JP2005039170A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 ダイシング工程でAlのかえりが発生しても半導体チップの不良を防止できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体装置の製造方法は、ウエハ上にバンプ19を形成する工程と、前記バンプ19を被覆するポリイミド膜を形成する工程と、ウエハを切断して半導体チップ16に分離する工程と、前記半導体チップ16の表面を保護絶縁膜20により被覆する工程と、前記ポリイミド膜を除去する工程と、リード24を有する基板23を準備し、前記リードと前記バンプ19を加熱して加圧することにより、前記基板23に前記半導体チップ16を実装する工程と、を具備し、前記バンプ19は前記保護絶縁膜20から露出している。
【選択図】 図4
【解決手段】 本発明に係る半導体装置の製造方法は、ウエハ上にバンプ19を形成する工程と、前記バンプ19を被覆するポリイミド膜を形成する工程と、ウエハを切断して半導体チップ16に分離する工程と、前記半導体チップ16の表面を保護絶縁膜20により被覆する工程と、前記ポリイミド膜を除去する工程と、リード24を有する基板23を準備し、前記リードと前記バンプ19を加熱して加圧することにより、前記基板23に前記半導体チップ16を実装する工程と、を具備し、前記バンプ19は前記保護絶縁膜20から露出している。
【選択図】 図4
Description
本発明は、半導体装置及びその製造方法に係わり、特に、半導体チップのショート不良を防止できる半導体装置及びその製造方法に関する。
図7(A),(B)は、従来の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
まず、半導体素子などが形成された半導体ウエハ(図示せず)を準備する。このウエハは、半導体チップが形成されたチップ形成領域及びスクライブラインを有している。チップ形成領域はスクライブラインにより分離されている。スクライブライン上にはAl配線材料や複数のAlパターンなどが形成されている。Al配線材料は、Al配線パターンをチップ形成領域に形成した際にスクライブラインにも形成されてしまうものである。また、Alパターンは、例えば、ウエハに形成されたTEG(Test Elementary Group)などに電気的な試験を行う際に測定用針を接触させるためのパッド等である。
まず、半導体素子などが形成された半導体ウエハ(図示せず)を準備する。このウエハは、半導体チップが形成されたチップ形成領域及びスクライブラインを有している。チップ形成領域はスクライブラインにより分離されている。スクライブライン上にはAl配線材料や複数のAlパターンなどが形成されている。Al配線材料は、Al配線パターンをチップ形成領域に形成した際にスクライブラインにも形成されてしまうものである。また、Alパターンは、例えば、ウエハに形成されたTEG(Test Elementary Group)などに電気的な試験を行う際に測定用針を接触させるためのパッド等である。
次に、ウエハにダイシング工程を施す。すなわち、回転したダイシングブレード(図示せず)を用いてウエハをスクライブラインに沿って切断する。これにより、ウエハから半導体チップ(ICチップ)101が分離される。この際、チップサイドにAlのかえり102が発生することがある。つまり、ダイシング工程の際、Alパターンが完全に切断されず、切断後にAlパターンの一部が残ってしまい、その結果、チップサイドにAlのかえり102が発生することがある。なお、Alのかえりとは、半導体チップ101の外周付近(チップサイド)でAl片が立ち上がった状態で残ったものである。
この後、分離されたICチップ101にはTCPの実装工程が施される。
すなわち、図7(a)に示すように、まず、TAB(Tape Automated Bonding)テープを準備する。このTABテープはフレキシブルテープ103を有し、このフレキシブルテープ103上には接着剤(図示せず)によりボンディングリード(フィンガー)104が接続されている。ボンディングリード104はその先端にインナーリードを有している。
すなわち、図7(a)に示すように、まず、TAB(Tape Automated Bonding)テープを準備する。このTABテープはフレキシブルテープ103を有し、このフレキシブルテープ103上には接着剤(図示せず)によりボンディングリード(フィンガー)104が接続されている。ボンディングリード104はその先端にインナーリードを有している。
次に、図7(b)に示すように、このインナーリードをICチップ101のパッド105上に位置合わせし、インナーリードとパッド105を加熱及び加圧して圧着する。このようにしてTCP実装を行う。
上記従来の半導体装置の製造方法では、チップサイドにAlのかえり102が発生すると、Alのかえり102とフィンガー104とが接触して基板とフィンガーのショートもしくはフィンガー間のショートが起こり、品質上大きな問題となり、そのICチップが不良となることがある。
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、ダイシング工程でAlのかえりが発生しても半導体チップの不良を防止できる半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置は、外部端子を有する半導体チップであって、
前記半導体チップの表面が保護絶縁膜により被覆され、
前記外部端子が前記保護絶縁膜から露出している。
前記半導体チップの表面が保護絶縁膜により被覆され、
前記外部端子が前記保護絶縁膜から露出している。
上記半導体装置によれば、半導体チップの表面を保護絶縁膜で被覆することにより、半導体組み立て、実装時の障害となる半導体チップのダイシング側面を絶縁処理できる。このため、半導体チップのチップサイドにAlのかえりが発生しても、実装時にAlのかえりがリード、リードフレームなどに接触することを防止できる。その結果、半導体チップの基板とリードなどとの電気的なショート、又は、微小リークを防止でき、半導体チップの不良の発生を抑制できる。
本発明に係る半導体装置は、外部端子を有する半導体チップであって、
前記半導体チップの実装時のショート不良を防止するために前記半導体チップの側面が保護絶縁膜により被覆されている。
前記半導体チップの実装時のショート不良を防止するために前記半導体チップの側面が保護絶縁膜により被覆されている。
上記半導体装置によれば、半導体チップの側面を保護絶縁膜で被覆することにより、半導体組み立て、実装時の障害となる半導体チップのダイシング側面を絶縁処理できる。このため、半導体チップのチップサイドにAlのかえりが発生しても、実装時にAlのかえりがリード、リードフレームなどに接触することを防止できる。その結果、半導体チップの基板とリードなどとの電気的なショート、又は、微小リークを防止でき、半導体チップの不良の発生を抑制できる。
また、本発明に係る半導体装置においては、前記外部端子がバンプ又はパッドであることも可能である。
また、本発明に係る半導体装置においては、前記外部端子がバンプ又はパッドであることも可能である。
本発明に係る半導体装置は、半導体チップと、
前記半導体チップの表面を被覆する保護絶縁膜と、
前記半導体チップに形成され、前記保護絶縁膜から露出したバンプと、
前記バンプに接続されたリードと、
を具備する。
前記半導体チップの表面を被覆する保護絶縁膜と、
前記半導体チップに形成され、前記保護絶縁膜から露出したバンプと、
前記バンプに接続されたリードと、
を具備する。
上記半導体装置によれば、半導体チップのチップサイドにAlのかえりが発生しても、半導体チップの表面を保護絶縁膜で被覆しているため、実装時にAlのかえりがリードに接触することを防止できる。その結果、半導体チップの基板とリードがショートすることを防止でき、半導体チップの不良の発生を抑制できる。
本発明に係る半導体装置は、半導体チップと、
前記半導体チップの実装時のショート不良を防止するために前記半導体チップの側面を被覆する保護絶縁膜と、
前記半導体チップに形成されたバンプと、
前記バンプに接続されたリードと、
を具備する。
前記半導体チップの実装時のショート不良を防止するために前記半導体チップの側面を被覆する保護絶縁膜と、
前記半導体チップに形成されたバンプと、
前記バンプに接続されたリードと、
を具備する。
本発明に係る半導体装置は、半導体チップと、
前記半導体チップの表面を被覆する保護絶縁膜と、
前記半導体チップに形成され、前記保護絶縁膜から露出したパッドと、
前記パッドとワイヤにより接続されたリードフレームと、
を具備する。
前記半導体チップの表面を被覆する保護絶縁膜と、
前記半導体チップに形成され、前記保護絶縁膜から露出したパッドと、
前記パッドとワイヤにより接続されたリードフレームと、
を具備する。
上記半導体装置によれば、半導体チップのチップサイドにAlのかえりが発生しても、半導体チップの表面を保護絶縁膜で被覆しているため、Alのかえりがリードフレームに接触することを防止できる。その結果、半導体チップの基板とリードフレームがショートすることを防止でき、半導体チップの不良の発生を抑制できる。
本発明に係る半導体装置は、半導体チップと、
前記半導体チップの実装時のショート不良を防止するために前記半導体チップの側面を被覆する保護絶縁膜と、
前記半導体チップに形成されたパッドと、
前記パッドとワイヤにより接続されたリードフレームと、
を具備する。
前記半導体チップの実装時のショート不良を防止するために前記半導体チップの側面を被覆する保護絶縁膜と、
前記半導体チップに形成されたパッドと、
前記パッドとワイヤにより接続されたリードフレームと、
を具備する。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、ウエハ上に外部端子を形成する工程と、
前記外部端子を被覆する外部端子保護用絶縁膜を形成する工程と、
ウエハを切断して半導体チップに分離する工程と、
前記半導体チップの表面を保護絶縁膜により被覆する工程と、
前記外部端子保護用絶縁膜を除去する工程と、
を具備し、
前記外部端子は前記保護絶縁膜から露出している。
前記外部端子を被覆する外部端子保護用絶縁膜を形成する工程と、
ウエハを切断して半導体チップに分離する工程と、
前記半導体チップの表面を保護絶縁膜により被覆する工程と、
前記外部端子保護用絶縁膜を除去する工程と、
を具備し、
前記外部端子は前記保護絶縁膜から露出している。
上記半導体装置の製造方法によれば、半導体チップの表面を保護絶縁膜で被覆することにより、半導体組み立て、実装時の障害となる半導体チップのダイシング側面を絶縁処理できる。このため、半導体チップに分離する工程で半導体チップのチップサイドにAlのかえりが発生しても、実装時にAlのかえりがリード、リードフレームなどに接触することを防止できる。その結果、半導体チップの基板とリードなどとの電気的なショート、又は、微小リークを防止でき、半導体チップの不良の発生を抑制できる。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、ウエハ上に外部端子を形成する工程と、
前記外部端子を被覆する外部端子保護用絶縁膜を形成する工程と、
ウエハを切断して半導体チップに分離する工程と、
前記半導体チップの側面を、半導体チップの実装時のショート不良を防止するための保護絶縁膜により被覆する工程と、
前記外部端子保護用絶縁膜を除去する工程と、
を具備する。
前記外部端子を被覆する外部端子保護用絶縁膜を形成する工程と、
ウエハを切断して半導体チップに分離する工程と、
前記半導体チップの側面を、半導体チップの実装時のショート不良を防止するための保護絶縁膜により被覆する工程と、
前記外部端子保護用絶縁膜を除去する工程と、
を具備する。
また、本発明に係る半導体装置の製造方法においては、前記外部端子保護用絶縁膜を除去する工程の後に、前記半導体チップを基板に実装する工程をさらに具備することも可能である。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、ウエハ上にバンプを形成する工程と、
前記バンプを被覆するポリイミド膜を形成する工程と、
ウエハを切断して半導体チップに分離する工程と、
前記半導体チップの表面を保護絶縁膜により被覆する工程と、
前記ポリイミド膜を除去する工程と、
リードを有する基板を準備し、前記リードと前記バンプを加熱して加圧することにより、前記基板に前記半導体チップを実装する工程と、
を具備し、
前記バンプは前記保護絶縁膜から露出している。
前記バンプを被覆するポリイミド膜を形成する工程と、
ウエハを切断して半導体チップに分離する工程と、
前記半導体チップの表面を保護絶縁膜により被覆する工程と、
前記ポリイミド膜を除去する工程と、
リードを有する基板を準備し、前記リードと前記バンプを加熱して加圧することにより、前記基板に前記半導体チップを実装する工程と、
を具備し、
前記バンプは前記保護絶縁膜から露出している。
上記半導体装置の製造方法によれば、半導体チップのチップサイドにAlのかえりが発生しても、半導体チップの表面を保護絶縁膜で被覆しているため、実装する工程でAlのかえりがリードに接触することを防止できる。その結果、半導体チップの基板とリードなどがショートすることを防止でき、半導体チップの不良の発生を抑制できる。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、ウエハ上にバンプを形成する工程と、
前記バンプを被覆するポリイミド膜を形成する工程と、
ウエハを切断して半導体チップに分離する工程と、
前記半導体チップの側面を、半導体チップの実装時のショート不良を防止するための保護絶縁膜により被覆する工程と、
前記ポリイミド膜を除去する工程と、
リードを有する基板を準備し、前記リードと前記バンプを加熱して加圧することにより、前記基板に前記半導体チップを実装する工程と、
を具備する。
前記バンプを被覆するポリイミド膜を形成する工程と、
ウエハを切断して半導体チップに分離する工程と、
前記半導体チップの側面を、半導体チップの実装時のショート不良を防止するための保護絶縁膜により被覆する工程と、
前記ポリイミド膜を除去する工程と、
リードを有する基板を準備し、前記リードと前記バンプを加熱して加圧することにより、前記基板に前記半導体チップを実装する工程と、
を具備する。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、ウエハ上にパッドを形成する工程と、
前記パッドを被覆するポリイミド膜を形成する工程と、
ウエハを切断して半導体チップに分離する工程と、
前記半導体チップの表面を保護絶縁膜により被覆する工程と、
前記ポリイミド膜を除去する工程と、
リードフレームを準備し、前記リードフレームと前記パッドをワイヤにより接続する工程と、
を具備し、
前記パッドは前記保護絶縁膜から露出している半導体装置の製造方法。
前記パッドを被覆するポリイミド膜を形成する工程と、
ウエハを切断して半導体チップに分離する工程と、
前記半導体チップの表面を保護絶縁膜により被覆する工程と、
前記ポリイミド膜を除去する工程と、
リードフレームを準備し、前記リードフレームと前記パッドをワイヤにより接続する工程と、
を具備し、
前記パッドは前記保護絶縁膜から露出している半導体装置の製造方法。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、ウエハ上にパッドを形成する工程と、
前記パッドを被覆するポリイミド膜を形成する工程と、
ウエハを切断して半導体チップに分離する工程と、
前記半導体チップの側面を、ショート不良を防止するための保護絶縁膜により被覆する工程と、
前記ポリイミド膜を除去する工程と、
リードフレームを準備し、前記リードフレームと前記パッドをワイヤにより接続する工程と、
を具備する。
前記パッドを被覆するポリイミド膜を形成する工程と、
ウエハを切断して半導体チップに分離する工程と、
前記半導体チップの側面を、ショート不良を防止するための保護絶縁膜により被覆する工程と、
前記ポリイミド膜を除去する工程と、
リードフレームを準備し、前記リードフレームと前記パッドをワイヤにより接続する工程と、
を具備する。
以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。
図1乃至図4は、本発明の実施例1による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
まず、図1(A)に示すように、図示せぬシリコン基板(ウエハ)上にCV(Chemical Vapor Deposition)法によりシリコン酸化膜などの層間絶縁膜11を堆積する。この後、この層間絶縁膜11上にスパッタ法によりAl合金膜を堆積する。
まず、図1(A)に示すように、図示せぬシリコン基板(ウエハ)上にCV(Chemical Vapor Deposition)法によりシリコン酸化膜などの層間絶縁膜11を堆積する。この後、この層間絶縁膜11上にスパッタ法によりAl合金膜を堆積する。
次に、このAl合金膜上にフォトレジスト膜(図示せず)を塗布し、このフォトレジスト膜を露光、現像することにより、Al合金膜上にはレジストパターンが形成される。この後、このレジストパターンをマスクとしてAl合金膜をエッチングすることにより、層間絶縁膜11上にはAl合金パッド12及びAl合金配線(図示せず)が形成される。Al合金パッド12はAl合金配線を介して図示せぬ半導体素子に電気的に接続されている。
この後、Al合金パッド12及び層間絶縁膜11の上にCVD法によりシリコン窒化膜などからなるパッシベーション膜13を堆積する。次に、このパッシベーション膜13上にレジスト膜を塗布し、このレジスト膜を露光、現像することにより、パッシベーション膜13上にはレジストパターン21が形成される。
次に、図1(B)に示すように、このレジストパターン21をマスクとしてパッシベーション膜13をエッチングすることにより、パッシベーション膜13にAl合金パッド12の上に位置する開口部13aが形成される。この後、この開口部13a内及びパッシベーション膜13を含む全面上にスパッタ法によりTiWなどからなるアンダーバンプメタル層14を形成する。
次に、このアンダーバンプメタル層14の上にレジスト膜を塗布し、このレジスト膜を露光、現像する。これにより、アンダーバンプメタル層14上には、Al合金パッド12上に位置するバンプ形成領域に開口部22aを有するレジストパターン22が形成される。
この後、図1(C)に示すように、このレジストパターン22をマスクとしてアンダーバンプメタル層14の上に金属メッキ法により外部端子としての金バンプ19を形成する。
次いで、図2(D)に示すように、レジストパターン22を剥離し、金バンプ19をマスクとしてアンダーバンプメタル層14をエッチングする。これにより、金バンプ19の下に位置するアンダーバンプメタル層14が残され、それ以外のアンダーバンプメタル層は除去される。
次いで、図2(D)に示すように、レジストパターン22を剥離し、金バンプ19をマスクとしてアンダーバンプメタル層14をエッチングする。これにより、金バンプ19の下に位置するアンダーバンプメタル層14が残され、それ以外のアンダーバンプメタル層は除去される。
次に、金バンプ19及びパッシベーション膜13を含む全面上に外部端子保護用絶縁膜としてポリイミド膜を形成する。次いで、このポリイミド膜上にフォトレジスト膜(図示せず)を塗布し、このフォトレジスト膜を露光、現像することにより、ポリイミド膜上にはレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとしてポリイミド膜をエッチングすることにより、図2(E)に示すように、金バンプ19を覆うように外部端子保護用絶縁膜としてのポリイミド膜15が残される。このポリイミド膜15は、後にICチップ全体を保護絶縁膜で被覆する際に、金バンプ19が保護絶縁膜で被覆されないようにするためのものである。尚、本実施例では、金バンプ19をポリイミド膜で完全に被覆しているが、金バンプ19の少なくとも上部を被覆していれば金バンプ19の側部は必ずしも被覆されてなくても良い。また、本実施例では、ポリイミド膜をレジストパターンを用いてエッチング加工しているが、感光性を有するポリイミド膜であれば、レジストパターンを用いる必要がない。つまり、金バンプ19を含む全面上に感光性ポリイミド膜を塗布し、このポリイミド膜を露光、現像することにより、金バンプ19を覆うようにポリイミド膜15を残すことができる。このようにしてウエハプロセスが終了する。
この後、ウエハにダイシング工程を施す。すなわち、回転したダイシングブレード(図示せず)を用いてウエハをスクライブラインに沿って切断する。これにより、図3(A)に示すように、ウエハから半導体チップ(ICチップ)16が分離される。この際、チップサイドにAlのかえりが発生することがある。
次に、前記ICチップ16を図示せぬCVD装置内のステージ上に載置する。この際、ステージ上には複数のICチップ16を載置することが好ましく、ICチップ16がステージと接触する部分はポリイミド膜15のみであることが好ましい。次いで、CVD装置内で成膜を行うことにより、図3(B)に示すように、ICチップ16の全面には保護縁膜20が形成される。ただし、保護絶縁膜20はICチップ16のポリイミド膜15を全面的に被覆しないことが好ましく、ポリイミド膜15が少なくとも部分的に露出していることが好ましい。尚、保護絶縁膜20としては、例えばシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜を用いることができる。また、保護絶縁膜20の成膜方法はCVD法に限るものではなく、他の方法により保護絶縁膜をICチップ16の表面に被覆しても良い。また、本実施例では、ICチップ16のほぼ全面に保護絶縁膜20を形成しているが、Alのかえりが発生する可能性のある部分であるチップサイドに保護絶縁膜20を被覆すれば、必ずしもICチップの全面に被覆する必要はない。
次いで、保護絶縁膜20を全面エッチングする。本実施例では、全面エッチングの一例としてドライエッチングを用いる。このドライエッチングによるエッチバックにより、ポリイミド膜15の上部では膜厚が薄く部分的にはポリイミド膜15が露出している保護絶縁膜20が除去されて、図3(C)に示すように、金バンプ19の上部はポリイミド膜15が突起状に露出する。その後、図3(D)に示すように、ポリイミド膜15を薬液により除去する。これにより、金バンプ19が突起状に露出される。このようにして金バンプ19以外の表面を保護絶縁膜20で被覆したICチップ16を得ることができる。
この後、図4(E)に示すように、TABテープを準備する。このTABテープはフレキシブルテープ23を有し、このフレキシブルテープ23上には接着剤(図示せず)によりボンディングリード(フィンガー)24が接続されている。ボンディングリード24はその先端にインナーリードを有している。インナーリードはCu薄膜パターンにSnメッキしたものである。
次に、図4(F)に示すように、このインナーリードをICチップ16の金バンプ19上に位置合わせし、インナーリードと金バンプ19を250℃〜500℃程度に加熱し、リード単位面積当り0.1〜0.001g/μm2の荷重をかけて加圧圧着する。これにより、AuとSnを共晶化させてインナーリードが金バンプ19にボンディングされる。このようにしてTAB実装を行う。尚、加熱温度及び加圧する荷重は適宜変更して実施することが可能である。
上記実施例1によれば、ICチップ16の表面を保護絶縁膜20で被覆することにより、半導体組み立て、実装時の障害となるICチップのダイシング側面を絶縁処理できる。このため、ウエハからICチップ16を分離した際、ICチップのチップサイドにAlのかえりが発生しても、実装時にAlのかえりがリード、リードフレームなどに接触することを防止できる。その結果、ICチップの基板とボンディングリードとの電気的なショート、又は、微小リークを防止でき、半導体チップの不良の発生を抑制できる。
尚、上記実施例1では、ICチップ16をTABテープに実装しているが、これに限定されるものではなく、ICチップ16をその他の種々の実装基板に実装することも可能である。
図5及び図6は、本発明の実施例2による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
図5に示すように、層間絶縁膜17上にスパッタ法によりAl合金膜を堆積し、このAl合金膜上に反射防止膜としてのTiN膜をスパッタ法により堆積する。この後、このTiN膜及びAl合金膜をエッチングすることにより、層間絶縁膜17上にAlパッド18が形成され、このAlパッド18上には反射防止膜25が形成される。
図5に示すように、層間絶縁膜17上にスパッタ法によりAl合金膜を堆積し、このAl合金膜上に反射防止膜としてのTiN膜をスパッタ法により堆積する。この後、このTiN膜及びAl合金膜をエッチングすることにより、層間絶縁膜17上にAlパッド18が形成され、このAlパッド18上には反射防止膜25が形成される。
次に、反射防止膜25及び層間絶縁膜17の上にパッシベーション膜26をCVD法により堆積する。この後、プラズマを用いてこのパッシベーション膜26及び反射防止膜25をエッチングする。これにより、パッシベーション膜26及び反射防止膜25には、Alパッド18上に位置する略円形状のパッド開口部26aが形成され、パッド開口部26a内にAlパッド18が露出する。この後、この開口部26a内及びパッシベーション26表面を薬液及び純水により洗浄する。
次いで、Alパッド18及びパッシベーション膜26を含む全面上に外部端子保護用絶縁膜としてポリイミド膜を形成する。次いで、このポリイミド膜上にフォトレジスト膜(図示せず)を塗布し、このフォトレジスト膜を露光、現像することにより、ポリイミド膜上にはレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとしてポリイミド膜をエッチングすることにより、Alパッド18を覆うように外部端子保護用絶縁膜としてのポリイミド膜15が残される。このポリイミド膜15は、後にICチップ全体を保護絶縁膜で被覆する際に、Alパッド18が保護絶縁膜で被覆されないようにするためのものである。尚、本実施例では、Alパッド18をポリイミド膜で完全に被覆しているが、Alパッド18の少なくとも上部を被覆していればAlパッド18の側部は必ずしも被覆されてなくても良い。また、本実施例では、ポリイミド膜をレジストパターンを用いてエッチング加工しているが、感光性を有するポリイミド膜であれば、レジストパターンを用いる必要がない。つまり、Alパッド18を含む全面上に感光性ポリイミド膜を塗布し、このポリイミド膜を露光、現像することにより、Alパッド18を覆うようにポリイミド膜15を残すことができる。このようにしてウエハプロセスが終了する。
この後、ウエハにダイシング工程を施す。すなわち、回転したダイシングブレード(図示せず)を用いてウエハをスクライブラインに沿って切断する。これにより、図6(A)に示すように、ウエハから半導体チップ(ICチップ)27が分離される。この際、チップサイドにAlのかえりが発生することがある。
次に、前記ICチップ27を図示せぬCVD装置内のステージ上に載置する。この際、ステージ上には複数のICチップ27を載置することが好ましく、ICチップ27がステージと接触する部分はポリイミド膜15のみであることが好ましい。
次いで、CVD装置内で成膜を行うことにより、図6(B)に示すように、ICチップ27の全面には保護絶縁膜20が形成される。ただし、保護絶縁膜20はICチップ27のポリイミド膜15を全面的に被覆しないことが好ましく、ポリイミド膜15が少なくとも部分的に露出していることが好ましい。尚、保護絶縁膜20としては、例えばシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜を用いることができる。また、保護絶縁膜20の成膜方法はCVD法に限るものではなく、他の方法により保護絶縁膜をICチップ27の表面に被覆しても良い。また、本実施例では、ICチップ27のほぼ全面に保護絶縁膜20を形成しているが、Alのかえりが発生する可能性のある部分であるチップサイドに保護絶縁膜20を被覆すれば、必ずしもICチップの全面に被覆する必要はない。
次いで、図6(C)に示すように、ポリイミド膜15を薬液により除去する。これにより、ICチップ27の表面においてAlパッド(図示せず)が露出される。このようにしてAlパッド以外の表面を保護絶縁膜20で被覆したICチップ27を得ることができる。
この後、図6(D)に示すように、リードフレーム28を準備する。このリードフレーム28はマウント部28a及びリード28bを有している。次いで、ICチップ27をマウント部28a上に接着剤29を用いてフェイスアップで固定する。次いで、ICチップ27のAlパッドとリード28bをボンディングワイヤ30により電気的に接続する。
上記実施例2においても実施例1と同様の効果を得ることができる。すなわち、ICチップ27の表面を保護絶縁膜20で被覆することにより、半導体組み立て、実装時の障害となるICチップのダイシング側面を絶縁処理できる。このため、ウエハからICチップ27を分離した際、チップサイドにAlのかえりが発生しても、Alのかえりがボンディングワイヤ30に接触することを防止できる。その結果、ICチップの基板とボンディングワイヤ30との電気的なショート、又は微小リークを防止でき、ICチップの不良の発生を抑制できる。
尚、本発明は上記実施例に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。
11…層間絶縁膜、12…Al合金パッド、13…パッシベーション膜、13a…開口部、14…アンダーバンプメタル層、15…ポリイミド膜、16…半導体チップ(ICチップ)、17…層間絶縁膜、18…Alパッド、19…金バンプ、20…保護絶縁膜、21…レジストパターン、22…レジストパターン、22a…開口部、23…フレキシブルテープ、24…ボンディングリード(フィンガー)、25…反射防止膜、26…パッシベーション膜、26a…パッド開口部、27…半導体チップ(ICチップ)、28…リードフレーム、28a…マウント部、28b…リード、29…接着剤、30…ボンディングワイヤ、101…半導体チップ(ICチップ)、102…Alのかえり、103…フレキシブルテープ、104…ボンディングリード(フィンガー)、105…パッド
Claims (14)
- 外部端子を有する半導体チップであって、
前記半導体チップの表面が保護絶縁膜により被覆され、
前記外部端子が前記保護絶縁膜から露出している半導体装置。 - 外部端子を有する半導体チップであって、
前記半導体チップの実装時のショート不良を防止するために前記半導体チップの側面が保護絶縁膜により被覆されている半導体装置。 - 前記外部端子がバンプ又はパッドである請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 半導体チップと、
前記半導体チップの表面を被覆する保護絶縁膜と、
前記半導体チップに形成され、前記保護絶縁膜から露出したバンプと、
前記バンプに接続されたリードと、
を具備する半導体装置。 - 半導体チップと、
前記半導体チップの実装時のショート不良を防止するために前記半導体チップの側面を被覆する保護絶縁膜と、
前記半導体チップに形成されたバンプと、
前記バンプに接続されたリードと、
を具備する半導体装置。 - 半導体チップと、
前記半導体チップの表面を被覆する保護絶縁膜と、
前記半導体チップに形成され、前記保護絶縁膜から露出したパッドと、
前記パッドとワイヤにより接続されたリードフレームと、
を具備する半導体装置。 - 半導体チップと、
前記半導体チップの実装時のショート不良を防止するために前記半導体チップの側面を被覆する保護絶縁膜と、
前記半導体チップに形成されたパッドと、
前記パッドとワイヤにより接続されたリードフレームと、
を具備する半導体装置。 - ウエハ上に外部端子を形成する工程と、
前記外部端子を被覆する外部端子保護用絶縁膜を形成する工程と、
ウエハを切断して半導体チップに分離する工程と、
前記半導体チップの表面を保護絶縁膜により被覆する工程と、
前記外部端子保護用絶縁膜を除去する工程と、
を具備し、
前記外部端子は前記保護絶縁膜から露出している半導体装置の製造方法。 - ウエハ上に外部端子を形成する工程と、
前記外部端子を被覆する外部端子保護用絶縁膜を形成する工程と、
ウエハを切断して半導体チップに分離する工程と、
前記半導体チップの側面を、半導体チップの実装時のショート不良を防止するための保護絶縁膜により被覆する工程と、
前記外部端子保護用絶縁膜を除去する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。 - 前記外部端子保護用絶縁膜を除去する工程の後に、前記半導体チップを基板に実装する工程をさらに具備する請求項8又は9に記載の半導体装置の製造方法。
- ウエハ上にバンプを形成する工程と、
前記バンプを被覆するポリイミド膜を形成する工程と、
ウエハを切断して半導体チップに分離する工程と、
前記半導体チップの表面を保護絶縁膜により被覆する工程と、
前記ポリイミド膜を除去する工程と、
リードを有する基板を準備し、前記リードと前記バンプを加熱して加圧することにより、前記基板に前記半導体チップを実装する工程と、
を具備し、
前記バンプは前記保護絶縁膜から露出している半導体装置の製造方法。 - ウエハ上にバンプを形成する工程と、
前記バンプを被覆するポリイミド膜を形成する工程と、
ウエハを切断して半導体チップに分離する工程と、
前記半導体チップの側面を、半導体チップの実装時のショート不良を防止するための保護絶縁膜により被覆する工程と、
前記ポリイミド膜を除去する工程と、
リードを有する基板を準備し、前記リードと前記バンプを加熱して加圧することにより、前記基板に前記半導体チップを実装する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。 - ウエハ上にパッドを形成する工程と、
前記パッドを被覆するポリイミド膜を形成する工程と、
ウエハを切断して半導体チップに分離する工程と、
前記半導体チップの表面を保護絶縁膜により被覆する工程と、
前記ポリイミド膜を除去する工程と、
リードフレームを準備し、前記リードフレームと前記パッドをワイヤにより接続する工程と、
を具備し、
前記パッドは前記保護絶縁膜から露出している半導体装置の製造方法。 - ウエハ上にパッドを形成する工程と、
前記パッドを被覆するポリイミド膜を形成する工程と、
ウエハを切断して半導体チップに分離する工程と、
前記半導体チップの側面を、ショート不良を防止するための保護絶縁膜により被覆する工程と、
前記ポリイミド膜を除去する工程と、
リードフレームを準備し、前記リードフレームと前記パッドをワイヤにより接続する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003350954A JP2005039170A (ja) | 2003-06-27 | 2003-10-09 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003185623 | 2003-06-27 | ||
JP2003350954A JP2005039170A (ja) | 2003-06-27 | 2003-10-09 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005039170A true JP2005039170A (ja) | 2005-02-10 |
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ID=34220405
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JP2003350954A Withdrawn JP2005039170A (ja) | 2003-06-27 | 2003-10-09 | 半導体装置及びその製造方法 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2005039170A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008004598A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Sanyo Electric Co Ltd | ダイシング装置,ダイシング方法,半導体装置,及び半導体装置の製造方法 |
JP2008218832A (ja) * | 2007-03-06 | 2008-09-18 | Olympus Corp | 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 |
CN110176434A (zh) * | 2019-06-26 | 2019-08-27 | 无锡明祥电子有限公司 | 一种半导体芯片边缘和框架的绝缘封装方法及绝缘隔片 |
-
2003
- 2003-10-09 JP JP2003350954A patent/JP2005039170A/ja not_active Withdrawn
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