JP3165192B2 - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路装置の製造方法Info
- Publication number
- JP3165192B2 JP3165192B2 JP25235891A JP25235891A JP3165192B2 JP 3165192 B2 JP3165192 B2 JP 3165192B2 JP 25235891 A JP25235891 A JP 25235891A JP 25235891 A JP25235891 A JP 25235891A JP 3165192 B2 JP3165192 B2 JP 3165192B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- semiconductor integrated
- sheet
- cutting
- ultraviolet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Dicing (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置の
製造方法に係り、特に半導体集積回路基板をチップに分
断する方法に関する。
製造方法に係り、特に半導体集積回路基板をチップに分
断する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の分野では、素子
の高密度化、集積化が進められており、素子の微細化は
進む一方である。
の高密度化、集積化が進められており、素子の微細化は
進む一方である。
【０００３】このような半導体集積回路装置は、通常、
シリコン基板等の半導体基板に多数の集積回路を作り込
み、完成後、半導体集積回路チップに分断し、これらの
半導体集積回路チップをリードフレームあるいはテープ
キャリアなどの実装部材に装着し、チップの周りを樹脂
等で封止して得られる。
シリコン基板等の半導体基板に多数の集積回路を作り込
み、完成後、半導体集積回路チップに分断し、これらの
半導体集積回路チップをリードフレームあるいはテープ
キャリアなどの実装部材に装着し、チップの周りを樹脂
等で封止して得られる。
【０００４】ところで、この集積回路基板を半導体集積
回路チップに分断する工程は、通常、次のようにして行
われている。
回路チップに分断する工程は、通常、次のようにして行
われている。
【０００５】図５(a) に示すように、半導体集積回路基
板１に表面保護シート２を気泡が出ないように貼着する
とともに、裏面に固定用シート７をはりつけ、吸着ステ
ージ３に半導体集積回路基板１を装着し、吸着穴１０か
ら真空吸引を行うことにより、吸着ステージ３に半導体
集積回路基板１を固定する。
板１に表面保護シート２を気泡が出ないように貼着する
とともに、裏面に固定用シート７をはりつけ、吸着ステ
ージ３に半導体集積回路基板１を装着し、吸着穴１０か
ら真空吸引を行うことにより、吸着ステージ３に半導体
集積回路基板１を固定する。
【０００６】そして、ＴＶカメラを介しモニタＴＶ５に
よって位置合わせを行いながら薄刃カッター４を走査
し、順次半導体集積回路基板１を切断し、半導体集積回
路チップ１Ｃに分断する。 このようにして、分断した
後、図５(b) に示すように、表面保護シートを剥がし、
実装ラインに搬送される。
よって位置合わせを行いながら薄刃カッター４を走査
し、順次半導体集積回路基板１を切断し、半導体集積回
路チップ１Ｃに分断する。 このようにして、分断した
後、図５(b) に示すように、表面保護シートを剥がし、
実装ラインに搬送される。
【０００７】この場合、表面保護シートを剥がす際、表
面保護シートの接着剤がチップ表面に残ったり、切り屑
８が切断ライン（スクライブライン）の脇に盛り上がっ
て残り、表面保護シートを剥がす際、切り屑８が押され
て倒れ、この倒れた切り屑が飛び散ることにより、チッ
プ表面にごみや汚れの付着および傷等が発生することが
ある。従来、これらが原因で、しばしば半導体集積回路
の誤動作等の悪影響をもたらすことがあった。
面保護シートの接着剤がチップ表面に残ったり、切り屑
８が切断ライン（スクライブライン）の脇に盛り上がっ
て残り、表面保護シートを剥がす際、切り屑８が押され
て倒れ、この倒れた切り屑が飛び散ることにより、チッ
プ表面にごみや汚れの付着および傷等が発生することが
ある。従来、これらが原因で、しばしば半導体集積回路
の誤動作等の悪影響をもたらすことがあった。
【０００８】そこでこのような切り屑の発生を低減する
ために、切断する際に半導体集積回路基板の厚さの半分
だけ切断し（ハーフカット）、後に圧力をかけて分断す
る方法や、半導体集積回路基板の厚さを最初から薄くし
ておく等の方法が提案されている。しかしながら、切り
屑が表面に飛び散り、ごみや汚れの付着および傷等が発
生するという問題は依然として改善されていない。
ために、切断する際に半導体集積回路基板の厚さの半分
だけ切断し（ハーフカット）、後に圧力をかけて分断す
る方法や、半導体集積回路基板の厚さを最初から薄くし
ておく等の方法が提案されている。しかしながら、切り
屑が表面に飛び散り、ごみや汚れの付着および傷等が発
生するという問題は依然として改善されていない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の切
断方法では、チップ表面が接着剤に汚染されたり、表面
保護シートを剥がす際、切り屑８が押されて倒れ、この
倒れた切り屑が飛び散ること等により、チップ表面にご
みや汚れの付着および傷等が発生し、半導体集積回路の
誤動作をもたらすという問題があった。
断方法では、チップ表面が接着剤に汚染されたり、表面
保護シートを剥がす際、切り屑８が押されて倒れ、この
倒れた切り屑が飛び散ること等により、チップ表面にご
みや汚れの付着および傷等が発生し、半導体集積回路の
誤動作をもたらすという問題があった。
【００１０】本発明は前記実情に鑑みてなされたもの
で、分断時の切り屑によるチップ表面の汚染を防止し、
信頼性の高い半導体集積回路装置を得ることを目的とす
る。
で、分断時の切り屑によるチップ表面の汚染を防止し、
信頼性の高い半導体集積回路装置を得ることを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】そこで本発明の第１で
は、半導体集積回路基板の表面に表面保護用のシートを
貼着して、表面保護用のシートを残すように裏面側から
半導体集積回路基板を切断し、この後表面保護用のシー
トを剥がし、分断された半導体集積回路チップを得るよ
うにしている。
は、半導体集積回路基板の表面に表面保護用のシートを
貼着して、表面保護用のシートを残すように裏面側から
半導体集積回路基板を切断し、この後表面保護用のシー
トを剥がし、分断された半導体集積回路チップを得るよ
うにしている。
【００１２】望ましくは、シートの貼着を、紫外線硬化
型接着剤を介して行うようにし、剥離に先立ち、半導体
集積回路基板の表面に紫外線を照射し、紫外線硬化型接
着剤を硬化させ、シートを剥離しやすい状態にするよう
にしている。
型接着剤を介して行うようにし、剥離に先立ち、半導体
集積回路基板の表面に紫外線を照射し、紫外線硬化型接
着剤を硬化させ、シートを剥離しやすい状態にするよう
にしている。
【００１３】また本発明の第２では、切断される領域に
沿って、切断される領域よりもやや大きい領域に選択的
に接着剤層を形成し、この接着剤層によって半導体集積
回路基板の表面に表面保護用のシートを貼着し、この表
面保護用のシートと共に、前記半導体集積回路基板を切
断し、半導体集積回路チップに分断し、この後表面保護
用のシートを剥離するようにしている。
沿って、切断される領域よりもやや大きい領域に選択的
に接着剤層を形成し、この接着剤層によって半導体集積
回路基板の表面に表面保護用のシートを貼着し、この表
面保護用のシートと共に、前記半導体集積回路基板を切
断し、半導体集積回路チップに分断し、この後表面保護
用のシートを剥離するようにしている。
【００１４】さらに本発明の第３では、表面保護用のシ
ートの裏面全体に紫外線硬化型接着剤を塗布するととも
にこのシートの表面に、切断される領域に相当する領域
よりもやや大きい領域に遮光膜パターンを形成しこの遮
光膜パターンをマスクとして紫外線を照射し、前記シー
トの切断される領域を除く領域の紫外線硬化型接着剤を
選択的に硬化させたのち、シートを半導体集積回路基板
の表面に貼着して、表面保護用のシートと共に、半導体
集積回路基板を切断し、半導体集積回路チップに分断
し、さらに表面保護用のシートを剥離するようにしてい
る。
ートの裏面全体に紫外線硬化型接着剤を塗布するととも
にこのシートの表面に、切断される領域に相当する領域
よりもやや大きい領域に遮光膜パターンを形成しこの遮
光膜パターンをマスクとして紫外線を照射し、前記シー
トの切断される領域を除く領域の紫外線硬化型接着剤を
選択的に硬化させたのち、シートを半導体集積回路基板
の表面に貼着して、表面保護用のシートと共に、半導体
集積回路基板を切断し、半導体集積回路チップに分断
し、さらに表面保護用のシートを剥離するようにしてい
る。
【００１５】望ましくは剥離に先立ち、半導体集積回路
基板の表面に紫外線を照射し、前記紫外線硬化型接着剤
を硬化させ、シートを剥離しやすい状態にした後剥離す
る。
基板の表面に紫外線を照射し、前記紫外線硬化型接着剤
を硬化させ、シートを剥離しやすい状態にした後剥離す
る。
【００１６】
【作用】上記第１の構成によれば、半導体集積回路基板
の表面に表面保護用のシートを貼着して、裏面側から切
断し、半導体集積回路チップに分断するようにしている
ため、切り屑は発生するとしても半導体集積回路基板の
裏面側であり、表面の汚染は低減される。そして表面保
護用のシートを残すように裏面側から半導体集積回路基
板を切断しているため、切断後、シートは一体として残
っており、剥離が容易である。
の表面に表面保護用のシートを貼着して、裏面側から切
断し、半導体集積回路チップに分断するようにしている
ため、切り屑は発生するとしても半導体集積回路基板の
裏面側であり、表面の汚染は低減される。そして表面保
護用のシートを残すように裏面側から半導体集積回路基
板を切断しているため、切断後、シートは一体として残
っており、剥離が容易である。
【００１７】そして、シートの貼着を、紫外線硬化型接
着剤を介して行うようにし、剥離に先立ち、半導体集積
回路基板の表面に紫外線を照射し、紫外線硬化型接着剤
を硬化させるようにすることにより、シートは剥離しや
すい状態となる。
着剤を介して行うようにし、剥離に先立ち、半導体集積
回路基板の表面に紫外線を照射し、紫外線硬化型接着剤
を硬化させるようにすることにより、シートは剥離しや
すい状態となる。
【００１８】また第２の構成によれば、切断される領域
に沿って、切断される領域よりもやや大きい領域に選択
的に接着剤層を形成し、この表面保護用のシートを半導
体集積回路基板の表面に貼着しているため、この表面保
護用のシートと共に、半導体集積回路基板を切断した際
に、切断面の近傍は接着剤層によって固着され、半導体
基板の素子領域は、接着剤で表面を汚染されることなく
切断面の側面でのみ固着されたシートによって保護され
ているため、切り屑等で汚染されることもない。また、
この表面保護シートを固着するための接着剤層として
は、紫外線硬化型接着剤を用いることにより、剥離に先
立ち紫外線照射を行うことにより、容易に剥離すること
ができる。
に沿って、切断される領域よりもやや大きい領域に選択
的に接着剤層を形成し、この表面保護用のシートを半導
体集積回路基板の表面に貼着しているため、この表面保
護用のシートと共に、半導体集積回路基板を切断した際
に、切断面の近傍は接着剤層によって固着され、半導体
基板の素子領域は、接着剤で表面を汚染されることなく
切断面の側面でのみ固着されたシートによって保護され
ているため、切り屑等で汚染されることもない。また、
この表面保護シートを固着するための接着剤層として
は、紫外線硬化型接着剤を用いることにより、剥離に先
立ち紫外線照射を行うことにより、容易に剥離すること
ができる。
【００１９】また本発明の第３では、表面保護用のシー
トの裏面全体に紫外線硬化型接着剤を塗布するとともに
このシートの表面に、切断される領域に相当する領域よ
りもやや大きい領域に遮光膜パターンを形成しこの遮光
膜パターンをマスクとして紫外線を照射し、前記シート
の切断される領域を除く領域の紫外線硬化型接着剤を選
択的に硬化させたのちにこのシートを半導体集積回路基
板の表面に貼着することにより、前記第２の構成と同
様、この表面保護用のシートと共に、半導体集積回路基
板を切断した際に、切断面の近傍は接着剤層によって固
着され、半導体基板の素子領域は、接着剤で表面を汚染
されることなく切断面の側面でのみ表面保護用のシート
に固着され、この接着剤層およびシートによって保護さ
れているため、切り屑等で汚染されることもない。ま
た、ここでも、剥離に先立ち紫外線照射を行うことによ
り、容易に剥離することができる。
トの裏面全体に紫外線硬化型接着剤を塗布するとともに
このシートの表面に、切断される領域に相当する領域よ
りもやや大きい領域に遮光膜パターンを形成しこの遮光
膜パターンをマスクとして紫外線を照射し、前記シート
の切断される領域を除く領域の紫外線硬化型接着剤を選
択的に硬化させたのちにこのシートを半導体集積回路基
板の表面に貼着することにより、前記第２の構成と同
様、この表面保護用のシートと共に、半導体集積回路基
板を切断した際に、切断面の近傍は接着剤層によって固
着され、半導体基板の素子領域は、接着剤で表面を汚染
されることなく切断面の側面でのみ表面保護用のシート
に固着され、この接着剤層およびシートによって保護さ
れているため、切り屑等で汚染されることもない。ま
た、ここでも、剥離に先立ち紫外線照射を行うことによ
り、容易に剥離することができる。
【００２０】
【実施例】以下本発明の実施例について、図面を参照し
つつ詳細に説明する。
つつ詳細に説明する。
【００２１】実施例１ 図１は、本発明の第１の実施例の半導体集積回路基板の
切断方法を示す図である。
切断方法を示す図である。
【００２２】まず図１(a) に示すように、シリコンＩＣ
等の半導体集積回路基板１の表面、すなわち集積回路の
形成された側に厚さ８０μm のポリエチレンまたはポリ
オレフィンフィルムからなる表面保護シート１２を気泡
が出ないように厚さ１０μmの紫外線硬化型接着剤Ｐを
介して貼着する。そして、この半導体集積回路基板１を
ガラス等の赤外線透過性の材料からなる、吸着ステージ
１３にこの半導体集積回路基板１の表面を下にして装着
し、吸着穴１０から真空吸引を行うことにより、吸着ス
テージ１３に半導体集積回路基板１を固定する。ここで
は表面保護シート１２および紫外線硬化型接着剤Ｐとし
ては、両者が一体化された、Ｄ−６０４ＭＳと指称され
ているリンテック社の紫外線硬化型ダイシングシートを
用いた。
等の半導体集積回路基板１の表面、すなわち集積回路の
形成された側に厚さ８０μm のポリエチレンまたはポリ
オレフィンフィルムからなる表面保護シート１２を気泡
が出ないように厚さ１０μmの紫外線硬化型接着剤Ｐを
介して貼着する。そして、この半導体集積回路基板１を
ガラス等の赤外線透過性の材料からなる、吸着ステージ
１３にこの半導体集積回路基板１の表面を下にして装着
し、吸着穴１０から真空吸引を行うことにより、吸着ス
テージ１３に半導体集積回路基板１を固定する。ここで
は表面保護シート１２および紫外線硬化型接着剤Ｐとし
ては、両者が一体化された、Ｄ−６０４ＭＳと指称され
ているリンテック社の紫外線硬化型ダイシングシートを
用いた。
【００２３】そして、基板の表面側から赤外線ランプ１
６によって集積回路基板１に光照射を行い、この透過光
を赤外線ビジコンカメラを用いて、回路基板１に形成さ
れているスクライブライン９のパターンをモニタＴＶ１
５に映し、位置合わせを行いながら高さ調整した薄刃カ
ッター４を走査し、順次半導体集積回路基板１を切断
し、半導体集積回路チップ１Ｃに分断する。このとき表
面保護シート１２は切断することなく残した状態にして
おく。
６によって集積回路基板１に光照射を行い、この透過光
を赤外線ビジコンカメラを用いて、回路基板１に形成さ
れているスクライブライン９のパターンをモニタＴＶ１
５に映し、位置合わせを行いながら高さ調整した薄刃カ
ッター４を走査し、順次半導体集積回路基板１を切断
し、半導体集積回路チップ１Ｃに分断する。このとき表
面保護シート１２は切断することなく残した状態にして
おく。
【００２４】このようにして、分断した後、ステージ１
３に固定したまま図１(b) に示すように、半導体集積回
路基板１の裏面側に固定シート７を貼着する。この固定
シート７も表面保護シート１２と同様厚さ８０μm のポ
リエチレンまたはポリオレフィンフィルムから構成され
紫外線硬化型接着剤（図示せず）を介して貼着される。
３に固定したまま図１(b) に示すように、半導体集積回
路基板１の裏面側に固定シート７を貼着する。この固定
シート７も表面保護シート１２と同様厚さ８０μm のポ
リエチレンまたはポリオレフィンフィルムから構成され
紫外線硬化型接着剤（図示せず）を介して貼着される。
【００２５】そして図１(c) に示すように、半導体集積
回路基板１の表面側から、ＵＶ照射を行う。
回路基板１の表面側から、ＵＶ照射を行う。
【００２６】ここで紫外線硬化型接着剤Ｐは、図１(d)
に示すように、硬化して状態変化しＰ´となって、接着
力が低下し、剥離しやすい状態となったところで、表面
保護シート１２を一括して剥離する。ここで固定シート
７の紫外線硬化型接着剤も光が当たった領域では接着力
が低下するが、この場合は、基板の表面側すなわち集積
回路が形成された側からのＵＶ照射であるため、チップ
の配線パターンのある領域では光が遮断されることにな
り、接着状態を維持することができる。
に示すように、硬化して状態変化しＰ´となって、接着
力が低下し、剥離しやすい状態となったところで、表面
保護シート１２を一括して剥離する。ここで固定シート
７の紫外線硬化型接着剤も光が当たった領域では接着力
が低下するが、この場合は、基板の表面側すなわち集積
回路が形成された側からのＵＶ照射であるため、チップ
の配線パターンのある領域では光が遮断されることにな
り、接着状態を維持することができる。
【００２７】そして、この固定シート７上に固定された
状態で実装ラインに搬送される。
状態で実装ラインに搬送される。
【００２８】そして固定シート７を伸ばし、チップ間間
隔を大きくし、貼着面すなわち基板の裏面側から再びＵ
Ｖ照射を行い、同様に硬化させ、接着力が低下し、剥離
しやすい状態となったところで、コレットを用いて１個
づつ移送し、リードフレームあるいはフィルムキャリア
等に位置決めし、装着する。
隔を大きくし、貼着面すなわち基板の裏面側から再びＵ
Ｖ照射を行い、同様に硬化させ、接着力が低下し、剥離
しやすい状態となったところで、コレットを用いて１個
づつ移送し、リードフレームあるいはフィルムキャリア
等に位置決めし、装着する。
【００２９】このようにして形成される半導体集積回路
チップは、表面に切り屑が付着したりすることなく得る
ことができ、良好な表面状態を維持することができる。
チップは、表面に切り屑が付着したりすることなく得る
ことができ、良好な表面状態を維持することができる。
【００３０】また、シートは分断されることなく、一体
のまま残っている上、ＵＶ照射により、表面保護シート
の接着力を低下することができるため、表面保護シート
の剥離が容易である。
のまま残っている上、ＵＶ照射により、表面保護シート
の接着力を低下することができるため、表面保護シート
の剥離が容易である。
【００３１】なお、ここでは半導体集積回路基板の裏面
からスクライブラインを検出するために、ガラス等の赤
外線透過性材料で形成した吸着ステージを用い、下側か
ら赤外線照射を行い、透過光を検出するようにしたが、
検出手段を下側におき、反射光を検出するようにしても
よい。
からスクライブラインを検出するために、ガラス等の赤
外線透過性材料で形成した吸着ステージを用い、下側か
ら赤外線照射を行い、透過光を検出するようにしたが、
検出手段を下側におき、反射光を検出するようにしても
よい。
【００３２】実施例２ 図２は、本発明の第２の実施例の半導体集積回路基板の
切断方法を示す説明図、図３(a) 乃至(i) はこの工程断
面図である。
切断方法を示す説明図、図３(a) 乃至(i) はこの工程断
面図である。
【００３３】この方法では、切断線すなわち切断される
領域２４に沿って、切断される領域よりもやや大きい領
域に選択的に接着剤層２３を形成し、この接着剤層２３
によって半導体集積回路基板１１の表面に表面保護用の
シート２５を貼着し、この表面保護用のシートと共に、
半導体集積回路基板を切断し、半導体集積回路チップに
分断し、この後表面保護用のシートを剥離するようにし
たことを特徴とするものである。ここで２２は素子領域
すなわち表面保護を行うべき領域である。
領域２４に沿って、切断される領域よりもやや大きい領
域に選択的に接着剤層２３を形成し、この接着剤層２３
によって半導体集積回路基板１１の表面に表面保護用の
シート２５を貼着し、この表面保護用のシートと共に、
半導体集積回路基板を切断し、半導体集積回路チップに
分断し、この後表面保護用のシートを剥離するようにし
たことを特徴とするものである。ここで２２は素子領域
すなわち表面保護を行うべき領域である。
【００３４】まず図３(a) に示すように、シリコンＩＣ
等の集積回路２２の形成された半導体集積回路基板１１
を形成する。ここで２４は切断線すなわちダイシング工
程で切断される領域である。
等の集積回路２２の形成された半導体集積回路基板１１
を形成する。ここで２４は切断線すなわちダイシング工
程で切断される領域である。
【００３５】次いで、図３(b) に示すように、厚さ８０
μm のポリエチレンまたはポリオレフィンフィルムから
なる表面保護シート２５表面に、印刷法で半導体集積回
路基板１１の切断領域２４よりも６０μm 程度大きく形
成された厚さ５０μm の紫外線硬化型接着剤からなる格
子状パターン２３を形成し、このパターン２３が半導体
集積回路基板１１の切断領域２４に一致するように固着
する。固着した状態を図３(c) に示す。
μm のポリエチレンまたはポリオレフィンフィルムから
なる表面保護シート２５表面に、印刷法で半導体集積回
路基板１１の切断領域２４よりも６０μm 程度大きく形
成された厚さ５０μm の紫外線硬化型接着剤からなる格
子状パターン２３を形成し、このパターン２３が半導体
集積回路基板１１の切断領域２４に一致するように固着
する。固着した状態を図３(c) に示す。
【００３６】この後、吸着ステージ上に装着された固定
シート１７にこの半導体集積回路基板１１の裏面を下に
して装着し、固定シート１７に半導体集積回路基板１１
を固定し、ダイシングマシン１８を用いて図３(d) に示
すように基板の表面からダイシングを行う。このとき切
断面には接着剤が残っているため、素子領域は良好に保
護されている。
シート１７にこの半導体集積回路基板１１の裏面を下に
して装着し、固定シート１７に半導体集積回路基板１１
を固定し、ダイシングマシン１８を用いて図３(d) に示
すように基板の表面からダイシングを行う。このとき切
断面には接着剤が残っているため、素子領域は良好に保
護されている。
【００３７】この後、基板表面から約５秒間紫外線照射
を行い、接着剤を硬化せしめて接着性を低下させる。こ
こで紫外線硬化型接着剤は、図３(e) に示すように、硬
化して状態変化しＰ´となって、接着力が低下し、剥離
しやすい状態となる。
を行い、接着剤を硬化せしめて接着性を低下させる。こ
こで紫外線硬化型接着剤は、図３(e) に示すように、硬
化して状態変化しＰ´となって、接着力が低下し、剥離
しやすい状態となる。
【００３８】そして図３(f) に示すように、表面保護シ
ート２５の表面に粘着性テープ２０を貼着し、この表面
保護シート２５を一括して剥離する。
ート２５の表面に粘着性テープ２０を貼着し、この表面
保護シート２５を一括して剥離する。
【００３９】そして、この固定シート１７上に固定され
た状態で実装ラインに搬送される。そして図３(g) に示
すように、固定シート１７を伸ばし、チップ間間隔を大
きくし、さらに図３(h) に示すように、貼着面すなわち
基板の裏面側から再びＵＶ照射を行い、同様に硬化さ
せ、接着力が低下し、剥離しやすい状態となったところ
で、図３(i) に示すようにコレット２１を用いて１個づ
つ移送し、リードフレームあるいはフィルムキャリア等
に位置決めし、装着する。
た状態で実装ラインに搬送される。そして図３(g) に示
すように、固定シート１７を伸ばし、チップ間間隔を大
きくし、さらに図３(h) に示すように、貼着面すなわち
基板の裏面側から再びＵＶ照射を行い、同様に硬化さ
せ、接着力が低下し、剥離しやすい状態となったところ
で、図３(i) に示すようにコレット２１を用いて１個づ
つ移送し、リードフレームあるいはフィルムキャリア等
に位置決めし、装着する。
【００４０】このようにして形成される半導体集積回路
チップは、素子領域表面が接着剤で汚染されたり、切り
屑が付着したりすることなく、得ることができ、良好な
表面状態を維持することができる。
チップは、素子領域表面が接着剤で汚染されたり、切り
屑が付着したりすることなく、得ることができ、良好な
表面状態を維持することができる。
【００４１】なお、この例では、接着剤として紫外線硬
化型パターンを用いるようにしたが、必ずしも紫外線硬
化型である必要はなく、通常の接着剤を用いても良い。
またパターン形成に際しても、スクリーン印刷法のみな
らず、マスクパターンを介して塗布するマスク塗布法等
を用いても良い。
化型パターンを用いるようにしたが、必ずしも紫外線硬
化型である必要はなく、通常の接着剤を用いても良い。
またパターン形成に際しても、スクリーン印刷法のみな
らず、マスクパターンを介して塗布するマスク塗布法等
を用いても良い。
【００４２】実施例３ 図４(a) 乃至(i) は、本発明の第３の実施例の半導体集
積回路基板の切断方法を示す工程断面図である。
積回路基板の切断方法を示す工程断面図である。
【００４３】実施例２では接着剤をパターン印刷した
が、この方法では、裏面全体に紫外線硬化型接着剤３３
の塗布された表面保護用のシート３５を用い、この表面
に、半導体集積回路基板の切断線すなわち切断される領
域３４に沿って、切断される領域よりもやや大きい領域
に選択的に遮光パターン３０を形成しておき、この遮光
パターン３０を介しての露光によって接着機能を選択的
に低下せしめ、接着性領域３３Ｓをパターン状に残すよ
うにしたことを特徴とするもので、他については実施例
２と同様である。ここで３２は素子領域すなわち表面保
護を行うべき領域である。
が、この方法では、裏面全体に紫外線硬化型接着剤３３
の塗布された表面保護用のシート３５を用い、この表面
に、半導体集積回路基板の切断線すなわち切断される領
域３４に沿って、切断される領域よりもやや大きい領域
に選択的に遮光パターン３０を形成しておき、この遮光
パターン３０を介しての露光によって接着機能を選択的
に低下せしめ、接着性領域３３Ｓをパターン状に残すよ
うにしたことを特徴とするもので、他については実施例
２と同様である。ここで３２は素子領域すなわち表面保
護を行うべき領域である。
【００４４】まず図４(a) に示すように、厚さ８０μm
のポリエチレンまたはポリオレフィンフィルムからなる
表面保護シート２５裏面全体に、厚さ５０μm の紫外線
硬化型接着剤３３を塗布し、さらに表面に印刷法で半導
体集積回路基板３１の切断領域３４よりも６０μm 程度
大きく形成された厚さ５０μm のＣｒからなる遮光膜の
格子状パターン３０を形成する。
のポリエチレンまたはポリオレフィンフィルムからなる
表面保護シート２５裏面全体に、厚さ５０μm の紫外線
硬化型接着剤３３を塗布し、さらに表面に印刷法で半導
体集積回路基板３１の切断領域３４よりも６０μm 程度
大きく形成された厚さ５０μm のＣｒからなる遮光膜の
格子状パターン３０を形成する。
【００４５】この後、図４(b) に示すように表面側から
紫外線を照射し、前記遮光膜の格子状パターン３０の下
以外の領域の紫外線硬化型接着剤を硬化せしめ、格子状
パターン３０の下の領域のみを接着性領域３３Ｓとして
残す。
紫外線を照射し、前記遮光膜の格子状パターン３０の下
以外の領域の紫外線硬化型接着剤を硬化せしめ、格子状
パターン３０の下の領域のみを接着性領域３３Ｓとして
残す。
【００４６】この後図４(c) に示すように、このように
前記シートの裏面に、切断工程において切断される領域
に相当する領域よりもやや大きい領域にパターンを形成
するように接着性領域を残したシートを、このパターン
状の接着性領域３３Ｓが半導体集積回路基板３１の切断
領域３４に一致するように固着する。この半導体集積回
路基板３１の表面にはシリコンＩＣ等の集積回路３２が
形成されている。ここで３４は切断線すなわちダイシン
グ工程で切断される領域である。
前記シートの裏面に、切断工程において切断される領域
に相当する領域よりもやや大きい領域にパターンを形成
するように接着性領域を残したシートを、このパターン
状の接着性領域３３Ｓが半導体集積回路基板３１の切断
領域３４に一致するように固着する。この半導体集積回
路基板３１の表面にはシリコンＩＣ等の集積回路３２が
形成されている。ここで３４は切断線すなわちダイシン
グ工程で切断される領域である。
【００４７】そして、固着した状態を図４(d) に示す。
【００４８】この後、吸着ステージ上に装着された固定
シート１７にこの半導体集積回路基板３１の裏面を下に
して装着し、固定シート１７に半導体集積回路基板３１
を固定し、ダイシングマシン３８を用いて図４(e) に示
すように基板の表面からダイシングを行う。このとき切
断面には接着性領域３３Ｓが残っているため、素子領域
は良好に保護されている。
シート１７にこの半導体集積回路基板３１の裏面を下に
して装着し、固定シート１７に半導体集積回路基板３１
を固定し、ダイシングマシン３８を用いて図４(e) に示
すように基板の表面からダイシングを行う。このとき切
断面には接着性領域３３Ｓが残っているため、素子領域
は良好に保護されている。
【００４９】この後、図４(f) に示すように、基板表面
の斜め方向から約５秒間紫外線照射を行い、接着性領域
３３Ｓの接着剤を硬化せしめて接着性を低下させる。
の斜め方向から約５秒間紫外線照射を行い、接着性領域
３３Ｓの接着剤を硬化せしめて接着性を低下させる。
【００５０】そして図４(g) に示すように、表面保護シ
ート３５の表面に粘着性テープ２０を貼着し、この表面
保護シート３５を一括して剥離する。
ート３５の表面に粘着性テープ２０を貼着し、この表面
保護シート３５を一括して剥離する。
【００５１】そして、この固定シート１７上に固定され
た状態で実装ラインに搬送される。そして図４(h) に示
すように、固定シート１７を伸ばし、チップ間間隔を大
きくし、さらに図４(i) に示すように、貼着面すなわち
基板の裏面側から再びＵＶ照射を行い、同様に硬化さ
せ、接着力が低下し、剥離しやすい状態となったところ
で、図４(j) に示すようにコレット２１を用いて１個づ
つ移送し、リードフレームあるいはテープキャリア等に
位置決めし、装着する。
た状態で実装ラインに搬送される。そして図４(h) に示
すように、固定シート１７を伸ばし、チップ間間隔を大
きくし、さらに図４(i) に示すように、貼着面すなわち
基板の裏面側から再びＵＶ照射を行い、同様に硬化さ
せ、接着力が低下し、剥離しやすい状態となったところ
で、図４(j) に示すようにコレット２１を用いて１個づ
つ移送し、リードフレームあるいはテープキャリア等に
位置決めし、装着する。
【００５２】このようにして形成される半導体集積回路
チップは、素子領域表面が接着剤で汚染されたり、切り
屑が付着したりすることなく、得ることができ、良好な
表面状態を維持することができる。
チップは、素子領域表面が接着剤で汚染されたり、切り
屑が付着したりすることなく、得ることができ、良好な
表面状態を維持することができる。
【００５３】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明の第１
によれば、半導体集積回路基板の表面に表面保護用のシ
ートを貼着して、裏面側からこのシートを残すように半
導体集積回路基板のみを切断し、半導体集積回路チップ
に分断し、この後このシートを剥離するようにしている
ため、半導体集積回路基板の表面の汚染は低減され、信
頼性の向上を図ることができる。
によれば、半導体集積回路基板の表面に表面保護用のシ
ートを貼着して、裏面側からこのシートを残すように半
導体集積回路基板のみを切断し、半導体集積回路チップ
に分断し、この後このシートを剥離するようにしている
ため、半導体集積回路基板の表面の汚染は低減され、信
頼性の向上を図ることができる。
【００５４】本発明の第２によれば、切断される領域に
沿って、切断される領域よりもやや大きい領域に選択的
に接着剤層を形成し、この表面保護用のシートを半導体
集積回路基板の表面に貼着しているため、この表面保護
用のシートと共に、半導体集積回路基板を切断した際
に、切断面の近傍は接着剤層によって固着され、半導体
基板の素子領域は、接着剤で表面を汚染されることなく
切断面の側面でのみ表面保護用のシートに固着され、こ
の接着剤層およびシートによって保護されているため、
切り屑等で汚染されることもない。
沿って、切断される領域よりもやや大きい領域に選択的
に接着剤層を形成し、この表面保護用のシートを半導体
集積回路基板の表面に貼着しているため、この表面保護
用のシートと共に、半導体集積回路基板を切断した際
に、切断面の近傍は接着剤層によって固着され、半導体
基板の素子領域は、接着剤で表面を汚染されることなく
切断面の側面でのみ表面保護用のシートに固着され、こ
の接着剤層およびシートによって保護されているため、
切り屑等で汚染されることもない。
【００５５】本発明の第３によれば、表面保護用のシー
トの裏面全体に紫外線硬化型接着剤を塗布するとともに
このシートの表面に、切断される領域に相当する領域よ
りもやや大きい領域に遮光膜パターンを形成しこの遮光
膜パターンをマスクとして紫外線を照射し、前記シート
の切断される領域を除く領域の紫外線硬化型接着剤を選
択的に硬化させたのちにこのシートを半導体集積回路基
板の表面に貼着するようにしているため、半導体集積回
路基板を切断した際に、切断面の近傍は接着剤層によっ
て固着され、半導体基板の素子領域は、接着剤で表面を
汚染されることなく表面保護用のシートによって保護さ
れているため、切り屑等で汚染されることもない。
トの裏面全体に紫外線硬化型接着剤を塗布するとともに
このシートの表面に、切断される領域に相当する領域よ
りもやや大きい領域に遮光膜パターンを形成しこの遮光
膜パターンをマスクとして紫外線を照射し、前記シート
の切断される領域を除く領域の紫外線硬化型接着剤を選
択的に硬化させたのちにこのシートを半導体集積回路基
板の表面に貼着するようにしているため、半導体集積回
路基板を切断した際に、切断面の近傍は接着剤層によっ
て固着され、半導体基板の素子領域は、接着剤で表面を
汚染されることなく表面保護用のシートによって保護さ
れているため、切り屑等で汚染されることもない。
【図１】本発明の第１の実施例の半導体集積回路装置の
切断工程を示す図。
切断工程を示す図。
【図２】本発明の第２の実施例の半導体集積回路装置の
切断方法を示す説明図。
切断方法を示す説明図。
【図３】本発明の第２の実施例の半導体集積回路装置の
切断工程を示す図。
切断工程を示す図。
【図４】本発明の第３の実施例の半導体集積回路装置の
切断工程を示す図。
切断工程を示す図。
【図５】従来例の半導体集積回路装置の切断工程を示す
図。
図。
１ 半導体集積回路基板 １Ｃ チップ ２ 表面保護シート ３ 吸着ステージ ４ 薄刃カッター ５ ＴＶカメラ ６ 赤外線ランプ ７ 固定シート ８ 切り屑 ９ スクライブライン １０ 吸着穴 １１ 半導体集積回路基板 １２ 表面保護シート １３ 吸着ステージ １５ ＴＶカメラ １６ 赤外線ランプ １７ 固定シート Ｐ 紫外線硬化型接着剤 ２３ 接着剤層 ２４ 切断線 ２５ 表面保護用のシート ３１ 半導体集積回路基板 ３２ 素子領域 ３３Ｓ 接着性領域 ３４ 切断線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−167839（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−306669（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−61208（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−79649（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−239346（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/301
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体集積回路基板を複数の半導体集積
回路チップに分断する半導体集積回路の製造方法におい
て半導体集積回路基板の表面に紫外線硬化型接着剤を介
して表面保護用のシートを貼着するシート貼着工程と、 前記表面保護用のシートを残すように、前記半導体集積
回路基板を、裏面側から切断し、半導体集積回路チップ
に分断する切断工程と、 前記半導体集積回路基板の表面に紫外線を照射し、前記
紫外線硬化型接着剤を硬化させ、前記シートを剥離しや
すい状態にする紫外線照射工程と、 前記表面保護用のシートを剥離する剥離工程とを含むこ
とを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 【請求項２】 半導体集積回路基板を複数の半導体集積
回路チップに分断する半導体集積回路の製造方法におい
て切断工程で切断される領域に沿って前記切断される領
域よりも、やや大きい領域に選択的に接着剤層を形成
し、この接着剤層によって半導体集積回路基板の表面に
表面保護用のシートを貼着するシート貼着工程と、 前記表面保護用のシートと共に、前記半導体集積回路基
板を切断し、半導体集積回路チップに分断する切断工程
と、 前記表面保護用のシートを剥離する剥離工程とを含むこ
とを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 【請求項３】 半導体集積回路基板を複数の半導体集積
回路チップに分断する半導体集積回路の製造方法におい
て表面保護用のシートの裏面全体に紫外線硬化型接着剤
を塗布する接着剤塗布工程と、 前記シートの表面に、前記切断工程で切断される領域に
相当する領域よりもやや大きい領域に遮光膜パターンを
形成しこの遮光膜パターンをマスクとして紫外線を照射
し、前記シートの切断される領域を除く領域の前記紫外
線硬化型接着剤を選択的に硬化させる紫外線照射工程
と、 前記シートを半導体集積回路基板の表面に貼着するシー
ト貼着工程と、 前記表面保護用のシートと共に、前記半導体集積回路基
板を切断し、半導体集積回路チップに分断する切断工程
と、 前記表面保護用のシートを剥離する剥離工程とを含むこ
とを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記剥離工程に先立ち、前記半導体集積
回路基板の表面に紫外線を照射し、前記紫外線硬化型接
着剤を硬化させ、前記シートを剥離しやすい状態にする
紫外線照射工程を含むことを特徴とする請求項３記載の
半導体集積回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25235891A JP3165192B2 (ja) | 1991-03-28 | 1991-09-30 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-64950 | 1991-03-28 | ||
| JP6495091 | 1991-03-28 | ||
| JP25235891A JP3165192B2 (ja) | 1991-03-28 | 1991-09-30 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04356942A JPH04356942A (ja) | 1992-12-10 |
| JP3165192B2 true JP3165192B2 (ja) | 2001-05-14 |
Family
ID=26406094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25235891A Expired - Fee Related JP3165192B2 (ja) | 1991-03-28 | 1991-09-30 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3165192B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100714778B1 (ko) * | 2004-06-11 | 2007-05-04 | 샤프 가부시키가이샤 | 반도체 웨이퍼의 제조방법 및 반도체장치의 제조방법 |
| KR20190013164A (ko) * | 2017-07-31 | 2019-02-11 | (주) 엔지온 | 반도체칩의 제조방법 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3097619B2 (ja) | 1997-10-02 | 2000-10-10 | 日本電気株式会社 | 電界放射冷陰極の製造方法 |
| JP4659300B2 (ja) | 2000-09-13 | 2011-03-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法 |
| ES2285634T3 (es) | 2002-03-12 | 2007-11-16 | Hamamatsu Photonics K. K. | Metodo para dividir un siustrato. |
| TWI326626B (en) | 2002-03-12 | 2010-07-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Laser processing method |
| JP4509719B2 (ja) * | 2002-03-12 | 2010-07-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
| TWI520269B (zh) | 2002-12-03 | 2016-02-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Cutting method of semiconductor substrate |
| KR101193723B1 (ko) | 2003-07-18 | 2012-10-22 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 반도체 기판, 반도체 기판의 절단방법 및 가공대상물의 절단방법 |
| JP4563097B2 (ja) | 2003-09-10 | 2010-10-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体基板の切断方法 |
| JP2005276987A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Lintec Corp | 極薄チップの製造プロセス及び製造装置 |
| JP4581620B2 (ja) * | 2004-10-15 | 2010-11-17 | 株式会社デンソー | 半導体装置製造治具及び半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-09-30 JP JP25235891A patent/JP3165192B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100714778B1 (ko) * | 2004-06-11 | 2007-05-04 | 샤프 가부시키가이샤 | 반도체 웨이퍼의 제조방법 및 반도체장치의 제조방법 |
| KR100768870B1 (ko) * | 2004-06-11 | 2007-10-19 | 샤프 가부시키가이샤 | 점착 시트에 붙여진 기체편의 제조방법 |
| KR20190013164A (ko) * | 2017-07-31 | 2019-02-11 | (주) 엔지온 | 반도체칩의 제조방법 |
| KR102007709B1 (ko) * | 2017-07-31 | 2019-08-06 | (주)엔지온 | 반도체칩의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04356942A (ja) | 1992-12-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100655035B1 (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR100337412B1 (ko) | 저면보호막을가진반도체웨이퍼,집적회로디바이스및그제조방법 | |
| US6312800B1 (en) | Pressure sensitive adhesive sheet for producing a chip | |
| JP3165192B2 (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| US5972154A (en) | Methods of dicing flat workpieces | |
| US6589809B1 (en) | Method for attaching semiconductor components to a substrate using local UV curing of dicing tape | |
| JPH11204551A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20050158009A1 (en) | Structure and method for temporarily holding integrated circuit chips in accurate alignment | |
| US6777310B2 (en) | Method of fabricating semiconductor devices on a semiconductor wafer using a carrier plate during grinding and dicing steps | |
| JP2002033342A (ja) | 半導体チップの製造方法およびその実装方法 | |
| JP4208856B2 (ja) | 液体吐出ヘッドの製造方法 | |
| JP2007048876A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3463398B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3045107B2 (ja) | 固体撮像素子の組立方法 | |
| JPH09330940A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20060019463A1 (en) | Die attaching method of semiconductor chip using warpage prevention material | |
| TWI773341B (zh) | 半導體裝置的製造方法 | |
| JP2002305199A (ja) | 配線方法及び構造 | |
| JP2006196823A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JP5261897B2 (ja) | 多面付け保護材とその製造方法およびセンサーチップの製造方法 | |
| JPH07235583A (ja) | 粘着シート | |
| JP4135149B2 (ja) | 接着シート中に存在する異物の検出方法 | |
| JPH08279478A (ja) | 半導体チップ製造方法 | |
| JP2003516630A (ja) | 超小型回路ダイをウェハから分離する方法 | |
| JPH0621219A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080302 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090302 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |