JP6472347B2 - ウエーハの薄化方法 - Google Patents

ウエーハの薄化方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6472347B2
JP6472347B2 JP2015144351A JP2015144351A JP6472347B2 JP 6472347 B2 JP6472347 B2 JP 6472347B2 JP 2015144351 A JP2015144351 A JP 2015144351A JP 2015144351 A JP2015144351 A JP 2015144351A JP 6472347 B2 JP6472347 B2 JP 6472347B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
laser beam
modified layer
grinding
starting point
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015144351A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017028072A (ja
Inventor
平田　和也
和也 平田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Priority to JP2015144351A priority Critical patent/JP6472347B2/ja
Priority to TW105119573A priority patent/TWI728980B/zh
Priority to MYPI2016702450A priority patent/MY176320A/en
Priority to SG10201605425VA priority patent/SG10201605425VA/en
Priority to KR1020160086189A priority patent/KR102384101B1/ko
Priority to US15/212,513 priority patent/US10319594B2/en
Priority to CN201610569345.8A priority patent/CN106363823B/zh
Priority to DE102016213248.2A priority patent/DE102016213248B4/de
Publication of JP2017028072A publication Critical patent/JP2017028072A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6472347B2 publication Critical patent/JP6472347B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/0445—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
    • H01L21/0475—Changing the shape of the semiconductor body, e.g. forming recesses
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/0006—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
    • B23K26/032—Observing, e.g. monitoring, the workpiece using optical means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/0823—Devices involving rotation of the workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
    • B23K26/0853—Devices involving movement of the workpiece in at least in two axial directions, e.g. in a plane
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/60—Preliminary treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/70—Auxiliary operations or equipment
    • B23K26/702—Auxiliary equipment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0011—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02013—Grinding, lapping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02378—Silicon carbide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L29/1608—Silicon carbide
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)

Description

本発明は、ＳｉＣ基板の表面に複数のデバイスが形成されたウエーハの薄化方法に関する。
ＩＣ、ＬＳＩ等の各種デバイスは、シリコン基板を素材としたウエーハの表面に機能層を積層し、この機能層に複数の分割予定ラインによって区画された領域に形成される。そして、研削装置によってウエーハの裏面を研削してウエーハを所定の厚みに薄化した後、切削装置、レーザー加工装置等の加工装置によってウエーハの分割予定ラインに加工が施され、ウエーハが個々のデバイスチップに分割され、分割されたデバイスチップは、携帯電話、パソコン等の各種電子機器に広く利用されている。
また、パワーデバイス又はＬＥＤ、ＬＤ等の光デバイスは、ＳｉＣ基板を素材としたウエーハの表面に機能層を積層し、この機能層に複数の分割予定ラインによって区画された領域に形成される。
そして、上述したシリコンウエーハと同様に、研削装置によってウエーハの裏面が研削されて所定の厚みに薄化された後、切削装置、レーザー加工装置等によってウエーハの分割予定ラインに加工が施され、ウエーハが個々のデバイスチップに分割され、分割されたデバイスチップは各種電子機器に広く利用される。
特開２００２−３７３８７０号公報
しかし、ＳｉＣ基板はシリコン基板に比べてモース硬度が非常に高く、研削砥石を備えた研削ホイールによってＳｉＣ基板からなるウエーハの裏面を研削すると、研削量の４〜５倍程度研削砥石が磨耗して非常に不経済であるという問題がある。
例えば、シリコン基板を１００μｍ研削すると研削砥石は０．１μｍ磨耗するのに対して、ＳｉＣ基板を１００μｍ研削すると研削砥石は４００〜５００μｍ摩耗し、シリコン基板を研削する場合に比べて４０００〜５０００倍磨耗する。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、裏面を研削することなく表面に複数のデバイスを有するＳｉＣ基板からなるウエーハを所定厚みに薄化可能なウエーハの薄化方法を提供することである。
本発明によると、第一の面と、該第一の面と反対側の第二の面と、該第一の面から該第二の面に至るｃ軸と、該ｃ軸に直交するｃ面とを有するＳｉＣ基板の該第一の面に複数のデバイスが形成されたウエーハを薄化するウエーハの薄化方法であって、ＳｉＣ基板に対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を該第二の面からＳｉＣ基板の該第一の面近傍に位置付けると共に、該集光点とＳｉＣ基板とを相対的に移動してレーザービームを該第二の面に照射し、該第一の面に平行な改質層及びクラックとを形成して分離起点とする分離起点形成ステップと、該分離起点形成ステップを実施した後、外力を付与して該分離起点から該第二の面を有するウエーハを複数のデバイスが形成された該第一の面を有するウエーハから分離して、該第一の面を有するウエーハを薄化するウエーハ薄化ステップと、を備え、該分離起点形成ステップは、該第二の面の垂線に対して該ｃ軸がオフ角分傾き、該第二の面と該ｃ面との間にオフ角が形成される方向と直交する方向にレーザービームの集光点を相対的に移動して直線状の改質層を形成する改質層形成ステップと、該オフ角が形成される方向に該集光点を相対的に移動して所定量インデックスするインデックスステップと、を含むことを特徴とするウエーハの薄化方法が提供される。
好ましくは、本発明のウエーハの薄化方法は、ウエーハ薄化ステップを実施した後、複数のデバイスが形成された第一の面を有するウエーハの裏面を研削して平坦化する研削ステップを更に備えている。
本発明のウエーハの薄化方法によると、ウエーハ内部の全面に改質層及びクラックを形成した後、ウエーハに外力を付与して改質層及びクラックを分離起点にウエーハを二つに分離するので、複数のデバイスが形成された第一の面を有するウエーハを容易に薄化することができる。従って、ＳｉＣ基板から形成されたウエーハの裏面を研削砥石で研削することなく薄化が可能となり、研削砥石が磨耗して不経済であるという問題を解消できる。
本発明のウエーハの薄化方法により薄化されたウエーハの裏面を研削して平坦化する場合は、ウエーハの裏面を１〜５μｍ程度研削すればよく、この際の研削砥石の摩耗量を４〜２５μｍ程度に抑えることができる。更に、分離された第二の面を有するウエーハをＳｉＣ基板として再利用できるので経済的である。
本発明のウエーハの薄化方法を実施するのに適したレーザー加工装置の斜視図である。 レーザービーム発生ユニットのブロック図である。 図３（Ａ）はＳｉＣンゴットの斜視図、図３（Ｂ）はその正面図である。 表面に複数のデバイスを有するＳｉＣウエーハの表面に保護テープを貼着する様子を示す斜視図である。 図５（Ａ）はウエーハを表面に貼着された保護テープを介してチャックテーブル上に載置する状態を示す斜視図、図５（Ｂ）はチャックテーブルに吸引保持されたウエーハの斜視図である。 分離起点形成ステップを説明する斜視図である。 ＳｉＣウエーハの平面図である。 改質層形成ステップを説明する模式的断面図である。 改質層形成ステップを説明する模式的平面図である。 ウエーハ薄化ステップを説明する斜視図である（その一）。 ウエーハ薄化ステップを説明する斜視図である（その二）。 ウエーハの裏面を研削して平坦化する研削ステップを示す斜視図である。 表面に保護テープが貼着され裏面が研削ステップにより平坦化されたＳｉＣウエーハの裏面側斜視図である。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、本発明のウエーハの薄化方法を実施するのに適したレーザー加工装置２の斜視図が示されている。レーザー加工装置２は、静止基台４上にＸ軸方向に移動可能に搭載された第一スライドブロック６を含んでいる。
第一スライドブロック６は、ボールねじ８及びパルスモータ１０から構成される加工送り機構１２により一対のガイドレール１４に沿って加工送り方向、即ちＸ軸方向に移動される。
第一スライドブロック６上には第二スライドブロック１６がＹ軸方向に移動可能に搭載されている。即ち、第二スライドブロック１６はボールねじ１８及びパルスモータ２０から構成される割り出し送り機構２２により一対のガイドレール２４に沿って割り出し送り方向、即ちＹ軸方向に移動される。
第二スライドブロック１６上には吸引保持部２６ａを有するチャックテーブル２６が搭載されている。チャックテーブル２６は加工送り機構１２及び割り出し送り機構２２によりＸ軸方向及びＹ軸方向に移動可能であると共に、第二スライドブロック１６中に収容されたモータにより回転される。
静止基台４にはコラム２８が立設されており、このコラム２８にレーザービーム照射機構（レーザービーム照射手段）３０が取り付けられている。レーザービーム照射機構３０は、ケーシング３２中に収容された図２に示すレーザービーム発生ユニット３４と、ケーシング３２の先端に取り付けられた集光器（レーザーヘッド）３６とから構成される。ケーシング３２の先端には集光器３６とＸ軸方向に整列して顕微鏡及びカメラを有する撮像ユニット３８が取り付けられている。
レーザービーム発生ユニット３４は、図２に示すように、ＹＡＧレーザー又はＹＶＯ４レーザーを発振するレーザー発振器４０と、繰り返し周波数設定手段４２と、パルス幅調整手段４４と、パワー調整手段４６とを含んでいる。特に図示しないが、レーザー発振器４０はブリュースター窓を有しており、レーザー発振器４０から出射されるレーザービームは直線偏光のレーザービームである。
レーザービーム発生ユニット３４のパワー調整手段４６により所定パワーに調整されたパルスレーザービームは、集光器３６のミラー４８により反射され、更に集光レンズ５０によりチャックテーブル２６に保持された被加工物であるＳｉＣウエーハ３１の内部に集光点を位置づけられて照射される。
図３（Ａ）を参照すると、ＳｉＣインゴット（以下、単にインゴットと略称することがある）１１の斜視図が示されている。図３（Ｂ）は図３（Ａ）に示したＳｉＣインゴット１１の正面図である。
インゴット１１は、第一の面（上面）１１ａと第一の面１１ａと反対側の第二の面（裏面）１１ｂを有している。インゴット１１の上面１１ａは、レーザービームの照射面となるため鏡面に研磨されている。
インゴット１１は、第一のオリエンテーションフラット１３と、第一のオリエンテーションフラット１３に直交する第二のオリエンテーションフラット１５を有している。第一のオリエンテーションフラット１３の長さは第二のオリエンテーションフラット１５の長さより長く形成されている。
インゴット１１は、上面１１ａの垂線１７に対して第二のオリエンテーションフラット１５方向にオフ角α傾斜したｃ軸１９とｃ軸１９に直交するｃ面２１を有している。ｃ面２１はインゴット１１の上面１１ａに対してオフ角α傾斜している。一般的に、六方晶単結晶インゴット１１では、短い第二のオリエンテーションフラット１５の伸長方向に直交する方向がｃ軸の傾斜方向である。
ｃ面２１はインゴット１１中にインゴット１１の分子レベルで無数に設定される。本実施形態では、オフ角αは４°に設定されている。しかし、オフ角αは４°に限定されるものではなく、例えば１°〜６°の範囲で自由に設定してインゴット１１を製造することができる。
図１を再び参照すると、静止基台４の左側にはコラム５２が固定されており、このコラム５２にはコラム５２に形成された開口５３を介して押さえ機構５４が上下方向に移動可能に搭載されている。
図４を参照すると、ＳｉＣウエーハ３１の表面３１ａに保護テープ４１を貼着する様子の斜視図が示されている。ＳｉＣウエーハ（以下、単にウエーハと略称することがある）３１は図３に示すＳｉＣインゴット１１をワイヤーソーでスライスしたものであり、約７００μｍの厚みを有している。
ウエーハ３１の表面３１ａは鏡面加工された後、表面３１ａにフォトリソグラフィーによりパワーデバイス等の複数のデバイス３５が形成されている。各デバイス３５は、格子状に形成された複数の分割予定ライン３３により区画された各領域に形成されている。
ＳｉＣウエーハ３１は、第一のオリエンテーションフラット３７と、第一のオリエンテーションフラット３７に直交する第二のオリエンテーションフラット３９を有している。第一のオリエンテーションフラット３７の長さは第二のオリエンテーションフラット３９の長さより長く形成されている。
ここで、ＳｉＣウエーハ３１は、図３に示したＳｉＣインゴット１１をワイヤーソーでスライスしたものであるため、第一のオリエンテーションフラット３７はインゴット１１の第一のオリエンテーションフラット１３に対応し、第二のオリエンテーションフラット３９はインゴット１１の第二のオリエンテーションフラット１５に対応するものである。
そして、ウエーハ３１は、表面３１ａの垂線に対して第二のオリエンテーションフラット３９方向にオフ角α傾斜したｃ軸１９と、ｃ軸１９に直交するｃ面２１を有している（図３参照）。ｃ面２１はウエーハ３１の表面３１ａに対してオフ角α傾斜している。このＳｉＣウエーハ３１では、短い第二のオリエンテーションフラット３９の伸長方向に直交する方向がｃ軸１９の傾斜方向である。
ウエーハ３１の表面３１ａに保護テープ４１を貼着した後、図５（Ａ）に示すように、保護テープ４１側を下にしてウエーハ３１をチャックテーブル２６上に載置し、チャックテーブル２６の吸引保持部２６ａに負圧を作用させて、図５（Ｂ）に示すように、ウエーハ３１をチャックテーブル２６で吸引保持し、ウエーハ３１の裏面３１ｂを露出させる。
そして、図６及び図７に示すように、ウエーハ３１の第二のオリエンテーションフラット３９がＸ軸方向に整列するようにウエーハ３１を保持したチャックテーブル２６を回転させる。
即ち、図７に示すように、オフ角αが形成される方向Ｙ１、換言すると、ウエーハ３１の表面３１ａの垂線１７に対してｃ軸１９の表面３１ａとの交点１９ａが存在する方向に直交する方向、即ち、第二のオリエンテーションフラット３９に平行な矢印Ａ方向がＸ軸方向に整列するようにチャックテーブル２６を回転する。
これにより、オフ角αが形成される方向に直交する方向Ａに沿ってレーザービームが走査される。換言すると、オフ角αが形成される方向Ｙ１に直交するＡ方向がチャックテーブル２６の加工送り方向となる。
本発明のウエーハの薄化方法では、集光器３６から出射されるレーザービームの走査方向を、ウエーハ３１のオフ角αが形成される方向Ｙ１に直交する矢印Ａ方向としたことが重要である。
即ち、本発明のウエーハの薄化方法は、レーザービームの走査方向を上述したような方向に設定することにより、ウエーハ３１の内部に形成される改質層から伝播するクラックがｃ面２１に沿って非常に長く伸長することを見出した点に特徴がある。
本実施形態のウエーハの薄化方法では、まず、チャックテーブル２６に保持されたウエーハ３１に対して透過性を有する波長（例えば１０６４ｎｍの波長）のレーザービームの集光点をＳｉＣ基板からなるウエーハ３１の第二の面（裏面）３１ｂから第一の面（表面）３１ａ近傍に位置付けると共に、集光点とウエーハ３１とを相対的に移動してレーザービームを裏面３１ｂに照射し、表面３１ａに平行な改質層２３及び改質層２３からｃ面２１に沿って伝播するクラック２５を形成して分離起点とする分離起点形成ステップを実施する。
この分離起点形成ステップは、図７に示すように、裏面３１ｂの垂線１７に対してｃ軸１９がオフ角α分傾き、ｃ面２１と裏面３１ｂとにオフ角αが形成される方向、即ち、図７の矢印Ｙ１方向に直交する方向、即ちＡ方向にレーザービームの集光点を相対的に移動して、図８に示すように、ウエーハ３１の内部に改質層４３及び改質層４３からｃ面２１に沿って伝播するクラック４５を形成する改質層形成ステップと、図９に示すように、オフ角が形成される方向、即ちＹ軸方向に集光点を相対的に移動して所定量インデックス送りするインデックスステップとを含んでいる。
図８及び図９に示すように、改質層４３をＸ軸方向に直線状に形成すると、改質層４３の両側からｃ面２１に沿ってクラック４５が伝播して形成される。本実施形態のウエーハの薄化方法では、直線状の改質層４３からｃ面２１方向に伝播して形成されるクラック４５の幅を計測し、集光点のインデックス量を設定するインデックス量設定ステップを含む。
インデックス量設定ステップにおいて、図８に示すように、直線状の改質層４３からｃ面方向に伝播して改質層４３の片側に形成されるクラック４５の幅をＷ１とした場合、インデックスすべき所定量Ｗ２は、Ｗ１以上２Ｗ１以下に設定される。
ここで、好ましい実施形態の、レーザー加工方法は以下のように設定される。
光源 ：Ｎｄ：ＹＡＧパルスレーザー
波長 ：１０６４ｎｍ
繰り返し周波数 ：８０ｋＨｚ
平均出力 ：３．２Ｗ
パルス幅 ：４ｎｓ
スポット径 ：１０μｍ
集光レンズの開口数（ＮＡ） ：０．４５
インデックス量 ：４００μｍ
上述したレーザー加工条件においては、図８において、改質層４３からｃ面２１に沿って伝播するクラック４５の幅Ｗ１が略２５０μｍに設定され、インデックス量Ｗ２が４００μｍに設定される。
しかし、レーザービームの平均出力は３．２Ｗに限定されるものではなく、本実施形態の加工方法では、平均出力を２Ｗ〜４．５Ｗに設定して良好な結果が得られた。平均出力２Ｗの場合、クラック２５の幅Ｗ１は略１００μｍとなり、平均出力４．５Ｗの場合には、クラック２５の幅Ｗ１は略３５０μｍとなった。
平均出力が２Ｗ未満の場合及び４．５Ｗより大きい場合には、ウエーハ３１の内部に良好な改質層４３を形成することができないため、照射するレーザービームの平均出力は２Ｗ〜４．５Ｗの範囲内が好ましく、本実施形態では平均出力３．２Ｗのレーザービームをウエーハ３１に照射した。図８において、改質層４３を形成する集光点の裏面３１ｂからの深さＤ１は６５０μｍに設定した。
図９に示すように、所定量インデックス送りしながら、ウエーハ３１の全領域の裏面３１ｂから深さＤ１の位置に複数の改質層４３及び改質層４３からｃ面２１に沿って伸びるクラック４５の形成が終了したなら、外力を付与して改質層４３及びクラック４５からなる分離起点からウエーハを分離して、表面３１ａに複数のデバイス３５を有するウエーハを約５０μｍ程度に薄化するウエーハ薄化ステップを実施する。
このウエーハ薄化ステップは、例えば図１０に示すような押圧機構５４により実施する。押圧機構５４は、コラム５２内に内蔵された移動機構により上下方向に移動するヘッド５６と、ヘッド５６に対して、図１０（Ｂ）に示すように、矢印Ｒ方向に回転される押圧部材５８とを含んでいる。
図１０（Ａ）に示すように、押圧機構５４をチャックテーブル２６に保持されたウエーハ３１の上方に位置付け、図１０（Ｂ）に示すように、押圧部材５８がウエーハ３１の裏面３１ｂに圧接するまでヘッド５６を下降する。
押圧部材５８をウエーハ３１の裏面３１ｂに圧接した状態で、押圧部材５８を矢印Ｒ方向に回転すると、ウエーハ３１にはねじり応力が発生し、改質層４３及びクラック４５が形成された分離起点からウエーハ３１が破断され、ウエーハ３１をチャックテーブル２６に保持されたウエーハ３１Ａとウエーハ３１Ｂに分離することができる。
チャックテーブル２６に保持されたウエーハ３１Ａの裏面である分離面４７には改質層４３とクラック４５の一部が残存することとなり、図１１及び図１２に示すように、分離面４７には微細な凹凸が形成される。従って、本発明のウエーハの薄化方法では、ウエーハ３１Ａの裏面である分離面４７を研削して平坦化する研削ステップを実施するのが好ましい。
この研削ステップでは、図１２に示すように、研削装置のチャックテーブル５８で保護テープ４１を介してウエーハ３１Ａを吸引保持して分離面４７を露出させる。研削装置の研削ユニット６０は、モータにより回転駆動されるスピンドル６２と、スピンドル６２の先端に固定されたホイールマウント６４と、ホイールマウント６４に複数のねじ６８により着脱可能に装着された研削ホイール６６とを含んでいる。研削ホイール６６は、環状のホイール基台７０と、ホイール基台７０の下端部外周に固着された複数の研削砥石７２とから構成されている。
研削ステップでは、チャックテーブル５８を矢印ａで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削ホイール６６を矢印ｂで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転させると共に、研削ユニット送り機構を駆動して研削ホイール６６の研削砥石７２をウエーハ３１Ａの分離面４７に接触させる。
そして、研削ホイール６６を所定の研削送り速度（例えば０．１μｍ／ｓ）で下方に所定量研削送りしながらウエーハ３１Ａの分離面４７を研削して平坦化する。これにより、図１３に示すように、ウエーハ３１Ａの裏面３１ｂは残存していた改質層４３及びクラック４５が除去されて平坦面となる。
薄化されたウエーハ３１Ａの裏面を研削して平坦化する場合は、ウエーハ３１Ａの裏面を１〜５μｍ程度研削すればよく、研削砥石７２の摩耗量を４〜２５μｍ程度に抑えることができる。
また、図１１でウエーハ３１Ａから分離されたウエーハ３１ＢはＳｉＣ基板として再利用することができるので、非常に経済的である。
２ レーザー加工装置
１１ ＳｉＣインゴット
１３，３７ 第一のオリエンテーションフラット
１５，３９ 第二のオリエンテーションフラット
１９ ｃ軸
２１ ｃ面
３０ レーザービーム照射ユニット
３１ ＳｉＣウエーハ
３６ 集光器（レーザーヘッド）
４１ 保護テープ
４３ 改質層
４５ クラック
４７ 分離面
６６ 研削ホイール
７２ 研削砥石

Claims (2)

  1. 第一の面と、該第一の面と反対側の第二の面と、該第一の面から該第二の面に至るｃ軸と、該ｃ軸に直交するｃ面とを有するＳｉＣ基板の該第一の面に複数のデバイスが形成されたウエーハを薄化するウエーハの薄化方法であって、
    ＳｉＣ基板に対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を該第二の面からＳｉＣ基板の該第一の面近傍に位置付けると共に、該集光点とＳｉＣ基板とを相対的に移動してレーザービームを該第二の面に照射し、該第一の面に平行な改質層及びクラックとを形成して分離起点とする分離起点形成ステップと、
    該分離起点形成ステップを実施した後、外力を付与して該分離起点から該第二の面を有するウエーハを複数のデバイスが形成された該第一の面を有するウエーハから分離して、該第一の面を有するウエーハを薄化するウエーハ薄化ステップと、を備え、
    該分離起点形成ステップは、該第二の面の垂線に対して該ｃ軸がオフ角分傾き、該第二の面と該ｃ面との間にオフ角が形成される方向と直交する方向にレーザービームの集光点を相対的に移動して直線状の改質層を形成する改質層形成ステップと、
    該オフ角が形成される方向に該集光点を相対的に移動して所定量インデックスするインデックスステップと、を含むことを特徴とするウエーハの薄化方法。
  2. 該ウエーハ薄化ステップを実施した後、複数のデバイスが形成された該第一の面を有するウエーハの裏面を研削して平坦化する研削ステップを更に備えた請求項１記載のウエーハの薄化方法。
JP2015144351A 2015-07-21 2015-07-21 ウエーハの薄化方法 Active JP6472347B2 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015144351A JP6472347B2 (ja) 2015-07-21 2015-07-21 ウエーハの薄化方法
TW105119573A TWI728980B (zh) 2015-07-21 2016-06-22 晶圓之薄化方法
SG10201605425VA SG10201605425VA (en) 2015-07-21 2016-07-01 Wafer thinning method
MYPI2016702450A MY176320A (en) 2015-07-21 2016-07-01 Wafer thinning method
KR1020160086189A KR102384101B1 (ko) 2015-07-21 2016-07-07 웨이퍼의 박화 방법
US15/212,513 US10319594B2 (en) 2015-07-21 2016-07-18 Wafer thinning method
CN201610569345.8A CN106363823B (zh) 2015-07-21 2016-07-19 晶片的薄化方法
DE102016213248.2A DE102016213248B4 (de) 2015-07-21 2016-07-20 Verfahren zum dünnen Ausgestalten eines Wafers

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015144351A JP6472347B2 (ja) 2015-07-21 2015-07-21 ウエーハの薄化方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017028072A JP2017028072A (ja) 2017-02-02
JP6472347B2 true JP6472347B2 (ja) 2019-02-20

Family

ID=57739060

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015144351A Active JP6472347B2 (ja) 2015-07-21 2015-07-21 ウエーハの薄化方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US10319594B2 (ja)
JP (1) JP6472347B2 (ja)
KR (1) KR102384101B1 (ja)
CN (1) CN106363823B (ja)
DE (1) DE102016213248B4 (ja)
MY (1) MY176320A (ja)
SG (1) SG10201605425VA (ja)
TW (1) TWI728980B (ja)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6478821B2 (ja) * 2015-06-05 2019-03-06 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6779582B2 (ja) * 2017-03-03 2020-11-04 株式会社ディスコ 被加工物のレーザ加工方法
JP7256120B2 (ja) * 2017-06-19 2023-04-11 ローム株式会社 半導体装置の製造方法およびウエハ貼着構造体
JP2019033134A (ja) * 2017-08-04 2019-02-28 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP6896344B2 (ja) * 2017-09-22 2021-06-30 株式会社ディスコ チップの製造方法
CN107649785A (zh) * 2017-09-22 2018-02-02 北京世纪金光半导体有限公司 一种晶圆减薄方法及装置
JP7121941B2 (ja) * 2018-03-09 2022-08-19 国立大学法人埼玉大学 基板製造方法
US10388526B1 (en) 2018-04-20 2019-08-20 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor wafer thinning systems and related methods
US11121035B2 (en) 2018-05-22 2021-09-14 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate processing methods
US10896815B2 (en) 2018-05-22 2021-01-19 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate singulation systems and related methods
US20190363018A1 (en) 2018-05-24 2019-11-28 Semiconductor Components Industries, Llc Die cleaning systems and related methods
US10468304B1 (en) 2018-05-31 2019-11-05 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate production systems and related methods
US11830771B2 (en) 2018-05-31 2023-11-28 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate production systems and related methods
KR20210033485A (ko) * 2018-07-19 2021-03-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
JP7187215B2 (ja) * 2018-08-28 2022-12-12 株式会社ディスコ ＳｉＣ基板の加工方法
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
JP7262027B2 (ja) 2019-05-17 2023-04-21 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法
JP2022053835A (ja) 2020-09-25 2022-04-06 株式会社ディスコ ウエーハの分離方法
JP2024047654A (ja) 2022-09-27 2024-04-08 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法、デバイスチップの製造方法

Family Cites Families (85)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5223692A (en) 1991-09-23 1993-06-29 General Electric Company Method and apparatus for laser trepanning
FR2716303B1 (fr) 1994-02-11 1996-04-05 Franck Delorme Laser à réflecteurs de Bragg distribués, accordable en longueur d'onde, à réseaux de diffraction virtuels activés sélectivement.
US5561544A (en) 1995-03-06 1996-10-01 Macken; John A. Laser scanning system with reflecting optics
TW350095B (en) 1995-11-21 1999-01-11 Daido Hoxan Inc Cutting method and apparatus for semiconductor materials
US5985742A (en) * 1997-05-12 1999-11-16 Silicon Genesis Corporation Controlled cleavage process and device for patterned films
JP2000094221A (ja) 1998-09-24 2000-04-04 Toyo Advanced Technologies Co Ltd 放電式ワイヤソー
JP4659300B2 (ja) 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
US6720522B2 (en) 2000-10-26 2004-04-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus and method for laser beam machining, and method for manufacturing semiconductor devices using laser beam machining
JP4731050B2 (ja) 2001-06-15 2011-07-20 株式会社ディスコ 半導体ウエーハの加工方法
TWI261358B (en) 2002-01-28 2006-09-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing the same
EP3664131A3 (en) 2002-03-12 2020-08-19 Hamamatsu Photonics K. K. Substrate dividing method
US6992765B2 (en) 2002-10-11 2006-01-31 Intralase Corp. Method and system for determining the alignment of a surface of a material in relation to a laser beam
TWI520269B (zh) 2002-12-03 2016-02-01 Hamamatsu Photonics Kk Cutting method of semiconductor substrate
US7427555B2 (en) * 2002-12-16 2008-09-23 The Regents Of The University Of California Growth of planar, non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy
US20040144301A1 (en) 2003-01-24 2004-07-29 Neudeck Philip G. Method for growth of bulk crystals by vapor phase epitaxy
JP2005268752A (ja) 2004-02-19 2005-09-29 Canon Inc レーザ割断方法、被割断部材および半導体素子チップ
JP2005294325A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Sharp Corp 基板製造方法及び基板製造装置
US20050217560A1 (en) 2004-03-31 2005-10-06 Tolchinsky Peter G Semiconductor wafers with non-standard crystal orientations and methods of manufacturing the same
WO2005122223A1 (en) 2004-06-11 2005-12-22 Showa Denko K.K. Production method of compound semiconductor device wafer
JP2006108532A (ja) 2004-10-08 2006-04-20 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの研削方法
JP2006187783A (ja) 2005-01-05 2006-07-20 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
JP2006315017A (ja) 2005-05-11 2006-11-24 Canon Inc レーザ切断方法および被切断部材
JP4809632B2 (ja) 2005-06-01 2011-11-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP2007019379A (ja) 2005-07-11 2007-01-25 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
JP4749799B2 (ja) 2005-08-12 2011-08-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
US9138913B2 (en) 2005-09-08 2015-09-22 Imra America, Inc. Transparent material processing with an ultrashort pulse laser
JP4183093B2 (ja) 2005-09-12 2008-11-19 コバレントマテリアル株式会社 シリコンウエハの製造方法
WO2007055010A1 (ja) 2005-11-10 2007-05-18 Renesas Technology Corp. 半導体装置の製造方法および半導体装置
US20070111480A1 (en) 2005-11-16 2007-05-17 Denso Corporation Wafer product and processing method therefor
US8835802B2 (en) 2006-01-24 2014-09-16 Stephen C. Baer Cleaving wafers from silicon crystals
JP2007329391A (ja) 2006-06-09 2007-12-20 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハの結晶方位指示マーク検出機構
US8980445B2 (en) 2006-07-06 2015-03-17 Cree, Inc. One hundred millimeter SiC crystal grown on off-axis seed
JP2008283025A (ja) 2007-05-11 2008-11-20 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
EP2009687B1 (en) * 2007-06-29 2016-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing an SOI substrate and method of manufacturing a semiconductor device
JP5011072B2 (ja) 2007-11-21 2012-08-29 株式会社ディスコ レーザー加工装置
US8338218B2 (en) 2008-06-26 2012-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device module and manufacturing method of the photoelectric conversion device module
JP2010021398A (ja) * 2008-07-11 2010-01-28 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの処理方法
JP5692969B2 (ja) 2008-09-01 2015-04-01 浜松ホトニクス株式会社 収差補正方法、この収差補正方法を用いたレーザ加工方法、この収差補正方法を用いたレーザ照射方法、収差補正装置、及び、収差補正プログラム
EP2402984B1 (en) 2009-02-25 2018-01-10 Nichia Corporation Method of manufacturing a semiconductor element, and corresponding semicondutor element
CN105023973A (zh) 2009-04-21 2015-11-04 泰特拉桑有限公司 形成太阳能电池中的结构的方法
JP5537081B2 (ja) 2009-07-28 2014-07-02 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP2011040631A (ja) 2009-08-13 2011-02-24 Disco Abrasive Syst Ltd 硬質ウエーハの研削方法
JP5379604B2 (ja) 2009-08-21 2013-12-25 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びチップ
JP2011165766A (ja) 2010-02-05 2011-08-25 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスウエーハの加工方法
JP5558128B2 (ja) 2010-02-05 2014-07-23 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
JP5370262B2 (ja) 2010-05-18 2013-12-18 豊田合成株式会社 半導体発光チップおよび基板の加工方法
US8722516B2 (en) 2010-09-28 2014-05-13 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and method for manufacturing light-emitting device
RU2459691C2 (ru) * 2010-11-29 2012-08-27 Юрий Георгиевич Шретер Способ отделения поверхностного слоя полупроводникового кристалла (варианты)
JP5480169B2 (ja) 2011-01-13 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
US20130312460A1 (en) * 2011-02-10 2013-11-28 National University Corporation Saitama University Manufacturing method of single crystal substrate and manufacturing method of internal modified layer-forming single crystal member
CN103380482B (zh) * 2011-02-10 2016-05-25 信越聚合物株式会社 单结晶基板制造方法及内部改质层形成单结晶部件
JP5904720B2 (ja) 2011-05-12 2016-04-20 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
JP5912287B2 (ja) 2011-05-19 2016-04-27 株式会社ディスコ レーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP5912293B2 (ja) 2011-05-24 2016-04-27 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP5917862B2 (ja) * 2011-08-30 2016-05-18 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5878330B2 (ja) 2011-10-18 2016-03-08 株式会社ディスコ レーザー光線の出力設定方法およびレーザー加工装置
US8747982B2 (en) * 2011-12-28 2014-06-10 Sicrystal Aktiengesellschaft Production method for an SiC volume monocrystal with a homogeneous lattice plane course and a monocrystalline SiC substrate with a homogeneous lattice plane course
JP5843393B2 (ja) * 2012-02-01 2016-01-13 信越ポリマー株式会社 単結晶基板の製造方法、単結晶基板、および、内部改質層形成単結晶部材の製造方法
US9214353B2 (en) 2012-02-26 2015-12-15 Solexel, Inc. Systems and methods for laser splitting and device layer transfer
JP2014041924A (ja) 2012-08-22 2014-03-06 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
US9190294B2 (en) * 2012-08-23 2015-11-17 Michael Xiaoxuan Yang Methods and apparatus for separating a substrate
JP6090998B2 (ja) 2013-01-31 2017-03-08 一般財団法人電力中央研究所 六方晶単結晶の製造方法、六方晶単結晶ウエハの製造方法
WO2014179368A1 (en) 2013-04-29 2014-11-06 Solexel, Inc. Damage free laser patterning of transparent layers for forming doped regions on a solar cell substrate
JP6341639B2 (ja) 2013-08-01 2018-06-13 株式会社ディスコ 加工装置
JP2015032690A (ja) * 2013-08-02 2015-02-16 株式会社ディスコ 積層ウェーハの加工方法
US20150121960A1 (en) 2013-11-04 2015-05-07 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method and apparatus for machining diamonds and gemstones using filamentation by burst ultrafast laser pulses
US9850160B2 (en) 2013-12-17 2017-12-26 Corning Incorporated Laser cutting of display glass compositions
JP2015119076A (ja) 2013-12-19 2015-06-25 信越ポリマー株式会社 内部加工層形成単結晶部材およびその製造方法
US9757815B2 (en) 2014-07-21 2017-09-12 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method and apparatus for performing laser curved filamentation within transparent materials
JP6390898B2 (ja) * 2014-08-22 2018-09-19 アイシン精機株式会社 基板の製造方法、加工対象物の切断方法、及び、レーザ加工装置
LT3206829T (lt) 2014-10-13 2019-03-12 Evana Technologies, Uab Lazerinio apdorojimo būdas perskelti arba perpjauti ruošinį, formuojant "adatos" formos pažeidimus
US10307867B2 (en) 2014-11-05 2019-06-04 Asm Technology Singapore Pte Ltd Laser fiber array for singulating semiconductor wafers
JP6399913B2 (ja) 2014-12-04 2018-10-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6358941B2 (ja) 2014-12-04 2018-07-18 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP5917677B1 (ja) * 2014-12-26 2016-05-18 エルシード株式会社 ＳｉＣ材料の加工方法
JP6395613B2 (ja) 2015-01-06 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6395634B2 (ja) 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6395633B2 (ja) 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6425606B2 (ja) 2015-04-06 2018-11-21 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6482389B2 (ja) 2015-06-02 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6472333B2 (ja) 2015-06-02 2019-02-20 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6482423B2 (ja) 2015-07-16 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6486239B2 (ja) 2015-08-18 2019-03-20 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6486240B2 (ja) 2015-08-18 2019-03-20 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6602207B2 (ja) 2016-01-07 2019-11-06 株式会社ディスコ ＳｉＣウエーハの生成方法

Also Published As

Publication number Publication date
SG10201605425VA (en) 2017-02-27
DE102016213248B4 (de) 2024-05-02
DE102016213248A1 (de) 2017-01-26
JP2017028072A (ja) 2017-02-02
CN106363823B (zh) 2019-09-17
TWI728980B (zh) 2021-06-01
KR102384101B1 (ko) 2022-04-06
TW201724235A (zh) 2017-07-01
US10319594B2 (en) 2019-06-11
CN106363823A (zh) 2017-02-01
US20170025276A1 (en) 2017-01-26
KR20170012026A (ko) 2017-02-02
MY176320A (en) 2020-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6472347B2 (ja) ウエーハの薄化方法
JP6486239B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP6486240B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP6482425B2 (ja) ウエーハの薄化方法
JP6562819B2 (ja) ＳｉＣ基板の分離方法
JP6456228B2 (ja) 薄板の分離方法
JP6444249B2 (ja) ウエーハの生成方法
JP6358941B2 (ja) ウエーハの生成方法
JP6358940B2 (ja) ウエーハの生成方法
JP6355540B2 (ja) ウエーハの生成方法
JP2014099522A (ja) 板状物の加工方法
JP6366486B2 (ja) ウエーハの生成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180515

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190118

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190122

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190122

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6472347

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250