JP2007027400A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
バンプ形成前の迅速な電気的特性の測定を可能とし、この測定結果をフィードバックすることで開発期間の短縮を図ることを可能とする半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】
メタル配線1上に堆積させた保護膜2に、開口底部が前記メタル配線1の表面に達し、プロービング用針の先端部が侵入しない寸法を有する、複数の開口部3を形成し、この開口部3を介して前記メタル配線1と電気的に導通するように堆積させたバリアメタル膜をパターニングすることで、前記保護膜2の前記複数の開口部3が形成された領域上にプロービング用パッド4を形成し、このプロービング用パッド4に前記プロービング用針の先端面を接触させることで、形成された回路の電気的特性の測定を可能とする。
【選択図】図1
Description
また、前記保護膜2としては、例えば、図1(a)に示すように、下層にTEOSを原料とするプラズマCVD酸化膜(P−TEOS膜)600nmと、その上部にSiH4を原料とするプラズマCVD窒化膜(P−SiN膜)500nmを堆積させた積層膜を用いることができる。なお、保護膜2は、前記2層構造の場合に限られず3層以上の積層構造としてもよく、また積層構造とせずに単層とすることもできる。また、保護膜2の膜種及び膜厚も保護膜としての機能を果たし得る範囲で適宜変更することができる。
2 保護膜
3 開口部
4 プロービング用パッド
5 バンプ
6 プロービング用針
8 タングステンプラグ
9 アンダーバンプメタル膜
Claims (6)
- メタル配線上に堆積させた保護膜に、開口底部が前記メタル配線の表面に達し、プロービング用針の先端部分が侵入しない寸法を有する、複数の開口部を形成し、
該開口部を介して前記メタル配線と電気的に導通するように堆積させたバリアメタル膜をパターニングすることで、前記保護膜の前記複数の開口部が形成された領域上にプロービング用パッドを形成し、
該プロービング用パッドに前記プロービング用針の先端面を接触させることで、形成された回路の電気的特性の測定を可能としたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記開口部の上部の最短開口幅が、前記プロービング用針の先端面の最短幅の2分の1以下であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- さらに、前記プロービング用パッドの上部または前記プロービング用パッドに接続させて設けた再配置配線の上部にバンプの形成を行うことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記開口上部の最短開口幅を前記バンプの高さの1/5以下にし、前記プロービング用パッドの上部に電解メッキ方式によって前記バンプの形成を行うことを特徴とする請求項3記載の半導体装置の製造方法。
- メタル配線上に堆積され、開口底部が前記メタル配線の表面に達し、その開口上部の最短開口幅が5μm以下となる複数の開口部を有する保護膜と、
該保護膜の前記複数の開口部が形成された領域上に、前記開口部を介して前記メタル配線と電気的に導通するように堆積させたバリアメタル膜をパターニングすることで形成された、該バリアメタル膜の表面にプロービング用針を接触させるプロービング用パッドとを有することを特徴とする半導体装置。 - 前記プロービング用パッドの上部または前記プロービング用パッドに接続するように設けられた再配置配線の上部にバンプが形成されていることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
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JP2016141149A (ja) * | 2015-02-05 | 2016-08-08 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッド用基板の製造方法、及び該製造方法で製造された液体吐出ヘッド用基板 |
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2005
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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