CN1703770A - 半导体基板的切断方法 - Google Patents
半导体基板的切断方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1703770A CN1703770A CNA038255189A CN03825518A CN1703770A CN 1703770 A CN1703770 A CN 1703770A CN A038255189 A CNA038255189 A CN A038255189A CN 03825518 A CN03825518 A CN 03825518A CN 1703770 A CN1703770 A CN 1703770A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- cut
- out portion
- cutting
- predetermined cut
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 347
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 268
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 132
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 106
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 106
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 56
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 claims description 41
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 33
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 24
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 8
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 150
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 150
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 150
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 54
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 54
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 14
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 155
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 39
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 18
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 241000931526 Acer campestre Species 0.000 description 3
- 208000034189 Sclerosis Diseases 0.000 description 3
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 3
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenezinc Chemical compound [Zn]=S WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/2633—Bombardment with radiation with high-energy radiation for etching, e.g. sputteretching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
- B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
- B23K26/0853—Devices involving movement of the workpiece in at least in two axial directions, e.g. in a plane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
- B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D1/00—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor
- B28D1/22—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor by cutting, e.g. incising
- B28D1/221—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor by cutting, e.g. incising by thermic methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/27—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/40—Semiconductor devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
- H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/27—Manufacturing methods
- H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01011—Sodium [Na]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01023—Vanadium [V]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01027—Cobalt [Co]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0103—Zinc [Zn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01039—Yttrium [Y]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0106—Neodymium [Nd]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01075—Rhenium [Re]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/1026—Compound semiconductors
- H01L2924/1032—III-V
- H01L2924/10329—Gallium arsenide [GaAs]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12042—LASER
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12043—Photo diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mining & Mineral Resources (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Dicing (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
Abstract
通过发生多光子吸收在硅晶片(11)内部由熔融处理区域(13)形成预定切断部(9)后,使贴附在硅晶片(11)上的粘接薄片(20)扩张。因此,沿预定切断部(9)高精度地将硅晶片(11)切断成半导体芯片(25)。这时,因为邻接的半导体芯片(25、25)的相对向的切断面(25a、25a)从粘附的状态分离,所以芯片接合树脂层(23)也沿预定切断部(9)切断。因此,与不切断基材(21)地用刀片切断硅晶片(11)和芯片接合树脂层(23)的情形比较,可以效率远高得多地切断硅晶片(11)和芯片接合树脂层(23)。
Description
技术领域
本发明涉及在半导体器件的制造工序等中用于切断半导体基板的半导体基板的切断方法。
背景技术
作为至今已有的这种技术,在日本特开2002-158276号专利公报和特开2000-104040号专利公报中记载了下列那样的技术。首先,在半导体晶片的背面上经过芯片接合(die bonding)树脂层贴附粘接薄片,在将半导体晶片保持在该粘接薄片上的状态中用刀片切断半导体晶片得到半导体晶片。而且,当拾起粘接薄片上的半导体芯片时,使芯片接合树脂与各个半导体芯片一起从粘接薄片剥离。因此,可以省略在半导体芯片背面上涂敷粘合剂等的工序,将半导体芯片粘合在引线框上。
但是,在上述那样的技术中,当用刀片切断保持在粘接薄片上的半导体晶片时,需要一方面不切断粘接薄片,另一方面要确实地切断存在于半导体晶片和粘接薄片之间的芯片接合树脂层。因此,在这种情形中用刀片切断半导体晶片,应该要特别慎重。
发明内容
因此,本发明就是鉴于这种问题提出的,本发明的目的是提供能够与芯片接合树脂层一起高效率地切断半导体基板的半导体基板的切断方法。
为了达到上述目的,与本发明有关的半导体基板的切断方法的特征是它包括通过使聚光点调整到经过芯片接合树脂层贴附了薄片的半导体基板的内部而照射激光,在半导体基板的内部形成由多光子吸收产生的改质区域,利用该改质区域形成预定切断部的工序;和在形成预定切断部的工序后,通过使薄片扩张,沿预定切断部切断半导体基板和芯片接合树脂层的工序。
在该半导体基板的切断方法中,因为通过使聚光点调整到半导体基板内部而照射激光,在半导体基板的内部发生称为多光子吸收的现象,形成改质区域,所以能够利用该改质区域,沿应该切断半导体基板的所需的预定切断线在半导体基板的内部形成预定切断部。这样,当在半导体基板的内部形成预定切断部时,将预定切断部作为起点用比较小的力沿半导体基板的厚度方向发生裂缝。因此,当使贴附在半导体基板上的薄片扩张时,能够沿预定切断部高精度地切断半导体基板。这时,因为切断了的半导体基板的相对向的切断面最初处于粘附状态,伴随着薄片的扩张而分离,所以也沿预定切断部切断存在于半导体基板和薄片之间的芯片接合树脂层。因此,与残留薄片,用刀片切断半导体晶片和芯片接合树脂层的情形比较,可以效率远高得多地沿预定切断部切断半导体基板和芯片接合树脂层。而且,因为切断了的半导体基板的相对向的切断面最初相互粘附着,所以切断了的各个半导体基板和切断了的各个芯片接合树脂层具有大致相同的外形,也能够防止芯片接合树脂从各半导体基板的切断面露出来。
又,与本发明有关的半导体基板的切断方法的特征是它包括通过使聚光点调整到经过芯片接合树脂层贴附了薄片的半导体基板内部,在聚光点中的峰值功率密度为1×108(W/cm2)以上并且脉冲宽度为1μs以下的条件下照射激光,在半导体基板内部形成包含熔融处理区域的改质区域,利用该包含熔融处理区域的改质区域形成预定切断部的工序;和在形成预定切断部的工序后,通过使薄片扩张,沿预定切断部切断半导体基板和芯片接合树脂层的工序。
在这种半导体基板的切断方法中,在形成预定切断部的工序中,使聚光点调整到半导体基板内部,在聚光点中的峰值功率密度为1×108(W/cm2)以上并且脉冲宽度为1μs以下的条件下照射激光。因此,通过多光子吸收局部地加热半导体基板内部。通过该加热在半导体基板内部形成熔融处理区域。因为该熔融处理区域是上述改质区域的一个例子,所以即便用这种半导体基板的切断方法,与残留薄片,用刀片切断半导体晶片和芯片接合树脂层的情形比较,也可以效率远高得多地沿预定切断部切断半导体晶片和芯片接合树脂层。
又,与本发明有关的半导体基板的切断方法的特征是它包括通过使聚光点调整到经过芯片接合树脂层贴附了薄片的半导体基板的内部而照射激光,在半导体基板的内部形成改质区域,利用该改质区域形成预定切断部的工序;和在形成预定切断部的工序后,通过使薄片扩张,沿预定切断部切断半导体基板和芯片接合树脂层的工序。而且,具有该改质区域是熔融处理过的区域的情况。
即便用这种半导体基板的切断方法,根据与上述半导体基板的切断方法同样的理由,与残留薄片,用刀片切断半导体晶片和芯片接合树脂层的情形比较,也可以效率远高得多地沿预定切断部切断半导体晶片和芯片接合树脂层。但是,既具有通过多光子吸收形成改质区域的情形,也具有通过其它原因形成改质区域的情形。
又,与本发明有关的半导体基板的切断方法的特征是它包括通过使聚光点调整到贴附了薄片的半导体基板内部而照射激光,在半导体基板的内部形成改质区域,利用该改质区域形成预定切断部的工序;和在形成预定切断部的工序后,通过使薄片扩张,沿预定切断部切断半导体基板的工序。
如果根据该半导体基板的切断方法,则与残留薄片,用刀片切断半导体晶片的情形比较,可以效率远高得多地沿预定切断部切断半导体晶片。
此外,在与上述的本发明有关的半导体基板的切断方法中,在形成预定切断部的工序中,既可以将预定切断部作为起点,使裂纹(裂缝)到达半导体基板的激光入射侧的表面,也可以将预定切断部作为起点,使裂纹到达半导体基板的与激光入射侧相反侧的背面,或者,也可以将预定切断部作为起点,使裂纹到达半导体基板的激光入射侧的表面和它的相反侧的背面。
又,与本发明有关的半导体基板的切断方法的特征是它包括通过使聚光点调整到经过芯片接合树脂层贴附了薄片的半导体基板的内部而照射激光,在半导体基板的内部形成由多光子吸收产生的改质区域,利用该改质区域形成预定切断部的工序;在形成预定切断部的工序后,通过沿预定切断部在半导体基板中生成应力,沿预定切断部切断半导体基板的工序;和在切断半导体基板的工序后,通过使薄片扩张,沿半导体基板的切断面切断芯片接合树脂层的工序。
即便在该半导体基板的切断方法中,也能够利用由多光子吸收形成的改质区域,沿应该切断半导体基板的所需的预定切断线地在半导体基板内部形成预定切断部。因此,当沿预定切断部在半导体基板中生成应力时,能够沿预定切断部高精度地切断半导体基板。而且,当使贴附在半导体基板上的薄片扩张时,因为切断了的半导体基板的相对向的切断面,从相互粘附状态,伴随着薄片的扩张而分离,所以沿半导体基板的切断面切断存在于半导体基板和薄片之间的芯片接合树脂层。因此,与残留薄片,用刀片切断半导体晶片和芯片接合树脂层的情形比较,可以效率远高得多地沿预定切断部切断半导体基板和芯片接合树脂层。而且,因为切断了的半导体基板的相对向的切断面最初相互粘附着,所以切断了的各个半导体基板和切断了的各个芯片接合树脂层具有大致相同的外形,也能够防止芯片接合树脂从各半导体基板的切断面露出来。
又,与本发明有关的半导体基板的切断方法的特征是它包括通过使聚光点调整到经过芯片接合树脂层贴附了薄片的半导体基板内部,在聚光点中的峰值功率密度为1×108(W/cm2)以上并且脉冲宽度为1μs以下的条件下照射激光,在半导体基板内部形成包含熔融处理区域的改质区域,利用该包含熔融处理区域的改质区域形成预定切断部的工序;在形成预定切断部的工序后,通过沿预定切断部在半导体基板中生成应力,沿预定切断部切断半导体基板的工序;和在切断半导体基板的工序后,通过使薄片扩张,沿半导体基板的切断面切断芯片接合树脂层的工序。
进一步,与本发明有关的半导体基板的切断方法的特征是它包括通过使聚光点调整到经过芯片接合树脂层贴附了薄片的半导体基板的内部而照射激光,在半导体基板的内部形成改质区域,利用该改质区域形成预定切断部的工序;在形成预定切断部的工序后,通过沿预定切断部在半导体基板中生成应力,沿预定切断部切断半导体基板的工序;和在切断半导体基板的工序后,通过使薄片扩张,沿半导体基板的切断面切断芯片接合树脂层的工序。而且,具有该改质区域是熔融处理过的区域的情况。
即便用这些半导体基板的切断方法,根据与上述半导体基板的切断方法同样的理由,与残留薄片,用刀片切断半导体晶片和芯片接合树脂层的情形比较,也可以效率远高得多地沿预定切断部切断半导体晶片和芯片接合树脂层。
为了达到上述目的,与本发明有关的半导体基板的切断方法的特征是它是沿预定切断线切断在表面形成有功能元件的半导体基板的半导体基板的切断方法,它包括通过将半导体基板的背面作为激光入射面使聚光点调整到半导体基板内部而照射激光,形成改质区域,利用该改质区域,沿预定切断线在离开激光入射面预定距离的内侧形成切断起点区域的工序;在形成切断起点区域后,在半导体基板的背面经过芯片接合树脂层安装可以扩张的保持部件的工序;和在安装了保持部件后,通过扩张保持部件,沿预定切断线切断半导体基板和芯片接合树脂层的工序。
在该半导体基板的切断方法中,将在表面形成功能元件的半导体基板作为加工对象。而且,通过将这种半导体基板的背面作为激光入射面使聚光点调整到半导体基板内部而照射激光,产生例如多光子吸收或与其等同的光吸收,沿预定切断线在半导体基板内部形成由改质区域产生的切断起点区域。这时,将半导体基板的背面作为激光入射面是因为存在着将表面作为激光入射面时功能元件妨碍激光入射的担心。这样,当在半导体基板内部形成切断起点区域时,加上自然地或比较小的力,将切断起点区域作为起点发生裂缝,能够使该裂缝到达半导体基板的表面和背面。从而,在形成切断起点区域后,在半导体基板的背面经过芯片接合树脂层安装可以扩张的保持部件,当扩张该保持部件时,沿预定切断线切断的半导体基板的切断面伴随着保持部件的扩张从粘附状态分离。因此,也沿预定切断线切断存在于半导体基板和保持部件之间的芯片接合树脂层。因此,与用刀片切断的情形比较,能够效率远高得多地沿预定切断线切断半导体基板和芯片接合树脂层。而且,因为沿预定切断线切断了的半导体基板的切断面最初相互粘附着,所以切断了的各个半导体基板和切断了的各个芯片接合树脂层具有大致相同的外形,也能够防止芯片接合树脂从各半导体基板的切断面露出来。
这里,所谓功能元件指的是例如,通过晶体生长形成的半导体动作层、光二极管等的受光元件、激光二极管等的发光元件、作为线路形成的电路元件等。
进一步,优选包括在形成切断起点区域前,为了使半导体基板具有预定厚度而研磨半导体基板背面的工序。这样,通过为了使半导体基板具有预定厚度地预先研磨半导体基板背面,可以沿预定切断线更高精度地切断半导体基板和芯片接合树脂层。此外,所谓的研磨意味着包含切削、研削、化学刻蚀等。
又,存在改质区域包含熔融处理区域的情形。当加工对象是半导体基板时,存在着通过激光照射形成熔融处理区域的情形。因为该熔融处理区域是上述改质区域的一个例子,所以在该情形中,也能够容易地切断半导体基板,可以高效率地沿预定切断线切断半导体基板和芯片接合树脂层。
又,在与上述本发明有关的半导体基板的切断方法中,当形成切断起点区域时,既可以将切断起点区域作为起点,使裂纹到达半导体基板的表面,也可以将切断起点区域作为起点,使裂纹到达半导体基板的背面,也可以将切断起点区域作为起点,使裂纹到达半导体基板的表面和背面。
附图说明
图1是用与本实施方式有关的激光加工方法进行激光加工中的半导体基板的平面图。
图2是沿图1所示的半导体基板的II-II线的剖面图。
图3是用与本实施方式有关的激光加工方法进行激光加工后的半导体基板的平面图。
图4是沿图3所示的半导体基板的IV-IV线的剖面图。
图5是沿图3所示的半导体基板的V-V线的剖面图。
图6是用与本实施方式有关的激光加工方法切断的半导体基板的平面图。
图7是表示用与本实施方式有关的激光加工方法切断的硅晶片的一部分中的剖面的照片的图。
图8是表示在与本实施方式有关的激光加工方法中的激光波长和硅基板内部透过率的曲线图。
图9是表示用与本实施方式有关的激光加工装置的概略构成图。
图10是用于说明用与本实施方式有关的激光装置形成预定切断部的顺序的流程图。
图11A和11B是用于说明与本实施方式有关的硅晶片的切断方法的示意图,图11A是表示将粘接薄片贴附在硅晶片上的状态的图,图11B是表示在硅晶片内部形成由熔融处理区域产生的预定切断部的状态的图。
图12A和12B是用于说明与本实施方式有关的硅晶片的切断方法的示意图,图12A是使粘接薄片扩张的状态,图12B是将紫外线照射在粘接薄片上的状态。
图13A和13B是用于说明与本实施方式有关的硅晶片的切断方法的示意图,图13A是拾起切断的芯片接合树脂层和半导体芯片的状态,图13B是经过芯片接合树脂层使半导体芯片与引线框接合的状态。
图14A和14B是用于说明与本实施方式有关的硅晶片的切断方法中的硅晶片和预定切断部的关系的示意图,图14A是表示不发生将预定切断部作为起点的裂纹的状态的图,图14B是表示将预定切断部作为起点的裂纹到达硅晶片的表面和背面的状态的图。
图15A和15B是用于说明与本实施方式有关的硅晶片的切断方法中的硅晶片和预定切断部的关系的示意图,图15A是表示将预定切断部作为起点的裂纹到达硅晶片的表面的状态的图,图15B是表示将预定切断部作为起点的裂纹到达硅晶片的背面的状态的图。
图16A和16B是用于说明与本实施方式有关的硅晶片的切断方法的一个实施例的示意图,图16A是表示就在粘接薄片开始扩张后的状态的图,图16B是表示粘接薄片扩张中的状态的图。
图17A和17B是用于说明与本实施方式有关的硅晶片的切断方法的一个实施例的示意图,图17A是表示在粘接薄片扩张结束后的状态的图,图17B是表示拾起半导体芯片时的状态的图。
图18是用于说明与本实施方式有关的硅晶片的切断方法的其它实施例的示意图。
图19A和19B是用于说明在与本实施方式有关的硅晶片的切断方法的另一个其它实施例中不发生将预定切断部作为起点的裂纹的情形的图,图19A是表示形成由熔融处理区域产生的预定切断部后的状态的图,图19B是表示使粘接薄片扩张后的状态的图。
图20A和20B是用于说明在与本实施方式有关的硅晶片的切断方法的另一个其它实施例中将预定切断部作为起点的裂纹到达硅晶片的表面和背面的情形的图,图20A是表示形成由熔融处理区域产生的预定切断部后的状态的图,图20B是表示使粘接薄片扩张后的状态的图。
图21A和21B是用于说明在与本实施方式有关的硅晶片的切断方法的另一个其它实施例中将预定切断部作为起点的裂纹到达硅晶片的表面的情形的图,图21A是表示形成由熔融处理区域产生的预定切断部后的状态的图,图21B是表示使粘接薄片扩张后的状态的图。
图22A和22B是用于说明在与本实施方式有关的硅晶片的切断方法的另一个其它实施例中将预定切断部作为起点的裂纹到达硅晶片的背面的情形的图,图22A是表示形成由熔融处理区域产生的预定切断部后的状态的图,图22B是表示使粘接薄片扩张的状态的图。
图23是在本实施方式的半导体基板的切断方法中成为加工对象的硅晶片的平面图。
图24A-24C是用于说明本实施方式的半导体基板的切断方法的示意图,图24A是表示将保护膜贴附在硅晶片上的状态的图,图24B是表示使硅晶片薄型化后的状态的图,图24C是表示将紫外线照射在保护膜上的状态的图。
图25A-25C是用于说明本实施方式的半导体基板的切断方法的示意图,图25A是表示将硅晶片和保护膜固定在载置台上的状态的图,图25B是表示将激光照射在硅晶片上的状态的图,图25C是表示在硅晶片内部形成切断起点区域的状态的图。
图26A-26C是用于说明本实施方式的半导体基板的切断方法的示意图,图26A是表示将附有芯片接合树脂的膜贴附在硅晶片上的状态的图,图26B是表示从硅晶片剥离保护膜的状态的图,图26C是表示将紫外线照射在扩张膜上的状态的图。
图27A-27C是用于说明本实施方式的半导体基板的切断方法的示意图,图27A是使扩张膜扩张的状态,图27B是拾取切断的芯片接合树脂层和半导体芯片的状态,图27C是经过芯片接合树脂层使半导体芯片与引线框接合的状态。
具体实施方式
下面,我们参照附图详细说明与本发明有关的半导体基板的切断方法的优先实施方式。
在与本实施方式有关的半导体基板的切断方法中,通过使聚光点调整到半导体基板内部而照射激光,在半导体基板的内部形成由多光子吸收产生的改质区域,利用该改质区域形成预定切断部。因此,在说明与本实施方式有关的半导体基板的切断方法前,我们以多光子吸收为中心说明为了形成预定切断部而实施的激光加工方法。
当光子的能量hv比材料的吸收的能带间隙EG小时材料在光学上是透明的。因此,材料中发生吸收的条件是hv>EG。但是,即便在光学上是透明的,当激光强度非常大,nhv>EG的条件(n=2、3、4……)成立时,也在材料中发生吸收。该现象称为多光子吸收。在脉冲波的情形中,激光强度由激光的聚光点的峰值功率密度(W/cm2)决定,例如在峰值功率密度为1×108(W/cm2)以上的条件下发生多光子吸收。峰值功率密度由(聚光点中的激光的1个脉冲的能量)÷(激光的光束点截面积×脉冲宽度)求得。又,在连续波的情形中,激光强度由激光的聚光点的电场强度(W/cm2)决定。
我们参照图1~图6说明与利用这种多光子吸收的本实施方式有关的激光加工的原理。图1是激光加工中的半导体基板1的平面图,图2是沿图1所示的半导体基板1的II-II线的剖面图,图3是激光加工后的半导体基板1的平面图,图4是沿图3所示的半导体基板1的IV-IV线的剖面图,图5是沿图3所示的半导体基板1的V-V线的剖面图,图6是切断的半导体基板1的平面图。
如图1和图2所示,在半导体基板1的表面3上,具有应该切断半导体基板1的所需的预定切断线5。预定切断线5是直线状延伸的假想线(也可以在半导体基板1上实际划线作为预定切断线5)。与本实施方式有关的激光加工在产生多光子吸收条件下使聚光点P调整到半导体基板1的内部而将激光L照射在半导体基板1上形成改质区域7。此外,所谓的聚光点指的是激光L会聚的地方。
通过使激光L沿预定切断线5(即沿箭头A的方向)相对移动,使聚光点P沿预定切断线5移动。因此,如图3~图5所示,改质区域7只沿预定切断线5在半导体基板1的内部形成,利用该改质区域7形成预定切断部9。与本实施方式有关的激光加工不是通过半导体基板1吸收激光L使半导体基板1发热而形成改质区域7。而是使激光L透过半导体基板1在半导体基板1的内部发生多光子吸收,形成改质区域7。于是,因为在半导体基板1的表面3中几乎不吸收激光L,所以不会使半导体基板1的表面3熔融。
半导体基板1的切断中,因为起点位于要切断的地方,从该起点割裂半导体基板1,所以如图6所示,能够用比较小的力切断半导体基板1。因此,可以在半导体基板1的表面3上不发生不要的裂纹地切断半导体基板1。
此外,在将预定切断部作为起点的半导体基板的切断中,要考虑下列2个情形。一个是,在形成预定切断部后,通过在半导体基板上加上人为的力,将预定切断部作为起点割裂半导体基板,切断半导体基板的情形。这是例如当半导体基板的厚度大时进行切断的情形。当加上人为的力时,例如,沿半导体基板的预定切断部在半导体基板上加上弯曲应力或剪切断应力,或者通过将温度差赋予半导体基板产生热应力的情形。另一个是,通过形成预定切断部,将预定切断部作为起点向着半导体基板的截面方向(厚度方向)自然地进行割裂,结果切断半导体基板的情形。这是例如当半导体基板的厚度小时,可以由1列改质区域形成预定切断部,当半导体基板的厚度大时,可以通过在厚度方向形成多列改质区域,形成预定切断部的情形。此外,在该自然地进行割裂的情形中,因为在要进行切断的地方,裂纹不先进行到与不形成预定切断部的部位对应的部分的表面,只割裂与形成预定切断部的部位对应的部分,所以能够很好地控制切断。近年来,因为存在着硅晶片等的半导体基板的厚度变薄的倾向,所以这种控制性好的切断方法是非常有效的。
又,在本实施方式中作为由多光子吸收形成的改质区域,是下面说明的熔融处理区域。
通过使聚光点调整到半导体基板内部,在聚光点中的电场强度为1×108(W/cm2)以上并且脉冲宽度为1μs以下的条件下照射激光。因此,通过多光子吸收局部地加热半导体基板内部。通过该加热在半导体基板的内部形成熔融处理区域。熔融处理区域是临时熔融后再固化的区域、正在熔融状态的区域、和从熔融状态再固化的状态的区域,也能够称为经过相变的区域或晶体构造变化了的区域。又,熔融处理区域也能够称为在单晶构造、非晶构造、多晶构造中,某个构造变化成别的构造的区域。即,例如,意味着从单晶构造变化到非晶构造的区域、从单晶构造变化到多晶构造的区域、从单晶构造变化到包含非晶构造和多晶构造的构造的区域。当半导体基板是硅单晶构造时,熔融处理区域例如是非晶硅构造。作为电场强度的上限值,例如,为1×1012(W/cm2)。脉冲宽度优选例如为1ns~200ns。
本发明者通过实验确认在硅晶片内部形成熔融处理区域。实验条件如下。
(A)半导体基板:硅晶片(厚度350μm、外径4英寸)
(B)激光
光源:半导体激光激励的Nd:YAG激光器
波长:1064nm
激光斑截面积:3.14×10-8cm2
振荡形态:Q开关脉冲
重复频率:100kHz
脉冲宽度:30ns
输出能量:20μJ/脉冲
激光品质:TEM00
偏振特性:直线偏振
(C)聚光用透镜
放大倍数:50倍
N.A.:0.55
对激光波长的透过率:60%
(D)载置半导体基板的载置台的移动速度:100mm/秒
图7是表示在通过在上述条件下的激光加工切断的硅晶片的一部分中的剖面的照片的图。在硅晶片11的内部形成熔融处理区域13。此外根据上述条件形成的熔融处理区域13的厚度方向的大小约为100μm。
我们说明通过多光子吸收形成熔融处理区域13的情形。图8是表示激光波长和硅基板内部的透过率的关系的曲线图。但是,除去硅基板的表面侧和背面侧各自的反射成分,只表示内部的透过率。表示了硅基板的厚度t分别为50μm、100μm、200μm、500μm、1000μm时的上述关系。
例如,Nd:YAG激光的波长为1064nm,硅基板的厚度t在500μm以下时,我们看到在硅基板内部,激光80%以上透过。因为图7所示的硅晶片11的厚度为350μm,所以在硅晶片的中心附近,即从表面算起的175μm的部分中形成通过多光子吸收产生的熔融处理区域13。因为这时的透过率,当参考厚度200μm的硅晶片时,为90%以上,所以只在硅晶片11的内部吸收很少激光,几乎所有的激光都透过了。这意味着不是在硅晶片11的内部吸收激光而在硅晶片11的内部形成熔融处理区域13(即不是由激光产生的通常加热形成熔融处理区域),熔融处理区域13是通过多光子吸收形成的。例如,在日本熔接学会全国大会演讲概要第66集(2000年4月)的第72页~第73页的“由微微秒脉冲激光进行的硅加工特性的评价”中记载着通过多光子吸收形成熔融处理区域的情况。
此外,通过将利用熔融处理区域形成的预定切断部作为起点,向着截面方向发生断裂,该裂纹到达硅晶片的表面和背面,结果切断硅晶片。既具有到达硅晶片的表面和背面的裂纹自然生长的情形,也具有通过在硅晶片上加力进行生长的情形。此外,当从预定切断部在硅晶片的表面和背面裂纹自然生长时,可以是裂纹从形成预定切断部的熔融处理区域正在熔融的状态生长的情形、和裂纹从形成预定切断部的熔融处理区域正在熔融的状态再固化时生长的情形中的某一个。但是,在无论哪个情形中,只在硅晶片内部形成熔融处理区域,在切断后的切断面上,如图7所示形成只在内部的熔融处理区域。当在半导体基板内部利用熔融处理区域形成预定切断部时,因为切断时,难以产生偏离预定切断部线的不要的裂纹,所以容易控制切断。
此外,如果考虑到半导体基板的晶体构造和它的切开性等,如下地形成切断起点区域,则将该切断起点区域作为起点,可以用更小的力而且高精度地切断半导体基板。
即,在由硅等的金刚石构造的单晶半导体构成的基板的情形中,优选在沿(111)面(第1切开面)和(110)面(第2切开面)的方向上形成切断起点区域。又,在由GaAs等的闪锌矿型构造的III-V族化合物半导体构成基板的情形中,优选在沿(110)面的方向上形成切断起点区域。
此外,如果在应该形成上述切断起点区域的方向(例如,沿单晶硅基板中的(111)面的方向)或者沿与应该形成切断起点区域的方向正交的方向在基板上形成定向平面(orientation flat),则将该定向平面作为基准,可以在基板上容易并且正确地形成沿应该形成切断起点区域的方向的切断起点区域。
下面,我们参照图9说明在上述激光加工方法中使用的激光加工装置。图9是激光加工装置100的概略构成图。
激光加工装置100包括产生激光L的激光源101、为了调节激光L的输出或脉冲宽度等而控制激光源101的激光源控制部102、具有激光L的反射功能并且以使激光L的光轴方向改变90°的方式配置的二向色镜(dichroic mirror)103、会聚由二向色镜103反射的激光L的会聚用透镜105、载置受到由会聚用透镜105会聚的激光L照射的半导体基板1的载置台107、用于使载置台107沿X轴方向移动的X轴载物台109、用于使载置台107沿与X轴方向正交的Y轴方向移动的Y轴载物台111、用于使载置台107沿X轴和Y轴方向正交的Z轴方向移动的Z轴载物台113、和控制这3个载物台109、111、113的移动的载物台控制部115。
因为Z轴方向是与半导体基板1的表面3正交的方向,所以成为入射到半导体基板1的激光L的焦点深度的方向。因此,通过使Z轴载物台113沿Z轴方向移动,能够使激光L的聚光点P调整到(调整到)半导体基板1的内部。又,通过由X(Y)轴载物台109(111)使半导体基板1沿X(Y)轴方向移动,进行该聚光点P的X(Y)轴方向的移动。
激光源101是产生脉冲激光的Nd:YAG激光器。作为能够用于激光源101的激光器,除此以外,还有Nd:YVO4激光器、Nd:YLF激光器和钛蓝宝石激光器。在形成熔融处理区域的情形中,用Nd:YAG激光器、Nd:YVO4激光器、Nd:YLF激光器是令人满意的。在本实施方式中,用脉冲激光加工半导体基板1,但是如果能够引起多光子吸收则也可以用连续波激光。
激光加工装置100进一步包括为了用可见光照明载置在载置台107上的半导体基板1产生可见光线的观察用光源117、配置在与二向色镜103和会聚用透镜105相同的光轴上的可见光用的光束***器119。将二向色镜103配置在光束***器119和会聚用透镜105之间。以具有反射可见光线的大约一半,透过余下一半的功能并且使可见光线的光轴的方向改变90°的方式配置光束***器119。从观察用光源117产生的可见光线约一半被光束***器119反射,该被反射的可见光线透过二向色镜103和会聚用透镜105,照明半导体基板1的包含预定切断线5等的表面3。
激光加工装置100进一步包括配置在与光束***器119、二向色镜103和会聚用透镜105相同的光轴上的摄像元件121和成像透镜123。作为摄像元件121例如是CCD摄像机。照明包含预定切断线5等的表面3的可见光线的反射光透过会聚用透镜105、二向色镜103和光束***器119,由成像透镜123进行成像,由摄像元件121进行摄像,产生摄像数据。
激光加工装置100进一步包括被输入从摄像元件121输出的摄像数据的摄像数据处理部125、控制激光加工装置100整体的整体控制部127、和监视器129。摄像数据处理部125根据摄像数据计算为了使由观察用光源117产生的可见光的焦点重合在表面3上的焦点数据。根据该焦点数据载物台控制部115通过移动控制Z轴载物台113,使可见光的焦点调整到表面3。因此,摄像数据处理部125作为自动聚焦单元起作用。又,摄像数据处理部125根据摄像数据计算表面3的放大图像等的图像数据。将该图像数据发送给整体控制部127,在整体控制部中进行各种处理,发送给监视器129。因此,在监视器129上显示出放大图像等。
将来自载物台控制部115的数据、来自摄像数据处理部125的图形数据等输入到整体控制部127,通过根据这些数据,控制激光源控制部102、观察用光源117和载物台控制部115,对整个激光加工装置100进行控制。因此,整体控制部127作为计算机单元起作用。
我们参照图9和图10说明用以上那样构成的激光加工装置100形成预定切断部的顺序。图10是用于说明用激光加工装置100形成预定切断部的顺序的流程图。
用图中未画出的光谱光度计等测定半导体基板1的光吸收特性。根据该测定结果,选定产生对半导体基板1透明的波长或吸收少的波长的激光L的激光源101(S101)。接着,测定半导体基板1的厚度。根据厚度的测定结果和半导体基板1的折射率,决定半导体基板1的Z轴方向的移动量(S103)。它是为了使激光L的聚光点P位于半导体基板1的内部,将位于半导体基板1的表面3的激光L的聚光点P作为基准的半导体基板1的Z轴方向的移动量。将该移动量输入到整体控制部127。
将半导体基板1载置在激光加工装置100的载置台107上。而且,由观察用光源117产生可见光,照明半导体基板1(S105)。由摄像元件121拍摄包含被照明的预定切断线5的半导体基板1的表面3。预定切断线5是应该切断半导体基板1的所要的假想线。将由摄像元件121拍摄的摄像数据发送给摄像数据处理部125。根据该摄像数据,摄像数据处理部125计算为了使观察用光源117的可见光的焦点位于表面3的焦点数据(S107)。
将该焦点数据发送给载物台控制部115。载物台控制部115根据该焦点数据使Z轴载物台113沿Z轴方向移动(S109)。因此,使观察用光源117的可见光的焦点位于半导体基板1的表面3上。此外,摄像数据处理部125根据摄像数据计算包含预定切断线5的半导体基板1的表面3的放大图像数据。将该放大图像数据经过整体控制部127发送给监视器129,因此在监视器129上显示出预定切断线5附近的放大图像。
将预先在步骤S103决定的移动量数据输入到整体控制部127,将该移动量数据发送给载物台控制部115。载物台控制部115根据该移动量数据,用Z轴载物台113使半导体基板1沿Z轴方向移动到使激光L的聚光点P处于半导体基板1的内部的位置(S111)。
接着,从激光源101产生激光L,将激光L照射在半导体基板1的表面3的预定切断线5上。因为激光L的聚光点P位于半导体基板1的内部,所以只在半导体基板1的内部形成熔融处理区域。而且,以沿预定切断线5的方式,移动X轴载物台109和Y轴载物台111,利用沿预定切断线5形成的熔融处理区域,在半导体基板1的内部形成沿预定切断线5的预定切断部(S113)。
如上所述,结束由激光加工装置100形成预定切断部,在半导体基板1的内部形成预定切断部。当在半导体基板1的内部形成预定切断部时,能够将预定切断部作为起点用比较小的力沿半导体基板1的厚度方向发生裂缝。
下面,我们说明与本实施方式有关的半导体基板的切断方法。此外,这里,用是半导体晶片的硅晶片11作为半导体基板。
首先,如图11A所示,以覆盖硅晶片11的背面17的方式,将粘接薄片20贴附在该背面17上。该粘接薄片20具有厚度约100μm的基材21,在该基材21上,设置层厚约数μm的UV硬化树脂层22。进一步,在该UV硬化树脂层22上设置作为芯片接合用粘合剂起作用的芯片接合树脂层23。此外,在硅晶片11的表面3上,矩阵状地形成多个功能元件。这里,所谓的功能元件指的是光二极管等的受光元件或激光二极管等的发光元件,或作为电路形成的电路元件等。
接着,如图11B所示,例如,通过用上述激光加工装置100使聚光点处于硅晶片11的内部地从表面3侧照射激光,在硅晶片11的内部形成作为改质区域的熔融处理区域13,利用该熔融处理区域13形成预定切断部9。在形成该预定切断部9的过程中,以使激光在矩阵状地配置的多个功能元件之间行走的方式将激光照射在硅晶片11的表面3上,因此,以就在邻接的功能元件之间的下面行走的方式格子状地形成预定切断部9。
在形成预定切断部9后,如图12A所示,由薄片扩张部件30,将粘接薄片20的周围拉向外侧的方式使粘接薄片20扩张。通过该粘接薄片20的扩张,将预定切断部9作为起点在厚度方向发生裂缝,该裂纹到达硅晶片11的表面3和背面17。因此,能够对每个功能元件高精度地切断硅晶片11,得到具有1个功能元件的半导体芯片25。
又,这时,因为邻接的半导体芯片25、25的相对向的切断面25a、25a最初处于粘附的状态,伴随着粘接薄片20的扩张进行分离,所以与切断硅晶片11同时,也沿预定切断部9切断粘附在硅晶片11的背面17上的芯片接合树脂层23。
此外,存在着在形成预定切断部9时已将薄片扩张部件30设置在载置硅晶片11的载物台上的情形、和不设置在该载物台上的情形。在不设置在该载物台上的情形中,在形成预定切断部9后,用运送部件将载置在该载物台上的硅晶片11运送到设置了薄片扩张部件30的其它载物台上。
在粘接薄片20的扩张结束后,如图12B所示,用紫外线从背面侧照射粘接薄片20,使UV硬化树脂层22硬化。因此,降低UV硬化树脂层22和芯片接合树脂层23的粘附力。此外,也可以在粘接薄片20的扩张开始前,进行该紫外线的照射。
接着,如图13A所示,用作为拾起部件的吸附器(collet)等顺次地拾起半导体芯片25。这时,切断芯片接合树脂层23,使它具有与半导体芯片25等同的外形,又,因为降低了芯片接合树脂层23和UV硬化树脂层22的粘附力,所以在切断了的芯片接合树脂层23与半导体芯片25的背面粘附的状态中拾起半导体芯片25。而且,如图13B所示,经过与半导体芯片25的背面粘附的芯片接合树脂层23将半导体芯片25载置在引线框27的顶料板(die pad)上,通过加热进行充填接合。
如上所述,在硅晶片11的切断方法中,利用由由多光子吸收形成的熔融处理区域13,以沿应该切断硅晶片11的所需的预定切断线的方式,在硅晶片11的内部形成预定切断部9。因此,当扩张贴附在硅晶片11上的粘接薄片20时,能够沿预定切断部9高精度地切断硅晶片11,得到半导体芯片25。这时,因为邻接的半导体芯片25、25的相对向的切断面25a、25a最初处于粘附的状态,伴随着粘接薄片20的扩张进行分离,所以也沿预定切断部9切断粘附粘附在硅晶片11的背面17上的芯片接合树脂层23。所以,与不切断基材21地用刀片切断硅晶片11和芯片接合树脂层23的情形比较,可以效率远高得多地沿预定切断部9切断硅晶片11和芯片接合树脂层23。
而且,因为邻接的半导体芯片25、25的相对向的切断面25a、25a最初相互粘附着,所以切断了的各个半导体芯片25和切断了的各个芯片接合树脂层23具有大致相同的外形,也能够防止芯片接合树脂从各半导体芯片25的切断面25a露出来。
以上所述的硅晶片11的切断方法是如图14A所示,直到扩张粘接薄片20前,在硅晶片11中不发生将预定切断部9作为起点的裂纹的情形,但是如图14B所示,也可以在扩张粘接薄片20前,发生将预定切断部9作为起点的裂纹15,使该裂纹15到达硅晶片11的表面3和背面17。作为发生断裂15的方法,例如具有通过沿预定切断部9将刀刃等的施加应力部件按压在硅晶片11的背面17上,沿预定切断部9在硅晶片11中产生弯曲应力或剪断应力的方法、和通过将温度差赋予硅晶片11沿预定切断部9在硅晶片11中生成热应力的方法等。
这样,在形成预定切断部9后,沿预定切断部9在硅晶片11中生成应力,沿预定切断部9切断硅晶片11,能够得到极高精度地切断的半导体芯片25。而且,即便在该情形中,当扩张贴附在硅晶片11上的粘接薄片20时,因为邻接的半导体芯片25、25的相对向的切断面25a、25a从相互粘附的状态,伴随着粘接薄片20的扩张进行分离,所以也沿切断面25a切断粘附在硅晶片11的背面17上的芯片接合树脂层23。因此,即便用这种切断方法,如果与不切断基材21地用刀片切断硅晶片11和芯片接合树脂层23的情形比较,则也可以效率远高得多地沿预定切断部9切断硅晶片11和芯片接合树脂层23。
此外,也存在即便当使硅晶片11的厚度变薄时,沿预定切断部9不生成应力,如图14B所示,将预定切断部9作为起点的裂纹15到达硅晶片11的表面3和背面17的情形。
又,如图15A所示,如果在硅晶片11的内部的表面3近旁形成由熔融处理区域13产生的预定切断部9,使裂纹15到达表面3,则能够使通过断裂得到的半导体芯片25的表面(即,功能元件形成面)的切断精度极高。另一方面,如图15B所示,如果在硅晶片11的内部的背面17近旁形成由熔融处理区域13产生的预定切断部9,使裂纹15到达背面17,则能够通过扩张粘接薄片20,高精度地切断芯片接合树脂层23。
下面,我们说明作为粘接薄片20,用リンテツク股份有限公司的“LE-5000(商品名)”时的实验结果。图16和17是表示在硅晶片11的内部形成由熔融处理区域13产生的预定切断部9后,扩张粘接薄片20时的一连串的状态的示意图,图16A是就在粘接薄片20开始扩张后的状态,图16B是粘接薄片20扩张中的状态,图17A是在粘接薄片20的扩张结束后的状态,图17B是拾起半导体芯片25时的状态。
如图16A所示,就在粘接薄片20开始扩张后,沿预定切断部9切断硅晶片11,邻接的半导体芯片25的相对向的切断面25a、25a处于粘附的状态。这时,还没有切断芯片接合树脂层23。而且,如图16B所示,以伴随着粘接薄片20的扩张,以拉切的方式沿预定切断部9切断芯片接合树脂层23。
这样当粘接薄片20的扩张结束时,如图17A所示,也对每个半导体芯片25切断芯片接合树脂层23。这时,在相互分开的半导体芯片25、25之间的粘接薄片20的基材21上,薄薄地残留着芯片接合树脂层23的一部分23b。又,与半导体芯片25一起切断的芯片接合树脂层23的切断面23a,将半导体芯片25的切断面25a作为基准,形成若干凹状。因此,能够确实地防止来自各半导体芯片25的切断面25a的芯片接合树脂露出来。而且,如图17B所示,能够用吸附器等将半导体芯片25与切断的芯片接合树脂层23一起拾起。
此外,在芯片接合树脂层23由非伸缩性材料构成的情形等中,如图18所示,在相互分离的半导体芯片25、25之间的粘接薄片20的基材21上不残留芯片接合树脂层23。因此,能够使半导体芯片25的切断面25a与粘附在它背面的芯片接合树脂层23的切断面23a大致一致。
又,也可以如图19A所示,经过UV硬化树脂层22,将具有基材21和UV硬化树脂层22的粘接薄片20贴附在硅晶片11的背面17上,在形成由熔融处理区域13产生的预定切断部9后,如图19B所示,使粘接薄片20的周围向外侧扩张,将硅晶片11切断成半导体芯片25。这时,与残留粘接薄片20,用刀片切断硅晶片11的情形比较,可以效率远高得多地沿预定切断部9高精度地切断硅晶片11。
而且,即便在用具有基材21和UV硬化树脂层22的粘接薄片20的硅晶片11的切断方法中,也可以如参照图19说明了的那样,直到扩张粘接薄片20前,在硅晶片11中不仅不发生将预定切断部9作为起点的裂纹,也可以如图20A和20B所示,在扩张粘接薄片20前(图20B),使将预定切断部9作为起点的裂纹15到达硅晶片11的表面3和背面17(图20A)。又,也可以如图21所示,在扩张粘接薄片20前(图21B),使将预定切断部9作为起点的裂纹15到达硅晶片11的表面3(图21A),或者也可以如图22A和22B所示,在扩张粘接薄片20前(图22B),使将预定切断部9作为起点的裂纹15到达硅晶片11的背面17(图22A)。
下面,我们更具体地说明与本发明有关的半导体基板的切断方法的优先的第2实施方式。此外,图23~27是沿图12的硅晶片的XIII-XIII线的部分剖面图。
如图12所示,在成为加工对象的硅晶片(半导体基板)11的表面3上,在定向平面16上沿平行方向和垂直方向矩阵状地布图形成多个功能元件215。如下所示地对每个功能元件215切断这种硅晶片11。
首先,如图24A所示,在硅晶片11的表面3侧上贴附保护膜18,覆盖功能元件215。该保护膜18保护功能元件215并且保护硅晶片11。在贴附保护膜18后,如图24B所示,使硅晶片11具有预定厚度地对硅晶片11的背面17进行平面研削,进一步,对背面17施加化学刻蚀使背面17平滑化。通过这样做,例如,使厚度350μm的硅晶片11薄型化到厚度100μm。在使硅晶片11薄型化后,用紫外线照射保护膜18。因此,使作为保护膜18的粘附层的UV硬化树脂层硬化,容易从硅晶片11剥离保护膜18。
接着,通过用激光加工装置在硅晶片11的内部形成切断起点区域。即,如图25A所示,在激光加工装置的载置台19上,使硅晶片11的背面17向着上方,由真空吸附固定保护膜18,以通过邻接的功能元件215、215之间的方式格子状地设定预定切断线5(请参照图12的双点划线)。而且,如图25B所示,将背面17作为激光入射面使聚光点P处于硅晶片11的内部,在发生上述多光子吸收的条件下照射激光L,通过移动载置台19使聚光点P沿预定切断线5相对移动。因此,如图25C所示,在硅晶片11的内部,沿预定切断线5形成由熔融处理区域13产生的切断起点区域8。
接着,从载置台19取出贴附了保护膜18的硅晶片11,如图26A所示,在硅晶片11的背面17上,贴附附有芯片接合树脂的膜220(例如,贴附リンテツク股份有限公司的“LE-5000(商品名)”)。附有芯片接合树脂的膜220具有厚度约100μm的可以扩张的扩张膜(保持部件)221,在该扩张膜221上,经过层厚约数μm的UV硬化树脂层设置作为芯片接合用的接合剂起作用的芯片接合树脂层223。即,在硅晶片11的背面17上经过芯片接合树脂层223,贴附扩张膜221。此外,在扩张膜221的周边部分上安装着膜扩张部件30。在贴附附有芯片接合树脂的膜220后,如图26B所示,从硅晶片11的表面3侧剥离保护膜18,如图26C所示,用紫外线照射扩张膜221。因此,使作为扩张膜221的粘附层的UV硬化树脂层硬化,容易从扩张膜221剥离芯片接合树脂层223。
接着,如图27A所示,通过由膜扩张部件30,将扩张膜221的周边部分拉向外侧地使扩张膜221扩张。通过该扩张膜221的扩张,将切断起点区域8作为起点在厚度方向发生断裂,该裂纹(断裂裂缝)到达硅晶片11的表面3和背面17。因此,能够沿预定切断线5高精度地切断硅晶片11,得到具有1个功能元件215的半导体芯片25。又,这时,因为邻接的半导体芯片25、25的相对向的切断面25a、25a伴随着扩张膜221的扩张从粘附的状态分离,所以与切断硅晶片11同时,也沿预定切断线5切断粘附粘附在硅晶片11的背面17上的芯片接合树脂层223。
接着,如图27B所示,用吸附器等顺次地拾起半导体芯片25。这时,切断芯片接合树脂层223,使它具有与半导体芯片25等同的外形,又,因为降低了芯片接合树脂层223和扩张膜221的粘附(紧粘附合)力,所以在切断了的芯片接合树脂层223与半导体芯片25的背面紧粘附合的状态中拾起半导体芯片25。而且,如图27C所示,经过与半导体芯片25的背面紧粘附合的芯片接合树脂层223将半导体芯片25载置在引线框27的顶料板上,通过加热进行充填接合。
在如上那样的硅晶片11的切断方法中,通过将在表面3形成功能元件215的硅晶片11作为加工对象,将它的背面17作为激光入射面,使聚光点P调整到硅晶片11的内部地照射激光L。因此,在硅晶片11的内部产生多光子吸收,沿预定切断线5在硅晶片11的内部形成由熔融处理区域13产生的切断起点区域8。这时,将半导体基板的背面作为激光入射面是因为存在着将表面作为激光入射面时功能元件妨碍激光入射的担心。这样,当在硅晶片11内部形成切断起点区域8时,加上自然地或比较小的力,将切断起点区域8作为起点发生断裂,能够使该裂纹到达硅晶片11的表面3和背面17。从而,在形成切断起点区域8后,在硅晶片11的背面17上经过芯片接合树脂层223贴附扩张膜221,当扩张该扩张膜221时,沿预定切断线5切断的硅晶片11的切断面25a、25a伴随着扩张膜221的扩张从粘附(紧贴)状态分离。因此,也沿预定切断线5切断存在于硅晶片11和扩张膜221之间的芯片接合树脂层223。因此,与用刀片切断的情形比较,能够效率远高得多地沿预定切断线5切断硅晶片11和芯片接合树脂层223。
而且,因为沿预定切断线5切断了的硅晶片11的切断面25a、25a最初相互粘附着,所以切断了的各个硅晶片11和切断了的各个芯片接合树脂层223具有大致相同的外形,也能够防止芯片接合树脂从各硅晶片11的切断面25a露出来。
进一步,在硅晶片11的内部形成切断起点区域8前,为了使硅晶片11具有预定厚度地研磨硅晶片11的背面17。这样,通过使硅晶片11薄型化到预定厚度,可以更高精度地沿预定切断线5切断硅晶片11和芯片接合树脂层223。
如以上说明了的那样,如果根据与本发明有关的半导体基板的切断方法,则可以与芯片接合树脂层一起高效率地切断半导体基板。
Claims (18)
1.一种半导体基板的切断方法,其特征在于,它包括:
通过使聚光点调整到经过芯片接合树脂层贴附了薄片的半导体基板的内部而照射激光,在所述半导体基板的内部形成由多光子吸收产生的改质区域,利用该改质区域形成预定切断部的工序;和
在形成所述预定切断部的工序后,通过使所述薄片扩张,沿所述预定切断部切断所述半导体基板和所述芯片接合树脂层的工序。
2.一种半导体基板的切断方法,其特征在于,它包括:
通过使聚光点调整到经过芯片接合树脂层贴附了薄片的半导体基板内部,在聚光点中的峰值功率密度为1×108(W/cm2)以上并且脉冲宽度为1μs以下的条件下照射激光,在所述半导体基板内部形成包含熔融处理区域的改质区域,利用包含该熔融处理区域的改质区域形成预定切断部的工序;和
在形成所述预定切断部的工序后,通过使所述薄片扩张,沿所述预定切断部切断所述半导体基板和所述芯片接合树脂层的工序。
3.一种半导体基板的切断方法,其特征在于,它包括:
通过使聚光点调整到经过芯片接合树脂层贴附了薄片的半导体基板的内部而照射激光,在所述半导体基板的内部形成改质区域,利用该改质区域形成预定切断部的工序;和
在形成所述预定切断部的工序后,通过使所述薄片扩张,沿所述预定切断部切断所述半导体基板和所述芯片接合树脂层的工序。
4.一种半导体基板的切断方法,其特征在于,它包括:
通过使聚光点调整到贴附了薄片的半导体基板内部而照射激光,在所述半导体基板的内部形成改质区域,利用该改质区域形成预定切断部的工序;和
在形成所述预定切断部的工序后,通过使所述薄片扩张,沿所述预定切断部切断所述半导体基板的工序。
5.根据权利要求3或4所述的半导体基板的切断方法,其特征在于:
所述改质区域是经过熔融处理的区域。
6.根据权利要求1~4中任何一项所述的半导体基板的切断方法,其特征在于:
在形成所述预定切断部的工序中,将所述预定切断部作为起点,使裂纹到达所述半导体基板的激光入射侧的表面。
7.根据权利要求1~4中任何一项所述的半导体基板的切断方法,其特征在于:
在形成所述预定切断部的工序中,将所述预定切断部作为起点,使裂纹到达所述半导体基板的与激光入射侧相反侧的背面。
8.根据权利要求1~4中任何一项所述的半导体基板的切断方法,其特征在于:
在形成所述预定切断部的工序中,将所述预定切断部作为起点,使裂纹到达所述半导体基板的激光入射侧的表面和它的相反侧的背面。
9.一种半导体基板的切断方法,其特征在于,它包括:
通过使聚光点调整到经过芯片接合树脂层贴附了薄片的半导体基板的内部而照射激光,在所述半导体基板的内部形成由多光子吸收产生的改质区域,利用该改质区域形成预定切断部的工序;
在形成所述预定切断部的工序后,通过沿所述预定切断部在所述半导体基板中生成应力,沿所述预定切断部切断所述半导体基板的工序;和
在切断所述半导体基板的工序后,通过使所述薄片扩张,沿所述半导体基板的切断面切断所述芯片接合树脂层的工序。
10.一种半导体基板的切断方法,其特征在于,它包括:
通过使聚光点调整到经过芯片接合树脂层贴附了薄片的半导体基板内部,在聚光点中的峰值功率密度为1×108(W/cm2)以上并且脉冲宽度为1μs以下的条件下照射激光,在所述半导体基板内部形成包含熔融处理区域的改质区域,利用包含该熔融处理区域的改质区域形成预定切断部的工序;
在形成所述预定切断部的工序后,通过沿所述预定切断部在所述半导体基板中生成应力,沿所述预定切断部切断所述半导体基板的工序;和
在切断所述半导体基板的工序后,通过使所述薄片扩张,沿所述半导体基板的切断面切断所述芯片接合树脂层的工序。
11.一种半导体基板的切断方法,其特征在于,它包括:
通过使聚光点调整到经过芯片接合树脂层贴附了薄片的半导体基板的内部而照射激光,在所述半导体基板的内部形成改质区域,利用该改质区域形成预定切断部的工序;
在形成所述预定切断部的工序后,通过沿所述预定切断部在所述半导体基板中生成应力,沿所述预定切断部切断所述半导体基板的工序;和
在切断所述半导体基板的工序后,通过使所述薄片扩张,沿所述半导体基板的切断面切断所述芯片接合树脂层的工序。
12.根据权利要求11所述的半导体基板的切断方法,其特征在于:
所述改质区域是经过熔融处理的区域。
13.一种半导体基板的切断方法,沿预定切断线切断在表面形成有功能元件的半导体基板,其特征在于,该方法包括:
通过将所述半导体基板的背面作为激光入射面使聚光点调整到所述半导体基板的内部而照射激光,形成改质区域,利用该改质区域,沿所述预定切断线在离开所述激光入射面规定距离的内侧形成切断起点区域的工序;
在形成所述切断起点区域后,在所述半导体基板的背面经过芯片接合树脂层安装可扩张的保持部件的工序;和
在安装了所述保持部件后,通过使所述保持部件扩张,沿所述预定切断线切断所述半导体基板和所述芯片接合树脂层的工序。
14.根据权利要求13所述的半导体基板的切断方法,其特征在于:
在形成所述切断起点区域前,包括为了使所述半导体基板具有规定厚度而研磨所述半导体基板背面的工序。
15.根据权利要求13或14所述的半导体基板的切断方法,其特征在于:所述改质区域包含熔融处理区域。
16.根据权利要求13~15中任何一项所述的半导体基板的切断方法,其特征在于:
当形成所述切断起点区域时,将所述切断起点区域作为起点,使裂纹到达所述半导体基板的表面。
17.根据权利要求13~15中任何一项所述的半导体基板的切断方法,其特征在于:
当形成所述切断起点区域时,将所述切断起点区域作为起点,使裂纹到达所述半导体基板的背面。
18.根据权利要求13~15中任何一项所述的半导体基板的切断方法,其特征在于:
当形成所述切断起点区域时,将所述切断起点区域作为起点,使裂纹到达所述半导体基板的表面和背面。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP351600/2002 | 2002-12-03 | ||
JP2002351600A JP4358502B2 (ja) | 2002-03-12 | 2002-12-03 | 半導体基板の切断方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNA2008101618735A Division CN101369554A (zh) | 2002-12-03 | 2003-09-11 | 半导体基板的切断方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1703770A true CN1703770A (zh) | 2005-11-30 |
CN100440443C CN100440443C (zh) | 2008-12-03 |
Family
ID=32463160
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB038255189A Expired - Lifetime CN100440443C (zh) | 2002-12-03 | 2003-09-11 | 半导体基板的切断方法 |
CNA2008101618735A Pending CN101369554A (zh) | 2002-12-03 | 2003-09-11 | 半导体基板的切断方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNA2008101618735A Pending CN101369554A (zh) | 2002-12-03 | 2003-09-11 | 半导体基板的切断方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US8263479B2 (zh) |
EP (7) | EP2267763B1 (zh) |
KR (1) | KR100855136B1 (zh) |
CN (2) | CN100440443C (zh) |
AU (1) | AU2003262077A1 (zh) |
ES (7) | ES2479791T3 (zh) |
MY (1) | MY160196A (zh) |
TW (1) | TWI520269B (zh) |
WO (1) | WO2004051721A1 (zh) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101878090A (zh) * | 2007-11-30 | 2010-11-03 | 浜松光子学株式会社 | 加工对象物切断方法 |
CN102470550A (zh) * | 2009-07-28 | 2012-05-23 | 浜松光子学株式会社 | 加工对象物切断方法 |
CN102754185A (zh) * | 2009-12-11 | 2012-10-24 | 夏普株式会社 | 半导体装置的制造方法和半导体装置 |
CN103390604A (zh) * | 2012-05-10 | 2013-11-13 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体器件制造方法以及半导体器件 |
CN106914697A (zh) * | 2011-01-13 | 2017-07-04 | 浜松光子学株式会社 | 激光加工方法 |
CN107256914A (zh) * | 2012-01-26 | 2017-10-17 | 晶元光电股份有限公司 | 发光装置 |
CN107579041A (zh) * | 2016-07-05 | 2018-01-12 | 力成科技股份有限公司 | 封装结构的制作方法 |
CN108214593A (zh) * | 2018-01-02 | 2018-06-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种刀轮、切割装置以及切割方法 |
CN108630601A (zh) * | 2017-03-23 | 2018-10-09 | 东芝存储器株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
CN108695192A (zh) * | 2017-03-29 | 2018-10-23 | 台湾爱司帝科技股份有限公司 | 位置侦测与芯片分离装置 |
Families Citing this family (101)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4659300B2 (ja) | 2000-09-13 | 2011-03-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法 |
CN100485902C (zh) | 2002-03-12 | 2009-05-06 | 浜松光子学株式会社 | 基板的分割方法 |
ATE493226T1 (de) | 2002-03-12 | 2011-01-15 | Hamamatsu Photonics Kk | Verfahren zum schneiden eines bearbeiteten objekts |
TWI326626B (en) | 2002-03-12 | 2010-07-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Laser processing method |
TWI520269B (zh) | 2002-12-03 | 2016-02-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Cutting method of semiconductor substrate |
FR2852250B1 (fr) * | 2003-03-11 | 2009-07-24 | Jean Luc Jouvin | Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau |
WO2004080643A1 (ja) | 2003-03-12 | 2004-09-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | レーザ加工方法 |
JP2005032903A (ja) * | 2003-07-10 | 2005-02-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
EP2269765B1 (en) * | 2003-07-18 | 2014-10-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Cut semiconductor chip |
JP4563097B2 (ja) * | 2003-09-10 | 2010-10-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体基板の切断方法 |
JP4509578B2 (ja) * | 2004-01-09 | 2010-07-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP4598407B2 (ja) * | 2004-01-09 | 2010-12-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP4601965B2 (ja) * | 2004-01-09 | 2010-12-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP2005222989A (ja) * | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
KR101336523B1 (ko) * | 2004-03-30 | 2013-12-03 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 레이저 가공 방법 및 반도체 칩 |
US8604383B2 (en) * | 2004-08-06 | 2013-12-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
JP4198123B2 (ja) | 2005-03-22 | 2008-12-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
NL1029172C2 (nl) * | 2005-06-02 | 2006-12-05 | Fico Bv | Werkwijze en inrichting voor het met een laserstraal snijden van elektronische componenten. |
JP4776994B2 (ja) * | 2005-07-04 | 2011-09-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP2007081037A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Disco Abrasive Syst Ltd | デバイスおよびその製造方法 |
JP4762653B2 (ja) * | 2005-09-16 | 2011-08-31 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
US20070111480A1 (en) * | 2005-11-16 | 2007-05-17 | Denso Corporation | Wafer product and processing method therefor |
JP4830740B2 (ja) * | 2005-11-16 | 2011-12-07 | 株式会社デンソー | 半導体チップの製造方法 |
JP4237745B2 (ja) * | 2005-11-18 | 2009-03-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4907965B2 (ja) * | 2005-11-25 | 2012-04-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4804911B2 (ja) * | 2005-12-22 | 2011-11-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP4907984B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2012-04-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップ |
JP2007235069A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ加工方法 |
JP2007266557A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
US7897487B2 (en) * | 2006-07-03 | 2011-03-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and chip |
JP5183892B2 (ja) | 2006-07-03 | 2013-04-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4954653B2 (ja) | 2006-09-19 | 2012-06-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
WO2008035679A1 (fr) * | 2006-09-19 | 2008-03-27 | Hamamatsu Photonics K. K. | Procédé de traitement au laser et appareil de traitement au laser |
JP5101073B2 (ja) * | 2006-10-02 | 2012-12-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP4964554B2 (ja) * | 2006-10-03 | 2012-07-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5132911B2 (ja) * | 2006-10-03 | 2013-01-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
US8735770B2 (en) * | 2006-10-04 | 2014-05-27 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method for forming a modified region in an object |
US20080206897A1 (en) * | 2007-02-27 | 2008-08-28 | Woo Sik Yoo | Selective Depth Optical Processing |
DE202007004412U1 (de) * | 2007-03-22 | 2008-07-24 | STABILA Messgeräte Gustav Ullrich GmbH | Wasserwaage |
US20080232419A1 (en) * | 2007-03-22 | 2008-09-25 | Seiko Epson Corporation | Laser array chip, laser module, manufacturing method for manufacturing laser module, manufacturing method for manufacturing laser light source, laser light source, illumination device, monitor, and projector |
JP5336054B2 (ja) | 2007-07-18 | 2013-11-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム |
JP5267462B2 (ja) * | 2007-08-03 | 2013-08-21 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP5449665B2 (ja) | 2007-10-30 | 2014-03-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5134928B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2013-01-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物研削方法 |
JP5692969B2 (ja) | 2008-09-01 | 2015-04-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | 収差補正方法、この収差補正方法を用いたレーザ加工方法、この収差補正方法を用いたレーザ照射方法、収差補正装置、及び、収差補正プログラム |
JP5254761B2 (ja) | 2008-11-28 | 2013-08-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP5241525B2 (ja) | 2009-01-09 | 2013-07-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP5241527B2 (ja) | 2009-01-09 | 2013-07-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
KR101757937B1 (ko) | 2009-02-09 | 2017-07-13 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 가공대상물 절단방법 |
EP2402984B1 (en) | 2009-02-25 | 2018-01-10 | Nichia Corporation | Method of manufacturing a semiconductor element, and corresponding semicondutor element |
EP2418041A4 (en) | 2009-04-07 | 2017-06-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser machining device and laser machining method |
JP5491761B2 (ja) | 2009-04-20 | 2014-05-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP5476063B2 (ja) | 2009-07-28 | 2014-04-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
KR101770836B1 (ko) * | 2009-08-11 | 2017-08-23 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 레이저 가공장치 및 레이저 가공방법 |
JP5379604B2 (ja) | 2009-08-21 | 2013-12-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びチップ |
JP2011060848A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Nitto Denko Corp | 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置 |
JP5583981B2 (ja) * | 2010-01-25 | 2014-09-03 | 株式会社ディスコ | レーザー加工方法 |
DE102010009015A1 (de) * | 2010-02-24 | 2011-08-25 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 | Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips |
US8950217B2 (en) | 2010-05-14 | 2015-02-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting object to be processed, method of cutting strengthened glass sheet and method of manufacturing strengthened glass member |
JP5670647B2 (ja) | 2010-05-14 | 2015-02-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP2012000636A (ja) | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Showa Denko Kk | レーザ加工方法 |
KR20130106770A (ko) * | 2010-07-26 | 2013-09-30 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 반도체 디바이스의 제조 방법 |
US8722516B2 (en) | 2010-09-28 | 2014-05-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and method for manufacturing light-emitting device |
JP2012079936A (ja) | 2010-10-01 | 2012-04-19 | Nitto Denko Corp | ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法 |
US8538576B2 (en) * | 2011-04-05 | 2013-09-17 | Asm Technology Singapore Pte. Ltd. | Method of configuring a dicing device, and a dicing apparatus for dicing a workpiece |
JP2012238746A (ja) * | 2011-05-12 | 2012-12-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | 光デバイスウエーハの分割方法 |
WO2012169025A1 (ja) * | 2011-06-08 | 2012-12-13 | 日本電気硝子株式会社 | 板状ガラスの切断方法及びその切断装置 |
JP2013008915A (ja) * | 2011-06-27 | 2013-01-10 | Toshiba Corp | 基板加工方法及び基板加工装置 |
WO2013001448A1 (en) * | 2011-06-27 | 2013-01-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Ultrasound transducer assembly and method of manufacturing the same |
JP2013237097A (ja) * | 2012-05-17 | 2013-11-28 | Disco Corp | 改質層形成方法 |
JP2014179419A (ja) * | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Alpha- Design Kk | 電子部品の接合方法 |
US9640714B2 (en) | 2013-08-29 | 2017-05-02 | Nichia Corporation | Method for manufacturing light emitting element |
US8993412B1 (en) * | 2013-12-05 | 2015-03-31 | Texas Instruments Incorporated | Method for reducing backside die damage during die separation process |
US9859162B2 (en) | 2014-09-11 | 2018-01-02 | Alta Devices, Inc. | Perforation of films for separation |
JP6347714B2 (ja) * | 2014-10-02 | 2018-06-27 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6395613B2 (ja) * | 2015-01-06 | 2018-09-26 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6395632B2 (ja) | 2015-02-09 | 2018-09-26 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6395633B2 (ja) | 2015-02-09 | 2018-09-26 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP2016167552A (ja) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | 株式会社ディスコ | 単結晶基板の加工方法 |
JP6425606B2 (ja) | 2015-04-06 | 2018-11-21 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6429715B2 (ja) | 2015-04-06 | 2018-11-28 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6494382B2 (ja) * | 2015-04-06 | 2019-04-03 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6472333B2 (ja) | 2015-06-02 | 2019-02-20 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6482423B2 (ja) | 2015-07-16 | 2019-03-13 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6472347B2 (ja) | 2015-07-21 | 2019-02-20 | 株式会社ディスコ | ウエーハの薄化方法 |
JP6482425B2 (ja) | 2015-07-21 | 2019-03-13 | 株式会社ディスコ | ウエーハの薄化方法 |
JP6594699B2 (ja) * | 2015-08-18 | 2019-10-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法及び加工対象物切断装置 |
DE112015006857B4 (de) * | 2015-08-31 | 2023-10-05 | Disco Corporation | Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers und Schutzabdeckung zur Verwendung in diesem Verfahren |
KR102546307B1 (ko) | 2015-12-02 | 2023-06-21 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
JP6690983B2 (ja) | 2016-04-11 | 2020-04-28 | 株式会社ディスコ | ウエーハ生成方法及び実第2のオリエンテーションフラット検出方法 |
JP2018042208A (ja) * | 2016-09-09 | 2018-03-15 | 株式会社ディスコ | 表面弾性波デバイスチップの製造方法 |
JP6821245B2 (ja) * | 2016-10-11 | 2021-01-27 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP6858587B2 (ja) | 2017-02-16 | 2021-04-14 | 株式会社ディスコ | ウエーハ生成方法 |
JP6991475B2 (ja) * | 2017-05-24 | 2022-01-12 | 協立化学産業株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP6855127B2 (ja) * | 2017-06-05 | 2021-04-07 | 株式会社ディスコ | チップの製造方法 |
EP3718148B1 (en) | 2017-11-29 | 2022-11-16 | Nichia Corporation | Method for producing semiconductor light emitting element |
DE102018115205A1 (de) * | 2018-06-25 | 2020-01-02 | Vishay Electronic Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Widerstandsbaueinheiten |
US10576585B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-03-03 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US10562130B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-02-18 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US11024501B2 (en) | 2018-12-29 | 2021-06-01 | Cree, Inc. | Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region |
US10611052B1 (en) | 2019-05-17 | 2020-04-07 | Cree, Inc. | Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods |
Family Cites Families (332)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3448510A (en) | 1966-05-20 | 1969-06-10 | Western Electric Co | Methods and apparatus for separating articles initially in a compact array,and composite assemblies so formed |
DE1964332U (de) | 1967-02-27 | 1967-07-20 | Segger & Soehne B | Tragebehaelter fuer industriegeraete. |
JPS4624989Y1 (zh) | 1967-08-31 | 1971-08-28 | ||
US3629545A (en) | 1967-12-19 | 1971-12-21 | Western Electric Co | Laser substrate parting |
GB1246481A (en) | 1968-03-29 | 1971-09-15 | Pilkington Brothers Ltd | Improvements in or relating to the cutting of glass |
US3613974A (en) | 1969-03-10 | 1971-10-19 | Saint Gobain | Apparatus for cutting glass |
JPS4812599Y1 (zh) | 1969-03-24 | 1973-04-05 | ||
US3610871A (en) | 1970-02-19 | 1971-10-05 | Western Electric Co | Initiation of a controlled fracture |
US3626141A (en) | 1970-04-30 | 1971-12-07 | Quantronix Corp | Laser scribing apparatus |
US3824678A (en) | 1970-08-31 | 1974-07-23 | North American Rockwell | Process for laser scribing beam lead semiconductor wafers |
US3790744A (en) | 1971-07-19 | 1974-02-05 | American Can Co | Method of forming a line of weakness in a multilayer laminate |
US3909582A (en) | 1971-07-19 | 1975-09-30 | American Can Co | Method of forming a line of weakness in a multilayer laminate |
US3790051A (en) | 1971-09-07 | 1974-02-05 | Radiant Energy Systems | Semiconductor wafer fracturing technique employing a pressure controlled roller |
US3970819A (en) | 1974-11-25 | 1976-07-20 | International Business Machines Corporation | Backside laser dicing system |
JPS5333050A (en) | 1976-09-08 | 1978-03-28 | Hitachi Ltd | Production of semiconductor element |
US4092518A (en) | 1976-12-07 | 1978-05-30 | Laser Technique S.A. | Method of decorating a transparent plastics material article by means of a laser beam |
JPS53141573A (en) | 1977-05-16 | 1978-12-09 | Toshiba Corp | Pellet dividing method of semiconductor wafer |
US4242152A (en) | 1979-05-14 | 1980-12-30 | National Semiconductor Corporation | Method for adjusting the focus and power of a trimming laser |
JPS5628630A (en) | 1979-08-16 | 1981-03-20 | Kawasaki Steel Corp | Temperature controlling method of high temperature high pressure reacting cylinder |
JPS6041478B2 (ja) | 1979-09-10 | 1985-09-17 | 富士通株式会社 | 半導体レ−ザ素子の製造方法 |
JPS5676522A (en) | 1979-11-29 | 1981-06-24 | Toshiba Corp | Formation of semiconductor thin film |
JPS6043236B2 (ja) | 1980-03-12 | 1985-09-27 | 松下電器産業株式会社 | レ−ザ加工方法 |
US4336439A (en) | 1980-10-02 | 1982-06-22 | Coherent, Inc. | Method and apparatus for laser scribing and cutting |
JPS5836939A (ja) | 1981-08-26 | 1983-03-04 | Toshiba Corp | ガラスウエハの切断方法 |
JPS5854648A (ja) | 1981-09-28 | 1983-03-31 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ装置 |
JPS5857767A (ja) | 1981-10-01 | 1983-04-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レ−ザ装置 |
US4475027A (en) | 1981-11-17 | 1984-10-02 | Allied Corporation | Optical beam homogenizer |
JPS58181492A (ja) | 1982-04-02 | 1983-10-24 | グレタ−ク・アクチエンゲゼルシヤフト | 干渉性のある光ビ−ムの焦点合せの方法および装置 |
JPS58171783A (ja) | 1982-04-02 | 1983-10-08 | Hitachi Ltd | 磁気バブルメモリチツプ |
JPS58171783U (ja) | 1982-05-14 | 1983-11-16 | 有限会社河島農具製作所 | クロ−ラの張り装置 |
JPS6054151B2 (ja) | 1982-10-22 | 1985-11-28 | 株式会社東芝 | レ−ザ切断方法 |
US4689467A (en) | 1982-12-17 | 1987-08-25 | Inoue-Japax Research Incorporated | Laser machining apparatus |
JPS59141233A (ja) | 1983-02-02 | 1984-08-13 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPS59150691A (ja) | 1983-02-15 | 1984-08-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レ−ザ加工機 |
JPH0611071B2 (ja) * | 1983-09-07 | 1994-02-09 | 三洋電機株式会社 | 化合物半導体基板の分割方法 |
US4546231A (en) | 1983-11-14 | 1985-10-08 | Group Ii Manufacturing Ltd. | Creation of a parting zone in a crystal structure |
JPS59130438A (ja) | 1983-11-28 | 1984-07-27 | Hitachi Ltd | 板状物の分離法 |
US4650619A (en) | 1983-12-29 | 1987-03-17 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Method of machining a ceramic member |
JPS60144985A (ja) | 1983-12-30 | 1985-07-31 | Fujitsu Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
JPS60167351A (ja) | 1984-02-09 | 1985-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 混成集積回路装置の製造方法 |
US4562333A (en) | 1984-09-04 | 1985-12-31 | General Electric Company | Stress assisted cutting of high temperature embrittled materials |
JPS6196439A (ja) | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Toray Ind Inc | レンズ欠点検査装置 |
JPS61112345A (ja) | 1984-11-07 | 1986-05-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPS61121453A (ja) | 1984-11-19 | 1986-06-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ぜい性薄板のブレイキング・エキスパンド方法 |
JPS61220339A (ja) | 1985-03-26 | 1986-09-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体材料特性の制御方法 |
JPS61229487A (ja) | 1985-04-03 | 1986-10-13 | Sasaki Glass Kk | レ−ザビ−ムによるガラス切断方法 |
JPS624341A (ja) | 1985-06-29 | 1987-01-10 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPS6240986A (ja) | 1985-08-20 | 1987-02-21 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | レ−ザ−加工方法 |
JPH0732281B2 (ja) | 1985-10-25 | 1995-04-10 | 株式会社日立製作所 | 劈開装置及び劈開方法 |
AU584563B2 (en) | 1986-01-31 | 1989-05-25 | Ciba-Geigy Ag | Laser marking of ceramic materials, glazes, glass ceramics and glasses |
US4691093A (en) | 1986-04-22 | 1987-09-01 | United Technologies Corporation | Twin spot laser welding |
FR2605310B1 (fr) | 1986-10-16 | 1992-04-30 | Comp Generale Electricite | Procede de renforcement de pieces ceramiques par traitement au laser |
US4815854A (en) | 1987-01-19 | 1989-03-28 | Nec Corporation | Method of alignment between mask and semiconductor wafer |
JPH0688149B2 (ja) | 1987-03-04 | 1994-11-09 | 株式会社半導体エネルギ−研究所 | 光加工方法 |
JPS63278692A (ja) | 1987-05-07 | 1988-11-16 | D S Sukiyanaa:Kk | レ−ザ−加工装置に於ける自動焦点機構 |
JPS6438209A (en) | 1987-08-04 | 1989-02-08 | Nec Corp | Preparation of semiconductor device |
JPH01112130A (ja) | 1987-10-26 | 1989-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 赤外光ファイバの評価方法 |
US4981525A (en) | 1988-02-19 | 1991-01-01 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device |
JPH0256987A (ja) | 1988-02-23 | 1990-02-26 | Mitsubishi Electric Corp | 混成集積回路の実装方法 |
JPH01225509A (ja) | 1988-03-04 | 1989-09-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体基板の分割方法 |
JPH01225510A (ja) | 1988-03-04 | 1989-09-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体基板の切断分割方法 |
JPH01133701U (zh) | 1988-03-07 | 1989-09-12 | ||
JP2680039B2 (ja) | 1988-06-08 | 1997-11-19 | 株式会社日立製作所 | 光情報記録再生方法及び記録再生装置 |
JP2507665B2 (ja) | 1989-05-09 | 1996-06-12 | 株式会社東芝 | 電子管用金属円筒部材の製造方法 |
JP2810151B2 (ja) | 1989-10-07 | 1998-10-15 | ホーヤ株式会社 | レーザマーキング方法 |
JP2765746B2 (ja) | 1990-03-27 | 1998-06-18 | 科学技術振興事業団 | 微細修飾・加工方法 |
JP2891264B2 (ja) | 1990-02-09 | 1999-05-17 | ローム 株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US5132505A (en) | 1990-03-21 | 1992-07-21 | U.S. Philips Corporation | Method of cleaving a brittle plate and device for carrying out the method |
JPH03276662A (ja) | 1990-03-26 | 1991-12-06 | Nippon Steel Corp | ウエハ割断法 |
JP2620723B2 (ja) | 1990-05-24 | 1997-06-18 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3024990B2 (ja) | 1990-08-31 | 2000-03-27 | 日本石英硝子株式会社 | 石英ガラス材料の切断加工方法 |
JPH04167985A (ja) | 1990-10-31 | 1992-06-16 | Nagasaki Pref Gov | ウェハの割断方法 |
FR2669427B1 (fr) | 1990-11-16 | 1993-01-22 | Thomson Csf | Dispositif de controle d'alignement de deux voies optiques et systeme de designation laser equipe d'un tel dispositif de controle. |
JPH04188847A (ja) | 1990-11-22 | 1992-07-07 | Mitsubishi Electric Corp | 粘着テープ |
US5211805A (en) * | 1990-12-19 | 1993-05-18 | Rangaswamy Srinivasan | Cutting of organic solids by continuous wave ultraviolet irradiation |
JPH0639572A (ja) | 1991-01-11 | 1994-02-15 | Souei Tsusho Kk | ウェハ割断装置 |
IL97479A (en) | 1991-03-08 | 1994-01-25 | Shafir Aaron | Laser beam heating method and apparatus |
JP3165192B2 (ja) | 1991-03-28 | 2001-05-14 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JPH04300084A (ja) | 1991-03-28 | 1992-10-23 | Toshiba Corp | レーザ加工機 |
JPH04339586A (ja) | 1991-05-13 | 1992-11-26 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ加工装置 |
JP3213338B2 (ja) | 1991-05-15 | 2001-10-02 | 株式会社リコー | 薄膜半導体装置の製法 |
US5230184A (en) | 1991-07-05 | 1993-07-27 | Motorola, Inc. | Distributed polishing head |
US5762744A (en) | 1991-12-27 | 1998-06-09 | Rohm Co., Ltd. | Method of producing a semiconductor device using an expand tape |
GB2263195B (en) * | 1992-01-08 | 1996-03-20 | Murata Manufacturing Co | Component supply method |
RU2024441C1 (ru) | 1992-04-02 | 1994-12-15 | Владимир Степанович Кондратенко | Способ резки неметаллических материалов |
US5254149A (en) | 1992-04-06 | 1993-10-19 | Ford Motor Company | Process for determining the quality of temper of a glass sheet using a laser beam |
JP3101421B2 (ja) | 1992-05-29 | 2000-10-23 | 富士通株式会社 | 整形金属パターンの製造方法 |
JP3088193B2 (ja) | 1992-06-05 | 2000-09-18 | 三菱電機株式会社 | Loc構造を有する半導体装置の製造方法並びにこれに使用するリードフレーム |
GB9216643D0 (en) | 1992-08-05 | 1992-09-16 | Univ Loughborough | Automatic operations on materials |
CA2152067A1 (en) | 1992-12-18 | 1994-07-07 | Boris Goldfarb | Process and apparatus for etching an image within a solid article |
JP3255741B2 (ja) | 1992-12-22 | 2002-02-12 | リンテック株式会社 | ウェハダイシング方法、およびこの方法に用いる放射線照射装置ならびにウェハ貼着用粘着シート |
JP2720744B2 (ja) | 1992-12-28 | 1998-03-04 | 三菱電機株式会社 | レーザ加工機 |
US5382770A (en) | 1993-01-14 | 1995-01-17 | Reliant Laser Corporation | Mirror-based laser-processing system with visual tracking and position control of a moving laser spot |
US5637244A (en) | 1993-05-13 | 1997-06-10 | Podarok International, Inc. | Method and apparatus for creating an image by a pulsed laser beam inside a transparent material |
EP0656241B1 (en) | 1993-06-04 | 1998-12-23 | Seiko Epson Corporation | Apparatus and method for laser machining |
JPH0775955A (ja) * | 1993-06-17 | 1995-03-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | 精密切削装置 |
US5580473A (en) | 1993-06-21 | 1996-12-03 | Sanyo Electric Co. Ltd. | Methods of removing semiconductor film with energy beams |
JPH0729855A (ja) | 1993-07-12 | 1995-01-31 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体ウエハのエキスパンデイング方法 |
JPH0732281A (ja) | 1993-07-19 | 1995-02-03 | Toyoda Mach Works Ltd | ロボット制御装置 |
JP2616247B2 (ja) * | 1993-07-24 | 1997-06-04 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JPH0740336A (ja) | 1993-07-30 | 1995-02-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンドの加工方法 |
GB2281129B (en) | 1993-08-19 | 1997-04-09 | United Distillers Plc | Method of marking a body of glass |
JPH0776167A (ja) | 1993-09-08 | 1995-03-20 | Miyachi Technos Kk | レーザマーキング方法 |
US5376793A (en) | 1993-09-15 | 1994-12-27 | Stress Photonics, Inc. | Forced-diffusion thermal imaging apparatus and method |
JP2760288B2 (ja) | 1993-12-28 | 1998-05-28 | 日本電気株式会社 | ビアホール形成法及びフィルム切断法 |
DE4404141A1 (de) | 1994-02-09 | 1995-08-10 | Fraunhofer Ges Forschung | Vorrichtung und Verfahren zur Laserstrahlformung, insbesondere bei der Laserstrahl-Oberflächenbearbeitung |
JPH07263382A (ja) | 1994-03-24 | 1995-10-13 | Kawasaki Steel Corp | ウェーハ固定用テープ |
US5656186A (en) | 1994-04-08 | 1997-08-12 | The Regents Of The University Of Michigan | Method for controlling configuration of laser induced breakdown and ablation |
US5776220A (en) | 1994-09-19 | 1998-07-07 | Corning Incorporated | Method and apparatus for breaking brittle materials |
US5622540A (en) | 1994-09-19 | 1997-04-22 | Corning Incorporated | Method for breaking a glass sheet |
JP3374880B2 (ja) | 1994-10-26 | 2003-02-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法、及び半導体装置 |
JP3535241B2 (ja) | 1994-11-18 | 2004-06-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体デバイス及びその作製方法 |
JPH08148692A (ja) | 1994-11-24 | 1996-06-07 | Sony Corp | 薄膜半導体装置の製造方法 |
US5543365A (en) | 1994-12-02 | 1996-08-06 | Texas Instruments Incorporated | Wafer scribe technique using laser by forming polysilicon |
JPH08197271A (ja) | 1995-01-27 | 1996-08-06 | Ricoh Co Ltd | 脆性材料の割断方法及び脆性材料の割断装置 |
US5841543A (en) | 1995-03-09 | 1998-11-24 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for verifying the presence of a material applied to a substrate |
JPH08264488A (ja) | 1995-03-22 | 1996-10-11 | Nec Corp | ウェハスクライブ装置及び方法 |
JP3509985B2 (ja) | 1995-03-24 | 2004-03-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体デバイスのチップ分離方法 |
US5786560A (en) | 1995-03-31 | 1998-07-28 | Panasonic Technologies, Inc. | 3-dimensional micromachining with femtosecond laser pulses |
JP2737744B2 (ja) | 1995-04-26 | 1998-04-08 | 日本電気株式会社 | ウエハプロービング装置 |
JPH09150286A (ja) | 1995-06-26 | 1997-06-10 | Corning Inc | 脆弱性材料切断方法および装置 |
JPH0917756A (ja) * | 1995-06-28 | 1997-01-17 | Toshiba Corp | 半導体用保護テープおよびその使用方法 |
KR970008386A (ko) | 1995-07-07 | 1997-02-24 | 하라 세이지 | 기판의 할단(割斷)방법 및 그 할단장치 |
JPH0929472A (ja) | 1995-07-14 | 1997-02-04 | Hitachi Ltd | 割断方法、割断装置及びチップ材料 |
JP3923526B2 (ja) | 1995-08-31 | 2007-06-06 | コーニング インコーポレイテッド | 壊れやすい材料の分断方法および装置 |
US6057525A (en) | 1995-09-05 | 2000-05-02 | United States Enrichment Corporation | Method and apparatus for precision laser micromachining |
US5641416A (en) | 1995-10-25 | 1997-06-24 | Micron Display Technology, Inc. | Method for particulate-free energy beam cutting of a wafer of die assemblies |
KR0171947B1 (ko) | 1995-12-08 | 1999-03-20 | 김주용 | 반도체소자 제조를 위한 노광 방법 및 그를 이용한 노광장치 |
JP3592018B2 (ja) | 1996-01-22 | 2004-11-24 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | ポリイミド接着シートおよびポリイミド用工程フィルム |
MY118036A (en) * | 1996-01-22 | 2004-08-30 | Lintec Corp | Wafer dicing/bonding sheet and process for producing semiconductor device |
JPH09213662A (ja) | 1996-01-31 | 1997-08-15 | Toshiba Corp | ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法 |
JPH09216085A (ja) | 1996-02-07 | 1997-08-19 | Canon Inc | 基板の切断方法及び切断装置 |
JP3660741B2 (ja) | 1996-03-22 | 2005-06-15 | 株式会社日立製作所 | 電子回路装置の製造方法 |
US6220058B1 (en) | 1996-03-25 | 2001-04-24 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd | Method of changing the surface of a glass substrate containing silver, by using a laser beam |
JPH09298339A (ja) | 1996-04-30 | 1997-11-18 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザの製法 |
JP3259014B2 (ja) | 1996-07-24 | 2002-02-18 | ミヤチテクノス株式会社 | スキャニング式レーザマーキング方法及び装置 |
JPH1071483A (ja) | 1996-08-29 | 1998-03-17 | Hitachi Constr Mach Co Ltd | 脆性材料の割断方法 |
DK109197A (da) | 1996-09-30 | 1998-03-31 | Force Instituttet | Fremgangsmåde til bearbejdning af et materiale ved hjælp af en laserstråle |
JPH10128567A (ja) | 1996-10-30 | 1998-05-19 | Nec Kansai Ltd | レーザ割断方法 |
DE19646332C2 (de) | 1996-11-09 | 2000-08-10 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Veränderung des optischen Verhaltens an der Oberfläche und/oder innerhalb eines Werkstückes mittels eines Lasers |
JPH10163780A (ja) | 1996-12-04 | 1998-06-19 | Ngk Insulators Ltd | 圧電単結晶からなる振動子の製造方法 |
JP3468676B2 (ja) | 1996-12-19 | 2003-11-17 | リンテック株式会社 | チップ体の製造方法 |
JP3421523B2 (ja) | 1997-01-30 | 2003-06-30 | 三洋電機株式会社 | ウエハーの分割方法 |
US6312800B1 (en) | 1997-02-10 | 2001-11-06 | Lintec Corporation | Pressure sensitive adhesive sheet for producing a chip |
JPH10305420A (ja) | 1997-03-04 | 1998-11-17 | Ngk Insulators Ltd | 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法 |
US6529362B2 (en) | 1997-03-06 | 2003-03-04 | Applied Materials Inc. | Monocrystalline ceramic electrostatic chuck |
US5976392A (en) | 1997-03-07 | 1999-11-02 | Yageo Corporation | Method for fabrication of thin film resistor |
JP3230572B2 (ja) | 1997-05-19 | 2001-11-19 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物系化合物半導体素子の製造方法及び半導体発光素子 |
US6156030A (en) | 1997-06-04 | 2000-12-05 | Y-Beam Technologies, Inc. | Method and apparatus for high precision variable rate material removal and modification |
BE1011208A4 (fr) | 1997-06-11 | 1999-06-01 | Cuvelier Georges | Procede de decalottage de pieces en verre. |
JP3767978B2 (ja) | 1997-06-26 | 2006-04-19 | 三菱鉛筆株式会社 | 棒状化粧料 |
DE19728766C1 (de) | 1997-07-07 | 1998-12-17 | Schott Rohrglas Gmbh | Verwendung eines Verfahrens zur Herstellung einer Sollbruchstelle bei einem Glaskörper |
JPH1128586A (ja) | 1997-07-08 | 1999-02-02 | Keyence Corp | レーザマーキング装置 |
US6294439B1 (en) | 1997-07-23 | 2001-09-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device |
JP3498895B2 (ja) | 1997-09-25 | 2004-02-23 | シャープ株式会社 | 基板の切断方法および表示パネルの製造方法 |
JP3208730B2 (ja) | 1998-01-16 | 2001-09-17 | 住友重機械工業株式会社 | 光透過性材料のマーキング方法 |
JP3292294B2 (ja) | 1997-11-07 | 2002-06-17 | 住友重機械工業株式会社 | レーザを用いたマーキング方法及びマーキング装置 |
JPH11121517A (ja) | 1997-10-09 | 1999-04-30 | Hitachi Ltd | 半導体素子搭載装置および搭載方法 |
JPH11162889A (ja) | 1997-11-25 | 1999-06-18 | Sony Corp | ウエハのブレーキング・延伸装置及び方法 |
JPH11156564A (ja) | 1997-11-28 | 1999-06-15 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 耐熱性透明体およびその製造方法 |
JP3449201B2 (ja) | 1997-11-28 | 2003-09-22 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子の製造方法 |
JP3076290B2 (ja) | 1997-11-28 | 2000-08-14 | 山形日本電気株式会社 | 半導体チップのピックアップ装置およびその方法 |
JP3532100B2 (ja) | 1997-12-03 | 2004-05-31 | 日本碍子株式会社 | レーザ割断方法 |
JPH11177176A (ja) | 1997-12-10 | 1999-07-02 | Hitachi Cable Ltd | 半導体レーザ |
JP3604550B2 (ja) | 1997-12-16 | 2004-12-22 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子の製造方法 |
JPH11204551A (ja) | 1998-01-19 | 1999-07-30 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP3352934B2 (ja) | 1998-01-21 | 2002-12-03 | 理化学研究所 | 高強度超短パルスレーザー加工方法およびその装置 |
JP4132172B2 (ja) * | 1998-02-06 | 2008-08-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | パルスレーザ加工装置 |
US6641662B2 (en) | 1998-02-17 | 2003-11-04 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Method for fabricating ultra thin single-crystal metal oxide wave retarder plates and waveguide polarization mode converter using the same |
JPH11240730A (ja) | 1998-02-27 | 1999-09-07 | Nec Kansai Ltd | 脆性材料の割断方法 |
US6057180A (en) | 1998-06-05 | 2000-05-02 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method of severing electrically conductive links with ultraviolet laser output |
JP3152206B2 (ja) | 1998-06-19 | 2001-04-03 | 日本電気株式会社 | オートフォーカス装置及びオートフォーカス方法 |
JP2000015467A (ja) | 1998-07-01 | 2000-01-18 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | 光による被加工材の加工方法および加工装置 |
US6181728B1 (en) | 1998-07-02 | 2001-01-30 | General Scanning, Inc. | Controlling laser polarization |
JP3784543B2 (ja) | 1998-07-29 | 2006-06-14 | Ntn株式会社 | パターン修正装置および修正方法 |
JP3156776B2 (ja) | 1998-08-03 | 2001-04-16 | 日本電気株式会社 | レーザ照射方法 |
US6407360B1 (en) | 1998-08-26 | 2002-06-18 | Samsung Electronics, Co., Ltd. | Laser cutting apparatus and method |
US6402004B1 (en) | 1998-09-16 | 2002-06-11 | Hoya Corporation | Cutting method for plate glass mother material |
JP3605651B2 (ja) | 1998-09-30 | 2004-12-22 | 日立化成工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2000124537A (ja) | 1998-10-21 | 2000-04-28 | Sharp Corp | 半導体レーザチップの製造方法とその方法に用いられる製造装置 |
US6413839B1 (en) | 1998-10-23 | 2002-07-02 | Emcore Corporation | Semiconductor device separation using a patterned laser projection |
US6172329B1 (en) | 1998-11-23 | 2001-01-09 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Ablated laser feature shape reproduction control |
JP3178524B2 (ja) | 1998-11-26 | 2001-06-18 | 住友重機械工業株式会社 | レーザマーキング方法と装置及びマーキングされた部材 |
KR100338983B1 (ko) | 1998-11-30 | 2002-07-18 | 윤종용 | 웨이퍼분리도구및이를이용하는웨이퍼분리방법 |
US6252197B1 (en) * | 1998-12-01 | 2001-06-26 | Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. | Method and apparatus for separating non-metallic substrates utilizing a supplemental mechanical force applicator |
US6420678B1 (en) * | 1998-12-01 | 2002-07-16 | Brian L. Hoekstra | Method for separating non-metallic substrates |
US6211488B1 (en) | 1998-12-01 | 2001-04-03 | Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. | Method and apparatus for separating non-metallic substrates utilizing a laser initiated scribe |
US6259058B1 (en) | 1998-12-01 | 2001-07-10 | Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. | Apparatus for separating non-metallic substrates |
IL127388A0 (en) | 1998-12-03 | 1999-10-28 | Universal Crystal Ltd | Material processing applications of lasers using optical breakdown |
JP2000195828A (ja) | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Denso Corp | ウエハの切断分離方法およびウエハの切断分離装置 |
US6127005A (en) | 1999-01-08 | 2000-10-03 | Rutgers University | Method of thermally glazing an article |
JP2000219528A (ja) | 1999-01-18 | 2000-08-08 | Samsung Sdi Co Ltd | ガラス基板の切断方法及びその装置 |
EP1022778A1 (en) | 1999-01-22 | 2000-07-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device |
JP3569147B2 (ja) | 1999-01-26 | 2004-09-22 | 松下電器産業株式会社 | 基板の切断方法 |
JP2000210785A (ja) | 1999-01-26 | 2000-08-02 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 複数ビ―ムレ―ザ加工装置 |
EP1026735A3 (en) | 1999-02-03 | 2004-01-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device |
JP4040819B2 (ja) | 1999-02-03 | 2008-01-30 | 株式会社東芝 | ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法 |
JP4119028B2 (ja) | 1999-02-19 | 2008-07-16 | 小池酸素工業株式会社 | レーザーピアシング方法 |
JP2000237885A (ja) | 1999-02-19 | 2000-09-05 | Koike Sanso Kogyo Co Ltd | レーザー切断方法 |
US6208020B1 (en) | 1999-02-24 | 2001-03-27 | Matsushita Electronics Corporation | Leadframe for use in manufacturing a resin-molded semiconductor device |
JP3426154B2 (ja) | 1999-02-26 | 2003-07-14 | 科学技術振興事業団 | グレーティング付き光導波路の製造方法 |
JP2000247671A (ja) | 1999-03-04 | 2000-09-12 | Takatori Corp | ガラスの分断方法 |
TW445545B (en) | 1999-03-10 | 2001-07-11 | Mitsubishi Electric Corp | Laser heat treatment method, laser heat treatment apparatus and semiconductor device |
JP3648399B2 (ja) | 1999-03-18 | 2005-05-18 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2000323441A (ja) | 1999-05-10 | 2000-11-24 | Hitachi Cable Ltd | セラミックス基板上に形成した光導波回路チップの切断方法 |
US6285002B1 (en) | 1999-05-10 | 2001-09-04 | Bryan Kok Ann Ngoi | Three dimensional micro machining with a modulated ultra-short laser pulse |
US6562698B2 (en) | 1999-06-08 | 2003-05-13 | Kulicke & Soffa Investments, Inc. | Dual laser cutting of wafers |
US6420245B1 (en) | 1999-06-08 | 2002-07-16 | Kulicke & Soffa Investments, Inc. | Method for singulating semiconductor wafers |
JP2000349107A (ja) | 1999-06-09 | 2000-12-15 | Nitto Denko Corp | 半導体封止チップモジュールの製造方法及びその固定シート |
US6229113B1 (en) | 1999-07-19 | 2001-05-08 | United Technologies Corporation | Method and apparatus for producing a laser drilled hole in a structure |
US6344402B1 (en) | 1999-07-28 | 2002-02-05 | Disco Corporation | Method of dicing workpiece |
TW404871B (en) | 1999-08-02 | 2000-09-11 | Lg Electronics Inc | Device and method for machining transparent medium by laser |
JP2001047264A (ja) | 1999-08-04 | 2001-02-20 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置およびその製造方法ならびに電子機器 |
KR100578309B1 (ko) | 1999-08-13 | 2006-05-11 | 삼성전자주식회사 | 레이저 커팅 장치 및 이를 이용한 유리 기판 커팅 방법 |
JP2001064029A (ja) | 1999-08-27 | 2001-03-13 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 多層ガラス基板及び、その切断方法 |
JP4493127B2 (ja) | 1999-09-10 | 2010-06-30 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体チップの製造方法 |
US6229114B1 (en) | 1999-09-30 | 2001-05-08 | Xerox Corporation | Precision laser cutting of adhesive members |
US6359254B1 (en) | 1999-09-30 | 2002-03-19 | United Technologies Corporation | Method for producing shaped hole in a structure |
JP3932743B2 (ja) | 1999-11-08 | 2007-06-20 | 株式会社デンソー | 圧接型半導体装置の製造方法 |
JP4180206B2 (ja) | 1999-11-12 | 2008-11-12 | リンテック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN1413136A (zh) | 1999-11-24 | 2003-04-23 | 应用光子学公司 | 非金属材料的分离方法和装置 |
US6612035B2 (en) | 2000-01-05 | 2003-09-02 | Patrick H. Brown | Drywall cutting tool |
JP2001196282A (ja) | 2000-01-13 | 2001-07-19 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2001250798A (ja) | 2000-03-06 | 2001-09-14 | Sony Corp | ケガキ線で材料を分割する方法及び装置 |
DE10015702A1 (de) | 2000-03-29 | 2001-10-18 | Vitro Laser Gmbh | Verfahren zum Einbringen wenigstens einer Innengravur in einen flachen Körper und Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens |
TW504425B (en) | 2000-03-30 | 2002-10-01 | Electro Scient Ind Inc | Laser system and method for single pass micromachining of multilayer workpieces |
JP2001284292A (ja) | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体ウエハーのチップ分割方法 |
CN100337319C (zh) | 2000-04-14 | 2007-09-12 | S.O.I.Tec绝缘体上硅技术公司 | 在基体或坯料元件特别是由半导体材料制成的基体或坯料元件中切制出至少一个薄层的方法 |
US6333486B1 (en) | 2000-04-25 | 2001-12-25 | Igor Troitski | Method and laser system for creation of laser-induced damages to produce high quality images |
US20020006765A1 (en) | 2000-05-11 | 2002-01-17 | Thomas Michel | System for cutting brittle materials |
JP4697823B2 (ja) | 2000-05-16 | 2011-06-08 | 株式会社ディスコ | 脆性基板の分割方法 |
TW443581U (en) | 2000-05-20 | 2001-06-23 | Chipmos Technologies Inc | Wafer-sized semiconductor package structure |
JP2001339638A (ja) | 2000-05-26 | 2001-12-07 | Hamamatsu Photonics Kk | ストリークカメラ装置 |
JP2001345252A (ja) | 2000-05-30 | 2001-12-14 | Hyper Photon Systens Inc | レーザ切断機 |
JP3650000B2 (ja) | 2000-07-04 | 2005-05-18 | 三洋電機株式会社 | 窒化物系半導体レーザ素子および窒化物半導体レーザ装置の製造方法 |
JP3906653B2 (ja) | 2000-07-18 | 2007-04-18 | ソニー株式会社 | 画像表示装置及びその製造方法 |
US6376797B1 (en) | 2000-07-26 | 2002-04-23 | Ase Americas, Inc. | Laser cutting of semiconductor materials |
JP2002047025A (ja) | 2000-07-31 | 2002-02-12 | Seiko Epson Corp | 基板の切断方法、およびこれを用いた電気光学装置の製造方法とこれに用いるレーザ切断装置および電気光学装置と電子機器 |
JP2002050589A (ja) | 2000-08-03 | 2002-02-15 | Sony Corp | 半導体ウェーハの延伸分離方法及び装置 |
US6726631B2 (en) | 2000-08-08 | 2004-04-27 | Ge Parallel Designs, Inc. | Frequency and amplitude apodization of transducers |
US6325855B1 (en) | 2000-08-09 | 2001-12-04 | Itt Manufacturing Enterprises, Inc. | Gas collector for epitaxial reactors |
JP3626442B2 (ja) | 2000-09-13 | 2005-03-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4964376B2 (ja) | 2000-09-13 | 2012-06-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP4837320B2 (ja) | 2000-09-13 | 2011-12-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP2002192371A (ja) | 2000-09-13 | 2002-07-10 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP2003001458A (ja) | 2000-09-13 | 2003-01-08 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
JP3761567B2 (ja) | 2000-09-13 | 2006-03-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4659300B2 (ja) | 2000-09-13 | 2011-03-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法 |
JP2003039184A (ja) | 2000-09-13 | 2003-02-12 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
JP4762458B2 (ja) | 2000-09-13 | 2011-08-31 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP3751970B2 (ja) | 2000-09-13 | 2006-03-08 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP3722731B2 (ja) | 2000-09-13 | 2005-11-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP3408805B2 (ja) | 2000-09-13 | 2003-05-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法 |
JP3761565B2 (ja) | 2000-09-13 | 2006-03-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP3660294B2 (ja) | 2000-10-26 | 2005-06-15 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP3332910B2 (ja) | 2000-11-15 | 2002-10-07 | エヌイーシーマシナリー株式会社 | ウェハシートのエキスパンダ |
JP2002158276A (ja) * | 2000-11-20 | 2002-05-31 | Hitachi Chem Co Ltd | ウエハ貼着用粘着シートおよび半導体装置 |
US6875379B2 (en) | 2000-12-29 | 2005-04-05 | Amkor Technology, Inc. | Tool and method for forming an integrated optical circuit |
JP2002226796A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-14 | Hitachi Chem Co Ltd | ウェハ貼着用粘着シート及び半導体装置 |
TW521310B (en) | 2001-02-08 | 2003-02-21 | Toshiba Corp | Laser processing method and apparatus |
US6770544B2 (en) | 2001-02-21 | 2004-08-03 | Nec Machinery Corporation | Substrate cutting method |
SG160191A1 (en) | 2001-02-28 | 2010-04-29 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
TW473896B (en) | 2001-03-20 | 2002-01-21 | Chipmos Technologies Inc | A manufacturing process of semiconductor devices |
JP4091838B2 (ja) | 2001-03-30 | 2008-05-28 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
KR100701013B1 (ko) | 2001-05-21 | 2007-03-29 | 삼성전자주식회사 | 레이저 빔을 이용한 비금속 기판의 절단방법 및 장치 |
JP2003017790A (ja) | 2001-07-03 | 2003-01-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物系半導体素子及び製造方法 |
JP2003046177A (ja) | 2001-07-31 | 2003-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザの製造方法 |
JP2003154517A (ja) | 2001-11-21 | 2003-05-27 | Seiko Epson Corp | 脆性材料の割断加工方法およびその装置、並びに電子部品の製造方法 |
US6608370B1 (en) | 2002-01-28 | 2003-08-19 | Motorola, Inc. | Semiconductor wafer having a thin die and tethers and methods of making the same |
US6908784B1 (en) | 2002-03-06 | 2005-06-21 | Micron Technology, Inc. | Method for fabricating encapsulated semiconductor components |
JP3670267B2 (ja) | 2002-03-12 | 2005-07-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP3935186B2 (ja) | 2002-03-12 | 2007-06-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体基板の切断方法 |
JP4358502B2 (ja) | 2002-03-12 | 2009-11-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体基板の切断方法 |
TWI326626B (en) | 2002-03-12 | 2010-07-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Laser processing method |
JP2003338636A (ja) | 2002-03-12 | 2003-11-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 発光素子の製造方法、発光ダイオード、及び半導体レーザ素子 |
CN100485902C (zh) | 2002-03-12 | 2009-05-06 | 浜松光子学株式会社 | 基板的分割方法 |
JP2003338468A (ja) | 2002-03-12 | 2003-11-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 発光素子の製造方法、発光ダイオード、及び半導体レーザ素子 |
WO2003076118A1 (fr) | 2002-03-12 | 2003-09-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrat semi-conducteur, puce a semi-conducteur et procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteur |
JP2006135355A (ja) | 2002-03-12 | 2006-05-25 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体基板の切断方法 |
ATE493226T1 (de) | 2002-03-12 | 2011-01-15 | Hamamatsu Photonics Kk | Verfahren zum schneiden eines bearbeiteten objekts |
JP4509720B2 (ja) | 2002-03-12 | 2010-07-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
US6787732B1 (en) | 2002-04-02 | 2004-09-07 | Seagate Technology Llc | Method for laser-scribing brittle substrates and apparatus therefor |
US6744009B1 (en) | 2002-04-02 | 2004-06-01 | Seagate Technology Llc | Combined laser-scribing and laser-breaking for shaping of brittle substrates |
TWI520269B (zh) | 2002-12-03 | 2016-02-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Cutting method of semiconductor substrate |
ATE550129T1 (de) | 2002-12-05 | 2012-04-15 | Hamamatsu Photonics Kk | Laserbearbeitungsvorrichtungen |
JP2004188422A (ja) | 2002-12-06 | 2004-07-08 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP4334864B2 (ja) | 2002-12-27 | 2009-09-30 | 日本電波工業株式会社 | 薄板水晶ウェハ及び水晶振動子の製造方法 |
JP4188847B2 (ja) | 2003-01-14 | 2008-12-03 | 富士フイルム株式会社 | 分析素子用カートリッジ |
US7341007B2 (en) | 2003-03-05 | 2008-03-11 | Joel Vatsky | Balancing damper |
FR2852250B1 (fr) | 2003-03-11 | 2009-07-24 | Jean Luc Jouvin | Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau |
WO2004080643A1 (ja) | 2003-03-12 | 2004-09-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | レーザ加工方法 |
GB2404280B (en) | 2003-07-03 | 2006-09-27 | Xsil Technology Ltd | Die bonding |
EP2269765B1 (en) | 2003-07-18 | 2014-10-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Cut semiconductor chip |
JP4563097B2 (ja) | 2003-09-10 | 2010-10-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体基板の切断方法 |
JP2005086175A (ja) | 2003-09-11 | 2005-03-31 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体薄膜の製造方法、半導体薄膜、半導体薄膜チップ、電子管、及び光検出素子 |
CN100461561C (zh) | 2004-01-07 | 2009-02-11 | 浜松光子学株式会社 | 半导体发光元件及其制造方法 |
JP4598407B2 (ja) | 2004-01-09 | 2010-12-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP4601965B2 (ja) | 2004-01-09 | 2010-12-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP4509578B2 (ja) | 2004-01-09 | 2010-07-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
KR101336523B1 (ko) | 2004-03-30 | 2013-12-03 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 레이저 가공 방법 및 반도체 칩 |
JP4829781B2 (ja) | 2004-03-30 | 2011-12-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップ |
JP4536407B2 (ja) | 2004-03-30 | 2010-09-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び加工対象物 |
JP4733934B2 (ja) | 2004-06-22 | 2011-07-27 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP4634089B2 (ja) | 2004-07-30 | 2011-02-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
US8604383B2 (en) | 2004-08-06 | 2013-12-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
JP4754801B2 (ja) | 2004-10-13 | 2011-08-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4917257B2 (ja) | 2004-11-12 | 2012-04-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4781661B2 (ja) | 2004-11-12 | 2011-09-28 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4198123B2 (ja) | 2005-03-22 | 2008-12-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4776994B2 (ja) | 2005-07-04 | 2011-09-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP4749799B2 (ja) | 2005-08-12 | 2011-08-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4762653B2 (ja) | 2005-09-16 | 2011-08-31 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP4237745B2 (ja) | 2005-11-18 | 2009-03-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4907965B2 (ja) | 2005-11-25 | 2012-04-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4804911B2 (ja) | 2005-12-22 | 2011-11-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP4907984B2 (ja) | 2005-12-27 | 2012-04-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップ |
JP5183892B2 (ja) | 2006-07-03 | 2013-04-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
US7897487B2 (en) | 2006-07-03 | 2011-03-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and chip |
WO2008035679A1 (fr) | 2006-09-19 | 2008-03-27 | Hamamatsu Photonics K. K. | Procédé de traitement au laser et appareil de traitement au laser |
JP4954653B2 (ja) | 2006-09-19 | 2012-06-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5101073B2 (ja) | 2006-10-02 | 2012-12-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP5132911B2 (ja) | 2006-10-03 | 2013-01-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4964554B2 (ja) | 2006-10-03 | 2012-07-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
US8735770B2 (en) | 2006-10-04 | 2014-05-27 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method for forming a modified region in an object |
JP5336054B2 (ja) | 2007-07-18 | 2013-11-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム |
JP4402708B2 (ja) | 2007-08-03 | 2010-01-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法 |
JP5225639B2 (ja) | 2007-09-06 | 2013-07-03 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
JP5342772B2 (ja) | 2007-10-12 | 2013-11-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP5449665B2 (ja) | 2007-10-30 | 2014-03-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5134928B2 (ja) | 2007-11-30 | 2013-01-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物研削方法 |
JP5054496B2 (ja) | 2007-11-30 | 2012-10-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP5241525B2 (ja) | 2009-01-09 | 2013-07-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
-
2003
- 2003-09-10 TW TW102106190A patent/TWI520269B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-09-11 EP EP10012640.8A patent/EP2267763B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-11 CN CNB038255189A patent/CN100440443C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-11 ES ES03812274.3T patent/ES2479791T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-11 EP EP10014153.0A patent/EP2284872B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-11 ES ES10005697.7T patent/ES2462219T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-11 ES ES10007917.7T patent/ES2439220T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-11 ES ES10014153.0T patent/ES2442848T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-11 MY MYPI20033496A patent/MY160196A/en unknown
- 2003-09-11 EP EP10007917.7A patent/EP2239764B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-11 EP EP10005697.7A patent/EP2216805B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-11 CN CNA2008101618735A patent/CN101369554A/zh active Pending
- 2003-09-11 ES ES10012640.8T patent/ES2464166T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-11 KR KR1020057007273A patent/KR100855136B1/ko active IP Right Grant
- 2003-09-11 US US10/537,509 patent/US8263479B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-11 WO PCT/JP2003/011624 patent/WO2004051721A1/ja active Application Filing
- 2003-09-11 EP EP10009049.7A patent/EP2249380B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-11 ES ES12001098.8T patent/ES2470325T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-11 AU AU2003262077A patent/AU2003262077A1/en not_active Abandoned
- 2003-09-11 EP EP12001098.8A patent/EP2485251B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-11 EP EP03812274.3A patent/EP1580800B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-11 ES ES10009049.7T patent/ES2437192T3/es not_active Expired - Lifetime
-
2011
- 2011-08-09 US US13/206,181 patent/US8409968B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2012
- 2012-09-10 US US13/608,676 patent/US8450187B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2013
- 2013-03-14 US US13/829,683 patent/US8865566B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101878090A (zh) * | 2007-11-30 | 2010-11-03 | 浜松光子学株式会社 | 加工对象物切断方法 |
US8828306B2 (en) | 2007-11-30 | 2014-09-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Working object cutting method |
CN101878090B (zh) * | 2007-11-30 | 2015-04-22 | 浜松光子学株式会社 | 加工对象物切断方法 |
CN102470550A (zh) * | 2009-07-28 | 2012-05-23 | 浜松光子学株式会社 | 加工对象物切断方法 |
US10315403B2 (en) | 2009-07-28 | 2019-06-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method for cutting object to be processed |
CN102470550B (zh) * | 2009-07-28 | 2015-01-28 | 浜松光子学株式会社 | 加工对象物切断方法 |
US9302410B2 (en) | 2009-07-28 | 2016-04-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method for cutting object to be processed |
CN102754185A (zh) * | 2009-12-11 | 2012-10-24 | 夏普株式会社 | 半导体装置的制造方法和半导体装置 |
CN102754185B (zh) * | 2009-12-11 | 2015-06-03 | 夏普株式会社 | 半导体装置的制造方法和半导体装置 |
CN106914697B (zh) * | 2011-01-13 | 2019-03-15 | 浜松光子学株式会社 | 激光加工方法 |
CN106914697A (zh) * | 2011-01-13 | 2017-07-04 | 浜松光子学株式会社 | 激光加工方法 |
US10532431B2 (en) | 2011-01-13 | 2020-01-14 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
CN107256914A (zh) * | 2012-01-26 | 2017-10-17 | 晶元光电股份有限公司 | 发光装置 |
CN103390604A (zh) * | 2012-05-10 | 2013-11-13 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体器件制造方法以及半导体器件 |
CN107579041A (zh) * | 2016-07-05 | 2018-01-12 | 力成科技股份有限公司 | 封装结构的制作方法 |
CN108630601A (zh) * | 2017-03-23 | 2018-10-09 | 东芝存储器株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
CN108630601B (zh) * | 2017-03-23 | 2021-12-07 | 东芝存储器株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
CN108695192A (zh) * | 2017-03-29 | 2018-10-23 | 台湾爱司帝科技股份有限公司 | 位置侦测与芯片分离装置 |
CN108214593A (zh) * | 2018-01-02 | 2018-06-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种刀轮、切割装置以及切割方法 |
CN108214593B (zh) * | 2018-01-02 | 2019-11-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种刀轮、切割装置以及切割方法 |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1703770A (zh) | 半导体基板的切断方法 | |
US20210210387A1 (en) | Substrate dividing method | |
CN1849699A (zh) | 半导体基板的切断方法 | |
CN1758985A (zh) | 激光加工方法 | |
CN1993201A (zh) | 激光加工方法及半导体装置 | |
CN101040369A (zh) | 激光加工方法 | |
CN1642687A (zh) | 加工对象物切割方法 | |
CN1758986A (zh) | 激光加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CX01 | Expiry of patent term | ||
CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20081203 |