施行一微影制程；

在施行该微影制程时，形成一镜片侧流体于该末端镜片元件与该透明板的该镜片侧表面间；以及

在施行该微影制程时，形成一晶圆侧流体于该透明板的该晶圆侧表面与该晶圆间，其中该镜片侧流体与该晶圆侧流体间具有不同润湿特性。

9、根据权利要求8所述的集成电路晶片的制造方法，其特征在于：在施行该微影制程时该镜片侧流体是静止的，而该晶圆侧流体是流动的。

10、根据权利要求8所述的集成电路晶片的制造方法，其特征在于：在施行该微影制程时该镜片侧流体是流动的，而该晶圆侧流体是静止的。

11、根据权利要求8所述的集成电路晶片的制造方法，其特征在于：在施行该微影制程时，该镜片侧流体具有一镜片侧流体速率，该晶圆侧流体具有一晶圆侧流体速率，而该镜片侧流体速率不同于该晶圆侧流体速率。

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