JP2001005426A5 - 表示装置及び電子装置 - Google Patents
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Description
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＴＦＴを有する画素部と、データ信号側駆動回路と、ゲート信号側駆動回路とを有し、前記画素部において時分割駆動により画像の階調表示が行なわれる表示装置であって、
前記画素部は、ソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を含む活性層が設けられた電流制御用ＴＦＴを有し、
前記画素部に設けられた前記電流制御用ＴＦＴと発光素子との間には、前記電流制御用ＴＦＴに設けられた活性層に前記電流制御用ＴＦＴが有する活性層の一部からなる抵抗体を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
ＴＦＴを有する画素部と、データ信号側駆動回路と、ゲート信号側駆動回路とを有し、前記画素部において時分割駆動により画像の階調表示が行なわれる表示装置であって、
前記画素部は、ソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を含む活性層が設けられた電流制御用ＴＦＴを有し、
前記画素部に設けられた前記電流制御用ＴＦＴと発光素子との間には、前記電流制御用ＴＦＴに設けられた活性層に前記電流制御用ＴＦＴが有する活性層の一部からなり、該電流制御用ＴＦＴのオン抵抗よりも高い抵抗値を示す抵抗体を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
ＴＦＴを有する画素部と、データ信号側駆動回路と、ゲート信号側駆動回路とを有し、前記画素部において時分割駆動により画像の階調表示が行なわれる表示装置であって、
前記画素部は、ソース領域、ドレイン領域、ＬＤＤ領域及びチャネル形成領域を含む活性層が設けられた電流制御用ＴＦＴを有し、
前記画素部に設けられた前記電流制御用ＴＦＴと発光素子との間には、前記電流制御用ＴＦＴに設けられた活性層に前記電流制御用ＴＦＴが有する活性層の一部からなり、該電流制御用ＴＦＴが有する前記ＬＤＤ領域と同一組成の不純物で形成された抵抗体を有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
ＴＦＴを有する画素部と、データ信号側駆動回路と、ゲート信号側駆動回路とを有し、前記画素部において時分割駆動により画像の階調表示が行なわれる表示装置であって、
前記画素部は、ソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を含む活性層が設けられた電流制御用ＴＦＴを有し、
前記画素部に設けられた前記電流制御用ＴＦＴと発光素子との間には、前記電流制御用ＴＦＴに設けられた活性層に前記電流制御用ＴＦＴが有する活性層の一部からなる抵抗体を有し、
前記抵抗体上には前記電流制御用ＴＦＴが有するゲート電極と同一材料からなる薄膜が設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４において、前記データ信号側駆動回路又は前記ゲート信号側駆動回路に入力されるデータ信号は、
１フレームをｎビット（ｎは２以上の整数）の階調に対応した複数のサブフレーム（ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３…ＳＦ（ｎ−１）、ＳＦ（ｎ）と表す）に分割する第１の手段と、
前記複数のサブフレームにおいて、アドレス期間（Ｔａ）及びサステイン期間（Ｔｓ：但し、ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３…ＳＦ（ｎ−１）、ＳＦ（ｎ）に対応するサステイン期間を各々Ｔｓ１、Ｔｓ２、Ｔｓ３…Ｔｓ（ｎ−１）、Ｔｓ（ｎ）と表す）を選択する第２の手段と、
前記複数のサブフレームにおいて、前記サステイン期間をＴｓ１：Ｔｓ２：Ｔｓ３：…：Ｔｓ（ｎ−１）：Ｔｓ（ｎ）＝２０：２−１：２−２：…：２−（ｎ−２）：２−（ｎ−１）となるように設定する第３の手段と、
を用いて形成されることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項５において、前記第１の手段、第２の手段及び第３の手段は前記画素部が設けられた基板上に実装されたＩＣチップに含まれることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６において、前記ＴＦＴの活性層は｛１１０｝配向に対応する電子線回折像を示すシリコン膜で形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項７において、前記シリコン膜は結晶粒界を有することを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項７において、前記電子線回折像の回折斑点は電子線の照射点を中心とした同心円上に広がりを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれに記載の前記表示装置を有することを特徴とする電子装置。
【請求項１】
ＴＦＴを有する画素部と、データ信号側駆動回路と、ゲート信号側駆動回路とを有し、前記画素部において時分割駆動により画像の階調表示が行なわれる表示装置であって、
前記画素部は、ソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を含む活性層が設けられた電流制御用ＴＦＴを有し、
前記画素部に設けられた前記電流制御用ＴＦＴと発光素子との間には、前記電流制御用ＴＦＴに設けられた活性層に前記電流制御用ＴＦＴが有する活性層の一部からなる抵抗体を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
ＴＦＴを有する画素部と、データ信号側駆動回路と、ゲート信号側駆動回路とを有し、前記画素部において時分割駆動により画像の階調表示が行なわれる表示装置であって、
前記画素部は、ソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を含む活性層が設けられた電流制御用ＴＦＴを有し、
前記画素部に設けられた前記電流制御用ＴＦＴと発光素子との間には、前記電流制御用ＴＦＴに設けられた活性層に前記電流制御用ＴＦＴが有する活性層の一部からなり、該電流制御用ＴＦＴのオン抵抗よりも高い抵抗値を示す抵抗体を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
ＴＦＴを有する画素部と、データ信号側駆動回路と、ゲート信号側駆動回路とを有し、前記画素部において時分割駆動により画像の階調表示が行なわれる表示装置であって、
前記画素部は、ソース領域、ドレイン領域、ＬＤＤ領域及びチャネル形成領域を含む活性層が設けられた電流制御用ＴＦＴを有し、
前記画素部に設けられた前記電流制御用ＴＦＴと発光素子との間には、前記電流制御用ＴＦＴに設けられた活性層に前記電流制御用ＴＦＴが有する活性層の一部からなり、該電流制御用ＴＦＴが有する前記ＬＤＤ領域と同一組成の不純物で形成された抵抗体を有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
ＴＦＴを有する画素部と、データ信号側駆動回路と、ゲート信号側駆動回路とを有し、前記画素部において時分割駆動により画像の階調表示が行なわれる表示装置であって、
前記画素部は、ソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を含む活性層が設けられた電流制御用ＴＦＴを有し、
前記画素部に設けられた前記電流制御用ＴＦＴと発光素子との間には、前記電流制御用ＴＦＴに設けられた活性層に前記電流制御用ＴＦＴが有する活性層の一部からなる抵抗体を有し、
前記抵抗体上には前記電流制御用ＴＦＴが有するゲート電極と同一材料からなる薄膜が設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４において、前記データ信号側駆動回路又は前記ゲート信号側駆動回路に入力されるデータ信号は、
１フレームをｎビット（ｎは２以上の整数）の階調に対応した複数のサブフレーム（ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３…ＳＦ（ｎ−１）、ＳＦ（ｎ）と表す）に分割する第１の手段と、
前記複数のサブフレームにおいて、アドレス期間（Ｔａ）及びサステイン期間（Ｔｓ：但し、ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３…ＳＦ（ｎ−１）、ＳＦ（ｎ）に対応するサステイン期間を各々Ｔｓ１、Ｔｓ２、Ｔｓ３…Ｔｓ（ｎ−１）、Ｔｓ（ｎ）と表す）を選択する第２の手段と、
前記複数のサブフレームにおいて、前記サステイン期間をＴｓ１：Ｔｓ２：Ｔｓ３：…：Ｔｓ（ｎ−１）：Ｔｓ（ｎ）＝２０：２−１：２−２：…：２−（ｎ−２）：２−（ｎ−１）となるように設定する第３の手段と、
を用いて形成されることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項５において、前記第１の手段、第２の手段及び第３の手段は前記画素部が設けられた基板上に実装されたＩＣチップに含まれることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６において、前記ＴＦＴの活性層は｛１１０｝配向に対応する電子線回折像を示すシリコン膜で形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項７において、前記シリコン膜は結晶粒界を有することを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項７において、前記電子線回折像の回折斑点は電子線の照射点を中心とした同心円上に広がりを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれに記載の前記表示装置を有することを特徴とする電子装置。
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