JP4565272B2 - 液浸リソグラフィのための動的流体制御システム - Google Patents
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Description
【0001】
<関連する出願の参照情報>
この出願は、2004年7月1日に提出され、「液浸リソグラフィ装置のための流体制御システム」と表題された米国仮出願第60/584,543号に基づく優先権を主張する。前記米国仮出願第60/584,543号は、あらゆる目的のため、その開示を援用して本願の記載の一部とする。
【0002】
本発明は液浸リソグラフィ、特に、液浸流体の挙動(動き)及びステージの動作(移動)に起因して、該液浸流体によって終端(最終)光学素子及びステージに対して作用する力の動的変化を補償することができる動的流体制御システム(系)及び方法に関する。
【背景技術】
【0003】
典型的なリソグラフィ装置は、照射源、像パターンを規定する像形成素子(結像素子)、光学系、及びウエハを保持して移動するウエハステージを含んでいる。照射感応性材料、例えばレジストは、ウエハテーブル上に載置される前にウエハの表面上に塗布される。稼働中に照射源からの照射エネルギは像形成素子によって規定された像パターンを光学系を介してウエハ上に投影するために用いられる。光学系は典型的には多数のレンズを含んでいる。ウエハに最も近いレンズ又は光学素子は、「最終」又は「終端」光学素子として称されることがある。
【0004】
露光中の投影領域は一般にウエハよりも非常に小さい。従って、ウエハはその全面にパターンを形成するために光学系に対して相対的に移動される必要がある。半導体業界においては、2種類のリソグラフィ装置が一般に用いられている。 いわゆる「ステップ・アンド・リピート」装置では、像パターン全てがウエハの目標領域(ターゲットエリア)上に一回の露光で一度に投影される。露光後に、ウエハはx及び/又はy方向に移動又は「歩進(ステップ)」され、新たな目標領域が露光される。このステップ・アンド・リピート動作は、ウエハの表面全体が露光されるまで何度も繰り返し行われる。スキャニング型(走査型)リソグラフィ装置では、目標領域は連続的動作又は「スキャニング」動作により露光される。パターニング素子は、露光中にウエハがパターニング素子と同一又は反対方向に移動されることに同期して一方向に移動される。ウエハは、その後、次のスキャン目標領域へ向けてx及びy方向に移動される。このプロセスは、ウエハ上の所望領域全てが露光されるまで繰り返される。
【0005】
液浸リソグラフィシステムは、光学アセンブリの終端光学素子とウエハとの間の隙間(ギャップ)を満たす流体の層を用いる。流体は、従来の「ドライ」リソグラフィの理論限界よりも大きい開口数(NA)での露光を可能にすることによって、液晶リソグラフィ装置の解像度を向上させる。ギャップ内の流体は、もしも流体がなければ光学空気界面で完全に内部反射されたであろう照射によって露光することを可能にする。液浸リソグラフィでは、流体の屈折率と同等の開口数が可能である。また、液浸は、従来のリソグラフィシステムと比較して、ウエハの垂直位置における許容誤差である焦点深度を所定のNAに対して増大させる。液浸リソグラフィは、それ故に、解像度を50ナノメータ以下にまで下げる能力を有している。
【0006】
液浸システムにおいては、流体は基本的にリソグラフィ装置の光学系の一部となる。従って、流体の光学特性は、注意深く制御されなければならない。流体の光学特性は、流体の組成、温度、気泡の有無、及びウエハ上のレジストからのガス放出によって影響される。
【0007】
液浸流体によって終端光学素子とウエハステージに作用する圧力及び力は、一定であるべきである。しかしながら、この望ましい結果を達成することは、いくつかの理由によってたいへん困難である。
【0008】
液浸リソグラフィでは、流体は常に除去及び補充される。流体の除去は汚染物質及び露光中に発生される熱を回収することに役立つ。理想的には、供給される流体の量は除去される量と同等であるべきである。しかしながら、供給量と回収量との均衡を正確に達成することは実用上困難である。流速が不均一であると、終端光学素子の下部の流体の量的が変動する一因となりうるが、終端光学素子とウエハステージに作用する力及び圧力の動的変化をもたらす場合がある。
【0009】
ウエハステージの動作(移動)によっても、液浸流体の挙動に起因して終端光学素子に動的な力が生じる。例えば、ウエハステージが加速し始めると、メニスカスと呼ばれることがある、流体−空気界面における流体の形状が変化する。メニスカスは移動の先端縁で外側に延び且つ後端縁で引き込まれるように延びる傾向にある。メニスカスの形状変化は、液浸流体によって終端光学素子及びステージに作用する静的圧力に変化を生じさせる。
【0010】
また、ステージの動作(動き)は、液浸流体に波を生じさせる。これらの波は、ウエハステージを不安定にさせるとともに、終端光学素子を上下に振動させる。この振動が、波の影響が残存することに起因して露光中にも依然として生じている場合には、精度及び像品質に悪影響を与えるおそれがある。
【0011】
また、ウエハを垂直方向に調整することにより、終端光学素子とウエハとの間のギャップの容量が変化することがある。ウエハの表面は完全に平坦ではない。垂直方向の調整は、終端光学素子と露光領域との間の間隔を一定に維持するために、ウエハの表面状態(トポグラフィー)に応じてウエハステージによってなされる。ウエハと終端光学素子の間の空間の容量は、ウエハが上下に移動される場合に変化する。容量が変化するにつれて、終端光学素子及びウエハステージの両方に作用する、液浸流体の圧力及び力もまた変化する。
【0012】
終端光学素子に作用する、液浸流体の挙動によって生じる動的な力及び圧力は、終端光学素子を変形させ及び/又はその理想位置から上か又は下に移動させる原因となる可能性がある。その結果、終端光学素子はフォーカスずれを生じることがあり、露光が低精度となってしまう。ウエハステージに作用する同様な力もまた、ウェハステージの性能に影響を与える可能性がある。
【0013】
ステージ速度が高いと、メニスカスはそれが破壊される点、特に先端縁で不安定になる可能性がある。メニスカスの破壊の特色は、流体の液滴が流体から表出するウエハ上での、液滴の離脱及び堆積によって表される。そのような流体の液滴は好ましくない。流体の液滴は、その後のスキャンにおいて、浸水されたレンズの下方をウエハが通過する際に、空気を捕らえて(かみ込んで)気泡を生じさせる可能性がある。また、流体の液滴がウエハ上で乾燥した場合には、液滴中の汚染物質、例えば、レジストから溶解された残留物は、ウエハ上に堆積したまま残留する。
【0014】
従って、液浸流体の動き及びステージの移動によって生じた、液浸流体によって終端光学素子とステージに作用する力の動的な変化を補償することができる動的流体制御システム及び方法が必要とされている。
【発明の開示】
【0015】
液浸流体の挙動によって生じる、終端光学素子及び基板ステージにかかる流体からの動的な力を減少可能な動的流体制御システム及び方法が提供される。該システムは、像を規定する像形成素子と、基板を保持するように構成されたステージとを含んでいる。前記像形成素子により規定された像を前記基板上に投影するために、光学系が設けられている。前記光学系は終端光学素子を含む。液浸流体で満たされるギャップが、前記基板と前記終端光学素子との間に設けられている。動的力制御系が設けられて、前記ギャップを介しての前記液浸流体の動き及び/又は前記ステージの移動によって生じる前記液浸流体の動的変化を補償することによって、前記終端光学素子及びステージにかかる力を実質的に一定に維持する。
【発明を実施するための最良の形態】
【0016】
図1を参照すると、液浸装置が示されている。液浸装置10は、像を規定する像形成素子12と、基板16を支持するように構成されているステージ14と、像形成素子12によって規定される像を基板16上に投影するように構成されている光学系18とを含んでいる。光学系18は「最後」又は「終端」光学素子20を含む。基板16と終端光学素子20との間にギャップ22が形成されている。流体注入/除去装置24が基板16と終端光学素子20との間に液浸流体を供給する。
【0017】
一つの実施形態では、像形成素子12はレチクル又はマスクである。他の実施形態では、像形成素子は、米国特許第5,296,891号、第5,523,193号、並びに国際特許出願第WO98/38597号及び第98/330096号に記載されているような、像を生成可能なプログラマブル・マイクロミラー・アレイである。上記文献全ての開示を、援用により本文の記載の一部とする。一つの実施形態では、ステージ14は粗動ステージ(不図示)によって支持された微動ステージである。微動ステージは、設計に応じて、1から6の自由度(x,y,z,θx,θy及びθz)の何れにおいて基板の精密な位置調整の役割を有する。同様に、粗動ステージは1から6の自由度における、微動ステージ14上の基板16の移動に関与する。各種の実施形態に従うと、微動ステージ14は、当技術分野で周知のように、磁気浮上、空気ベローズ、ピストン、バキューム、又はスプリングによって粗動ステージ上に支持され得る。さらに他の実施形態では、流体注入/除去装置24は、2004年7月16日付けで提出され、「液浸リソグラフィにおける流体の供給装置及び方法」と題された国際特許出願第PCT/US04/22915号に開示されたようなノズル、又は2004年3月29日付けで提出され、「液浸リソグラフィ装置のための真空排出(バキュームスカベンジ)を含む環境システム」と題された国際特許出願第PCT/US2004/010055号に開示された環境システムである。これら両出願の開示は全ての目的のためにここに援用されて本文の記載の一部とする。
【0018】
図2を参照すると、液浸装置10に用いられる動的力制御システム30の図が示されている。このシステム30は、終端光学素子20の近傍に配置された、一つ以上の圧力センサ32及び一つ以上のアクチュエータ34を含んでいる(図2には、図示を簡素にするために、単一のセンサ32及び単一のアクチュエータ34の一組のみが示されている)。圧力センサ32は、終端光学素子20の底面とほぼ同一の面内でギャップ22の近傍に位置付けられている。終端光学素子20の底面は、ギャップ22中の液浸流体と境界を接するか又は接触しているので、レンズの「境界」面として称されることがある。終端光学素子20は光学系18のハウジング38によって所定位置に保持されている。
【0019】
システム30はまた、コントローラ36を含む。運転中、センサ32は終端光学素子20の境界面における圧力変化を計測する。コントローラ36は、それぞれ計測された圧力値に応じて、アクチュエータ34を制御する制御信号を生成する。アクチュエータは液浸流体の動きによって生じる動的圧力変化を補償するために、流体圧力の局所的変化を生成する。例えば、流体圧力が上昇した場合には、アクチュエータはその圧力を取り除くように又はその逆に作動する。
一つの実施形態では、センサ32及びアクチュエータ34は、ハウジング38に、終端光学素子20の境界面の近傍の及びその周囲に配置されている。別の実施形態では、流量センサが、下記に詳述するように、流体の動的状態の規定を補助するためにも用いられる。
【0020】
図3Aを参照すると、終端光学素子20の周囲に配置されたセンサ32及びアクチュエータ34の上面図が示されている。図3Aにおいて、基板16はステージ14上に位置付けられて示されている。終端光学素子20は基板16の上方に位置付けられ且つ結像領域40を規定する。センサ32及びアクチュエータ34は終端光学素子20の近傍に及びその周囲に配置されている。流体注入/除去装置24は、基板16と終端光学素子20との間のギャップ22(この図では見えていない)に対する液浸流体の供給及び除去を行う。
【0021】
ギャップ22を介しての液浸流体の通常の流れ(フロー)は、終端光学素子20及びステージ14への静的な力を生成する。しかしながら、液浸流体の流速が変化すると、ステージの加速及び動作、ウエハの垂直方向の調整等はすべて、液浸流体が終端光学素子20及びウエハステージ14に対して動的な力を生成する原因となる可能性がある。終端光学素子20の近く又は下方に局所的に位置付けられたセンサ32は局所的な静的及び動的な圧力変化をモニタし、コントローラ36に情報を供給し、是正対策が取られるようにする。一つの実施形態に従うと、圧力センサ32は終端光学素子20の境界面と同じ水平面に位置付けられている。圧力センサ32は、境界面の表面の法線方向の圧力のみを計測するように向きが付けられている。液浸流体が境界面によって規定される水平面によって境界づけられているので、境界面に対するモーメントの法線方向成分はない。
【0022】
図3B及び図3Cは流体メニスカスに対するステージの動きの影響を示している。これらの図において、ステージは矢印138によって示されているように、右に移動される。この動きが、それぞれ23a及び23bで示される、先端縁及び後端縁とでは流体境界の形状が異なる原因となる。具体的には、メニスカスは、先端縁23aで外側に延び、後端縁23bで引き込まれる傾向にある。この液浸流体の動的な変化が、ステージ及び終端光学素子の両方において動的な力の変化を生じさせる。加えて、これらの変化は、レンズ領域の周囲のメニスカスに沿って伝播する流体の波23cを生じさせる。これらの波23cもまた、終端光学素子20及びウエハステージにおける動的な圧力変化の一因である。
【0023】
システム30に用いられる圧力センサ32は、マノメータ、静電容量型マノメータ、圧電変換器、又は他の任意のタイプの圧力センサであってもよい。アクチュエータ34としては、ピストン、ダイアフラム、ベローズ、圧力水頭部分真空チューブ、又は「サイエンス291,277(2001)、M.Prinsら著」に開示されているような電子毛管圧力素子であってもよい。「サイエンス291,277(2001)、M.Prinsら著」の開示は、全ての目的のためにここに援用して本文の記載の一部とする。
【0024】
他の実施形態では、流量センサは、流体の動的状態を規定することを支援するのにも用いられる。図4を参照すると、一実施形態に従う流体流速センサ50が示されている。センサ50は、比較的に短い長さを有し且つ液浸流体の流れ方向に直角で水平に取り付けられた2つの無接点ワイヤ52a及び52bを含む「Xタイプ」熱線センサである。稼働中は、2つのワイヤ52a及び52bの温度がモニタされる。計測された温度変化から、法線方向における液浸流体の速度をモニタすることができる。Xタイプ熱線センサの例としては、ミネソタ州ミネアポリスのTSI社製のものがある。 圧力計測結果に加えて速度計測結果から、液浸流体のモーメントの変化、及び終端光学素子やウエハステージに作用している一時的な力の変化がもたらす影響を測定することが可能である。
【0025】
図5Aを参照すると、流体圧力及び流体速度の両方を計測するのに用いることができる別のセンサ60の図が示されている。このセンサ60は、よどみ点圧力(p0)及び静圧(p)の両方を計測するために、静圧タップ壁(wall static pressure tap)64を備えた、上述した圧力センサの一つのような、全揚程管162を含んでいる。よどみ点圧力とは、流体がセンサに対して移動しない点において、圧力センサによって計測される圧力である。
【0026】
あるいは、図5Bに示されているように、静圧及びよどみ圧の両方を計測するためにピトー管66が用いられる。 点68において計測された圧力は、管の入口での局所的流れの速度はゼロなので、よどみ圧(p0)である。点70における圧力(p)は、局所的な流れの速度がゼロではないので異なっている。 流体の速度は、従って、ベルヌーイの方程式及び次の条件を用いて算出することができる。
p0=p+1/2ρv2 (1)
式中、ρは流体密度である。従って、流速は下記式にて算出できる。
v=[2(p0−p)/ρ]1/2 (2)
【0027】
局所的な流体の流れ速度及び圧力の両方は、従って、このタイプのセンサを用いて測定することができる。
【0028】
ベルヌーイの方程式の使用を制限する、いくつかの流れ条件がある。
定常流
非圧縮性の流れ
摩擦のない流れ(低粘性)
流線に沿う流れ
【0029】
条件2は、流速は流体中の音速よりも非常に小さいので、 条件を満たしているとみなせる。 条件4に関しては、ピトー管の軸は流れ方向に整合されているとみなせる。流体は、設計上、一般に、スキャニングステージの軸に沿って流れるであろうから、条件4は満たされる。条件3は、高レイノルズ数を必要とすることに等しい(但し、層流を維持するためには、高すぎてはならない)。条件1が満たされているかどうかは、しかしながら、疑問の余地がある。従って、正確な速度及び圧力測定のためには校正が必要とされることになる。ピトー管もまた、周波数応答において制限がある。高い周波数応答が所望される場合には、ピトー管の代わりに熱線速度センサを用いてもよい。
【0030】
ストリームラインの方向が変化する非定常流においては、直交方向又は流れが過去の計測値から識別される方向に向いている、多数のピトー管ヘッドがセンサの動作中に助けになり得る。
【0031】
図6を参照すると、コントローラ36の動作を説明する図(60)が示されている。図示を分かりやすくするために、単一の圧力センサ32(例えば、図3A、図5A又は図5Bの圧力及び/又は速度センサ)のみと、アクチュエータ34とが用いられている。圧力センサ32は下記に示す、コントローラ36に対する圧力制御信号を生じさせる。すなわち、(i)ステージコントローラ62により指令されたステージ14の水平及び/又は垂直方向の動きの結果として、圧力センサ32にもたらされる圧力変化δPs;(ii)流体注入/除去装置24の動作によって圧力センサにもたらされることがある、追加の圧力変化δPf;(iii)アクチュエータ34が同時に動作を行うことによってもたらされる追加の圧力変化δPa;及び(iv)センサ32によって計測される静的圧力Po。センサ32で計測される全圧力は、従って、Po+δPs+δPf+δPaである。コントローラ36は、アルゴリズムを用いて、アクチュエータ34に対する制御信号64を生成するためのステージコントローラからの情報に加えて、圧力センサ32からの情報を用いる。信号64に対するアクチュエータの応答は、圧力センサ32における圧力変化δPaであり、この圧力変化δPaは、下記の方程式(3)によって特定されるように、ステージの動き及び流体注入/除去装置からの圧力変化を実質的に相殺する。
δPa=−(δPs+δPf) (3)
【0032】
従って、終端光学素子22及びウエハステージの両方における動的な圧力変化の影響は最小限に抑えられる。他の実施形態では、速度センサ又はステージコントローラからの信号は存在しない場合がある、又は流体注入/除去装置からの情報はコントローラに供給される場合がある。
【0033】
終端光学素子及びウエハステージに影響を与える圧力変動を減らすことにおいて、コントローラ36は波23cの振幅もいくぶん減少させ得る。これによって、流体注入/除去装置の性能が改善される可能性がある。このことはまた、先端縁メニスカスが破壊される機会を減らし、その結果、ウエハ上に流体の液滴が孤立して形成されるのを回避することがある。
【0034】
上記の記述は、線形システムに適しており、線形システムにおいては、ステージの動きによって生じる圧力変化δPsは、流体注入/除去システムにより生じる圧力変化δPf及びアクチュエータによる圧力変化δPaからは独立している。実際には、δPs,δPf及びδPaは互いに関数関係にあるため、流体の動きはシステムを非線形にするかも知れない。しかしながら、方程式3は未だ有効である。 また、圧力変化が十分に小さい場合には、システム応答は線形に近似されるであろう。
【0035】
方程式3を満たすことは、コントローラが圧力センサ信号に対して即座に応答できないという事実、及び圧力センサ信号δPs,δPf,δPaに対する個々の寄与を計測することもできないという事実によって複雑になっている。加えて、流体は動いているので、圧力の変化率は同様に重要になる。コントローラは、従って、圧力アクチュエータに送る適切な信号を予測するために、一定期間に渡って、全圧力信号と同様に、ステージシステム及び流体注入/除去システムからの情報を用いるアルゴリズムを必要とする。このアルゴリズムは多数の方法により獲得され得る。
【0036】
1.流体動的モデルは、算出されたステージの動作及び流体注入又は除去と関連する、流体セル及び流体の動的な力から作成し得る。これらの影響から結果的に得られる圧力センサでの圧力変化が次いで算出され、必要とされる圧力アクチュエータ信号の予測をもたらす。このモデルは、圧力センサでの全圧力変化を最小に設定することになる、いくつかの調整可能なパラメータを有し得る(式3)。
【0037】
2.前記アルゴリズムは、流体セル及びステージや流体注入/除去の摂動に対するその応答のモデルを作成するための適応フィルタを用いて、実験的に求め得る。図9はそのようなフィルタ及びそのトレーニングプロセスを示している。適応フィルタはその重みが調整可能な線形フィルタであって、重みが変えられて所望の信号に一致する出力信号を生成する線形フィルタである。図9において、ステージ14及び流体注入/除去装置24からの信号もまた、入力として適応フィルタに導かれている。適応フィルタ92の出力はアクチュエータによってもたらされる、圧力センサ32での圧力の推定値である。アクチュエータ信号とセンサ32での圧力との関係は、ステージ及び流体注入/除去システムからの摂動を除外して、前もって校正によって求められている。図9では、所望の信号は、ステージ14及び流体注入/除去装置24からの摂動によって引き起こされる圧力センサ32からの信号である。圧力センサ信号と適応フィルタ92によって予測される圧力センサ信号との間のエラー信号εは、フィルタにフィードバックされ、εを最小にするために重みが調整されている。なお、加算接続の極性は、ε=δPs+δPf+δPaの関係をもたらす。従って、その重みをεが無視できるほど小さくなるように首尾良く調整できるならば、方程式3の条件は確立されたことになる。
【0038】
適応フィルタ92を首尾良くトレーニングした後で、この適応フィルタを含むコントローラ36は、図6のようにシステムに接続される。
【0039】
3.適応フィルタは線形であるか又はほんの少し非線形であるシステムに最も適している。流体セルの流体力学がステージシステム及び流体注入/除去システム及びアクチュエータに起因する圧力変化を全体的に過度に結合する場合には、適応フィルタは非線形関係を示すことが可能なニューラルネットワークシステムに置き換えてもよい。ニューラル・ネットワークは、基本的に適応フィルタと同様な方法でトレーニング及び活用される。
【0040】
流体セルの変化の環境条件、コントローラのアルゴリズムの最適パラメータもまた同様に変化し得る。コントローラは、環境条件の変化につれ、アルゴリズムのトレーニングを継続することを可能にする適応特性を含み得る。従って、アルゴリズムが流体動的モデルに基づく場合には、モデル中の幾つかの調整可能なパラメータは、圧力センサでの全圧力変化を最小限にするために変化され得る。アルゴリズムが適応フィルタ又はニューラルネットワークである場合には、調整可能な重みは圧力センサでの全圧力変化を最小限にするために変化され得る。
【0041】
図7を参照すると、多数の圧力及び/又は流速センサ32及び多数のアクチュエータ34に接続された、コントローラ36の動作を示す別の図が示されている。図3Aにおいて、アクチュエータの数は圧力及び速度センサの数と等しい。しかしながら、代替の実施形態では、アクチュエータ34の数と、圧力センサ32及び/又は流速センサの数は、異なっていてもよい。図7では、n個のアクチュエータ34a〜34n、m個の圧力センサ32a〜32m、及びk個の流速センサV1〜Vkが存在している。各センサ32a〜32mは上述したように4つの圧力要素(i)〜(iv)から導かれた圧力信号P1〜Pmを生成する。各アクチュエータ34a〜34nは圧力センサ32a〜32mの各々で圧力変化を引き起こし、それにより、各圧力センサで計測されるδPaは、全てのアクチュエータ34a〜34nに起因する圧力変化の累積となる。さらに具体的には、アクチュエータiは圧力センサjにおいて圧力変化δPaijを生成する。全n個のアクチュエータからのセンサjにおける全圧力変化は、Σi=1,nδPaijで与えられる。コントローラ36は、圧力センサでのアクチュエータ圧力が次の関係を満たすように、m個の圧力センサ信号と、k個の流速センサ信号と、ステージコントローラ及び流体注入/除去装置からの情報とを処理し、アクチュエータ34a〜34nに対するアクチュエータ信号a1〜anを生成する。
Σi=1,nδPaij=−(δPsj+δPfj), j=1,m (4)
【0042】
これによって、終端光学素子及びウエハステージの両方における動的な圧力変化の影響が確実に最小限になる。換言すると、アクチュエータ34a〜34nを制御することによって、液浸流体の力学によって引き起こされる終端光学素子及びステージに作用する動的な真の力及び真のモーメント(例えば、トルク)を最小限にすることが可能となる。ステージが動いている時に、液浸流体の接触角は、後端縁に対して先端縁において異なる。これによって、ハウジング38の先端縁及び後端縁並びに終端光学素子20に作用する、異なる力が生成される。これらの異なる力は、終端光学素子又はウエハステージに、前述の方程式を用いて補正可能な真のモーメント又はトルクを生じる可能性がある。
【0043】
一つの実施形態では、図3Bに示されているように、複数のセンサ32及びアクチュエータ34は終端光学素子20の周囲に配置されている。この配置によって、液浸流体のメニスカスにおいて生じる波23cは制御され、ステージ動作中に先端縁メニスカスの破壊は回避又は最小限にされる。他の実施形態では、センサ32及びアクチュエータ34を終端光学素子20の近傍の異なる位置に配置することができる。
【0044】
方程式4を満たすアルゴリズムを設計することは、図6及び方程式3との関係で上述した説明に類似している。
【0045】
この説明において、「力」及び「圧力」という用語は同義的に用いられてきた。しかしながら、技術的には、これら2つの用語は若干相違することに注意すべきである。「圧力」は単位面積当たりの力の大きさである。市販のセンサの多くは圧力を計測するように設計されている。しかしながら、センサは、力を計測するように調整でき、本発明に用いることができる。
【0046】
通常動作においては、アクチュエータ信号は、典型的に、コントローラ36で許容される流体の摂動の制限範囲によって規定される値の制限範囲内にあることになる。しかしながら、もしも流体システムが強く摂動されるのであれば、いくつかのアクチュエータ信号は上記範囲外となる可能性がある。例えば、流体の注入がギャップ22を完全に満たすことが出来ず、終端光学素子の一部の下方に気泡を残存させている場合には、コントローラ36によって予測されるアクチュエータ信号はそれらの通常値から実質的に異なりやすい。または、先端縁メニスカスが破壊され、ウエハ上に孤立した液滴が残留した場合には、空気がキャップ22内に吸い込まれるかも知れないし、コントローラ36によって予測されるアクチュエータ値が通常値から逸脱するかも知れない。そのような不正常な状態からの復帰は、コントローラにとって可能でないかも知れないが、異常なアクチュエータ信号は、ギャップ22内において適切な液浸状態が失われており、その状態が復旧されるまでリソグラフィ露光は中断されなければならないというメッセージを、リソグラフィ装置のコントローラに供給することができる。
【0047】
半導体デバイスは上述したシステムを用いて、図8Aに概略が示されるプロセスによって製造できる。ステップ801において、デバイスの機能及び性能特性が設計される。次に、ステップ802において、パターンを有するマスク(レチクル)が前記設計ステップに従って設計され、並行するステップ803において、ウエハがシリコン材料から製造される。ステップ802において設計されたマスクパターンは、ステップ804において、本発明に従う上述のフォトリソグラフィシステムによって、ステップ803からのウエハ上に露光される。ステップ805において、半導体デバイスは組み立てられ(ダイシングプロセス、ボンディングプロセス、及びパッケージジングプロセスを含む)、最後に、デバイスは次にステップ806において検査される。
【0048】
図8Bは、半導体デバイスを製造する場合における上述のステップ804を例示する詳細なフローチャートを示している。図8Bのステップ811(酸化工程)において、ウエハの表面は酸化される。ステップ812(CVD工程)において、絶縁膜がウエハ表面に形成される。ステップ813(電極形成工程)において、ウエハ上に電極が蒸着によって形成される。ステップ814(イオン注入工程)において、ウエハにイオンが注入される。上述したステップ811〜ステップ814は、ウエハ処理中のウエハに対する前処理工程を構成し、必要とされる処理に従って選択が各工程においてなされる。この前処理工程の後に、図8Bに示された通り、ステップ815(フォトレジスト形成)、ステップ816(露光)、ステップ817(現像)、ステップ818(エッチング)818、ステップ819(フォトレジスト除去)が行われる。上述したステップ815〜ステップ819は、図8Bに示されたように、ウエハ処理中のウエハに対する後処理工程を構成する。
【0049】
なお、ここに記載された特定の実施形態は単なる例示にすぎず、本発明を限定するものとして解釈されるべきではない。例えば、ここに記載された基板は必ずしも半導体ウエハでなくともよい。基板はフラットパネルディスプレイを製造するためのフラットパネルであってもよい。むしろ、本発明の真の範囲は、添付の請求の範囲によって決定される。
【図面の簡単な説明】
【0050】
【図1】 図1は本発明に従うリソグラフィ装置の図である。
【図2】 図2は本発明の液浸装置に用いられる動的力制御システムの図である。
【図3】 図3Aは、終端光学素子の周囲に配置された、本発明の動的力制御システムのセンサ及びアクチュエータの上面図である。図3Bは動的力制御システムの上面図であって、流体メニスカスにおけるステージ動作の影響を示している。 図3Cは動的力制御システムの側面図であって、流体メニスカスにおけるステージ動作の影響を示している。
【図4】 図4は本発明の一実施形態に従う動的力制御システムに用いられるセンサの図である。
【図5】 図5Aは本発明の追加の実施形態に従うセンサの図である。図5Bは本発明の追加の実施形態に従うセンサの図である。
【図6】 図6は本発明の一実施形態に従うコントローラの動作を示す図である。
【図7】 図7は本発明の他の実施形態に従うコントローラの動作を示す別の図である。
【図8−1】 図8Aは本発明に従う、半導体ウエハの製造工程を示すフローチャートである。
【図8−2】 図8Bは本発明に従う、半導体ウエハの製造工程を示すフローチャートである。
【図9】 図9は流体圧力制御のための制御アルゴリズムの判断を示す図である。
Claims (29)
- 像を規定する像形成素子と、
基板を保持するように構成されたステージと、
前記像形成素子によって規定された前記像を前記基板上に投影するように構成され、終端光学素子を有する光学系と、
前記基板と前記終端光学素子との間のギャップであって、液浸流体で満たされるように構成されたギャップと、
前記ギャップ中の前記液浸流体の動き及び/又は前記ステージの移動によって生じる前記液浸流体の動的変化を補償することによって、前記終端光学素子及びステージにかかる力を実質的に一定に維持するように構成された動的力制御系と、を備え、更に、前記動的力制御系が、前記ギャップに満たされる前記液浸流体に接触して配置されるアクチュエータを含む装置。 - 前記動的力制御系は、前記終端光学素子の近傍に位置付けられたセンサを更に備える請求項1に記載の装置。
- 前記センサは、前記終端光学素子の近傍に前記ギャップ内に位置付けられている、請求項2に記載の装置。
- 前記終端光学素子は、前記ギャップ内の前記液浸流体と境界を接する境界面を規定し、前記センサは前記境界面と同じ面内に位置付けられた請求項2に記載の装置。
- 少なくとも一つのセンサは、圧力センサである請求項2に記載の装置。
- 前記終端光学素子は前記ギャップ内の前記液浸流体と境界を接する境界面を有し、前記圧力センサは更に前記ギャップ内の前記液浸流体の動きによって生じる前記境界面に対して実質的に法線方向の圧力変化を計測するように構成された請求項5に記載の装置。
- 前記センサは、圧力計、キャパシタンス圧力計及び圧電変換器のセンサ群の一つを備える請求項2に記載の装置。
- 少なくとも一つのセンサは、流体流速センサである請求項2に記載の装置。
- 前記流体流速センサは、二つのワイヤを備え、前記二つのワイヤの温度を計測することによって、前記終端光学素子の前記表面に垂直な方向における前記液浸流体の速度を計測する請求項8に記載の装置。
- 前記流体流速センサは、静的タップ壁を有するリード管を備える請求項8に記載の装置。
- 前記流体流速センサは、静圧孔を有するピトーリード管を備える請求項2に記載の装置。
- 前記センサは、前記液浸流体によって生成される静的圧力の変化を計測するように構成された請求項2に記載の装置。
- 前記センサは、前記液浸流体によって生成される動的圧力の変化を計測するように構成された請求項2に記載の装置。
- 各々が前記終端光学素子の近傍に位置付けられた複数のセンサを更に備える請求項1に記載の装置。
- 前記アクチュエータは、前記ギャップ中の前記液浸流体の動き及び/又は前記ステージの移動によって生じる、前記終端光学素子及びステージにかかる力の変化を補償するように構成されている請求項1に記載の装置。
- 前記アクチュエータは、前記終端光学素子の表面近傍の互いに異なる位置に配置された複数のアクチュエータを含む請求項1に記載の装置。
- 前記アクチュエータは、ピストン、ダイヤフラム、ベローズ、圧力水頭部分真空チューブ、及び電気毛管圧力素子のアクチュエータ群の一つを備える請求項15に記載の装置。
- 前記アクチュエータは、前記終端光学素子の近傍に位置付けられ、前記終端光学素子及びステージにかかる動的な力を補償するように構成されており、
前記動的力制御系は、
前記液浸流体に接触して且つ前記終端光学素子の表面の近傍に位置付けられたセンサと、
前記センサに応答して前記アクチュエータを制御して、前記センサで計測された、前記ギャップ中の前記液浸流体の動き及び/又は前記ステージの移動によって生じる前記終端光学素子及びステージに対してかかる動的な力を補償するように構成されたコントローラと、を備える請求項1に記載の装置。 - 前記コントローラは、適応フィルタアルゴリズムを用いて前記アクチュエータを制御する、請求項18に記載の装置。
- 前記センサは、(i)前記ステージの移動に起因して前記液浸流体によってもたらされる、検出された圧力変化、(ii)前記液浸流体の注入及び除去に起因して前記液浸流体によってもたらされる、検出された圧力変化、(iii)前記アクチュエータに起因して前記液浸流体によってもたらされる、検出された圧力変化、及び(iv)前記液浸流体によってもたらされる、検出された前記静的圧力変化、の成分のうちの1つ以上を示す圧力信号を生成するように構成されている、請求項18に記載の装置。
- 前記コントローラは、前記センサからの前記圧力信号、及び流速信号に応じて制御信号を生成して、前記アクチュエータを制御するように構成された請求項20に記載の装置。
- 前記アクチュエータが、前記終端光学素子の近傍に配置され、前記ギャップを介した前記液浸流体の動き及び/又は前記ステージの移動に起因して前記液浸流体によってもたらされる力の動的変化を補償するように構成された複数のアクチュエータを含み、
前記動的力制御系は、
前記液浸流体の速度を計測するように構成された複数の速度センサと、
複数のセンサであって、前記終端光学素子の近傍に前記液浸流体に接触して配置され、(i)前記ステージの移動に起因して前記液浸流体によってもたらされる、検出された圧力変化、(ii)前記液浸流体の注入及び除去に起因して前記液浸流体によってもたらされる、検出された圧力変化、(iii)前記複数のアクチュエータの各々に起因して前記液浸流体によってもたらされる、検出された圧力変化、及び(iv)前記液浸流体によってもたらされる、前記検出された静的圧力変化の成分のそれぞれを示す圧力信号を生成するようにそれぞれ構成された複数のセンサと、
前記複数のアクチュエータに対して複数の制御信号をそれぞれ生成するように構成され、前記複数のセンサからの複数の圧力信号に応じて前記複数の制御信号をそれぞれ生成するコントローラと、を更に備える請求項1に記載の装置。 - 前記複数のセンサ及び前記複数のアクチュエータは、前記光学系の前記終端光学素子の周囲に配置されている、請求項22に記載の装置。
- 前記コントローラは、制御信号を生成して前記アクチュエータを制御するように構成されており、前記制御信号は、(i)前記ステージの移動、(ii)前記ギャップから液浸流体を注入し且つ除去するように構成された流体注入/除去装置、及び(iii)前記センサによって計測される圧力信号の1つ以上からの情報を用いるアルゴリズムから生成される、請求項18に記載の装置。
- 前記コントローラは、前記アルゴリズムを用いることによって更に、一定期間にわたって学習された前記制御信号を予測する、請求項24に記載の装置。
- 前記アルゴリズムは適応フィルタを用いて、前記ステージ並びに流体注入及び除去の動きに応じた前記液浸流体の挙動のモデルを生成する、請求項25に記載の装置。
- 前記アルゴリズムは、前記ステージの動き及び前記流体注入及び/除去に応じた前記液浸流体の挙動をモデル化する数学モデルを用いて、前記制御信号を予測する、請求項25に記載の装置。
- 前記アルゴリズムは、前記ステージの動き及び前記流体注入/除去に応じた前記液浸流体の挙動をモデル化するニューラル・ネットワークを用いて、前記制御信号を予測する、請求項25に記載の装置。
- 前記アルゴリズムは、前記センサにおける環境条件変化を補償するための、前記アルゴリズムを適応させる適応特性を更に含む、請求項25に記載の装置。
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