JPH1128586A - レーザマーキング装置 - Google Patents

レーザマーキング装置

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JPH1128586A
JPH1128586A JP9182783A JP18278397A JPH1128586A JP H1128586 A JPH1128586 A JP H1128586A JP 9182783 A JP9182783 A JP 9182783A JP 18278397 A JP18278397 A JP 18278397A JP H1128586 A JPH1128586 A JP H1128586A
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JP
Japan
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laser
switch
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scanning
frequency
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JP9182783A
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Inventor
Satoru Matsushita
悟 松下
Takashi Atomichi
隆 跡路
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Keyence Corp
Original Assignee
Keyence Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 最適な印字条件に容易に設定可能なレーザマ
ーキング装置を提供することである。 【解決手段】 ＣＰＵ２１は、表示・入力装置２３から
印字するマークおよび配置に関する情報、レーザ出力お
よび走査速度を入力し、ドット間距離を入力または設定
する。ＣＰＵ２１は、入力された走査速度およびドット
間距離に基づいてＱスイッチ周波数を算出する。印字す
るマークおよび配置に関する情報および走査速度をガル
バノミラー制御部２２に与え、レーザ出力に基づくラン
プ電流制御信号をランプ電源２０に与え、Ｑスイッチ周
波数をＱスイッチ制御部２５に与えることにより、ガル
バノミラー、ランプ電源２０およびＱスイッチ１５を制
御する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、対象物に文字、記
号、図形等のマークを印字するためのレーザマーキング
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザマーキング装置では、レーザ発振
器から出射されるレーザ光を対象物の表面に走査させる
ことにより対象物に文字、記号、図形等のマークを印字
する。レーザ発振器は、Ｑスイッチングによりレーザ光
をパルス発振させることにより高くかつ時間幅の短いレ
ーザ出力を得るためにＱスイッチを有する。Ｑスイッチ
ングとは、光共振器の損失を増加させた状態でポンピン
グを行い、エネルギーを励起準位に蓄積して適当なとき
に損失を減少させ、レーザ作用を行わせることをいう。
これにより、パルス発振するレーザ光のエネルギーによ
り対象物に種々のマークを印字することができる。な
お、Ｑスイッチが作動しないときには、レーザ光は連続
発振する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】レーザマーキング装置
を使用する際には、印字条件として少なくともレーザ光
の走査速度、ＱスイッチのＱスイッチ周波数およびレー
ザ出力（レーザパワー）の３つの値を指定する必要があ
る。
【０００４】最適な印字条件は対象物の材質や印字する
マークの種類や大きさ等により異なるため、作業者がこ
れらの３つの値を調整しながら最適な印字条件に設定す
る作業は非常に困難である。
【０００５】本発明の目的は、最適な印字条件に容易に
設定可能なレーザマーキング装置を提供することであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
（１）第１の発明 第１の発明に係るレーザマーキング装置は、対象物の表
面にレーザ光を照射してマークを印字するレーザマーキ
ング装置であって、Ｑスイッチを有し、レーザ光を出射
するレーザ発振器と、レーザ発振器から出射されるレー
ザ光を対象物の表面に走査させる走査手段と、印字すべ
きマークに関する印字情報、レーザ出力およびレーザ光
の走査速度を入力する入力手段と、入力手段により入力
されたレーザ光の走査速度に基づいてＱスイッチの周波
数を算出する算出手段と、入力手段により入力された印
字情報、レーザ出力およびレーザ光の走査速度、ならび
に算出手段により算出されたＱスイッチの周波数に基づ
いて、レーザ発振器および走査手段を制御する制御手段
とを備える。
【０００７】レーザ光により対象物の表面に形成される
ドットの間隔を一定とすると、レーザ光の走査速度とＱ
スイッチの周波数は比例関係にある。したがって、本発
明に係るレーザマーキング装置においては、印字情報、
レーザ出力およびレーザ光の走査速度が入力されると、
レーザ光の走査速度に基づいてＱスイッチの周波数が算
出される。そして、入力された印字情報およびレーザ光
の走査速度に基づいて走査手段が制御され、入力された
レーザ出力および算出されたＱスイッチの周波数に基づ
いてレーザ発振器が制御される。
【０００８】したがって、指定すべき印字条件はレーザ
出力およびレーザ光の走査速度となり、Ｑスイッチの周
波数の指定は不要となる。その結果、最適な印字条件の
設定を容易に行うことが可能となる。
【０００９】（２）第２の発明 第２の発明に係るレーザマーキング装置は、対象物の表
面にレーザ光を照射してマークを印字するレーザマーキ
ング装置であって、Ｑスイッチを有し、レーザ光を出射
するレーザ発振器と、レーザ発振器から出射されるレー
ザ光を対象物の表面に走査させる走査手段と、印字すべ
きマークに関する印字情報、レーザ出力およびＱスイッ
チの周波数を入力する入力手段と、入力手段により入力
されたＱスイッチの周波数に基づいてレーザ光の走査速
度を算出する算出手段と、入力手段により入力された印
字情報、レーザ出力およびＱスイッチの周波数、ならび
に算出手段により算出されたレーザ光の走査速度に基づ
いて、レーザ発振器および走査手段を制御する制御手段
とを備える。
【００１０】レーザ光により対象物の表面に形成される
ドットの間隔を一定とすると、レーザ光の走査速度とＱ
スイッチの周波数は比例関係にある。したがって、本発
明に係るレーザマーキング装置においては、印字情報、
レーザ出力およびＱスイッチの周波数が入力されると、
Ｑスイッチの周波数に基づいてレーザ光の走査速度が算
出される。そして、入力された印字情報および算出され
たレーザ光の走査速度に基づいて走査手段が制御され、
入力されたレーザ出力およびＱスイッチの周波数に基づ
いてレーザ発振器が制御される。
【００１１】したがって、指定すべき印字条件はレーザ
出力およびＱスイッチの周波数となり、レーザ光の走査
速度の指定は不要となる。その結果、最適な印字条件の
設定を容易に行うことが可能となる。
【００１２】（３）第３の発明 第３の発明に係るレーザマーキング装置は、対象物の表
面にレーザ光を照射してマークを印字するレーザマーキ
ング装置であって、Ｑスイッチを有し、レーザ光を出射
するレーザ発振器と、レーザ発振器から出射されるレー
ザ光を対象物の表面に走査させる走査手段と、印字すべ
きマークに関する印字情報、許容印字時間、レーザ出力
およびＱスイッチの周波数を入力する入力手段と、入力
手段により入力された印字情報および許容印字時間に基
づいてレーザ光の走査速度を算出する算出手段と、入力
手段により入力された印字情報、レーザ出力およびＱス
イッチの周波数、ならびに算出手段により算出されたレ
ーザ光の走査速度に基づいて、レーザ発振器および走査
手段を制御する制御手段とを備える。
【００１３】許容印字時間が与えられると、印字すべき
マークの種類および配置に応じてマークを許容印字時間
内に印字するために必要なレーザ光の走査速度が定ま
る。したがって、本発明に係るレーザマーキング装置に
おいては、印字情報、許容印字時間、レーザ出力および
Ｑスイッチの周波数が入力されると、印字情報および許
容印字時間に基づいてレーザ光の走査速度が算出され
る。そして、入力された印字情報および算出されたレー
ザ光の走査速度に基づいて走査手段が制御され、入力さ
れたレーザ出力およびＱスイッチの周波数に基づいてレ
ーザ発振器が制御される。
【００１４】したがって、指定すべき印字条件は許容印
字時間、レーザ出力およびＱスイッチの周波数となり、
レーザ光の走査速度の指定は不要となる。その結果、最
適な印字条件の設定を容易に行うことが可能となる。
【００１５】（４）第４の発明 第４の発明に係るレーザマーキング装置は、対象物の表
面にレーザ光を照射してマークを印字するレーザマーキ
ング装置であって、Ｑスイッチを有し、レーザ光を出射
するレーザ発振器と、レーザ発振器から出射されるレー
ザ光を対象物の表面に走査させる走査手段と、印字すべ
きマークに関する印字情報、許容印字時間およびレーザ
出力を入力する入力手段と、入力手段により入力された
印字情報および許容印字時間に基づいてレーザ光の走査
速度を算出し、かつ算出されたレーザ光の走査速度に基
づいてＱスイッチの周波数を算出する算出手段と、入力
手段により入力された印字情報およびレーザ出力、なら
びに算出手段により算出されたレーザ光の走査速度およ
びＱスイッチの周波数に基づいて、レーザ発振器および
走査手段を制御する制御手段とを備える。
【００１６】許容印字時間が与えられると、印字すべき
マークの種類および配置に応じてマークを許容印字時間
内に印字するために必要なレーザ光の走査速度が定ま
る。また、レーザ光により対象物の表面に形成されるド
ットの間隔を一定とすると、レーザ光の走査速度とＱス
イッチの周波数は比例関係にある。したがって、本発明
に係るレーザマーキング装置においては、印字情報、許
容印字時間およびレーザ出力が入力されると、印字情報
および許容印字時間に基づいてレーザ光の走査速度が算
出され、かつ算出されたレーザ光の走査速度に基づいて
Ｑスイッチの周波数が算出される。そして、入力された
印字情報および算出されたレーザ光の走査速度に基づい
て走査手段が制御され、入力されたレーザ出力および算
出されたＱスイッチの周波数に基づいてレーザ発振器が
制御される。
【００１７】したがって、指定すべき印字条件は許容印
字時間およびレーザ出力となり、レーザ光の走査速度お
よびＱスイッチの周波数の指定は不要となる。その結
果、最適な印字条件の設定を容易に行うことが可能とな
る。
【００１８】（５）第５の発明 第５の発明に係るレーザマーキング装置は、第１〜第４
の発明に係るレーザマーキング装置の構成において、入
力手段は、レーザ光により対象物の表面に形成されるド
ットの間隔をさらに入力し、算出手段は、入力手段によ
り入力されたドットの間隔にさらに基づいてＱスイッチ
の周波数またはレーザ光の走査速度を算出するものであ
る。
【００１９】この場合、ドットの間隔が入力されると、
そのドットの間隔に基づいてＱスイッチの周波数または
レーザ光の走査速度が算出されるので、任意のドット間
隔で印字を行うことが可能となる。
【００２０】（６）第６の発明 第６の発明に係るレーザマーキング装置は、対象物の表
面にレーザ光を照射してマークを印字するレーザマーキ
ング装置であって、Ｑスイッチを有し、レーザ光を出射
するレーザ発振器と、レーザ発振器から出射されるレー
ザ光を対象物の表面に走査させる走査手段と、複数の印
字見本に対応するレーザ光の走査速度およびレーザ出力
の関係を記憶する記憶手段と、印字すべきマークに関す
る印字情報、および複数の印字見本のいずれかを指定す
る指定情報を入力する入力手段と、入力手段により入力
された指定情報に基づいて記憶手段から対応するレーザ
光の走査速度およびレーザ出力を抽出する抽出手段と、
抽出手段により抽出されたレーザ光の走査速度に基づい
てＱスイッチの周波数を算出する算出手段と、入力手段
により入力された印字情報、抽出手段により抽出された
レーザ光の走査速度およびレーザ出力、ならびに算出手
段により算出されたＱスイッチの周波数に基づいて、レ
ーザ発振器および走査手段を制御する制御手段とを備え
る。
【００２１】本発明に係るレーザマーキング装置におい
ては、複数の印字見本に対応するレーザ光の走査速度お
よびレーザ出力の関係が予め記憶手段に記憶される。し
たがって、印字情報、および印字見本のいずれかを指定
する指定情報が入力されると、指定情報に基づいてレー
ザ光の走査速度およびレーザ出力が抽出される。また、
レーザ光により対象物の表面に形成されるドットの間隔
を一定とすると、レーザ光の走査速度とＱスイッチの周
波数は比例関係にある。したがって、抽出されたレーザ
光の走査速度に基づいてＱスイッチの周波数が算出され
る。そして、入力された印字情報および抽出されたレー
ザ光の走査速度に基づいて走査手段が制御され、抽出さ
れたレーザ出力および算出されたＱスイッチの周波数に
基づいてレーザ発振器が制御される。
【００２２】したがって、指定すべき印字条件は指定情
報となり、レーザ光の走査速度、レーザ出力およびＱス
イッチの周波数の指定は不要となる。その結果、最適な
印字条件の設定を容易に行うことが可能となる。
【００２３】（７）第７の発明 第７の発明に係るレーザマーキング装置は、対象物の表
面にレーザ光を照射してマークを印字するレーザマーキ
ング装置であって、Ｑスイッチを有し、レーザ光を出射
するレーザ発振器と、レーザ発振器から出射されるレー
ザ光を対象物の表面に走査させる走査手段と、複数の印
字見本に対応するＱスイッチの周波数およびレーザ出力
の関係を記憶する記憶手段と、印字すべきマークに関す
る印字情報、および複数の印字見本のいずれかを指定す
る指定情報を入力する入力手段と、入力手段により入力
された指定情報に基づいて記憶手段から対応するＱスイ
ッチの周波数およびレーザ出力を抽出する抽出手段と、
抽出手段により抽出されたＱスイッチの周波数に基づい
てレーザ光の走査速度を算出する算出手段と、入力手段
により入力された印字情報、抽出手段により抽出された
Ｑスイッチの周波数およびレーザ出力、ならびに算出手
段により算出されたレーザ光の走査速度に基づいて、レ
ーザ発振器および走査手段を制御する制御手段とを備え
る。
【００２４】本発明に係るレーザマーキング装置におい
ては、複数の印字見本に対応するＱスイッチの周波数お
よびレーザ出力の関係が予め記憶手段に記憶される。し
たがって、印字情報、および複数の印字見本のいずれか
を指定する指定情報が入力されると、指定情報に基づい
てＱスイッチの周波数およびレーザ出力が抽出される。
また、レーザ光により対象物の表面に形成されるドット
の間隔を一定とすると、レーザ光の走査速度とＱスイッ
チの周波数は比例関係にある。したがって、抽出された
Ｑスイッチの周波数に基づいてレーザ光の走査速度が算
出される。そして、入力された印字情報および算出され
たレーザ光の走査速度に基づいて走査手段が制御され、
抽出されたＱスイッチの周波数およびレーザ出力に基づ
いてレーザ発振器が制御される。
【００２５】したがって、指定すべき印字条件は指定情
報となり、レーザ光の走査速度、レーザ出力およびＱス
イッチの周波数の指定は不要となる。その結果、最適な
印字条件の設定を容易に行うことが可能となる。
【００２６】（８）第８の発明 第８の発明に係るレーザマーキング装置は、対象物の表
面にレーザ光を照射してマークを印字するレーザマーキ
ング装置であって、Ｑスイッチを有し、レーザ光を出射
するレーザ発振器と、レーザ発振器から出射されるレー
ザ光を対象物の表面に走査させる走査手段と、複数の印
字見本に対応する印字の濃度、レーザ光の走査速度およ
びレーザ出力の関係を記憶する記憶手段と、印字すべき
マークに関する印字情報、許容印字時間、および複数の
印字見本のいずれかを指定する指定情報を入力する入力
手段と、入力手段により入力された指定情報に基づいて
記憶手段から対応するレーザ光の走査速度およびレーザ
出力を抽出し、かつ指定情報により指定される印字見本
と等しい印字の濃度の印字見本に対応するレーザ光の走
査速度およびレーザ出力を抽出する抽出手段と、抽出手
段により抽出されたレーザ光の走査速度のうち許容印字
時間を満たす最も遅いレーザ光の走査速度および対応す
るレーザ出力を選択する選択手段と、選択手段により選
択されたレーザ光の走査速度に基づいてＱスイッチの周
波数を算出する算出手段と、入力手段により入力された
印字情報、選択手段により選択されたレーザ光の走査速
度およびレーザ出力、ならびに算出手段により算出され
たＱスイッチの周波数に基づいて、レーザ発振器および
走査手段を制御する制御手段とを備える。
【００２７】本発明に係るレーザマーキング装置におい
ては、複数の印字見本に対応する印字の濃度、レーザ光
の走査速度およびレーザ出力の関係が予め記憶手段に記
憶される。したがって、印字情報、許容印字時間、およ
び複数の印字見本のいずれかを指定する指定情報が入力
されると、指定情報に基づいて等しい印字の濃度の印字
見本に対応するレーザ光の走査速度およびレーザ出力が
抽出される。
【００２８】一方、許容印字時間が与えられると、印字
すべきマークの種類および配置に応じてマークを許容印
字時間内に印字するために必要なレーザ光の走査速度が
定まる。また、レーザ光により対象物の表面に形成され
るドットの間隔を一定とすると、レーザ光の走査速度と
Ｑスイッチの周波数は比例関係にある。
【００２９】したがって、抽出されたレーザ光の走査速
度のうち許容印字時間を満たす最も遅いレーザ光の走査
速度および対応するレーザ出力が選択され、選択された
レーザ光の走査速度に基づいてＱスイッチの周波数が算
出される。そして、入力された印字情報および選択され
たレーザ光の走査速度に基づいて走査手段が制御され、
選択されたレーザ出力および算出されたＱスイッチの周
波数に基づいてレーザ発振器が制御される。
【００３０】したがって、指定すべき印字条件は許容印
字時間および指定情報となり、レーザ光の走査速度、レ
ーザ出力およびＱスイッチの周波数の指定は不要とな
る。その結果、最適な印字条件の設定を容易に行うこと
が可能となる。
【００３１】この場合、許容印字時間を満たす範囲内で
最も遅いレーザ光の走査速度が選択されるので、鮮明な
印字が可能となる。
【００３２】（９）第９の発明 第９の発明に係るレーザマーキング装置は、第８の発明
に係るレーザマーキング装置の構成において、選択手段
は、抽出手段により抽出されたレーザ出力のうち所定値
以上のレーザ出力および対応するレーザ光の走査速度を
検出し、検出されたレーザ光の走査速度のうち最も遅い
レーザ光の走査速度および対応するレーザ出力を選択す
るものである。
【００３３】それにより、ある濃度以上では、レーザ出
力により濃度が調整され、ある濃度未満ではレーザ光の
走査速度およびＱスイッチの周波数により濃度が調整さ
れる。
【００３４】この場合、許容印字時間および所定値以上
のレーザ出力を満たす範囲内で最も遅いレーザ光の走査
速度が選択されるので、鮮明な印字が可能となる。
【００３５】（１０）第１０の発明 第１０の発明に係るレーザマーキング装置は、対象物の
表面にレーザ光を照射してマークを印字するレーザマー
キング装置であって、Ｑスイッチを有し、レーザ光を出
射するレーザ発振器と、レーザ発振器から出射されるレ
ーザ光を対象物の表面に走査させる走査手段と、複数の
印字見本に対応する印字の濃度、Ｑスイッチの周波数お
よびレーザ出力の関係を記憶する記憶手段と、印字すべ
きマークに関する印字情報、許容印字時間および複数の
印字見本のいずれかを指定する指定情報を入力する入力
手段と、入力手段により入力された指定情報に基づいて
記憶手段から対応するＱスイッチの周波数およびレーザ
出力を抽出し、かつ指定情報により指定される印字見本
と等しい印字の濃度の印字見本に対応するＱスイッチの
周波数およびレーザ出力を抽出する抽出手段と、抽出手
段により抽出されたＱスイッチの周波数のうち許容印字
時間を満たす最も低いＱスイッチの周波数および対応す
るレーザ出力を選択する選択手段と、選択手段により選
択されたＱスイッチの周波数に基づいてレーザ光の走査
速度を算出する算出手段と、入力手段により入力された
印字情報、選択手段により選択されたＱスイッチの周波
数およびレーザ出力、ならびに算出手段により算出され
たレーザ光の走査速度に基づいて、レーザ発振器および
走査手段を制御する制御手段とを備える。
【００３６】本発明に係るレーザマーキング装置におい
ては、複数の印字見本に対応する印字の濃度、Ｑスイッ
チの周波数およびレーザ出力の関係が予め記憶手段に記
憶される。したがって、印字情報、許容印字時間、およ
び複数の印字見本のいずれかを指定する指定情報が入力
されると、指定情報に基づいて等しい印字の濃度の印字
見本に対応するＱスイッチの周波数およびレーザ出力が
抽出される。
【００３７】一方、許容印字時間が与えられると、印字
すべきマークの種類および配置に応じてマークを許容印
字時間内に印字するために必要なレーザ光の走査速度が
定まる。また、レーザ光により対象物の表面に形成され
るドットの間隔を一定とすると、レーザ光の走査速度と
Ｑスイッチの周波数は比例関係にある。
【００３８】したがって、抽出されたＱスイッチの周波
数のうち許容印字時間を満たす最も低いＱスイッチの周
波数および対応するレーザ出力が選択され、選択された
Ｑスイッチの周波数に基づいてレーザ光の走査速度が算
出される。そして、入力された印字情報および算出され
たレーザ光の走査速度に基づいて走査手段が制御され、
選択されたレーザ出力およびＱスイッチの周波数に基づ
いてレーザ発振器が制御される。
【００３９】したがって、指定すべき印字条件は許容印
字時間および指定情報となり、レーザ光の走査速度、レ
ーザ出力およびＱスイッチの周波数の指定は不要とな
る。その結果、最適な印字条件の設定を容易に行うこと
が可能となる。
【００４０】この場合、許容印字時間を満たす範囲内で
最も低いＱスイッチの周波数が選択されるので、鮮明な
印字が可能となる。
【００４１】（１１）第１１の発明 第１１の発明に係るレーザマーキング装置は、第１０の
発明に係るレーザマーキング装置の構成において、選択
手段は、抽出手段により抽出されたレーザ出力のうち所
定値以上のレーザ出力および対応するＱスイッチの周波
数を検出し、検出されたＱスイッチの周波数のうち最も
低いＱスイッチの周波数および対応するレーザ出力を選
択するものである。
【００４２】それにより、ある濃度以上では、レーザ出
力により濃度が調整され、ある濃度未満では、レーザ光
の走査速度およびＱスイッチの周波数により濃度が調整
される。
【００４３】この場合、許容印字時間および所定値以上
のレーザ出力を満たす範囲内で最も低いＱスイッチの周
波数が選択されるので、鮮明な印字が可能となる。
【００４４】（１２）第１２の発明 第１２の発明に係るレーザマーキング装置は、対象物の
表面にレーザ光を照射してマークを印字するレーザマー
キング装置であって、Ｑスイッチを有し、レーザ光を出
射するレーザ発振器と、レーザ発振器から出射されるレ
ーザ光を対象物の表面に走査させる走査手段と、発泡印
字の度合いに対応するレーザ光の走査速度およびＱスイ
ッチの周波数の関係を記憶する記憶手段と、印字すべき
マークに関する印字情報、発泡の度合いおよびレーザ出
力を入力する入力手段と、入力手段により入力された発
泡の度合いに基づいて記憶手段から対応するレーザ光の
走査速度およびＱスイッチの周波数を抽出する抽出手段
と、入力手段により入力された印字情報およびレーザ出
力、ならびに抽出手段により抽出されたレーザ光の走査
速度およびＱスイッチの周波数に基づいて、レーザ発振
器および走査手段を制御する制御手段とを備える。
【００４５】本発明に係るレーザマーキング装置におい
ては、発泡印字の度合いに対応するレーザ光の走査速度
およびＱスイッチの周波数の関係が予め記憶手段に記憶
される。したがって、印字情報、発泡の度合いおよびレ
ーザ出力が入力されると、発泡の度合いに基づいてレー
ザ光の走査速度およびＱスイッチの周波数が抽出され
る。そして、入力された印字情報および抽出されたレー
ザ光の走査速度に基づいて走査手段が制御され、入力さ
れたレーザ出力および抽出されたＱスイッチの周波数に
基づいてレーザ発振器が制御される。
【００４６】したがって、指定すべき印字条件は発泡の
度合いおよびレーザ出力となり、レーザ光の走査速度お
よびＱスイッチの周波数の指定は不要となる。その結
果、最適な印字条件の設定を容易に行うことが可能とな
る。
【００４７】（１３）第１３の発明 第１３の発明に係るレーザマーキング装置は、対象物の
表面にレーザ光を照射してマークを印字するレーザマー
キング装置であって、Ｑスイッチを有し、レーザ光を出
射するレーザ発振器と、レーザ発振器から出射されるレ
ーザ光を対象物の表面に走査させる走査手段と、発泡印
字の度合いに対応するレーザ光の走査速度およびＱスイ
ッチの周波数の関係を記憶する記憶手段と、印字すべき
マークに関する印字情報、印字の濃度および発泡の度合
いを入力する入力手段と、入力手段により入力された印
字の濃度に基づいてレーザ出力を設定する設定手段と、
入力手段により入力された発泡の度合いに基づいて記憶
手段から対応するレーザ光の走査速度およびＱスイッチ
の周波数を抽出する抽出手段と、入力手段により入力さ
れた印字情報、設定手段により設定されたレーザ出力、
ならびに抽出手段により抽出されたレーザ光の走査速度
およびＱスイッチの周波数に基づいて、レーザ発振器お
よび走査手段を制御する制御手段とを備える。
【００４８】本発明に係るレーザマーキング装置におい
ては、発泡印字の度合いに対応するレーザ光の走査速度
およびＱスイッチの周波数の関係が予め記憶手段に記憶
される。また、レーザ出力と印字の濃度は一定の関係を
有する。したがって、印字情報、および印字の濃度およ
び発泡の度合いが入力されると、印字の濃度に基づいて
レーザ出力が設定され、発泡の度合いに基づいてレーザ
光の走査速度およびＱスイッチの周波数が抽出される。
そして、入力された印字情報および抽出されたレーザ光
の走査速度に基づいて走査手段が制御され、設定された
レーザ出力および抽出されたＱスイッチの周波数に基づ
いてレーザ発振器が制御される。
【００４９】したがって、指定すべき印字条件は印字の
濃度および発泡の度合いとなり、レーザ光の走査速度、
レーザ出力およびＱスイッチの周波数の指定は不要とな
る。その結果、最適な印字条件の設定を容易に行うこと
が可能となる。
【００５０】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施例における
レーザマーキング装置の概略図である。
【００５１】図１において、ＹＡＧレーザ発振器１から
出射されたレーザ光は、１対のガルバノミラー３ａ，３
ｂにより反射され集光レンズ４により対象物１００に照
射される。制御装置２は、ＹＡＧレーザ発振器１および
１対のガルバノミラー３ａ，３ｂを制御する。
【００５２】各ガルバノミラー３ａ，３ｂは、駆動モー
タ３１の回転軸３２にミラー３３が取り付けられ、回転
軸３２の回動に伴ってミラー３３が回動するように構成
されている。一方のガルバノミラー３ａによりレーザ光
が主走査方向Ｘに走査され、他方のガルバノミラー３ｂ
によりレーザ光が副走査方向Ｙに走査される。なお、主
走査方向Ｘと副走査方向Ｙとは互いに直交する方向であ
る。それにより、対象物１００の表面に、文字、記号、
図形等のマークが印字される。対象物１００は、搬送装
置１０１により主走査方向Ｘと平行な方向に搬送され
る。
【００５３】図２は図１のレーザマーキング装置の主要
部の構成を示すブロック図である。ＹＡＧレーザ発振器
１において、収納ケース１０にＹＡＧ（イットリウム・
アルミニウム・ガーネット）の棒状結晶体からなるＹＡ
Ｇロッド１１およびそのＹＡＧロッド１１を励起するた
めのランプ１２が内蔵されている。ＹＡＧロッド１１の
両端面は、収納ケース１０から外部に露出している。Ｙ
ＡＧロッド１１の一方の端面の前方に出力ミラー１３が
配置され、ＹＡＧロッド１１の他方の端面の後方に全反
射ミラー１４が配置されている。また、ＹＡＧロッド１
１と全反射ミラー１４との間にＱスイッチ１５が配置さ
れている。
【００５４】ＹＡＧロッド１１の前端面の近傍でレーザ
光の光路に干渉しない位置に赤外線カットフィルタ１６
およびフォトダイオード等の受光素子１７が配設されて
いる。
【００５５】制御装置２は、ランプ電源２０、ＣＰＵ
（中央演算処理装置）２１、ガルバノミラー制御部２
２、表示・入力装置２３、メモリ２４およびＱスイッチ
制御部２５を含む。
【００５６】ランプ電源２０は、ＹＡＧレーザ発振器１
のランプ１２に電流を供給する。ガルバノミラー制御部
２２は、図１のガルバノミラー３ａ，３ｂの駆動モータ
３１を制御する。表示・入力装置２３は、使用者により
入力された各種データおよび各種指令をＣＰＵ２１に与
えるとともに、ＣＰＵ２１からの指令に基づいて各種表
示を行う。Ｑスイッチ制御部２５は、ＹＡＧレーザ発振
器１のＱスイッチ１５を制御する。
【００５７】受光素子１７の出力信号は、増幅器１８を
介してＣＰＵ２１に与えられる。ＣＰＵ２１は、ランプ
電源２０にランプ１２の点灯を指令するランプオン信号
ＯＮおよびランプ電源２０からランプ１２に供給する電
流（ランプ電流）を制御するランプ電流制御信号ＣＮを
与える。また、ＣＰＵ２１は、ガルバノミラー制御部２
２、表示・入力装置２３およびＱスイッチ制御部２５に
指令を与えるとともに、表示・入力装置２３により入力
された各種データをメモリ２４に格納する。
【００５８】本実施例では、ＹＡＧレーザ発振器１がレ
ーザ発振器に相当し、ガルバノミラー３ａ，３ｂが走査
手段に相当し、表示・入力装置２３が入力手段に相当す
る。また、ＣＰＵ２１が算出手段、抽出手段および選択
手段を構成し、ＣＰＵ２１、ガルバノミラー制御部２２
およびＱスイッチ制御部２５が制御手段を構成する。さ
らに、メモリ２４が記憶手段に相当する。
【００５９】なお、本実施例では、レーザ発振器として
ＹＡＧレーザ発振器を用いているが、Ｑスイッチを有す
る他のレーザ発振器を用いてもよい。
【００６０】使用者が表示・入力装置２３によりランプ
１２の点灯を指令すると、ＣＰＵ２１はランプ電源２０
にランプオン信号ＯＮを与える。それにより、ランプ電
源２０からランプ１２に電流が供給され、ランプ１２が
点灯する。
【００６１】ランプ光がＹＡＧロッド１１に照射される
と、ランプ光の中の特定の波長領域の光でＹＡＧロッド
１１が励起され、誘導放出光を発生する。ＹＡＧロッド
１１の端面から発生した誘導放出光は、出力ミラー１３
と全反射ミラー１４との間で多重反射することにより増
幅されてレーザ発振し、一部のレーザ光が出力ミラー１
３を透過して出射される。
【００６２】パルス発振時には、Ｑスイッチ１５がＱス
イッチングによりレーザ光をパルス発振させることによ
り、高くかつ時間幅の短いレーザ出力が得られる。Ｑス
イッチ１５が作動しないときには、レーザ光は連続発振
する。
【００６３】使用者が表示・入力装置２３により印字を
指令すると、ＣＰＵ２１からの指令によりガルバノミラ
ー制御部２２が図１の一対のガルバノミラー３ａ，３ｂ
を制御する。それにより、レーザ光が主走査方向Ｘおよ
び副走査方向Ｙに走査され、対象物１００にマークが印
字される。
【００６４】ＹＡＧレーザ発振器１のＹＡＧロッド１１
の端面近傍から収納ケース１０の外部に漏れ出たランプ
光は赤外線カットフィルタ１６を通して受光素子１７に
より受光される。赤外線カットフィルタ１６は熱の影響
を除去する。受光素子１７の出力信号は増幅器１８によ
り増幅され、光量の測定値としてＣＰＵ２１に与えられ
る。
【００６５】次に、本実施例のレーザマーキング装置に
おける印字条件の設定方法を説明する。印字条件として
は、少なくともガルバノミラー３ａ，３ｂによるレーザ
光の走査速度（以下、走査速度と略記する）、ＹＡＧレ
ーザ発振器１のレーザ出力およびＱスイッチ２５のＱス
イッチ周波数の３つの値を設定する。
【００６６】図３は本実施例のレーザマーキング装置の
第１の動作例を示すフローチャートである。
【００６７】走査速度が一定であるとすると、Ｑスイッ
チ周波数が小さくなるほどドット間の距離が大きくな
り、最終的には直線を印字しても点線に見えるようにな
る。これは、Ｑスイッチの周期が長くなるためであり、
Ｑスイッチ周波数の減少に比例して走査速度も減少させ
れば、Ｑスイッチ周波数の減少を相殺することができ
る。
【００６８】すなわち、ドット間の距離を一定であると
すると、走査速度とＱスイッチ周波数とは比例関係にあ
る。したがって、ドット間の距離が決まれば、走査速度
からＱスイッチ周波数を算出することができ、逆に、Ｑ
スイッチ周波数から走査速度を算出することもできる。
【００６９】使用者は、表示・入力装置２３により印字
するマークおよび配置に関する情報、レーザ出力ＰＬお
よび走査速度ＶＳを指定する。ここで、印字するマーク
および配置に関する情報とは、例えば、フォント（書
体）、文字高さ、幅比、文字傾斜、印字方向、文字太
さ、線間隔、文字間隔、行間隔、開始点の座標等であ
る。
【００７０】ＣＰＵ２１は、表示・入力装置２３から印
字するマークおよび配置に関する情報を入力し（ステッ
プＳ１）、レーザ出力ＰＬを入力し（ステップＳ２）、
走査速度ＶＳを入力する（ステップＳ３）。
【００７１】そして、ＣＰＵ２１は、使用者が表示・入
力装置２３によりドット間距離ＤＤを指定した場合に
は、表示・入力装置２３からドット間距離ＤＤを入力
し、使用者がドット間距離ＤＤを指定しない場合には、
ドット間距離ＤＤを予め与えられた値に設定する（ステ
ップＳ４）。
【００７２】次に、ＣＰＵ２１は、走査速度ＶＳおよび
ドット間距離ＤＤから次式によりＱスイッチ１５の周波
数（以下、Ｑスイッチ周波数と呼ぶ）ｆｓを算出する
（ステップＳ５）。
【００７３】ｆｓ＝（ｋ・ＶＳ）／ＤＤ ここで、ｋは所定の定数である。
【００７４】ＣＰＵ２１は、印字するマークおよび配置
に関する情報および走査速度ＶＳをガルバノミラー制御
部２２に与え、レーザ出力ＰＬに基づくランプ電流制御
信号ＣＮをランプ電源２０に与え、Ｑスイッチ周波数ｆ
ｓをＱスイッチ制御部２５に与えることにより、ガルバ
ノミラー３ａ，３ｂ、ランプ電源２０およびＱスイッチ
１５を制御する（ステップＳ６）。
【００７５】このように、使用者は、レーザ出力ＰＬお
よび走査速度ＶＳを指定するだけで、Ｑスイッチ周波数
ｆｓを指定することなく、最適な印字条件を設定するこ
とができる。
【００７６】なお、使用者がドット間距離ＤＤを指定し
ない場合には、ＣＰＵ２１は、例えばドット同士が２５
％程度相互に重なるようにドット間距離ＤＤを自動的に
計算する。一方、使用者がドット間距離ＤＤを任意に指
定する場合には、点線状の印字のように非常にドット間
の間隔が広がった印字や、後述する発泡印字のようにド
ット間の間隔が非常に詰まった印字を行うことも可能と
なる。
【００７７】図４は本実施例のレーザマーキング装置の
第２の動作例を示すフローチャートである。
【００７８】使用者は、表示・入力装置２３により印字
するマークおよび配置に関する情報、レーザ出力ＰＬお
よびＱスイッチ周波数ｆｓを指定する。それにより、Ｃ
ＰＵ２１は、表示・入力装置２３から印字するマークお
よび配置に関する情報を入力し（ステップＳ１１）、レ
ーザ出力ＰＬを入力し（ステップＳ１２）、Ｑスイッチ
周波数ｆｓを入力する（ステップＳ１３）。
【００７９】そして、ＣＰＵ２１は、使用者が表示・入
力装置２３によりドット間距離ＤＤを指定した場合に
は、表示・入力装置２３からドット間距離ＤＤを入力
し、使用者がドット間距離ＤＤを指定しない場合には、
ドット間距離ＤＤを予め定められた値に設定する（ステ
ップＳ１４）。
【００８０】次に、ＣＰＵ２１は、Ｑスイッチ周波数ｆ
ｓおよびドット間距離ＤＤから次式により走査速度ＶＳ
を算出する（ステップＳ１５）。
【００８１】ＶＳ＝（ｆｓ・ＤＤ）／ｋ ここで、ｋは所定の定数である。
【００８２】ＣＰＵ２１は、印字するマークおよび配置
に関する情報および走査速度ＶＳをガルバノミラー制御
部２２に与え、レーザ出力ＰＬに基づくランプ電流制御
信号ＣＮをランプ電源２０に与え、Ｑスイッチ周波数ｆ
ｓをＱスイッチ制御部２５に与えることにより、ガルバ
ノミラー３ａ，３ｂ、ランプ電源２０およびＱスイッチ
１５を制御する（ステップＳ１６）。
【００８３】このように、使用者は、Ｑスイッチ周波数
ｆｓおよびレーザ出力ＰＬを指定するだけで、走査速度
ＶＳを指定することなく、最適な印字条件を設定するこ
とができる。
【００８４】図５は本実施例のレーザマーキング装置の
第３の動作例を示すフローチャートである。
【００８５】走査速度が高過ぎると、ガルバノミラー３
ａ，３ｂの慣性が無視できなくなり、印字が乱れる。ま
た、走査速度の増加に伴ってＱスイッチ周波数が増加す
ると、レーザ出力が低下する。そのため、できるだけ走
査速度を遅く設定することが望ましい。しかし、走査速
度が低過ぎると、使用者が要求するタクトタイム内に印
字を終了できなくなる。なお、タクトタイムとは、印字
に要する時間の許容値であり、許容印字時間に相当す
る。
【００８６】したがって、使用者が指定するタクトタイ
ムを満足する範囲内で印字すべきマークを印字可能な最
低の走査速度を算出すれば、自動的に最も鮮明な印字が
可能となる。
【００８７】使用者は、表示・入力装置２３により印字
するマークおよび配置に関する情報、レーザ出力ＰＬ、
タクトタイムＴＴおよびＱスイッチ周波数ｆｓを指定す
る。それにより、ＣＰＵ２１は、表示・入力装置２３か
ら印字するマークおよび配置に関する情報を入力し（ス
テップＳ２１）、レーザ出力ＰＬを入力し（ステップＳ
２２）、タクトタイムＴＴを入力し（ステップＳ２
３）、Ｑスイッチ周波数ｆｓを入力する（ステップＳ２
４）。そして、後述する図６の走査速度ＶＳの算出処理
を行う（ステップＳ２５）。
【００８８】ＣＰＵ２１は、印字するマークおよび配置
に関する情報および走査速度ＶＳをガルバノミラー制御
部２５に与え、レーザ出力ＰＬに基づくランプ電流制御
信号ＣＮをランプ電源２０に与え、Ｑスイッチ周波数ｆ
ｓをＱスイッチ制御部２５に与えることにより、ガルバ
ノミラー３ａ，３ｂ、ランプ電源２０およびＱスイッチ
１５を制御する（ステップＳ２６）。
【００８９】このように、使用者はレーザ出力ＰＬ、タ
クトタイムＴＴおよびＱスイッチ周波数ｆｓを指定する
だけで、走査速度ＶＳを指定することなく、最適な印字
条件を設定することができる。
【００９０】図６は走査速度の算出処理を示すフローチ
ャートである。まず、ＣＰＵ２１は、入力されたマーク
および配置に関する情報を印字情報に変換する（ステッ
プＳ１０１）。そして、印字情報に基づいてＹＡＧレー
ザ発振器１からレーザ光を出射せずにガルバノミラー３
ａ，３ｂを制御して最高速度で印字を行う（ステップＳ
１０２）。
【００９１】そして、印字に要した時間から印字距離Ｄ
Ｌを算出する（ステップＳ１０３）。さらに、印字距離
ＤＬおよびタクトタイムＴＴに基づいてタクトタイムＴ
Ｔ内で指定されたマークを印字することができる最低の
走査速度を走査速度ＶＳとして算出する。それにより、
自動的に鮮明な印字が可能となる。
【００９２】図７は本実施例のレーザマーキング装置の
第４の動作例を示すフローチャートである。
【００９３】使用者は、表示・入力装置２３により印字
するマークおよび配置に関する情報、レーザ出力ＰＬお
よびタクトタイムＴＴを指定する。それにより、ＣＰＵ
２１は、表示・入力装置２３から印字するマークおよび
配置に関する情報を入力し（ステップＳ３１）、レーザ
出力ＰＬを入力し（ステップＳ３２）、タクトタイムＴ
Ｔを入力する（ステップＳ３３）。
【００９４】そして、ＣＰＵ２１は、使用者が表示・入
力装置２３によりドット間距離ＤＤを指定した場合に
は、表示・入力装置２３からドット間距離ＤＤを入力
し、使用者がドット間距離ＤＤを指定しない場合には、
ドット間距離ＤＤを予め定められた値に設定する（ステ
ップＳ３４）。
【００９５】次に、ＣＰＵ２１は、マークおよび配置に
関する情報およびタクトタイムＴＴに基づいて図６に示
した走査速度ＶＳの算出処理を行う（ステップＳ３
５）。さらに、ＣＰＵ２１は、走査速度ＶＳおよびドッ
ト間距離ＤＤに基づいて次式によりＱスイッチ周波数ｆ
ｓを算出する（ステップＳ３６）。
【００９６】ｆｓ＝（ｋ・ＶＳ）／ＤＤ ここで、ｋは所定の定数である。
【００９７】ＣＰＵ２１は、印字するマークおよび配置
に関する情報および走査速度ＶＳをガルバノミラー制御
部２２に与え、レーザ出力ＰＬに基づくランプ電流制御
信号ＣＮをランプ電源２０に与え、Ｑスイッチ周波数ｆ
ｓをＱスイッチ制御部２５に与えることにより、ガルバ
ノミラー３ａ，３ｂ、ランプ電源２０およびＱスイッチ
１５を制御する（ステップＳ３７）。
【００９８】このように、使用者は、レーザ出力ＰＬお
よびタクトタイムＴＴを指定するだけで、走査速度ＶＳ
およびＱスイッチ周波数ｆｓを指定することなく、最適
な印字条件を設定することができる。
【００９９】図８は本実施例のレーザマーキング装置の
第５の動作例を示すフローチャートである。
【０１００】ここでは、図９に示す印字リスト２００が
予め作成されているものとする。図９の印字リスト２０
０には異なる印字の濃度を有する複数の印字見本２０１
が形成されている。これらの印字見本２０１は、走査速
度およびレーザ出力を変化させることにより形成された
ものである。図９において、各破線上の印字見本２０１
は等しい印字の濃度を有する。ここで、印字の濃度と
は、印字の深さ、発色の程度等も含む。各印字見本２０
１には指定情報として番号が付されている。
【０１０１】本実施例のレーザマーキング装置は、レー
ザ出力および走査速度を自動的に変化させることにより
図９に示した印字リスト２００を作成する機能を有す
る。メモリ２４には、印字リスト２００の各印字見本２
０１に対応する印字の濃度、走査速度およびレーザ出力
が記憶されている。
【０１０２】使用者は、表示・入力装置２３により印字
するマークおよび配置に関する情報および印字リスト２
００の中の印字見本２０１の番号を指定する。それによ
り、ＣＰＵ２１は、表示・入力装置２３から印字するマ
ークおよび配置に関する情報を入力し（ステップＳ４
１）、印字リスト２００の中の印字見本２０１の番号を
入力する（ステップＳ４２）。
【０１０３】そして、ＣＰＵ２１は、入力された印字見
本２０１の番号に対応するレーザ出力および走査速度Ｖ
Ｓをメモリ２４から読み込む（ステップＳ４３）。さら
に、ＣＰＵ２１は、読み込んだ走査速度ＶＳおよび予め
定められたドット間距離ＤＤから次式によりＱスイッチ
周波数ｆｓを算出する（ステップＳ４４）。
【０１０４】ｆｓ＝（ｋ・ＶＳ）／ＤＤ ここで、ｋは所定の定数である。
【０１０５】ＣＰＵ２１は、印字するマークおよび配置
に関する情報および走査速度ＶＳをガルバノミラー制御
部２２に与え、レーザ出力ＰＬに基づくランプ電流制御
信号ＣＮをランプ電源２０に与え、Ｑスイッチ周波数ｆ
ｓをＱスイッチ制御部２５に与えることにより、ガルバ
ノミラー３ａ，３ｂ、ランプ電源２０およびＱスイッチ
１５を制御する（ステップＳ４５）。
【０１０６】このように、使用者は、印字リスト２００
の中の印字見本２０１の番号を指定するだけで、走査速
度ＶＳ、レーザ出力ＰＬおよびＱスイッチ周波数ｆｓを
指定することなく、最適な印字条件を設定することがで
きる。
【０１０７】なお、使用者は、印字見本２０１の番号を
指定する代わりに、印字の濃度を直接指定してもよい。
【０１０８】上記の動作例では、印字リスト２００の印
字見本２０１が走査速度およびレーザ出力を変化させる
ことにより作成され、メモリ２４に各印字見本２０１に
対応する印字の濃度、走査速度およびレーザ出力の関係
が記憶されているが、印字リスト２００の印字見本２０
１がＱスイッチ周波数およびレーザ出力を変化させるこ
とにより作成され、メモリ２４に各印字見本２０１に対
応する印字の濃度、Ｑスイッチ周波数およびレーザ出力
の関係が記憶されてもよい。
【０１０９】この場合、ステップＳ４３で入力された印
字見本２０１の番号に対応するレーザ出力ＰＬおよびＱ
スイッチ周波数ｆｓを読み込み、ステップＳ４４でＱス
イッチ周波数ｆｓおよびドット間隔ＤＤに基づいて走査
速度ＶＳを算出する。
【０１１０】図１０および図１１は本実施例のレーザマ
ーキング装置の第６の動作例を示すフローチャートであ
る。
【０１１１】印字の濃度は、レーザ出力により調整する
ことができる。しかし、レーザ出力がある値以下になる
と、印字の濃度が急激に薄くなる。このため、ある値以
上のレーザ出力では、印字の濃度をレーザ出力により調
整し、ある値未満のレーザ出力では、印字の濃度を走査
速度およびＱスイッチ周波数で調整する。走査速度を増
加させ、同時にＱスイッチ周波数を増加させると、１ド
ット当たりのチャージ量が減少し、印字の濃度が低下す
る。
【０１１２】ここでは、図９と同様に、図１２に示す印
字リスト２００が予め作成されているものとする。図１
２の印字リスト２００には異なる印字の濃度を有する複
数の印字見本２０１が形成されている。これらの印字見
本２０１は、走査速度およびレーザ出力を変化させるこ
とにより形成されたものである。図１２において、各破
線上の印字見本２０１は等しい印字の濃度を有する。各
印字見本２０１には指定情報として番号が付されてい
る。
【０１１３】本実施例のレーザマーキング装置は、走査
速度およびレーザ出力を変化させることにより図１２に
示した印字見本２０１を自動的に作成する機能を有す
る。メモリ２４には、印字リスト２００の各印字見本２
０１に対応する印字の濃度、走査速度およびレーザ出力
の関係が記憶されている。
【０１１４】使用者は、表示・入力装置２３により印字
するマークおよび配置に関する情報、タクトタイムＴＴ
および印字リスト２００の中の印字見本２０１の番号を
指定する。それにより、ＣＰＵ２１は、表示・入力装置
２３から印字するマークおよび配置に関する情報を入力
し（図１０のステップＳ５１）、タクトタイムＴＴを入
力し（ステップＳ５２）、印字リスト２００の中の印字
見本２０１の番号を入力する（ステップＳ５３）。
【０１１５】そして、ＣＰＵ２１は、入力された印字見
本２０１と同じ印字の濃度を有する印字見本２０１の印
字条件（走査速度およびレーザ出力）をメモリ２４から
読み込む（ステップＳ５４）。さらに、ＣＰＵ２１は、
印字するマークおよび配置に関する情報およびタクトタ
イムＴＴに基づいてタクトタイムＴＴ内で指定されたマ
ークを印字可能な最低走査速度ＶＳ０を算出する（ステ
ップＳ５５）。
【０１１６】次いで、ＣＰＵ２１は、読み込んだ印字条
件のうち最低走査速度ＶＳ０以上の走査速度を含む印字
条件を抽出する（ステップＳ５６）。
【０１１７】タクトタイムＴＴを満足できないほど高い
印字の濃度の印字見本２０１が指定された場合には、抽
出すべき印字条件がないので（ステップＳ５７）、表示
・入力装置２３により警告を出力し（ステップＳ５
８）、ステップＳ５３に戻る。
【０１１８】抽出すべき印字条件がある場合には（ステ
ップＳ５７）、抽出された印字条件のうち所定値ＰＬ０
以上のレーザ出力を含む印字条件を検出する（図１１の
ステップＳ５９）。そして、検出された印字条件のうち
最も低い走査速度を含む印字条件を選択する（ステップ
Ｓ６０）。選択された印字条件の走査速度およびレーザ
出力をそれぞれ走査速度ＶＳおよびレーザ出力ＰＬとす
る（ステップＳ６１）。
【０１１９】さらに、ＣＰＵ２１は、走査速度ＶＳに基
づいてＱスイッチ周波数ｆｓを算出する（ステップＳ６
２）。Ｑスイッチ周波数ｆｓの算出方法は、図８のステ
ップＳ４４と同様である。
【０１２０】ＣＰＵ２１は、印字するマークおよび配置
に関する情報および走査速度ＶＳをガルバノミラー制御
部２２に与え、レーザ出力ＰＬに基づくランプ信号ＣＮ
をランプ電源２０に与え、Ｑスイッチ周波数ｆｓをＱス
イッチ制御部２５に与えることにより、ガルバノミラー
３ａ，３ｂ、ランプ電源２０およびＱスイッチ１５を制
御する（ステップＳ６３）。
【０１２１】このように、使用者は、タクトタイムＴＴ
および印字リスト２００の中の印字見本２０１の番号を
指定するだけで、走査速度ＶＳ、レーザ出力ＰＬおよび
Ｑスイッチ周波数ｆｓを指定することなく、最適な印字
条件を設定することができる。
【０１２２】上記の動作例では、ある濃度以上では、レ
ーザ出力により印字の濃度が調整され、ある濃度未満で
は、走査速度により印字の濃度が調整される。
【０１２３】上記の動作例では、印字リスト２００の印
字見本２０１が走査速度およびレーザ出力を変化させる
ことにより作成され、、メモリ２４に各印字見本２０１
に対応する印字の濃度、走査速度およびレーザ出力の関
係が記憶されているが、印字リスト２００の印字見本２
０１がＱスイッチ周波数およびレーザ出力を変化させる
ことにより作成され、メモリ２４に各印字見本２０１に
対応する印字の濃度、Ｑスイッチ周波数およびレーザ出
力の関係が記憶されてもよい。
【０１２４】この場合には、ステップＳ５５で最低Ｑス
イッチ周波数を算出し、ステップＳ５６で読み込んだ印
字条件のうち最低Ｑスイッチ周波数以上のＱスイッチ周
波数を含む印字条件を抽出する。また、ステップＳ６０
で検出された印字条件のうち最も低いＱスイッチ周波数
を含む印字条件を選択し、ステップＳ６１で選択された
印字条件のＱスイッチ周波数およびレーザ出力をそれぞ
れＱスイッチ周波数ｆｓおよびレーザ出力ＰＬとし、ス
テップＳ６２でＱスイッチ周波数ｆｓに基づいて走査速
度ＶＳを算出する。
【０１２５】図１３は本実施例のレーザマーキング装置
の第７の動作例を示すフローチャートである。
【０１２６】レーザマーキング装置による特殊な印字例
として発泡印字（黒色印字）がある。この発泡印字は、
Ｑスイッチ周波数を高めに設定しかつ走査速度を低めに
設定して印字を行うものであり、対象物の材質によって
は鮮明な印字が可能である。発泡印字では、走査速度と
Ｑスイッチ周波数との関係は一律に決まらない。
【０１２７】本実施例のレーザマーキング装置では、走
査速度およびＱスイッチ周波数を変化させることにより
異なる発泡印字の度合いの複数の印字見本を作成する機
能を有する。メモリ２４には、対象物の材質ごとに各発
泡印字の度合いに対応する走査速度およびＱスイッチ周
波数の関係が予め記憶される。
【０１２８】使用者は、表示・入力装置２３により印字
するマークおよび配置に関する情報、レーザ出力ＰＬお
よび、対象物の材質および発泡印字の度合いを指定す
る。それにより、ＣＰＵ２１は、表示・入力装置２３か
ら印字するマークおよび配置に関する情報を入力し（ス
テップＳ７１）、レーザ出力ＰＬを入力し（ステップＳ
７２）、対象物の材質を入力し（ステップＳ７３）、発
泡印字の度合いを入力する（ステップＳ７４）。
【０１２９】そして、ＣＰＵ２１は、対象物の材質およ
び発泡印字の度合いに基づいてメモリ２４から走査速度
ＶＳおよびＱスイッチ周波数ｆｓを読み込む（ステップ
Ｓ７５）。
【０１３０】ＣＰＵ２１は、印字するマークおよび配置
に関する情報および走査速度ＶＳをガルバノミラー制御
部２２に与え、レーザ出力ＰＬに基づくランプ制御信号
ＣＮをランプ電源２０に与え、Ｑスイッチ周波数ｆｓを
Ｑスイッチ制御部２５に与えることにより、ガルバノミ
ラー３ａ，３ｂ、ランプ電源２０およびＱスイッチ１５
を制御する（ステップＳ７６）。
【０１３１】このように、使用者はレーザ出力ＰＬ、対
象物の材質および発泡印字の度合いを指定するだけで、
走査速度ＶＳおよびＱスイッチ周波数ｆｓを指定するこ
となく、最適な印字条件を設定することができる。
【０１３２】図１４は本実施例のレーザマーキング装置
の第８の動作例を示すフローチャートである。
【０１３３】第８の動作例では第７の動作例におけるレ
ーザ出力ＰＬを印字の濃度に置き換えている。
【０１３４】第８の動作例においても、メモリ２４に、
対象物の材質ごとに、各発泡印字の度合いに対応する走
査速度およびＱスイッチ周波数の関係が予め記憶され
る。また、メモリ２４に、印字の濃度とレーザ出力との
関係も予め記憶される。
【０１３５】使用者は、表示・入力装置２３により印字
するマークおよび配置に関する情報、印字の濃度、対象
物の材質および発泡印字の度合いを指定する。それによ
り、ＣＰＵ２１は、表示・入力装置２３から印字するマ
ークおよび配置に関する情報を入力し（ステップＳ８
１）、印字の濃度を入力し（ステップＳ８２）、対象物
の材質を入力し（ステップＳ８３）、発泡印字の度合い
を入力する（ステップＳ８４）。
【０１３６】そして、ＣＰＵ２１は印字の濃度に基づい
てレーザ出力ＰＬを決定する（ステップＳ８５）。ま
た、ＣＰＵ２１は、対象物の材質および発泡印字の度合
いに基づいてメモリ２４から走査速度ＶＳおよびＱスイ
ッチ周波数ｆｓを読み込む（ステップＳ８６）。
【０１３７】ＣＰＵ２１は、印字するマークおよび配置
に関する情報および走査速度ＶＳをガルバノミラー制御
部２２に与え、レーザ出力ＰＬに基づくランプ電流制御
信号ＣＮをランプ電源２０に与え、Ｑスイッチ周波数ｆ
ｓをＱスイッチ制御部２５に与えることにより、ガルバ
ノミラー３ａ，３ｂ、ランプ電源２０およびＱスイッチ
１５を制御する（ステップＳ８７）。
【０１３８】このように、使用者は印字の濃度、対象物
の材質、発泡印字の度合いを指定するだけで、走査速度
ＶＳ、レーザ出力ＰＬおよびＱスイッチ周波数ｆｓを指
定することなく、最適な印字条件を設定することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例におけるレーザマーキング装
置の概略図である。
【図２】図１のレーザマーキング装置における主要部の
構成を示すブロック図である。
【図３】図１および図２のレーザマーキング装置の第１
の動作例を示すフローチャートである。
【図４】図１および図２のレーザマーキング装置の第２
の動作例を示すフローチャートである。
【図５】図１および図２のレーザマーキング装置の第３
の動作例を示すフローチャートである。
【図６】走査速度の算出処理を示すフローチャートであ
る。
【図７】図１および図２のレーザマーキング装置の第４
の動作例を示すフローチャートである。
【図８】図１および図２のレーザマーキング装置の第５
の動作例を示すフローチャートである。
【図９】印字リストの一例を示す図である。
【図１０】図１および図２のレーザマーキング装置の第
６の動作例を示すフローチャートである。
【図１１】図１および図２のレーザマーキング装置の第
６の動作例を示すフローチャートである。
【図１２】印字リストの一例を示す図である。
【図１３】図１および図２のレーザマーキング装置の第
７の動作例を示すフローチャートである。
【図１４】図１および図２のレーザマーキング装置の第
８の動作例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１ レーザ発振器 ２ 制御部 １５ Ｑスイッチ ２０ ランプ電源 ２１ ＣＰＵ ２２ ガルバノミラー制御部 ２３ 表示・入力装置 ２４ メモリ ２５ Ｑスイッチ制御部

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 対象物の表面にレーザ光を照射してマー
    クを印字するレーザマーキング装置であって、 Ｑスイッチを有し、前記レーザ光を出射するレーザ発振
    器と、 前記レーザ発振器から出射されるレーザ光を前記対象物
    の表面に走査させる走査手段と、 印字すべきマークに関する印字情報、レーザ出力および
    レーザ光の走査速度を入力する入力手段と、 前記入力手段により入力された前記レーザ光の走査速度
    に基づいてＱスイッチの周波数を算出する算出手段と、 前記入力手段により入力された前記印字情報、前記レー
    ザ出力および前記レーザ光の走査速度、ならびに前記算
    出手段により算出された前記Ｑスイッチの周波数に基づ
    いて、前記レーザ発振器および前記走査手段を制御する
    制御手段とを備えたことを特徴とするレーザマーキング
    装置。
  2. 【請求項２】 対象物の表面にレーザ光を照射してマー
    クを印字するレーザマーキング装置であって、 Ｑスイッチを有し、前記レーザ光を出射するレーザ発振
    器と、 前記レーザ発振器から出射されるレーザ光を前記対象物
    の表面に走査させる走査手段と、 印字すべきマークに関する印字情報、レーザ出力および
    Ｑスイッチの周波数を入力する入力手段と、 前記入力手段により入力された前記Ｑスイッチの周波数
    に基づいてレーザ光の走査速度を算出する算出手段と、 前記入力手段により入力された前記印字情報、前記レー
    ザ出力および前記Ｑスイッチの周波数、ならびに前記算
    出手段により算出された前記レーザ光の走査速度に基づ
    いて、前記レーザ発振器および前記走査手段を制御する
    制御手段とを備えたことを特徴とするレーザマーキング
    装置。
  3. 【請求項３】 対象物の表面にレーザ光を照射してマー
    クを印字するレーザマーキング装置であって、 Ｑスイッチを有し、前記レーザ光を出射するレーザ発振
    器と、 前記レーザ発振器から出射されるレーザ光を前記対象物
    の表面に走査させる走査手段と、 印字すべきマークに関する印字情報、許容印字時間、レ
    ーザ出力およびＱスイッチの周波数を入力する入力手段
    と、 前記入力手段により入力された前記印字情報および前記
    許容印字時間に基づいてレーザ光の走査速度を算出する
    算出手段と、 前記入力手段により入力された前記印字情報、前記レー
    ザ出力および前記Ｑスイッチの周波数、ならびに前記算
    出手段により算出された前記レーザ光の走査速度に基づ
    いて、前記レーザ発振器および前記走査手段を制御する
    制御手段とを備えたことを特徴とするレーザマーキング
    装置。
  4. 【請求項４】 対象物の表面にレーザ光を照射してマー
    クを印字するレーザマーキング装置であって、 Ｑスイッチを有し、前記レーザ光を出射するレーザ発振
    器と、 前記レーザ発振器から出射されるレーザ光を前記対象物
    の表面に走査させる走査手段と、 印字すべきマークに関する印字情報、許容印字時間およ
    びレーザ出力を入力する入力手段と、 前記入力手段により入力された前記印字情報および前記
    許容印字時間に基づいてレーザ光の走査速度を算出し、
    かつ前記算出されたレーザ光の走査速度に基づいてＱス
    イッチの周波数を算出する算出手段と、 前記入力手段により入力された前記印字情報および前記
    レーザ出力、ならびに前記算出手段により算出された前
    記レーザ光の走査速度および前記Ｑスイッチの周波数に
    基づいて、前記レーザ発振器および前記走査手段を制御
    する制御手段とを備えたことを特徴とするレーザマーキ
    ング装置。
  5. 【請求項５】 前記入力手段は、レーザ光により前記対
    象物の表面に形成されるドットの間隔をさらに入力し、 前記算出手段は、前記入力手段により入力された前記ド
    ットの間隔にさらに基づいて前記Ｑスイッチの周波数ま
    たは前記レーザ光の走査速度を算出することを特徴とす
    る請求項１〜４のいずれかに記載のレーザマーキング装
    置。
  6. 【請求項６】 対象物の表面にレーザ光を照射してマー
    クを印字するレーザマーキング装置であって、 Ｑスイッチを有し、前記レーザ光を出射するレーザ発振
    器と、 前記レーザ発振器から出射されるレーザ光を前記対象物
    の表面に走査させる走査手段と、 複数の印字見本に対応するレーザ光の走査速度およびレ
    ーザ出力の関係を記憶する記憶手段と、 印字すべきマークに関する印字情報、および前記複数の
    印字見本のいずれかを指定する指定情報を入力する入力
    手段と、 前記入力手段により入力された前記指定情報に基づいて
    前記記憶手段から対応するレーザ光の走査速度およびレ
    ーザ出力を抽出する抽出手段と、 前記抽出手段により抽出された前記レーザ光の走査速度
    に基づいてＱスイッチの周波数を算出する算出手段と、 前記入力手段により入力された前記印字情報、前記抽出
    手段により抽出された前記レーザ光の走査速度および前
    記レーザ出力、ならびに前記算出手段により算出された
    前記Ｑスイッチの周波数に基づいて、前記レーザ発振器
    および前記走査手段を制御する制御手段とを備えたこと
    を特徴とするレーザマーキング装置。
  7. 【請求項７】 対象物の表面にレーザ光を照射してマー
    クを印字するレーザマーキング装置であって、 Ｑスイッチを有し、前記レーザ光を出射するレーザ発振
    器と、 前記レーザ発振器から出射されるレーザ光を前記対象物
    の表面に走査させる走査手段と、 複数の印字見本に対応するＱスイッチの周波数およびレ
    ーザ出力の関係を記憶する記憶手段と、 印字すべきマークに関する印字情報、および前記複数の
    印字見本のいずれかを指定する指定情報を入力する入力
    手段と、 前記入力手段により入力された前記指定情報に基づいて
    前記記憶手段から対応するＱスイッチの周波数およびレ
    ーザ出力を抽出する抽出手段と、 前記抽出手段により抽出された前記Ｑスイッチの周波数
    に基づいてレーザ光の走査速度を算出する算出手段と、 前記入力手段により入力された前記印字情報、前記抽出
    手段により抽出された前記Ｑスイッチの周波数および前
    記レーザ出力、ならびに前記算出手段により算出された
    前記レーザ光の走査速度に基づいて、前記レーザ発振器
    および前記走査手段を制御する制御手段とを備えたこと
    を特徴とするレーザマーキング装置。
  8. 【請求項８】 対象物の表面にレーザ光を照射してマー
    クを印字するレーザマーキング装置であって、 Ｑスイッチを有し、前記レーザ光を出射するレーザ発振
    器と、 前記レーザ発振器から出射されるレーザ光を前記対象物
    の表面に走査させる走査手段と、 複数の印字見本に対応する印字の濃度、レーザ光の走査
    速度およびレーザ出力の関係を記憶する記憶手段と、 印字すべきマークに関する印字情報、許容印字時間およ
    び前記複数の印字見本のいずれかを指定する指定情報を
    入力する入力手段と、 前記入力手段により入力された前記指定情報に基づいて
    前記記憶手段から対応するレーザ光の走査速度およびレ
    ーザ出力を抽出し、かつ前記指定情報により指定される
    印字見本と等しい印字の濃度の印字見本に対応するレー
    ザ光の走査速度およびレーザ出力を抽出する抽出手段
    と、 前記抽出手段により抽出された前記レーザ光の走査速度
    のうち前記許容印字時間を満たす最も遅いレーザ光の走
    査速度および対応するレーザ出力を選択する選択手段
    と、 前記選択手段により選択された前記レーザ光の走査速度
    に基づいてＱスイッチの周波数を算出する算出手段と、 前記入力手段により入力された前記印字情報、前記選択
    手段により選択された前記レーザ光の走査速度および前
    記レーザ出力、ならびに前記算出手段により算出された
    前記Ｑスイッチの周波数に基づいて、前記レーザ発振器
    および前記走査手段を制御する制御手段とを備えたこと
    を特徴とするレーザマーキング装置。
  9. 【請求項９】 前記選択手段は、前記抽出手段により抽
    出されたレーザ出力のうち所定値以上のレーザ出力およ
    び対応するレーザ光の走査速度を検出し、検出されたレ
    ーザ光の走査速度のうち最も遅いレーザ光の走査速度お
    よび対応するレーザ出力を選択することを特徴とする請
    求項８記載のレーザマーキング装置。
  10. 【請求項１０】 対象物の表面にレーザ光を照射してマ
    ークを印字するレーザマーキング装置であって、 Ｑスイッチを有し、前記レーザ光を出射するレーザ発振
    器と、 前記レーザ発振器から出射されるレーザ光を前記対象物
    の表面に走査させる走査手段と、 複数の印字見本に対応する印字の濃度、Ｑスイッチの周
    波数およびレーザ出力の関係を記憶する記憶手段と、 印字すべきマークに関する印字情報、許容印字時間およ
    び前記複数の印字見本のいずれかを指定する指定情報を
    入力する入力手段と、 前記入力手段により入力された前記指定情報に基づいて
    前記記憶手段から対応するＱスイッチの周波数およびレ
    ーザ出力を抽出し、かつ前記指定情報により指定される
    印字見本と等しい印字の濃度の印字見本に対応するＱス
    イッチの周波数およびレーザ出力を抽出する抽出手段
    と、 前記抽出手段により抽出された前記Ｑスイッチの周波数
    のうち前記許容印字時間を満たす最も低いＱスイッチの
    周波数および対応するレーザ出力を選択する選択手段
    と、 前記選択手段により選択された前記Ｑスイッチの周波数
    に基づいてレーザ光の走査速度を算出する算出手段と、 前記入力手段により入力された前記印字情報、前記選択
    手段により選択された前記Ｑスイッチの周波数および前
    記レーザ出力、ならびに前記算出手段により算出された
    前記レーザ光の走査速度に基づいて、前記レーザ発振器
    および前記走査手段を制御する制御手段とを備えたこと
    を特徴とするレーザマーキング装置。
  11. 【請求項１１】 前記選択手段は、前記抽出手段により
    抽出されたレーザ出力のうち所定値以上のレーザ出力お
    よび対応するＱスイッチの周波数を検出し、検出された
    Ｑスイッチの周波数のうち最も低いＱスイッチの周波数
    および対応するレーザ出力を選択することを特徴とする
    請求項１０記載のレーザマーキング装置。
  12. 【請求項１２】 対象物の表面にレーザ光を照射してマ
    ークを印字するレーザマーキング装置であって、 Ｑスイッチを有し、前記レーザ光を出射するレーザ発振
    器と、 前記レーザ発振器から出射されるレーザ光を前記対象物
    の表面に走査させる走査手段と、 発泡印字の度合いに対応するレーザ光の走査速度および
    Ｑスイッチの周波数の関係を記憶する記憶手段と、 印字すべきマークに関する印字情報、発泡の度合いおよ
    びレーザ出力を入力する入力手段と、 前記入力手段により入力された前記発泡の度合いに基づ
    いて前記記憶手段から対応するレーザ光の走査速度およ
    びＱスイッチの周波数を抽出する抽出手段と、 前記入力手段により入力された前記印字情報および前記
    レーザ出力、ならびに前記抽出手段により抽出された前
    記レーザ光の走査速度および前記Ｑスイッチの周波数に
    基づいて、前記レーザ発振器および前記走査手段を制御
    する制御手段とを備えたことを特徴とするレーザマーキ
    ング装置。
  13. 【請求項１３】 対象物の表面にレーザ光を照射してマ
    ークを印字するレーザマーキング装置であって、 Ｑスイッチを有し、前記レーザ光を出射するレーザ発振
    器と、 前記レーザ発振器から出射されるレーザ光を前記対象物
    の表面に走査させる走査手段と、 発泡印字の度合いに対応するレーザ光の走査速度および
    Ｑスイッチの周波数の関係を記憶する記憶手段と、 印字すべきマークに関する印字情報、印字の濃度および
    発泡の度合いを入力する入力手段と、 前記入力手段により入力された前記印字の濃度に基づい
    てレーザ出力を設定する設定手段と、 前記入力手段により入力された前記発泡の度合いに基づ
    いて前記記憶手段から対応するレーザ光の走査速度およ
    びＱスイッチの周波数を抽出する抽出手段と、 前記入力手段により入力された前記印字情報、前記設定
    手段により設定された前記レーザ出力、ならびに前記抽
    出手段により抽出された前記レーザ光の走査速度および
    前記Ｑスイッチの周波数に基づいて、前記レーザ発振器
    および前記走査手段を制御する制御手段とを備えたこと
    を特徴とするレーザマーキング装置。
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Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002192368A (ja) * 2000-09-13 2002-07-10 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工装置
JP2007007699A (ja) * 2005-06-30 2007-01-18 Sunx Ltd レーザマーキング装置
JP2008062258A (ja) * 2006-09-06 2008-03-21 Keyence Corp レーザ加工用パラメータ調整装置及びコンピュータプログラム
JP2010125489A (ja) * 2008-11-28 2010-06-10 Keyence Corp レーザマーカ及びレーザマーキングシステム
JP2010155438A (ja) * 2009-01-05 2010-07-15 Fujifilm Corp 製版装置及び印刷版製造方法
JP2011173170A (ja) * 2011-04-08 2011-09-08 Keyence Corp レーザ加工条件設定装置、レーザ加工条件設定方法、レーザ加工条件設定プログラム、コンピュータで読み取り可能な記録媒体及び記録した機器並びにレーザ加工システム
US8084713B2 (en) 2006-07-27 2011-12-27 Keyence Corporation Method of and system for setting laser processing conditions, laser processing system, computer program for setting laser processing conditions, computer readable medium and recording device on which laser processing conditions are recorded
US8121717B2 (en) 2005-10-21 2012-02-21 Keyence Corporation Three dimensional processing data setting system, method for setting three-dimensional processing data, computer program for setting three-dimensional processing data, medium with three-dimensional processing data stored therein that is readable by computer and laser processing equipment operated by the three-dimensional data
US8153931B2 (en) 2006-06-30 2012-04-10 Keyence Corporation Method of and system for setting laser processing conditions, laser processing system, computer program for setting laser processing conditions, computer readable media and recording device on which laser processing conditions are recorded
US8235296B2 (en) 2006-06-28 2012-08-07 Keyence Corporation Method of and system for setting laser processing conditions, laser processing system, computer program for setting laser processing conditions, computer readable medium and recording device on which laser processing conditions are recorded
JP5465363B1 (ja) * 2013-02-14 2014-04-09 三菱電機株式会社 レーザ加工装置、加工制御装置およびパルス周波数制御方法
US8865566B2 (en) 2002-12-03 2014-10-21 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting semiconductor substrate
US8889525B2 (en) 2002-03-12 2014-11-18 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US8890917B2 (en) 2011-01-19 2014-11-18 Keyence Corporation Printing quality evaluation system, laser marking apparatus, printing condition setting device, printing quality evaluation apparatus, printing condition setting program, printing quality evaluation program, and computer-readable recording medium
US8927900B2 (en) 2000-09-13 2015-01-06 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting a substrate, method of processing a wafer-like object, and method of manufacturing a semiconductor device
US8969752B2 (en) 2003-03-12 2015-03-03 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
JP2015188929A (ja) * 2014-03-28 2015-11-02 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 情報処理装置及びレーザー照射装置
JP2015188931A (ja) * 2014-03-28 2015-11-02 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 レーザーマーキング画像形成物の製造方法、情報処理装置及びレーザー照射装置
CN105537844A (zh) * 2015-09-28 2016-05-04 成都焕越科技有限责任公司 一种管道内对口机

Cited By (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8927900B2 (en) 2000-09-13 2015-01-06 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting a substrate, method of processing a wafer-like object, and method of manufacturing a semiconductor device
US10796959B2 (en) 2000-09-13 2020-10-06 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
US9837315B2 (en) 2000-09-13 2017-12-05 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
JP2002192368A (ja) * 2000-09-13 2002-07-10 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工装置
US8969761B2 (en) 2000-09-13 2015-03-03 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting a wafer-like object and semiconductor chip
US8946591B2 (en) 2000-09-13 2015-02-03 Hamamatsu Photonics K.K. Method of manufacturing a semiconductor device formed using a substrate cutting method
US8946589B2 (en) 2000-09-13 2015-02-03 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting a substrate, method of cutting a wafer-like object, and method of manufacturing a semiconductor device
US8946592B2 (en) 2000-09-13 2015-02-03 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
US8937264B2 (en) 2000-09-13 2015-01-20 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
US8933369B2 (en) 2000-09-13 2015-01-13 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting a substrate and method of manufacturing a semiconductor device
US9287177B2 (en) 2002-03-12 2016-03-15 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US9142458B2 (en) 2002-03-12 2015-09-22 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US11424162B2 (en) 2002-03-12 2022-08-23 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US10622255B2 (en) 2002-03-12 2020-04-14 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US10068801B2 (en) 2002-03-12 2018-09-04 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US9711405B2 (en) 2002-03-12 2017-07-18 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US8889525B2 (en) 2002-03-12 2014-11-18 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US9553023B2 (en) 2002-03-12 2017-01-24 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US9548246B2 (en) 2002-03-12 2017-01-17 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US9543207B2 (en) 2002-03-12 2017-01-10 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US9543256B2 (en) 2002-03-12 2017-01-10 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US8865566B2 (en) 2002-12-03 2014-10-21 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting semiconductor substrate
US8969752B2 (en) 2003-03-12 2015-03-03 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
JP2007007699A (ja) * 2005-06-30 2007-01-18 Sunx Ltd レーザマーキング装置
US8121717B2 (en) 2005-10-21 2012-02-21 Keyence Corporation Three dimensional processing data setting system, method for setting three-dimensional processing data, computer program for setting three-dimensional processing data, medium with three-dimensional processing data stored therein that is readable by computer and laser processing equipment operated by the three-dimensional data
US8235296B2 (en) 2006-06-28 2012-08-07 Keyence Corporation Method of and system for setting laser processing conditions, laser processing system, computer program for setting laser processing conditions, computer readable medium and recording device on which laser processing conditions are recorded
US8153931B2 (en) 2006-06-30 2012-04-10 Keyence Corporation Method of and system for setting laser processing conditions, laser processing system, computer program for setting laser processing conditions, computer readable media and recording device on which laser processing conditions are recorded
US8399802B2 (en) 2006-07-27 2013-03-19 Keyence Corporation Laser processing system with a display device
US8399803B2 (en) 2006-07-27 2013-03-19 Keyence Corporation Laser processing system
US8084713B2 (en) 2006-07-27 2011-12-27 Keyence Corporation Method of and system for setting laser processing conditions, laser processing system, computer program for setting laser processing conditions, computer readable medium and recording device on which laser processing conditions are recorded
JP2008062258A (ja) * 2006-09-06 2008-03-21 Keyence Corp レーザ加工用パラメータ調整装置及びコンピュータプログラム
JP2010125489A (ja) * 2008-11-28 2010-06-10 Keyence Corp レーザマーカ及びレーザマーキングシステム
US8553290B2 (en) 2009-01-05 2013-10-08 Fujifilm Corporation Plate-making apparatus and printing plate manufacturing method
JP2010155438A (ja) * 2009-01-05 2010-07-15 Fujifilm Corp 製版装置及び印刷版製造方法
US8890917B2 (en) 2011-01-19 2014-11-18 Keyence Corporation Printing quality evaluation system, laser marking apparatus, printing condition setting device, printing quality evaluation apparatus, printing condition setting program, printing quality evaluation program, and computer-readable recording medium
JP2011173170A (ja) * 2011-04-08 2011-09-08 Keyence Corp レーザ加工条件設定装置、レーザ加工条件設定方法、レーザ加工条件設定プログラム、コンピュータで読み取り可能な記録媒体及び記録した機器並びにレーザ加工システム
CN104105568A (zh) * 2013-02-14 2014-10-15 三菱电机株式会社 激光加工装置、加工控制装置及脉冲频率控制方法
WO2014125597A1 (ja) * 2013-02-14 2014-08-21 三菱電機株式会社 レーザ加工装置、加工制御装置およびパルス周波数制御方法
JP5465363B1 (ja) * 2013-02-14 2014-04-09 三菱電機株式会社 レーザ加工装置、加工制御装置およびパルス周波数制御方法
JP2015188931A (ja) * 2014-03-28 2015-11-02 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 レーザーマーキング画像形成物の製造方法、情報処理装置及びレーザー照射装置
JP2015188929A (ja) * 2014-03-28 2015-11-02 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 情報処理装置及びレーザー照射装置
CN105537844A (zh) * 2015-09-28 2016-05-04 成都焕越科技有限责任公司 一种管道内对口机

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