JPH08264488A - ウェハスクライブ装置及び方法 - Google Patents
ウェハスクライブ装置及び方法Info
- Publication number
- JPH08264488A JPH08264488A JP6283195A JP6283195A JPH08264488A JP H08264488 A JPH08264488 A JP H08264488A JP 6283195 A JP6283195 A JP 6283195A JP 6283195 A JP6283195 A JP 6283195A JP H08264488 A JPH08264488 A JP H08264488A
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- Japan
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- semiconductor wafer
- infrared light
- tool
- dividing line
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウェハの裏面に設けるスクライブライ
ンの位置精度を向上させる。 【構成】 半導体ウェハ１を裏面が上側となるようにガ
ラスプレート４に吸着固定させ、ＸＹθテーブル５によ
り赤外カメラ７の視野内に半導体ウェハ１を移動させ
る。次に赤外光源６から赤外光を半導体ウェハ１に出射
し、その透過光を赤外カメラ７で撮像する。これにより
半導体ウェハ１の表面に形成されたパターン画像を画像
認識ユニット８に取り込み、分割線を示すマークに従っ
てスクライブする線を検出する。検出した半導体ウェハ
１上の線に沿ってツール３がスクライブできるようにＸ
Ｙθテーブル５により半導体ウェハ１を位置決めし、ツ
ール３を移動させて半導体ウェハ１の裏面をスクライブ
する。
ンの位置精度を向上させる。 【構成】 半導体ウェハ１を裏面が上側となるようにガ
ラスプレート４に吸着固定させ、ＸＹθテーブル５によ
り赤外カメラ７の視野内に半導体ウェハ１を移動させ
る。次に赤外光源６から赤外光を半導体ウェハ１に出射
し、その透過光を赤外カメラ７で撮像する。これにより
半導体ウェハ１の表面に形成されたパターン画像を画像
認識ユニット８に取り込み、分割線を示すマークに従っ
てスクライブする線を検出する。検出した半導体ウェハ
１上の線に沿ってツール３がスクライブできるようにＸ
Ｙθテーブル５により半導体ウェハ１を位置決めし、ツ
ール３を移動させて半導体ウェハ１の裏面をスクライブ
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハからチッ
プを切り出すためにウェハをスクライブするウェハスク
ライブ装置及び方法に関する。
プを切り出すためにウェハをスクライブするウェハスク
ライブ装置及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来のレーザダイオードの半導体
チップを切り出すためのウェハスクライブ装置の主要部
を示す斜視図である。図２において、半導体ウェハ１０
１を裏返して表面を下に向けてステージ台１０２に固定
し、次に半導体ウェハ１０１のオリエンテーションフラ
ット１０４の位置を検出する。半導体ウェハ１０１の表
面上に形成されたレーザダイオードチップの分割ライン
に対応する裏面（上側の面）の線に沿うべくオリエンテ
ーションフラット１０４に直交する方向にツール１０３
により複数のスクライブラインを形成する。また、さら
に半導体ウェハ１０１の裏面にオリエンテーションフラ
ット１０４に平行な方向にオリエンテーションフラット
１０４から所定の距離ごとに複数のスクライブラインを
形成する。
チップを切り出すためのウェハスクライブ装置の主要部
を示す斜視図である。図２において、半導体ウェハ１０
１を裏返して表面を下に向けてステージ台１０２に固定
し、次に半導体ウェハ１０１のオリエンテーションフラ
ット１０４の位置を検出する。半導体ウェハ１０１の表
面上に形成されたレーザダイオードチップの分割ライン
に対応する裏面（上側の面）の線に沿うべくオリエンテ
ーションフラット１０４に直交する方向にツール１０３
により複数のスクライブラインを形成する。また、さら
に半導体ウェハ１０１の裏面にオリエンテーションフラ
ット１０４に平行な方向にオリエンテーションフラット
１０４から所定の距離ごとに複数のスクライブラインを
形成する。
【０００３】なお、レーザダイオードチップは短冊形
で、オリエンテーションフラット１０４に平行な方向の
スクライブラインは高精度な位置が要求されるがオリエ
ンテーションフラット１０４に直交する方向のスクライ
ブラインの位置は精度が要求されない。
で、オリエンテーションフラット１０４に平行な方向の
スクライブラインは高精度な位置が要求されるがオリエ
ンテーションフラット１０４に直交する方向のスクライ
ブラインの位置は精度が要求されない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のウェハ
スクライブ装置では、ウェハの裏面をスクライブしてい
るため、ウェハ表面に設けられた回路パターン等を直接
観察できないのでオリエンテーションフラットを基準に
チップの切り出しを行っているが、切り出し精度が悪
く、特にオリエンテーションフラットに平行な方向のス
クライブラインの位置精度が要求される精度に対して十
分でないという問題があった。
スクライブ装置では、ウェハの裏面をスクライブしてい
るため、ウェハ表面に設けられた回路パターン等を直接
観察できないのでオリエンテーションフラットを基準に
チップの切り出しを行っているが、切り出し精度が悪
く、特にオリエンテーションフラットに平行な方向のス
クライブラインの位置精度が要求される精度に対して十
分でないという問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のウェハスクライ
ブ装置は、半導体ウェハをスクライブするツールと、半
導体ウェハを固定し赤外光を透過するプレートと、前記
プレートを一平面上で移動及び回転させるＸＹθテーブ
ルと、前記半導体ウェハに向かって赤外光を出射する赤
外光源と、前記赤外光による前記半導体ウェハの透過映
像を撮像する赤外カメラと、前記赤外カメラで撮像した
透過映像から前記半導体ウェハ上のチップ分割線の位置
を認識する画像認識ユニットとを含み、前記ツールを前
記チップ分割線に沿って移動させて前記半導体ウェハを
スクライブすることを特徴とする。
ブ装置は、半導体ウェハをスクライブするツールと、半
導体ウェハを固定し赤外光を透過するプレートと、前記
プレートを一平面上で移動及び回転させるＸＹθテーブ
ルと、前記半導体ウェハに向かって赤外光を出射する赤
外光源と、前記赤外光による前記半導体ウェハの透過映
像を撮像する赤外カメラと、前記赤外カメラで撮像した
透過映像から前記半導体ウェハ上のチップ分割線の位置
を認識する画像認識ユニットとを含み、前記ツールを前
記チップ分割線に沿って移動させて前記半導体ウェハを
スクライブすることを特徴とする。
【０００６】本発明のウェハスクライブ方法は、半導体
ウェハを赤外光を透過するプレートに固定し、前記半導
体ウェハの赤外光による透過映像から前記半導体ウェハ
上のチップ分割線の位置を認識し、前記チップ分割線に
沿ってツールを移動させて前記半導体ウェハをスクライ
ブすることを特徴とする。
ウェハを赤外光を透過するプレートに固定し、前記半導
体ウェハの赤外光による透過映像から前記半導体ウェハ
上のチップ分割線の位置を認識し、前記チップ分割線に
沿ってツールを移動させて前記半導体ウェハをスクライ
ブすることを特徴とする。
【０００７】本発明は、表面に電子回路が設けられた半
導体ウェハの裏面をスクライブする半導体ウェハスクラ
イブ方法において、前記半導体ウェハの表面を赤外光を
透過するプレートに固定し、前記半導体ウェハの赤外光
による透過映像から前記半導体ウェハ上のチップ分割線
の位置を認識し、前記チップ分割線に沿ってツールを移
動させて前記半導体ウェハの裏面をスクライブすること
を特徴とする。
導体ウェハの裏面をスクライブする半導体ウェハスクラ
イブ方法において、前記半導体ウェハの表面を赤外光を
透過するプレートに固定し、前記半導体ウェハの赤外光
による透過映像から前記半導体ウェハ上のチップ分割線
の位置を認識し、前記チップ分割線に沿ってツールを移
動させて前記半導体ウェハの裏面をスクライブすること
を特徴とする。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例のウェハスクライブ装置の
主要部の斜視図である。
る。図１は本発明の一実施例のウェハスクライブ装置の
主要部の斜視図である。
【０００９】本実施例は、半導体ウェハ１からチップ２
を切り出すために半導体ウェハ１をスクライブするもの
で、半導体ウェハ１をスクライブするツール３と、半導
体ウェハ１を吸着固定し、光を透過するガラスプレート
４と、ガラスプレート４が固定され、ウェハ１を任意の
位置及び向きへ位置決めするＸＹθテーブル５と、ＸＹ
θテーブル５の下方よりウェハ１に向かって赤外光を出
射する赤外光源６と、赤外光によるウェハ１の透過映像
を撮像する赤外カメラ７と、赤外カメラ７で撮像した透
過映像から切り出すべきチップ２の位置を認識する画像
認識ユニット８とで構成される。
を切り出すために半導体ウェハ１をスクライブするもの
で、半導体ウェハ１をスクライブするツール３と、半導
体ウェハ１を吸着固定し、光を透過するガラスプレート
４と、ガラスプレート４が固定され、ウェハ１を任意の
位置及び向きへ位置決めするＸＹθテーブル５と、ＸＹ
θテーブル５の下方よりウェハ１に向かって赤外光を出
射する赤外光源６と、赤外光によるウェハ１の透過映像
を撮像する赤外カメラ７と、赤外カメラ７で撮像した透
過映像から切り出すべきチップ２の位置を認識する画像
認識ユニット８とで構成される。
【００１０】ツール３は一定直線上を往復移動しスクラ
イブする先端を半導体ウェハ１に対し押し付けたり離し
たりするように上下動が可能である。ガラスプレート４
には真空吸着用の複数の孔が設けられている。ＸＹθテ
ーブル５の中央部には上下に貫通する穴が設けられ、Ｘ
Ｙθテーブル５の下側に設けられた赤外光源６からの赤
外光はガラスプレート４上の半導体ウェハ１に到達す
る。半導体ウェハ１はガリウムヒ素等の赤外光を透過す
る素材からなる。半導体ウェハ１には表面にチップ分割
線を示すマークをアルミニウム等により設けておく。
イブする先端を半導体ウェハ１に対し押し付けたり離し
たりするように上下動が可能である。ガラスプレート４
には真空吸着用の複数の孔が設けられている。ＸＹθテ
ーブル５の中央部には上下に貫通する穴が設けられ、Ｘ
Ｙθテーブル５の下側に設けられた赤外光源６からの赤
外光はガラスプレート４上の半導体ウェハ１に到達す
る。半導体ウェハ１はガリウムヒ素等の赤外光を透過す
る素材からなる。半導体ウェハ１には表面にチップ分割
線を示すマークをアルミニウム等により設けておく。
【００１１】半導体ウェハ１を裏面が上側となるように
ガラスプレート４に吸着固定させ、ＸＹθテーブル５に
より赤外カメラ７の視野内に半導体ウェハ１を移動させ
る。次に赤外光源６から赤外光を半導体ウェハ１に出射
し、その透過光を赤外カメラ７で撮像する。これにより
半導体ウェハ１の表面に形成されたパターン画像を画像
認識ユニット８に取り込み、分割線を示すマークに従っ
てスクライブする線を検出する。検出した半導体ウェハ
１上の線に沿ってツール３がスクライブできるようにＸ
Ｙθテーブル５により半導体ウェハ１を位置決めし、ツ
ール３を移動させて半導体ウェハ１の裏面をスクライブ
する。このように縦横に複数のスクライブラインを半導
体ウェハ１に設ける。
ガラスプレート４に吸着固定させ、ＸＹθテーブル５に
より赤外カメラ７の視野内に半導体ウェハ１を移動させ
る。次に赤外光源６から赤外光を半導体ウェハ１に出射
し、その透過光を赤外カメラ７で撮像する。これにより
半導体ウェハ１の表面に形成されたパターン画像を画像
認識ユニット８に取り込み、分割線を示すマークに従っ
てスクライブする線を検出する。検出した半導体ウェハ
１上の線に沿ってツール３がスクライブできるようにＸ
Ｙθテーブル５により半導体ウェハ１を位置決めし、ツ
ール３を移動させて半導体ウェハ１の裏面をスクライブ
する。このように縦横に複数のスクライブラインを半導
体ウェハ１に設ける。
【００１２】本発明は、赤外光源を半導体ウェハの上側
に設け、赤外カメラをガラスプレートの下側に設けても
よい。また、半導体ウェハを吸着するプレートはガラス
プレートに限らず赤外線を透過する材質のものであれば
よい。
に設け、赤外カメラをガラスプレートの下側に設けても
よい。また、半導体ウェハを吸着するプレートはガラス
プレートに限らず赤外線を透過する材質のものであれば
よい。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体ウ
ェハの表面に形成されたパターンの赤外光による透過像
からスクライブ位置を検出してスクライブを行っている
ため、半導体ウェハの裏面をスクライブするために表面
をプレートに固定した場合でも、位置精度よく半導体ウ
ェハをスクライブできるという効果がある。
ェハの表面に形成されたパターンの赤外光による透過像
からスクライブ位置を検出してスクライブを行っている
ため、半導体ウェハの裏面をスクライブするために表面
をプレートに固定した場合でも、位置精度よく半導体ウ
ェハをスクライブできるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例の主要部の斜視図である。
【図２】従来の半導体ウェハスクライブ装置の主要部の
斜視図である。
斜視図である。
１ 半導体ウェハ ２ チップ ３ ツール ４ ガラスプレート ５ ＸＹθテーブル ６ 赤外光源 ７ 赤外カメラ ８ 画像処理ユニット １０１ 半導体ウェハ １０２ ステージ台 １０３ ツール １０４ オリエンテーションフラット
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体ウェハをスクライブするツール
と、半導体ウェハを固定し赤外光を透過するプレート
と、前記プレートを一平面上で移動及び回転させるＸＹ
θテーブルと、前記半導体ウェハに向かって赤外光を出
射する赤外光源と、前記赤外光による前記半導体ウェハ
の透過映像を撮像する赤外カメラと、前記赤外カメラで
撮像した透過映像から前記半導体ウェハ上のチップ分割
線の位置を認識する画像認識ユニットとを含み、前記ツ
ールを前記チップ分割線に沿って移動させて前記半導体
ウェハをスクライブすることを特徴とするウェハスクラ
イブ装置。 - 【請求項２】 半導体ウェハを赤外光を透過するプレー
トに固定し、前記半導体ウェハの赤外光による透過映像
から前記半導体ウェハ上のチップ分割線の位置を認識
し、前記チップ分割線に沿ってツールを移動させて前記
半導体ウェハをスクライブすることを特徴とするウェハ
スクライブ方法。 - 【請求項３】 表面に電子回路が設けられた半導体ウェ
ハの裏面をスクライブする半導体ウェハスクライブ方法
において、前記半導体ウェハの表面を赤外光を透過する
プレートに固定し、前記半導体ウェハの赤外光による透
過映像から前記半導体ウェハ上のチップ分割線の位置を
認識し、前記チップ分割線に沿ってツールを移動させて
前記半導体ウェハの裏面をスクライブすることを特徴と
するウェハスクライブ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6283195A JPH08264488A (ja) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | ウェハスクライブ装置及び方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6283195A JPH08264488A (ja) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | ウェハスクライブ装置及び方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08264488A true JPH08264488A (ja) | 1996-10-11 |
Family
ID=13211669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6283195A Pending JPH08264488A (ja) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | ウェハスクライブ装置及び方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08264488A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1995
- 1995-03-22 JP JP6283195A patent/JPH08264488A/ja active Pending
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