JP2003297869A - バンプ電極を備えている電子部品及びその製造方法 - Google Patents
バンプ電極を備えている電子部品及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】アルミ製の電極パッドにバンプ電極を接続して
いる半導体装置において、バリアーメタル層による電極
パッドの保護を確実にして、製品の不良率を低減する。 【手段】電極パッド２の上面にバリアメタル層１０を介
して金よりなる中間金属層１５を積層形成する。中間金
属層１５の厚さは、検査・測定用のプローブが貫通しな
いように例えば５μｍ程度に設定している。中間金属層
１５の上面に、アンダーバンプメタル層１８及びＮｉの
補助金属層２３を積層して、その上に半田バンプ電極２
４を接合している。中間金属層１５の外側には、当該中
間金属層１５となだらかに連続する上面を持つ樹脂層１
７が形成されている。検査や測定は、中間金属層１５に
プローブを当てることによって行う。
いる半導体装置において、バリアーメタル層による電極
パッドの保護を確実にして、製品の不良率を低減する。 【手段】電極パッド２の上面にバリアメタル層１０を介
して金よりなる中間金属層１５を積層形成する。中間金
属層１５の厚さは、検査・測定用のプローブが貫通しな
いように例えば５μｍ程度に設定している。中間金属層
１５の上面に、アンダーバンプメタル層１８及びＮｉの
補助金属層２３を積層して、その上に半田バンプ電極２
４を接合している。中間金属層１５の外側には、当該中
間金属層１５となだらかに連続する上面を持つ樹脂層１
７が形成されている。検査や測定は、中間金属層１５に
プローブを当てることによって行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、バンプ電極を備え
ている半導体装置等の電子部品、並びにその製造方法に
関するものである。
ている半導体装置等の電子部品、並びにその製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣやＬＳＩのような半導体装置におい
て、半導体基板上にバンプ電極を設けて、これにチップ
類をボンディングすることが広く行われている。バンプ
電極の素材には金やＰｂ／Ｓｎ系半田、或いは銅などが
使用されており、一般に、金製の場合は金バンプ、半田
を使用する場合は半田バンプと呼ばれている。
て、半導体基板上にバンプ電極を設けて、これにチップ
類をボンディングすることが広く行われている。バンプ
電極の素材には金やＰｂ／Ｓｎ系半田、或いは銅などが
使用されており、一般に、金製の場合は金バンプ、半田
を使用する場合は半田バンプと呼ばれている。
【０００３】このうち、従来における半田バンプの大ま
かな形成工程を図５に基づいて説明する。まず、（Ａ）
に示すように、半導体基板（シリコン基板）１のうちバ
ンプ電極を形成する部分には、パッシベーション（保護
絶縁膜）３に設けた開口部から露出した状態でアルミ製
の電極パッド２が形成されている。そして、バンプ電極
の形成には次のような工程が採られる。
かな形成工程を図５に基づいて説明する。まず、（Ａ）
に示すように、半導体基板（シリコン基板）１のうちバ
ンプ電極を形成する部分には、パッシベーション（保護
絶縁膜）３に設けた開口部から露出した状態でアルミ製
の電極パッド２が形成されている。そして、バンプ電極
の形成には次のような工程が採られる。
【０００４】．先ず、（Ｂ）に示すように、電極パッ
ド２及びパッシベーション３を覆うように、拡散防止機
能や下地機能を持つバリアメタル層４をスパッタリング
によって成膜する。
ド２及びパッシベーション３を覆うように、拡散防止機
能や下地機能を持つバリアメタル層４をスパッタリング
によって成膜する。
【０００５】図ではバリアメタル層４は単層に表示して
いるが、実際には二層又は三層であることが多い。半田
バンプにおいて二層とする場合は、下層は電極パッド２
に対する保護機能が高いＴｉとして、上層はバンプ電極
５との接合性を高めるためＣｕ又はＮｉとすることが多
い。
いるが、実際には二層又は三層であることが多い。半田
バンプにおいて二層とする場合は、下層は電極パッド２
に対する保護機能が高いＴｉとして、上層はバンプ電極
５との接合性を高めるためＣｕ又はＮｉとすることが多
い。
【０００６】．（Ｃ）に示すように、レジスト液を塗
布して乾燥させることによってレジスト膜６を形成して
から、マスク等を使用して露光したのち現像するフォト
レジスト法により、レジスト膜６のうち電極パッド２の
部分に一点鎖線で示すように穴６ａを空け、次いで、バ
リアメタル層４を電極パッド２の部分だけ露出させ、そ
れから、（Ｃ）に一点鎖線で示すように、露出したバリ
アメタル層２にＮｉメッキ層７を施す。
布して乾燥させることによってレジスト膜６を形成して
から、マスク等を使用して露光したのち現像するフォト
レジスト法により、レジスト膜６のうち電極パッド２の
部分に一点鎖線で示すように穴６ａを空け、次いで、バ
リアメタル層４を電極パッド２の部分だけ露出させ、そ
れから、（Ｃ）に一点鎖線で示すように、露出したバリ
アメタル層２にＮｉメッキ層７を施す。
【０００７】．Ｎｉメッキ層７上に、メッキによって
マッシュルーム形のバンプ電極５を接合し、それからレ
ジスト膜６を除去することによってバンプ電極５を露出
させ、次いで、２５０℃程度の温度で数秒加熱して溶融
させることにより、表面張力を利用してバンプ電極５を
球状に形成する。
マッシュルーム形のバンプ電極５を接合し、それからレ
ジスト膜６を除去することによってバンプ電極５を露出
させ、次いで、２５０℃程度の温度で数秒加熱して溶融
させることにより、表面張力を利用してバンプ電極５を
球状に形成する。
【０００８】このようにしてバンプ電極５を形成するに
先立って、回路の検査や各種数値の測定が行われてい
る。この検査や測定には、先端を尖らせた金属製のプロ
ーブ（触針）８が使用されており、このプローブ９を電
極パッド２に当てることによって検査や測定が行われて
いる。
先立って、回路の検査や各種数値の測定が行われてい
る。この検査や測定には、先端を尖らせた金属製のプロ
ーブ（触針）８が使用されており、このプローブ９を電
極パッド２に当てることによって検査や測定が行われて
いる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところが、バンプ電極
５を形成する工程でバリアメタル層２の蒸着不良に起因
したと思われる腐食等の不良が発生することが度々あっ
た。そこで本願発明者たちが原因を研究したところ、検
査・測定工程での電極パッドの損傷が原因になっている
ことが分かった。
５を形成する工程でバリアメタル層２の蒸着不良に起因
したと思われる腐食等の不良が発生することが度々あっ
た。そこで本願発明者たちが原因を研究したところ、検
査・測定工程での電極パッドの損傷が原因になっている
ことが分かった。
【００１０】すなわち、アルミ製の電極パッド２は厚さ
が１μｍ程度で薄いと共に柔らかいため、何回も検査や
測定を繰り返しているうちにプローブ９によって傷付け
られて、穴が空いたりバリ状の盛り上がりができたりし
て表面が凹凸になってしまうことがある一方、スパッタ
リングにおいて粒子（イオン）は直進性があるため、バ
リアメタル層２をスパッタリングによって成膜するに際
して、バリアメタル層２にムラやホールができてしま
い、その結果、電極パッド２の保護機能を果たすことが
できないと共にＮｉメッキ層８の成膜が不完全になって
不良品化しているという事実が判明した。
が１μｍ程度で薄いと共に柔らかいため、何回も検査や
測定を繰り返しているうちにプローブ９によって傷付け
られて、穴が空いたりバリ状の盛り上がりができたりし
て表面が凹凸になってしまうことがある一方、スパッタ
リングにおいて粒子（イオン）は直進性があるため、バ
リアメタル層２をスパッタリングによって成膜するに際
して、バリアメタル層２にムラやホールができてしま
い、その結果、電極パッド２の保護機能を果たすことが
できないと共にＮｉメッキ層８の成膜が不完全になって
不良品化しているという事実が判明した。
【００１１】本発明は、このような研究と知見に基づい
て成されたもので、バンプ電極形成工程の不具合に起因
した不良品発生を防止することを課題とするものであ
る。
て成されたもので、バンプ電極形成工程の不具合に起因
した不良品発生を防止することを課題とするものであ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記の課題を解決するた
め、請求項１の発明は、アルミ等の電極パッドの上面
に、バリアメタル層を介して中間金属層を積層し、この
中間金属層の上面に、バンプ電極を、直接に又はアンダ
ーバンプメタル層を介して若しくはアンダーバンプメタ
ル層と補助金属層とを介して接合していることを特徴と
する。
め、請求項１の発明は、アルミ等の電極パッドの上面
に、バリアメタル層を介して中間金属層を積層し、この
中間金属層の上面に、バンプ電極を、直接に又はアンダ
ーバンプメタル層を介して若しくはアンダーバンプメタ
ル層と補助金属層とを介して接合していることを特徴と
する。
【００１３】請求項２の発明では、より好適な形態とし
て、前記中間金属層の外側に、絶縁性樹脂よりなる樹脂
層を、その上面が中間金属層となだらかに連続する状態
で設けていることを特徴としている。
て、前記中間金属層の外側に、絶縁性樹脂よりなる樹脂
層を、その上面が中間金属層となだらかに連続する状態
で設けていることを特徴としている。
【００１４】請求項３の発明は製法に係るもので、この
製法は、電極パッドの上面にバリアメタル層を積層する
工程と、前記バリアメタル層の上面に中間金属層を積層
する工程と、前記中間金属層の上面にアンダーバンプメ
タル層を積層する工程と、アンダーバンプメタル層の上
面に直接に又は補助金属層を介してバンプ電極を接合す
る工程とを備えており、前記中間金属層を形成してか
ら、プローブを中間金属層に接触させて検査や測定を行
い、その後にアンダーバンプメタル層を形成することを
特徴とする。
製法は、電極パッドの上面にバリアメタル層を積層する
工程と、前記バリアメタル層の上面に中間金属層を積層
する工程と、前記中間金属層の上面にアンダーバンプメ
タル層を積層する工程と、アンダーバンプメタル層の上
面に直接に又は補助金属層を介してバンプ電極を接合す
る工程とを備えており、前記中間金属層を形成してか
ら、プローブを中間金属層に接触させて検査や測定を行
い、その後にアンダーバンプメタル層を形成することを
特徴とする。
【００１５】
【発明の実施形態】次に、本発明の実施形態を図面（図
１〜図４）に基づいて説明する。本発明は半田バンプの
形成に適用しており、以下に述べるように、（Ａ）の構
造を出発点として、（Ｂ）〜（Ｒ）の工程を経て半田バ
ンプ電極が形成される。
１〜図４）に基づいて説明する。本発明は半田バンプの
形成に適用しており、以下に述べるように、（Ａ）の構
造を出発点として、（Ｂ）〜（Ｒ）の工程を経て半田バ
ンプ電極が形成される。
【００１６】(1).検査・測定までの工程
先ず、（Ｂ）（Ｃ）（Ｃ′）に示すように、半導体装置
の上向き露出面の全体に、中間金属層を形成するための
バリアメタル層１０をスパッタリングによって成膜す
る。バリアメタル層１０は、ＴｉＷよりなる下層１１と
Ａｕよりなる上層１２との二層構造になっており、ぞれ
ぞれの単独の膜厚は２０００Å程度でよい。従って、バ
リアメタル層１０の全体の厚さは４０００Åになってい
る。
の上向き露出面の全体に、中間金属層を形成するための
バリアメタル層１０をスパッタリングによって成膜す
る。バリアメタル層１０は、ＴｉＷよりなる下層１１と
Ａｕよりなる上層１２との二層構造になっており、ぞれ
ぞれの単独の膜厚は２０００Å程度でよい。従って、バ
リアメタル層１０の全体の厚さは４０００Åになってい
る。
【００１７】なお、半導体基板１には多数の電極パッド
２が形成されていて、各電極パッド２にバンプ電極が形
成されることになるが、（Ｃ）の段階では、各バリアメ
タル層１０は、後述する電解メッキ工程での電極として
の役割を果たすため互いに連続している。
２が形成されていて、各電極パッド２にバンプ電極が形
成されることになるが、（Ｃ）の段階では、各バリアメ
タル層１０は、後述する電解メッキ工程での電極として
の役割を果たすため互いに連続している。
【００１８】次いで、レジスト液を塗布して乾燥させる
ことにより、（Ｄ）に示すように、バリアメタル層１０
の全体を覆う第１レジスト膜１３を形成し、次いで、マ
スク等を使用して露光させてから現像するフォトレジス
ト法により、（Ｅ）に示すように、第１レジスト膜１３
のうち電極パッド２に対応した箇所に穴（開口）１４を
空ける。
ことにより、（Ｄ）に示すように、バリアメタル層１０
の全体を覆う第１レジスト膜１３を形成し、次いで、マ
スク等を使用して露光させてから現像するフォトレジス
ト法により、（Ｅ）に示すように、第１レジスト膜１３
のうち電極パッド２に対応した箇所に穴（開口）１４を
空ける。
【００１９】それから、電解メッキ等のメッキ法によ
り、（Ｆ）に示すようにバリアメタル層１０の上面（表
面）に、例えばＡｕよりなる中間金属層１５を積層形成
する。中間金属層１５の厚さは電極パッド２の厚さより
も厚くなっており、具体的には５μｍ程度が好ましい。
従って、第１レジスト膜１３は５μｍよりも厚い厚さに
塗布しておく必要がある。
り、（Ｆ）に示すようにバリアメタル層１０の上面（表
面）に、例えばＡｕよりなる中間金属層１５を積層形成
する。中間金属層１５の厚さは電極パッド２の厚さより
も厚くなっており、具体的には５μｍ程度が好ましい。
従って、第１レジスト膜１３は５μｍよりも厚い厚さに
塗布しておく必要がある。
【００２０】次いで、第１レジスト膜１３を除去するこ
とによって（Ｇ）のようにバリアメタル層１０の余分な
部分を露出させ、それから（Ｈ）（Ｉ）に示すように、
例えばマスク１６を重ねてエッチング液で洗う化学的エ
ッチング処理により、バリアメタル層１０の余分な部分
を除去する。
とによって（Ｇ）のようにバリアメタル層１０の余分な
部分を露出させ、それから（Ｈ）（Ｉ）に示すように、
例えばマスク１６を重ねてエッチング液で洗う化学的エ
ッチング処理により、バリアメタル層１０の余分な部分
を除去する。
【００２１】それから、（Ｊ）に示すように、例えばポ
リイミド樹脂のような耐熱性で且つ絶縁性の樹脂を全体
にわたって塗布することによって樹脂層１７を積層し、
次いで、マスクを重ねて露光したのち現像処理する等し
たフォトレジスト法等により、（Ｋ）に示すように、中
間金属層１５を露出させる。
リイミド樹脂のような耐熱性で且つ絶縁性の樹脂を全体
にわたって塗布することによって樹脂層１７を積層し、
次いで、マスクを重ねて露光したのち現像処理する等し
たフォトレジスト法等により、（Ｋ）に示すように、中
間金属層１５を露出させる。
【００２２】この場合、樹脂層１７の厚さを中間金属層
１５と同じ程度の厚さに設定することにより、樹脂層１
７が中間金属層１５に重なる厚さを薄くし、かつ、フォ
トレジストの後に加熱処理（ベーキング処理）して樹脂
層１７の内周縁の軟化させて角を丸めることにより、樹
脂層１７の上面と中間金属層１５の上面とをなだらかに
連続させている。
１５と同じ程度の厚さに設定することにより、樹脂層１
７が中間金属層１５に重なる厚さを薄くし、かつ、フォ
トレジストの後に加熱処理（ベーキング処理）して樹脂
層１７の内周縁の軟化させて角を丸めることにより、樹
脂層１７の上面と中間金属層１５の上面とをなだらかに
連続させている。
【００２３】このようにして樹脂層１７を形成すると共
に中間金属層１５を露出させた段階で、プローブ９を中
間金属層１５に当てて、製造段階における半導体装置の
検査や測定を行う。
に中間金属層１５を露出させた段階で、プローブ９を中
間金属層１５に当てて、製造段階における半導体装置の
検査や測定を行う。
【００２４】(2).検査・測定後の工程
検査や測定の工程を終えてから、スパッタリング法によ
り、半導体装置の上面の露出部の全体に、（Ｌ）
（Ｌ′）のようにアンダーバンプメタル層（アッパーバ
リアメタル層と言っても良い）１８を成膜する。
り、半導体装置の上面の露出部の全体に、（Ｌ）
（Ｌ′）のようにアンダーバンプメタル層（アッパーバ
リアメタル層と言っても良い）１８を成膜する。
【００２５】本例ではアンダーバンプメタル層１８は二
層になっており、下層１９は金との密着性が高いＴｉと
し、上層２０は半田付着性や半田濡れ性が高いＮｉとし
ている。上下両層１９，２０の単独の厚さはそれぞれ３
０００Å程度でよく、従って、アンダーバンプメタル層
１８の全体としては６０００Å程度となる。
層になっており、下層１９は金との密着性が高いＴｉと
し、上層２０は半田付着性や半田濡れ性が高いＮｉとし
ている。上下両層１９，２０の単独の厚さはそれぞれ３
０００Å程度でよく、従って、アンダーバンプメタル層
１８の全体としては６０００Å程度となる。
【００２６】次いで、（Ｈ）に示すように、レジスト液
を塗布することによって第２レジスト膜２１を形成し、
フォトレジスト法により、（Ｎ）に示すように、第２レ
ジスト膜２１のうち中間金属層１５の箇所に穴２２を空
け、それから、（Ｏ）に示すように、アンダーバンプメ
タル層１８を電極として利用した電解メッキ法等のメッ
キ法により、Ｎｉよりなる補助金属層２３を堆積させ
る。この補助金属層２３は半田の拡散防止のために設け
る。
を塗布することによって第２レジスト膜２１を形成し、
フォトレジスト法により、（Ｎ）に示すように、第２レ
ジスト膜２１のうち中間金属層１５の箇所に穴２２を空
け、それから、（Ｏ）に示すように、アンダーバンプメ
タル層１８を電極として利用した電解メッキ法等のメッ
キ法により、Ｎｉよりなる補助金属層２３を堆積させ
る。この補助金属層２３は半田の拡散防止のために設け
る。
【００２７】次いで、（Ｐ）に示すように、電解メッキ
法やどぶ漬けなどのメッキ法によって半田を補助金属層
２３に堆積・成長させることにより、Ｐｂ／Ｓｎ系半田
よりなる粒状のバンプ電極２４を形成する。第２レジス
ト膜２１は薄く塗っているため、バンプ電極２４はマッ
シュルーム形になっている。
法やどぶ漬けなどのメッキ法によって半田を補助金属層
２３に堆積・成長させることにより、Ｐｂ／Ｓｎ系半田
よりなる粒状のバンプ電極２４を形成する。第２レジス
ト膜２１は薄く塗っているため、バンプ電極２４はマッ
シュルーム形になっている。
【００２８】次いで、第２レジスト膜２１を除去してか
ら、アンダーバンプメタル層１８の余分な部分をエッチ
ングによって除去する。アンダーバンプメタル層１８の
余分な部分の除去は、例えば、バンプ電極２４をマスク
として利用したエッチングによって行う。
ら、アンダーバンプメタル層１８の余分な部分をエッチ
ングによって除去する。アンダーバンプメタル層１８の
余分な部分の除去は、例えば、バンプ電極２４をマスク
として利用したエッチングによって行う。
【００２９】バンプ電極２４はマッシュルーム形のまま
でも使用可能であるが、本実施形態では、安定性を高め
るため、（Ｑ）に示すように球状に形成している。
でも使用可能であるが、本実施形態では、安定性を高め
るため、（Ｑ）に示すように球状に形成している。
【００３０】(3).利点
以上の工程において、検査や測定の工程の前に、電極パ
ッド２が何ら傷付けられていない状態でバリアメタル層
１０が成膜されてるため、バリアメタル層１０による電
極パッド２の保護は確保されており、このため腐食のよ
うな問題は生じない。
ッド２が何ら傷付けられていない状態でバリアメタル層
１０が成膜されてるため、バリアメタル層１０による電
極パッド２の保護は確保されており、このため腐食のよ
うな問題は生じない。
【００３１】また、中間金属層１５はプローブ９が貫通
しない程度の厚さに設定しているため、プローブ９によ
って電極パッド２が傷付けられることはないと共に、仮
にプローブ９によって中間金属層１５が傷付けられてア
ンダーバンプメタル層の成膜にムラが発生しても、それ
が電極パッド２に影響することはない。従って，検査や
測定の容易性・確実性を損なうことなく、不良品の発生
率を格段に低減することができる。
しない程度の厚さに設定しているため、プローブ９によ
って電極パッド２が傷付けられることはないと共に、仮
にプローブ９によって中間金属層１５が傷付けられてア
ンダーバンプメタル層の成膜にムラが発生しても、それ
が電極パッド２に影響することはない。従って，検査や
測定の容易性・確実性を損なうことなく、不良品の発生
率を格段に低減することができる。
【００３２】ところで、中間金属層１５はパッシベーシ
ョン３の上面から突出しているため、仮に、樹脂層１７
を形成せずにアンダーバンプメタル層１８を形成する
と、アンダーバンプメタル層１８が中間金属層１５の周
縁のエッジによって断線する虞があり、すると、アンダ
ーバンプメタル層１８を電極として行う補助金属層２３
のメッキ工程やバンプ電極２４のメッキ工程などの後続
の工程に悪影響を与える虞がある。
ョン３の上面から突出しているため、仮に、樹脂層１７
を形成せずにアンダーバンプメタル層１８を形成する
と、アンダーバンプメタル層１８が中間金属層１５の周
縁のエッジによって断線する虞があり、すると、アンダ
ーバンプメタル層１８を電極として行う補助金属層２３
のメッキ工程やバンプ電極２４のメッキ工程などの後続
の工程に悪影響を与える虞がある。
【００３３】これに対して本実施形態のように樹脂層１
７を設けると、アンダーバンプメタル層１８の断線を防
止できるため、メッキによる補助金属層２３の形成など
の後続の工程を支障無く行うことができる。また、樹脂
層によってパッシベーション３の損傷を防止できる利点
もある。なお、樹脂層１７は中間金属層１５の周囲の適
当な範囲だけに形成しても良い。
７を設けると、アンダーバンプメタル層１８の断線を防
止できるため、メッキによる補助金属層２３の形成など
の後続の工程を支障無く行うことができる。また、樹脂
層によってパッシベーション３の損傷を防止できる利点
もある。なお、樹脂層１７は中間金属層１５の周囲の適
当な範囲だけに形成しても良い。
【００３４】(4).バリエーション
上記の実施形態では中間金属層としてＡｕを使用した
が、例えばＮｉを使用することも可能である。半田バン
プにおいて中間金属層としてＮｉを使用すると、半田く
われなどの問題は生じないため、中間金属層に半田バン
プ電極を直接に接合することが可能とある。
が、例えばＮｉを使用することも可能である。半田バン
プにおいて中間金属層としてＮｉを使用すると、半田く
われなどの問題は生じないため、中間金属層に半田バン
プ電極を直接に接合することが可能とある。
【００３５】上記の実施形態は半田バンプに適用してい
るが、本発明は金バンプなどの他のバンプにも適用でき
る。
るが、本発明は金バンプなどの他のバンプにも適用でき
る。
【００３６】また、バリアメタル層やアンダーバンプメ
タル層の素材や層数、成膜方法などは、求められる特性
に応じて様々に異ならせることができる。例えばバリア
メタル層としては、Ｃｒ、Ｃｒ−Ｃｕ、Ｔi −Ｐｄ、Ａ
ｇなどを適宜選択して使用できる。条件が許せば、バリ
アメタル層とアンダーバンプメタル層とをそれそれ単層
とすることも可能である。
タル層の素材や層数、成膜方法などは、求められる特性
に応じて様々に異ならせることができる。例えばバリア
メタル層としては、Ｃｒ、Ｃｒ−Ｃｕ、Ｔi −Ｐｄ、Ａ
ｇなどを適宜選択して使用できる。条件が許せば、バリ
アメタル層とアンダーバンプメタル層とをそれそれ単層
とすることも可能である。
【００３７】また、中間金属層としては、金やＮｉに代
えて白金を使用することも可能である。更に、シリコン
基板製の半導体装置の場合は電極パッドはアルミ製とす
ることが殆どであるが、基板の条件が異なれば、電極パ
ッドとして銅や金を使用することも可能である。補助金
属層を設ける場合、複層とすることも可能である。
えて白金を使用することも可能である。更に、シリコン
基板製の半導体装置の場合は電極パッドはアルミ製とす
ることが殆どであるが、基板の条件が異なれば、電極パ
ッドとして銅や金を使用することも可能である。補助金
属層を設ける場合、複層とすることも可能である。
【００３８】また、バンプ電極２４の形状はマッシュル
ーム形には限らず、厚いレジスト膜を使用して形成する
ストレートウォール形とするなどしても良いことは言う
までもない。
ーム形には限らず、厚いレジスト膜を使用して形成する
ストレートウォール形とするなどしても良いことは言う
までもない。
【００３９】
【発明の作用・効果】本発明によると、電極パッドを傷
付けることなくバリアメタル層を形成してから、プロー
ブが貫通しない程度の厚さの中間金属層を積層形成した
後に、中間金属層にプローブを当てて検査や測定を行う
という工程を経ることにより、電極パッドをバリアメタ
ル層によって確実にガードすることができる。
付けることなくバリアメタル層を形成してから、プロー
ブが貫通しない程度の厚さの中間金属層を積層形成した
後に、中間金属層にプローブを当てて検査や測定を行う
という工程を経ることにより、電極パッドをバリアメタ
ル層によって確実にガードすることができる。
【００４０】また、中間金属層がプローブによって傷付
けられてアンダーバンプメタル層にムラが生じることは
有り得るが、中間金属層を金のように耐食性の高い導電
性素材製とすることにより、仮にアンダーバンプメタル
層にムラができても悪影響を受けることを防止できる。
けられてアンダーバンプメタル層にムラが生じることは
有り得るが、中間金属層を金のように耐食性の高い導電
性素材製とすることにより、仮にアンダーバンプメタル
層にムラができても悪影響を受けることを防止できる。
【００４１】従って、検査・測定の確実性を損なうこと
なく、バンプ電極の形成工程での不良に起因した不良品
発生を防止又は著しく低減することができる。請求項２
のように構成すると、工程途中においてアンダーバンプ
メタル層が中間金属層の縁部において断線することを防
止して、後工程を支障無く行うことができるため、より
好適である。
なく、バンプ電極の形成工程での不良に起因した不良品
発生を防止又は著しく低減することができる。請求項２
のように構成すると、工程途中においてアンダーバンプ
メタル層が中間金属層の縁部において断線することを防
止して、後工程を支障無く行うことができるため、より
好適である。
【図１】本願発明の実施形態の工程を示す図である。
【図２】本願発明の実施形態の工程を示す図である。
【図３】本願発明の実施形態の工程を示す図である。
【図４】本願発明の実施形態の工程を示す図である。
【図５】従来例を示す図である。
１ シリコン基板
２ アルミ製の電極パッド
３ パッシベーション（保護絶縁膜）
８ プローブ
１０ バリアメタル層
１５ 金の中間金属層
１７ 樹脂層
１８ アンダーバンプメタル層
２３ Ｎｉの補助金属層
２４ 半田のバンプ電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 柴田 和孝
京都市右京区西院溝崎町21番地 ローム株
式会社内
Ｆターム(参考） 4M106 AA01 AD03 AD05 AD26 BA01
5F044 QQ05
Claims (3)
- 【請求項１】アルミ等の電極パッドの上面に、バリアメ
タル層を介して中間金属層を積層し、この中間金属層の
上面に、バンプ電極を、直接に又はアンダーバンプメタ
ル層を介して若しくはアンダーバンプメタル層と補助金
属層とを介して接合していることを特徴とする、バンプ
電極を備えている電子部品。 - 【請求項２】前記中間金属層の外側に、絶縁性樹脂より
なる樹脂層を、その上面が中間金属層となだらかに連続
する状態で設けていることを特徴とする、請求項１に記
載したバンプ電極を備えている電子部品。 - 【請求項３】電極パッドの上面にバリアメタル層を積層
する工程と、前記バリアメタル層の上面に中間金属層を
積層する工程と、前記中間金属層の上面にアンダーバン
プメタル層を積層する工程と、アンダーバンプメタル層
の上面に直接に又は補助金属層を介してバンプ電極を接
合する工程とを備えており、 前記中間金属層を形成してから、プローブを中間金属層
に接触させて検査や測定を行い、その後にアンダーバン
プメタル層を形成することを特徴とする、バンプ電極を
備えている電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002104267A JP3825355B2 (ja) | 2002-04-05 | 2002-04-05 | バンプ電極を備えている電子部品及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002104267A JP3825355B2 (ja) | 2002-04-05 | 2002-04-05 | バンプ電極を備えている電子部品及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003297869A true JP2003297869A (ja) | 2003-10-17 |
| JP3825355B2 JP3825355B2 (ja) | 2006-09-27 |
Family
ID=29389617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002104267A Expired - Fee Related JP3825355B2 (ja) | 2002-04-05 | 2002-04-05 | バンプ電極を備えている電子部品及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3825355B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007027400A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Kawasaki Microelectronics Kk | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| WO2007074529A1 (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-05 | Fujitsu Limited | 半導体装置 |
| WO2007116501A1 (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Fujitsu Limited | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2008244134A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2002
- 2002-04-05 JP JP2002104267A patent/JP3825355B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPWO2007074529A1 (ja) * | 2005-12-27 | 2009-06-04 | 富士通株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
| US8076780B2 (en) | 2005-12-27 | 2011-12-13 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device with pads of enhanced moisture blocking ability |
| JP4998270B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2012-08-15 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
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| US9059033B2 (en) | 2005-12-27 | 2015-06-16 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device with pads of enhanced moisture blocking ability |
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| JP2008244134A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3825355B2 (ja) | 2006-09-27 |
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